JPH10326940A

JPH10326940A - 半導体発光素子

Info

Publication number: JPH10326940A
Application number: JP15029297A
Authority: JP
Inventors: Takashi Takahashi; 孝志高橋
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-05-23
Filing date: 1997-05-23
Publication date: 1998-12-08
Anticipated expiration: 2017-05-23
Also published as: JP3853470B2

Abstract

(57)【要約】【課題】エッチング深さの制御性が良好で製造が容易
なIII族窒化物材料系の半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッ
ファ層１０２，ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３，ｎ型Ａ
ｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎクラッド層１０４，Ｉｎ_0.05Ｇａ_0.95
Ｎ活性層１０５，ｐ型Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッ
チングストップ層１０６，ｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎクラ
ッド層１０７，ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８が順次に
積層されている。なお、１０９はｐ型ＧａＮコンタクト
層１０８上に形成されたｐ側電極であり、１１０はｎ型
ＧａＮコンタクト層１０３上に形成されたｎ側電極であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、III族窒化物材料
系の半導体発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、特開平８−１２５２７５号に示さ
れているようなIII族窒化物系化合物半導体レーザ素子
が知られている。

【０００３】図７は、特開平８−１２５２７５号に示さ
れている従来のIII族窒化物系化合物半導体レーザ素子
の構成図である。図７を参照すると、ｎ型のα−ＳｉＣ
基板１のａ面には、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型のＧａ
Ｎ層２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３、ＩｎＧａＮ活性
層４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｐ型ＧａＮ層６が
順次に積層されている。

【０００４】そして、ｐ型ＧａＮ層６上の表面中央部を
除く両側に、電流狭窄のためストライプ状のＳｉＯ₂ま
たはＳｉＮからなる絶縁層７が形成され、この絶縁層７
およびｐ型ＧａＮ層６の表面にわたってＡｕ電極８が形
成されている。また、α−ＳｉＣ基板１の下面にはＮｉ
電極９が形成されている。図７に示す構造では、電流は
ｐ型ＧａＮ層６の表面に形成した絶縁層７によってスト
ライプ状の領域に狭窄される構成になっており、利得導
波型の半導体レーザ素子となっている。

【０００５】このように、図７に示したIII族窒化物材
料系半導体レーザ素子は利得導波型となっているが、閾
電流をより低減し、また高い光出力まで横モードを安定
させて動作させるためには屈折率導波型にする必要があ
る。

【０００６】図８は特開平８−９７４６８号に示されて
いるIII族窒化物系化合物半導体レーザ素子の断面図で
ある。図８を参照すると、サファイア基板１０上には、
ｎ型のＧａＮからなる低温バッファ層１１、高温バッフ
ァ層１２、ｎ型ＡｌＧａＮからなる下部クラッド層１
３、ノンドープまたはｎ型またはｐ型のＩｎＧａＮから
なる活性層１４、下部クラッド層１３と同じ組成のｐ型
上部クラッド層１５、ｐ型ＧａＮ層１９とｐ型ＩｎＧａ
Ｎ層２０からなるコンタクト層１６が順次に積層されて
いる。

【０００７】そして、コンタクト層１６上にｐ側電極１
７が形成され、また、積層された半導体層の１部をエッ
チングして露出した高温バッファ層１２上にｎ側電極１
８が形成されている。また、ｐ側電極１７に合わせてコ
ンタクト層１６およびｐ型クラッド層１５の一部は、エ
ッチングされてメサ型形状を構成している。

【０００８】このように、図８に示した構造は、活性層
１４の上までエッチングして形成したメサ型形状により
リッジ導波路が形成されているため、電流だけでなく光
も水平横方向に閉じ込められる屈折率導波型の半導体レ
ーザ素子となっている。

【０００９】しかしながら、図８に示したIII族窒化物
材料系半導体レーザ素子において、リッジ導波路は、素
子表面からコンタクト層１６およびｐ型クラッド層１５
の一部をエッチングし、ＩｎＧａＮ活性層１４よりも上
でエッチングを停止させて形成しており、このエッチン
グ深さがばらつくと、リッジ導波路の実効屈折率が変化
してレーザの閾電流や遠視野像等の素子特性が変化して
しまう。そのため、エッチング深さを精密に制御する必
要がある。

【００１０】また、図９は、特開平８−９７５０３号に
示されているＡｌＧａＡｓ材料系の代表的な屈折率導波
型半導体レーザの一例を示す図である。図９を参照する
と、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上には、ｎ型ＡｌＧａＡｓ下
部クラッド層２２、ノンドープまたはｎ型またはｐ型の
ＡｌＧａＡｓ活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上部ク
ラッド層２４、ｎ型ＧａＡｓ電流制限層２５、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ第２上部クラッド層２６、ｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層２７が順次に積層されている。そして、ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層２７の上面，ｎ型ＧａＡｓ基板２１の
下面には、それぞれ、ｐ側電極２８，ｎ側電極２９が形
成されている。この構造では、ｎ型ＧａＡｓからなる電
流制限層２５により注入電流を幅ｗのストライプ状領域
に制限すると同時に、活性層で発生した光を吸収するこ
とにより、ストライプ内外で屈折率差を設けることがで
きる。そのため、幅ｗの領域に光は閉じ込められて安定
して導波することができる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】図９に示したような半
導体レーザの構造は、ＡｌＧａＡｓ材料系において広く
用いられている構造である。ＡｌＧａＡｓ材料系では、
ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓを化学エッチングによって選択
的にエッチングすることが比較的容易に可能であるた
め、ｎ型ＧａＡｓ電流制限層２５を幅ｗのストライプ状
にｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上部クラッド層２４の表面まで
選択的にエッチングしてストライプ構造を形成してい
る。

