KR890005834A - 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체장치의 평면도.
제2도는 제 1도에 도시된 A-A선의 단면도.
Claims (1)
- 비저항이 작은 반도체기판(1)과, 이 반도체기판(1)상에 형성되는 에피택셜층(2) 및, 이 에피택셜층(2)표면에 형성되는 반도체소자(3)(4)를 구비해서, 상기 반도체소자 (3)(4)로의 소정전위의 공급이 상기 반도체가 판(1)으로부터 상기 에피택셜층(2)을 매개로 이루어지도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초 출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP87-247358 | 1987-09-30 | ||
| JP62247358A JPS6489557A (en) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890005834A true KR890005834A (ko) | 1989-05-17 |
Family
ID=17162232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880012646A KR890005834A (ko) | 1987-09-30 | 1988-09-29 | 반도체장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6489557A (ko) |
| KR (1) | KR890005834A (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2602974B2 (ja) * | 1990-02-27 | 1997-04-23 | 株式会社東芝 | Ｃｍｏｓ半導体集積回路装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128655A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61131477A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61131476A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP62247358A patent/JPS6489557A/ja active Pending
-
1988
- 1988-09-29 KR KR1019880012646A patent/KR890005834A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6489557A (en) | 1989-04-04 |
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