KR880000966A - 메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리 장치 - Google Patents

메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR880000966A
KR880000966A KR870005730A KR870005730A KR880000966A KR 880000966 A KR880000966 A KR 880000966A KR 870005730 A KR870005730 A KR 870005730A KR 870005730 A KR870005730 A KR 870005730A KR 880000966 A KR880000966 A KR 880000966A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
clock generator
memory cell
address
semiconductor memory
memory device
Prior art date
Application number
KR870005730A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910000388B1 (ko
Inventor
쓰요시 오히라
도미오 나까노
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR880000966A publication Critical patent/KR880000966A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910000388B1 publication Critical patent/KR910000388B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치를 나타내며, 제4도는 제3도의 장치에 있는 클록발생기의 구조를 나타내며, 제5도는 제3도의 장치에 있는 블록선택기의 구조를 나타내며,

Claims (5)

  1. 각각의 메모리셀 블록이 행디코더 및 열디코더와 동작적으로 연결된 다수의 메모리셀 블록으로 구성된 메모리셀 어레이 ; 각각의 클록 발생기 부분이 상기 각각의 메모리셀 블록에 대응하는 다수의 클록 발생기 부분으로 구성되는 클록 발생기 수단 및 지정된 어드레스의 행어드레스에 일치하여 상기 클록 발생기 부분 중의 하나로 선택하기 위한 블록 선택기 수단으로 구성되며, 이에 의해 상기 선택된 메모리셀 블록에 대응하는 클록 발생기 부분만이 상기 지정된 어드레스에 의해 동작되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 클록 발생기 부분의 각각은 블록 선택기로부터 신호를 수신하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 클록 선택기는 다수의 NAND 게이트 및 반전기의 직렬 연결을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 NAND 게이트의 일입력단자는 어드레스 구동 발생기로부터 신호를 수신하며, 반면에 다른 입력단자는 어드레스 버퍼로부터 어드레스 비트를 수신하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 클록 발생기 부분의 각각은 워드 구동기와 센스증폭기 및 입력/출력 회로용 신호를 전달하기 위해 소정 지연 시간을 갖고 동작하는 직렬 연결된 버퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005730A 1986-06-06 1987-06-05 메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리장치 KR910000388B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61131443A JPS62287499A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 半導体メモリ装置
JP131443 1986-06-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880000966A true KR880000966A (ko) 1988-03-30
KR910000388B1 KR910000388B1 (ko) 1991-01-24

Family

ID=15058077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870005730A KR910000388B1 (ko) 1986-06-06 1987-06-05 메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4905201A (ko)
EP (1) EP0249413B1 (ko)
JP (1) JPS62287499A (ko)
KR (1) KR910000388B1 (ko)
DE (1) DE3789783D1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01220291A (ja) * 1988-02-29 1989-09-01 Nec Corp 半導体メモリ装置
US5208782A (en) * 1989-02-09 1993-05-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a plurality of memory blocks and a lead on chip (LOC) arrangement
US5093809A (en) * 1989-04-21 1992-03-03 Siemens Aktiengesellschaft Static memory having pipeline registers
JPH03180933A (ja) * 1989-12-08 1991-08-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd スタックメモリ
US5036493A (en) * 1990-03-15 1991-07-30 Digital Equipment Corporation System and method for reducing power usage by multiple memory modules
IL96808A (en) 1990-04-18 1996-03-31 Rambus Inc Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage
EP1022641B2 (en) * 1990-04-18 2015-07-01 Rambus Inc. System containing a plurality of DRAMS and a bus
US6751696B2 (en) 1990-04-18 2004-06-15 Rambus Inc. Memory device having a programmable register
US5159572A (en) * 1990-12-24 1992-10-27 Motorola, Inc. DRAM architecture having distributed address decoding and timing control
KR950010622B1 (ko) * 1992-05-20 1995-09-20 삼성전자주식회사 비트라인 센싱 제어회로
US5608896A (en) * 1992-05-28 1997-03-04 Texas Instruments Incorporated Time skewing arrangement for operating memory devices in synchronism with a data processor
JP2739802B2 (ja) * 1992-12-01 1998-04-15 日本電気株式会社 ダイナミックｒａｍ装置
JP2697633B2 (ja) * 1994-09-30 1998-01-14 日本電気株式会社 同期型半導体記憶装置
KR100214262B1 (ko) * 1995-10-25 1999-08-02 김영환 메모리 장치
GB2308469A (en) * 1995-12-22 1997-06-25 Motorola Inc Power conserving clocking system
KR100326268B1 (ko) 1998-10-28 2002-05-09 박종섭 디코딩시의동작마진확보를위한디코딩장치및그방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7314271A (nl) * 1973-10-17 1975-04-21 Philips Nv Vastestof-geheugeninrichting.
US3855580A (en) * 1974-01-11 1974-12-17 Gte Automatic Electric Lab Inc Memory system including addressing arrangement
US3935565A (en) * 1974-08-19 1976-01-27 Sperry Rand Corporation Signal generator comprising an addressable memory
US4183095A (en) * 1978-09-01 1980-01-08 Ncr Corporation High density memory device
JPS57118599U (ko) * 1981-01-14 1982-07-23
JPH0632217B2 (ja) * 1981-06-29 1994-04-27 富士通株式会社 半導体記憶装置
JPS58105489A (ja) * 1981-12-16 1983-06-23 Toshiba Corp ダイナミツクｒｏｍ
JPS60246088A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS618796A (ja) * 1984-06-20 1986-01-16 Nec Corp ダイナミツクメモリ
US4701843A (en) * 1985-04-01 1987-10-20 Ncr Corporation Refresh system for a page addressable memory

Also Published As

Publication number Publication date
US4905201A (en) 1990-02-27
DE3789783D1 (de) 1994-06-16
EP0249413A2 (en) 1987-12-16
KR910000388B1 (ko) 1991-01-24
EP0249413A3 (en) 1989-12-27
EP0249413B1 (en) 1994-05-11
JPS62287499A (ja) 1987-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880000966A (ko) 메모리셀 블록의 선택적 동작이 가능한 반도체 메모리 장치
KR850004684A (ko) 반도체 기억 장치
KR920008768A (ko) 반도체기억장치
KR890017706A (ko) 다이나믹형 반도체 기억장치
KR860004409A (ko) 반도체 기억장치
KR860003611A (ko) 반도체 메모리 장치
KR850008569A (ko) 반도체 메모리장치
KR870009397A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR850700177A (ko) 메모리 장치
KR860003603A (ko) 반도체 메모리
KR900000904A (ko) 반도체기억장치와 이것을 이용한 데이터패스(data path)
KR880011797A (ko) 반도체 기억장치
KR850002637A (ko) 반도체 기억장치
KR950006852A (ko) 고속동작을 위한 입출력라인구동방식을 가지는 반도체메모리장치
KR960030409A (ko) 반도체 기억장치
KR880011812A (ko) 반도체 기억장치내로 데이타를 병렬 입력시키기 위한 방법 및 이 방법을 수행하기 위한 회로
KR890015270A (ko) 반도체메모리장치
KR860006790A (ko) 반도체 기억장치
KR890004323A (ko) 반도체 기억장치
KR850004856A (ko) 프로그래머블 반도체 메모리장치
KR900002305A (ko) 반도체 기억장치
KR920020501A (ko) 반도체 기억 장치
KR930005036A (ko) 반도체 메모리 장치의 리던던트 셀어레이 배열방법
KR900002310A (ko) 반도체기억장치의 디코드방법 및 그 방법을 채택한 반도체 기억장치
US4868788A (en) Semiconductor memory device with improved word line drive circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060110

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee