KR900006652B1 - 절연체 금속화용의 매입형 촉매 수용체 - Google Patents

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안토니 퀸 존
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이. 아이. 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니
제임스 제이. 플린
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Abstract

내용 없음.

Description

절연체 금속화용의 매입형 촉매 수용체
제1도는 중합 경화 가능 접착제(2)의 접착층을 양면에 보유하는 전기 전연 기판(1)의 단면도.
제2도는 접착층(2)내에 부분적으로 매입되고 기판(1)로부터 떨어진 접착 표면으로부터 부분적으로 돌출되는 수용체 물질(3)의 미세 분배 미세다공성 미립자의 단면도.
제3도는 미세 다공성 수용체 미립자(3)이 접착층(2)의 도면으로부러 부분적으로 애입 및 돌출되는 상태를 도시한 제2도의 확대 부분 단면도.
제4도는 접착층(2) 및 수용체 미립자(3) 위에 배치된 광절연층(4)의 단면도.
제5도는 덮이지 않은 수용체 미립자(3)의 회로패턴을 만들기 위해 노출되고 현상된 경화 광절연층(5)의 단면도.
제6도는 접착표면(2)로 부터 떨어진 미세 기공내에 흡수된 촉매 미립자(6)을 갖고 있는 미세 다공성 미립자(3)의 확대 단면도.
제7도는 표편 미세 기공을 채우고, 기공들 사이의 표면을 연결하며 접착층(2)에 도금하기 시작하도록 촉매식으로 도금된 금속(7)을 갖고 있는 미립자(3)의 학대 단면도.
제8도는 노출되고 현상된 광절연층(5)에 위해 정해진 전체 회로패턴 채널을 채우고, 매입된 미세 다공성미립자(3)에 위해 접착층(2)에 기밀 접착되는 도금 금속(7) 을 도시한 도면.
제9도는 비노출된 광경화 가능 접착제 영역(8)과 노출되어 광경화된 접착제 영역(9)를 회로 영상패턴으로 양면상에 보유하는 전기 절연 기판(l)의 단면도.
제10도는 미세 분배 미세 다공성 미립자(3)이 광경화 가능 접착층의 비노출부분(8)내에 부분적으로 매입되고, 인접한 노출 경화 영역(9)내에는 없으며, 수용체 미립자가 기판으로부터 떨어진 접착 표면으로부터 부분적으로 돌출하는 상태를 도시한 단면도.
제11도는 수용체 미립자(3)에 위해 비노출 비경화 영역(8)과 접착식으로 경계되는 무전해 도금 금속(7)을 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
l : 전기 절연 기판 2 : 접착층
3 : 수용체 미립자 4, 5 : 광절연층
6 : 촉매 미립자 7 : 도금 금속
8 : 광경화 가능 접착제 영역 9 : 광경화된 접착제 영역.
본 발명은 특히 무전해 장치에 위해 금속화 하기에 특히 적합하게 하는 매입형 촉매 수용체(embededcatalyst receptor)를 갖고 있는 라미네이트(laminate)에 관한 것이다.
무전해 도금 공정에 위해 인쇄회로기판을 준비하는 것은 씨.에프.쿰브스, 쥬니어(C.F. Coombs, Jr.)가 편집하고 뉴욕에 소재한 맥그로우-힐 북 캄파니(NIcGraw-Hill Book Co.)가 1979년에 출판한 "인쇄회로핸드북(Printed Circuits Handbook)", 제2집, 제7장, ; 제이. 에이. 스카렛트(J.A. Scarlett)가 편집하고 스코틀랜드, 아이로(Ayr)에 소재한 일렉트로케미칼 퍼블리케이션 리미티드(Electrochemical Publica-tions, Ltd.)가 1980년에 출판한 "마이그로전자공학용 인쇄회로기판(Printed Circuit Boards forMicroeIectronics)", 제2집, 제4장 : 및 제이. 에이. 스카렛트(J.A.Scarlett)가 편집하고 스코틀랜드, 아이로(Ayr)에 소재한 일렉트로케미칼 퍼블리케이션 리미티드가 l985년에 출판한 "다층인쇄회로기판 핸드북(the Multilayer Printed Circuit Board Handbook)", 제12장에 기술되어 공지되어 있다.
무전해 도금 공정을 사용하여, 기판과 도금 금속사이의 접착력을 증가시키고 회로라인(line), 통공(via)및 패드(pad)를 정하기 위한 다수의 기술이 공지되어 있다.
통상적으로는 기계적으로, 화학적으로 또는 그외의 다른 수단에 위해 거칠어진 표면상에 도금함으로써 접착력을 증가시킨다. 미합중국 특허 제4, 110, 147호에 기술된 한 방법에서는, 미세 다공성 전기분해 알루미늄에 열경화성 플라스틱 기판을 라미네이트시킴으로써 이 열경화성 플라스틱 기판의 도면에 미세 기공(pore)이 복제된다. 알루미늄은 촉매작용 및 도금전에 화학적으로 제거된다. 그러므로, 이 방법은 열경화성 기판에 제한되고, 알루미늄 호일(foil)을 전기분해하고, 라미네이트시키며 제거시키는데 부수적인 경비 및 노력을 필요로 한다.
미합중국 특허 제3, 330, 695호에 기술된 다른 방법에서는, 산화 알루미늄 또는 석영과 같은 강성, 예리한연부, 불활성, 무기 절연 파우더(powder)가 상승온도에서 중합체층에 매입되어 존재하는 많은 틈(interstice)으로부터 거칠은 표면을 발생시킨다. 그러나, 이 특허에서는 미립자 다공성이 중요하다거나 제공된 미립자가 무전해 피착 금속을 허용할 수 있다는 암시가 없고, 단지 진공 스퍼터링(sputterin9) 또는스프레잉(spraying) 용해금속만을 제시하였다. 고온을 필요로 하기 때문에, 이 방법을 광범위한 종류의 플라스틱 기판에 응용하는 것이 불확실하다.
무전해 도금의 접착력을 증가시키기 위해 플라스틱기판을 거칠게 하기 위한 화학방법은 "팽창(swell) 및 식각(etch)" 기술로서 공지되어 있다. 기판은 물질을 팽창시키거나 분해시키지 않는 용제 또는 혼합물로 처리된다. 팽창된 상태에서, 판넬은 표면상에 구멍을 발생시키기 위해 뜨거운 크롬-황산과 같은 산화 시약으로 화학적으로 식각된다. 그 다음에는, 표면이 거칠어진 기판이 공지된 공정으로 레지스트(resist)로 스크린 인쇄되거나 광영상(photo image)되고, 감광성을 갖게 되거나 촉매작용을 하게 되고 무전해식으로 도금된다. 선택적으로, 레지스트가 촉매작용수단 후에 제공될 수 있다. 이 방법에 의하면, 도금 금속 접착력은 각각 상이한 기판물질에 맞추어져야 하는 거칠게하는 수단의 유효성에 제한될 수 있다. 팽창 및 식각기술은 휘발성 용제를 사용하고, 응용중에 중기를 재어하고 건조시키기 위한 특정한 공정 및 장비를 필요로 한다. 뜨거운 산화 용액은 부식성이 있고 위험성이 있다. 또한, 감광화(sensitization) 및 촉매작용수단 중에, 회로패턴을 정하기 위해 사용한 소정의 레지스트가 촉매를 픽업(pick up)하여, 이 레지스트의 표면에 바람직하지 않은 무관한 도금이 되게 하고, 작은 마디 또는 평등한 단락회로를 형성하므로, 신뢰할 수 있게 달성될 수 있는 회로라인(line) 분해를 제한시키게 된다. 한편, 모든 기판표면이 회로-한정 레지스트를 제공하기 전에 촉매작용을 하게 되면, 이 방법에 위해 고밀도 회로가 제조될 매 전기파괴 가능성을 방지하기 위해 레지스트가 스트립(strip)되어야 하고 하부의 촉매제가 전체적으로 제거되어야 한다.
미합중국 특허 제4, 478, 883호에서는 네가티브(negative)하게 충전된 촉매 종(specie)의 부착을 촉진시키기 위한 특정한 양이온 공중합체가 촉매작용전에 기판을 처리하기 위해 추천되었다. 특정한 촉매 종의 유효성이 열거되었지만, 그외의 다른 많은 촉매 작용 형태가 어떻게 유용하게 되는지는 을확실하다.
회로패턴 표매이션(fonnation)전에 표면을 거칠게 하기 위한 다른 기술은 미합중국 특허 제3, 625, 758호 및 제3, 546, 011호에 제시되어 있다. 절연기판은 산화 또는 부식성 시제에 위해 공격을 받고 도금에 필요한 거칠은 표면을 형성하기 위해 기판으로부터 선택적으로 식각되는 균일하게 분산된 유기 또는 무기 물질을 포함한다. 미합중국 특허 제4, 152, 477호에서는, 부타디엔-기초(butadiene-based) 고무 접착제 가 많은 수의 소미립자 노출시에 표면 영역을 증가시키기 위해 고무내에 분산된 경화 페놀수지 미소 캡슐로부터 식각된다. 이 식각방법들의 특징은 모두 기판 또는 접착제가 좁은 범위의 될터 또는 매트릭스 물질에 제한되므로, 좁은 범위의 기판에 응용성을 제한시키거나, 고성능 회로에 필요한 그외의 다른 특성을 절충시킨다는것이다.
예를 들어 미합중국 특허 제 3, 259, 559호와 제 4, 287, 253호 내의 다른 방법에서는, 무전해 피착을 촉매작용화하기에 적당한 소립자 물질이 중합체 매트릭스내에 균일하게 분산되고, 균일하게 분산된 촉매 만(si℃e)을 포함하는 절연 기판내에 몰드(mold)된다. 선택적으로, 이러한 중합체 및 촉매의 혼합물은 절연기판에 분리접착층으로서 제공될 수 있다. 레지스트는 도금전에 회로를 정하기 위해 제공될 수 있다. 이 방법에서, 이온 또는 금속 종은 도금 회로라인 다음의 기판상에 영구적으로 남게 된다. 이것은 전기파괴를 방지하기 위해 고속 마이크로전자공학 응용에 양호한 절연물질을 필요로 하는 고밀도 회로에 만족스럽지 못하다. 또한, 매우 높은 촉매 부하가 사용되지 않는한, 유용한 촉매단이 비교적 적은 모면 영역부분을 덮는다. 이것은 단위면적당 접합단을 적게 하여, 도금 회로에 위해 얻어진 접착세기를 제한시킨다.
미합중국 특허 제3, 391, 455호와 제3, 506, 482호에 기술된 것과 같은 또 다른 방법에서는, 절연기판이 접착합성물로 영상식(imagewise)으로 스크린인쇄된다. 최종적인 접착회로 영상은 구리 파우더로 착색(tone)함으로써 촉매로 된다. 영상 표매이션이 스크린인쇄에 기초를 두고 있기 때문에, 도금 라인 분해가 본래 낮고, 최종적인 회로가 직립 측벽을 갖고 있으므로, 주로 적은 특성 사용시나, 얇은 도전층만을 필요로 하는응용시에 적합하다.
인쇄회로는 영상식 접착(tacky) 및 비접착(nontacky)지역을 갖고 있는 표면상에 소립자 금속과 같은 파우더 물질을 제공함으로써 제조될 수도 있다. 대표적인 방법은 미합중국 특허 제4, 054. 479호, 제4, 054, 483호 및 제4, 454, 168호에 기술되어 있다. 소립자 금속이 제공되고 바람직하지 않은 미립자가 제거된 후에, 무전해 도금을 포함하는 다수의 부수적인 기술들 중의 한 기술에 위해 회로가 형성된다. 회로라인 측벽을 정하기 위한 분리 레지스트가 없으므로, 이 방법의 가장 양호한 응용은 역시 얇은 구리층 또는 저밀도 회로이다.
