JPS6254987A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6254987A JPS6254987A JP19373785A JP19373785A JPS6254987A JP S6254987 A JPS6254987 A JP S6254987A JP 19373785 A JP19373785 A JP 19373785A JP 19373785 A JP19373785 A JP 19373785A JP S6254987 A JPS6254987 A JP S6254987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stripe
- layer
- type
- semiconductor layer
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、横モード安定な発#Rを行うことのできる半
導体レーザの製造方法に係り、特に半導体レーザの発光
領域以外でのもれ電流が少なく、且つ発光領域内に結晶
欠陥が導入されにくくすることによシ信頼性も向上した
半導体レーザの製造方法に関する。
導体レーザの製造方法に係り、特に半導体レーザの発光
領域以外でのもれ電流が少なく、且つ発光領域内に結晶
欠陥が導入されにくくすることによシ信頼性も向上した
半導体レーザの製造方法に関する。
従来の自己整合構造半導体レーザは、J、J。
Coleman等の文献に示された、以下のような構造
である。すなわち、第2図に示すようにn型GaAS基
板1上にn (GaAt)Asクラッド、層2、アンド
ープ(GaAt)As活性層3、p−(GaAt)As
クラッド層4、n−GaAS光吸収光吸収層成し、光吸
収層の一部をエツチングによシストライブ状に取シ除き
り (GaAt) A s 6で埋込んだ後、電極形
成の為のp−GaAs層7を結晶成長したもので(コー
ルマン他、アプライド・フィジックス・レター第37巻
第262頁1980年(J、 J、 Coleman
et al、 、 Appl。
である。すなわち、第2図に示すようにn型GaAS基
板1上にn (GaAt)Asクラッド、層2、アンド
ープ(GaAt)As活性層3、p−(GaAt)As
クラッド層4、n−GaAS光吸収光吸収層成し、光吸
収層の一部をエツチングによシストライブ状に取シ除き
り (GaAt) A s 6で埋込んだ後、電極形
成の為のp−GaAs層7を結晶成長したもので(コー
ルマン他、アプライド・フィジックス・レター第37巻
第262頁1980年(J、 J、 Coleman
et al、 、 Appl。
Phys、Lett、Vol 37(1)、 p、2
62.1980 )参照)、光吸収層により電流狭搾
と導波路の形成を同時に行ったものであるが、この構造
をMOCVDやMBEなどの熱非平衡状態での結晶成長
を用いて形成する場合、段差上への結晶成長に伴う結晶
欠陥や、二回成長の成長界面が電気的、光学的に活性な
領域に有るため素子の信頼性を低下させていた。
62.1980 )参照)、光吸収層により電流狭搾
と導波路の形成を同時に行ったものであるが、この構造
をMOCVDやMBEなどの熱非平衡状態での結晶成長
を用いて形成する場合、段差上への結晶成長に伴う結晶
欠陥や、二回成長の成長界面が電気的、光学的に活性な
領域に有るため素子の信頼性を低下させていた。
本発明は、従来構造の自己整合を半導体レーザにおいて
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、二回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止する半導体レーザの作製方法を提供すること
にある。
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、二回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止する半導体レーザの作製方法を提供すること
にある。
本発明は、従来構造の自己整合型半導体レーザにおいて
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、二回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止するため電流と光の密度が大きいストライプ
の内を(GaAt)Asで埋めるかわりに、ストライプ
外部のp型クラッド層の上にストライプ状に設けた5j
Oz又はS!3N4などの絶縁物マスクを用いてp型ク
ラッド層をエツチングし、絶縁物の上には結晶成長せず
、ストライプ外部にのみ結晶成長が行われるMOCVD
法により、GaA3で埋め込むことKよシ導波路を形成
する半導体レーザの作製方法に関するものである。
問題であった、段差のある基板上への結晶成長に伴う結
晶欠陥と、二回成長の成長界面の欠陥による素子寿命の
低下を防止するため電流と光の密度が大きいストライプ
の内を(GaAt)Asで埋めるかわりに、ストライプ
外部のp型クラッド層の上にストライプ状に設けた5j
Oz又はS!3N4などの絶縁物マスクを用いてp型ク
ラッド層をエツチングし、絶縁物の上には結晶成長せず
、ストライプ外部にのみ結晶成長が行われるMOCVD
法により、GaA3で埋め込むことKよシ導波路を形成
する半導体レーザの作製方法に関するものである。
以下本発明の実施例を図に従い説明する。
実施例1
第1図に、本実施例による半導体レーザの断面構造を示
す。この構造の作製工程は以下のとおシである。
す。この構造の作製工程は以下のとおシである。
n −Q a A S基板1上に常圧MOCVD法によ
#)nGao、5sAto、n5Asクラッド層2、ア
ンドープG ao、5sAto、+4As活性層3、p
Gao、5sAto、4sAsクラッド層4、I)Ga
Asキャップ層8を順次結晶成長した後、通常のフォト
リングラフ技術を用いてSjO*fスク13を設はリン
酸系のエツチング液を用いて、ストライプ外部をp型ク
ラッド層を0.1〜0.3μm残してエツチングした。
#)nGao、5sAto、n5Asクラッド層2、ア
ンドープG ao、5sAto、+4As活性層3、p
Gao、5sAto、4sAsクラッド層4、I)Ga
Asキャップ層8を順次結晶成長した後、通常のフォト
リングラフ技術を用いてSjO*fスク13を設はリン
酸系のエツチング液を用いて、ストライプ外部をp型ク
