KR950003182B1 - 광디스크 및 광학정보의 기록방법 - Google Patents

광디스크 및 광학정보의 기록방법 Download PDF

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에이지 오오노
켕이찌 니시우찌
노보루 야마다
노부오 아까히다
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마쯔시다덴기산교 가부시기 가이사
다니이 아끼오
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Description

광디스크 및 광학정보의 기록방법
제 1 도는 본 발명에 의한 광디스크의 단면도.
제 2 도는 본 발명에 의한 광디스크의 기록막의 조성범위도.
제 3 도, 제 4 도, 제 5 도는 본 발명에 의한 강학정보의 기록방법에 있어서의 펄스열(pulse train)의 구성을 표시한 도면.
제 6 도는 본 발명에 의한 광학정보의 기록방법을 실현하는 기록장치의 일예를 표시한 도면.
제 7 도 내지 제13도는 본 발명에 의한 광디스크의 각 구성요소를 결정하기 위한 데이터를 표시한 도면.
제14도, 제15도, 제16도는 본 발명에 의한 광학정보의 기록방법에 있어서의 펄스열의 구성을 한정하는 도면.
제17도는 종래예의 광디스크에 있어서의 기록막의 조성을 표시한 도면.
제18도는 종래예의 광디스크의 구조를 표시한 도면.
제19도는 기록마크의 형상 왜곡의 원인을 설명하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(1) : 기판 (2), (4), (15), (17) : 유전체막
(3), (16) : 기록막 (5) : 반사막
(6) : 광디스크 (7) : 스핀들모터
(8) : 광학헤드 (9) : 신호발생기
(10) : MP회로 (11) : 패턴설정기
(12) : 변조기 (13) : 스위치
(14) : 기준전압
본 발명은, 레이저빔등을 사용하여 고밀도로 광학적인 정보를 기록 재생하는 광디스크 및 광디스크 위에의 광학정보의 기록방법에 관한 것이다.
레이저빔을 이용하여 고밀도인 정보의 재생이나 기록을 행하는 기술은 공지되어 있고, 주로 광디스크로서 실용화되어 있다. 광디스크의 하나의 응용예로서 음악 정보를 기록한 컴펙트디스크(CD)가 있다. 이것은 광디스크상에 미리 신호가 기록된 재생전용형으로서, 사용자는 음악정보를 재생할 수 있으나, 신호를 기록하거나 소거할수는 없다. 그래서 최근, 제기록용 광디스크에 의해 기록과 소거가 가능한 CD를 실현하는 연구개발이 한창 이루어지고 있다.
재기록 광디스크는 광자기디스크와 상면화디스크(phase change di)로 대별할 수 있다. 이중 상변화디스크는 레이저빔의 조사조건을 변화시킴으로서 기록막을 비결정성과 결정사이에서 가역적으로 상태변화시켜서 신호를 기록하고, 비결정성과 결정의 반사율의 차이를 광학적으로 검출하여 재생하는 것이다. 따라서 광자기디스크에 비해서, CD와 마찬가지로 레이저빔의 반사율 변화에 의해 신호를 재생할 수 있고, 레이저파워의 변조에 의해서 단일빔의 중복 기재를 용이하게 실현할 수 있다고 하는 큰 장점이 있다.
상변화디스크에 의한 재기록용 CD의 구체적 제안으로서는, 기록막재료로서 제17도의 사선의 조성범위의 Ce, Sb, Te합금을 사용하여, 구조로서 제18도와 같이 기록막을 유전체막으로 샌드위치한 광디스크가 있다.(광메모리심포지움 1988, 논문집, P41-P42).
상기 종래예로 제안된 기록막조성 및 광디스크구조에 의해서 실제로 CD신호의 기록을 종래의 단열빔 중복기재로 행한바, 재생파형의 왜곡이 대단히 크게되어 실용적이 아닌 것을 알았다. 이것은 기록마크 형상이 전후 대칭이 아니고 선단부에서 가늘고 종단부에서 굵게 되어서 눈물방울 형상(teardrop shape)으로 왜곡되기 때문이다. 원인은 제19(a)도와 같은 레이저빔의 변조 파형으로 기록하였을 경우, 기록막의 도달온도가 축열형상(accumutation phenomenon)으로 제19(b)도와 같이 선단부에서 낮고 종단부에 가까와짐에 따라서 높아지는 데 있으며, 결과로서, 제19(c)도와 같은 눈물방울 형상의 기록마크로 된다. 축열형상은 레이저스포트와 광디스크의 상대속도 즉, 선속도가 느릴수록 커지기 때문에, CD와 같이 1.2~1.4m/sec로 대단히 느릴 경우에는 기록마크의 형상 왜곡도 커지게 된다. 이 기록마크의 왜곡은 재생파형 왜곡에 연결되어, 지터(jtter)의 증대의 원인으로 된다. 특히, CD규격의 EFM신호(eight to fourteen modulation signal)는 펄스폭변조된 신호(PWM 신호)로서, 기록마크의 길이와 기록마크의 간격이 정보를 표시하는 것이며, 기록마크의 왜곡은 에러발생의 큰 원인이 된다.
상기 과제를 해결하기 위하여 발명자들은, 1개의 기록마크를 형성하기 위한 기록 펄스를, 복수의 짧은 펄스로 이루어진 펄스열(pulse train)로 변환한 후 기록하는 방법 및 그 장치를 제안하였다(외국 출원의뢰번호 : 02-0051), 그후 상세한 검토, 연구를 거듭한 결과, 발명자들은 광디스크의 기록막조성, 구조를 특정하고, 또 기록방법을 특정함으로서, 기록마크의 왜곡은 더욱 작아지고, 재기록용 광디스크에 있어서도 재생전용해 CD와 같은 재생신호를 얻을 수 있는 것을 발견하였다.
즉 광디스크를, 기판위에 유전체막, 기록막, 유전체막, 반사막의 순으로 적층한 구조로 하고, 상기 기록막은, 조성이 Gex, Sby, Tez(7
Figure kpo00001
x
Figure kpo00002
17, 34
Figure kpo00003
y
Figure kpo00004
44, 44
Figure kpo00005
z
Figure kpo00006
54, x+y+z=100at%(atamic percent))로 표시되고, 또한 막두께는 10㎚ 이상 35㎚이하로서, 반사막족의 상기 유전체막의 막두께는 5㎚ 이상 40㎚이하이고, 또한 상기 반사막은 적어도 Au, Al, Tl, Nt, Cr의 단체 또는 합금으로 이루어지고, 또한 막두께는 35㎚ 이상으로 한다.
또한, 이 광디스크위에의 신호의 기록방법으로서, 펄스폭변조된 디지틀 신호를 1개의 레이저스프트를 사용하여, 중보기재하는 경우에, 광디스크를 레이저 스포트와의 상대속도가 1.2~1.4m/sec 사이의 일정속도가 되도록 회전시키는 스텝과, 상기 디지틀 신호에 포함되는 각각의 펄스를 복수의 펄스로 이루어진 펄스열로 변환하는 스텝과, 레이저파워를 상기 펄스열에 의해 소거레벨과 기록 레벨사이에서 변조하여, 각각의 상기 펄스열에서 각각 1개의 기록 마크를 광디스크 위에 형성해서 상기 디지틀 신호를 기록하는 스텝으로 이루어지고, 상기 펄스열은 선두펄스와 후속펄스열로 이루어지고, 상기 선두펄스의 폭은 항상 일정하고 또한 후속펄스열중의 각 펄스의 폭보다 크고, 상기 후속펄스열중의 각 펄스의 폭과 간격은 각각 동일하고, 또한 길이가 "n"번째의 기록마크를 형성하는 경우의 상기 후속펄스중의 펄스수는 "n-1"개인 광학정보의 기록방법을 채용한다.
