KR870006571A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR870006571A
KR870006571A KR1019860005469A KR860005469A KR870006571A KR 870006571 A KR870006571 A KR 870006571A KR 1019860005469 A KR1019860005469 A KR 1019860005469A KR 860005469 A KR860005469 A KR 860005469A KR 870006571 A KR870006571 A KR 870006571A
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히데 유끼 오자끼
히데유끼 오자끼
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미쓰비시 뎅기 가부시끼가이샤
시기 모리야
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예에 의한 반도체 기억장치를 나타내는 회로도.
제2도는 페이지 모우드와 니블모우드 변환이 가능한 반도체 기억장치의 구성블록도.
제3도는 그 외부 RAS, 피부 CAS,RAS,CASN, øD, CAS의 각 신호파형도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : CASN버퍼회로(제1의 CAS버퍼회로)
2 : CAS퍼버회로(제2의 CAS버퍼회로) 101,102 : 제1, 제2의 저항체
103 : 제1의 MOS트랜지스터 104,105 : 제2, 제1의 휴우즈
107 : 스위치 108 : AND회로
109 : 전압원

Claims (5)

  1. 페이지 모우드와 니블 모우드의 기능이 동일 칩에서 스위치의 변환에 의해 선택적으로 실현되도록 구성된 반도체 기억장치에서 상기 스위치가 제1, 제2의 2매의 휴우즈(104)(105)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서 외부 CAS신호에 의해 제어되는 그 외부 CAS신호와 동시에 내부신호를 발생하는 제1의 CAS버퍼회로와 상기 스위치회로 및 그 스위치 회로의 출력과 외부 CAS신호와의 AND를 취하는 AND회로에 의해 형성되어 외부 CAS신호에 따라 제어 되는 제2의 CAS버퍼회로를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서 상기 스위치는 제2의 휴우즈를 접단하지 않을 때는 접지 전압이 상기 제2의 휴우즈를 절단하였을 때는 전원전압이 되도록 구성된 전압원과 게이트에 상기 전압원의 출력이 입력되어 소오스 끝이 제1의 휴우즈를 거쳐서 전원전압에 접속된 제1의 MOS트랜지스터에 의해서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서 상기 전압원은 전원과 접지사이에 직렬로 접속된 제1, 제2의 저항체 및 제2의 휴우즈로 되고 전원 끝에 접속되는 제1의 저항체의 저항치가 접지측에 접속되는 제2의 저항체의 저항치보다 충분히 크게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2의 휴즈는 레이저광에 의해 절단되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860005469A 1985-12-11 1986-07-07 반도체 기억장치 KR900001775B1 (ko)

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