KR920703444A - 지올라이트 (b) ssz-24 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (34)
- 산화실리콘, 산화게르마늄 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 산화물 대 산화붕소 또는 산화 알루미늄, 산화칼륨 및 산화철과 산화붕소의 혼합물중에서 선택되는 산화물의 몰비가 20 : 1 내지 100 : 1이고, 표 I의 X-레이회절선을 지는 지올라이트.
- 산화실리콘 대 산화붕소의 몰비가 20 : 1 내지 100 : 1이고, 표 I의 X-레이회절선을 지니는 지올라이트.
- 산화실리콘 대 산화알루미늄의 몰비가 20 : 1 내지 100 : 1이고, 표 I의 X-레이회절선을 지니는 지올라이트.
- 하기와 같은 산화물의 몰비의 조성을 지니고 표 I의 X-레이회절선을 지니는 무수상태의 지올라이트,(1.0 내지 5)Q2O : (0.1 내지 1.0)M2O : W2O3: (20 내지 100)YO2상기식에서, M은 알칼리금속 양이온이고, W는 붕소이고, Y는 실리콘, 게르마늄 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고, Q는 아다만탄 4차 암모늄이온이다.
- 제4항의 지올라이트를 약 200℃ 내지 820℃의 온도에서 열적으로 처리함으로서 제조되는 지올라이트.
- 제2항에 있어서, 아다만탄 4차 암모늄이온이 하기 일반식(a) 또는 (b) 아다만탄 화합물로 부터 유도되는 지올라이트.상기 식에서, Y1, Y2및 Y3는 각각 독립적으로 저급 알킬이고, Aθ는지올라이트의 형성에 유해하지 않은 음이온이고, R1, R2및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 저급알킬이고, R4, R5및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 저급알킬이다.
- 제6항에 있어서, 일반식(a)에서 Y1, Y2및 Y3는 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸이고, Aθ는 OH 또는 할로겐이고, R1, R2및 R3는 각각 수소이고, 일반식(b)에서 Y1, Y2및 Y3는 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸이고, Aθ가 OH 또는 할로겐이고, R4, R5및 R6는 각각 수소인 지올라이트.
- 제6항에 있어서, Y1, Y2및 Y3가 동일하고 각각 메틸이며, Aθ가 OH 또는 요드인 지올라이트.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 하소후 수소, 암모늄, 회토류금속, IIA족 금속 또는 VII족 금속이온으로 이온 교환시킨 지올라이트.
- 제1항 내지 제2항에 있어서, 회토류금속, VII족 금속 또는 VIII족 금속이 지올라이트내에 흡착되는 지올라이트.
- 제1항 또는 제2항의 지올라이트 및 무기 메트릭스를 함유하는 지올라이트 조성물.
- (a) 아다만탄 4차 암모늄이온의 공급원, 붕소 실리케이트 형태인 산화 붕소 및 산화실리콘, 산화게르마늄 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 산화물을 함유하는 수성 혼합물을 제조하고, (b) 이 혼합물을 140℃이상의 온도에서 유지하여 상기 지올라이트의 결정을 형성시키고, (c) 상기 결정을 회수함을 특징으로 하여, 제1항의 지올라이트를 제조하는 방법.
- 제12항에 있어서, 붕소 실리케이트가 붕소 실리케이트 유리 또는 붕소 베타 지올라이트 또는 다른 붕소 지올라이트인 방법.
- 제12항에 있어서, 수성 혼합물이 하기 범위에 해당하는 산화물의 몰비의 조성을 지니는 방법.YO2/W2O2, 20 내지 100 ; Q/YO2, 0.05 : 1 내지 0.50 : 1상기 식에서, Y는 실리콘, 게르마늄 및 이들의 혼합물중에서 선택되고, W는 붕소이고, Q는 아다만탄 화합물이다.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 아다만탄 4차 암모늄이온이 하기 일반식(a) 또는 (b)의 아다만탄 화합물로 부터 유도되는 방법.상기 식에서, Y1, Y2및 Y3는 각각 독립적으로 저급 알킬이고, Aθ는 지올라이트의 형성에 유해하지 않은 음이온이고, R1, R2및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 저급알킬이고, R4, R5및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 저급알킬이다.
