KR900004108A - 파워 mos 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치 - Google Patents

파워 mos 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치 Download PDF

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엘리자베드 아삐쯔
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Abstract

내용 없음

Description

파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A-제1D도는 단자전압 및 인가된 제어신호에 관계하여 4개의 서로 다른 구성으로 본 발명의 모놀리딕 쌍방향 스위치의 실시예를 보인 개략도.
제2도는 복수의 바이어스 구성으로 제1A-제1D도에 보인 회로의 동작을 예시한 시간도표.
제3도는 본 발명의 모놀리딕 쌍방향 스위치의 실시예를 예시한 반도체층의 단면도.
제4도는 제1A-제1D도 회로에 대한 실제변형을 나타낸 도면.

Claims (8)

  1. -자체의 제어단자에 관계없이는 제1주전극(D1,D2)과 연결되며, 자체의 제어단자에 관계하에서는 스위치의 주단자(A1,A2)를 구성하는 제2주전극(S1,S2)과 연결된 두개의 주 파워 트랜지스터(TP1,TP2)와, -각각 상기 파워 트랜지스터(TP1,TP2)의 제어단자 및 제2주단자 사이에 있는 주단자와 연결되고, 자체의 게이트(g1,g2)가 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)의 제1공통 주전극과 연결된 두개의 보조 MOS 트랜지스터(T1,T2)와, -각각의 파워 트랜지스터의 제어단자(G1,G2)와 구동스위치의 제어단자(G) 사이에 각각 연결된 두개의 높은 값을 갖는 저항(R1,R2)으로 구성된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 스위칭 오프 지시를 세트시키도록 상기 제어단자(G)를 주전극에 연결하거나 또는 스위칭 온 지시를 세트시키도록 상기 주전극에 비하여 극성이 양(+)인 전압에 연결하는 수단(10,11)이 구성된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주 파워 트랜지스터(TP1,TP2)는 버어티컬 파워 MOS 트랜지스터로써 제1주전극은 드레인이고 제2주전극이 소오스로 된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  4. 제3항에 있어서, 보조 MOS 트랜지스터(T1,T2)의 드레시홀드 전압이 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)의 드레시홀드 전압에서 다이오드의 순방향 전압 강하를 뺀 값의 전압보다 낮게 선택되도록 된것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리틱 쌍방향 스위치.
  5. 제3항에 있어서, 전압 시프터가 상기 파워 트랜지스터의(TP1,TP2) 드레인으로의 공통 연결부와 게이트 사이에 있는 보조 트랜지스터의 게이트와 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리틱 쌍방향 스위치.
  6. 제3항에 있어서, 제너 다이오드(Z1,Z2)가 상기 보조 트랜지스터(T1,T2) 각각의 게이트 및 소오스 사이에 배열되고, 저항(R11,R22)이 보조 트랜지스터(T1,T2)의 각 게이트 및 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)의 공통 드레인 사이에 집적된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)가 다알링톤 회로의 바이폴러 트랜지스터와 결합된 것을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 파워 MOS 트랜지스터(TP1,TP2)가 게이트 제어 바이폴러 트랜지스터임을 특징으로 하는 파워 MOS 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890012437A 1988-08-31 1989-08-30 파워 mos 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치 KR900004108A (ko)

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