또한, 상기한 바와 같이 레이저파워를 변조해서 신호를 기록하기 전에 미리 레이저 파워를 상기 기록막이 응용하는 파워레벨이상으로 일정하게 유지하여 연속적으로 조사해서 오래된 신호를 소거하는 스텝을 형성하는 것이다.
본 발명의 광디스크 및 광학정보의 기록방법은 다가이 상기 축열현상을 저감하는 데에 큰 효과가 있다.
본 발명에 의한 광디스크는, 막두께가 얇은 기록막이 금속의 반사막에 대단히 근접해서 형성되어 있기 때문에, 방열효과가 크고, 기록막은 승온된 후 신속히 냉각된다. 따라서 축열현상이 저감되어 기록마크의 종단부가 필요이상으로 승온하는 것을 억제하게 된다.
또 본 발명에서 한정한 기록막 조성은, 상기 구조일때에 양호한 소거속도와 기록의 감도 및 열적안성성을 실현할 수 있다.
또 본 발명에 의한 광학정보의 기록방법도, 펄스폭이 넓은 선두펄스에 의해서 조사하여 기록막을 충분히 승온한 후, 펄스폭이 좁은 후속펄스에 의해서 단속적으로 조사하기 때문에, 기록마크의 종단부에서의 축열현상을 저감할 수 있다. 또한, 기록신호는 소거파워의 기록파워사이에서 변조되기 때문에, 오래된 신호의 기록마크는 새로운 신호를 기록함과 동시에 소거되나, 또 기록빔이 통과하기전에 미리 레이저파워를 기록막이 응용하는 파워레벨 이상으로 일정하게 유지해서 연속적으로 조사하면 오래된 신호는 거의 완전히 소거된다.
상기 광디스크와 광학정보의 기록방법은 각각 단독으로 기록마크의 형상 왜곡을 저감하는 효과는 충분히 인정되나, 쌍방을 동시에 채용함으로서 상승효과에 의해서 1.2~1.4m/sec라고 하는 낮은 선속도에 있어서도 CD와 동일한 정도를 가지는 재생신호의 품질을 실현할 수 있다.
이하 본 발명을 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
상기한 바와 같이 낮은 선속도에서 PWM기록을 실현하기 위해서는 기록시에 축열산상을 억제하여 기록마크의 형상왜곡을 저감할 필요가 있다. 발명자들은 기록 마크의 형상왜곡을 저감하기 위하여 광디스크구조 및 기록막조성의 검토와, 기록방법의 검토를 행하였다. 그 결과, 선속도가 1.2~1.4m/sec에서 기록마크의 형상왜곡을 작게할 수 있는 최적의 광디스크와 기록방법을 각각 발견하였다. 그리고 이 광디스크의 기록방법을 동시에 채용함으로써 형상왜곡은 비약적으로 작게되어, CD규격의 EFM(8-14변조)신호를 기록하고 재생할 경우에 대단히 유효한 수단인 것을 알았다.
우선, 광디스크에 대해서 설명한다. 제 1 도에 광디스크의 구조를 표시한다. 기판(1) 위에 유전체막(2), 기록막(3), 유전체막(4), 반사막(5)의 순으로 적층되어 있다. 기판(1)으로서는 금속, 유리, 수지등이 사용가능하나, 일반적으로 레이저빔은 기판쪽으로부터 입사되기 때문에, 투명한 유리, 석영, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타아크릴레이트등을 사용한다. 본 발명에 의한 광디스크의 특징은, 기록막의 조성을 제 2 도의 점(A, B, C, D, E, F)의 각각에 의해서 에워싼 영역으로 특정하고, 기록막의 두께는 10㎚이상 35㎚이하이고, 또한 유전체막(4)의 막두께는 5㎚이상 40㎚이하고 하고, 반사막(5)은 적어도 Au, Al, Tl, Nl, Cy의 단체 또는 합금으로 구성하고, 또한 막두께를 35㎚이상으로 특정한다. 또한 점(A, B, C, D, E, F)의 좌표를 이하에 원자백분률(automic percentage) 표시한다.
(Ge, Sb, Te)
A(17, 34, 49)
B(17, 39, 44)
C(12, 44, 44)
D(7, 44, 49)
E(7, 39, 54)
F(12, 34, 54)
이와 같은 광디스크에서는 얇은 기록막이 금속의 반사막에 대단히 근접해서 형성되고 있기 때문에 방열효과(heat diffusion effect)가 크고, 기록막은 승온한 후 신속히 냉각되며, 따라서 축열형상이 저감되어서, 1.2~1.4m/sec의 낮은 선속도에서는 기록마크의 형상왜곡이 억제되는 동시에, 기록막의 조성을 한정함으로서, 양호한 기록감도, 소거울, 열적안정성을 얻을 수 있다.
여기서 광디스크의 각 구성요소를 상기한 바와 같이 한정한 이유에 대해서 설명한다.
기록막조성은 제 2 도의 점(A, B, C, D, E, F)에 의해서 에워싼 영역으로 한정하였으나, 이것은 다음의 이유에 의한다. 상기 광디스크구조를 유지하면서 조성을 변화시켰을 때, 직선(AF)보다 "Sb"가 적은 영역에서는 결정화속도가 너무 빠르기 때문에 기록막이 용융한후도 결정화하기 쉽게 되어, 비결정성의 기록마크의 형상이 찌그러지고, 반대로 직선 (CD)보다 "Sb"가 많은 영역에서는 결정화속도가 너무느리고 비결정성부분이 충분히 결정화되지 않아 지워지지 않은 자극이 크게 생겼다. 또, 직선(DE)보다 "Ge"가 적은 영역에서는 결정화 온도가 낮기 때문에 기록신호의 열적 안정성이 나쁘고, 직선(AB)보다 "Ge"가 많은 영역에서는 융점이 높기 때무에 기록감도가 악화되었다. 또 직선(EF)보다 "Te"가 많은 영역에서는 결정화속도가 빠르고 또한 결정화온도가 낮기 때문에 기록마크의 형상이 찌그러지고 또한 기록 신호의 열적안성성이 악화되고, 반대로 직선(BC)보다 "Te"가 적은 영역에서는 결정화속도가 너무 느리고 비결정성부분이 충분히 결정되지 않아 지워지지 않은 자극이 크게 생겼다. 따라서 축열현상을 작게 억제한 광디스크 구조에 있어서는, 기록막조성은 제 2 도의 점(A, B, C, D, E, F)에 의해서 에워싼 영역이 좋다.