ラッド層を0.1〜0.3μm残してエツチングした。
第3図は、この段階での素子の断面構造を示す。このよ
うにして作製した構造を、再びMOCVD法によシn−
GaAS9によシ埋込んだ。ここで、ストライプの方位
を(110)方向とした場合、第4図のように、リッジ
側面からの成長が起とシストライプの両がわに鋭い突起
が出来るため、ストライプの方位を(110)とするか
、若しくはドライエッチを用いるなどの方法によシ、リ
ッジ側面の基板表面に対する角度14を100度以下に
することが必要である。この場合5i(h膜の上に結晶
成長がおこらないMOCVD法の特性のためS fat
膜は露出したままとなシ、埋込成長後にフッ酸系のエツ
チング液によシ取シ除くことが出来た。この構造にp電
極としてCr/Au1Oをn電極としてAuGeNi/
Cr/Au11を蒸着し3004m角にへきかいしてレ
ーザチップとした。
うにして作製した構造を、再びMOCVD法によシn−
GaAS9によシ埋込んだ。ここで、ストライプの方位
を(110)方向とした場合、第4図のように、リッジ
側面からの成長が起とシストライプの両がわに鋭い突起
が出来るため、ストライプの方位を(110)とするか
、若しくはドライエッチを用いるなどの方法によシ、リ
ッジ側面の基板表面に対する角度14を100度以下に
することが必要である。この場合5i(h膜の上に結晶
成長がおこらないMOCVD法の特性のためS fat
膜は露出したままとなシ、埋込成長後にフッ酸系のエツ
チング液によシ取シ除くことが出来た。この構造にp電
極としてCr/Au1Oをn電極としてAuGeNi/
Cr/Au11を蒸着し3004m角にへきかいしてレ
ーザチップとした。
実施例2
第2の実施例として、p形りラッド層をp−G ao、
ss Ato、45 A s層4一層とするかわシにp
−Gao、sA4,4AS層4とpGao、5sAto
、aBAs層12の二層構造とした第5図のような構造
の素子を試作した。ここで、p Gao、yAto、3
As層4の厚みを0.1〜0.3μmとした。この構造
では、沃素系のエツチング液を用いる事によ’)、p−
G ao、5AtO0sA 8層12をpG a6,6
At0.4AS層4置対して選択的に取シ除く事が出来
る。以下、実施例1と同様なプロセスにより半導体レー
ザチップを作製した。
ss Ato、45 A s層4一層とするかわシにp
−Gao、sA4,4AS層4とpGao、5sAto
、aBAs層12の二層構造とした第5図のような構造
の素子を試作した。ここで、p Gao、yAto、3
As層4の厚みを0.1〜0.3μmとした。この構造
では、沃素系のエツチング液を用いる事によ’)、p−
G ao、5AtO0sA 8層12をpG a6,6
At0.4AS層4置対して選択的に取シ除く事が出来
る。以下、実施例1と同様なプロセスにより半導体レー
ザチップを作製した。
第1図は実施例1の半導体レーザの断面構造図、耶2図
は従来の自己整合形半導体レーザの断面構貴図、第3図
は埋込成長前の実施例1の半導体レーザの断面構造図、
第4図は(110)方向のストライプに埋込成長を行っ
た時の断面構造図、第5図は実施例2の半導体レーザの
断面構造図である。 1−+n GaAS基板、2 ・・・n Ga(1,
65Ato、4sASクラッド層、3・・・アンドープ
Gao、5sAto、tiAS活性層、4 ・・・p−
Gao、5sA7o、4sASクラッド層、5−p G
aAs光吸収層、5−・・p (GaAtJAs層、
7・ p−GaAs、8−p−GaAsキャップ層、9
−・−n−GaAs層、10−Cr/Au、11・−A
uGeN!/Cr/AU 、12− p−Gao、5k
lo、5kS層、13・・・8402マスク、14・・
・基板とリッジ側面のなす角度 fJ+ 図 ■ Z 図 <lSl″m (!+ 〜 :)
は従来の自己整合形半導体レーザの断面構貴図、第3図
は埋込成長前の実施例1の半導体レーザの断面構造図、
第4図は(110)方向のストライプに埋込成長を行っ
た時の断面構造図、第5図は実施例2の半導体レーザの
断面構造図である。 1−+n GaAS基板、2 ・・・n Ga(1,
65Ato、4sASクラッド層、3・・・アンドープ
Gao、5sAto、tiAS活性層、4 ・・・p−
Gao、5sA7o、4sASクラッド層、5−p G
aAs光吸収層、5−・・p (GaAtJAs層、
7・ p−GaAs、8−p−GaAsキャップ層、9
−・−n−GaAs層、10−Cr/Au、11・−A
uGeN!/Cr/AU 、12− p−Gao、5k
lo、5kS層、13・・・8402マスク、14・・
・基板とリッジ側面のなす角度 fJ+ 図 ■ Z 図 <lSl″m (!+ 〜 :)
Claims (1)
- 1、少なくとも第一の半導体層と、該第一の半導体層を
はさむように設けた、該半導体層より広い禁制帯幅で導
電型の互いに異なる第二、及び第三の半導体層を有し、
第三の半導体層のストライプ状の部分を除いて第三の半
導体層を、活性層で発生した光がしみだすに十分な深さ
まで光吸収のある第四の半導体層により置きかえた半導
体レーザ構造を、該第三の半導体層を第三の半導体層の
上にストライプ状に設けたSiO_2又はSi_3N_
4などの絶縁物マスクを用いてエッチングし、絶縁物の
上には結晶成長せず、ストライプ外部にのみ結晶成長が
行われるMOCVD法により第四の半導体を形成する事
を特徴とする半導体レーザにおいて、絶縁物マスクによ
り保護され、エッチングされずに残るリッジ状の部分の
斜辺が基板表面に対し、100度以下の角度を有するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60193737A JPH0770779B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60193737A JPH0770779B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 半導体レーザの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8099813A Division JP2674592B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6254987A true JPS6254987A (ja) | 1987-03-10 |
JPH0770779B2 JPH0770779B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16312971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60193737A Expired - Lifetime JPH0770779B2 (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0770779B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027590A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fuji Electric Co Ltd | 屈折率導波型半導体レーザ素子 |
US5786234A (en) * | 1995-10-17 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor laser |
US6891872B1 (en) | 1999-09-27 | 2005-05-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57152180A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser device |
JPS5956783A (ja) * | 1982-09-25 | 1984-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP60193737A patent/JPH0770779B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57152180A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser device |
JPS5956783A (ja) * | 1982-09-25 | 1984-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027590A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fuji Electric Co Ltd | 屈折率導波型半導体レーザ素子 |
US5786234A (en) * | 1995-10-17 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor laser |
US6891872B1 (en) | 1999-09-27 | 2005-05-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0770779B2 (ja) | 1995-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4899349A (en) | Semiconductor laser device | |
US6396863B1 (en) | High-power semiconductor laser device having index-guided structure with InAlGaP current confinement layer | |
JP2815769B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JPS6254987A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
US5065403A (en) | Self-alignment type window semiconductor laser | |
US7173273B2 (en) | Semiconductor laser device | |
JP3108183B2 (ja) | 半導体レーザ素子とその製造方法 | |
JP2674592B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP2003046193A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JPH0437598B2 (ja) | ||
US5974067A (en) | Semiconductor laser and method of manufacturing the same | |
JP3109481B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2550717B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
JPS61284985A (ja) | 半導体レ−ザ装置の作製方法 | |
JP2528834B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JP3328933B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JPS62147792A (ja) | 半導体レ−ザの作製方法 | |
JPH11284276A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JPS61272988A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPS59220985A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JP3081363B2 (ja) | 赤色半導体レーザ | |
JPH0766992B2 (ja) | AlGaInP系半導体レーザとその製造方法 | |
JPH05121823A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
JPH07122813A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
JPH0645688A (ja) | 半導体レーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |