KR950006317B1 - 반도체레이저증폭기 - Google Patents

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KR950006317B1
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semiconductor laser
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waveguide layer
substrate
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고우이치 겐에이
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가부시키가이샤 도시바
아오이 죠이치
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체레이저증폭기
제1도는 종래의 레이저증폭기의 개략구성도.
제2도는 종래의 또 다른 레이저증폭기의 개략구성도.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체레이저증폭기의 개략도.
제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체레이저증폭기의 부분단면사시도.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체레이저증폭기의 개략구성도.
제6도는 패키지화된 본 발명의 반도체레이저증폭기를 나타낸 사시도.
제7도는 제6도의 6-6선에 따른 단면도.
제8도는 모듈에 결합된 본 발명의 반도체레이저증폭기를 나타낸 단면도.
제9도는 제8도에서의 히트씽크와 그 주위를 확대한 사시도.
제10도는 도 다른 모듈에 결합된 본 발명의 반도체레이저증폭기를 나타낸 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : n형 InP 기판 2 : 활성층
4 : p형 InP 클래딩층 6 : p형 InGaAsP 오믹콘택트층
7 : n형 InP 매립층 8 : p형 InP 매립층
10, 20 : 광섬유 11A, 11B : 광
12, 18 : 이미지형성렌즈 13 : 반반사막
14 : 반도체레이저증폭기 15, 34 : 고반사코팅막
16 : 광도파로층 30 : 빔스플리터
32 : 라운드팁 광섬유 40 : 로드렌즈
50 : 포토다이오드 52 : 자동전력제어기
55, 58 : 쇠테 59 : 서브마운트
60, 100 : 히트씽크(베트) 62 : 렌즈홀더
64, 66, 82, 92, 96 : 점착부재 65, 84 : 개구부
68,94 : 스템 72, 74 : 전극
80 : 광섬유홀더 98 : 캡
[산업상의 이용분야]
본 발명은 반도체레이저증폭기에 관한 것으로, 특히 광통신에 사용되어 광신호를증폭하기 위한 반도체레이저증폭기에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 그 문제점]
값비싼 광리피터(optical repeater)가 하나의 반도체레이저증폭기로 대체될 수 있기 때문에, 장차 반도체레이저증폭기는 광섬유 중계망을 설치하는데 드는 비용을 상당히 줄일 수 있을 것으로 기대되고 있다.
제1도는 종래의 반도체레이저증폭기의 블럭도로, 제2도에 나타낸 바와같이 광섬유(10)를 따라 전파된 광은 이미지형성렌즈(image forming lens ; 12)를 매개해서 반도체레이저증폭기(14)의 광도파로층(optical waveguide layer ; 16)으로 공급된다. 이 광도파로층(16)은 광활성층으로서도 작용하는 것으로, 상기 광은 이곳에서 증폭된 후 반도체레이저증폭기(14)로부터 출력된다. 그리고, 이 반도체레이저증폭기(14)로부터 증폭된 광은 이미지형성렌즈(18)를 매개해서 광섬유(20)로 공급되어 광섬유 중계망으로 되돌아가게 된다.
그러나, 상기한 반도체레이저증폭기(14)에서는, 충분한 이득을 달서하기 위해서 광도파로층(16)은 길이 또는 공동길이(cavity length ; L)를 충분히 R리게할 필요가 있다. 이 때문에, 상기 반도체레이저증폭기(14)의 레이저칩의 길이는 약 400∼400㎛ 정도, 즉 통상적인 레이저칩의 길이인 200∼300㎛의 2배 이상이 되어야 하므로, 생산성이 열화하게 된다.
또, 광학시스템에서는, 길이가 400∼100㎛인 칩의 양 단면에 렌즈 또는 섬유를 연결시켜야 하므로, 반도체레이저증폭기(14)를 설치하고 조립하는 것뿐만 아니라 신뢰성을 위해 용접밀봉하는 것과 같은 중요한 작업을 수행하기 어렵다는 문제가 있었다.
제2도는 이와같은 열악한 생산성을 극곡하기 위해 제안된 종래의 다른 반도체레이저증폭기를 도시해 놓은 것이다.
제2도에 나타낸 바와같이, 광섬유(10)를 따라 전파된 광은 빔스플리터(30)를 매개해서 라운드팁 광섬유(32)에 공급되고, 이 라운드팁 광섬유(32)로부터 출력된 광은 반도체레이저증폭기(14)의 광도파로층(16)에 공급되어 그 광도파로층(16)을 따라 이동하면서 공명기의 끝에 도달할 때까지 그 이득이 증가하게 된다. 그리고, 광이 공명기의 끝에 도달하게 되면, 그 공명기의 끝에 형성된 고반사코팅막(HT막 ; 34)이 광을 반사하게 되는 바, 이에 따라서 반사된 광은 광도팔호층(16)을 따라 뒤쪽으로 이동하면서 이득이 더욱 증가하게 된다. 이어, 이득이 증가된 광은 다시 라운드팁 광섬유(32)에 공급되고, 이때 빔스플리터(30)에서 광섬유(20)방향으로 부리되어 광섬유 중계망으로 복귀하게 된다.
따라서, 반도체레이저증폭기(14)의 광도파로층(16)을 따라 광을 앞쪽으로, 또 뒤쪽으로 전파함으로써, 광도파로층(16)의 길이를 거의 2배, 즉 공동길이를 L이라 할때 거의 2L로 할 수 있게 되어, 싸이즈가 작은 칩으로 큰 이득을 실현할 수 있게 된다.
그러나, 상기한 방식에 있어서는, 입사광과 반사광이 동일한 광도파로층(16)을 따라 전파되기 때문에, 그것들을 분류하기 위한 빔스플리터(30)를 광섬유에 설치해야만 하는데, 현재로서는 입사광과 반사광을 빔스플리터(30)를 사용하여 완벽히 분리하는 것이 매우 어렵기 때문에 문제가 발생하게 된다. 예를들어, 광성분이 누설되어 신호노이즈가 생기기 쉽다는 문제가 있다. 즉, 빔스플리터(30)에서 반사된 광의 일부가 광도파로층(16)으로 되돌아갈 수 있기 때문에, 신호노이즈 발생하게 된다. 또한 빔스플리터(30)가 주위온도의 변화와 시간경과에 따른 변화에 대하여 안정한 특성을 충분히 유지한다는 사실은 아직 증명되지 않았으므로, 신뢰성에도 문제가 있다.
또, 라운드팁 섬유(32)의 결합효율을 증가시키기 위해서는, 서브미크론단위의 고정밀도로 위치를 조절할 필요가 있기 때문에, 광학시스템을 구성하기 어려워지게 된다. 특히, 모듈을 제조하기 위해 패키지내에 증폭기(14)를 밀봉시키는 과정에서 라운드팁 섬유는 점착무로 납땜되거나 접합되게 되는데, 이러한 작업중에 종종 배열이 흐트러져서 결과적으로 조립성을 악화시키게 된다.
이상 설명한 바와같이 종래의 반도체레이저증폭기에서는, 그 구성요소의 길이(공동길이)가 크고, 생산성이 낮다는 문제가 있었다.
또, 몇몇의 유용한 반도체레이저증폭기는 생산성이 향상되는 반면에, 입사광과 반사광이 여전히 동일한 광섬유를 따라 전파되도록 되어 있기 때문에 신호노이즈가 발생할 요소를 함유하고 있고, 또 주위온도의 변화와 시간경과에 따른 변화에 확실하게 안정화되지 않은 부품의 사용에 의해 신뢰성이 악화되며, 모듈을 구성할 때 서브미크론단위로 조절해야 하는 라운드팁 섬유의 사용에 의해 작업이 어려워지게 된다는 문제가 있었다.
[발명의 목적]
본 발명은 상기와 같은 문제들을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 신뢰성과 생산성이 높은 반도체레이저증폭기를 제공함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 제1도전형 반도체기판에 형성됨과 더불어 제2도전형 반도체층을 포함하는 광도파로층이 평면상에 V자형으로 배열되어 실제적인 광도파로층의 길이가 공동길이의 2배로 되면서 입사광의 경로가 반사광의 경로와 분리되는 구성으로 되어 있다.
[작용]
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체레이저증폭기에 의하면, 광도파로층의 길이가 실제적으로 공동길이의 2배로 되므로 이득을 감소시키지 않고도 공동길이를 짧게 할 수 있게 된다. 따라서, 웨이퍼 1개당의 레이저증폭기의 수가 증가하게 되어 레이저증폭기의 생산성이 개선되게 된다.
또한, 입사광의 경로가 반사광의 경로와 분리됨으로써 광반사 등의 신호노이즈가 발생할 확률이 줄어들게 되어 레이저증폭기의 성능이 개선되게 된다. 더욱이, 안정성이 충분히 입증된 부품들만으로 레이저증폭기를 구성함으로써 신뢰성이 향상되게 된다.
[실시예]
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체레이저증폭기 시스템의 개략구성도로, 제3도에 나타낸 바와같이 광섬유(10)를 따라 전파된 광(11A)은 로드 렌즈(rod lens ; 40)를 통과하여 레이저증폭기(14)의 입사단면(14A)에서 광도파로층(16A)으로 들어가게 된다. 여기서, 상기 입사단면(14A)에는 예컨대 반반사막(AR(anti-reflective)막 ; 13)이 형성되어 있는 바, 입사광(11A)은 이 반반사막(13)을 거쳐서 광도파로층(16A)으로 들어가게 된다. 또, 광도파로층(16A)은 광활성층으로서도 작용하는 것으로, 상기 입사광은 이곳에서 증폭되게 된다.
한편, 레이저증폭기(14)의 반사단면(14B)에는 고반사코팅막(HR막 ; 15)이 형성되어 있는 바, 이에 따라 광도파로층(16A)를 따라 이동하면서 이득이 증가된 광은 상기 고반사코팅막(15)에서 반사되어 광도파로층(16B)방향으로 진행하게 된다. 또한, 이때 광을 반사시키기 위하여 상기 고반사코팅막(15) 대신에 벽개단면을 반사단면(14B)으로서 사용할 수도 있다. 광도파로층(16B)도 광도파로층(16A)과 같이 광을 증폭시키는 광활성층으로서 작용하게 되므로, 상기 광은 이 광도파로층(16B)를 따라 이동하면서 이득이 증가되어 입사단면(14A)에 도달한 다음, 반반사막(13)을 통해서 레이저증폭기(14)로부터 외부로 출력되게 되고, 이 출력광(11B)이 로드렌즈(40)를 거쳐서 광섬유(20)로 들어가게 된다.
이때, 상기 로드렌즈(40)를 사용함으로써 수십 ㎛단위의 거리(d)만큼 서로 떨어져서 형성된 광도파로층(16A)(16B)으로부터 수백 ㎛ 내지 수 ㎜단위의 거리(D)만큼 서로 떨어져서 형성된 광섬유(10)(20)로의 경로를 따라 반사광(11B)과 입사광(11A)을 공간적으로 분리할 수 있게 되는 바, 이와같은 이유로 섬유가닥을 점착물로 몸체에 납땜시키거나 접합시켜야만 하는 종래의 방법과는 달리, 섬유를 쇠테(ferrule)에 삽입하여 점착물로 접합한 후 그 쇠테를 몸체에 레이저용접으로 단단히 고정시킬 수 있게 된다. 따라서, 기계적으로 매우 안정된 광학시스템을 제공할 수 있게 된다. 또, 1개의 로드렌즈를 이용하여 광섬유(10, 20)로 들어가거나 광섬유(10, 20)로부터 나오는 광의 입사각을 조절함으로써, 광섬유(10)로부터 레이저증폭기(14)로 진행하는 광의 첫점과 증폭기(14)로부터 광섬유(20)로 진행하는 광의 촛점을 조절할 수 있게 된다.
제4도는 본 발명에 따른 반도체레이저증폭기의 부분단면사시도로서, 반도체레이저증폭기는 예컨대 제3도의 시스템에서의 증폭기(14)와 동일한 형태의 것이다. 또, 본 실시예에서는 InGaAsP가 주성분인 헤테로 반도체레이저를 예로들어 설명한다.
제4도에 나타낸 바와같이, n형 InP 기판(1)위에 활성층(2)과 p형 InP 클래딩층(4) 및 p형 InGaAsP 오믹콘택트층(6)으로 구성된 광도파로층(16A, 16B)이 형성되어 있는 바, 이 광도파로층(16A, 16B)은 위에서 내려다 본 모양이 V자형이 되도록 배열되어 있다. 또, 상기 활성층(2)의 한쪽 면상에는 p형 InP 클래딩층(4)과 p형 InGaAsP 오믹콘택트층(6), p형 InP 매립층(8) 및 InP 매립층(7)이 전류와 광을 저지하도록 형성되어 있고, 또 레이저증폭기(14)의 윗면과 밑면에는 전극(72, 74)이 각각 형성되어 있다. 이들 전극(72, 74)으로부터 전류를 공급하면, 광도파로층(16A, 16B)은 광증폭이득을 제공한게 된다.
그리고, 레이저증폭기(14)의 입사단면(14A)에는 반반사막(13)이 형성되어 있고, 반사단면에는 고반사코팅막(15)이 형성되어 있는데, 여기서 반반사막(13)의 반사율은 광도파로층(16A, 16B)의 말단에서 10-3이하의 유효값으로 설정되는 반면에 고반사코팅막(15)의 반사율은 0.3 내지 1.0의 범위가 값으로 설정된다. 또 이들 반사율의 곱을 10-4이하의 단위로 조절함으로서, 레이저발진을 억제하여 레이저증폭기(14)를 진행파의 형태로 작용시킬 수 있게 된다.
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체레이저증폭기 시스템의 개략구성도로, 제5도에 나타낸 바와같이 고반사코팅막(15)의 반사율이 1.0미만일 때, 이득의 자동조절을 위해 포토다이오드(50)와 같은 광수신소자를 반사단(14B)의 측면에 설치하고, 이 포토다이오드(50)에서 광에 의해 발생한 전류를 자동전력제어기(52)로 공급하여 레이저증폭기(14)로의 공급전류를 조절함으로서 광증폭기의 자기조절이 가능해지도록한 것이다.
상술한 구조의 반도체레이저증폭기는 대개 통상적인 매립 헤테로레이저소자들을 만드는 방법으로 제조된다. 예컨대 n형 InP 기판(1)위에 활성층(2)과, p형 InP 클래딩층(4) 및 p형 InGaAsP 오믹콘택트칭(6)이 연속적으로 형성되어 있다. 그리고 이들 층들은 광도파로층(16A, 16B)이 활성층(2)아래까지 확장되는 역메사스트라이프형으로 형성되도록 예컨대 포토에칭에 의해 선택적으로 에칭되어 위에서 내려다 본 모양이 V자형으로 되게 된다. 그 다음에, 메사스트라이프의 양측을 따라 p형 InP 매립층(8)과 n형 InP 매립층(7)을 순치적으로 성장시켜 레이저증폭기(14)를 형성하고, 이어 이 레이저증폭기(14)이 윗면과 아랫면에 전극(72, 74)등을 형성하기 위한 금속코팅을 증폭한다. 그 다음에, 웨이퍼를 쪼개어 각각의 레이저증폭기(14)로 분리한 후, 그 레이저증폭기(14)의 양 단면(14A, 14B)에 반반사막(13)과 고반사막(15)을 필요한 만큼 형성하게 된다.
제6도는 패키지화된 본 발명에 따른 레이저증폭기(14)의 사시도이고, 제7도는 제6도의 6-6선에 따른 단면도이다.
제6도 및 제7도에 나타낸 바와같이, 레이저증폭기(14)는 히트씽크(heat sink ; 60)(베드)위에 예컨대 공융납땜방식으로 다이아몬드나 실리콘과 같은 서브마운트(59)를 사이에 두고 단단히 고정 설치되어 있다. 로드렌즈(40)는 캡모양의 렌즈홀더(62)의 개구부(65)에 삽입되어 땜납이나 은땜납 또는 유리봉랍과 같은 점착부재(64)로 단단히 고정되어 있는 바, 상기 개구부(65)는 렌즈(40)에 대한 지지수단(support)으로서의 기능을 갖는다. 그리고, 상기 렌즈홀더(62)는 예컨대 용접부(66)에 의해 스템(68)에 단단히 고정되어 레이저증폭기(14)를 밀봉하고 있다. 또한, 제7도에 나타낸 바와같이 히트씽크(베드 ; 60)는 저전위 전원(GND)에 연결되고, 칩(14)의 광도파로층(16A, 16B)은 고전위 전원(Vcc)에 연결되어 레이저증폭기(14)의 동작전위를 공급받게 된다.
이와같은 패키지에 있어서, 레이저증폭기(14)와 광섬유(10, 20)의 광결합은 광섬유(10, 20)의 위치를 미세하게 조절함으로서 조정된다.
즉, 광섬유(10, 20)와 레이저증폭기(14)의 광결합조정이 레이저증폭기(14)의 용접밀봉과 독립적으로 행해질 수 있게 때문에, 패키지의 생산성이 향상되게 된다.
제8도는 모듈화된 본 발명의 레이저증폭기의 단면도이고, 제9도는 히트씽크(베드 : 60)와 그 주위를 확대한 사시도이다.
제8도에 나타낸 바와같이, 광섬유홀더(80)는 용접이나 땜납 등의 접착부재(82)에 의해 렌즈홀더(62)위에 고정되어 있다. 또, 광섬유홀더(80)의 로드렌즈(40)와 대향하는 부분에는 광섬유(10, 20)에 대한 지지수단으로서의 기능을 가진 개구부(84A, 84B)가 형성되어 있으며, 이 개구부(84A, 84B)에 쇠테(88A, 88B)가 삽입되어 있고 광섬유(10, 20)가 상기 쇠테(88A, 88B)에 쇠테(88A, 88B)가 삽입되어 있다. 그리고, 렌즈(40)의 측면쪽에 있는 광섬유(10, 20)에서는 광섬유가닥(10A, 20A)이 피복체(10B, 20B)속으로 길게 연장되어 있는바, 이 광섬유가닥(10A, 20A)은 에폭시수지(epoxy resin ; 90A, 90B)와 함께 쇠테(88A, 88B)안에 고정되어 있다. 또, 히트씽크(베드 ; 60)가 장착된 스템(68)은 탬납등의 점착부재(92)가 용접에 의해 또 하나의 스텝(94)에 고정 설치되어 있고, 이 스템(94)위에는 땜납등의 점착부재(96)나 용접에 의해 캡(98)이 단단히 고정되어 있는바, 이 캡(98)은 렌즈홀더(62)와 광섬유홀더(80)를 덮게 된다. 그리고, 상기 캡(98)의 광섬유홀더(80)와 대향하는 부분에 2개의 개구부(99A, 99B)가 형성되고, 광섬유(10, 20)가 각각 상기 개구부(99A, 99B)를 통과하여 캡(98)외부로 노출되게 된다.
제9도에 나타낸 바와같이, 모듈에서는 히트씽크(베드 ; 60)위에 또 다른 히트씽크(베드 ; 100)가 설치되고, 본 발명의 레이저증폭기(14)는 서브마운트(59)를 사이에 두고 예컨대 공융땜납(102)으로 사이 히트씽크(60)상에 고정설치되게 된다. 그리고, 부가된 히트씽크(100)위에는 1개의 P-1-N 포토다이오드(광수신소자 ; 50)가 예컨대 공융땜납(104)으로 고정되어 있는데, 이포토다이오드(50)는 제5도에서의 포토다이오드(50)와 같은 기능을 지니고 있다. 또, 히트씽크(60, 100)는 저전위의 전원(GND)에 연결되어 있고, 칩(14)의 광도파로층(16A, 16B)은 고전위의 전원(Vcc1)에 연결되어 있으며, 포토다이오드(p형 반도체층 ; 50)의 양극은 고전위의 전원(Vcc2)에 연결됨으로써, 레이저증폭기(14)와 포토다이오드(50)의 동작전위를 공급받게 된다. 또 제10도에 나타낸 바와같이, 제9도에서의 모듈을 듀얼ㆍ인ㆍ라인(dual-in-line ; DIL)패키지나 버터플라이 패키지 등의 직사각형의 패키지안에 설치하게 되면, 회로보드를 탑재하는 것이 용이해지게 된다.
또한, 본 발명은 첨부된 청구항에서 명시된 주요한 특성과 발명의 요지에서 벗어나지 않는 한 다른 방법으로도 실시할 수 있으며, 특정 장치에 국한되지 않는다. 예컨대, 본 실시예가 매립 헤테로형의 반도체레이저증폭기(14)에 관한 것인 반면에, 더블채널평면상의 매립 셍테로형 또는 매립 크레센트(crescent)형의 반도체레이저증폭기도 가능하다. 또, 본 발명은 활성층(2)과 클래딩층(4) 사이에 과도적인 반용해후면층(anti-melt-back layer)을 갖는 더블헤테로구조나, 활성층(2)아래에 회절격자를 갖는 분류 피이드백(feedback) 레이저에도 적용할 수 있다.
[발명의 효과]
이상 설명한 바와같이 본 발명에 따른 반도체레이저증폭기에서는, 광을 증폭시키는 광도파로층(16A, 16B)이 공진기의 2개의 단면중 한쪽에서 광을 반사시키는 구조로 되어 있기 때문에, 짧은 공동길이 L로도 충분한 증폭이득을 얻을 수 있게 되어, 결과적으로 레이저증폭기(14)의 크기를 작게 하고, 생산성을 개선할 수 있게 된다. 또 광의 수신과 전파가 레이저증폭기(14)의 나머지 한쪽 단면에 행해지므로, 특별한 패키지를 개발할 필요없이 종래의 반도체레이저의 경우와 유사한 패키지를 사용햐도 된다. 그리고, 광결합조절이 한 곳에서만 이루어질 수 있게 되어, 제1도에서와 같이 렌즈가 공진기의 양쪽에 설치된 종래의 장치에 비해 광결합조절을 용이하게 행할 수 있게 된다.
더욱이, 레이저증폭기(14)에 입사하는 광의 경로는 증폭기(14)에서 나오는 광의 경로와 분리되므로, 이때 제2도에 나타낸 바와같은 빔스플리터가 필요없게 되어 신호노이즈가 발생할 요소가 없어지게 된다. 게다가 신뢰성이 충분히 입증된 실행도가 높은 부품들만으로 유니트를 구성하므로 신뢰도가 높은 반도체레이저증폭기를 제공하게 된다.

Claims (14)

  1. 주표면영역, 이 주표면영역과 수직한 제1측면 및 제2측면을 갖춘 제1도전형의 반도체기판과, 제2도전형 반도체층을 포함함과 더불어, 그 한쪽 단면이 상기 기판의 제1측면과 접촉하고 다른쪽 단면이 상기 기판의 제2측면과 접촉하도록 상기 기판의 주표면영역에 형성된 제1광도파로층, 상기 기판의 제2측면에 형성되어 상기 제1광도파로층을 따라 전파된 광을 반사하기 위한 반사수단 및, 제2도전형 반도체층을 포함함과 더불어, 그 한쪽 단면이 상기 기판의 제1측면과 접촉하고 다른쪽 단면이 상기 제1광도파로층의 다른쪽 단면과 접촉하도록 상기 기판의 주표면영역 형성된 제2광도파로층을 구비하고, 상기 제1광도파로층은 상기 제1측면을 매개해서 상기 기판 외부로부터 광을 수신하여 그 광을 증폭하고, 상기 제2광도파로층은 상기 반사수단에 의해 반사된 광을 수신하여 그 광을 증폭한 다음 상기 제1측면을 매개해서 상기 기판으로부터 외부로 증폭된 광을 방사하는 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반사수단은, 상기 제2측면에 형성된 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반사수단은, 상기 기판을 벽개함으로써 형성된 상기 제2측면으로서 작용하는 벽개면인 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1측면의 반사율 R1은
    R1≤10-3
    로 하고, 상기 제2측면에 형성된 상기 반사수단의 반사율 R2는
    0.3≤R2≤1.0
    로 하며, 상기 반사율 R1과 R2의 곱은
    R1×R2≤10-4
    로 한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1측면에 형성된 반반사막(13)을 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기.
  6. 제1단면과 제2단면을 갖춘 제1도전형 반도체기판과, 제2도전형 반도체층을 갖춤과 더불어 그 한쪽 단면이 상기 제1단면과 접촉하고 다른쪽 단면이 상기 제2단면과 접촉하도록 상기 기판에 형성된 제1광도파로층, 상기 기판의 제2단면에 형성되어 상기 제1광도파로층을 따라 전파된 광을 반사하기 위한 반사수단 및 제2도전형 반도체층을 갖춤과 더불어 그 한쪽 단면이 상기 제1단면과 접속하고 다른쪽 단면이 상기 제1광도파로층의 다른쪽 단면과 접촉하도록 상기 기판에 형성된 제2광도파로층을 포함하여 구성된 반도체레이저증폭기와 상기 반도체레이저증폭기가 그 위에 설치되어 있는 서브마운트 및 제1베드 ; 상기 제1베드가 그 위에 설치되는 제1스템, 상기 스템에 설치됨과 더불어 상기 반도체레이저증폭기의 제1단면과 대향하는 부분에 지지수단을 갖는 제1홀더, 상기 제1홀더의 지지수단에 의해 고정 장착되는 렌즈, 상기 제1홀더에 설치됨과 더불어 상기 렌즈와 대향하는 부분에 지지수단을 갖춘 제2홀더 및, 상기 제2홀더의 지지수단에 의해 고정 장착되는 제1 및 제2광섬유를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1스템이 그 위에 설치되는 제2스템과, 상기 제2스템상에 설치됨과 더불어 상기 제1홀더와 제2홀더를 덮는 캡 및, 상기 1 및 제2광섬유가 각각 삽입되는 상기 캡에 형성된 제1 및 제2개구부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반도체레이저증폭기의 제2단면과 대향하는 상기 제1베드의 일부에 형성된 제2베드와 ; 상기 제2베드에 설치된 포토다이오드를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  9. 제7항에 있어서, 상기 반도체레이저증폭기의 제2단면과 대향하는 상기 제1베드의 일부에 형성된 제2베드와, 상기 제2베드에 설치된 포토다이오드를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  10. 제6항에 있어서, 상기 렌즈가 로드렌즈인 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  11. 제7항에 있어서, 상기 렌즈가 로드렌즈인 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  12. 제8항에 있어서, 상기 렌즈가 로드렌즈인 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  13. 제1 및 제2단면을 갖춘 제1도전형 반도체기판과, 제2도전형의 반도체층을 갖춤과 더불어 상기 반도체기판의 제1단면과 접속된 제1단면 및 상기 반도체기판의 제2단면과 접속된 제2단면을 갖춘 제1광도파로층, 제2도전형의 반도체층을 갖춤과 더불어 상기 반도체기판의 제1단면과 접속된 제1단면 및 상기 반도체기판의 제2단면과 접속되고 상기 제1광도파로층의 제2단면과 접합되는 제2단면을 갖춘 제2광도파로층 및, 상기 제1광도로파층을 따라 상기 제2광도파로층으로 전파된 광을 반사하기 위한 반사수단을 포함하여 구성된 반도체레이저증폭기와, 상기 반도체기판의 제1단면과 대향하는 단면을 각각 갖춘 제1 및 제2광성유, 상기 제1 및 제2광섬유의 단면과 상기 제1반도체기판의 제1단면간에 배치되어, 상기 제1광섬유로부터 상기 제1광도파로층으로 광을 안내하고 상기 제2광도파로층으로부터 상기 제2광섬유로 광을 안내하기 위한 렌즈수단고, 서로 일정한 간격을 두고 상기 렌즈수단과 상기 반도체레이저증폭기를 지지하기 위한 제1지지수단 및, 서로 일정한 간격을 두고 상기 제1 및 제2광섬유의 단면과 상기 렌즈수단을 지지하기 위한 제2지지수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
  14. 제13항에 있어서, 상기 반도체레이저증폭기, 상기 렌즈수단, 상기 제1 및 제2광섬유를 하우징하기 위한 수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체레이저증폭기 모듈.
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