KR900019264A - 분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조방법 - Google Patents

분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR900019264A
KR900019264A KR1019900007335A KR900007335A KR900019264A KR 900019264 A KR900019264 A KR 900019264A KR 1019900007335 A KR1019900007335 A KR 1019900007335A KR 900007335 A KR900007335 A KR 900007335A KR 900019264 A KR900019264 A KR 900019264A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor
bottom plate
forming
metal
layer
Prior art date
Application number
KR1019900007335A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0185375B1 (ko
Inventor
카야 세틴
엘. 더겔라 하워드
Original Assignee
엔. 라이스 머레트
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔. 라이스 머레트, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 엔. 라이스 머레트
Publication of KR900019264A publication Critical patent/KR900019264A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0185375B1 publication Critical patent/KR0185375B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/401—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
    • H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66825—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a floating gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 실시예에 따라 구성된 완료된 캐패시터의 단면도, 제3도는 본 발명에 따라 구성된 부동-게이트 트랜지스터의 단면도, 제4도는 제3도의 부동 게이트 트랜지스터의 단면도.

Claims (16)

  1. 반도체 본체의 표면에 형성된 캐패시터에 있어서, 상기 표면부근에 형성된 실리콘으로 구성된 저부 플레이트 상기 저부 플레이트와 접촉하고, 상기 저부 플레이트 위에 증착된 캐패시터 유전체층, 금속으로 구성되고 상기 저부 플레이트 위에 놓인 위치에서 상기 캐패시터 유전체층과 접촉하고, 상기 캐패시터 유전체층위에 증착된 상부 플레이트, 상기 상부 플레이트위에 증착된 두꺼운 절연체층, 및 상기 두꺼운 절연체층을 관통하여 에칭된 접촉비아를 통해 상부 플레이트와 접촉하고 상기 두꺼운 절연체층 위에 증착된 금속라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저부 플레이트가 금속 규화물에 의해 피복되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저부 플레이트가 다결정된 실리콘으로 구성되고 상기 다결정성 실리콘의 필드 산화물층에 의해 상기 표면으로부터 절연되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 다결정질 실리콘이 금속 규화물에 의해 피복되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 저부 플레이트가 상기 표면의 도프된 영역인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 도프된 영역이 금속 규화물에 의해 피복되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 상부 플레이트가 티타늄 및 텅스텐의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 상부 플레이트가 도전성 내화 금속 화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  9. 제8항에 있어서, 상기 도전성 내화 금속이 티타늄 질화물인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  10. 반도체 본체의 표면에 캐패시터를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 표면 부근에 실리콘으로 구성된 저부 플레이트를 형성하는 스텝, 상기 저부 플레이트위에 캐패시터 유전체를 형성하는 스텝, 상기 캐패시터 유전체위에 놓인 제1금속층을 형성하는 스텝, 상기 캐패시터 유전체 및 상기 저부 플레이트 위에 놓인 제1금속층을 정하기 위해 상기 제1금속층 중 선택된 부분들을 제거하는 스텝, 다중레벨 유전체층 전체를 형성하는 스텝, 이 층의 일부를 노출하기 위해 상기 상부 플레이트 위에 상기 다중레벨 유전체 층의 일부를 제거하는 스텝, 및 상기 상부 플레이트와 접촉하는 제2금속층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 표면에 필드 유전체 구조를 형성하는 스텝을 포함하고, 저부 플레이트를 형성하는 상기스텝이 상기 필드 유전체 구조위에 다결정질 실리콘층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 저부 플레이트 위에 금속 박막을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 저부 플레이트 위에 금속 규화물 박막을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 제1금속층을 형성하는 상기 스텝이 상기 캐패시터 유전체위에 티타늄 질화물을 스퍼터링하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제10항에 있어서, 제1금속층을 형성하는 상기 스텝이 전체의 티타늄층을 형성하는 스텝, 및 상기 티타늄이 티타늄 질화물을 형성하도록 상기 질소와 반응하도록 주위 공기내에서 구조를 가열하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제10항에 있어서, 상기 제1금속이 티타늄 및 텅스텐의 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900007335A 1989-05-23 1990-05-22 분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조 방법 KR0185375B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US35594189A 1989-05-23 1989-05-23
US355941 1989-05-23
US355,941 1989-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900019264A true KR900019264A (ko) 1990-12-24
KR0185375B1 KR0185375B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=23399425