레지스트를 사용하지 않는 영상방법이 공지되어 있다. 미합중국 특허 제3, 822, 128호는 전기분해층에 금속성 은을 광형성(photoforming)함으로써 영상식 촉매를 만든 미세 다공성 전기분해 알루미늄 표편상에 도전성 금속을 무전해 도금하는 기술에 관한 것이다. 일본국 특허공보 제55-48, 472호에세는, 기판상에 미리 피복된 접착층에 이산화티타늄 파우더를 제공하고, 회로패턴에의 영상식 자외선 노출에 위해 이산화티타늄층에 잠재 영상을 발생시키며, 질화은 용액으로 처리하여, 노출된 이산화티타늄 미립자상에 금속성 은 도금촉매를 형성하고, 촉매작용 지역상에 구리를 무전해식으로 도금한 다음, 접착제를 소성함으로써 절연기판상에 도전성 회로가 제조된다. 이 방법들은 특정 물질, 전기분해 알루미늄 기판 또는 이산화티타늄층에 제한된다는 명백한 단점이 있다. 부수적으로, 도금을 포함하기 위한 레지스트가 없으므로, 회로 응용은 주로 저특성, 저 한정 응용으로 된다.
본 발명의 목적은 무전해 도금 기술을 사용하여 접착력이 우수하고 광범위한 종류의 기판, 즉 유기, 세라믹 또는 금속상에 용이하게 단단히 접착될 수 있는 인쇄회로기판을 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 특정한 목적은 낮은 절연 상수, 또는 세기, 가요성 또는 고온, 화학적 또는 주변 공격의 저항성과 같은 그외의 다른 바람직한 특성을 갓고 있는 것과 같은 고성능 회로 기판상에 양호한 접착을 발생시키기에 적당한 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 완성회로의 전기, 물리, 열 또는 화학 저항특성에 절충될 수 있는 기판 합성물내에 특정한 부수물 또는 충전제(filler)를 필요로 하지 않고서 이러한 기판에 강한 접착력을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 최고-회로라인 한정, 예를 들어 0.001 내지 0.002인치(25.4 내지 50.8미크론)폭, 0.001 내지 0.002인치(25.4 내지 50.8미크론) 높이 및 직선 측벽을 가진 회로라인을 정하기에 직당한방법을 제공하는 것이다. 이 요구조건은 결과로서 생길 수 있는 임피단스 단점을 방지하기 위해 고성능 회로에 중요한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 도체라인들 사이에 저항성을 야기시키기 위해 기판상에 금속성 또는 이온성 잔여물의 트레이스(trace)를 남기지 않게 하여, 특히 고압 또는 고온 및 고습상태에서 전기파괴되지 않는 미세 라인, 고성능 회로를 제조하기에 적당한 방법을 제공하는 것이다.
마지막으로, 본 발명의 또 다른 목적은 매끄러운 회로표면이 각각의 기판들 사이에 얇은 접착층만을 필요로 하고 라미네이트 단계에서 최소 압력을 필요로 하기 때문에 기존의 라미네이트 기술을 사용하여 회로 기판을 제조할때 사용하기에 이상적인 회로를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1형태에서, 본 발명은, 최소한 한 표면을 갖고 있는 기판, 광절연 현상용액에 저항성이 있고, 기판으로부터 떨어진 접착표면으로부터 돌출되는 흡수제의 미세 분배 미립자가 부분적으로 매입되어 있으며, 돌출표면이 무전해 도금 촉매 또는 이것의 환원 선구자에 관련하여 흡수성으로 되고 광절연 물질에 관련하여 비흡수성으로 되는 횡결합(crosslink)중합 접착제의 접착층, 및 접착층과 흡수제 미립자 위이 접착식으로 배치되어 있는 고상 광절연층으로 구성된, 도전성 금속을 위해 무전해 도금함으로써 인쇄회로를준비하기 위한 라미네이트에 관한 것이다.
이때 상술한 라미네이트는, (1) 광절연체의 광선 노출 영상 영역내의 용해가능성 변화를 효율적으로 하기위해 화학선 방사선에 상술한 라미네이트의 광절연 표면을 영상식으로 노출시키는 수단, (2) 용제현샹에 위해 광절연체의 용해가능 영상 영역을 제거시키어 하부 돌출 흡수제 미립자를 노출시키는 수단, (3) 무전해도금 촉매의 환원 선구자를 사용하는 이전의 스텝으로 또는 이러한 이전의 스텝이 없이 무전해 도금 촉매를 미립자 표면상에 흡수시키는 수단, 및 (4) 흡수제상에 도전성 금속을 무전해식으로 도금하는 수단을 포함하는, 순차적인 수단에 위해 무전해식으로 도금된 인쇄회로를 형성하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 제2형태에서, 본 발명은, 보유 기판, 기판으로부러 떨어진 흡수 표면으로부터 돌출되고 위에 무전해 도금 촉매가 흡수된 흡수제의 미세 분배 미립자가 부분적으로 매입된 중합 접착제의 접착층, 및 도전성 금속의 무전해 도금층, 또는 우선 무전해식으로 도금한 다음 전기분해 도금함으로써 형성되는 도전층으로 구성된, 도전성 금속을 위해 무전해 도금함으로써 인쇄회로를 준비하기 위한 라미네이트에 관한 것이다.
이때, 상술한 라미네이트는, (1) 고상 포토레지스트층을 무전해식으로 도금된 층에 제공하는 수단, (2)포토레지스트의 광선 노출 영상 영역내의 용해가능성 변화를 효율적으로 하기 위해 화학선 방사선에 포토레지스트를 영상식으로 노출시키는 제한될,(3) 용제현상에 위해 포토레지스트의 용해가능 영상 영역을 제거시키어 하부 무전해 도금층을 노출시키는 수단, (4) 무전해 도금층의 노출된 영상 영역을 식각하는 수단, 및 (5) 포토레지스트의 나머지 영역을 스트립시키는 수단을 포함하는, 순차적인 수단에 위해 무전해식으로 도금된 인쇄회로를 형성하기 위해 사용될 수 있다.
제l도를 참조하면, 절연 기판(1)은 필요한 전기 및 기계특성, 화학 저항, 열저항등을 갖고 있는 합성수지 시트(sheet), 판, 라미네이트 또는 합성물 등 여러 종류중의 한 종류로 될 수 있다. 기판은 강성, 가요성 또는 주형성(moldable)으로 될 수 있다. 수지의 예로는 페놀-표름알데히드(phenol-fomaldehyde, 에폭시 및 멜라민(melamine)수지, 아라미드(aramide)와 같은 고성능 수지, 또는 그외의 다른 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르-이미드(polyether-imide), 불화중합체, 폴리썰폰(polyrsulfone), 폴리에스테르, 폴리에테르-케톤(polyether-ketone), 등이 있다. 유리잔과 세라믹 또는 세라믹 피복 금속판도 유용하다. 기판은 종이, 판지, 유리섬유, 아라미드 섬유를 포함하는 섬유, 나무판 물질 또는 종이-기초 페놀수지 라미네이트로도 될 수 있다. 수지가 없는 종이-기초 물질은 특히 저가의 인쇄회로를 제조하는데 유용하다. 금속판은 이에 부착된 물질이 금속판 지지부재와 헝성되는 금속화회로 사이의 절연 장벽으로서 작용하도륵하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 페이퍼(Peiffer)의 미합중국 특허 제4, 054, 479호에 기술된 것과 같은 자기-지지(self-supported) 광경화 가능 요소도 유용하다.
소성 가능 접착제를 제공하기 전에, 기판내에 소정의 필요한 통공이 형성될 수 있고, 기판이 적당하게 소제되고, 필요한 경우에, 표면이 거칠어지고, 세척되며 건조된다. 거칠게 하는 것은 접착제의 접착단을 발생시키고, 딱딱한 브러쉬, 마찰 패드 등에 의한 기계적 마찰이나 모래 또는 증기 송풍과 같은 그외의 다른 물리적 수단에 위해 달성될 수 있다. 표면을 거칠게 하고 접착단을 제공하기 위해 화학식각 또는 실란과 같은 접착 촉진제의 인가와 같은 화학방법이 사용될 수도 있다.
제1도 내의 경화가능 접착제(2)는 예를 들어 부타디엔(butadiene), 아크릴로니트릴(acrylonitrile) 및 메스아크릴산(methacrylic acid)의 공중합체와 같은 중합체를 바인더(binder)로서 함유한다. 다른 예로는 에폭시 수지, 아크릴로니트릴로부터와 같은 아크릴 공중합체, 부틸 아그릴레이트(butyl acrylate) 및 메스 아크릴산(methacrylic acid) 단합치(monomer)가 있다. 바인더 합성물은 부분적으로 사용시에 특정 기판에 양호한 접착을 제공하도록 선택되어 결국 기판에 따라 변할 수 있다. 접착제 합성물의 나머지 성분은 접착제의 경화(소성)이 광중합화, 또는 열적으로 개시된 중합화, 또는 열경화성 물질과의 횡결합, 또는 경화형프로세스, 또는 이들의 소정의 결합에 의해 달성되는지의 여부에 따라 달라진다.
광중합학 가능 접착제 합성물은 중합체 바인더 이외에도 통상의 광중합화 가능 합성물 성분, 즉 에틸렌식으로 비표화된 화합물 및 광개시제 또는 광개시제시스템을 함유한다. 올리고어(loigomer), 가소제(plasticizer), 충전제, 착색제, 자외선 흡수제 또는 광학발광제(brightener)와 같은 그외의 다른 물질이 존재할 수도 있다. 적당한 단합체로는 픽그스(Fickes)와 라콕지(RoKoczy)의 미합중국 특허 제4, 400, 460호의 제5란, 48행 내지 제5란 4행과, 하네이(Haney) 와 롯트(Lott)의 미합중국 특허 제4, 411, 980호의 제4란10행 내지 65행에 기술된 것들이 있다. 광개시제 또는 광개시제시스템은 노틀리(Notley)의 미합중국 특허 제2, 951, 752호, 챔버스(Chambers)의 미합중국 특허 제3, 479, 185호, 창(Chang) 및 팬(Fan)의 미합중국 특허 제3, 549, 367호, 팬의 미합중국 특허 제3, 558, 322호, 세스콘(Cescon)의 미합중국 특허 제3, 615, 454호,그루브(Grubb)의 미합중국 특허 제3, 647, 467호, 바움(Baum) 및 헨리(Henry)의 미합중국 특허 제3, 652, 275호, 창의 미합중국 특허 제3, 661, 558호, 스트릴고(Strilko)의 미합중국 특허 제3, 697, 280호, 창의 미합중국 특허 제3, 926, 643호, 디싸우에르(Dessauer)의 미합중국 특허 제4, 311, 783호, 시삭크(Sysak)의 미합중국 특허 제4, 341, 860호 등에 기술된 화합물 중의 소정의 화합물을 포함한다.
열적으로 소성가능한 합성물은 유기 과산화물, 질소(azo) 화합물 또는 그외의 다른 공지된 광개시제용 열중합화 개시제와같은 열 개시제를 대체하거나, 에폭시, 페놀-표름알데히드, 멜라민-표름알데히드, 등과 같은 바인더열경화 수지 시스템과, 프리드(Fryd)의 미합중국 특허 제4, 588, 804호에 기술된 것과 같은 폴리이미드 수지를 열적으로 형성하는 폴리아믹(polyamic)산 합성물을 혼합시키거나, 경화가능 합성물을사용함으로써 제조될 수 있다.
접착제는 딥 코딩(dip-coating), 스핀 코팅, 의료용 칼로의 코팅, 스프레잉, 브러싱 등과 같은 종래의수단에 의해 예를를어 용제, 현수액(suspension)등과 같은 용액로서 제공될 수 있다. 이 층은 두께가 0.00001인치 내지 0.006인치(0.254 내지 152.4미크론), 양호하게는 0,00005 내지 0.003인치(1.27 내지 76.2미크론)으로 될 수 있다. 통공이 존재할 때, 이 통공을 접착제로 코팅하는 것은 임의적이다. 벽이 덮혀지면, 플러깅(pluggng) 구멍이 없이 통공 측벽을 덮도록 접착층이 양호하게 얇게 코팅된다. 0.001 내지 0.002인치(25.4 내지 50.8미크론)의 두께의 경우에, 접착제는 본 분야에 공지된 라미네이션 공정을 사용하여 건식층 형태로 양호하게 제공된다.
광소성용 방사성 소오스는 본 분야에 숙련된 기술자들에게 공지되이 있다. 이 소오스는 자외선 방사선이풍부하다. 적당한 소오스는 프람벡(Plambeck)의 미합중국 특허 제2, 760, 863호, 츄(Chu) 및 코헨(Cohen)의 미합중국 특허 제3, 649, 268호, 페이퍼(Peiffer)의 미합중국 특허 제4,157, 407호, 및 하네이(Haney) 및 롯(Lott)의 미합중국 특허 제4, 411, 980호에 기술되어 있다. 그외의 다른 화학선 방사선 소오스는 아르구스(Argus) 모델 PC-7100자외선 처리기 또는 Tamarack
Figure kpo00001
152R, 1000W 시준 수은 아크(arc)를 포함한다.