또 상기 구조를 유지한 그대로 기록막의 두께만을 변화시켰던바, 기록막두께 10㎚미만에서는 기록막에 의한 레이저광의 흡수가 나쁘고 또한 방열효과가 크기 때문에 기록감도가 악화되어, 35㎚을 초과하면 기록막의 열용량의 커지게 되어 축열현상에 의한 기록마크의 형상왜곡이 커지게 되었다. 따라서, 기록막두쩨는 10㎚이상 35㎚이하가 좋다.
마찬가지로 반사막쪽의 유전체막(4)의 막두께를 검토하였던바, 5㎚미만에서는 기록막이 반사막에 너무 근접하여 방열효과가 너무 크게 되어 기록감도가 악화되고, 40㎚를 초과하면 반사막에의 방열이 작아지며 축열현상에 의한 기록마크의 형상왜곡이 커지게 되었다. 따라서, 유전체막(4)의 막두께는 5㎚이상 40㎚이하가 바람직하다. 또한, 유전체(2), (4)의 재질로서는, 예를 들면 S1O2, S1O, A12O3, GeO2, TEO2, M0O3, WO3, S13N4, A1X1, BN, TlN, ZnS, ZnSe, ZnTe, S1C의 단체 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으나, 광의 간섭효과를 크게하기 위하여 굴절율이 비판에 비해서 크며, 열적안정성이 뛰어나고, 유전체막의 형성이 용이한 것이 좋고 특히 ZnS, S13N4, A1N,TlN,ZnS와 S1O2의 혼합물, ZnSe와 S1O2의 혼합물이 바람직하다.
또, 반사막(5)의 막두께를 검토한바, 35㎚미만에서는 반사막의 방열효과가 작아지고 축열현상에 의한 기록마크의 형상왜곡이 커지게 되었다. 따라서, 반사막(5)의 막두께는 35㎚이상이 좋다. 또한 반사막의 조성은, 반사율이 크고, 열전도율이 크고, 막의 형성이 용이한 것을 고려하면, 적어도 Au, Al, Tl, Nl, Cr의 단체 또는 합금으로 구성하는 것이 바람직하다.
다음에, 기록방법에 대해서 설명한다. CD규격의 EFM신호는, "3T~11T"(T는 클록주기)의 9종류의 펄스폭이 다른 펄스로 구성되어 있으며, 종래의 단일빔의 중복기재에 의한 기록방법은, 레이저파워를 소거레벨과 기록레벨사이에서, EFM신호에 의해 직접 변조해서 광디스크상에 신호를 기록하고 있었다. 그러나, 이 기록방법에서는 기록마크는 눈물방울 형상으로 크게 왜곡 때문에, 발명자들은 이것을 저감하는 방법을 고안하였다(외국 출원의뢰번호 : 02-0051). 이것은, 단일빔의 중복기재를 행할때에 1개의 기록마크를 형성하는 기록펄스를 특정형상의 복수의 짧은 펄스로 이루어진 펄스열로 변화하여 신호를 기록하는 것이다(이 기록방법은 이후 멀티펄스 기록방법(MP기록방법)으로 기록함). 본 발명의 기록 방법은 MP기록 방법중 본 발명의 광디스크에 특히 유효한 요소를 추출하고 한정한 것이다.
즉, 디지틀신호에 포함되는 각각의 펄스를 복수의 펄스로 이루어진 펄스열로 변환한후, 레이저파워를 펄스열에 의해 소거레벨과 기록 레벨사이에서 변조하여, 각각의 펄스열에서 각각 1개의 기록마크를 광디스크상에 형성해서 상기 디지틀신호를 기록할 때에, 펄스열은 선두펄스와 후속펄스열로 구성하고, 선두펄스의 폭은 항상 일정하고, 또한 후속펄스열중의 각 펄스의 폭보다 크며, 후속펄스열중의 각 펄스의 폭과 간격은 각각 동일하고, 그리고 길이가 "n"번째의 기록 마크를 형성할 경우의 후속펄스중의 펄스수는 "n-1"개로 하는 것이다.
제 3 도와 같이, EFM신호에 포함되는 "3T-11T"의 폭이 다른 9종류의 펄스 중, "3T"의 펄스는 폭이 넓은 선두펄스로 변환되며, "4T"의 펄스에는 폭이 좁은 후속펄스가 선두펄스에 1개 추가되어, 그 후 펄스폭이 넓어지는 데 따라서 폭이 동일한 펄스가 1개씩 추가된 펄스열로 변환된다. 그리고 이 펄스열에 의해 레이저파워를 기록레벨과 소거레벨사이에서 변조해서 신호를 기록하기 때문에, 예를 들면, 제 4(a) 도와 같은 입력파형은 제 4(b) 도와 같은 레이저출력에 의해 광디스크상에 조사되어서, 미리 기록되어 있는 신호를 소거하면서 새로운 신호가 기록된다. 또한, 레이저 파워의 변조방법으로서는 또 제 4(c) 도와 같이 펄스열의 기간만큼 기록레벨(Pp)과 재생레벨(Pr) 또는 오프레벨사이에서 변조해도 된다.
또 단일빔의 중복 기재에 의해서 신호를 기록할 경우에는 오래된 신호의 지워지지 않은 자극이 생겼을 경우가 있으며, 지워지지 않은 자극이 크면 지터의 증대의 원인이 된다. 지워지지 않은 자극의 원인은 신호트랙상에 있어서의 결정상태의 차이에 의한 것으로 생각되기 때문에, 상기 방법에 의해 레이저파워를 변조해서 신호를 기록하기전에, 미리 레이저파워를 기록막이 용융하는 파워레벨이상으로 일정하게 유지하여 연속적으로 조사한다. 신호트랙상의 결정은 모두 용융되기 때문에, 결정상태의 차이는 없어지고 오래된 신호는 충분히 소거된다. 이대 기록막은 용융후 비결정성 상태로 되거나 결정상태로 되어도 된다. 그후에 조사된느 기록레이저빔에 의해 비결정성과 결정의 양쪽의 상태가 실현될 수 있기 때문이다.
또한 이 용융소거는 기록레이저스포트에 의해 연속조사해서 행하고, 그후 다시 기록레이저스포트로 새로운 신호를 기록해도 되고, 또는 기록레이저스포트에 선행하는 다른 레이저스포트를 형성하여 실시해도 된다.
다음에 본 발명의 더욱 구체적실시예를 표시한다.
[실시예 1]
우선 본 발명에 의한 광디스크 및 광학정보의 기록 방법의 유효성을 종래예와 비교한 예를 표시한다. 여기서는 본 발명에 의한 광디스크와 종래예에 의한 광디스크의 2종류를 준비하고, 각각의 광디스크에 대해서 본 발명에 의한 기록방법과 종래예에 의한 기록방법으로 EFM신호를 기록한후, 재생해서 신호의 지터의 크기를 비교하였다.
