KR940008005A - 반도체 웨이퍼 크리닝 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 크리닝 방법 Download PDF

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KR940008005A
KR940008005A KR1019920015892A KR920015892A KR940008005A KR 940008005 A KR940008005 A KR 940008005A KR 1019920015892 A KR1019920015892 A KR 1019920015892A KR 920015892 A KR920015892 A KR 920015892A KR 940008005 A KR940008005 A KR 940008005A
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KR
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semiconductor wafer
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cleaning method
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wafer cleaning
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KR1019920015892A
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최호영
이원건
박종근
나민권
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

반도체 제조공정중, 특히 폴리실리콘에 POC13도핑시 폴리실리콘층위에 부수적으로 성장되는 P205및 SiO2를 제거하기 위해 실시하는 반도체 웨이퍼 크리닝 공정중에서,기존의 HF 용액에 담그는 (습식)공정시에 웨이퍼 표면의 폴리 실리콘층이 소수성 상태로 되어 많은 파티클이 흡착되는 것을 막기 위해 HF 증기(fume)로 최종처리를 하고, 종래의 암모니아수 세정공정 대신 황산(Piranha) 세정공정으로 대체하여 폴리실리콘 표면의 러프니스(roughness)를 양호하게 함으로써, 반도체 디바이스의 품질향상을 기대할 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼 크리닝 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 반도체 제조공정중 폴리실리콘층 위에 부수적으로 생성되는 P2O5, SiO2등의 부산물을 제거하기 위한 반도체 웨이퍼 크리닝 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 IF 용액에 약80초동안 담그어 플로실리콘층 위에 부산물을 1차 제거하는 1단계 공정과, 순수(DI수)로 세정하는 2단계 공정과, 순수로 다시 세정한후 건조시키는 4단계 공정과, 상기 1단계 및 2단계의 습식 공정시에 흡착된 파티클을 제거하기 위해 Piranha(황산) 세정을 하는 3단계 공정과, 웨이퍼 표면을 최종적으로 HF 증기 (fume)로 처리하고 연속공정으로 분사식 DI수 세정을 실시하는 5단계 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼 크리닝 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3단계의 Piranha 세정공정시 사용되는 황산(H2SO4) 성분 대 과산화수소수(H2O2)의 비율은 약1.7:1이 되게 하는 반도체 웨이퍼 크리닝 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015892A 1992-09-02 1992-09-02 반도체 웨이퍼 크리닝 방법 KR940008005A (ko)

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