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900007335A KR0185375B1 (ko) 1989-05-23 1990-05-22 분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5130267A (ko)
JP (1) JP3033979B2 (ko)
KR (1) KR0185375B1 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2601022B2 (ja) * 1990-11-30 1997-04-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5262662A (en) * 1991-10-31 1993-11-16 Micron Technology, Inc. Storage node capacitor having tungsten and etched tin storage node capacitor plate
US5674771A (en) * 1992-04-20 1997-10-07 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Capacitor and method of manufacturing the same
US5335138A (en) * 1993-02-12 1994-08-02 Micron Semiconductor, Inc. High dielectric constant capacitor and method of manufacture
US5304506A (en) * 1993-03-10 1994-04-19 Micron Semiconductor, Inc. On chip decoupling capacitor
US5421974A (en) * 1993-04-01 1995-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit having silicide-nitride based multi-layer metallization
US5393691A (en) * 1993-07-28 1995-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Fabrication of w-polycide-to-poly capacitors with high linearity
US5773368A (en) * 1996-01-22 1998-06-30 Motorola, Inc. Method of etching adjacent layers
US5624868A (en) * 1994-04-15 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Techniques for improving adhesion of silicon dioxide to titanium
EP0715345A1 (en) * 1994-11-30 1996-06-05 AT&T Corp. Integrated circuit capacitor fabrication
US5804488A (en) * 1995-08-24 1998-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming a tungsten silicide capacitor having a high breakdown voltage
US5589416A (en) * 1995-12-06 1996-12-31 Lucent Technologies Inc. Process for forming integrated capacitors
US5972804A (en) * 1997-08-05 1999-10-26 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US5969382A (en) 1997-11-03 1999-10-19 Delco Electronics Corporation EPROM in high density CMOS having added substrate diffusion
US6051475A (en) * 1998-06-03 2000-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for manufacturing a silicide to silicide capacitor
US6146939A (en) 1998-09-18 2000-11-14 Tritech Microelectronics, Ltd. Metal-polycrystalline silicon-N-well multiple layered capacitor
TW503568B (en) * 1999-04-07 2002-09-21 Taiwan Semiconductor Mfg Manufacture method of capacitor with low voltage coefficient
US6124199A (en) * 1999-04-28 2000-09-26 International Business Machines Corporation Method for simultaneously forming a storage-capacitor electrode and interconnect
US6239006B1 (en) * 1999-07-09 2001-05-29 Advanced Micro Devices, Inc. Native oxide removal with fluorinated chemistry before cobalt silicide formation
US6380609B1 (en) * 1999-10-28 2002-04-30 Texas Instruments Incorporated Silicided undoped polysilicon for capacitor bottom plate
DE10210044A1 (de) * 2002-03-07 2003-09-18 Philips Intellectual Property Integrierte monolithische SOI-Schaltung mit Kondensator
US6998670B2 (en) * 2003-04-25 2006-02-14 Atmel Corporation Twin EEPROM memory transistors with subsurface stepped floating gates
US6999298B2 (en) * 2003-09-18 2006-02-14 American Semiconductor, Inc. MIM multilayer capacitor
US8916435B2 (en) 2011-09-09 2014-12-23 International Business Machines Corporation Self-aligned bottom plate for metal high-K dielectric metal insulator metal (MIM) embedded dynamic random access memory
US9525020B2 (en) * 2014-04-10 2016-12-20 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor device and method for forming the same