본 발명에 의한 광디스크 A는 제 1 도의 구조와 동일하며, 기판(1)은 신호트랙을 미리 형성한 120㎚의 폴리카보네이트 기판이고, 기록막(3)의 조성은 Ge12Sb39Te49이고, 막두께는 20㎚이고, 유전체막의 조성은 ZnS와 S1O2의 혼합물(S1O2: 20mol%)이고, 막두께는 유전체막(2)이 150㎚이고, 유전체막(4)이 12㎚이고, 반사막(5)의 조성은 Au이고 막두께는 50㎚로 하였다. 또한 여기에서는 이들의 박막층을 보호하기 위하여 폴리카보네이트제의 보호커버를 접착하였으나, 보호커버 대신에 수지를 도포한후 경화시킨 소위 하드코트라도 되고, 또는 보호커버등을 형성하지 않아도 된다. 보호커버등이 유무는 본 발명의 내용을 한정하는 것은 아니다.
또한 신호트랙은, 광디스크위의 어느 장소에 있어서도 1.25m/sec의 일정한 선속도에 의해서 회전하기 때문에, 1.25m/sec로 회전하였을 때 22.05KHZ를 얻을 수 있도록 변조한 소위 워블링홈(wobbling grooves)으로 하였다.
종래예의 광디스크 B는 제18도의 구조와 동일하며, 기판(1), 기록막(16), 유전체(15), (17)의 조성은 광디스크 A와 동일하게 하였다. 막두께는 기판쪽의 유전체막이 100㎚이고, 반대쪽이 200㎚이고, 기록막두께가 100㎚이다. 광디스크 B도 박막층을 보호하기 위하여 다시 폴리카보네이트제의 보호커버를 접착하였다.
기록방법은, EFM신호로 직접 레이저광을 기록레벨과 소거레벨사이에서 파워변조하는 종래의 방법과, EFM신호를 본 발명에 의한 펄스열로 변조한 다음에 레이저광을 변조하는 MP기록방법을 채용하였다. MP기록방법에 있어서의 "3T"에서부터 "11T"의 입력펄스는 일정한 규칙에 따라서 펄스열화되기 때문에, 선두펄스의 폭(t1)을 지정하고, 후속펄스의 폭(t2)을 지정하면 모든 펄스열을 알수 있다. 즉, 제 5(a) 도의 "11T"의 파형을 제 5(b) 도와 같이 펄스열화하였을때, 선두펄스의 폭(T1)을 지정하고, 후속펄스의 폭(t2)을 지정하면 "3T~11T"에 지정하면 "3T~11T"에 대한 모든 펄스열을 알수 있다(t3=T-t2이다).
제 6 도에 제 4(b) 도의 파형을 얻기 위하여 본 실시예에서 사용한 기록장치를 표시한다. 먼저, 광디스크(6)을 스핀들모터(7)에 의해 광학헤드(8)로부터의 레이저 스포트와 광디스크(6)의 상대속도 즉, 선속도가 1.25m/sec에서 일정하게 되도록 회전한다. 선속도를 광디스크위의 모든 점에서 일정하게 유지하기 위해서는, 워블링홈의 변조신호를 광학적으로 재생해서, 이 신호가 항상 22.05KHZ가 되도록 회전속도를 제어하면 된다.
신호를 기록할 때에는, 신호발생기(9)로부터의 EFM신호(S1)를 MP회로(10)에서 펄스열신호(S4)로 변환한다. MP회로(10)은 펄스폭이 가장 긴 "11T"의 펄스에 대응하는 펄스열의 패턴을 미리 설정해두는 패턴설정기(11)와, "S1"중의 펄스폭을 검지하고, 그 길이에 따라서 패턴설정기(11)의 설정패턴의 선두에서부터 필요한 길이를 인출하여 펄스열을 발생하여 출력하는 변조기(12)로 구성하였다. 또한, 신호발생기로부터의 입력신호의 에지위치가 펄스열로 변조됨으로서 변동하지 않도록, 입력신호의 발생기, 변조기, 패턴설정기를 동일한 클록(C1)으로 동기시켜서, 기록신호의 지터를 억제하였다. 또, 광학헤드(8)중의 반도체레이저는 신호재생시에는 재생레벨(Pr)을 얻기 위하여 전류(Ir)가 흐르고 있으나, 신호의 기록 기간중, 즉 기록게이트 신호(Wg)가 입력될때에는 소거레벨(Pb)을 얻기 위한 바이어스 전류가 흐르고, 또한 "S4"의 펄스열신호에 의해서 스위치(13)가 작동하였을 때에는 또 기록레벨(Pp)를 얻기 위한 전류(Ia)가 중첩된다. 따라서 신호기록시에는 레이저파워는 제 4(b) 도와 같이 소거레벨(Pb)과 기록레벨(Pp)사이에서, 펄스열파형에 의거하여 변조된다. 또한 기준전압설정회로(14)는 전류(Ir), (Ia), (Ib)를 얻는데 필요한 전압을 발생시키는 것이다. 또, 광학헤드(8) 중의 반도체레이저의 파장은 830㎚이고, 대물렌즈의 NA(numerical aperture)는 0.5이다.
본 실시예에 있어서의 펄스열의 구성은 제 5 도에 있어서 t1=348nsec·t2=116nsec·T=232nsec이다.
또 종래의 기록방법에 의한 경우는 EFM신호(S1)에 의해서 스위치(13)를 직접 동작하여, 레이저파워를 변조하였다.
이상과 같은 광디스크와 기록방법의 조합에 의해서, 동일트렉상에 10회 중복기록된 신호를 재생하여, 그 지터의 크기를 측정하였다. 지터측정에는 메구로전기(주)제의 "CD지터 미터 MJM-631"를 사용하였다.
제1 표에 측정결과를 표시한다. 여기서 표시한 지터의 값은, 각각의 조합에 있어서 레이저파워(Pb), (Pp)를 변화시켜, 최소의 지터를 구한 것이며, 그때 "Pb"도 동시에 기록하였다. 또한 레이저파워는 광디스크의 표면상에서의 값이다. 제 1 표에서 알수 있는 바와 같이 종래의 광디스크 B와 종래의 기록방법의 조합은 지터가 대단히 크나, 종래의 광디스크 B와 MP기록방법의 조합, 또는 본 발명에 의한 광디스크 A와 종래의 기록방법의 조합으로 지터는 크게 개선된다. 또, 본 발명에 의한 광디스크 A와 MP기록방법의 조합에 의한 지터의 저감효과는 대단히 크게 되어있다. 따라서 지터의 저감에는 본 발명에 의한 광디스크 A에 대해서 본 발명에 의해 한정된 MP기록방법을 동시에 채용하는 데 큰 의의가 있다.
[제1표]
Figure kpo00007
이하에 광디스크의 구성요인을 한정된 상세한 실시예에 대해서 설명하나, 실시예 1에서 알 수 있는 바와 같이 기록방법은 MP기록방법쪽이 지터가 작아지기 때문에, 이하의 실시예 2내지 실시예 8에서는 모두 실시예 1과 동일한 파형의 MP기록방법을 사용하였다.
최초에 기록막조성을 제 2 도의 점(A, B, C, D, E, F)에 의해서 에워싼 영역에 한정된 실시예를 표시한다.
[실시예 2]
발명자들은, "JJAP, V.I. 26(1987)Suppl.26-4, P61-P66"에, GeSbTe합금중 GeTe의 Sb2Te3을 연결하는 라인상에, 비결정성에서부터 고속으로 결정화하는 3종류의 화합물 GeSb4Te7, GeSb2Te4, Ge2Sb2Te5가 존재하고, 이들 화합물은 기록 소거특성, 반복특성이 우수하고, 또한, GeTe-Sb2Te3라인으로부터 멀어짐에 따라서 결정화속도가 늦어지게 되는 내용을 개시하였다. CD의 선속도로서는 GeTe-Sb2Te3라인상에서의 결정화속도가 너무 빨라서 비결정화가 곤란하기 때문에, 화합물중 GeSb4Ten보다 결정화온도가 높아서 열적으로 안정적이며, Ge2Sb2Te5보다는 융점이 낮고 기록감도가 높은 GeSb2Te4에 Sb를 첨가하여 결정화속도를 느리게 하는 것을 시도하였다. 광디스크구조를 실시예 1에 있어서의 광디스크 A와 마찬가지로해서 기록막조성만 GeSb2Te4와 Sb를 연결하는 라인상에서 변화시켰다. 작성한 광디스크는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지터를 측정하였다. 또 광디스크에 요구되는 특성으로서는 열적안정성과 기록감도가 있다. 열적안정성은 신호기록후 80℃에서 10일간 방치하여 다시 지터를 측정해서 그 변화를 조사하였다. 기록감도는 지터가 최소로 되는 기록레벨(Pp)로 표시하였다. 측정결과를 제 7 도에 표시한다. 기록직후의 지터(Jo)는 Sb량이 39at%(제 2 도에 있어서의 G점) 부근에 있어서 극소치를 표시하였다. G점에서부터 Sb량이 감소하면 결정화속도가 너무 빠르게 되어서 기록마크형상이 찌그러지고, 증가하면 결정화속도가 느리게 되어서 소거율이 나쁘게 되어 이전에 기록되어 있었던 신호의 영향을 받는 것으로 생각할 수 있다. 지터의 크기는 CD의 규격을 고려하면 30nsec 이하가 좋다. 또 80℃에서 10일간후의 지터(J10)는 이 조성범위에서의 기록직후와 거의 변화하지 않았다. 기록감도는 현재 입수할 수 있는 값싼 반도체레이저는 출력이 20mW정도 이하인 것을 고려했을 때, 광디스크의 표면상에서 10mW 이하인 것이 좋은 것으로 생각되나, 이 조성범위에서는 이것을 만족시키고 있다.
이상으로 본 발명에 의한 방열구조와 기록방법에 적합한 GeSb2Te4-Sb 라인상의 조성은 Sb량이 34at%~44at%의 범위이다.
[실시예 3]
다음에 실시예 2에 있어서의 G점을 중심으로 Ge의 첨가효과를 표시한다. 광디스크구조는 실시예 2와 동일하게 하고, 기록막 조성을 Ge와 Ge12Sb39Te49(G점)을 연결하는 직선상에서 변화시켜서, 실시예 2와 마찬가지의 기록방법에 의해서 신호를 기록하고, 그 지터를 측정하였다. 또 열적안정성, 기록감도도 측정하였다. 결과를 제 8 도에 표시한다. 기록시의 지터(J0)는 Ge가 3at% 이상에 있어서 30nsec 이하로 되어 결정화 속도로서는 본 발명에 의한 광디스크 및 기록방법에 적합하다. 그러나 80℃에서 10일간후의 지터(J10)는 Ge의 양이 7at%보다 적어지면 기록시의 지터(J0)보다 커지게 된다. 이것은 결정화온도가 내려가고, 열적으로 불안정하게 되기 때문이라고 생각할 수 있다. 반대로 Ge가 증가하면 기록감도가 악화되어 큰 기록파워가 필요하게 되고, 17at%를 초과하면 기록파워(Pp)는 10mW를 초과해버린다. 이것은 기록막의 융점이 높아지는데 기인하는 것으로 생각할 수 있다.
이상으로 본 발명에 의한 방열구조와 기록방법에 적합한 Ge-Ge12Sb39Te49(G점) 라인상의 조성은, Ge의 양이 7at%~17at%의 범위이다.
[실시예 4]
다음에 실시예 2에 있어서의 "G점"을 중심으로 "Te"의 첨가효과를 표시한다. 광디스크 구조는 실시예 2와 동일하게 하고, 기록막조성을 "Te"와 Ge12Sb39Te49(G점)를 연결하는 직선상에서 변화시켜서, 실시예 2와 마찬가지의 기록방법에 의해서 신호를 기록하고, 그 지터를 측정하였다. 또한, 열적안성성과 기록감도도 측정하였다.
결과를 제 9 도에 표시한다. 기록시의 지터(J0)는 Te가 50at% 부근에 있어서 극소치를 표시하였다. 50at%보다 Te의 양이 증가하면 결정화속도가 너무 빨라져서 기록마크 형상이 찌그러지고, 감소하면 결정화 속도가 느리게 되어 소거율이 악화되어 이전에 기록되어 있었던 신호의 영향을 받게되는 것으로 생각할 수 있다. 또한, 80℃에서 10일간후의 지터(J10)는 Te의 양이 55at%보다 많아지면 기록시의 지터(J0)보다 커지게 된다. 이것은 결정화온도가 내려가고, 열적으로 불안정하게 되기 때문이라고 생각할 수 있다. 기록감도는 이 조성범위에서는 Te의 양에 그다지 의존하지 않았다.
이상으로 본 발명에 의한 방열구조아 기록방법에 적합한 Te-Ge12Sb39Te49라인상의 조성은, Te의 양이 44at%~54at%의 범위이다.
실시예2 내지 실시예 4에서 본 발명에 의한 방열구조와 기록방법에 적합한 GeSbTe 합금의 조성범위는 G12Sb39Te49(G점)을 중심으로 하여, 7
Figure kpo00008
Ge
Figure kpo00009
17at%, 34
Figure kpo00010
Sb
Figure kpo00011
44at%, 44
Figure kpo00012
Te
Figure kpo00013
54at%로 에워싼 범위, 즉 제 2 도의 점(A, B, C, D, E, F)으로 에워싸인 범위이다.
[실시예 5]
다음에 기록막의 막두께의 범위를 결정하기 위한 실시예를 표시한다. 광디스크 구조와 기록막 조성은 실시예 1에 있어서의 광디스크 A와 마찬가지로 하여 기록막의 막두께만 변화시켜서 작성하고, 실시예 2와 마찬가지의 기록 방법에 의해서 신호를 기록하고, 그 지터와 기록감도를 측정하였다. 결과를 제10도에 표시한다. 지터(J0)는 막두께가 25㎚ 이하에서는 20nsec 정도로 대단히 작고 일정하나, 25㎚을 초과하면 커지게 되고 35㎚ 이상에서는 30nsec를 초과해버린다. 이것은 기록막의 열용량이 커지게 되어 측열현상이 나타나고, 기록마크의 형상왜곡이 커지기 때문이라고 생각할 수 있다. 또한, 기록감도는 반대로 기록막이 15㎚보다 얇아지면 악화되고, 10㎚ 미만에서는 기록파워는 10mW를 초과해 버린다. 이것은 기록막두께가 10㎚ 미만에서는 기록막에 의한 레이저빔의 흡수가 나쁘고 또한 방열효과가 커지기 때문이라고 생각할 수 있다.
