KR950007006A - 반도체 소자의 웰 크린닝 공정방법 - Google Patents

반도체 소자의 웰 크린닝 공정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 웸 크린닝(Wet Cleaning) 공정방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 기판 또는 폴리실리콘층 상부에 형성된 산화막(Oxide)을 식각하기 위해 웸 크린닝 공정을 실시하는데 웸 크린닝 공정에서 발생되는 파티클(Particle)을 제거하기 위해 HF딥(Dip)gndp H2O2딥을 실시하는 웸 크린닝 공정방법에 관한 기술이다.

Description

반도체 소자의 웸 크린닝 공정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 웸 크린닝 공정단계를 도시한 블록도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 제조공정의 웸 크린닝 공정방법에 있어서, 1단계로 유기물을 식각하는 제1단계로 유기물을 식각하는 H2SO4+H2O2딥 공정, 2단계로 D.I.수 린스공정, 3단계로 실리콘층에 형성된 산화막을 식각하는 HF+D.I.수 딥공정, 4단계로 H2O2딥공정, 5단계로 D.I.수 린스공정, 제6단계로 무기물을 식각하는 HCI+H2O2+D.I.수 딥공정, 제7단계로 제1 D.I.수 린스 공정, 제8단계로 제2 D.I. 수 린스공정,제9단계로 웨이퍼를 건조시키는 스핀드라이어 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 웸 크린닝 공정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3단계의 산화막을 식각하는 HF+D.I.수 딥공정에서 노출되는 실리콘층 표면에 자연산화막이 10Å정도 자라도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 웸 크린닝 공정방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 실리콘층은 실리콘 기판 또는 폴리실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 웸 크린닝 공정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020095930A (ko) * 2001-06-18 2002-12-28 엘지이노텍 주식회사 최대값과 최소값 및 마지막값 검출 장치
KR100889536B1 (ko) * 2002-11-14 2009-03-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법
KR102175738B1 (ko) * 2019-07-15 2020-11-06 (주)에이텍티앤 동전 입금모듈의 이물질 처리장치

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