KR910003818A - 불휘발성 반도체기억장치 및 그 동작방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 E2PROM의 평면도,
제2도는 제1도에 나타낸 A-A′선에 따른 단면도,
제3도 (a) 내지 제3도 (f)는 제1실시예에 관한 장치를 제조공정순으로 나타낸 단면도.
Claims (3)
- 특정의 메모리셀을 지정하는 기능을 갖춘 선택게이트(111)와 하전(荷電)캐리어를 축적함으로써 정보를 기억하는 기능을 기진 부유게이트(106)를 적어도 구비한 불휘발성 반도체기억장치의 동작방법에 있어서, 기억정보의 소거시 상기 선택게이트로 부유게이트에 대해 고전위를 인가함으로써 상기 부유게이트속으로부터 여기에 축적되어 있는 하전캐리어를 선택게이트로 향해 인출하여 기억정보의 소거를 실행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치의 동작방법.
- 제1도전형의 반도체기판(101)내에 형성된 제1, 제2의 제2도전형 확산층(102, 103)고, 이들 상호간에 존재하는 채널영역상에 제1절연막(105)을 매개로 형성된 부유게이트전극(106), 이 부유게이트전극상에 또한 제2절연막(107)을 매개로 형성된 제어게이트전극(108), 이들에 의해 구성되는 적층체의 측벽에 제3절연막(109)을 매개로 형성된 선택게이트전극(111)을 구비한 불휘발성 반도체기억장치에 있어서, 기억정보의 기록시 상기 제어게이트 전극, 선택게이트전극 및 제1의 제2도전형 확산층에 동일극성의 전위을 각각 인가하고, 상기 부유게이트전극속으로 하전캐리어를 주입하는 수단과, 기억정보의 독출시 상기 선택게이트전극에 기록시보다 높은 전위를 인가하고 제어게이트전극 및 제1의 제2도전형 확산층에 기록시보다 낮은 전위를 각각 인가하며 상기 부유게이트 아래의 채널형성의 유무를 조사함으로써 기억정보를 나타내는 부유게이트의 대전상태를 조사하는 수단, 기억정보의 소거시 상기 선택게이트전극에 기록시 보다 높은 전위를 인가하고 상기 부유게이트속의 하전캐리어를 선택게이트로 향해 인출하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
- 제1도전형의 반도체기판(101)내에 형성된 제1, 제2의 제2도전형 확산층(102, 103)과, 이들 상호간에 존재하는 채널영역상에 제1절연막(105)을 마개로 형성된 부유게이트전극(106). 이 부유게이트전극상에 또한 제2절연막(107)을 매개로 형성된 제어게이트(108), 이들에 의해 구성된 적층체의 한쪽 측부에 제3절연막(109a)을 매개로 형성된 선택게이트전극(111a), 다른쪽의 측벽에 제4절연막(109b)을 매개로 형성된 소거게이트전극(111b)을 구비한 불휘발성 반도체기억장치에 있어서, 기억정보의 기록시 상기 제어게이트전극, 선택게이트전극, 소거게이트전극 및 제1의 제2도전형 확산층에 동일극성의 전위를 각각 인가하고 상기 부유게이트전극속으로 하전캐리어를 주입하는 수단과, 기억정보의 독출시 상기 선택게이트 전극에 기록시보다 낮은 전위를 각각 인가하고 상기 부유게이트 아래의 채널형성의 유무를 조사함으로써 기억정보를 나타내는 부유게이트의 대전상태를 조사하는 수단, 기억정보의 소거시 상기 소거게이트전극에 기록시 보다 높은 전위를 인가하여 상기 부유게이트속의 하전캐리어를 소거게이트로 향해 인출하는 수단을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5583810A (en) * | 1991-01-31 | 1996-12-10 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method for programming a semiconductor memory device |
DE69219669T2 (de) * | 1991-06-07 | 1997-11-13 | Sharp Kk | Nichtflüchtiger Speicher |
US5268585A (en) * | 1991-07-01 | 1993-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Non-volatile memory and method of manufacturing the same |
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US5293328A (en) * | 1992-01-15 | 1994-03-08 | National Semiconductor Corporation | Electrically reprogrammable EPROM cell with merged transistor and optiumum area |
US6243293B1 (en) | 1992-01-29 | 2001-06-05 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Contacted cell array configuration for erasable and programmable semiconductor memories |
US5477068A (en) * | 1992-03-18 | 1995-12-19 | Rohm Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory device |
JPH06232413A (ja) * | 1992-12-31 | 1994-08-19 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | フラッシュeeprom及びその製造方法 |
US5432749A (en) * | 1994-04-26 | 1995-07-11 | National Semiconductor Corporation | Non-volatile memory cell having hole confinement layer for reducing band-to-band tunneling |
US5818082A (en) * | 1996-03-04 | 1998-10-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | E2 PROM device having erase gate in oxide isolation region in shallow trench and method of manufacture thereof |
JP2833585B2 (ja) * | 1996-05-17 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | 半導体不揮発性記憶装置 |
KR100205309B1 (ko) * | 1996-07-23 | 1999-07-01 | 구본준 | 비휘발성 메모리셀 및 이 비휘발성 메모리셀을 프로그래밍하는 방법 |
KR100232190B1 (ko) * | 1996-10-01 | 1999-12-01 | 김영환 | 비휘발성 메모리장치 |
KR100221619B1 (ko) * | 1996-12-28 | 1999-09-15 | 구본준 | 플래쉬 메모리 셀의 제조방법 |
ATE420463T1 (de) | 1999-10-25 | 2009-01-15 | Imec Inter Uni Micro Electr | Elektrisch programmierbares und löschbares gerät und ein verfahren zu seinem betrieb |
US6642103B2 (en) | 2000-03-08 | 2003-11-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6504207B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Method to create EEPROM memory structures integrated with high performance logic and NVRAM, and operating conditions for the same |
KR100368594B1 (ko) * | 2001-02-23 | 2003-01-24 | 삼성전자 주식회사 | 스플릿 게이트형 플래쉬 메모리소자 |
DE10122075B4 (de) * | 2001-05-07 | 2008-05-29 | Qimonda Ag | Halbleiterspeicherzelle und deren Herstellungsverfahren |
KR20040023716A (ko) * | 2001-08-06 | 2004-03-18 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 반도체 디바이스 제조 방법 |
KR100859081B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2008-09-17 | 엔엑스피 비 브이 | 반도체 디바이스 제조 방법 |
US6727534B1 (en) * | 2001-12-20 | 2004-04-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electrically programmed MOS transistor source/drain series resistance |
JP4647175B2 (ja) | 2002-04-18 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2005236139A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置およびその駆動方法並びに不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
KR100614644B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 기억소자, 그 제조방법 및 동작 방법 |
US7598561B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-10-06 | Silicon Storage Technolgy, Inc. | NOR flash memory |
KR20100080243A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP2009246372A (ja) * | 2009-05-29 | 2009-10-22 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US8488388B2 (en) * | 2011-11-01 | 2013-07-16 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate |
US9466732B2 (en) * | 2012-08-23 | 2016-10-11 | Silicon Storage Technology, Inc. | Split-gate memory cell with depletion-mode floating gate channel, and method of making same |
US8785307B2 (en) * | 2012-08-23 | 2014-07-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method of forming a memory cell by reducing diffusion of dopants under a gate |
Family Cites Families (10)
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JPS6046554B2 (ja) * | 1978-12-14 | 1985-10-16 | 株式会社東芝 | 半導体記憶素子及び記憶回路 |
JPS5854668A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | Fujitsu Ltd | 電気的消去型読出し専用メモリおよびその製造方法 |
JPS60182776A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 不揮発性半導体メモリ |
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JPS62249487A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPS6352478A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US4794565A (en) * | 1986-09-15 | 1988-12-27 | The Regents Of The University Of California | Electrically programmable memory device employing source side injection |
JP2607504B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1997-05-07 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
JPS63310179A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体不揮発性メモリ− |
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