【００１２】これに対し、III族窒化物材料系では、化
学エッチングによってはほとんどエッチングがなされ
ず、またＡｌＧａＡｓ材料系のようにＩｎＧａＮ，Ｇａ
Ｎ，ＡｌＧａＮをそれぞれ選択的にエッチングすること
が困難である。そのため、図９に示したような構造をII
I族窒化物材料系で作製する場合には、エッチング深さ
を精密に制御しながら電流狭窄層をドライエッチングし
なければならず、製造が困難となっている。

【００１３】本発明は、エッチング深さの制御性が良好
で製造が容易なIII族窒化物材料系の半導体発光素子(半
導体レーザ素子)を提供することを目的としている。

【００１４】また、本発明は、エッチング深さの制御性
が良好で製造が容易であり、リッジ導波路構造を有する
III族窒化物材料系の半導体発光素子(半導体レーザ素
子)を提供することを目的としている。

【００１５】また、本発明は、エッチング深さの制御性
が良好で製造が容易であり、かつ動作電圧を低減させた
リッジ導波路型III族窒化物材料系の半導体発光素子(半
導体レーザ素子)を提供することを目的としている。

【００１６】また、本発明は、エッチング深さの制御性
が良好で製造が容易な屈折率導波型のIII族窒化物材料
系の半導体発光素子(半導体レーザ素子)を提供すること
を目的としている。

【００１７】また、本発明は、エッチング深さの制御性
が良好で製造が容易であり、かつ動作電圧を低減させた
屈折率導波型のIII族窒化物材料系の半導体発光素子(半
導体レーザ素子)を提供することを目的としている。

【００１８】また、本発明は、エッチング深さの制御性
が良好で製造が容易であり、動作電圧を低減させたＩｎ
を含む活性層を有する屈折率導波型のIII族窒化物材料
系の半導体発光素子(半導体レーザ素子)を提供すること
を目的としている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、ｎ型クラッド層とｐ型クラ
ッド層とに活性層が挾まれた構造が基板上に積層された
III族窒化物材料系半導体発光素子において、Ｉｎを含
むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材
料からなるエッチングストップ層が活性層の近傍に積層
されており、上記エッチングストップ層の表面までＩｎ
を含まないIII族窒化物材料からなる層をエッチングし
てストライプ構造が形成されていることを特徴としてい
る。

【００２０】また、請求項２記載の発明は、基板上に、
少なくとも、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電
型エッチングストップ層，第２導電型クラッド層，第２
導電型コンタクト層を含む構造が積層されており、第２
導電型エッチングストップ層は、Ｉｎを含むIII族窒化
物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなり、
また、エッチングストップ層よりも上の層はＩｎを含ま
ないIII族窒化物材料系で構成されており、素子表面か
ら第２導電型コンタクト層および第２導電型クラッド層
を第２導電型エッチングストップ層の表面までほぼ垂直
にエッチングしてリッジ導波路が形成されていることを
特徴としている。

【００２１】また、請求項３記載の発明は、基板上に、
少なくとも、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電
型エッチングストップ層，第２導電型クラッド層，第２
導電型コンタクト層を含む構造が積層されており、第２
導電型エッチングストップ層は、Ｉｎを含むIII族窒化
物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなり、
また、エッチングストップ層よりも上の層はＩｎを含ま
ないIII族窒化物材料系で構成されており、素子表面か
ら第２導電型コンタクト層および第２導電型クラッド層
を第２導電型エッチングストップ層の表面まで逆メサ形
状にエッチングしてリッジ導波路が形成されていること
を特徴としている。

【００２２】また、請求項４記載の発明は、基板上に、
少なくとも、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電
型エッチングストップ層，第２導電型クラッド層，第２
導電型コンタクト層を含む構造が積層されており、第２
導電型エッチングストップ層は、Ｉｎを含むIII族窒化
物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなり、
また、エッチングストップ層よりも上の層はＩｎを含ま
ないIII族窒化物材料系で構成されており、素子表面か
ら第２導電型コンタクト層および第２導電型クラッド層
を第２導電型エッチングストップ層の表面までエッチン
グしてストライプ構造が形成され、該ストライプ構造の
両側にストライプ構造と平行に、素子表面から第２導電
型コンタクト層および第２導電型クラッド層を第２導電
型エッチングストップ層の表面まで周期的にエッチング
して回折格子が形成されていることを特徴としている。

【００２３】また、請求項５記載の発明は、基板上に、
少なくとも、第１導電型クラッド層，活性層，第２導電
型エッチングストップ層，第１導電型または半絶縁性の
電流狭窄層，第２導電型クラッド層，第２導電型コンタ
クト層を含む構造が積層されており、第２導電型エッチ
ングストップ層は、Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性
層よりも禁制帯幅の大きい材料からなり、また、電流狭
窄層は、Ｉｎを含まずに活性層よりも禁制帯幅が小さい
かまたは同じ材料からなり、電流狭窄層が第２導電型エ
ッチングストップ層の表面までエッチングされてストラ
イプ溝が形成されていることを特徴としている。

【００２４】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の半導体発光素子において、活性層はＩｎを含むIII
族窒化物材料からなり、また、第１導電型または半絶縁
性の電流狭窄層はＩｎを含まずにＡｓまたはＰを含むII
I族窒化物材料からなることを特徴としている。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。本発明の半導体レーザ素子は、基本
的には、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とに活性層が
挾まれた構造が、基板上に積層されたIII族窒化物材料
系の半導体レーザ素子となっており、Ｉｎを含むIII族
窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からな
るエッチングストップ層が活性層の近傍に積層されてお
り、上記エッチングストップ層の表面までＩｎを含まな
いIII族窒化物材料からなる層をエッチングしてストラ
イプ構造が形成されていることを特徴としている。

【００２６】本発明の半導体発光素子では、これに電流
を注入すると、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とに挾
まれたIII族窒化物材料からなる活性層で発光再結合し
て、青色〜紫外線領域の光が放出される。発光した光は
クラッド層に挾まれた活性層を導波しながら誘導放出に
より増幅され、素子の両端面の反射鏡の間で共振してレ
ーザ発振する。

【００２７】活性層の近傍に積層されたエッチングスト
ップ層の表面までエッチングして形成されたストライプ
構造は、活性層に注入される電流をストライプの幅に限
定して集中させる働きをする。これにより、レーザの閾
電流を低減できる。

【００２８】また、活性層の近傍に積層されたエッチン
グストップ層は、活性層よりも禁制帯幅の大きい材料で
構成されている。そのため、注入されたキャリアはエッ
チングストップ層内で再結合することがなく、リーク電
流の発生を抑制できる。また、活性層で発光した光はエ
ッチングストップ層で吸収されないため、光の吸収損失
が生じない。

【００２９】塩素系ガスを用いたドライエッチングで
は、Ｉｎの塩化物の沸点が５００℃以上と高いため、Ｉ
ｎを含む材料のエッチングレートはＩｎを含まない材料
に比べて低くなる傾向がある。そこで、エッチングする
サンプルの温度が上昇しないようにサンプルの温度を低
温で制御しながらエッチングすることにより、Ｉｎを含
む層においてエッチングレートを極端に低下させること
ができる。本発明の半導体レーザ素子においては、Ｉｎ
を含むエッチングストップ層の表面までＩｎを含まない
III族窒化物材料からなる層を塩素系ガスでドライエッ
チングしてストライプ構造を形成している。従って、エ
ッチング深さをエッチングストップ層の位置と層厚によ
って厳密に規定することができる。

【００３０】図１は本発明に係る半導体発光素子(半導
体レーザ素子)の一構成例を示す図である。図１を参照
すると、この半導体レーザ素子は、サファイア基板１０
１上に、ＧａＮバッファ層１０２，ｎ型ＧａＮコンタク
ト層１０３，ｎ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎクラッド層１０
４，Ｉｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎ活性層１０５，ｐ型Ｉｎ_0.07Ｇ
ａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６，ｐ型Ａ
ｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎクラッド層１０７，ｐ型ＧａＮコンタ
クト層１０８が順次に積層されている。なお、１０９は
ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８上に形成されたｐ側電極
であり、１１０はｎ型ＧａＮコンタクト層１０３上に形
成されたｎ側電極である。

【００３１】図２は図１の半導体レーザ素子の製造工程
例を示す図である。この製造工程例では、最初にサファ
イア基板１０１上に、層厚０．０２μｍ程度のＧａＮバ
ッファ層１０２，層厚３μｍ程度のｎ型ＧａＮコンタク
ト層１０３，層厚０．８μｍ程度のｎ型Ａｌ_0.15Ｇａ
_0.85Ｎクラッド層１０４，層厚０．０５μｍ程度のＩｎ
_0.05Ｇａ_0.95Ｎ活性層１０５，層厚０．１μｍ程度のｐ
型Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１
０６，層厚０．８μｍ程度のｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎク
ラッド層１０７，層厚０．２μｍ程度のｐ型ＧａＮコン
タクト層１０８を、ＭＯＣＶＤ法で順次にエピタキシャ
ル成長させる(図２(ａ))。

【００３２】次に、幅５μｍ程度のストライプ領域を除
いてｐ型ＧａＮコンタクト層１０８およびｐ型Ａｌ_0.15
Ｇａ_0.85Ｎクラッド層１０７をＥＣＲ−ＲＩＢＥ法を用
いてほぼ垂直にドライエッチングする(図２(ｂ))。これ
により、水平方向の電流と光を閉じ込めるためのリッジ
導波路が形成される。このとき、エッチングガスに塩素
系ガスを使用し、また基板温度が室温近傍になるように
制御することにより、Ｉｎを含まないｐ型ＧａＮコンタ
クト層１０８およびｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎクラッド層
１０７はエッチングされるが、Ｉｎを含むｐ型Ｉｎ_0.07
Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６表面ま
で達すると、エッチングはほぼ停止する。これはＩｎの
塩素化合物の沸点が５００℃以上と高いためである。

【００３３】次に、ｎ側の電極を形成するために、ｐ型
Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０
６表面からｎ型ＧａＮコンタクト層１０３の途中までＥ
ＣＲ−ＲＩＢＥ法でドライエッチングを行なう(図２
(ｃ))。このときは、エッチングガスに塩素系ガスを使
用し、基板温度が２００℃以上になるように制御する。
これにより、Ｉｎを含むＩｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエ
ッチングストップ層１０６およびＩｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎ活
性層１０５もエッチングされる。

【００３４】しかる後、リッジ導波路の頂上のｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１０８表面にｐ側電極１０９を真空蒸着
で形成し、また図２(ｃ)の工程でエッチングして露出さ
せたｎ型ＧａＮコンタクト層１０３の表面にｎ側電極１
１０をそれぞれ真空蒸着で形成する。最後に、基板をチ
ップ状に分離して共振器を形成する(図２(ｄ))。

【００３５】ところで、このようなリッジ導波路型半導
体レーザ素子では、活性層からリッジストライプ底面ま
での距離を制御することが重要である。この距離によっ
てリッジ導波路内外の実効屈折率差が変化するためであ
る。活性層からリッジストライプ底面までの距離がばら
つくと、水平横方向の光の分布が変化して、レーザの遠
視野像や閾電流等の特性がばらついてしまう。

