KR930014791A - 반도체 소자의 콘택형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택형성방법에 관한 것으로 소정의 배선구조 및 소자로 형성된 반도체 기판상에 경사비가 서로 다른 콘택홀을 형성하고 콘택홀 내부에 선택적으로 텅스텐 침착공정을 통하여 텅스텐을 성장시킨후, 콘택홀 모서리 부분을 아르곤 개스를 이용하여 평면식각공정으로 둥글게 형성하고 그 상부에 2단계 공정으로 금속박막을 침착시키는 반도체 소자의 콘택홀 형성하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 콘택형성 단계를 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 콘택형성방법에 있어서 실리콘 기판(1)상에 다결정 실리콘(2)을 일정부분에 형성한 후 이들 상부에 전반적으로 산화막(3)을 형성하고 상기 실리콘기판(1) 및 상기 다결정 실리콘(2) 각각의 예정된 부분에 마스크 패턴으로 서로 다른 경사비를 갖는 각각의 콘택홀(10A, 10B)을 형성하는 단계와 상기 각각의 콘택홀(10A, 10B)내부에 선택적으로 텅스텐 성장공장으로 텅스텐(4)을 예정두께 성장시키는 단계와 아르곤 개스를 사용하여 콘택홀(10A, 10B) 모서리(10AA, 10BB)의 각진 부분을 평면식각 공정으로 둥글게 형성하는 단계와 전반적으로 제1금속박막(5)을 제1단계 저온공정으로 일정두께 침착하는 단게와 상기 제1금속박막(5) 상부에 전반적으로 제2금속박막(6)을 제2단계 고온공정으로 일정두께 침칙하여 그로인하여 평탄화된 금속박막(6)을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 콘택형성방법.
- 제1항에 있어서 상기 금속박막은 알루미늄 합금을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 콘택형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910023281A KR930014791A (ko) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 반도체 소자의 콘택형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910023281A KR930014791A (ko) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 반도체 소자의 콘택형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930014791A true KR930014791A (ko) | 1993-07-23 |
Family
ID=67356737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910023281A KR930014791A (ko) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 반도체 소자의 콘택형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930014791A (ko) |
-
1991
- 1991-12-18 KR KR1019910023281A patent/KR930014791A/ko not_active Application Discontinuation
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