접착층의 열 소성은 온도 제어 오본에서 가열하거나 적외선 방사선에 위해 달성될 수 있다.
제2도 및 제3도를 참조하면, 접착층에 제공된 미세 다공성 수용체 미립자(3)은 높은 표면 영역을 깆고있는 미세 분배, 고 다공성 물질이다. 이 미립자들은 감마-알루미늄 산화물, 보에미트 알루미나(Boehmitealumina), 실리카, 및 마그네슘 산화물과 같은 광식 미립자로 될 수 있다.
모든 촉매 보유 부재와 마찬가지로, 촉매 수용체의 흡수 표면은 기본적으로 촉매수용체의 접근을 허용하고, 사용 상태하에서 화학적으로 물리적으로 안정하다. 촉매 수용체가 이 기본 기준에 부합되는 한, 정확한 화학합성물은 촉매작용을 간섭하지 않는 한 본 발명의 사용시에 그리 중요하지 않다. 그러므로, 특성이 유기 또는 무기로 될 수 있는 고상 미럽자는 최소한 75m2/g의 표면적과 최소한 0.1cm3/gm의 기공 체적을 갖는 것이 유용하다. 최소한 200m2/g의 표면적과 최소한 0.5cm3/gm의 기공 체적이 양호하다.
이러한 흡수제의 표면적과 기공 체적의 역관계에 감안하여, 수용체의 표면적은 500m2/g 이하, 양호하게는 400m2/g 이하로 되는 것이 양호하다. 본 발명에서 촉매 흡수제로 사용하기에 특히 양호한 것은 보에이트 알루미나의 미세 분배 미립자이다. 수용체 미립자 크기는 0.5 내지 50미크론, 양호하게는 1 내지 10미크론으로 될 수 있다. 표면적은 150m2/g 이상, 양호하게는 250m2/g 이상으로 될 수 있다.
미세 분배 수용체 미립자는 부분적으로만 매입되는 식으로 비소성 접착층에 제공된다. 돌출된 덮이지 않은 부분이 촉매화하거나 무전해 도금을 개시하는 금속 또는 환원제외 피착물을 수용하기 위한 단(site)을 제공하도록 수용체 미립자가 기판으로 부터 떨어져 접착제 표면으로 부터 돌출한다는 것은 중요하다.
흡수 미립자들은 부르그(Burg) 및 코헨(Cohen)의 미합중국 특허 제3, 060, 024호, 츄(Chu) 및 코헨의 미합중국 특허 제3, 649, 286호, 및 토비아스(Tobias)의 미합중국 특허 제4, 069, 791호에 기술된 착색(toning)방법에 제한되지 않고 그외의 다른 공지된 방법에 의해서도 제공될 수 있다. 또한 페이퍼(Peiffer)와 우드루프(Woodruff)가 쓴 연구 논문 제15882호(1977년 6월)에 기술한 바와같은 미립자의 유동화 베드(bed)를사용할 수도 있다. 수용체는 무전해 도금 촉매 또는 이 촉매의 환원 선구자에 관련하여 흡수성으로 되어야하고, 소정의 위에 배치된 광절연층 내에 함유된 물질에 관련하여 비흡수성으로 되는 것이 양호하다. 본 명세서에서 사용한 바와같이, "착색(toning)"이란 용어는 흡수제 수용체 미립자들이 기판으로 부터 떨어진 표면으로 부터 부분적으로 매입되고 돌출되도록 흡수제 수용체 미립자들을 접착층에 제공하는 것을 의미한다.선택적으로, 표면에 의한 미립자의 허용성은 예를들어, 적외선 히터로 부터의 열에 의해 또는 가소화 용제로의 처리에 위해 접착층을 접착시킴으로써 개량될 수 있다. 이것은 미립자의 인가 중에 달성될 수 있다. 필요한 경우에 비접착층으로 부터의 과대 수용체 미립자의 제거는 상기에 열거한 미합중국 특허 및 연구 는문에 기술되어 있다.
착색후에, 접착층은 경화된다. 이것은 열적으로, 광화학적으로 또는 이들의 결합으로 행해질 수 있다. 미립자의 매입 부분에서, 접착제는 기공에 들어 갈 수 있다. 그러므로 접착제 경화는 층내에 미립자를 록크(lock)시킬뿐만 아니라 층의 결합세기를 증가시키도록 작용한다. 이 2가지 요인은 후속적으로 도금된 금속의 결합력을 증가시킨다.
제4도에 도시한 바와 같이, 광절연층(4)는 착색 표면에 제공된다. 종래의 수단에 의한 용액 인가는 딥코팅, 스핀 코팅1, 의료용 칼로의 코팅, 스프레잉 등에 위해서 예를들어 용액, 현수액 등이 사용될 수 있다. 광절연층은 두께가 0.0001 내지 0.004인치(2.54 내지 101.6미크론), 양호하게는 0.001 내지 0.002인치(25.4내지 50.8미크론)으로 될 수 있다. 0.00l 내지 0.004인치(25.4 내지 101.6미크론) 범위의 두께의 경우에,광절연 물질은 본 분야에 공지된 라미네이션 공정을 사용하여 건식 필름 형태로 양호하게 제공된다.
임의적으로, 광절연 물질은 광절연 층위에 배치된 가용성 스트립 가능 커버 시트에 위해 양호하게 보호된다. 이러한 커버 시트는 세례스데(Celeste)의 미합중국 특허 제3, 526, 504와 제3, 469, 982호에 기술되어 있다,
본 명세서에서 하기에 상세하게 기술한 양호한 광절연 합성물은 광중합 가능 합성물, 즉 노출된 영상 영역에서 경화된 합성물이다. 그러나, 본 발명은 광중합 가능 절연체를 사용하는 것에 제한되지 않는다. 절연물질은 예를들어 표지티브 작용하거나 네가티브 작용하는 광횡결합 가능(photocrosslinkable), 광용해가능(photosolubilizabIe), 광 탈 감광화가능(photodesensitizable) 합성물 또는 이의 결합물과 같은 그외의 다른 감광성 합성물로 부터 준비될 수 있다. 이 시스템들은 1965년에 뉴욕의 윌리 앤드 썬스(Wiley andSons)에서 발간한 코사(Kosar)의 ''감광 시스템(Light Sensitive Systems)", 제4장 내지 제6장에 기술되어 있다. 그외의 다른 유용한 감광성 합성물로는 세레스테(Celeste)의 미합중국 특허 제3, 526, 504호의 광횡결합 가능 합성물, 루스(Roos)의 미합중국 특허 제3, 778, 270호와 제3, 837, 860호의 광용해 가능 합성물, 및 네베(Nebe)의 미합중국 특허 제4, 029, 505호와 파조스(Pazos)의 미합중국 특허 제4, 198, 242호의 광탈감광화 합성물이 예시될 수 있다. 광중합화가능 절연체는 통상의 광중합화 가능 물질 성분, 즉 중합체 바인더(binder), 중합체 바인더 혼합물, 에틸렌식으로 비표화된 화합물 및 광 개시제 또는 광 개시제 시스템을 함유한다. 올리고머, 가소제, 충전제. 착색제, 자외선 흡수제, 광학발광제 등과 같은 다른 물질이 존재할 수도 있다. 유용한 단합체 및 광개시제 시스템의 적당한 예는 광중합화가능 접착층 합성물에 대해 상술한 것들이다.
양호한 합성물은 노출 및 현상된 광절연 물질이 양호한 접착력, 가요성, 전기 절연특성, 및 열, 습기, 용제, 무전해 도금 조(bath) 및 인쇄회로 납땜 동작에 대해 양호한 저항성을 깆고 있는 것들이다. 대부분,이 특성들은 바인더에 제공된다. 적당한 바인더로는 거바이(Gervay) 및 필레트(Pilette)의 미합중국 특허 제4, 278, 752호의 제5란, 4행 내지 40행에 기술된 것들이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
영상화된 광절연층(5)는 바람직한 회로 패턴의 마스크를 통해 화학선 방사선에 노출됨으로써 발생된다. 영상식 노출을 위한 화학선 방사선을 제공하는 소오스는 본 분야에 숙련된 기술자들에게 공지되어 있고, 자외선 방사선이 풍부하다. 적당한 소오스는 경화가능 접착층의 노출을 설명하는 부분에 상술되어 있다.
최종적인 요소는 임의적으로 현상전에 적외선 방사선에 비영상식으로 노출된다. 이 가열 수단은 네가티브작용 시스템의 중합화 정도를 향상시키고, 큰트라스트(contrast) 및 해상도(resolution)을 개량시키며, 영상노출시간이 짧아지게 하고, 측벽이 더욱 직선으로 되게 한다. 광절연층의 더욱 용해가능한 부분은 용제 유실에 의해 제거된다(제5도). 수용체 미립자(3)은 현상된 영역내에 남게되고 제3도에 도시한 바와같이 개구 미세 기공을 함유한다. 전형적인 현상 용제로는 1, 1, 1-트리클로로에탄(trichloroethane), 퍼클로로에틸렌(perchloroethylene), 퍼클로로에틸렌 및 n-부타놀(bu℃anol), 1, 1, 1-트리클로로에탄 및 n-부타놀, 부틸 및 에틸 Celloso1ve
Figure kpo00002
, 부틸 Carbitol
Figure kpo00003
및 1, 1, 1-트리클로로에탄 및 이의 유도체, 다수의 알콜, 예를들어, 메타놀, 에타놀, 프로패놀(Propano1), 이소프로패놀(isopropanol) 등, 및 1,1,l-트리클로로에탄 등을 포함한다. 이 유용한 용제 및 그외의 다른 유용한 용제, 예를들어 수성 및 반-수성 현상제에 대해서는특정한 감광 합성물을 설명한 특허에 기술되어 있다.
최종적인 요소는 공지된 방법에 위해 무전해 도금하기 위해 준비된다. 이것은 1-스텝 또는 2-스텝 공정으로 될 수 있다. 양호한 2-스텝 방법에서, 요소는 처음에 환원제인 촉매 선구자 또는 감광제로 처리된다. 염화 주석이 양호한 감광제이나, 스테펜(Steffen)의 미합중국 특허 제4, 020, 197호에서와 같은 염화제 1 구리, 및 베른 하트(Bemhart) 의 미합중국 특허 제3, 764, 488호에서와 같은 3가 비소화합물과 같은 본 분야에공지된 그외의 다른 것들이 적당하게 될 수 있다. 상술한 무기 약품이 이외에도, 하이드라진(hydrazine) 과같은 유기 환원제가 사용될 수 있다.
이 공정의 제2스텝에서는, 팔라듐(Palladium), 백금, 금, 은 또는 구리와 같은 무전해 도금용 금속 촉매가 수용체 미립자상에 피착된다. 감광 요소는 이 금속들중의 한 금속의 염분의 용액으로 처리되고, 염분은 미세 기공내에 금속을 피착하기 위해 염화주석 또는 그외의 다른 감광제에 의해 환원된다. 염화 팔라듐이 양호한 염분이나, 누찌(Nuzzi) 등의 미합중국 특허 제4, 450, 190호에서와 같이 염화 팔라듐 또는 백금/염산조(bath), 질화 암모니아 은 조, 또는 구리 할로겐 화합물 용액과 같은 그외의 다른 용액이 사용될 수있다.
감광학 및 촉매화후에 전체적으로 세척하는 것이 바람직하다. 양호한 세척은 인접한 광절연층 및 기공들사이의 미립자 표면으로 부터 과대한 감광제 및 촉매를 제거시킨다. 이에 의해 바람직한 환원제가 미세기공내측에 배치된다(제6도). 그러므로 여분의 도금이 최소화되고 무전해 도금 금속의 접착이 수용체 미립자와 금속과의 상호록킹에 위해 최대화된다.
1-스텝 공정에서는, 주석의 보호콜로이드(colloid)를 갖고 있는 구리 또는 팔라듐과 같은 콜로이달 금속미립자의 현수액이 수용체 미립자를 촉매화하기 위해 광절연체 유실직후에 사용된다. 유용한 합성물은 예를들어 시프레이 캄파니(Shipley Co.) 또는 레아 로날(Lea Ronal)에서 시만하고 있는 것들이다.