【００３６】図１，図２の半導体レーザ素子では、Ｉｎ
を含むＩｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ
層１０６がＩｎ_0.05Ｇａ_0.95Ａｓ活性層１０５上に積層
されており、Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングス
トップ層１０５の表面でドライエッチングを停止させて
エッチング深さｄ１を制御している。従って、活性層１
０５からリッジストライプ底面(ｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85
Ｎクラッド層１０７の底面)までの距離は、Ｉｎ_0.07Ｇ
ａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６の層厚で
設定できるため、制御性よく素子を製造することができ
る。

【００３７】一方、図２(ｃ)に示したドライエッチング
工程においては、エッチングストップ層１０６をもエッ
チングしており、エッチングストップ層１０６の機能を
用いていない。この場合、ｎ側電極をとるために、エッ
チング底面が層厚３μｍ程度のｎ型ＧａＮコンタクト層
１０３中にあればよいので、エッチング深さの制御に関
してそれほど厳密性を必要としない。

【００３８】また、図１の構成例において、Ｉｎ_0.07Ｇ
ａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６の禁制帯
幅はＩｎ_0.05Ｇａ_0.95Ａｓ活性層１０５の禁制帯幅より
も大きくなっている。従って、エッチングストップ層１
０６を活性層１０５に隣接して形成してもエッチングス
トップ層１０６内でキャリアが再結合しないため、リー
ク電流の発生を抑制できる。また、Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａ
ｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６はＩｎ_0.05Ｇａ
_0.95Ａｓ活性層１０５で発光した光を吸収しない透明な
媒質であるため、光の吸収損失が生じない。そして、屈
折率についても、Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチン
グストップ層１０６の方がＩｎ_0.05Ｇａ_0.95Ａｓ活性層
１０５よりも小さいため、活性層１０５に光を閉じ込め
る作用をする。

【００３９】上述のことから、エッチングストップ層１
０６に用いる材料は、Ｉｎを含み、かつ活性層１０５よ
りも禁制帯幅が大きいIII族窒化物でなけれらばならな
い。例えば、活性層１０５の材料がＧａＮであれば、エ
ッチングストップ層１０６には、ＧａＮと格子整合する
Ｉｎ_0.18Ａｌ_0.82Ｎや、Ｉｎ_0.18Ａｌ_0.82ＮとＧａＮの
混晶が用いられる。また、活性層１０５の材料がＩｎＧ
ａＮの場合には、エッチングストップ層１０６として
は、上記の材料に加えて、活性層１０５よりもＩｎ含有
量の少ないＩｎＧａＮも使用することができる。

【００４０】以上のように、図１のIII族窒化物材料系
半導体レーザ素子は、基板１０１上に、少なくとも、第
１導電型クラッド層１０４，活性層１０５，第２導電型
エッチングストップ層１０６，第２導電型クラッド層１
０７，第２導電型コンタクト層１０８を含む構造が積層
されており、第２導電型エッチングストップ層１０６
は、Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性層１０５よりも
禁制帯幅の大きい材料からなり、また、エッチングスト
ップ層１０６よりも上の層はＩｎを含まないIII族窒化
物材料系で構成されており、素子表面から第２導電型コ
ンタクト層１０８および第２導電型クラッド層１０７を
第２導電型エッチングストップ層１０６の表面までほぼ
垂直にエッチングしてリッジ導波路を形成したものとな
っている。

【００４１】図１のIII族窒化物材料系半導体レーザ素
子においては、Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性層１
０５よりも禁制帯幅の大きい材料からなる第２導電型エ
ッチングストップ層１０６を活性層１０５の上部に設け
ており、素子表面からＩｎを含まないIII族窒化物材料
系で構成された第２導電型コンタクト層１０８および第
２導電型クラッド層１０７を第２導電型エッチングスト
ップ層１０６の表面までほぼ垂直にエッチングしてリッ
ジ導波路を形成しており、Ｉｎを含むエッチングストッ
プ層１０６の表面でドライエッチングを停止できるた
め、リッジ導波路のエッチング深さを厳密に制御するこ
とができる。そして、このリッジ導波路の領域に電流が
狭窄されるため、閾値電流が低減される。また、活性層
１０５で発光した光はリッジ導波路を導波するため、水
平横モードが安定した屈折率導波型導体レーザとして動
作する。

【００４２】図３は本発明に係る半導体発光素子(半導
体レーザ素子)の他の構成例を示す図である。図３の半
導体レーザ素子は、素子の積層構成については、図１に
示した構成例と同様であるが、リッジ導波路が逆メサ形
状になっている点で、図１に示した半導体レーザ素子と
相違している。逆メサ形状のリッジ導波路は、ＥＣＲ−
ＲＩＢＥ法でリッジ導波路をドライエッチングして形成
する工程において、基板１０１に対して斜めからイオン
ビームを照射して約４５度の角度でドライエッチングす
ることによって形成される。なお、この場合、リッジ導
波路の側面をそれぞれ角度を変えて斜めにドライエッチ
ングするため、ドライエッチングを２回行なう必要があ
る。そして、図１に示した半導体レーザ素子と同様に、
Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０
６の表面でドライエッチングを停止させることができる
ため、エッチング深さの制御が容易となっている。

【００４３】図３のようにリッジ導波路を逆メサ形状と
する構造では、リッジ導波路の下幅ｗ₂を例えば３μｍ
程度に狭くした場合でも、リッジ導波路の上幅ｗ₁は約
６μｍ程度と広くすることができる。従って、電流を活
性層１０５の狭いストライプ領域に狭窄しつつ、同時に
ｐ側電極１０９とｐ型ＧａＮコンタクト層１０８との接
触面積を広くして接触抵抗の増加を抑制することがで
き、これにより、素子の閾電流および動作電圧を低減す
ることができる。

