KR870011680A - 반도체 기판의 표면 세정 방법 - Google Patents

반도체 기판의 표면 세정 방법 Download PDF

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다까시 이또
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야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기판의 표면 세정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 양호한 방법의 흐름도
제2도는 본 발명에 의한 방법에 사용될 수 있는 식각시스템의 개략도.

Claims (6)

  1. 할로겐 함유분위기내에 반도체 기판을 올려놓고, 반도체 기판위의 분위기와 반도체 기판의 표면의 적어도 일부분을 자외선으로 조사하여 반도체 기판의 표면을 식각시킨 다음, 반도체 기판의 표면을 세정용액으로 습식세정하는 단계들을 포함하는 반도체 기판의 표면세정 방법.
  2. 제1항에서, 상기 분위기는 Cl2, F2, Br2, HCl, HF, HBr, BCl3, BF3, BBr3, CIF, BrF, NF3, N2F2, XeF2, KrFe2, CCl0및 XeCl2로 구성되는 그룹중의 적어도 하나를 포함하는 것이 특징인 반도체 기판의 표면세정 방법.
  3. 제1항에서, 상기 습식세정 단계는 우선 불소산 용액으로 그 다음 과산화수소와 암모니아 함유용액으로 반도체 기판의 표면을 습식세정하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체 기판의 표면세정 방법.
  4. 제1항에서, 상기 반도체 기판은 실리콘으로 제조되는 것이 특징인 반도체 기판의 표면세정 방법.
  5. 할로겐 함유분위기내에 반도체 기판을 올려놓고, 반도체 기판위의 분위기와 반도체 기판의 표면의 적어도 일부분을 자외선으로 조사하여 반도체 기판의 표면을 식각시키고, 기판을 헹구고, 수성불소산 용액으로 기판의 표면을 습식세정하고, 기판을 헹구고, 과산화수소와 암모니아를 함유하는 수성용액으로 기판의 표면을 습식세정하고, 그 다음 기판을 헹구는 단계들을 포함하는 반도체 기판의 표면세정 방법.
  6. 제5항에서, 상기 헹구는 절차들은 모두 순환하는 탈이온수로서 기판의 표면을 우선 세정한 다음, 비등탈이온수내에 기판을 침지시킴으로서 시행되는 것이 특징인 반도체 기판의 표면세정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870004881A 1986-05-20 1987-05-18 반도체 기판의 표면세정 방법 KR900004054B1 (ko)

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