KR860007748A - 개선된 부하 구동특성을 갖는 반도체 집적회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

개선된 부하 구동특성을 갖는 반도체 집적회로

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 의한 반도체 집적회로의 제1실시예를 나타내는 회로도.

제3도는 본 발명에 의한 반도체 집적회로의 제2실시예를 나타내는 회로도.

제4도는 본 발명에 의한 반도체 집적회로의 제3 실시예를

나타내는 회로도.

Claims (12)

1. 제1 전원공급단자 수단 및 제2 전원공급단자 수단과, 공통으로 연결된 게이트들을 갖는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터와, 상기 제1 및 제2트랜지스터들 각각의 각 소오스에 연결되는 입력단자 수단 및 출력단자 수단으로서, 출력전압 레벨은 상기 입력단자 수단에 공급되는 입력신호 전압레벨에 의해 상기 출력단자 수단으로부터 얻어지는 그러한 수단과, 그리고 상기 제2 트랜지스터를 통해 흐르는 제2전류에 비례하는 상기 제1 트랜지스터를 통해 제1 전류가 흐르고, 제2 전류의 값이 상기 출력단자 수단과 상기 제2 전원공급 단자 수단간에 연결된 부하의 값과 상기 출력저압 레벨에 따라 결정되며 또한 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 상기 게이트들에 공급되는 전압레벨은 상기 제2 전류의 값에 따라 변동되도록 동작하는 전류미러회로를 포함하는 것이 특징인 개선된 부하 구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
2. 제1항에서, 상기 제1 트랜지스터의 드레인은 상기 제1 및 제2 트랜지스터들에 연결되며, 상기 전류미러회로는 공통으로 연결된 게이트들을 갖는 한쌍의 트랜지스터들을 포함하되, 그 트랜지스터들 쌍의 각 소오스는 상기 제1 전원 공급단자 수단에 연결되며, 상기 쌍의 랜지스트터들중 하나의 드레인은 상기 제1 트랜지스터의 상기 드레인에 연결되며, 상기 쌍의 트랜지스터들의 상기 게이트들과 상기 쌍의 트랜지스터들중 다른 하나의 드레인은 상기 제2 트랜지스터의 드레인에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
3. 제1항에서, 다른 전류미러회로를 더 포함하되, 상기 다른 전류미러회로는 또다른 쌍의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 또다른 쌍의 트랜지스터들중 하나는 상기 입력단자 수단과 상기 제2 전원공급단자 수단간에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
4. 제1 전원공급단자 수단 및 제2 전원공급단자 수단과, 공통으로 연결된 게이트들을 갖는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터와, 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 각 에미터에 각각 연결되는 입력단자 수단과 출력단자 수단으로서, 출력전압레벨이 상기 입력단자 수단에 공급되는 입력신호전압 레벨에 따라 상기 출력단자 수단으로부터 얻어지는 그러한 수단과, 그리고 상기 제2트랜지스터를 통해 흐르는 제2전류에 비례하여 제1 트랜지스터를 통해 제1 전류가 흐르고, 제2전류의 값이 상기 출력단자 수단과 상기 제2전원 공급단자 수단간에 연결된 부하의 값과 상기 출력전압레벨에 따라 결정되며, 또한 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 상기 베이스들에 공급되는 전압레벨이 상기 제2 전류의 값에 따라 변화되도록 동작하는 전류미러회로를 포함하는 것이 특징인 개선된 부하 구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
5. 제4항에서, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터는 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 상기 베이스들에 연결되며, 또한 상기 전류 미러회로는 공통으로 연결된 베이스들을 갖는 한쌍의 트랜지스터들을 포함하되, 그 쌍의 트랜지스터들의 각 에미터는 상기 제1전원공급단자 수단에 연결되며, 상기 쌍의 트랜지스터들중 하나의 콜렉터는 상기 제1 트랜지스터의 상기 콜렉터에 연결되며, 상기 쌍의 트랜지스터들의 상기 베이스들과 상기 쌍의 트랜지스터들중 다른 하나의 콜렉터는 상기 제2 트랜지스터의 콜렉터에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