- 제14항에 있어서, 일반식(a)에서 Y1, Y2및 Y3가 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸이고, Aθ가 OH 또는 할로겐이고, R1, R2및 R3는 각각 수소이고, 일반식(b)에서 Y1, Y2및 Y3는 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸이고, Aθ가 OH 또는 할로겐이고, R4, R5및 R6는 각각 수소인 방법.
- 제15항에 있어서, Y1, Y2및 Y3가 동일하며, 각각 메틸이고, Aθ가 OH 또는 요오드인 방법.
- 제5항의 붕소함유 지올라이트를 IIIA족 금속 또는 전이금속의 수용액과 접촉시킴을 특징으로 하여, 제5항의 지올라이트중의 붕소를 치환시키는 방법.
- 탄화수소성 공급 원료를 탄화수소 전화조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하여, 탄화수소를 전화시키는 방법.
- 제19항에 있어서, 탄화수소공급원료를 수소화크래킹 조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하는 수소화 크래킹법.
- 제19항에 있어서, (a) 약 40℃이상 내지 약 200℃미만의 비등점 범위를 지니는 직쇄 및 약간 측쇄의 탄화수소를 함유하는 탄화수소성 공급원료를 방향족 전화조건하에서 산성이 거의 없는 제1항의 지올라이트와 접촉시키고, (b) 방향족 함유 유출물을 회수함을 특징으로 하여, 방향족 함량이 증가된 생성물을 제조하는 방법.
- 제21항에 있어서, 지올라이트가 VIII족 금속성분을 함유하는 방법.
- 제19항에 있어서, 탄화수소성 공급원료를 탈납조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하는 탈납법.
- 제19항에 있어서, 1몰 이상 과량의 방향족 탄화수소를 알킬화 조건하에서 제1항에 따르는 지올라이트의 존재하에 일분이상의 액상 조건의 C2내지 C20올레핀과 접촉시킴을 특징으로 하여, 방향족 탄화수소를 알킬화시키는 방법.
- 제19항에 있어서, 하나 이상의 VIII족 금속 및 제1항의 지올라이트를 함유하는 촉매를 이성화조건하에서 직쇄 및 약간 측쇄의 C4내지 C7탄화수소를 함유하는 공급원료와 접촉시킴을 특징으로 하여, C4내지 C7탄화수소를 이성화시키는 방법.
- 제25항에 있어서, 촉매를 VIII족 금속의 함침 후 스팀/공기 혼합물중에서 승온하에 하소시키는 방법.
- 제25항에 있어서, VIII족 금속이 백금인 방법.
- 제19항에 있어서, 방향족 탄화수소를 트랜스알킬화 조건하에서 및 제1항에 따르는 지올라이트 존재하에 일부 이상의 액상조건의 폴리알킬 방향족 탄화수소와 접촉시킴을 특징으로 하여, 방향족 탄화수소를 트랜스알킬화 시키는 방법.
- 제28항에 있어서, 방향족 탄화수소 및 폴리알킬 방향족 탄화수소가 각각 약 1 : 1 내지 약25 : 1의 몰비로 존재하는 방법.
- 제19항에 있어서, 올레핀 공급원료를 올리고머화 조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하는 올리고머화 방법.
- 제19항에 있어서, 알콜을 전화조건하에서 제1항의 지올라이트와 접촉시킴을 특징으로 하여, 탄소수 1내지 8의 저급 지방족 알콜을 접촉 전화시켜 가솔린 비등점 범위 및 고분자량의 탄화수소를 제조하는 방법.
- 제19항에 있어서, 탄화수소 공급원료를 반종죤중에서 가한 수소의 부존재하에 접촉크래킹 조건하에서 제1항의 지올라이트 성분 및 거대 세공크기의 결정성 알루미늄 실리케이트 크리킹 성분을 함유하는 촉매조성을 과접촉시킴을 특징으로 하는 접촉크래킹법.
- 제32항에 있어서, 촉매 조성물이 두 성분의 물리적 혼합물로 이루어지는 방법.
- 제32항에 있어서, 두개의 촉매 성분이 무기 메트릭스에 혼입되는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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