즉 본 발명에 의한 방열구조와 기록방법에 적합한 GeSbTe 기록막의 막두께는 지터, 기록감도의 양쪽의 관점에서 10㎚ 이상 35㎚ 이하이어야 하고, 특히 15㎚ 이상 25㎚ 이하가 바람직하다.
[실시예 6]
또 반사막쪽의 유전체막(4)의 막두께의 범위를 결정하기 위한 실시예를 표시한다. 광디스크구조와 기록막조성은 실시예 1에 있어서의 광디스크 A와 마찬가지로 하여 유전체막(4)의 막두께만 변화시켜서 작성하고, 실시예 2와 마찬가지의 기록방법에 의해서 신호를 기록하고, 그 지터와 기록감도를 측정하였다. 결과를 제 11도에 표시한다. 지터(J0)는 유전체(4)의 막두께가 25㎚ 이하에서는 20nsec 정도로 대단히 작고 일정하나, 25㎚를 초과하면 커지게 되어 40㎚ 보다 두껍게 되면 30nsec를 초과한다. 이것은 기록막으로부터 반사막으로의 방열이 작아지며 축열현상이 나타나고, 기록마크의 형성 왜곡이 커지게 되었기 때문이라고 생각할 수 있다. 또 기록감도는 반대로 유전체막(4)이 10㎚ 보다 얇아지면 악화되고, 5㎚ 미만에서는 기록파워는 10mW를 초과해 버린다. 이것은 기록막이 반사막에 너무 접근해서 방열효과가 너무 커지기 때문이라고 생각할 수 있다.
즉 본 발명에 의한 방열구조와 기록방법에 적합한 유전체막(4)의 막두께는 지터, 기록감도의 양쪽의 관점에서 5㎚ 이상 40㎚ 이하이어야 하고, 특히 10㎚ 이상 25㎚ 이하가 바람직하다.
[실시예 7]
또 반사막쪽(5)의 막두께의 범위를 결정하기 위한 실시예를 표시한다. 광디스크구조와 기록막 조성은 실시예 1에 있어서의 광디스크 A와 마찬가지로하여 반사막(5)의 막두께만 변화시켜서 작성하고, 실시예 2의 마찬가지의 기록방법에 의해서 신호를 기록하고, 그 지터와 기록감도를 측정하였다. 결과를 제12도에 표시한다. 지터(J0)는 반사막(5)의 막두께가 45㎚ 이상에서는 20nsec 정도로 대단히 작고 일정하나, 45㎚ 보다 얇아지면 커지게 되어 35㎚ 미만에서는 30nsec를 초과한다. 이것은 반사막의 방열효과가 작아지며 축열현상이 나타나고, 기록마크의 형상왜곡이 커지게 되었기 때문이라고 생각할 수 있다. 또 기록감도는 반사막 두께가 커짐에 따라서 악화되지만, 기록파워는 45㎚ 이상에서는 거의 포화한다.
즉 본 발명에 의한 방열구조와 기록방법에 적합한 반사막(5)의 막두께는 지터, 기록감도의 양쪽의 관점에서 35㎚ 이상이어야 하고, 특히 45㎚ 이상이 바람직하다.
[실시예 8]
다음에 기판막쪽의 유전체막(2)의 막두께의 범위를 결정하기 위한 실시예를 표시한다. 유전체막(2)의 막두께는 광디스크의 방열특성 그 자체에 큰 영향을 주는 것은 아니나, 광디스크의 광학적 특성, 예를들면 반사율이나 CNR(carrier to moise ratio)에 영향을 미치게 하는 것이다. 광디스크구조와 기록막 조성은 실시예 1에서의 광디스크 A와 마찬가지로 하여 유전체막(2)의 막두께만 변화시켜서 작성하고, 실시예 2 와 마찬가지의 기록방법에 의해서 신호를 기록하고, 그 지터와 기록감도를 측정하였다. 결과를 제13도에 표시한다. 지터(J0)는 유전체(2)의 막두께에 그다지 의존하지 않고, 상당히 넓은 범위에서 양호한 값을 표시하였다. 또 기록파워는 100㎚ 미만이거나 180㎚을 초과하는 막두께로 10mW을 초과해 버리고, 기록감도가 나쁘다. 이것은 광디스크의 반사율이 100㎚ 미만이거나 180㎚를 초과하는 막두께에 있어서 크게 되고, 조사된 레이저파워의 기록막에 있어서의 흡수율이 악화되기 때문이라고 생각할 수 있다.
즉 본 발명에 의한 방열구조와 기록방법에 적합한 유전체막(2)의 막두게는 지터, 기록감도의 양쪽의 관점에서 100㎚ 이상 180㎚ 이하이어야 한다.
이상의 실시예2 내지 실시예 8 에 있어서 광디스크의 구성요소를 결정해 왔으나 다음에 본 발명에 의한 광학정보의 기록방법이 가장 특징으로 하는 제 5 도에 있어서의 펄스열의 구성을 결정하는 "t1, t2"의 범위를 실시예에 의해서 표시한다.
[실시예 9]
제 5 도의 펄스구성에 있어서 "t2=116nsec", "T=232nsec"로 유지한 그대로 선두펄스의 폭인 "t1"을 변화시켜서 신호를 광디스크상에 기록하고, 재생신호의 지터와 기록감도를 측정하였다. 광디스크는 실시예 1 의 광디스크 A를 사용하였다. 결과를 제14도에 표시한다. 지터(J0)는 선두펄스의 폭(t1)이 약 350nsec 즉, 후속펄스의 폭(t2)의 3배일때에 최소로 되고, 그것보다도 "t1"이 작거나 또는 커도 지터는 커지게 된다. "t1"이 "t2"의 3배보다 작아지면 기록마크의 선두에서 충분한 승온을 얻을 수 없고, 선단부분이 작아져서 마크형상이 왜곡되고, 반대로 3배보다 커지게 되면 선단부분이 크게 되어 마크형상이 왜곡되기 때문이라고 생각할 수 있다. 제 4 도에서 지터는 30nsec 보다 작아지는 것은 "t1"의 값이 "t2"의 2배이상 3.5배 이하일때이며, 특히 3배일때 최소로 된다. 또 기록감도는 "t1"의 값이 작아짐에 따라서 악화되나 특별히 문제로는 되지 않는다.
그러나 선두펄스의 폭의 최적치는 광학헤드(8)중의 반도체레이저의 파장 및 대물렌즈의 "NA"에 의해서 변화하는 것을 알았다. 이것은 반도체레이저의 파장 및 대물렌즈의 "NA"에 의해서 광디스크 위에서의 레이저스포트의 직경이 변화하는 것에 기인하는 것이라고 생각되나 상세한 내용은 분명하지 않다. 이하에 광학헤드(8)중의 반도체레이저의 파장을 780㎚로 하고, 대물렌즈의 "NA"를 0.55로 하였을 경우의 실시예를 표시한다.