【００４４】換言すれば、図３のIII族窒化物材料系半
導体レーザ素子は、基板１０１上に、少なくとも、第１
導電型クラッド層１０４，活性層１０５，第２導電型エ
ッチングストップ層１０６，第２導電型クラッド層１０
７，第２導電型コンタクト層１０８を含む構造が積層さ
れており、第２導電型エッチングストップ層１０６は、
Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性層１０５よりも禁制
帯幅の大きい材料からなり、また、エッチングストップ
層１０６よりも上の層はＩｎを含まないIII族窒化物材
料系で構成されており、素子表面から第２導電型コンタ
クト層１０８および第２導電型クラッド層１０７を第２
導電型エッチングストップ層１０６の表面まで逆メサ形
状にエッチングしてリッジ導波路が形成されている。

【００４５】すなわち、図３のIII族窒化物材料系半導
体レーザ素子においては、Ｉｎを含むIII族窒化物材料
で活性層１０５よりも禁制帯幅の大きい材料からなる第
２導電型エッチングストップ層１０６を活性層１０５の
上部に設けており、素子表面からＩｎを含まないIII族
窒化物材料系で構成された第２導電型コンタクト層１０
８および第２導電型クラッド層１０７を第２導電型エッ
チングストップ層１０６の表面まで逆メサ形状にエッチ
ングしてリッジ導波路を形成している。

【００４６】従って、図１の半導体レーザ素子と同様
に、リッジ導波路を有する屈折率導波型導体レーザの構
造となっているが、図３の半導体レーザ素子では、リッ
ジ導波路が逆メサ形状になっており、リッジ導波路を逆
メサ形状にすることで、電流を狭窄する幅を狭くして、
かつ上部電極１０９と第２導電型コンタクト層１０８と
の接触面積を広くすることができる。すなわち、電極と
の接触抵抗を低減でき、素子の動作電圧を低下させるこ
とができる。特に、III族窒化物材料系ではｐ型半導体
層のキャリア濃度を高くすることが困難であり、ｐ側電
極とｐ型半導体層との接触抵抗が高くなってしまう。従
って、上部電極がｐ側電極の場合には、電極との接触抵
抗を低減できる逆メサ形状が有効である。

【００４７】図４は本発明に係る半導体発光素子(半導
体レーザ素子)の他の構成例を示す図である。図４の半
導体レーザ素子は、素子の積層構造については、図１，
図３に示した半導体レーザ素子と同様であるが、図４の
半導体レーザ素子においては、リッジ導波路(ストライ
プ構造)の両側にリッジ導波路(ストライプ構造)と平行
に素子表面からＩｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチング
ストップ層１０６の表面まで周期的なエッチングによっ
て回折格子４０１が形成されている。

【００４８】ここで、回折格子４０１は、より具体的に
は、塩素系ガスを用いたＥＣＲ−ＲＩＢＥ法でドライエ
ッチングして形成され、Ｉｎを含むＩｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａ
ｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６の表面でドライエ
ッチングが停止する。従って、回折格子４０１のエッチ
ング深さについても、制御性良く形成することができ
る。

【００４９】図４の構成では、電流が注入されるストラ
イプ領域(リッジ導波路)１０７，１０８の外側に漏れた
光は、回折格子４０１で反射されるため、光はストライ
プ領域(リッジ導波路)を確実に導波する。これにより、
図４の半導体レーザ素子は、安定した屈折率導波型半導
体レーザとして動作する。

【００５０】換言すれば、図４のIII族窒化物材料系半
導体レーザ素子は、基板１０１上に、少なくとも第１導
電型クラッド層１０４，活性層１０５，第２導電型エッ
チングストップ層１０６，第２導電型クラッド層１０
７，第２導電型コンタクト層１０８を含む構造が積層さ
れており、第２導電型エッチングストップ層１０６はＩ
ｎを含むIII族窒化物材料で活性層１０５よりも禁制帯
幅の大きい材料からなり、また、エッチングストップ層
１０６よりも上の層はＩｎを含まないIII族窒化物材料
系で構成されており、ストライプ構造(リッジ構造)１０
７，１０８の両側にストライプ構造１０７，１０８と平
行に素子表面から第２導電型コンタクト層１０７および
第２導電型クラッド層１０８を第２導電型エッチングス
トップ層１０６の表面まで周期的にエッチングして回折
格子４０１が形成されたものとなっていることにより、
屈折率導波型導体レーザとして動作させることができ
る。

【００５１】また、この場合、エッチングストップ層１
０６は、Ｉｎを含む材料で構成されており、また、エッ
チングストップ層１０６の表面でドライエッチングを停
止できるため、回折格子４０１のエッチング深さを厳密
に制御することができる。

【００５２】図５は本発明に係る半導体発光素子(半導
体レーザ素子)の他の構成例を示す図である。図５の半
導体レーザ素子は、サファイア基板１０１上に、ＧａＮ
バッファ層１０２，ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３，ｎ
型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎクラッド層１０４，Ｉｎ_0.05Ｇａ
_0.95Ｎ活性層１０５，ｐ型Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎ
エッチングストップ層１０６が形成され、ｐ型Ｉｎ_0.07
Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６の上
に、電流が注入されるストライプ領域を除いてｎ型Ｇａ
Ｎ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０１が形成されている。さら
に、ｎ型ＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０１およびｐ型Ｉ
ｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６
の上に、ｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎクラッド層１０７，ｐ
型ＧａＮコンタクト層１０８が順次に積層されている。
また、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８上には、ｐ側電極
１０９が形成され、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３上に
は、ｎ側電極１１０が形成されている。