촉매화된 요소는 본 분야는 공지된 방법에 위해 무전해 식으로 도금된다. 제7도 및 제8도 내의 도금금속(7)은 구리, 닉켈, 금, 은, 고발트, 또는 무전해 피착될 수 있는 본 분야에 공지된 소정의 금속으로 될수 있다. 구리가 양호하다. 무전해 도금조 및 공정은 본분야에 숙련된 기술자들에게 공지되어 있다. 예를들어, 미합중국 특허 제4, 054, 483호에 기술되어 있다. 무전해 도금조는 예를들어 매사츄세츠주, 레베레(Revere, MA)에 소재한 시프레이 캄파니(ShipIey Co.) 뉴욕주, 글렌 코브(Glen Cove, NY)에 소재한 콜모르겐 코표레이션(Kollmorgen Corp.), 뉴욕주, 프리표xm(Freeport, NY)에 소재한 레아 로날(Lea Ronal), 및 그외의 다른 소오스에서 시판하고 있다. 유용한 무전해 도금 용액은 제블리스키(Zeblisky) 등의 미합중국 특허 제3, 095, 309호내에, 특히 예II에 기술되어 있다. 도금될 촉매화 요소는 회로 영상을 형성하는 촉매화되고 부분적으로 매입된 수용체 미립자가 도전성 회로를 헝성하도록 도금되도록 후술하는 상태하에 조내에 유지된다.
2단계로 무전해 도금을 실행하는 것이 양호한데, 제1단계는 짧은 시간 동안 활성조를 사용한 다음 더욱안정하고 보다 덜 활성적인 조내에서 긴 시간 동안 도금하는 것이다. 초기의 순간 도금 또는 주입(priming)은 통공을 포함하는 모든 회로 영역 내에 피착 금속이 완전히 덮이게 하기 위해 0.5미크론 내지 1.0미크론 두께로 도금하도록 충분히 오랫동안 수행된다. 도금되는 요소는 필요한 경우에 가시 검사를 위해 조로부터 제거될 수 있고 도금을 계속하도록 대체될 수 있다. 제1조는 높은 활성도를 갖고 있는데, 이것은 통상의 조 동작온도보다 5 내지 15。F 높은 온도에서 동작함으로써 달성될 수 있다. 도금 활성도를 증가시키기 위한 다른 방법은 조내의 안정제 또는 복합제외 농도를 감소시키는 것이다. 전형적으로 127。F에서 동작하는 시판 중인 구리도금 합성물의 경우에, 주입 조의 동작 조건은 2 내지 15분 동안 132 내지 1423。F로 되는 것이다.
제 2도금 단계에서는, 필요한 도금 두께를 얻어야 할 필요가 있는 한 오랜시간 동안 조를 사용한다. 제 2조는 낮은 활성도를 갖고 있으므로, 더욱 안정하고, 작은 마디(nodule), 외부 구리 피착 및 그외의 다른도금 결함의 영향을 덜 받는다. 낮은 활성도는 정상적인 조 동작 온도 이하인 5 내지 153。F의 온도에서 동작함으로써 달성될 수 있다. 조 활성도를 감소시키는 다른 방법은 안정제 또는 복합제 농도를 증가시키는 것이다. 전형적 127。F에서 동작하는 시판중인 구리 무전해 도금 조의 경우에, 제2조내의 동작 조건은 0.0005인치 내지 0.002인치(12.7 내지 50.8미크론)의 최종 도금 두께를 달성하기 위해 4 내지 16시간 동안 118 내지 122。F에서 동작하는 것이다.
제8도는 참조하면, 금속 피착부(8)이 초기 조에서 사용한 동일 또는 상이 금속 또는 합금으로 무전해식으로 또는 전기 분해식으로 광절연층(5)의 전체 높이 까지 도금될 수 있다. 제8도이 도시한 바와같이 도금이 측벽의 상부에 도달할때, 도금을 정지된다. 이 요소는 세척되고, 다른 저장 및 취급시에 구리 산학를 방지하기 위해 벤조트리아졸(benzotriazole) 용액으로 처리될 수 있다.
반-부수적 도금으로서 본 분야에 공지된 다른 실시예에서, 접착제 도금 기판이 이 기판의 전체 표면에 걸쳐서 착색되고, 촉매화되며, 비영상식으로 순간 도금될 수 있고, 공지된 레지스트 공정을 사용하여 영상화된 다음 패턴 전기도금 될 수 있다. 최종 회로를 헝성하기 위해, 리지스트는 스트립(strip)되고, 요소는 레지스트 영상 밑의 영역으로부터 얇은 무전해 금속을 제거하기 위해 순간 에칭된다.
최종적인 오븐 구움(baking) 수단은 잔여 휘발성 물질을 제거시키고 도금된 구리를 어니얼(anneal)하여 이것의 물리적 특성을 개량시킨다. 최적한 구움 조건은 접착 합성물과, 요소가 구움 전에 소성된 정도에 따라 변한다.
본 발명의 다른 실시예에서는 회로패턴을 정하기 위해 광절연층을 사용하지 않고서 회로를 준비할 수 있다. 이것은 저밀도 회로 기판 응용에 유용하게 된다.
제1도를 참조하면, 절연 기판(1)은 이전에 언급한 여러 형태중의 소정 형태로 될 수 있다. 소정의 필요한 통공이 형성될 수 있고, 필요한 경우에 기판이 소제되고 표면이 거칠어 질 수 있다. 접착층(2)는 광경화 가능해야 된다. 이미 기술한 접착 합성물, 두께 및 응용 방법이 적당하다.
제9도에 대응하여, 요소는 비노출 접착층(8)로 구성되는 패드 영역과 회로 라인(line)의 영상을 남기기위해 필요한 소정의 통공과 정합하여 투명한 표지티브 회로에 노출된다.
제10도에 대응하여, 그 다음에는 최종적인 요소가 노출된 광 경화 영역(9)에 미립자를 남기지 않고서 비노출 부분(8) 내의 부분적으로 매입된 미세다공성 수용체 미립자(3)에 착색된다. 이미 기술한 물질 및 방법들 중의 소정의 물질 및 방법이 이 스텝에 적당하다.
수용체 미립자는 감광화 및/또는 촉매화되고, 그 다음 이전의 방법에 의해 무전해식으로 도금되며, 발생된 회로가 구워진다. 제11도에 대응하여, 금속층은 수용체 미립자(3)에 의해 요소에 접착식으로 결합된다. 측벽은 직선이 아니고 회로 크기 및 도체 두께는 회로 라인을 정하기 위한 광절연층의 부재로 인해 제한된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 종래의 프린트 및 식각 또는 프린트, 도금 및 식각 방법에 의해서 전기회로로 변환될 수 있는 균일하게 도금된 기판을 준비할 수 있다.
제2도를 참조하면, 이 공정은 접착층(2) 내에 부분적으로 매입되고 이 접착층(2)로 부터 부분적으로 돌출되는 미세 분배 미세 다공성 수용체 미립자(3)을 갖고 있는 요소로 시작된다. 기판, 접착층, 및 수용체미립자는 본 발명에 적당한 것으로 이미 기술한 물질들 중의 소정의 물질로 될 수 있다. 접착층은 용액 또는 현수액으로부터 제공되거나 건식 필름으로서 제공될 수 있고, 수용체 미립자는 이미 기술한 방법들 중의소정의 방법에 의해 착색된다.
그 다음에는, 수용체 미립자가 이미 열거한 방법들 중의 소정의 방법에 위해 감광화 및/또는 촉매화되고 무전해 도금된다. 도전성 금속은 제7도에 도시한 바와같이 수용체 미립자에 의해 확고하게 정착된 기판 전체에 걸쳐서 균일한 층을 만들기 위해 소정의 필요한 두께로 도금될 수 있다.
회로 표매이션(formation)은 종래의 레지스트 기술, 즉 스크린 인쇄, 또는 표지티브 또는 네가티브 작용하는 액체 또는 건식 필름 포토레지스트로의 광 프린팅을 사용하여 진행된다. 레지스트 영상이 필요한 소정의 통공과 정합하여 설정될때, 표준 식각 또는 도금 및 식각 방법에 의해 회로가 형성된다. 이 결과는 구리 피복물 라미네이트로 부터 시작되어 달성된 것들에 대응한다.
[예]
본 발명을 설명하는 다음예에서는, 달리 표시되지 않는한 중량으로 비가 표시된다. 예1, 2 및 3은 도금하기 위한 회로 채널을 정하기 위해 광절연체를 사용한다. 본 발명에서 2-측 회로 기판을 제조하기 위해 광영상이 사용될 때, 기판 및/또는 접착제를 프린트 스루(print-through) 및 헐레이션(halation)이 영상 스텝 중에 영상질을 저하시키지 못하게 하기 위해 광선을 흡수해야 한다.
[예 1]
이 예는 광선 흡수 광경화가능 접착제와 함께 광선 전송 기판을 사용하였다.
A. 기판 준비-기판은 0.01인치(0.254mm) FR-4 비구리-피복 유리-에폭시 판넬이었다. 이 기판을소제하고, 소제 브러쉬, 스프레이 린스(linse) 및 공기 송풍 건조부 사이로 판넬을 이송시키는 Somaca
Figure kpo00004
스쿠루버(scrubber) 모델 SBC-12F에 위해 양측을 거칠게 하였다[Somaca
Figure kpo00005
은 일리노이주, 시카고에 소재한 섬너 및 마카(Somner and Maca)의 회로기판 스쿠루버의 등록 상표이다].
소재된 기판을 실온에서 공기 건조시켰고, 메틸클로로포름 용제로 씻는 다음 또한 공기 건조시켰다. 모든나머지 휘발성은 150℃ 오븐내에서 5분간 구움으로써 제거되었다.
B. 소성가능 접착제 합성물 제공-접착 코팅 용액은 다음과 같은 합성물이었다. 이 물질들을 표시한 순서로 추가하였다.
Figure kpo00006
1. Gelrad
Figure kpo00007
3700, 세라네스 케이칼 캄파니, 텍사스주, 달라스 소재(Celanese Chemical Co., Dallas, ℃X).
2.Irgacure
Figure kpo00008
651, 시바-게이기 코표레이션, 뉴욕주, 아드스레이 소재(Ciba-Geigy Corp., Adrsley, NY).
3. Hycar
Figure kpo00009
1472X 26, 비.에프. 굳리치, 오하이오주, 아크론소재(B.F. Goodrich, Akron, OH).
판넬을 실온에서 용액내에 수직으로 삽입시키고, 10초동안 유지시켰다가 신속하게 회수하여 30분간 공기 건조시킴으로써 유리-에폭시 기판을 접착제로 코팅하였다. 나머지 휘발성은 100℃ 오븐에서 5분간 건조시킴으로서 제거하였다. 최종적인 접착층은 약 0.0001인치(2.54 미크론)의 두께에 대응하는 30-35mg/dm2의코팅 중량을 각각 가졌다.
C. 미세다공성 수용체 미립자 제공
접착성 접착제가 고착되지 못하게 하기 위해 실리콘 수지 처리 폴리에스테르시트상에 접착제 코팅 판넬을 놓았다. 파우더로 된 활성 보에미트 알루미나[Mona1
Figure kpo00010
300,. 미합중국, 펜실베니아주, 피츠버그 (Pi℃℃sburgh, PA)의 알루미늄 캄파니(Alumium Co.,), 평균 크기 8.7 미크론, 표면적 300m2/g].
착색제 공급원내에 패드를 담그므로써 미립자가 미리로드(load)된 모헤어(mohair)패드로 접착층 도면을 약하게 걸레질하거나 착색함으로써 미립자를 제공하였다. 착색은 판넬 전체 양단에 수직 평행 스트로크(stroke)로 실행하였고, 그 다음에는 평행 수평 스트로크로 완전히 덮었다( 1 착색 사이클). 인가공정을 완료하는데 4 착색 사이클이 걸렸다. 양측을 착색하였다.
착색된 판넬을 실온에서 5분간 놓아둔 다음 린트-무(lint-free), 오일 처리 프란넬(flannel) 천[LAS-STIK
Figure kpo00011
천, LAS-STIK 매뉴팩츄어링 캄파니(Manufacturing Co.). 오하이오주, 해밀턴 소재(Hamilton, OH)]으로 소제하였다. 이것은 과대한 느슨한 알루미나 미립자를 제거시켰다. 그 다음에는, 판넬의 다른 측상에서 착색 및 소제 과정을 반복하였다.
