KR900010776A - 메모리를 내장한 집적 회로 - Google Patents

메모리를 내장한 집적 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR900010776A
KR900010776A KR1019890017375A KR890017375A KR900010776A KR 900010776 A KR900010776 A KR 900010776A KR 1019890017375 A KR1019890017375 A KR 1019890017375A KR 890017375 A KR890017375 A KR 890017375A KR 900010776 A KR900010776 A KR 900010776A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistors
transistor
type
integrated circuit
memory
Prior art date
Application number
KR1019890017375A
Other languages
English (en)
Inventor
아드리아누스 마리아 람페르츠 유도쿠스
게르리트 요제프 리체르펠드 빌렘
제임스 투허 마이클
Original Assignee
에프. 제이. 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람_펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에프. 제이. 스미트, 엔. 브이. 필립스 글로아이람_펜파브리켄 filed Critical 에프. 제이. 스미트
Publication of KR900010776A publication Critical patent/KR900010776A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065Differential amplifiers of latching type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/414Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the bipolar type
    • G11C11/416Read-write [R-W] circuits 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/417Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/419Read-write [R-W] circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

메모리를 내장한 집적 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 메모리 회로의 양호한 실시예를 나타내는 도면, 제3도는 제2도에 도시된 메모리 회로의 일부를 양호한 실시예로 보다 상세히 설명하기 위한 도면.

Claims (9)

  1. 메모리 셀의 매트릭스 및, 여기에 결합되고, 출력이 서로 공동 데이타 버스에 접속된 감지 증폭기를 구비하는 메모리를 내장한 집적 회로에 있어서, 단일 메모리 열을 각 감지 증폭기의 입력에 결합하는 활성 및 비활성 결합 수단이 제공되고, 동시에 각 감지 증폭기를 활성화시키는 활성 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  2. 제1항에 있어서, 각 감지 증폭기의 입력은 그의 출력에 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 감지 증폭기는 각 메모리 열에 제공되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  4. 제2 또는 3항에 있어서, 열내의 각 메모리 셀은 제1 및 2비트 라인에 결합되고, 각 감지 증폭기는 제1 및 2트랜지스터를 구비하며, 판독 라인에 접속된 상기 트랜지스터의 제2주전극이 제공되며, 제1주전극은 다른 하나와 제어가능한 전류원에 접속되며, 각 열내의 제어가능한 전류원은 제각기 제1 및 2비트 라인과, 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극에 연속하여 공동 활성 신호를 수신하는데에 적합하며, 제3 및 4트랜지스터가 어드레서 디코더 회로로부터 공동 제어 신호를 수신하는 데에 적합한 제3 및 4트랜지스터의 전류 채녈이 제각기접속되며, 제1 및 2트랜지스터의 제어 전극은 제각기 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극에 반대로 결합되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  5. 제 4항에 있어서, 제3 및 4트랜지스터는 p-형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  6. 제5항에 있어서, 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극은 제각기 제5 및 6트랜지스터를 통해 제1전력 공급 단자에 접속되고, 제5 및 6트랜지스터는 제각기 제1 및 2트랜지스터의 도전형과 대향한 도전형이며, 제1 및 5트랜지스터의 제어 전극과, 제2 및 6트랜지스터의 제어 전극은 상호 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  7. 제6항에 있어서, 제1 및 2트랜지스터는 n-형 트랜지스터이고, 제5 및 6트랜지스터는 p-형 트랜지스터 인 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  8. 제7항에 있어서, n-형의 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극은 제각기 p-형의 제7 및 8트랜지스터를 통해 제1전력 공급 단자에 접속되고, p-형의 제7 및 8트랜지스터의 제어 전극은 공동 활성 신호를 수신하는데에 적합하며, 매트릭스의 제어된 전류원의 제어 전극은 지연수단을 통해 공동 활성 신호로부터 인출된 신호를 수신하는데에 적합한 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
  9. 전술한 어느 한 항에 있어서, n-형 트랜지스터는 n-채널 전계효과 트랜지스터 또는 바이폴라 npn 트랜지스터이며, p-형 트랜지스터는 p-채널 전계효과 트랜지스터 또는 바이폴라 pnp 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890017375A 1988-12-02 1989-11-29 메모리를 내장한 집적 회로 KR900010776A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8802973A NL8802973A (nl) 1988-12-02 1988-12-02 Geintegreerde geheugenschakeling.
NL8802973 1988-12-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900010776A true KR900010776A (ko) 1990-07-09

Family

ID=19853327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890017375A KR900010776A (ko) 1988-12-02 1989-11-29 메모리를 내장한 집적 회로