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4410867A (en) * 1978-12-28 1983-10-18 Western Electric Company, Inc. Alpha tantalum thin film circuit device
JPS57159055A (en) * 1981-03-25 1982-10-01 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
US4372034B1 (en) * 1981-03-26 1998-07-21 Intel Corp Process for forming contact openings through oxide layers
US4472726A (en) * 1981-05-06 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Two carrier dual injector apparatus
US4419812A (en) * 1982-08-23 1983-12-13 Ncr Corporation Method of fabricating an integrated circuit voltage multiplier containing a parallel plate capacitor
JPS5955071A (ja) * 1982-09-24 1984-03-29 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 不揮発性半導体装置
US4443930A (en) * 1982-11-30 1984-04-24 Ncr Corporation Manufacturing method of silicide gates and interconnects for integrated circuits
US4577390A (en) * 1983-02-23 1986-03-25 Texas Instruments Incorporated Fabrication of polysilicon to polysilicon capacitors with a composite dielectric layer
JPS59214239A (ja) * 1983-05-16 1984-12-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS6010644A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4466177A (en) * 1983-06-30 1984-08-21 International Business Machines Corporation Storage capacitor optimization for one device FET dynamic RAM cell
US4505026A (en) * 1983-07-14 1985-03-19 Intel Corporation CMOS Process for fabricating integrated circuits, particularly dynamic memory cells
JPS60148168A (ja) * 1984-01-13 1985-08-05 Seiko Instr & Electronics Ltd 半導体不揮発性メモリ
US4582745A (en) * 1984-01-17 1986-04-15 Rca Corporation Dielectric layers in multilayer refractory metallization structure
US4581815A (en) * 1984-03-01 1986-04-15 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated circuit structure having intermediate metal silicide layer and method of making same
US4560436A (en) * 1984-07-02 1985-12-24 Motorola, Inc. Process for etching tapered polyimide vias
US4589056A (en) * 1984-10-15 1986-05-13 National Semiconductor Corporation Tantalum silicide capacitor
JPS61136274A (ja) * 1984-12-07 1986-06-24 Toshiba Corp 半導体装置
US4614666A (en) * 1985-02-07 1986-09-30 Sperry Corporation Semi-conductor device with sandwich passivation coating
JPH0682783B2 (ja) * 1985-03-29 1994-10-19 三菱電機株式会社 容量およびその製造方法
DD235751A1 (de) * 1985-03-29 1986-05-14 Erfurt Mikroelektronik Verfahren zum herstellen spannungsunabhaengiger kondensatoren in integrierten mos-schaltungen
US4676866A (en) * 1985-05-01 1987-06-30 Texas Instruments Incorporated Process to increase tin thickness
US4931411A (en) * 1985-05-01 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit process with TiN-gate transistor
US4628405A (en) * 1985-08-19 1986-12-09 National Semiconductor Corporation Integrated circuit precision capacitor
US4638400A (en) * 1985-10-24 1987-01-20 General Electric Company Refractory metal capacitor structures, particularly for analog integrated circuit devices
JPS6394664A (ja) * 1986-10-08 1988-04-25 Sony Corp 半導体装置
US4721548A (en) * 1987-05-13 1988-01-26 Intel Corporation Semiconductor planarization process
NL8701357A (nl) * 1987-06-11 1989-01-02 Philips Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een condensator en een begraven passiveringslaag.
US4760034A (en) * 1987-06-15 1988-07-26 Motorola, Inc. Method of forming edge-sealed multi-layer structure while protecting adjacent region by screen oxide layer
US5006480A (en) * 1988-08-08 1991-04-09 Hughes Aircraft Company Metal gate capacitor fabricated with a silicon gate MOS process

Also Published As

Publication number Publication date
US5130267A (en) 1992-07-14
KR0185375B1 (ko) 1999-03-20
JPH0374868A (ja) 1991-03-29
JP3033979B2 (ja) 2000-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900019264A (ko) 분리 금속 플레이트 캐패시터 및 이의 제조방법
KR890004404A (ko) 자기정합 금속 형성방법 및 반도체 소자
KR920003502A (ko) 폴리게이트 프로세스용 규화물/금속캐패시터 및 그 제조방법
KR890017734A (ko) 금속판 캐패시터 및 이의 제조방법
KR900002455A (ko) 반도체 집적 소자 제조방법
KR970705182A (ko) 융기된 텅스텐 플러그 앤티퓨즈 및 제조 공정(raised tungsten plug antifuse and fabrication process)
KR870005465A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR870008318A (ko) 트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리
KR970077371A (ko) 반도체 집적회로장치와 그 제조방법
KR930020669A (ko) 고집적 반도체장치 및 그 제조방법
KR900019155A (ko) 식각 베리어를 사용한 콘택 형성 방법
KR940020531A (ko) 콘택홀에 금속플러그 제조방법
KR970077674A (ko) 반도체 집적회로장치의 제조방법
KR910001914A (ko) 반도체 집적 회로와 반도체 회로 내의 다결정 실리콘 접촉 형성방법
KR910019178A (ko) 반도체 접촉 구조 및 그 접촉 방법
KR870004504A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR900019141A (ko) 디램셀 및 그 제조방법
KR910003783A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR910007083A (ko) 반도체 장치 제조 방법
KR920015622A (ko) 집적 회로의 제조방법
KR950025908A (ko) 반도체소자 제조방법
KR900019236A (ko) 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법
KR910020903A (ko) 적층형캐패시터셀의 구조 및 제조방법
JPS61150376A (ja) 半導体装置
KR930006888A (ko) 금속 배선막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111129

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121129

Year of fee payment: 15

EXPY Expiration of term