KR900019345A - 증폭장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 증폭장치의 회로도, 제4도는 본 발명에 따른 증폭장치의 제1실시예도, 제11도는 본발명에 따른 증폭 장치를 구비한 연산 증폭기
Claims (18)
- 입력 신호를 수신하기 위한 입력단자에 접속된 제어전극과, 제1공급 전압 단자에 접속된 제1메인 전극과, 그리고 제2메인 전극을 갖는 제1트랜지스터와, 제어전극과, 제1트랜지스터의 제2메인 전극에 접속된 제1메인전극과, 그리고 제1전류원에 의한 제2공급전압 단자와 출력신호 공급용 출력단자에 접속된 제2메인 전극을 갖는 제2트랜지스터를 구비한 입력신호 증폭용 증폭장치에 있어서, 제2트랜지스터의 제어 전극은 증폭기의 출력측에 접속되고 제1트랜지스터의 제2메인 전극은 증폭기의 반전 입력측에 접속되고, 그리고 제1기준 전압에 대한 제1기준전압 단자는 증폭기의 비반전 입력측에 접속된 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제1항에 있어서, 제1, 제2트랜지스터는 제1주파수에 위치한 제1폴과 제2주파수에 위치한 제2폴을 갖는 주파수 응답 특성을 갖는 이득을 실현하며(제1주파수는 제2주파수보다 작음), 상기 증폭기는 제2주파수보다 작은 주파수를 갖는 균일한 이득 대역폭을 가지는 주파수 응답 특성의 부가적 이득을 실형하는데 적합한 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 증폭기는 이 증폭기의 반전 입력측에 접속된 제어 전극과, 이 증폭기의 비반전 입력측에 접속된 제1 메인 전극과 그리고 출력증폭기의 출력측 및 제2전류원에 의해서 공급전압단자에 제2메인 전극을 가지는 제3트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제3항에 있어서, 제1기준 전압 단자는 제1공급 전압 단자에 접속된 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제3트랜지스터의 제어 전극은 레벨 이동회로에 의해서 증폭기의 반전 입력측에 접속되는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제5항에 있어서, 상기 레벨 이동회로는 증폭기의 반전 입력측에 접속된 제어 전극과, 제3전류원에 의해서 제2공급 전압 단자 및 제3트랜지스터의 제어 전극에 접속된 제1메인 전극과, 그리고 제1공급 전압단자에 접속된 제2메인 전극을 갖는 제4트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제3항에 있어서, 증폭기의 이득 인수를 증가하기 위하여, 상기 증폭기는 제1, 제2, 제3 및 제4단자를 갖는 사다리형 회로망을 구비하며, 제1, 제2단자는 증폭기의 반전 입력측과 제2트랜지스터의 제1메인 전극에 각각 접속되며, 제3, 제4단자는 제3트랜지스터의 제2메인 전극과 증폭기의 출력측에 각각 접속된 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제7항에 있어서, 상기 사다리형 회로망은 각각 제1, 제2, 제3 및 제4단자를 갖는 복수개의 직렬 사다리형 소자를 구비하며, 사다리형 소자의 제1, 제2단자는 앞에 위치한 사다리형 소자의 제3, 제4단자 각각에 접속되며, 제1사다리형 소자의 제1, 제2단자는 사다리형 회로망의 제1, 제3단자에 각각 접속되며, 그리고 최종사다리형 소자의 제3, 제4단자는 사다리형 회로망의 제2, 제4단자 각각에 접속된 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제8항에 있어서, 각 사다리형 소자는 제어전극, 제1 메인 전극 및 제2메인 전극을 각각 가지는 제4, 제4트랜지스터를 구비하며, 제4트랜지스터는 사다리형 소자의 제2단자에 접속된 제어 전극과 사다리형 소자의 제1단자에 접속된 제1메인 전극과 그리고 사다리형 소자의 제3단자에 접속된 제2메인 전극을 가지며, 제5트랜지스터는 사다리형 소자의 제3단자에 접속된 제어전극과, 사다리형 소자의 제2단자에 접속된 제1메인 전극과 그리고 사다리형 소자의 제4단자에 접속된 제2메인 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제3항에 있어서, 증폭기의 이득 수를 증가하기 위해서, 상기 증폭기는 제1, 제2, 제3 및 제4단자를 갖는 사다리형 회로망을 구비하면, 제1, 제2단자는 제3트랜지스터의 제2메인 전극과 증폭기의 출력측에 접속되며, 제3, 제4단자는 제1, 제2공급단자에 각각 접속된 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제10항에 있어서, 상기 사다리형 회로망은 각각 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6단자를 갖는 복수개의 직렬사다리형 소자를 구비하며, 사다리형 소자의 제1, 제2단자는 앞에 위한 사다리형 소자의 제5, 제6단자에 각각 접속되며, 사다리형 소자의 제3, 제4단자는 각각 사다리형 회로망의 제3, 제4단자에 각각 접속되며, 제1사다리형 소자의 제1, 제2단자는 사다리형 회로망의 제1, 제2단자에 각각 접속되며, 최종 사다리형 소자의 제5, 제6단자는 서로 접속되는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제11항에 있어서, 각 사다리형 소자는 제어 전극, 제1 메인 전극 및 제2메인 전극, 그리고 제3전류원을 각각 갖는 제4, 제5트랜지스터를 구비하며, 제4트랜지스터는 사다리형 소자의 제6단자에 접속된 제어 전극과 사다리형 소자의 제2전극에 접속된 제2메인 전극을 가지며, 상기 제6단자는 제3전류원에 의해서 사디리형 소자의 제4단자에 접속되고, 제5트랜지스터는 사다리형 소자의 제1단자에 접속된 제어전극과 사다리형 소자의 제3단자에 접속된 제1메인 전극과 그리고 사다리형 소자의 제5단자에 접속된 제2메인 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제7항 내지 제12항중의 어느 한 항에 있어서, 사다리형 회로망은 최소 하나의 사다리형 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제11항에 있어서, 직렬 사다리형 소자는 레벨이 이동 회로에 의해서 접속되는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 증폭장치는 증폭기의 반전 입력측에 접속된 제어전극과 제1메인 전극과 그리고 제2메인 전극을 갖는 제3트랜지스터와, 증폭기의 비반전 입력측에 접속된 제어전극과 제3트랜지스터의 제1메인 전극에 접속된 제1메인 전극과 그리고 제2메인 전극을 갖는 제4트랜지스터와 제2기준 전압용 제2기준 전압단자에 접속된 제어 전극과 제1공급 전압 단자에 접속된 제1메인 전극과 그리고 제2메인 전극을 갖는 제5트랜지스터와, 그리고 제3기준 전압용 제3기준 전압 단자에 접속된 제어 전극과 제3, 제5트랜지스터와 제2메인 전극에 접속된 제1메인 전극과, 그리고 제2전류원에 의해서 제2공급전압 단자와 증폭기의 출력측에 접속된 제2메인 전극을 갖는 제6트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제15항에 있어서, 제4트랜지스터의 제1메인 전극은 제3전류원에 의해서 제2공급 전압 단자에 접속되고, 제4트랜지스터의 제2메인 전극은 제1공급 전압 단자에 접속된 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제15항에 있어서, 제4트랜지스터의 제2메인 전극은 제2공급전압 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 증폭장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2트랜지스터는 전개형 직렬쌍에 따라 접속되고 제1트랜지스터의 제1메인전극은 전압 기준회로에 의해서 제1공급전압단자에 접속되며, 제1트랜지스터의 제2메인 전극은 부가 트랜지스터에 의해서 제1공급 전압 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 증폭장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5451909A (en) * | 1993-02-22 | 1995-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Feedback amplifier for regulated cascode gain enhancement |
