KR970030425A - 반도체 소자의 클리닝 방법 - Google Patents

반도체 소자의 클리닝 방법 Download PDF

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KR970030425A
KR970030425A KR1019950043036A KR19950043036A KR970030425A KR 970030425 A KR970030425 A KR 970030425A KR 1019950043036 A KR1019950043036 A KR 1019950043036A KR 19950043036 A KR19950043036 A KR 19950043036A KR 970030425 A KR970030425 A KR 970030425A
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KR
South Korea
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cleaning
oxide film
hydrogen peroxide
semiconductor device
semiconductor devices
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Application number
KR1019950043036A
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English (en)
Inventor
염상현
정인철
김성철
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

l. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자의 자연산화막을 제거하고 클리닝하는 공정에서 세정 및 드라이가 제대로 수행되지 않아 웨이퍼의 표면에 결합이 생긴다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
산화막을 습식식각하는데 사용되는 식각액에 과산화수소를 다량 첨가하여 습식식각을 실시하고 IPA 베이퍼드라이 공정의 드라이 조건을 변경하여 보다 신뢰성 있는 반도체 소자를 형성하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자을 클리닝하는데 이용됨.

Description

반도체 소자의 클리닝 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 클리닝 방법에 있어서, 자연산화막이 최상층에 형성된 구조의 반도체 소자를 과산화수소를 첨가한 암모니아 수용액을 이용하여 세정을 실시하는 단계와, 오버 플로우방식으로 순수를 사용하여 린싱을 실시하여 소자 표면의 불순물을 제거하는 단계와, 순수에 대한 과산화수소의 비율이 0.2 보다 크도록 과산화수소를 첨가한 불산 수용액을 식각액으로 이용하여 상기 자연산화막을 습식식각시키는 단계와, 오버 플로우 방식으로 순수를 사용하여 린싱을 수행하는 단계와, 이소프로필 알콜 베이퍼 치환 방식으로 드라이 공정을 수행하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 클리닝 방법.
  2. 제1항에 있어서, 주변의 음파발생을 제거한 상태에서 상기 세정 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 클리닝 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 드라이 공정은 200℃ 이상의 온도에서 약 240초 이상의 시간동안 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 클리닝 방법.
KR1019950043036A 1995-11-23 1995-11-23 반도체 소자의 클리닝 방법 KR970030425A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100825965B1 (ko) * 2006-09-22 2008-04-29 세메스 주식회사 기판 세정 방법
KR100865442B1 (ko) * 2006-12-21 2008-10-28 동부일렉트로닉스 주식회사 줄무늬 디펙트를 제거하기 위한 웨이퍼 세정방법

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