KR910003813A - 적층된 캐패시터 및 매립된 측방향 접촉부를 갖는 dram 셀 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예인 다이나믹 등속 호출메모리 셀의 개략측면도,
제2도는 제1도에 도시한 DRAM 셀의 전기적 동작을 도시한 개략 회로도;
제3A도 내지 제3M도 제1도내에 도시한 DRAM 셀을 제조하기에 필요한 프로세싱 단계들을 도시한 개략도로서 제3I도를 제외한 모든 도면은 측면도이고, 제3I도는 평면도.
Claims (5)
- 기판내에 트렌치를 형성하는 단게, 상기 트렌치의 표면상에 제1절연층을 형성하는 단계, 상기 제1절연층상에 제1도전층을 형성하는 단계, 상기 제1도전층상에 제2절연층을 형성하는 단계, 상기 제2절연층상에 제2도전층을 형성하는 단계, 캐비티를 제공하기 위해 상기 기판과 상기 제1도전층 사이의 상기 제1절연층의 일부분을 제거하는 단계, 도전 물질로상기 캐비티를 채우는 단계, 및 상기 트렌치에 인접한 상기 기판상에 트랜지스터의 1개의 소오소/드레인이 상기 도전 물질에 도전성으로 접속트랜지스터를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 DRAM 메모리 셀들을 형성하기 위한 프로세스.
- 제1항에 있어서, 상기 1개의 소오스/드레인에 대한 도전성 접속이 상기 확산함으로써 부분적으로 형성되고, 그러므로 상기 기판내에 확산된 영역을 형성되는 것을 특징으로 하는 프로세스.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전층이 기준 전위에 도전성으로 접속된 것을 특징으로 하는 프로세스.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층들이 이산화 실리콘, 질화 실리콘 및 산화 탄탈늄의 선택된 1개의 물질 또는 이물질들로 구성되는 한그룹의 물질의 조합인 것을 특징으로 하는 프로세스.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층들이 다결정 실리콘, 텅스텐 및 티타늄의 선택된 1개의 물질로는 이 물질로 구성되는 한 그룹의 물질의 조합인 것을 특징으로 하는 프로세스.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/385,327 US4978634A (en) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | Method of making trench DRAM cell with stacked capacitor and buried lateral contact |
US385327 | 1989-07-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910003813A true KR910003813A (ko) | 1991-02-28 |
KR100198769B1 KR100198769B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=23520952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900011251A KR100198769B1 (ko) | 1989-07-25 | 1990-07-24 | 적층된 캐패시터 및 매립된 축방향 접촉부를 갖는 dram 셀 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4978634A (ko) |
EP (1) | EP0418491B1 (ko) |
JP (1) | JPH03149875A (ko) |
KR (1) | KR100198769B1 (ko) |
DE (1) | DE69033841T2 (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5064498A (en) * | 1990-08-21 | 1991-11-12 | Texas Instruments Incorporated | Silicon backside etch for semiconductors |
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US5065273A (en) * | 1990-12-04 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | High capacity DRAM trench capacitor and methods of fabricating same |
EP0550255B1 (en) | 1991-12-31 | 1998-03-11 | STMicroelectronics, Inc. | Transistor spacer structure |
US5363327A (en) * | 1993-01-19 | 1994-11-08 | International Business Machines Corporation | Buried-sidewall-strap two transistor one capacitor trench cell |
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US5595926A (en) * | 1994-06-29 | 1997-01-21 | Industrial Technology Research Institute | Method for fabricating a DRAM trench capacitor with recessed pillar |
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US11295893B2 (en) | 2018-02-16 | 2022-04-05 | KYOCERA AVX Components Corporation | Self-aligning capacitor electrode assembly having improved breakdown voltage |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5812739B2 (ja) * | 1975-05-07 | 1983-03-10 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
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-
1989
- 1989-07-25 US US07/385,327 patent/US4978634A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-18 EP EP90113757A patent/EP0418491B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-18 DE DE69033841T patent/DE69033841T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-24 KR KR1019900011251A patent/KR100198769B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-07-25 JP JP2197591A patent/JPH03149875A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69033841T2 (de) | 2002-05-29 |
EP0418491A2 (en) | 1991-03-27 |
EP0418491A3 (en) | 1991-09-25 |
DE69033841D1 (de) | 2001-12-06 |
KR100198769B1 (ko) | 1999-06-15 |
US4978634A (en) | 1990-12-18 |
EP0418491B1 (en) | 2001-10-31 |
JPH03149875A (ja) | 1991-06-26 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 15 |
|
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