[실시예 10]
실시예 9 와 마찬가지로 제 5 도의 펄스구성에 있어서 "t2=116nsec", "T=232nsec"로 유지한 그대로 선두펄스의 폭인 "t1"을 변화시켜서 신호를 광디스크상에 기록하고, 재생신호의 지터와 기록감도를 측정하였다. 광디스크는 실시예 1 의 광디스크 A를 사용하였다. 결과를 제15도에 표시한다. 지터(J0)는 선두펄스의 폭(t1)이 약 460nsec 즉, 후속펄스의 폭(t2)의 4배일때에 최소로 되어, 그것보다도 "t1"이 작거나 또는 커도 지터는 커지게 된다. 즉 실시예 9 에 비해서 선두펄스폭(t1)의 최적치는 긴쪽으로 시프트하고 있는 것을 알 수 있다. 제 4 도에서 지터는 30nsec 보다 작아지는 것은 "t1"의 값이 "t2"의 3배이상 4.5배 이하일때이며, 특히 4배일때 최소로 된다. 또 기록감도는 "t1"의 값이 작아짐에 따라서 악화되나 특별히 문제로는 되지 않는다.
본 실시예10 및 상기 실시예 9 에서, 선두의 펄스폭(t1)은 후속펄스의 폭(t2)의 2배 이상 4.5배 이하가 좋은 것을 알 수 있다.
또한 실시예 9 와 실시예10에서는 선두펄스는 항상 1개로 하였을 경우에 대해서 기록하였으나, 이것은 선두펄스를 2개 이상으로 분할하면 지터가 크게 증대되기 때문이며, 본 발명에 의한 방열구조의 광디스크에는 선두펄스는 1개인 MP 기록방법이 적합하고 있다.
[실시예 11]
제 5 도의 펄스구성에 있어서 "T=232nsec"로 하고, 또 "t1=3×t2"의 관계를 유지하여 후속펄스의 폭인 "t2"를 변화시켜서 신호를 광디스크상에 기록하고, 재생신호의 지터와 기록감도를 측정하였다.
광학헤드(8)중 반도체레이저의 파장은 830㎚이고, 대물렌즈의 NA는 0.5이고, 이것은 실시예 9 와 동일하다. 광디스크는 실시예 1 의 광디스크 A를 사용하였다. 결과를 제16도에 표시한다. 지터(J0)는 후속펄스의 폭(t2)이 넓어짐에 따라서 커지게 되나, 이것은 후속펄스의 간격이 협소하게 되어 축열현상이 나타나기 때문이라고 생각할 수 있다. "t2"가 약 175nsec 이하일대 즉, 후속펄스의 반복주기 "T=232nsec"의 3/4 이하일때에는 지터는 30nsec 이하로 되었다. 또한 기록감도는 "t2"의 값이 작아짐에 따라서 급격히 악화되었으나, 이것은 펄스폭이 짧아짐에 따라서 기록막을 융점이상으로 승온시키기 위한 에너지를 순간적으로 부여할 필요가 있기 때문이다. "t2"가 약 85nsec일때 즉, 후속펄스의 반복주기 T=232nsec의 3/8 이상일때에는 기록파워는 10mW 이하이다.
즉 본 발명에 의한 방열구조의 광디스크의 경우에는 후속펄스의 폭(t2)은 후속펄스의 반복주기(T)의 3/8 이상 3/4 이하가 좋고, 특히 지터가 작고 기록파워도 작은 것은 "t2"가 "T"의 1/2 일때이다.
또한, 후속펄스의 폭(t2)의 최적치는, 광학헤드(8)중의 반도체레이저의 파장 및 대물렌즈의 "NA"에는 거의 의존하지 않았다.
이상의 실시예1 내지 실시예11에는 단일빔의 중복기재에 의해 신호를 기록하고 있다. 단일빔의 중복기재에 의해서 신호를 기록할 경우에는 오래된 신호의 지운자국이 생겼을 경우가 있으며, 지운자국이 크면 지터의 증대의 원인으로 된다. 다음 실시예에서는 단일빔의 중복기재에 의해서 신호를 기록하기 전에, 미리 레이저파워를 기록막이 용융하는 파워레벨 이상으로 일정하게 유지해서 연속적으로 조사하였을 경우에 대해서 설명한다.
[실시예 12]
실시예 1 에 있어서의 광디스크 A, 광디스크 B와 MP 기록방식을 그대로 채용하여 단일빔의 중복기재를 9회 행한 후에, 레이저파워를 기록파워(Pp)와 동일한 레벨로하여 신호트랙위를 조사한 후, 다시 단일빔의 중복기재와 동일한 레이저광의 변조방법에 의해 신호를 기록하여, 재생신호의 지터를 측정하였다. 측정결과는 광디스크 A가 15nsec로 되고, 광디스크 B가 37nsec로 되어, 다같이 제 1 표의 결과보다 개선되고 있다. 따라서 신호를 기록하기 전에 미리 레이저파워를 기록막이 용융하는 파워레벨 이상으로 일정하게 유지하여 연속적으로 조사하는 것이 지터저감에 효과적인 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 광디스크는 축열현상을 저감하는 데에 큰 효과가 있는 동시에, 양호한 소거속도, 기록감도, 열적안정성을 실현할 수 있다.
또, 본 발명에 의한 광학정보의 기록방법도, 기록마크의 종단부에서의 축열현상을 저감할 수 있다.
또, 기록빔이 통과하기 전에 미리 레이저파워를 기록막이 용융하는 파워레벨 이상으로 일정하게 유지하여 연속적으로 조사하면 오래된 신호는 거의 완전히 소거되어, 지터를 저감할 수 있다.
상기 광디스크와 광학정보의 기록방법은 각각 단독적으로 기록마크의 형상왜곡을 저감하는 효과는 충분히 인정되나, 쌍방을 동시에 채용함으로서 상승효과에 의해서, 예를들면 1.2~1.4m/sec의 낮은 선속도에 있어서도 CD와 동일한 정도의 재생신호품질을 실현할 수 있다.

Claims (34)

  1. 기판위에 유전체막, 기록막, 유전체막, 반사막의 순으로 적층한 광디스크에 있어서, 상기 기록막은, 조성이 GexSbyTez(7
    Figure kpo00014
    x
    Figure kpo00015
    17, 34
    Figure kpo00016
    y
    Figure kpo00017
    44, 44
    Figure kpo00018
    z
    Figure kpo00019
    54, x+y+z=100at%(atomic percentage))로 표시되고, 또한 막두께는 10㎚ 이상 35㎚ 이하이고, 반사막쪽의 상기 유전체막의 막두께는 5㎚ 이상 40㎚이하이고, 또한 상기 반사막은 적어도 Au, Al, Ti, Ni의 단체 또는 합금으로 이루어지고, 또한 막두께는 35㎚ 이상으로 한 것을 특징으로 하는 광디스크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기록막의 조성이 화합물 GeSb2Te4와 Sb를 연결하는 라인상의 조성인 것을 특징으로 하는 광디스크.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 기록막의 조성이 Ge12Sb39Te49로 나타내는 것을 특징으로 하는 광디스크.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 기록막의 막두께가 15㎚ 이상 25㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광디스크.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체막이 ZnS, Si3N4, AlN, TiN, ZnS, SiO2의 혼합물과 ZnSe와 SiO2의 혼합물중 선택된 1종류 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광디스크.
  6. 제 1 항에 있어서, 반사막쪽의 상기 유전체막의 막두께가 10㎚ 이상 25㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광디스크.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 반사막의 막두께가 45㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 광디스크.
