KR880003483A - 반도체 스위칭 회로 - Google Patents

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KR880003483A
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스이찌로오 야마구찌
다께시 마쓰모두
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후지이 사다오
마쓰시다덴꼬오 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 스위칭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제너다이오드가 정전압 전도소자로서 사용되는 본 발명에 따른 반도체 스위칭히로의 일실시예의 회로도.
제2도는 출력 MOSFET를 OFF상태로부터 ON상태로 시프팅하는 입력전류 즉, 감도와 저항간의 관계.
제3도는 정전압 전도소자의 부재시의 반도체 스위칭회로의 응답속도와 입력전류간의 관계도.

Claims (4)

  1. 상기 광신호에 응답하는 광기전성 출력을 발생하기 위한 입력전류의 존재시에 광신호를 발생하는 광방사소자에 광학적 접속된 다이오드 어레이, 상기 광기전성 다이오드 어레이와 직렬로 접속된 저항, 게이트 및 소오스에 대한 상기 광기전성 출력의 인가에 따라 제1 임피이던스 상태로부터 제2 임피이던스 상태로 되도록 상기광기전성 다이오드 어레이에 접속된 출력 FET, 드레인 및 소오스가 상기 출력 FET의 게이트 및 소오스에 접속되고 게이트 및 소오스가 상기 저항의 양단에 접속되고 광기전성 다이오드 어레이에서의 상기 광기전성 출력의 발생에 따라 저항 양단에 걸린 전압에 의하여 오프상태로 바이어스 될 수 있는 디프레션 모드의 구동 FET, 및 상기 디프레선 모드 구동 FET의 드레스호울드 전압보다 높은 전압의 인가에 따라 전도성 있게 되도록 상기 저항에 병렬로 접속되고 상기 전도에 따른 전도전류로서 게이트와 소오스간의 충전 및 출력 FET의 드레인과 게이트간의 방전에 기여하는 정전압 전도 소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정전압 전도소자는 상기 구동 FET의 상기 드레스호울드 전압보다 높은 항복전압을 갖는 제너다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정전압 전도소자는 상기 구동 FET보다 높은 드레스 호울드 전압을 가지며 게이트와 드레인간이 단락회로인 인핸스먼트 모드 FET인 것을 특징으로 하는 반도체 스위칭회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 출력 FET는 MOSFET인 것을 특징으로 반도체 스위칭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870008570A 1986-08-11 1987-08-05 반도체 스위칭회로 KR900005818B1 (ko)

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JP188272 1986-08-11
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JP61255023A JPS63153916A (ja) 1986-08-11 1986-10-27 半導体スイツチ回路
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