KR940008324B1 - 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 이 발명의 한 실시예에 의한 반도체장치를 표시하는 요부측면도.
제2도는 이 발명의 별도의 발명의 한 실시예에 의한 반도체장치를 표시하는 요부측면도.
제3도 및 제4도는 제2도에 표시한 반도체장치의 다른 실시예에 의한 반도체장치를 표시하는 요부측면도.
제5도∼제7도는 종래의 반도체장치를 표시하는 측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1A∼1D : 패키지본체 2A∼2D : (외부)리드
3A∼3F : 납땜부 4A∼4D : 반도체장치
5A∼5E : 돌기부 6A∼6C : 직선부분
7A : 매설부
(각 도면중 동일부호는 동일 또는 상당부분을 표시한다.)
이 발명은 반도체장치, 특히 표면 실장타입의 반도체장치에 관한 것이다.
제5도∼제7도는 종래의 표면 실장타입의 반도체장치를 표시하는 측면도이고, 이것들의 반도체장치는 각각 걸윙형(small outline package), Ⅰ형(small outline package with Ⅰ lead), J형(small outline package with J lead)의 외부리드를 가지고 있다.
이것들의 도면에 있어서 반도체소자(도시하지 않음) 및 이 반도체소자에 전기적으로 접속된 외부리드(2a), (2b), (2c)(이하 외부리드를 단지리드라고 함)는 수지에 의하여 봉하여 막힌 패키지본체(1a), (1b), (1c)가 형성된다. 리드(2a), (2b), (2c)는 패키지본체(1a), (1b), (1c)로부터 외부에 돌출하고 있으며 그 선단에는 납땜부(3a), (3b), (3c)가 형성되어 있다.
이 납땜부(3a), (3b), (3c)에 의하여 반도체(4a), (4b), (4c)를 기판(도시하지 않음)등에 각각 실장한다.
상술한 바와 같은 반도체장치는 납땜에 의하여 기판등에 실장되어 있고 고온-전온에 걸치는 히트사이클 시험등의 신뢰성 시험을 실시한 경우, 제5도 및 제6도에 표시하는 반도체(4a), (4b)에서는 패키지본체(1a), (1b)와 기판등과의 열팽창계수의 차에 기인하여 납땜부(3a), (3b)에 부착한 땜납(도시하지 않음)에 크랙이 발생한다는 문제점이 있었다.
또 제7도에 표시하는 반도체장치(4c)에서는 J자 모양으로 만곡된 외부리드(2c)의 선단부가 패키지본체(1c)의 이면으로 돌아들어가 있어 표면에서 보기 어렵기 대문에 납땜의 상태확인이 곤란하다는 문제점이 있었다.
이 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것이며 외부리드의 납땜부에 가하여지는 응력을 흡수할 수가 있는 반도체장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
또 이 발명의 별도의 발명은, 납땜의 상태를 용이하게 확인할 수가 있는 반도체장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
이 발명에 관한 반도체장치를 외부리드의 높이를 종래의 것에 비하여 높게 되도록 실장면과 반대측에 외부리드의 일부를 돌출하도록 절곡하고 절곡된 외부리드의 길이가 상기 반도체장치의 외부리드 매설부로부터 저부까지의 길이보다 길게 되도록 한 것이다.
또 이 발명의 별도의 발명은 외부리드의 선단부를 반도체장치의 납땜축에 역 J자형으로 절곡한 것이다.
이 발명에 있어서는 외부리드의 길이가 길므로 히트사이클시험에 있어서 반도체장치의 신뢰성이 향상한다. 또 이 발명의 별도의 발명에 있어서는 외부리드의 선단부를 외측에 역 J자형으로 되도록 절곡하였으므로 납땜상태의 확인을 용이하게 행할 수가 있다.
[실시예]
제1도는 이 발명의 한 실시예에 의한 반도체장치를 표시하는 요부측면도이고 도면에 있어서 패키지본체(1A)의 측부로부터 리드(2A)가 돌출하여 있고 그 선단은 납땜부(3A)로 되어 있고, 또 반도체장치(4A)의 납땜측과 반대방향으로 돌기부(5A)가 형성되도록 절곡한다.
이때 절곡된 리드(2A)의 직선부분(6A)의 길이(L1) 즉 높이는 리드(2)의 매설부(7A)와 패키지본체(1)의 저부와의 길이(l)보다 길게 측 L1>l로 되도록 절곡한다.
상술한 바와 같이 구성된 반도체장치(4A)에 있어서는 리드(2A)의 직선부분(6A)길이(L1)가 l보다 길므로 히트사이클시험 등에 있어서 리드(2A)에서 영응력을 완화할 수가 있다.
따라서 납땜부에 걸리는 응력에 기인하여 땜납에 크랙이 생겨 반도체장치(4A)가 절연불량으로 되는 것을 방지할 수가 있다.
이 발명에 의한 반도체장치(4A) 및 유리에폭시기판에 TSOP 패키지를 납땜한 종래의 얇은 형 패키지에 관해서 -40℃에서 125℃의 온도범위에서 히트사이클시험을 행하였다.
그 결과 종래 반도체에서는 300회 정도 히트사이클을 반복한 시점에서 납땜부에 크랙이 생겨 절연불량으로 되었다. 이것에 대하여 이 발명에 의한 반도체장치(4A)에서는 1000회 정도의 히트사이클까지 절연불량으로 되지 않았었다.
