KR900010776A - 메모리를 내장한 집적 회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 메모리 회로의 양호한 실시예를 나타내는 도면, 제3도는 제2도에 도시된 메모리 회로의 일부를 양호한 실시예로 보다 상세히 설명하기 위한 도면.
Claims (9)
- 메모리 셀의 매트릭스 및, 여기에 결합되고, 출력이 서로 공동 데이타 버스에 접속된 감지 증폭기를 구비하는 메모리를 내장한 집적 회로에 있어서, 단일 메모리 열을 각 감지 증폭기의 입력에 결합하는 활성 및 비활성 결합 수단이 제공되고, 동시에 각 감지 증폭기를 활성화시키는 활성 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 제1항에 있어서, 각 감지 증폭기의 입력은 그의 출력에 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 제1 또는 2항에 있어서, 감지 증폭기는 각 메모리 열에 제공되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 제2 또는 3항에 있어서, 열내의 각 메모리 셀은 제1 및 2비트 라인에 결합되고, 각 감지 증폭기는 제1 및 2트랜지스터를 구비하며, 판독 라인에 접속된 상기 트랜지스터의 제2주전극이 제공되며, 제1주전극은 다른 하나와 제어가능한 전류원에 접속되며, 각 열내의 제어가능한 전류원은 제각기 제1 및 2비트 라인과, 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극에 연속하여 공동 활성 신호를 수신하는데에 적합하며, 제3 및 4트랜지스터가 어드레서 디코더 회로로부터 공동 제어 신호를 수신하는 데에 적합한 제3 및 4트랜지스터의 전류 채녈이 제각기접속되며, 제1 및 2트랜지스터의 제어 전극은 제각기 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극에 반대로 결합되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 제 4항에 있어서, 제3 및 4트랜지스터는 p-형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 제5항에 있어서, 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극은 제각기 제5 및 6트랜지스터를 통해 제1전력 공급 단자에 접속되고, 제5 및 6트랜지스터는 제각기 제1 및 2트랜지스터의 도전형과 대향한 도전형이며, 제1 및 5트랜지스터의 제어 전극과, 제2 및 6트랜지스터의 제어 전극은 상호 접속되는 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 제6항에 있어서, 제1 및 2트랜지스터는 n-형 트랜지스터이고, 제5 및 6트랜지스터는 p-형 트랜지스터 인 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 제7항에 있어서, n-형의 제1 및 2트랜지스터의 제2주전극은 제각기 p-형의 제7 및 8트랜지스터를 통해 제1전력 공급 단자에 접속되고, p-형의 제7 및 8트랜지스터의 제어 전극은 공동 활성 신호를 수신하는데에 적합하며, 매트릭스의 제어된 전류원의 제어 전극은 지연수단을 통해 공동 활성 신호로부터 인출된 신호를 수신하는데에 적합한 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.
- 전술한 어느 한 항에 있어서, n-형 트랜지스터는 n-채널 전계효과 트랜지스터 또는 바이폴라 npn 트랜지스터이며, p-형 트랜지스터는 p-채널 전계효과 트랜지스터 또는 바이폴라 pnp 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 메모리를 내장한 집적 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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