KR930003275A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR930003275A
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KR
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ozone
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semiconductor device
wet etching
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KR1019910011921A
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이예승
오영선
박규찬
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체기판 표면세정방법을 나타낸 흐름도.

Claims (4)

  1. 반도체 제조공정중의 습식식각공정에 있어서, 습식식각후에 반도체 기판을 오존이 함유된 순수로 린스처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 습식식각공정은 HF 또는 BOE를 사용하여 산화막을 식각하는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오존이 함유된 순수는 오존을 순수내로 버블링 주입하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 오존이 함유된 순수에 의한 최종린스처리는 상기 오존이 함유된 순수를 가열하여 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011921A 1991-07-12 1991-07-12 반도체 장치의 제조방법 KR930003275A (ko)

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