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5083295A (ko)
EP (1) EP0374995B1 (ko)
JP (1) JP2755450B2 (ko)
KR (1) KR900010776A (ko)
DE (1) DE68918568T2 (ko)
FI (1) FI895717A0 (ko)
IE (1) IE64653B1 (ko)
NL (1) NL8802973A (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5430677A (en) * 1991-02-11 1995-07-04 Intel Corporation Architecture for reading information from a memory array
JP2939027B2 (ja) * 1991-10-31 1999-08-25 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US5878269A (en) * 1992-03-27 1999-03-02 National Semiconductor Corporation High speed processor for operation at reduced operating voltage
EP0597231B1 (en) 1992-11-12 1998-11-25 United Memories, Inc. Sense amplifier for an integrated circuit memory
TW223172B (en) * 1992-12-22 1994-05-01 Siemens Ag Siganl sensing circuits for memory system using dynamic gain memory cells
GB2277390B (en) * 1993-04-21 1997-02-26 Plessey Semiconductors Ltd Random access memory
US5508644A (en) * 1994-09-28 1996-04-16 Motorola, Inc. Sense amplifier for differential voltage detection with low input capacitance
US5506524A (en) * 1995-03-01 1996-04-09 Lin; Jyhfong Low-voltage low-power dynamic folded sense amplifier
US5477489A (en) * 1995-03-20 1995-12-19 Exponential Technology, Inc. High-stability CMOS multi-port register file memory cell with column isolation and current-mirror row line driver
GB2346237B (en) * 1999-01-27 2003-04-30 Sgs Thomson Microelectronics Dynamic voltage sense amplifier
KR100831678B1 (ko) * 2006-11-24 2008-05-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 센스 앰프

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3879621A (en) * 1973-04-18 1975-04-22 Ibm Sense amplifier
US4131951A (en) * 1976-05-17 1978-12-26 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. High speed complementary MOS memory
JPS5694574A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Complementary mos sense circuit
JPS5819793A (ja) * 1981-07-27 1983-02-04 Toshiba Corp 半導体メモリ装置
US4555777A (en) * 1984-08-14 1985-11-26 Texas Instruments Incorporated Sense amplifier circuit for dynamic read/write memory
JPH0793002B2 (ja) * 1987-06-04 1995-10-09 日本電気株式会社 メモリ集積回路
US4804871A (en) * 1987-07-28 1989-02-14 Advanced Micro Devices, Inc. Bit-line isolated, CMOS sense amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
JP2755450B2 (ja) 1998-05-20
DE68918568D1 (de) 1994-11-03
US5083295A (en) 1992-01-21
FI895717A0 (fi) 1989-11-29
NL8802973A (nl) 1990-07-02
JPH02189789A (ja) 1990-07-25
EP0374995A1 (en) 1990-06-27
EP0374995B1 (en) 1994-09-28
DE68918568T2 (de) 1995-04-27
IE893833L (en) 1990-06-02
IE64653B1 (en) 1995-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850006234A (ko) 반도체 집적회로
KR870000703A (ko) 반도체 메모리
KR920001542A (ko) 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리
KR940012398A (ko) 집적회로 메모리용 감지 증폭기, 집적회로 메모리 및 집적회로 메모리 감지 증폭기 작동 방법
KR860000659A (ko) M0s 스태틱형 ram
KR870002592A (ko) 메모리 회로
KR900010776A (ko) 메모리를 내장한 집적 회로
KR860000719A (ko) 상보형(相補型)Bi-MIS 게이트회로
KR890008837A (ko) 바이폴라 콤프리멘타리 금속산화막 반도체를 사용하는 논리회로와 그 논리회로를 갖는 반도체 메모리장치
KR910014955A (ko) 테스트 회로 내장 반도체 메모리
KR960027258A (ko) 차동 증폭 회로, cmos 인버터, 펄스폭 변조용 복조 회로 및 샘플링 회로
KR940008227A (ko) 개량된 증폭기 회로와 그것을 사용하는 반도체 기억장치
KR880012009A (ko) BiMOS 논리회로
KR850007714A (ko) Mos 증폭회로 및 이를 사용한 반도체 메모리
KR960038997A (ko) 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로
KR860003712A (ko) 논리게이트 회로
KR950010063A (ko) 바이폴라 및 전계 효과 트랜지스터에 의해 구현되고 안정된 감지 증폭기를 갖는 반도체 집적 회로 소자
KR950010097A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR890013769A (ko) 중간전위생성회로
KR850002638A (ko) 센스증폭기
KR970013334A (ko) 반도체기억장치 및 센스회로방식
KR900003900A (ko) 집적 메모리 회로
KR900019043A (ko) 집적 전계 효과 트랜지스터 메모리
KR970016535A (ko) 어드레스 디코더
KR870009398A (ko) 반도체 기억장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee