KR880001113A - 스위칭 가능한 부하 임피던스를 지닌 ecl 게이트 - Google Patents

스위칭 가능한 부하 임피던스를 지닌 ecl 게이트 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

스위칭 가능한 부하 임피던스를 지닌 ECL 게이트
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 사용한 ECL 게이트의 개략적인 회로도. 제2도는 다이오드의 전형적인 전류-전압 특성 곡선. 제3도는 본 발명이 사용되는 실시예의 회로도.

Claims (14)

  1. 실질적으로 논리출력 전압들을 보전하면서 고 전력모드와 저 전력모드 사이에서 공통 에미터 단자를 갖는 최소한 두개의 바이폴러 스위칭 트랜지스터들을 지닌 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치에 있어서, 상기 장치가 모드 제어신호에 응답하여 고 레벨 또는 저 레벨로 상기 모든 바이폴러 트랜지스터들을 통하여 바이어스 전류를 설정하는 장치 ; 및 상기 ECL 이 상기 고 바이어스 전류에서 동작하는 제1레벨의 임피던스로부터 상기 저 바이어스 전류 레벨에서 동작하는 제2의 높은 레벨로 부하 임피던스를 스위칭 하기 위하여 상기 모드제어신호에 연결된 장치를 포함하는 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  2. 제1항에 있어서, 바이어스 전류를 설정하는 상기 장치가 바이어스 전류 입력 단자와 상기 ECL 케이트의 상기 공통 에미터 단자에 연결된 공통 에미터 전류 출력 단자를 갖는 전류미터에 연결된 상기 모드 제어신호를 받기 위하여 입력에 연결된 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터이며, 상기 MOS 트랜지스터가 DC 바이어스 전압의 소스에 연결시키기 위한 전력 단자와 상기 전류 미러의 상기 바이어스 전류 입력 사이에 연결된 소스 및 드레인을 갖는 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터가 PMOS인 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 MOS 트랜지스터가 NMOS인 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  5. 제1항에 있어서, 스위칭하기 위한 상기 장치가 상기 ECL 게이트 내에 있는 각각의 바이폴러 스위칭 트랜지스터들에 관한 컬렉터 전류가 MOS 트랜지스터들의 하나를 통하여 흐르도록 상기 ECL 게이트에 연결된 소스와 드레인들을 갖는 최소한 두개의 MOS 트랜지스터, 및 상기 모드제어신호를 운반하기 위한 버스로 구성되어, 상기 저전력 바이어스 전류모드와 고 전력 바이어스 전력모드 사이 및 상기 두 임피던스 상태들 사이에서 스위칭 일으키기 위하여 상기 버스가 스위칭용 상기 장치와 바이어스 전류 설정용 상기 장치 모두의 상기 MOS 트랜지스터들의 케이트들에 연결된 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  6. 제5항에 있어서, 스위칭용 상지 장치내의 상기 MOS 트랜지스터가 PMOS인 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  7. 제5항에 있어서, 스위칭용 상기 장치내의 상기 MOS 트랜지스터가 NMOS인 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 바이폴러 스위칭 트랜지스터들 속으로 흐를 수 있는 컬렉터 전류를 통하여 부가적인 경로를 제공하기 위해서 스위칭용 상기 장치내에 있는 각각의 상기 MOS 트랜지스터의 소스와 드레인에 연결된 클랭핑 다이오드 장치를 더욱 포함하는 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 바이폴러 스위칭 트랜지스터들의 컬렉터들상의 전압을 미리 결정된 범위의 전압으로 클램핑하는 장치를 더욱 포함하는 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  10. 제8항에 있어서, 설정용 상기 장치와 스위칭용 상기 장치내의 MOS 트랜지스터들이, 상기 다이오드들을 60mv/decade영역에서 동작하도록 하는 전류의 양에 의해 스위칭용 상기 장치내에 있는 MOS 트랜지스터들이 상기 바이폴러 컬렉터 전류보다 적은 전류를 공급하도록 되는 도우핑과 역치 레벨을 갖는 크기인 ECL 게이트 전력 소비 변화용 장치.
  11. 논리게이트에 전력을 공급하는 전원입력과 상기 논리게이트의 DC 전압 입력 분기점 사이에 연결된 소스 분기점과 드레인 분기점, 및 고 임피던스 상태와 저 임피던스 상태 사이에서 MOS 트랜지스터를 스위칭시키는 모드제어신호를 운반하는 타인에 연결하기 위한 게이트를 지닌 MOS 트랜지스터 ; 상기 논리게이트를 통하여 조정된 바이어스 전류의 흐름을 제공하는 전류 미러 ; 및 상기 전류 미러용 전원 단자와 상기 전류 미러 내에있는 DC 전압 입력 분기점 사이에 연결된 소스 단자와 드레인 단자, 및 상기 모드제어신호에 연결하기 위한 게이트를 지니어 상기 전류 미러에 연결된 제2의 MOS 트랜지스터로 구성된 논리게이트를 위한 선택가능한 전력소비 제공용 장치.
  12. 베이스들, 에미터들과 컬렉터들을 지닌 두개의 바이폴러 트랜지스터들을 가지며, 고전력 소비, 고속도 스위칭 모드와 저전력 무효 모드 사이에서 ECL 회로를 스위칭하기 위하여 공유 에미터 라인으로 흐르는 공통 에미터 바이어스 전류를 기준 전위로 공유하도록 연결된 ECL 회로 동작방법에 있어서 상기 방법이 제1전류 레벨과 제2의 더 낮은 전류 레벨 사이에서 바이폴러 스위칭 트랜지스터들에 의해 공유된 공통에미터 바이어스 전류를 스위칭하는 단계 ; 및 컬렉터 측을 실질적으로 어느 모드의 동작으로도 변화하지 않는 기준 전위 전압차로 남겨놓기 위하여 상기 제1전류 레벨에서 동작하는 제1임피던스 상태로부터 상기 제2의 낮은 전류 레벨에서 동작하는 제2의 더 높은 임피던스 상태로 상기 바이폴러 스위칭 트랜지스터들용 부하 임피던스들을 동시에 스위칭하는 단계를 포함하는 ECL 회로 동작 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 두개의 상이한 전류 레벨들 사이에서 바이어스 전류를 스위칭하는 상기 단계가 공유 에미터 전류의 레벨을 제어하는 전류 미러의 바이폴러 트랜지스터의 컬렉터 전류 레벨을 전도시키고 제어하는 채널을 지닌 MOS 트랜지스터의 게이트에 모드 제어신호를 인가하여 상기 모드제어신호가 상기 제1레벨의 전류가 흐르도록하는 한 레벨과 상기 제2의 더 낮은 레벨의 에미터 바이어스 전류가 흐르도록 하는 다른 레벨의 최소한 두 레벨들을 갖도록 함으로써 수행되는 ECL 회로 동작 방법.
  14. 제13항에 있어서, 부하 임피던스를 스위칭하는 상기 단계가 상기 제1레벨과 제2레벨 사이에서 바이어스를 전류를 스위칭하기 위해 사용되는 동일한 모드제어신호를 제1부하 레벨과 제2부하 레벨 사이에서 MOS 트랜지스터를 스위칭하기 위해서 흐르는 바이폴러 스위칭 트랜지스터들의 컬렉터 전류를 통하여 MOS 트랜지스터들의 게이트들에 인가하는 단계를 포함하는 ECL 회로 동작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005652A 1986-06-05 1987-06-04 Ecl게이트의 전력소비를 변화시키는 장치 및 ecl회로를 동작시키는 방법 KR950005023B1 (ko)

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