KR930022478A - 반도체장치의 표면처리방법 - Google Patents
반도체장치의 표면처리방법Info
- Publication number
- KR930022478A KR930022478A KR1019920007132A KR920007132A KR930022478A KR 930022478 A KR930022478 A KR 930022478A KR 1019920007132 A KR1019920007132 A KR 1019920007132A KR 920007132 A KR920007132 A KR 920007132A KR 930022478 A KR930022478 A KR 930022478A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- surface treatment
- semiconductor device
- treatment method
- solution
- hno
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
본 발명은 반도체장치의 표면처리방법에 관한 것으로, 특히 반도체기판을 표면처리하는데 있어서, HNO3,HF 및 H2O2를 포함하는 용액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법을 제공한다. 따라서 손상 및 오염된 기판 표면을 간단한 고정으로 제거함으로써 신뢰성 있는 소자 제조를 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 의한 반도체장치의 표면처리방법을 설명하기 위해 도신된 반도체장치의 세정장치.
제3도는 본 발명에 의한 반도체장치의 표면처리방법을 설명하기 위해 도시된 공정 흐름도.
Claims (5)
- 반도체기판을 표면처리하는데 있어서, HNO3,HF 및 H2O2를 포함하는 용액을 사용하여 웨이퍼를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용액에 탈이온수(H2O)가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용액은 40%이상의 HNO3, 1%이하의 HF 및 상기 두 용액에 의해 그 농도가 결정되는 H2O2로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기용액은 50%(v/v) HNO_3 + 0.5%(v/v)HF + 49.5%(v/v) H2O2로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용액은 반도체기판에 게이트산화막을 형성하기 전에 가판의 표면을 표면처리하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 표면처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930022478A true KR930022478A (ko) | 1993-11-24 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950007011A (ko) | 반도체 웨이퍼 처리방법 | |
| KR960026336A (ko) | 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법 | |
| KR940007157A (ko) | 에칭제, 세정제 및 기기의 제조방법 | |
| KR870011680A (ko) | 반도체 기판의 표면 세정 방법 | |
| ES2250292T3 (es) | Procedimiento de secado de sustratos de silicona. | |
| KR930022478A (ko) | 반도체장치의 표면처리방법 | |
| KR920010774A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR970008397A (ko) | 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법 | |
| IT1074452B (it) | Procedimento per pulire pistrine di silicio | |
| KR940002968A (ko) | 반도체기판의 표면세정방법 | |
| KR890005847A (ko) | 실리콘 반도체 장치의 표면 매탈증착전 처리방법 | |
| KR970052625A (ko) | 웨이퍼 세정 방법 | |
| JPS6476726A (en) | Manufacture of semiconductor | |
| KR950014969A (ko) | 폴리실리콘 표면을 친수성화시키는 방법 | |
| KR970000699B1 (ko) | 반응율 제한을 이용한 실리콘 기판 표면의 불순물 습식청정방법 | |
| KR960026326A (ko) | 웨이퍼 세정방법 | |
| KR970030425A (ko) | 반도체 소자의 클리닝 방법 | |
| KR970003615A (ko) | 웨이퍼의 게이트 산화막의 형성을 위한 전처리 방법 | |
| KR930003275A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970003573A (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정 방법 | |
| KR19980029371A (ko) | 습식 세정조 | |
| KR950021183A (ko) | 반도체 소자의 세정방법 | |
| KR900015270A (ko) | Si 웨이퍼, 더욱 특히 반도체 소자용 세척욕을 안정화시키는 방법 | |
| KR950027904A (ko) | 플라즈마 식각후의 실리콘막 표면 처리 방법 | |
| KR940008005A (ko) | 반도체 웨이퍼 크리닝 방법 |