【００５３】図６は図５の半導体レーザ素子の製造工程
例を示す図である。この製造工程例では、最初にサファ
イア基板１０１上に、層厚０．０２μｍ程度のＧａＮバ
ッファ層１０２，層厚３μｍ程度のｎ型ＧａＮコンタク
ト層１０３，層厚０．８μｍ程度のｎ型Ａｌ_0.15Ｇａ
_0.85Ｎクラッド層１０４，層厚０．０５μｍ程度のＩｎ
_0.05Ｇａ_0.95Ｎ活性層１０５，層厚０．１μｍ程度のｐ
型Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１
０６，層厚０．２μｍ程度のｎ型ＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭
窄層５０１を、ＭＯＣＶＤ法で順次にエピタキシャル成
長させる(図６(ａ))。

【００５４】次に、ｎ型ＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０
１をＥＣＲ−ＲＩＢＥ法を用いてドライエッチングし
て、幅５μｍのストライプ領域６０１を形成する(図６
(ｂ))。このとき、エッチングガスに塩素系ガスを使用
し、また基板温度が室温近傍になるように制御すること
により、Ｉｎを含まないｎ型ＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層
５０１はエッチングされるが、Ｉｎを含むｐ型Ｉｎ_0.07
Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６表面に
達するとエッチングがほぼ停止する。

【００５５】次に、ｎ型ＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０
１およびストライプ領域６０１表面に露出しているｐ型
Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０
６上に、層厚０．８μｍ程度のｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ
クラッド層１０７，層厚０．２μｍ程度のｐ型ＧａＮコ
ンタクト層１０８を、ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成
長させる(図６(ｃ))。

【００５６】そして、ｎ側の電極を形成するために、ｐ
型ＧａＮコンタクト層１０８表面からｎ型ＧａＮコンタ
クト層１０３の途中までＥＣＲ−ＲＩＢＥ法でドライエ
ッチングを行なう(図６(ｄ))。このときは、エッチング
ガスに塩素系ガスを使用し、基板温度が２００℃以上に
なるように制御する。これにより、Ｉｎを含むＩｎ_0.07
Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６および
Ｉｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎ活性層１０５もエッチングされる。

【００５７】しかる後、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８
表面にｐ側電極１０９を真空蒸着で形成し、また、図６
(ｄ)の工程でエッチングして露出させたｎ型ＧａＮコン
タクト層１０３の表面にｎ側電極１１０を真空蒸着で形
成する。最後に、基板をチップ状に分離して共振器を形
成する(図６(ｅ))。

【００５８】図５の半導体レーザ素子においては、ｎ型
ＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０１がｐ型Ｉｎ_0.07Ｇａ
_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０６の表面まで
ストライプ状にエッチングされており、ストライプ領域
はｐｎ構造となって電流が流れるが、ストライプ領域の
外側はｐｎｐｎ構造となっており、逆バイアス接合によ
って電流がブロックされる。これにより、キャリアをス
トライプ領域の下の活性層１０５に閉じ込めて素子の閾
電流を低減させることができる。

【００５９】また、図５の半導体レーザ素子では、ｐ型
Ｉｎ_0.07Ｇａ_0.6Ａｌ_0.33Ｎエッチングストップ層１０
６はＩｎを含むＩＩＩ族窒化物系材料からなり、ｎ型Ｇ
ａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０１はＩｎを含まない材料か
らなっているため、塩素ガス系のドライエッチングによ
ってＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０１を選択的にエッチ
ングすることが可能となっている。そのため、ｎ型Ｇａ
Ｎ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０１のエッチング残りが生じた
り、エッチングしすぎてエッチング底面がＩｎ_0.05Ｇａ
_0.95Ｎ活性層１０５まで達してしまうことがなく、素子
製造が容易となっている。

【００６０】また、電流狭窄層５０１として、Ｉｎ_0.05
Ｇａ_0.95Ｎ活性層１０５よりも禁制帯幅が小さく、かつ
Ｉｎを含まない材料であるＧａＮ_0.9Ｐ_0.1を使用してい
るため、ＧａＮ_0.9Ｐ_0.1電流狭窄層５０１はＩｎ_0.05Ｇ
ａ_0.95Ｎ活性層１０５で発光した光を吸収する。従っ
て、ストライプ領域の外側では光の損失が大きくなり、
ストライプの内外で実効屈折率差が生じ、光はストライ
プ領域を導波する。これにより安定した屈折率導波型半
導体レーザとして動作する。

【００６１】また、図５の半導体レーザ素子では、素子
の内部に電流狭窄層を有しているため、図１〜図４に示
した構造の半導体レーザ素子に比べて、ｐ側電極１０９
とｐ型ＧａＮコンタクト層１０８との接触面積を大きく
とることができる。従って、ｐ側電極との接触抵抗を低
減して、素子の動作電圧をさらに低減することができ
る。

【００６２】換言すれば、図５のIII族窒化物材料系半
導体レーザ素子は、基板１０１上に、少なくとも、第１
導電型クラッド層１０４，活性層１０５，第２導電型エ
ッチングストップ層１０６，第１導電型または半絶縁性
の電流狭窄層５０１，第２導電型クラッド層１０７，第
２導電型コンタクト層１０８を含む構造が積層されてお
り、第２導電型エッチングストップ層１０６は、Ｉｎを
含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい
材料からなり、電流狭窄層５０１はＩｎを含まずに活性
層よりも禁制帯幅が小さいかまたは同じ材料からなり、
電流狭窄層５０１が第２導電型エッチングストップ層の
表面までエッチングされてストライプ溝(ストライプ領
域)が形成されていることを特徴としている。