  8. 제 1 항에 있어서, 기판쪽의 상기 유전체막의 막두께가 100㎚ 이상 180㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광디스크.
  9. 기판위에 유전체막, 기록막, 유전체막, 반사막의 순으로 적층하고, 상기 기록막은, 조성이 GexSbyTez(7
    Figure kpo00020
    x
    Figure kpo00021
    17, 34
    Figure kpo00022
    y
    Figure kpo00023
    44, 44
    Figure kpo00024
    z
    Figure kpo00025
    54, x+y+z=100at%)로 표시되고, 또한 막두께는 10㎚ 이상 35㎚ 이하이고, 반사막쪽의 상기 유전체막의 막두께는 5㎚ 이상 40㎚ 이하이고, 또한 상기 반사막은 적어도 Au, Al, Ti, Ni의 단체 또는 합금으로 이루어지고, 또한 막두께는 35㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 광디스크 상에, 펄스폭변조된 디지틀신호를 1개의 레이저스프트를 사용하여 중복기재하는 광학정보의 기록방법에 있어서, 광디스크를 레이저스포트와의 상대속도가 1.2~1.4m/sec 사이의 일정속도가 되도록 회전시키는 스텝과, 상기 디지틀신호에 포함되는 각각의 펄스를 복수의 펄스로 이루어진 펄스열로 변환하는 스텝과, 레이저파워를 상기 펄스열에 의해 소거레벨과 기록 레벨 사이에서 변조하여, 각각의 상기 펄스열에서 각각 1개의 기록마크를 광디스크위에 형성해서 상기 디지틀신호를 기록하는 스텝으로 이루어지고, 상기 펄스열은 선두펄스와 후속펄스열로 이루어지고, 상기 선두펄스의 폭은 항상 일정하고 또한 후속펄스열중의 각 펄스의 폭보다 크고, 상기 후속펄스열중의 각 펄스의 폭과 간격은 각각 동일하고, 또한 길이가 "n"번째의 기록마크를 형성하는 경우의 상기 후속펄스중의 펄스수는 "n-1"개인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  10. 기판위에 유전체막, 기록막, 유전체막, 반사막의 순으로 적층하고, 상기 기록막은, 조성이 GexSbyTez(7
    Figure kpo00026
    x
    Figure kpo00027
    17, 34
    Figure kpo00028
    y
    Figure kpo00029
    44, 44
    Figure kpo00030
    z
    Figure kpo00031
    54, x+y+z=100at%)로 표시되고, 또한 막두께는 10㎚ 이상 35㎚ 이하이고, 반사막쪽의 상기 유전체막의 막두께는 5㎚ 이상 40㎚ 이하이고, 또한 상기 반사막은 적어도 Au, Al, Ti, Ni의 단체 또는 합금으로 이루어지고, 또한 막두께는 35㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 광디스크 상에, 펄스폭변조된 디지틀신호를 기록하는 광학정보의 기록방법에 있어서, 광디스크를 레이저스포트와의 상대속도가 1.2~1.4m/sec 사이의 일정속도가 되도록 회전시키는 스텝과, 오래된 기록마크의 소거는 레이저 파워를 상기 기록막이 용융하는 파워레벨 이상으로 일정하게 유지하여 연속적으로 조사해서 행하는 스텝과, 상기 디지틀신호에 포함되는 각각의 펄스를 복수의 펄스로 이루어진 펄스열로 변환하는 스텝과, 레이저파워를 상기 펄스열에 의해 소거레벨과 기록레벨 사이에서 변조하여, 각각의 상기 펄스열에서 각각 1개의 기록마크를 광디스크상에 형성해서 상기 디지틀신호를 기록하는 스텝으로 이루어지고, 상기 펄스열은 선두펄스와 후속펄스열로 이루어지고, 상기 선두펄스의 폭은 항상 일정하고 또한 후속펄스열중의 각 펄스의 폭보다 크고, 상기 후속펄스열중의 각 펄스의 폭과 간격은 각각 동등하고, 또한 길이가 "n"번째의 기록마크를 형성하는 경우의 상기 후속펄스중의 펄스수는 "n-1"개인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 레이저파워의 변조는 상기 펄스열의 대응하는 변환전의 펄스폭의 기간만큼 기록레벨과 재생레벨 또는 오프레벨 사이에서 행하여지는 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 선두펄스의 폭은 상기 후속펄스열의 각 펄스의 폭의 2배이상 4.5배 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 후속펄스열중 각 펄스의 폭은 후속펄스의 반복주기의 3/8 이상 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 후속펄스열중 각 펄스의 폭은 후속펄스의 반복주기의 1/2인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  15. 제 9 항에 있어서, 상기 디지틀신호가 CD규격의 EFM신호(eight to fourteen modulation signal)인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  16. 제 9 항에 있어서, 상기 기록막의 조성이 화합물 GeSb2Te4와 Sb를 연결하는 라인상의 조성인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기록막의 조성이 Ge12Sb39Te49로 나타내는 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  18. 제 9 항에 있어서, 상기 기록막의 막두께가 15㎚ 이상 25㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  19. 제 9 항에 있어서, 상기 유전체막은, ZnS, Si3N4, AlN, TiN, ZnS, SiO2의 혼합물과 ZnSe, SiO2의 혼합물중 선택된 1종류 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  20. 제 9 항에 있어서, 반사막쪽의 상기 유전체막의 두께가 10㎚ 이상 25㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  21. 제 9 항에 있어서, 상기 반사막의 막두께가 45㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  22. 제 9 항에 있어서, 기판쪽의 상기 유전체막의 막두께가 100㎚ 이상 180㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  23. 제10항에 있어서, 상기 레이저파워의 변조는 상기 펄스열의 대응하는 변환전의 펄스폭의 기간만큼 기록레벨과 재생레벨 또는 오프레벨 사이에서 행하여지는 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  24. 제10항에 있어서, 상기 선두펄스의 폭은 상기 후속펄스열의 각 펄스의 폭의 2배 이상 4.5배 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  25. 제10항에 있어서, 상기 후속펄스열중 각 펄스의 폭은 후속펄스의 반복주기의 3/8 이상 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 후속펄스열중 각 펄스의 폭은 후속펄스의 반복주기의 1/2인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  27. 제10항에 있어서, 상기 디지틀신호가 CD 규격의 EF 신호인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  28. 제10항에 있어서, 상기 기록막의 조성이 화합물 GeSb2Te4와 Sb를 연결하는 라인상의 조성인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 기록막의 조성이 Ge12Sb39Te49로 나타내는 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  30. 제10항에 있어서, 상기 기록막의 막두께가 15㎚ 이상 25㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  31. 제10항에 있어서, 상기 유전체막은, ZnS, Si3N4, AlN, TiN, ZnS, Sio2의 혼합물과 ZnSe, SiO2의 혼합물 중 선택된 1종류 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  32. 제10항에 있어서, 반사막쪽의 상기 유전체막의 두께가 10㎚ 이상 25㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  33. 제10항에 있어서, 상기 반사막의 막두께가 45㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
  34. 제10항에 있어서, 기판쪽의 상기 유전체막의 막두께가 100㎚ 이상 180㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 광학정보의 기록방법.
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