D. 접착층 소성
착색된 요소를 40f℃/min(20.3cm/sec)의 이송속도로 모델 PC-7l00 자외선 처리기[아르구스 인터내쇼날(Argus International), 뉴저지주, 호프웰 소재(Hopewell, NJ)]를통과시킴으로써 자외선 방사선 소성하였다. 고착하지 못하게 하기 위해서, 실리콘 수지 처리 필름을 방사선 소오스 밑으로 판넬을 이송하는데 사용한 강성 반송기상에 배치하였다. 양 판넬 측면을 소성하였다.
E. 광절연체 제공
0.0005 인치(12.7 미크론)폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)필름상에 아래의 합성물을 기계 코팅함으로써 건식 필름 레지스트를 준비하였다. 즉,0.001 인치 (25.4 미크론)폴리에틸렌을 임시 삽입판으로서 사용하였다. 레지스트 필름을 103℃에서 동작하는 Piston
Figure kpo00012
HRL-24 가열롤 라미네이더[이. 아이, 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니(E. I. du Pont de Ne mours and Company). 델라웨어주, 윌밍턴 소재(Wilmington, DE)]로 소성요소의 양측면에 레지스트 필름을 제공하였다.
Figure kpo00013
1. NIonastral
Figure kpo00014
청색 G(B℃ 284 D). 10% Elveron
Figure kpo00015
AB 분산제로 Elvacite
Figure kpo00016
2051(50%) 내에 분산된 CI No. 안료청색 15(40%)[이. 아이. 듀 우판 디 네모아 앤드 캄파니, 델라웨어주, 윌밍턴 소재(E. I. Du Pont de Nemours and Company, Wilmington, DE)] .
2. Chromophthal
Figure kpo00017
황색 3G, Elveron
Figure kpo00018
AB 분산제(10%)로 Elvacite
Figure kpo00019
2051(50%)내에 분산된 CI No. 안료 황색 93(40%).
3. Elvacite
Figure kpo00020
2051(이. 아이. 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니, 델라웨어주. 윌밍턴 소재).
4. Acryloid
Figure kpo00021
BTA-IIIS[롬 앤드 하스 캄파니, 펜실베니 아주, 필라델피아 소재(Rohm and Has Co., Philadelphia, PA)] .
F. 광절연 노출 및 현상
라미네이트된 요소를 5KW 수은 증기 Riston
Figure kpo00022
PC-24 프린터(이. 아이. 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니, 델라웨어주, 윌밍턴 소재)내의 미세 라인 표지티브 작용을 통해 10초 동안 노출시켰다.
노출후에, 영상질을 향상시키기 위하여, 판넬의 각각의 측면을 2개의 적외선 램프 밑으로 이송시킴으로써 가열시켰다. 큰베이어 속도는 1.2 fee℃/min이었고, 램프와 판넬간의 거리는 1인치(2.54cm)이었다. 판넬의 표면 온도는 Tempilabels
Figure kpo00023
[Tempilabels
Figure kpo00024
은 뉴저지주, 싸우스플랜필드(South PIanifield) 에 소재한 빅쓰리 인더스트리즈, 인크.(Big Three Industries, Inc.) 의 텀필디비젼(Tompil Div.) 의 온도 측정 물질에 대한 등록상표이다]로 측정한 바와 같이 110℃에 도달하였다. 이 처리 중에, 라미네이트 될를상의 폴리에스데르 커버시트를 제 위치에 놓았었다.
커버 시트 제거 후에 Riston
Figure kpo00025
C-처리기(이.아이. 듀우판 디 네모아 앤드 캄파니, 델라웨어주, 윌밍턴소재)내에서 에릴 클로로표름으로 회로 영상을 현상하였다. 큰베이어 속도는 용제 챔버(chamber)내의 거주시간이 전체적으로 24초가 되도록 조정하였다. 비노출된 광절연 물질이 제거되고, 수용체 미립자가 개구영역에 나타났다. 해상도는 0.00l 인치(25.4 미크론)필름에 대해 0.001 내지 0.002 인치(25.4 내지 50.8 이크론)라인 및 공간이었다.
G. 촉매 선구자로의 처리
현상된 판넬을 연성 세척제용액으로 문질러 닦은 다음 수도물로 세척하고 나서 증류수로 세척하였다. 그다음에는, 이 관넬을 실온에서 2분 동안 0.6% SnCl2용액내에 담그었다. 이 용액은 농도가 짙은 HCl 36ｇ내에 SnC12 36ｇ을 용해시킨 다음 증류수로 6000ｇ으로 희석시켜 준비하였다. 처리 후에, 샘플을 1분동안 수도물에 닦은 다음 30초 동안 증류수로 닦았다. 여분의 느슨하게 유지된 염화 주석을 제거하기 위해서, 판넬을 30초 동안 1N HCl에 2번 담그었다. 그러므로, 염화 주석 잔여물을 부분적으로 매입된 수용체 미립자의 미세 기공 내측에 양호하게 남기었다.
H. 촉매 단의 표매이션
그 다음에 판넬을 증류수로 산성 5% Pd C12 200-폴드(foId)를 희석시킴으로써 준비한 산성 0.025%PdC12용액에 2분 동안 처리하였다·촉매화된 판넬을 수도물에 1분동안 세척하였고 증류수로 1분 동안 세척하였다. 이에 위해 염화 주석이 수용체 미세기공 내측에 양호하게 존재하는 지역내에서 염학괄라듬이 금속성 괄라듬으로 환원되었다.
I. 무전해 도금
활성조기 얇은 순간 도금 또는 주입 구리층을 발생시키기 위해 짧은시간 동안 사용되고 낮은 활성조 내에 오랫동안 침지되는 2-스텝 무전해 도금 방법을 사용하였는데 앙호하였다. 이것은 또한 도금 선택성을 더욱 향상시키어 질이 개량되게 한다.
주입조로서, 화학 합성물 AP 480[콜모르겐 코표레이션, PCK 기술반, 뉴욕주. 벨빌레 소재(Ko1lmorｇen Cor., PCK Technology DIV., NIelviIle, NY)]을 사용하였다. 이것은 고 PH, 복합 구리염, 표름알데히드 환원제 합성물이었다. 동작온도는 57℃(±l℃)이었고 침지시간은 3-10분으로 선택되었으므로, 균일한 도금을 모든 리세트된 회로 영역에서 올 수 있었다. 도금된 판넬을 l분 동안 수도물로 닦고 30초 동안 증류수로 닦았다.
도금을 완료하기 위해서, 회로 영역 내에 0.001인치(25.4 미크론)의 구리를 달성하는데 필요한 약 8시간동안 동일한 합성물의 조 내에 순간 도금 부품을 유지 시켰다. 조 활성도는 48℃(±1℃)온도에서 동작함으로써 감소되었다. 이에 위해 도금 질이 개량되었고 양호하게 제어되었다. 상술한 바와 같이 닦아낸 후에,또 다른 저장 및 처리를 하는 동안 구리 산화를 방지하기 위해 부품을 수성 산성 벤조트리아졸(aqueousacidic benzotriazole) 용액으로 처리하였다. 도금 해상도는 0.001 인치(25.4 미크론)도금 및 광절연 필름 두께에 대해 0.001 내지 0.002인치(25.4 내지 50.8 미크론)라인 및 공간이었다.
해상도는 최공적인 도금의 질의 측정값이었으므로 흡수된 촉매 또는 환원제 시스템의 효율이었다. 외부도금이 없는한, 예를 들어 광절연 표면상에 구리가 납작해 지지 않거나, 회로라인을 따르는 도금 마디(nodule)가 없거나, 통공 주위에 도금 금속의 테두리가 없는한 양호한 해상도가 달성되지 않았다.
1시간 동안 150℃ 오븐 내에서의 도금 판넬의 최종처리는 잔여 휘발성을 제거시켰고 도금 구리와 접착층간의 접착력을 개량시켰다. 선택적으로, 부품은 1시간 동안 50-400psi(3.4-27.2 기압)하에 350。F에서 인자 압압으로 가열될 수 있다. 이 열처리가 없으면, 구리와 접착층 사이의 결합 탈피(peel)검사는 2물질들 사이의 파괴를 나타낸다. 열 처리후에, 파괴 궤적은 접착층내의 결합파괴로 되도록 전이된다.
[예 2]
이 예는 광선 흡수 기판과 광선 전송 열적 소성가능 접착제를 사용한다.
A. 기판 준비
기판 물질은 0.015인치(0.38mm)혹색 FR-4 비피복 유리-에폭시이었다. 이것은 예 1A에 기술한 바와같이 사용하기 위해 준비되었다.
B. 소성가능 접착제 합성물 제공-사용한 접착제는 아그릴 공중합체(아크릴로니트릴 35/부틸이크릴레이트 60/에스아크릴 산 5)플러스 페놀 표름알데히드 수지[등급 BRL 100, 유니온 카바이드, 큰넥 티컷주(Union Carbide, CT)]의 44% 고상 수성 분산제이었다.
코팅 및 건조를 예 1B에서와 같이 수행하였다. 즉, 각각의 측면상에 약 0.0003인치(7.5 미크론)의 건조층 두께가 달성되었다. 코팅은 실온에서 비접착 상태이었다.
C. 미세 다공성 수용체 미립자 제공-이 접착제 합성물에는 가열 착색이 필요하였다.
가열 판의 매끄럽고 평평한 표면은 138-155℃ (280-310。F)로 되었다. 예 1C에서와 같이 활성화된 알루미나, 즉 NIona1
Figure kpo00026
300이 가열표면상에 균일하게 확산되었다. 접착제 피복 요소를 10초동안 가열 파우더층상에 배치 하였고, 뒤집은 다음, 10초동안 예 1C에서와 같이 많은 알루미나 미립자를 이송하는 모헤어(mohair)패드로 착색하였다. 그 다음에는 상기한 바와 같은 가열 착색을 다른 측상에서 반복하였다. 착색판넬은 실온에서 냉각되게 하였고, 과대한 미립자가 예 1C에서와 같이 처리된 천으로 소제되었다.
D. 접착층 소성
l시간 동안 150℃(302。F) 오븐에서 착색 판넬을 보유함으로써 접착층을 소성시켰다.
E. 무전해 도금회로의 준비
광절연 물질을 제공하고 노출시키며 현상한 다음 촉매단 및 무전해 도금을 표매이신하는 공정을 예 1(E내지 I)에서 기술한 바와 같이 반복하였다. 예 1에서와 동일한 높이의 해상도 및 양호한 접착력을 얻었다.
[예 3]
이 예는 광선흡수 기판과 강선 전송 감광성 접착층을 사용하였다.
A.' 기판준비
기판 및 코팅용 준비는 예 2A에서 기술한 것과 동일하였다.
B. 소성 기능 접착제 합성물 제공
접착 코팅 용액은 다음과 같은 합성물이었다. 성분들은 92% 염학메틸렌과 8% 메탄올의 혼합물내에서 4% 고상 용액을 제공하도록 결합되었다.
Figure kpo00027
1. Irgacure
Figure kpo00028
65l[시바-게이지 코표레이션,. 뉴욕주, 아드스레이 소재(Ciba_Geigy Corp., Ardsley, NY) ].
수용체 미립자를 제공하고 접착층을 예 l(C 및 D)에서와 같이 소성하였다.0.001 인치(25. 4 al그론)커버시트, 염학 에틸렌 1857 부분, O-ChIoro HAB I를 대체한 벤조페논(benzophenone) 50부분, AIichler's케톤 1.5 부분, TLA-454를 대체한 수정 보라빛 다이(dye) 0.15 부분, 폴리(메틸 에스아그릴례이트) 20부분 및 공중합체바인더 262.4 부분을 제외하고는 예 1E에서와 동일한 건식 필름 광절연 물질이 0.00l5인치(38.1 미크론)두께로 제공되었고, 예 l(E 및 F)에서와 같이 노출되고 현상 되었다 미세다공성 수용체미립자의 처리, 촉매화 및 무전해 도금을 예 1(G, H 및 I)에서와 같이 수행하였다. 예 1에서와 같이, 고해상도 및 양호한 접착력의 회로를 얻었다.