【００６３】図５のIII族窒化物材料系半導体レーザ素
子においては、活性層１０５の上に第２導電型エッチン
グストップ層１０６が形成され、その上に第１導電型ま
たは半絶縁性の電流狭窄層５０１が積層されており、こ
の電流狭窄層５０１間のストライプ溝(ストライプ領域)
を電流が流れて活性層１０５に注入される。

【００６４】また、第２導電型エッチングストップ層１
０６はＩｎを含むIII族窒化物材料からなり、電流狭窄
層５０１はＩｎを含まないIII族窒化物材料からなって
いるため、塩素ガス系のドライエッチングによって電流
狭窄層５０１を選択的にエッチングすることが可能とな
っている。そのため、エッチング深さを厳密に制御する
ことができる。

【００６５】また、電流狭窄層５０１は活性層１０５よ
りも禁制帯幅が小さいかまたは同じ材料からなってお
り、活性層１０５で発光した光を吸収する。従って、ス
トライプ領域の内外で実効屈折率が生じ、光はストライ
プ領域を導波する。これにより屈折率導波型導体レーザ
として動作させることができる。

【００６６】また上記の構造では、電流狭窄層５０１が
素子の内部に埋め込まれているため、第２導電型コンタ
クト層１０８の幅をストライプ溝の幅に依存せずに大き
くすることが可能である。これにより、上部電極１０９
と第２導電型コンタクト層１０８との接触面積を広くで
き、素子の動作電圧を低減することができる。

【００６７】さらに、図５のIII族窒化物材料系半導体
レーザ素子において、活性層１０５を、Ｉｎを含むIII
族窒化物材料からなるものとし、第１導電型または半絶
縁性の電流狭窄層１０５を、Ｉｎを含まずにＡｓまたは
Ｐを含むIII族窒化物材料からなるものとすることがで
きる。

【００６８】すなわち、図５の半導体レーザ素子では、
活性層１０５の材料としてＧａＮを用いた場合には、電
流狭窄層５０１の材料として活性層１０５と同じ材料で
あるＧａＮを用いることができる。しかし、活性層１０
５の材料が例えばＩｎＧａＮのようにＩｎを含む材料の
場合には、Ｉｎを含むため、電流狭窄層５０１にＩｎＧ
ａＮを用いることができない。そこで、図５のIII族窒
化物材料系半導体レーザ素子においては、電流狭窄層５
０１に、Ｉｎを含まずに活性層よりも禁制帯幅が小さい
かまたは同じ材料として、ＡｓまたはＰを含むIII族窒
化物材料系を使用する。例えば、ＧａＮＰ，ＧａＮＡ
ｓ，ＧａＮＡｓＰなどが電流狭窄層５０１として使用さ
れる。これにより、塩素系ドライエッチングで電流狭窄
層５０１を選択エッチングでき、かつ屈折率導波型半導
体レーザとして動作させることができる。

【００６９】

【発明の効果】以上に説明したように、請求項１記載の
発明によれば、Ｉｎを含むIII族窒化物材料からなるエ
ッチングストップ層が活性層近傍に積層されており、エ
ッチングストップ層の表面までＩｎを含まないIII族窒
化物材料からなる層をエッチングしてストライプ構造を
形成しており、この際、サンプルの温度を低温に制御し
て、塩素系ガスを用いたドライエッチングでエッチング
を行なうことにより、Ｉｎを含むエッチングストップ層
の表面でエッチングを停止させることができる。従っ
て、エッチング深さの制御性が良好であり、素子の製造
が容易となる。

【００７０】また、請求項２記載の発明によれば、素子
表面からＩｎを含まないIII族窒化物材料系で構成され
た第２導電型コンタクト層および第２導電型クラッド層
をＩｎを含む第２導電型エッチングストップ層の上面ま
でほぼ垂直にエッチングしてリッジ導波路を形成してい
るので、エッチング深さの制御性が良好であり、リッジ
導波路型半導体レーザ素子を容易に製造し提供すること
ができる。

【００７１】また、請求項３記載の発明によれば、素子
表面からＩｎを含まないIII族窒化物材料系で構成され
た第２導電型コンタクト層および第２導電型クラッド層
をＩｎを含む第２導電型エッチングストップ層の上面ま
で逆メサ形状にエッチングしてリッジ導波路を形成して
いるので、エッチング深さの制御性が良好であり、リッ
ジ導波路型半導体レーザ素子を容易に製造することがで
きる。さらに、逆メサ形状のエッチングがなされること
によって、上部電極と第２導電型コンタクト層との接触
面積を広くすることができ、素子の動作電圧を低減させ
ることができる。

【００７２】また、請求項４記載の発明によれば、スト
ライプ構造の両側にストライプ構造と平行に素子表面か
ら第２導電型コンタクト層および第２導電型クラッド層
を第２導電型エッチングストップ層の表面まで周期的に
エッチングして回折格子を形成しているので、光をスト
ライプ領域に閉じ込めることができ、屈折率導波型半導
体レーザとして動作させることができる。また、回折格
子の作製において、第２導電型エッチングストップ層の
表面でエッチングを停止させることができ、回折格子の
エッチング深さの制御性が良好である。

【００７３】また、請求項５記載の発明によれば、第２
導電型エッチングストップ層の上にストライプ溝を有す
る第１導電型または半絶縁性の電流狭窄層が積層されて
おり、電流狭窄層は活性層よりも禁制帯幅が小さいかま
たは同じ材料からなっているため、活性層で発光した光
を吸収して屈折率導波型半導体レーザとして動作させる
ことができる。また、第２導電型エッチングストップ層
はＩｎを含むIII族窒化物材料からなり、電流狭窄層は
Ｉｎを含まないIII族窒化物材料からなっているため、
塩素ガス系のドライエッチングによって電流狭窄層を選
択的にエッチングすることができ、ストライプ溝の深さ
を制御性よく形成することができる。また、第２導電型
コンタクト層の面積を広くできるため、上部電極との接
触抵抗を低減して素子の動作電圧を低減できる。