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KR960027254A (ko) * | 1994-12-29 | 1996-07-22 | 조백제 | 선형성이 양호한 오퍼레이션널 트랜스콘덕턴스 증폭기 |
US5789981A (en) * | 1996-04-26 | 1998-08-04 | Analog Devices, Inc. | High-gain operational transconductance amplifier offering improved bandwidth |
GB2333197B (en) * | 1998-01-07 | 2002-09-25 | Motorola Inc | Operational transconductance amplifier |
US5892356A (en) * | 1998-05-01 | 1999-04-06 | Burr-Brown Corporation | High impedance large output voltage regulated cascode current mirror structure and method |
US6064267A (en) * | 1998-10-05 | 2000-05-16 | Globespan, Inc. | Current mirror utilizing amplifier to match operating voltages of input and output transconductance devices |
US6177838B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-01-23 | Pixart Technology, Inc. | CMOS gain boosting scheme using pole isolation technique |
US6300831B1 (en) * | 1999-12-21 | 2001-10-09 | Texas Instruments Incorporated | Compensating a Gm-boosted folded-cascode amplifier |
GB2358532A (en) * | 2000-01-22 | 2001-07-25 | Mitel Semiconductor Ltd | AC voltage amplifier using current mode stages |
US6342816B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-01-29 | Cadence Design Systems, Inc. | Voltage limiting bias circuit for reduction of hot electron degradation effects in MOS cascode circuits |
US20040183769A1 (en) * | 2000-09-08 | 2004-09-23 | Earl Schreyer | Graphics digitizer |
US6407640B1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-06-18 | Qualcomm, Incorporated | Two-stage LNA with good linearity |
US6590456B2 (en) | 2001-07-17 | 2003-07-08 | Analog Devices, Inc. | Active cascode amplifier with an amplitude limiter |
US6977553B1 (en) * | 2002-09-11 | 2005-12-20 | Marvell International Ltd. | Method and apparatus for an LNA with high linearity and improved gain control |
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KR100648011B1 (ko) * | 2004-12-16 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 의사 차동 전류 모드 수신방법 및 이를 위한 전류 모드수신기 |
US7312662B1 (en) * | 2005-08-09 | 2007-12-25 | Marvell International Ltd. | Cascode gain boosting system and method for a transmitter |
US7652535B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-01-26 | Stmicroelectronics Pvt. Ltd. | Continuous time common mode feedback circuit, system, and method |
US7671676B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-03-02 | Stmicroelectronics Pvt. Ltd. | Continuous time common-mode feedback module and method with wide swing and good linearity |
US7737780B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-06-15 | Stmicroelectronics Pvt. Ltd. | Scheme for improving settling behavior of gain boosted fully differential operational amplifier |
US9939315B2 (en) | 2015-08-08 | 2018-04-10 | Vibration Measurement Solutions, Inc. | Two-wire electronics interface sensor with integrated mechanical transducing and temperature monitoring capability |
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US3986132A (en) * | 1975-10-22 | 1976-10-12 | Rca Corporation | Series energized transistor amplifier |
JPS54152845A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Hitachi Ltd | High dielectric strength mosfet circuit |
JPS5912603A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Toshiba Corp | カスコ−ド回路 |
US4739282A (en) * | 1986-07-21 | 1988-04-19 | Anadigics, Inc. | Current bleeder amplifier with positive feedback |
US4697153A (en) * | 1986-09-18 | 1987-09-29 | Standard Microsystems Corp. | Cascode auto bias circuit |
IT1214249B (it) * | 1987-06-10 | 1990-01-10 | Sgs Microelettronica Spa | Amplificatore operazionale di potenza cmos ad alte prestazioni. |
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