[예 4A-4H]
이 예들은 1-스템 공정에 위해 수용체 미립자를 촉매화시키기 위한 수단을 설명하는 것이다. 광절연 영상이 사용되지 않으므로, 종래의 수단에 위해서 식각 및 도금함으로써 후속 회로 표매이션에 적당한 요소를 만들기 위해 판넬 표면 전체를 도금하였다. 상세한 내용은 다음 설명 및 표에 기술되고 나타나 있다.
기판은 유리-에폭시이었다. 이것은 예 1에서와 같이 소제되었고, 거칠게 되었으며 건조되었다.
접착제 합성물, 인가방법 및 소성 방법은 알루미나 형태로 있었던 미세다공성 수용체 미립자를 제공하는방법이었던, 예 2 또는 예 2I에 기술한 것과 동일하였다.
예 4A-4D에서, 촉매 단은 Cataposit
Figure kpo00029
44[시프레이 캄파니, 매사츄세츠주, 뉴우톤소재 Shipley·Co., Newton, NIA)], 즉 갈라듐 고어를 들러싸는 염화 주석 셸(shell)로 구성된 50-100Å 단위 크기 미립자의 콜로이달 분산제를 사용함으로써 형성되었다. 이 합성물은 무전해 도금용 촉매시스템으로서 본 분야에서 광범위하게 사용되었다. 이것은 증루수로 2/1 희석된 Cataposit
Figure kpo00030
44의 용액 내에 실온에서 2분 동안 담근다음 예 1에서와 같이 세척함으로써 판넬에 제공되었다.
예 4E-4H는 3% SnC12/3% HC1 용액이 사용되고 침지 시간이 2개의 조내에서 10분으로 연장된 것을 제외하면 예 l9 및 H에서 기술한 2-스템 공정으로 무전해 도금하기 위해 감광화되었다.
예 1의 무전해 도금 공정을 전체적으로 사용하였다.
도금 결과는 다음 기준을 사용하는 가시 검사 후에 숫자적으로 분류되었다.
5 = 물집-무(Blister free)(최상)
4 = 물집 약간
3 = 허용불가능-물집, 스킵(skip), 미스(mis) 등
2 = 도금 약간
1 = 비 도금(최악)
Figure kpo00031
1. 알파 - 알루미늄 산화물, 0.35 미크론 미립자 크기
2. 알파 - 알루미늄 산화물, 2 - 4 미크론 미립자 크기
3. 감마 - 알루미늄 산화물 [Catapal
Figure kpo00032
SB, 코노코, 델라웨어주 윌밍턴 소재(Conoco, Wilmington, DE)]. 900℉에서 태운 다음, 5 미크론 이하의 미립자 크기를 제공하도록 분류됨.
4. 감마 - 알루미늄 산화물, 150 - 290m2/g 태운후의 표면 영역 [카이제르 케미칼, 루이지애나주, 바톤 로우게 소재(Kaiser Chemicals, Baton Rouge, LA)].
[예 5A - 5J]
이 예들은 수용체 미립자로서 다수 형태의 실리카를 사용한다. 그외의 다른 물질 및 공정은 예 4A - 4H에서 사용한 것과 동일하다. 결과 및 실험내용은 다음 표에 나타나 있다.
Figure kpo00033
Figure kpo00034
1. 미립자 크기 4미크론, 표면적 330m2/g[더를유.알. 그레이스 앤드 캄파니(W.R. grace ＆ Co), 데이비슨 케미칼디비젼(Davison Chemical Div.), 매릴랜드주, 발티 모어 소재 (Baltimore, MD) ] .
2. 미립자크기 7 미크론, 표면적 175m2/g, 표면 처리됨(데이비슨 케미칼).
3. 미립자크기 4미크론, 표면적 310m2/g (데이비슨 케미칼).
4. 미립자 크기 7미크론, 표면적 250m2/g, 표면처리됨 (데이비슨 케미칼).
5. 미립자 크기 20미크론, 표면적 320m2/g (데이비슨 케미칼).
6. 325 망사 스크린 상에 함유된 규조토 실리카 0.05%, 오일 흡수 150 1b/100 1b,]호린 백색(whitemist) [등급[존스 앤빌레 (Johnes Manville), 콘넥 티 컷주, 덴버 소재 (Denver, CO) ].
7. 325 망사 스크린상에 함유된 규조토실리카 1.2%, 오일 흡수 145. 1b/100 1b,281 등급(존스 맨빌레).
8. 평균 주요 미립자 크기 12nm, BE℃ 표면적 200±25m2/g[데구사 코표레이션, 괴그멘츠 디비젼., 뉴저지주, 테터보로 소재(Degusa Corp., Pigments Div., teterboro, NJ)].
[예 6A-6G]
이 예들은 수용체 미립자로서 마그네슘 산화물, 마그네슘 실리케이트 및 알루미늄 실리케이트를 나타내었다. 그외의 다른 물질 및 공정은 예 4A-4H에서 사용한 것과 동일하였다. 결과 및 실험 내용은 다음 표에 나타나 있다.
Figure kpo00035
1. 325 망사 스크린을 통한 미립자크기 100%[세락, 인크., 위스콘신주, 일워키 소재(Cerac,Inc.,NIilwaukee, WI) ] .
2. Lo Micron Talc[휘태거, 클라그 앤드 다니엘스, 뉴저지주, 드레인긴드 소재(Whittaker,Clark and Daniels, Plainfield, NJ) ] .
3. 휘셔 사이언티픽 캄파니(Fisher Scientific Co. 필라델피아주, 피츠버그 소재).
4. 등급 1726(휘태거, 클라그 앤드 다니엘스)
5. 세척된 카오린 크레이(Kaolin Clay : A12O3ㆍSiO2ㆍ2H2O) 등급 90[제이. 엠. 휴버 고표레이션(J.NI.Huber Co叩ora℃ion), 매릴렌드주, 하브레 디 그레이스 소재(Havre de Grace,MD)].
6. 휴버(Huber) 등급 900, 휴버 등급 90의 산 세척 형태
[예 7A-7C]
이 예들은 유기 수용체 미립자를 나타내었다.
그외의 다른 물질 및 공정은 예 4A-4H에서 사용한 것과 동일하였다. 결과 및 실험 내용은 다음 표에 나타나 있다.
Figure kpo00036
1. 미립자 크기 0.66미크론, 미합중국 특허 제4, 414, 278호에 기술된 것과 같이 준비된, 횡결합된 트리에틸롤프르패인 트리아그릴레이트 비드.
2 Eftofine
Figure kpo00037
FT 800F[고 용웅 휘세 트로프스그(Fisher Tropsch、경화 파라핀 왁스, 듀라 콤모디티스코포레이션, 뉴욕주. 해리슨 소재(Dura CoInmodities Corp., Harris[)n,NY)].
3. Darco
Figure kpo00038
9-60[아이 씨 아이 아에리카스, 인크., 델라 웨어주, 읠밈턴 소재(ICI Americas.Inc., Wilmington, DE) ] .
[예 8A 및 8B]
이 예들은 제 1산화구리 및 구리 파우더를 사용한다.
이 물질들은 무전해 도금용 촉매제로서 공지되어 있으므로, 별개의 촉매화 수단쨩 필요로하지 않았다. 그외의 다른 물질 및 공정은 예 4A-4H에서 사용한 것과 동일하다. 결과 및 실험 내용은 다음 표에 나타나있다.
Figure kpo00039
l. 휘셔 사이언티픽(Fisher Scientific)
2. 미립자 크기 2·6 미크론,99.8% 순도[세락, 인그.(Cerac,Inc.)]
[예 9]
이 예는 도전성 회로를 형성하기 위해 세라믹 기판과 부수적인 공정을 사용한다.
A. 기판 준비
기판은 인쇄 회로 준비시에 사용한 므준 형태의 0.040인치(1.02mm) 알루미나이었다. 이것은 아세톤으로 세척함으로써 양 측면이 소제되었고 150℃ 오븐에서 30분간 구움으로써 건조되었다.
실온으로 냉 각한 후에, 감마-아미 노-프로필트리 에톡시실란[gamma-amino-propyltriethoxy silane : 피씨알, 인크., 플로리다주, 게인스 발레 소재(PCR,Inc., gainsville, FL)로 부터의 Prosil
Figure kpo00040
221]의 1% 수성 용액내에 판넬을 담그었다. 접착력을 증가시키기 위해 제공된 이 용액은 사용될 때 6시간 내지 1주일 정도로 오래 된 것이라야 한다. 제거 후에는, 압축공기로 판넬을 즉시 송풍 건조시켰다.
B. 소성가능 접착제 합성물 제공
세라믹 기판을 예 2B에서와 같이 접착제로 코팅 하였고 건조시켰다. 약 0.0003인치(7.6미크론)의 코팅두께가 달성되었다.
C. 미세 다공성 수용체 미립자 제공 및 광 영상화
접착제 코팅 판넬을 예 2(C 및 D)에서와 같이 Monal
Figure kpo00041
300 알루미늄 산학물로 착색하였고 150℃에서 소성하였다. 노출시간이 l1초이었다는 것을 제외하고는 예 1(E 및 F)의 공정 및 건식 필름 광절연 합성물을사용하여 영상화를 수행하였다.
D. 촉매단 표매이션 및 무전해 도금
과대 SnC12제거 스템에서, 1N HC1 내의 단일 60초 침전을 사용한 것을 제외하고는 예 19에서와 같이염화 주석 촉매 선구자를 사용하였다. 촉매단의 포매이션 및 무전해 도금을 예 1( H 및 I)에서와 같이 수행하였다. 0.0005인치(12.7미크론)의 구리 두께에 4시간의 도금시간이 주어졌고, 0. 002인치(50.8미크론)의 구리 두께에는 16시간이 필요하였다. 도금 라인 해상도는 기판이나 접착층이 광선을 그게 흡수하지 않았기 때문에 예 1 또는 2에서 만큼 높지는 않았다. 저항성, 납땜 가능성 및 접착rJ1이 양호하였다 검사 결과는 예1l에 기술되어 있다.
[예 10]
이 예는 본 발명에 위해 구리로 이미 균일하게 도금된 세라믹 판넬 상에 인쇄 회로를 형성하기 위한 감법(subtractive) 영상학를 설명하는 것이다.
A. 기판 준비, 접착제 제공 및 미세다공성 수용체 미립자
사용한 이 동작 및 물질들은 광절연체 또는 영상학 스템이 포함되지 않은 것을 제외하고는 예 9(A, B 및C)에서와 동일하였다.
B. 세라믹 단 포매이션 및 무전해 도금
예 9D에서와 같이 수행하였다.
C. 포토레지스트 제공 및 영상학
예 1E에 기술한 방법에 위해 0.002인치(50 8미크론) 두께의 건식 필림 포토레지스트[Riston
Figure kpo00042
1220, 이아이. 듀우간 디 네모아 앤드 캄파니, 델라웨어주, 윌밍터 소재(E. I. Du Pont de Nemours and Company, Wilmington, DE) ]를 무전해 도금 요소에 라미네이트 하였다. 15초의 노출시간, 네가티브작용, 및 현상 중의 용제 챔버 내의 28초의 거주 시간을 사용하는 것을 제외하고는, 예 1F에서 제공된 공정에 위해 광영상화를 하였다.
D. 식각, 스트럽핑 및 열 소성
판넬상의 개방영역 내의 구리를 실온에서 5% 암모늄 퍼설페이트(ammollium persuIfate)에서 식각함으로써 스트립(strip)시켰다. 휘저으면서 염화 에틸렌 내에 판넬을 침지함으로써 나머지 구리 위에 있는 광경화 레지스트를 제거시켰다. 세척 및 공기 건조후에, l시간 동안 150℃에서 소성함으로써 구리회로와 알루미나 기판 간의 접착력을 증가시켰다.
납땜 가능성 및 접착력은 예 11에서 표로 나타낸 바와 같이 양호하였다.
[예 11]
이 예는 예 9 및 예 10내의 공정에 위해 제조된 회로의 저항성, 납땜 가능성 및 접착력 검사 결과를 설명하는 것이다.
A. 저항성 검사
에러가 1Ω 범위로 셋트되고 4-지점 프로브(probe)를 사용하는 휴렛트 팩카드 4328A 밀리옴 메터 : 휴렛트 팩카드, 컬리포니아주, 팔로 알토소재(HewIett Packard, Palo AIto. CA)]로 저항성을 측정하였다. 검사된 구리회로 라인을 연속적인 절첩 라인 또는 "미로(meander)" 패턴으로 도금 또는 식각하였고, 200스쾌어(square) 면적을 가졌다.
다음의 표는 샘플에 대한 벌크(bulk) 저항성, 스퀘어당 저항성, 및 밀(mi1) 당 스퀘어 당 저항성을 나타내는데, 이것들은 모두 예 9의 부수적인 도금 공정에 위해 준비된 것이다. 벌크 구리의 저항성은 0.6m-ohm/square/mi1이고, 스크린 인쇄된 구리 회로의 전형 적 인 저 항성은 l.2m-ohm/sq/mi1이다.
Figure kpo00043
B. 납땜 가능성 검사
납땜 가능성 검사는 판넬의 한 연부상에 3개의 0.030인치[0 8mm) 직경 와이어를 그림핑(crinting) 시키는 것으로 이루어진다. 와이어를 만넬의 면 양만에 약 0.08인치(2.03mm＼떨어져서 평행하게 연장시키고, 각각의 와이어를 또한 3개의 0.08인치(2.03mm) 스퀘어 구리 패드 위에 배치한다. 그 다음에는 이 검사 부분을 10초 동안 뜨거운(235℃) 60/40 주석/납땜 납의 표면상에 유지시킨 다음 8초동안 땜납 내에 이 브분을 침지시킴으로써 예열된 AIpha 611 땜납 용제 [알파 메탈스, 인그., 뉴저지주, 제로세이 시티 소저 AlphaMetaIs,Inc., Jersey Cityγ,NJ)]에 담그었다. 냉각 후에, 이 부분을 에틸클로로포름 및 에탄을 50/50 혼합물내에 디플럭스(deflux) 하였다.
검사된 샘플들은 예 9와 예 10의 공정에 위해 제조된 것들을 포함하였다. 샘플들은 모두 땜납이 균일하게 덮인 외형으로 판단되어 납땜가능성이 매우 양호하였다.
C. 접착력 검사
납땜후 약 24시간 후에 접착력 검사를 행하였다. 검사는 기판에 90°각으로 와이어를 만곡 시키고, 아이어기 납땜된 3개의 패드로 부터 와이어가 나올 때까지 Instron 검사기 [인스트론 장력 테스터, 인스트론 고프레이션, 매사츄세츠주, 캔톤 소재(Instron Corp, Canton, XIA)]상에 한번에 한개씩 잡아당기는 것을 포함하였다. 챠트는 와이어를 벗기는네 필요한 뉴우톤(Newton)힘을 기록하였다. 절단은 다음 3가지 이유중 한 이유로 생길 수 있다. 즉 와이어가 땜납에서 벗겨지거나, 땜납이 금속 패드로 부터 분리되거나, 금속 패드가 기판으로 부터 잡아당겨 질 수 있다. 허용가능한 접착력은 l5 Newton 이상이었다.
다음 표는 접착력 검사의 결과를 나타낸다.
Figure kpo00044
Figure kpo00045
[예 12]
이 예는 접착층 횡결합 크기가 도금 구리의 접착력에 얼마나 악영향을 미치는지를 나타내고, 또한 횡결합 효과가 공정시에 한개 이상의 단계에 발생된 것을 나타낸다.
샘플준비
3인치×1인치(7.62cm×2.54cm)의 유리-에폭시 기판 편(piece)을 예 2에서와 같이 아크릴 접착제로 코팅하였고 MonaI
Figure kpo00046
300 활성 알루이나로 착색 하였다. 그 다음에 이 편을 예 9에서와 같이 촉매화 시키고, 칠하고 도금하였다. 16시간의 전체 도금은 0.002인치(50.8미크론)의 구리층을 제공하였다.
접착력 측정
Chatillon 모델 DPP-10 푸쉬-풀 게이지[push-pull gauge ; 뉴저지주, 뉴욕 소재의 죤 차틸론 앤드썬스, 인크.(John Chatil1on ＆ Sons, Inc.)]로 도금 샘플상에서 벗김(peel) 세기를 측정하였다. 판넬 연부에 중첩될 수 있는 소정의 구리가 벗김 힘 측정에 영향을 미치지 못하게 하기 위해서 우선 도금 샘플의 모든 측면을 다듬어 냈다. 칼 끝을 사용하여 판넬의 한 측으로 부터 구리를 들어올려 푸쉬-풀 게이지에 부착하였다. 그 다음에는 판넬을 이중 배압 강지 테이프로 수평면에 고정시키고, 접착 실패가 발생할 때까지 구리를 천천히 잡아당겨 게이지와 수직으로 되게 하였다. 벗김 힘에 도달하시 위해 다이얼 해독값(단위 : 파운드)을 샘플 폭(단위 : 인치)로 나누었다.
열 처리 변형
도금 구리 접착력은 촉매화 및 도금전(하기 표내의 "소성")뿐만 아니라 도금후(하기 프내의 "구움") 착새요소를 제공한 열 처리에 위해 영향을 받았다.
표내의 처음 2개의 샘플 그룹으로 부터의 결과는 최적한 "소성"도금전)이 150℃에서 l시간이었다는 것을나타내고, 마지막 샘플 그룹은 최적한 "구움"(도금 후)이 역시 150℃에서 l시간이었다는 것을 나타낸다.
Figure kpo00047
[예 13]
이 예는 상호 접속된 통공을 가진 이중 측면 회로를 준비하는 상태를 나타낸다.
기판은 예 1A에서와 같이 문지른 0.01인치(0.254mm) 유리-에폭시이었다. 드릴링 안내부재로서 드릴드레스(drill pres) 및 포지티브 투명도안을 사용하여 1300개의 0.0135인치(0.343미크론) 직경 구멍의 패턴을 기판내에 뚫었다. 예 1A에서와 같이 구멍을 압축 공기로 불어 드릴링 파편을 없앤 다음 메틸 클로로포름으로 씻어냈다.
예 1B의 접착제 합성물을 상기한 바와 같이 인가 하였다. 이때, 판넬의 양측면과 구멍의 내측을 플러깅(pulgging)하지 않고서 접착제로 덮었다. 그 다음에는 예 1C 내지 1E에서와 같이 판넬의 양 측면상과 구멍내를 MonaI
Figure kpo00048
300 알루미나로 착색하고, 소성하고, 광절연체로 라미네이트하였다. 0.10인치(2.54mm) 길이와 0.012인치(0.305mm) 폭의 라인에 위해 접속된 0.020인치(0.508mm) 패드를 갖고 있는 포지티브 가공을 통해 광절연체를 노출시켰다. 판넬의 한 측면상에서, 라인들은 동서 방향으로 평행하였고, 다른 측면상에서, 라인들은 0.1인치(2.54mm)마다 측면들 사이를 교차하는 연속 이로(meander) 패턴이 발생되도록 북남 방향으로 정합하여 평행하였다. 그러므로, 라인과 구멍 내의 양호한 도금이 달성돈 경우에, 발생된 회로는 계속 양호한 도전성을 갖게 된다.
판넬을 예 1F-1I에서와 같이 현상하고, 촉매화시키고 도금하였다. 구멍들이 얼마나 양호하게 촉매화되었는지를 검사하기 위해 도금을 주입조에서 10분, 낮은 활성조에서 30분으로 제한하였다. 약 0.00005인치(1.27미크론)두께의 구리 층이 발생하였다. 도전성 검사결과, 도금회로가 연속적으로 완전히 도전성인 것으로 나타났다. 바람직한 최종 전체 두께를 달성하기 위해 도금을 계속 하였다.
[예 14]
이 예는 회로 패턴을 정하기 위해 광절연층을 사용하지 않고서 도금 회로를 형성하기 위해 감광성 접착층을 사용하는 것을 설명하는 것이다.
예 1B의 접착제 합성물을 70mg/dm2의 코팅 중량[약 0.000025인치(6.35미크론)두께]으로 0.001인치(25.4미크론) 실리콘 해제 처리 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름상에 코팅하였다. 예 1E에서와 같은 건식 필름구조를 제공하기 위해 0.0005인치(12.7미크론) 두께의 실리콘 해제 플리에스테르 지지 필름보다 높은 해제특성을 갖고 있음) 임시 커버 시트를 코팅에 라미네이트 하였다.
예 1E에서 기술한 바와 같이 유리-에폭시 기판에 접착필름을 라미네이트한 후이, 전기 회로 패턴의 형태로 된 포지티브 포토툴(phototool)을 사용하여 폴리에스테르 지지 부재를 통해 8초 동안 최종 요소를 노출 시켰다. 예 1F의 공정이 뒤따랐다.
지지 필름을 제거한 후에, (제9도에 대응하는) 노출 요소를 예 1C에서 기술한 바와 같이 Monal
Figure kpo00049
알루미나로 착색 하였다. 촉매 수용체 미립자는 노출에 위해 경화되지 않은 접착 표면상의 접착 지역에만 부분적으로 매입되었다(제10도 참조).
약 0.0005인치(12.7미크론)의 구리 두께를 달성하기 위해 예 19-1I에서 기술한 바와 같이 2 스텝 촉매화 및 무전해 도금을 수행하였다(제11도 참조). 도전성과 접착력은 양호하였다.
[예 15]
이 예는 잔여 불표화물을 갖고 있는 중합체 만으로, 즉 다기능 단합체, 열경화성 수지 또는 개시제와 같은 추가 횡결합 구성성분이 없이 구성된 경화가능 접착제 합성물을 사용하는 것을 설명하는 것이다.
254mg/dm2코팅중량, 약 0.0008인치(20.3미크론) 두께로 실리콘 해제 처리 폴라에스테로 지지부재 상에 Hlyrcar
Figure kpo00050
1472×26 카복시-변형 합성 고무의 염화 메틸렌용액을 코팅함으로써 접착제를 건식 필름으로서준비하였다. 예 14에서와 같이 높은 해제 특성을 가진 실리콘해제 폴러에스테르 필름을 임시 커버시트로서 사용하였다. 예 1E의 장비 및 방법을 사용하여 흑색 유리-에폭시 기판에 접착제를 라미네이트하였다.
폴리에스테르 필름을 제거한 후에, 라미네이트된 접착표면을 예 1C에서 기술한 바와 같이 Monal
Figure kpo00051
알루미나로 착색하였고, 접착층을 예 1D에서 윤곽을 나타낸 바와 같이 제어 셋팅 30에서 PC-7100 자외선 처리기를 통해 착색된 요소를 통과시킴으로써 소성하였다. 이것은 l3.3ft/min(6.76cm/sec)의 이동속도에 대응한다. 샘플상의 Tempilabel
Figure kpo00052
은 요소가 240。F(116℃)의 최대온도를 얻는 것을 나타냈다. 소성은 예 1F에서와 같이 메틸 클로로포름 스프레이 현상액에 자외선 처리된 샘플을 종속시킴으로써 확실하게 되었다. 소성되고 착색된 접착층은 제거되지 않았으나, 다른 동일한 소성되지 않은 샘플상의 접착층은 메틸 클로로포름에 의해 완전히 제거되었다.
소성되고 착색된 판넬의 2 스텝 촉매화 및 무전해 도금은 예 14에서와 같이 행하였다. 도금을 제2의 저활성 조에서 16시간 동안 실행하였다. 도금된 샘플을 씻어내고, 벤조트리아졸 용액으로 처리하였으며 150℃에서 1시간동안 구었다. 양호한 도금 및 접착력이 얻어졌다.
[예 16]
이 예는 닉켈 조를 사용하는 무전해 도금을 설명하는 것이다.
A 기판 준비 및 착색
비 피복 유리-에폭시 판넬을 소제하고, 예 1A에서 윤곽을 나타낸바와 같이 고팅용으로 준비한 다음, 예2에서와 같이 접착제 조성물로 코팅하고 Mona1
Figure kpo00053
300 알루이나 파우더로 가열 착색하였다.
B. 회로 라인 한정 및 촉매화
예 1의 광절연 합성물을 상술한 바와 같이 라미네이트하고 노출시키고 현상하여, 노출된 광절연체에 의해정해진 채널의 저부에 부분적으로 매입된 촉매 수용체를 갖고 있는 제5도에 대응하는 회로 패턴을 발생시켰다. 예 4에서 기술한 바와 같이 1 스텝 Cataposit
Figure kpo00054
44를 사용하여 미세다공성 미립자를 금속성 팔라듐으로 촉매화시켰다.
