KR920703201A - 저-알루미늄 붕소 베타 지올라이트 - Google Patents

저-알루미늄 붕소 베타 지올라이트

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Abstract

내용 없음

Description

저-알루미늄 붕소 베타 지올라이트
[도면의 간단한 설명]
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (36)

  1. 산화실리콘, 산화게르마늄 및 이를의 혼합물중에서 선택된 산화물대 산화붕소 또는 산화붕소와 산화알루미늄, 산화갈륨 또는 산화철과의 혼합물중에서 선택된 산화물의 몰비가 10:1이상이고, 알루미늄의 양이 0.10중량%미만이며, 표1 (b)의 X-레이 회절선을 나타내는 지올라이트.
  2. 다음과 같은 몰비의 산화물의 조성을 가지며 표1 (a)의 X-레이 회절선을 나타내는 합성된 무수상태의 지올라이트:
    (1.0 내지 5)Q2O:(0.1 내지 2.0) M2O:W2O3:(10이상)YQ2, 상기식에서 M은 알칼리금속양이온이고, W는 붕소이며, Y는 실리콘, 게르마늄 및 이들의 혼합물중에서 선택되고, Q는 디4차 암모늄이온이다.
  3. 제1항에 있어서, 산화실리콘 대 산화붕소의 몰비가 100:1이상인 지올라이트.
  4. 제1항에 있어서, 지올라이트중의 붕소의 일부가 제1열 전이금속 또는 IIIA족 금속으로 치환된 지올라이트.
  5. 제4항에 있어서, 치환용금속이 알루미늄, 갈륨, 철, 실리콘, 아연 또는 이들의 혼합물인 지올라이트.
  6. 제3항의 지올라이트를 약 200℃ 내지 820℃의 온도에서 열처리하여 제조한 지올라이트.
  7. 제2항에 있어서, 디4차 암모늄이온이 다음 구조식의 화합물로부터 유도되는 지올라이트.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수소, 암모늄, 희토류금속, IIA족 금속 또는 VIII족 금속이온으로 이온교환된 지올라이트.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 희토류금속, IIA족 금속 또는 VIII족 금속이 지올라이트에 흡착되는 지올라이트.
  10. 제1항 또는 제2항의 지올라이트 및 무기 매트릭스를 함유하는 지올라이트 조성물.
  11. (a) 디4차 암모늄이온의 공급원, 산화붕소, 및 산화실리콘, 산화게르마늄, 및 이들의 혼합물중에서 선택되는 산화물을 함유하는 수성 혼합물을 제조하고, (b)이 혼합물을 140℃이상의 온도에서 유지시켜 지올라이트의 결정을 형성시키고, (c) 상기 결정을 회수시킴을 특징으로 하여, 제1항의 지올라이트를 제조하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 수성 혼합물이 산화물의 몰비로 YO2/W2O3가 10이상이고, Q/YO2가 0.05:1 내지 0.50:1인 조성을 가지며, Y가 실리콘, 게르마늄 및 이들의 혼합물중에서 선텍되고 W가 붕소이며, Q가 비스(1-아조니아 비사이클로[2.2.2]옥탄) α'ω알칸 화합물인 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 디4차 암모늄이온이 다음 구조식의 화합물로부더 유도되는 방법.
  14. 탄화수소성 공급원료를 탄화수소 전화조건하에서 제1항 또는 제2항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하여, 탄화수소를 전화시키는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 탄화수소 공급원료를 수소화 크래킹 조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하는 수소화 크래킹법.
  16. 제14항에 있어서, 탄화수소성 공급원료 기류를 접촉 개질조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하는 접촉 개질법.
  17. 제14항에 있어서, (a) 비점범위가 약 40℃ 내지 약 200℃미만인 노르말 및 약간 측쇄의 탄화수소를 함유하는 탄화수소성 공급원료를 방향족 전화조건하에서 산도가 거의 없는 제1항의 지올라이트와 접촉시키고, (b) 방향족-함유 유출물을 회수시킴을 특징으로 하여, 방향족 함량이 증가된 생성물을 제조하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 지올라이트가 VIII족 금속성분을 함유하는 방법.
  19. 제14항에 있어서, 탄화수소 공급원료를 수소화 크래킹 조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하는 수소화 크래킹법.
  20. 제14항에 있어서, 탄화수소 공급원료를 반응죤에서 접촉 크래킹 조건하에 가한 수소의 부재하에서 제1항의 지올라이트를 함유하는 촉매와 접촉시킴을 특징으로 하는 접촉 크래킹법.
  21. 제20항에 있어서, 제1항의 지올라이트 성분 및 거대 세공 크기의 결정성 알루미늄 실리케이트 크래킹성분을 함유하는 촉매 조성물을 사용하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 결정성 알루미늄 실리케이트 크래킹 성분의 세공크기가 8.0옹그스트롬 이상인 방법.
  23. 제21항에 있어서, 촉매 조성물이 두성분의 물리적 혼합물로 이루어진 방법.
  24. 제21항에 있어서, 성분중 한 성분이 실리카, 알루미나, 무정형 실리카-알루미나, 실리카-마그네시아, 실리카-지르코니아, 알루미나-보리아 또는 알루미나-티타네이트와 같은 무기산화물, 합성 미카-몬모릴로나이트와 같은 합성 점토, 카올린, 할로이사이트, 몬모릴로나이트, 애터필자이트, 세피올라이트 및 사포나이트와 같은 천연점토, 산활성화된 점토, 기둥모양의 또는 가교결합된 점토, 및 이들의 혼합물중에 혼입된 제1항의 지올라이트인 방법.
  25. 제21항에 있어서, 두 촉매성분이 제24항의 무기산화물로 이루어진 무기 매트릭스중에 혼입되는 방법.
  26. 제14항에 있어서, 하나이상의 VIII족금속 및 제1항의 지올라이트로 이루어진 촉매를 이성화 조건하에서 노르말 약간 측쇄의 C4내지 C7탄화수소를 함유하는 공급원료와 접촉시킴을 특징으로 하여, C4내지 C7탄화수소를 이성화 시키는 이성화법.
  27. 제26항에 있어서, 촉매를 VIII족 금속을 함침시킨후 스팀/공기 혼합물중에서 승온하에 소성시키는 방법.
  28. 제26항에 있어서, VIII족 금속이 백금인 방법.
  29. 제14항에 있어서, 1몰이상 과량의 방향족 탄화수소를 알킬화 반응 조건하에서 제1항에 따르는 지올라이트의 존재하에 적어도 일부 액상조건의 C2내지 C20올레핀과 접촉시킴을 특징으로 하여, 방향족 탄화수소를 알킬화시키는 방법.
  30. 제29항에 있어서, 방향족 탄화수소 및 올레핀이 각각 약 4:1 내지 20:1의 몰비로 존재하는 방법.
  31. 제29항에 있어서, 방향족 탄화수소가 벤젠, 톨루엔 및 키실렌, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
  32. 제14항에 있어서, 방향족 탄화수소를 트랜스 알킬화 반응 조건하에서 제1항의 지올라이트의 존재하에 적어도 일부 액상조건의 폴리알킬 방향족 탄화수소와 접촉시킴을 특징으로 하여, 방향족 탄화수소를 트랜스 알킬화시키는 방법.
  33. 제32항에 있어서, 방향족 탄화수소 및 폴리알킬 방향족 탄화수소가 각각 약 1:1 내지 약 25:1의 몰비로 존재하는 방법.
  34. 제32항에 있어서, 방향족 탄화수소가 벤젠, 톨루엔, 및 키실렌, 또는 이들의 혼합물로 이루어진 그룹중에서 선택되는 방법.
  35. 제32항에 있어서, 폴리알킬 방향족 탄화수소가 디알킬벤젠인 방법.
  36. 제14항에 있어서, 올레핀 공급원료를 올리고머화 반응조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하는 올리고머화 반응법.
    * 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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