【００７４】また、請求項６記載の発明によれば、第２
導電型エッチングストップ層の上にストライプ溝を有す
る第１導電型または半絶縁性の電流狭窄層が積層されて
おり、電流狭窄層の材料としてＩｎを含まずにＡｓまた
はＰを含むIII族窒化物材料系を使用しているため、Ｉ
ｎを含む材料で活性層が構成されている場合でも、電流
狭窄層の禁制帯幅を活性層よりも小さいかまたは同じに
することができ、屈折率導波型半導体レーザを構成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体発光素子(半導体レーザ素
子)の一構成例を示す図である。

【図２】図１の半導体発光素子(半導体レーザ素子)の製
造工程例を示す図である。

【図３】本発明に係る半導体発光素子(半導体レーザ素
子)の他の構成例を示す図である。

【図４】本発明に係る半導体発光素子(半導体レーザ素
子)の他の構成例を示す図である。

【図５】本発明に係る半導体発光素子(半導体レーザ素
子)の他の構成例を示す図である。

【図６】図５の半導体発光素子(半導体レーザ素子)の製
造工程例を示す図である。

【図７】III族窒化物材料系を用いた従来の利得導波型
半導体レーザを示す図である。

【図８】III族窒化物材料系を用いた従来の屈折率導波
型半導体レーザを示す図である。

【図９】ＡｌＧａＡｓ材料系を用いた従来の屈折率導波
型半導体レーザを示す図である。

【符号の説明】

１０１サファイア基板１０２ＧａＮバッファ層１０３ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０５ＩｎＧａＮ活性層１０６ｐ型ＩｎＧａＡｌＮエッチング
ストップ層１０７ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０８ｐ型ＧａＮコンタクト層１０９ｐ側電極１１０ｎ側電極４０１回折格子５０１ｎ型ＧａＮＰ電流狭窄層６０１ストライプ領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とに活
性層が挾まれた構造が基板上に積層されたIII族窒化物
材料系半導体発光素子において、Ｉｎを含むIII族窒化
物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなるエ
ッチングストップ層が活性層の近傍に積層されており、
上記エッチングストップ層の表面までＩｎを含まないII
I族窒化物材料からなる層をエッチングしてストライプ
構造が形成されていることを特徴とする半導体発光素
子。
【請求項２】基板上に、少なくとも、第１導電型クラ
ッド層，活性層，第２導電型エッチングストップ層，第
２導電型クラッド層，第２導電型コンタクト層を含む構
造が積層されており、第２導電型エッチングストップ層
は、Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯
幅の大きい材料からなり、また、エッチングストップ層
よりも上の層はＩｎを含まないIII族窒化物材料系で構
成されており、素子表面から第２導電型コンタクト層お
よび第２導電型クラッド層を第２導電型エッチングスト
ップ層の表面までほぼ垂直にエッチングしてリッジ導波
路が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】基板上に、少なくとも、第１導電型クラ
ッド層，活性層，第２導電型エッチングストップ層，第
２導電型クラッド層，第２導電型コンタクト層を含む構
造が積層されており、第２導電型エッチングストップ層
は、Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯
幅の大きい材料からなり、また、エッチングストップ層
よりも上の層はＩｎを含まないIII族窒化物材料系で構
成されており、素子表面から第２導電型コンタクト層お
よび第２導電型クラッド層を第２導電型エッチングスト
ップ層の表面まで逆メサ形状にエッチングしてリッジ導
波路が形成されていることを特徴とする半導体発光素
子。
【請求項４】基板上に、少なくとも、第１導電型クラ
ッド層，活性層，第２導電型エッチングストップ層，第
２導電型クラッド層，第２導電型コンタクト層を含む構
造が積層されており、第２導電型エッチングストップ層
は、Ｉｎを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯
幅の大きい材料からなり、また、エッチングストップ層
よりも上の層はＩｎを含まないIII族窒化物材料系で構
成されており、素子表面から第２導電型コンタクト層お
よび第２導電型クラッド層を第２導電型エッチングスト
ップ層の表面までエッチングしてストライプ構造が形成
され、該ストライプ構造の両側にストライプ構造と平行
に、素子表面から第２導電型コンタクト層および第２導
電型クラッド層を第２導電型エッチングストップ層の表
面まで周期的にエッチングして回折格子が形成されてい
ることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項５】基板上に、少なくとも、第１導電型クラ
ッド層，活性層，第２導電型エッチングストップ層，第
１導電型または半絶縁性の電流狭窄層，第２導電型クラ
ッド層，第２導電型コンタクト層を含む構造が積層され
ており、第２導電型エッチングストップ層は、Ｉｎを含
むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材
料からなり、また、電流狭窄層は、Ｉｎを含まずに活性
層よりも禁制帯幅が小さいかまたは同じ材料からなり、
電流狭窄層が第２導電型エッチングストップ層の表面ま
でエッチングされてストライプ溝が形成されていること
を特徴とする半導体発光素子。
【請求項６】請求項５記載の半導体発光素子におい
て、活性層はＩｎを含むIII族窒化物材料からなり、ま
た、第１導電型または半絶縁性の電流狭窄層はＩｎを含
まずにＡｓまたはＰを含むIII族窒化物材料からなるこ
とを特徴とする半導体発光素子。