C. 도금
시판 중인 닉켈 조 Nickelmerse
Figure kpo00055
AL[레아로날, 뉴욕주. 프리포트 소재(Lea Ronal, Freeport, NY)]를사용하였다. (황화 닉켈, 수산화 암모늄 및 그외의 다른 성분을 함유하는) Nickelmerse
Figure kpo00056
AL-A의 20부분, (차아인산염을 함유하는) Nickehnerse
Figure kpo00057
AL-B의 l0부분, 및 증류수 70부분을 혼합시킴으로써 이것을준비하였다. 바람직한 닉켈 피착두께에 따라 온도 120。F(49℃) 및 PH 8.5에서 l0-60분동안 이 조를 동작시켰다. 약 0.0004인치/hr(l0.2미크론/hr)의 도금비가 달성되었다. 제8도에 대응하는 도전성 닉켈 피착을 달성하였다.
[예 17]
이 예는 구멍 내에 수용체 미립자를 이러 정착 시키지 않고서 동공 내측에 무전해 도금을 하는 것을 설명하는 것이다.
A 기판 준비 및 착색
0.010인치(254미크론) 직경의 레이저 드릴 구멍 패턴을 갖고 있는 예 9A에서 기술한 바와 같은 0.025인치(635미크론) 두께의 세라믹 기판을, 기판내의 구멍을 제외하고는 기밀 밀봉 되게 하는 식으로 중공 챔버상에 면판으로서 장착 하였다. 챔버를 저압 압축공기 소오스에 접속시켰다. 챔버가 압압상태로 있으므로, 예 2B의 접착제 합성물을 공기 브러쉬에 의해 세라믹 기판상에 스프레이하였다. 그 다음 판넬을 예 2B에서와 같이 건조시켰고, 접착제를 동일한 식으로 판넬의 대향 측에 제공하였다. 그 다음에는 판넬을 예 2C에서와 같이 Mona1
Figure kpo00058
300 알루이미 파우더로 한측을 착색하였다. 제2측면을 착색하기 전 후에, 소정의 느슨한 알루미나 미립자를 압축공기 분사로 구멍으로 부터 불어냈다. 최종 판넬은 양측면 상에 부분적으로 매입된 알루미나 미립자의 균일층을 가졌고 구멍 내에는 파우더가 없었다.
B. 회로 라인 및 패드의 한정 및 촉매화
예 1의 광절연 합성물을 상술한 바와 같이 라미네이트하고 노출시키고 현상하여, 노출된 광절연체에 의해 정해진 채널의 저부에 부분적으로 매입된 촉매 수용체를 갖고 있는 제5도에 대응하는 회로 패턴을 발생시켰다. 미세다공성 미립자를 예 9에서 기술한 2 스텝 공정을 사용하여 금속성 팔라듐으로 촉매화 시켰다.
C. 도금
예 1의 2 스텝 무전해 공정을 사용하여 0.001인치(25.4미크론)의 두께로 구리를 도금하였다. 양호한 접착력, 구멍 내의 양호한 범위 및 도전성을 갖고 있는 균일한 도전성 회로를 발생시켰다. 이 공정은 또한 0.010 내지 0.070인치(0.254 내지 1.78mm)의 기판 두께와 0.008 내지 0.018인치(0.203 내지 0.457mm)의 통공 직경으로, 유리-에폭시 뿐만아니라 알루미나 기판 상에서도 실행될 수 있다. 거칠어진 구멍 벽상에 충분한 촉매가 유지되어 씻겨지지 않기 때문에 구멍내에 양호한 도금이 달성된다. 구멍내에서, 이것은 또한 표면 촉매에 관련해서 씻겨지지 않도록 보호된다.

Claims (31)

  1. 도전성 금속을 위에 무전해 도금함으로써 인쇄 회로를 준비하기 위한 라미네이트에 있어서, 기판, 광절연체 현상 용액에 저항성이 있는 중합체 접착제의 접착층을 갖고 있고, 기판으로 부터 떨어져 접착 표면으로 부터 돌출되는 흡수제의 부분적으로 매입된 미세분배 미립자를 갖고 있으며, 돌출 표면이 무전해 도금촉매 또는 이의 환원성 선구자에 관련하여 흡수성인 최소한 한 기판표면, 및 접착층과 흡수제 미립자 위에 접착식으로 배치된 고상 광절연층으로 구성된 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  2. 제1항에 있어서, 기판이 무기물인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  3. 제2항에 있어서, 기판이 알루미나인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  4. 제1항에 있어서, 기판이 유기 중합체인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  5. 제1항에 있어서, 기판이 합성물인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  6. 제1항에 있어서, 기판이 유리-충진 망 수지인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  7. 제1항에 있어서, 흡수제가 미세다공성 알루이나인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  8. 제l항에 있어서, 광절연층이 건식 필름 광절연체인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  9. 제1항에 있어서, 광절연체가 액체 광절연체의 건식층인 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서, 광절연체가 비수성식으로 현상될 수 있는 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  11. 제 1항에 있어서, 흡수 표면이 광절연층 제공전에 무전해 도금 촉매를 위에 흡수함으로써 촉매화된것을 특징으로 하는 라미네이트.
  12. 제6항에 있어서, 포토레지스트층이 스트립 가능한 커버 시트에 의해 보호되는 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  13. 도전성 금속을 위에 무전해 도금함으로써 인쇄 회로를 준비하기 위한 라미네이트에 있어서, 기판, 및기판으로 부터 떨어져 접착 표면으로 부터 돌출되는 흡수제의 부분적으로 매입된 미세 분배 미립자를 갖고 있고, 돌출표면이 금속 이온을 환원시키기 위한 촉매 또는 환원제가 위에 흡수된 무전해 도금 촉매 또는 환원성 선구자에 관련하여 흡수성인 중합체 접착제의 접착층으로 구성된 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  14. 무전해식으로 도금된 인쇄회로를 제조하는 방법에 있어서, 광절연체의 광선-노출 영상 영역내의 용해성 변화를 효율적으로 하기 위해 화학선 방사선에 제1항의 라미네이트의 광절연체 도면을 영상식으로 노출시키는 수단, 용제 현상에 의해 광절연체의 용해가능 영상영역을 제거시키어 하부 돌출 흡수제 미립자를 노출시키는 수단, 무전해 도금 촉매의 환원성 선구자를 사용하여 이전의 스텝으로 또는 이전의 스텝이 없이 무전해 도금 촉매를 미립자 표면상에 흡수시키는 수단, 및 미립자상에 도전성 금속을 무전해식으로 도금하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 무전해식으로 도금된 인쇄회로를 제조하는 방법에 있어서, 광절연체의 광선-노출 영상 영역내의 용해성 변화를 효율적으로 하기 위해 화학선 방사선에 제11항의 라미네이트의 광절연체 도면을 영상식으로 노출시키는 수단, 용제 현상에 의해 광절연체의 용해가능 영상 영역을 제거시키어 하부 돌출 흡수제 미립자를 노출시키는 수단, 및 미립자상에 도전성 금속을 무전해식으로 도금하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 도전성 금속을 위에 무전해 도금함으로써 인쇄 회로를 준비하기 위한 라미네이트를 제조하는 방법에있어서, 최소한 한 기판 표면상에 횡결합가능 중합체 접착제의 접착층을 형성하는 수단, 흡수제의 미세 분배 미립자가 부분적으로 접착제 표면내에 매입되고 이 표면으로 부터 돌출되도록 흡수제의 미세분배 미립자로 층을 착색하여, 미립자의 돌출부분 표면이 무전해 도금 촉매 또는 이의 환원성 선구자에 관련하여 흡수성으로 되게 하는 수단, 층을 경화시키어 매입 미립자 표면을 확고하게 보유하도록 중합체 접착제를 횡결합시키는 수단, 및 횡 결합된 접착제와 돌출 흡수제 미립자의 하부 층에 광절연층을 제공하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 흡수 표면이 광절연층 제공전에 도전성 금속 양이온을 환원시키기 위한 촉매를 위에 흡수함으로써 촉매화되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제14항에 있어서, 흡수 표면이 광절연층 제공 전에 도전성 금속 이온용 환원기를 위에 흡수함으로써 환원성으로 되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 도전성 금속을 위에 무전해 도금함으로써 인쇄 회로를 준비하기 위한 라미네이트를 제조하는 방법에 있어서, 최소한 한 기판 표면상에 횡결합가능 중합체 접착제의 접착층을 형성하는 수단, 흡수제의 미세분배미립자가 부분적으로 접착표면내에 매입되고 이 표면으로 부터 돌출되도록 흡수제의 미세 분배 미립자로 층을 착색하여, 미립자의 돌출 부분 표면이 무전해 도금 촉매 또는 이의 환원성 선구자에 관련하여 흡수성으로 되게 하는 수단, 층을 경화시키어 매입 미립자 표면을 확고하게 보유하도록 중합체 접착제를 횡결합시키는 수단, 및 도금 금속용 촉매를 부분적으로 매입된 미립자 표면상에 흡수시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 무전해 식으로 도금된 인쇄 회로를 제조하는 방법에 있어서, 중합체 감광성 접착제의 접착층으로 기판을 코팅하는 수단, 화학선 방사선에 층을 영상식으로 노출시키는 수단, 기판으로 부터 떨어져 접착 표면으로 부터 돌출되는 흡수제의 미세 분배 미립자로 감광성 층의 비노출 영역을 착색하여, 돌출 표면이 무전해 도금 촉매 또는 이의 환원성 선구자에 관련하여 흡수성으로 되게 하는 수단, 무전해 도금 촉매 또는 이의 환원성 선구자를 미립자 표면상에 흡수시키는 수단, 및 미립자상에 도전성 금속을 무전해식으로 도금하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제14항의 방법에 의해 제조된 무전해식으로 도금된 인쇄 회로.
  22. 제17항의 방법에 의해 제조된 무전해식으로 도금된 인쇄 회로.
  23. 제18항의 방법에 의해 제조된 무전해식으로 도금된 인쇄 회로.
  24. 제20항의 방법에 의해 제조된 무전해식으로 도금된 인쇄 회로.
  25. 제21항 내지 제24항 중의 어느 한 항에 있어서, 도금이 처음에 금속의 얇은 피막을 무전해식으로 도금하고 그다음 무전해 도금층의 상부에 금속층을 무전해식으로 도금함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는무전해 도금 인쇄 회로.
  26. 제13항에 있어서, 균일한 금속층으로 무전해식으로 도금된 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  27. 프린트 회로 요소를 제조하는 방법에 있어서, 고상 도트레지스터 층을 제26항의 라미네이트의 무전해 도금층에 제공하는 수단, 포토레지스트의 광선 노출 영상 영역 내의 용해성 변화를 효율적으로 하기 위해 화학선 방사선에 포토레지스트를 영상식으로 노출시키는 수단, 용제 현상에 의해 포트레지스트의 용해 가능 영상 영역을 제거시키어 하부 무전해 도금 층을 노출시키는 수단, 무전해 도금 층의 덮이지 않은 영역을 식각하는 수단, 및 포토레지스트의 나머지 영역을 스트립시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 인쇄 회로 요소를 제조하는 방법에 있어서, 고상 포토레지스트 층을 제26항의 라미네이트의 무전해 도금 층에 제공하는 수단, 포토레지스트의 광선 노출 영상 영역내의 용해성 변화를 효율적으로 하기 위해 화학선 방사선에 포토레지스트를 영상식으로 노출시키는 수단, 용제 현상에 의해 포트레지스트의 용해 가능 영역을 제거시키어 하부 무전해 도금 층의 영역을 덮지 않는 수단, 덮이지 않은 금속 영역을 도금하는 수단, 나머지 포토레지스트를 스트립시키는 수단, 및 포토레지스트 하부에 있던 금속 영역을 식각하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제1항에 있어서, 기판이 다수의 통공을 함유하는 것을 특징으로 하는 라미네이트.
  30. 제1항에 있어서, 기판이 접착층(b)와 상부 광절연층(c)를 갖고 있는 2개의 주요 표면을 갖고 있는것을 특징으로 하는 라미네이트.
  31. 중간 접착층으로 제14항, 제15항, 제17항, 제18항, 제20항, 제27항 또는 제28항 중의 한 항의 방법에 의해 제조된 2개 이상의 인쇄 회로를 함께 결합시킴으로써 제조된 다층 인쇄 회로.
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