다음에 제2도에 표시하는 반도체장치(4B)에서는 리드(2B)는 반도체장치(4B)의 납땜이 이루어지는 하방향으로 J자형으로 되도록 절곡하여 돌기부(5B) 형성한다.
제7도에 표시한 종래의 J리드타입의 반도체장치(4C)는 제5도 및 제6도에 표시한 걸윙리드 및 I리드타입의 반도체장치(4a), (4b)에 비하여 히트사이클시험에 있어서의 신뢰성이 높다고 말하고 있으나, 납땜부(3C)가 패키지본체(1C)의 이면에 위치하기 때문에 납땜상태를 확인하기 어렵다.
그러나, 제2도에 표시한 반도체장치(4B)에서는 납땜부(3B)가 패키지본체(1B)의 이면에 없기 때문에 납땜상태의 확인이 용이하다.
또 제3도에 표시하는 바와 같이 리드(2C)의 선단의 직선부분(6C)을 패키지본체(1C)의 상면까지 연장하고 그 선단에도 납땜부(3D)를 설치함으로써, 패키지본체(1e)에 대하여 상하양면에서의 납땜이 가능하게 된다. 이 경우 리드(2C)를 용이하게 성형할 수가 있다.
다시금 제4도에 표시하는 바와 같이 리드(2C)의 선단을 패키지본체(1D)측에 향하여 상방향으로 돌기부(5E)가 될 수 있도록 절곡하여 상하끝단 공히 역 J자형 리드로 하는 것도 가능하다.
이 경우 돌기부(5D), (5E)에 있어서 납땜을 행함으로써 반도체장치(4D)의 상하양면에서의 표면실장이 가능하게 된다.
또한 제3도에 표시한 반도체장치(4C)의 경우 납땜부(3D)에 의하여 실장하면 리드높이(L2)가 제6도에 표시한 종래의 I리드의 높이(10)에 비하여 약 2배 정도 취해지기 때문에 히트사이클시험에 있어서 높은 신뢰성이 얻어진다.
또 제3도 및 제4도에 있어서 반도체장치(4C), (4D)의 상하양면으로부터 실장가능하게 하기 위해서는 패키지본체(1C), (1D)의 두께(LP)가, LP<L2, L3로 되는 것이 필요하다.
그러나 제4도의 반도체장치(4D)에 있어서 납땜부(3F)만 납땜을 행할 경우에는 LP>L3 일지라도 히트사이클시험에 있어서의 신뢰성을 향상시킬 수가 있다.
이 경우 납땜부(3E)는 필요하지 않기 때문에 납땜부(3E)의 형상은 어떠한 것이라도 좋고 납땜부(3E)가 반도체장치(4D)의 납땜측과 반대측에 있으면 좋다.
또한 상술한 실시예에서는 돌기부(5A)는 반원형상이지만, 돌기부(5A)가 납땜측과 반대측에 있으면 이 형상은 어떠한 것이라도 좋다. 또 납땜부(3A), (3D), (3F)에 관해서도 걸윙형 J자형등과 같은 형상이라도 좋다.
이 발명은 이상 설명한 바와 같이 반도체소자 및 이 반도체소자에 전기적으로 접속되어 외부에 돌출한 외부리드를 수지로 봉하여 막은 표면 실장형의 반도체장치이고 상기 외부리드는 상기 반도체장치의 납땜측과 반대방향으로 돌기하도록 절곡되고 또한 절곡된 외부리드의 길이는 상기 반도체장치의 외부리드 매설부로부터 상기 반도체장치의 저부까지의 길이보다 길므로 반도체장치의 히트사이클시험에 있어서의 열응력에 의한 변형을 완화하고 신뢰성이 향상한다는 효과를 발휘한다.
또 이 발명의 별도의 발명은 반도체소자 및 이 반도체소자에 전기적으로 접속되어 외부에 돌출한 외부리드를 수지로 봉하여 막은 표면실장형의 반도체이고 상기 외부리드는 상기 반도체장치의 납땜측에 역 J자형으로 절곡되었으므로, 납땜상태를 용이하게 확인할 수가 있는 것과 아울러 상하양면에 있어서 표면실장이 가능하다는 효과를 발휘한다.
Claims (4)
- 반도체소자 및 이 반도체소자에 전기적으로 접속되어 외부에 돌출한 외부리드를 수지로 봉하여 막은 표면실장형의 반도체장치이고, 상기 외부리드는 상기 반도체장치의 납땜측과 반대방향으로 돌기하도록 절곡되고 또한 절곡된 외부리드의 길이는 상기 반도체장치의 외부리드 매설부로부터 상기 반도체장치의 저부까지의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체소자 및 이 반도체소자에 전기적으로 접속되어 외부에 돌출한 외부리드를 수지로 봉하여 막은 표면실장형의 반도체장치이고, 상기 외부리드는 상기 반도체장치의 납땜측에 역 J자형으로 절곡된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제2항에 있어서 역 J자형으로 절곡된 외부리드의 선단은 납땜측과 역방향으로 반도체장치의 상면까지 뻗고, 반도체장치의 상하양면에서 납땜을 가능하게 한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제3항에 있어서, 반도체장치의 상면까지 뻗은 외부리드의 선단은 반도체장치의 위쪽으로 돌출하도록 절곡된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
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