6. 제4항에서, 또다른 전류미러회로를 더 포함하되, 상기 또다른 전류 미러회로는 또다른 쌍의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 또다른 쌍의 트랜지스터들중 하는 상기 입력단자수단과 상기 제2 전원공급단자 수단간에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하 구동특성을 갖는 반도체 집적회로.
7. 제1 전원공급단자 수단 및 제2 전원공급단자 수단과, 공통으로 연결된 게이트들을 갖는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터들와,상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 각 소오스에 각각 연결되는 입력단자수단 및 또다른 단자수단으로서, 정전압레벨은 상기 입력단자 수단에 공급되는 입력신호정전압 레벨에 따라 상기 또다른 단자수단으로부터 얻어지는 그러한 수단과, 그리고 제1 전류가 상기 제2 트랜지스터를 통해 흐르는 제2 전류에 비례하여 상기 제1 트랜지스터를 통해 흐르고, 제2전류의 값이 상기 또다른 단자수단과 상기 제2전원 공급단자 수단간에 연결된 가변저항의 저항값과 상기 정전압레벨에 따라 결정되며, 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 상기 게이트들에 공급되는 전압레벨은 상기 제2전류의 값에 따라 변화되고 또한 예정된 정전류는 상기 제2 전류의 값에 따라 상기 출력단자 수단으로부터 출력되도록 동작하며 또한 출력단자 수단을 갖고있는 전류미러 회로를 포함하는 것이 특징인 개선된 부하 구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
8. 제7항에서, 상기 제1트랜지스터의 드레인은 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 상기 게이트들에 연결되며, 상기전류 미러회로는 공통으로 연결된 게이트들을 갖는 한쌍의 트랜지스터들과 또다른 트랜지스터들을 포함하되, 그쌍의 트랜지스터들과 또다른 트랜지스터의 각 소오스는 상기 제1전원공급단자 수단에 연결되며, 상기 쌍의 트랜지스터들의 드레인은 상기 제1트랜지스터의 상기 드레인에 연결되며, 상기 쌍의 트랜지스터들의 상기 게이트들과 상기쌍의 트랜지스터의 다른 것의 드레인은 상기 제2 트랜지스터의 드레인에 연결되며, 상기 또다른 트랜지스터의 드레인은 상기 출력단자 수단에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
9. 제7항에서, 또다른 전류미러회로를 더포함하되, 상기 또다른 전류미러회로는 또다른 쌍의 트랜지스터들을 포함하며,상기 또다른 쌍의 트랜지스터들중 하나는 상기 입력단자 수단과 상기 제2 전원공급단자 수단간에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
10. 제1전원공급단자 수단 및 제2전원공급단자 수단과, 공통으로 연결된 베이스들을 갖는 제1 트랜지스터 및 제2트랜지스터와, 상기 제1 및 제2트랜지스터들의 각 에미터에 각각 연결되는 입력단자 수단과 또다른 단자 수단으로서, 정전압레벨이 상기 입력단자 수단에 공급되는 입력 신호정전압레벨에 따라 상기 또다른 단자수단으로부터 얻어지는 그러한 수단과, 그리고 제1전류가 상기 제2 트랜지스터를 통해 흐르는 제2전류에 비례하여 상기 제1트랜지스터를 통해 흐르고, 제2전류의 값은 상기 또다른 단자 수단과 상기 제2전원공급단자 수단간에 연결되는 가변저항기의 저항값과 상기 정전압레벨에 따라 결정되며, 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 상기 베이스들에 공급되는 전압레벨은 상기 제2 전류의 값에 따라 변동되며 또한 예정된 정전류는 상기 제2 전류의 값에 따라 상기 출력단자 수단으로부터 출력되는 것이 특징인 개선된 부하 구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
11. 제10항에서, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터는 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 상기 베이스들에 연결되며, 또한 상기 전류 미러회로는 공통으로 연결된 베이스들을 갖는 한쌍의 트랜지스터들과 또다른 트랜지스터를 포함하되, 그쌍의 트랜지스터들과 또다른 트랜지스터의 각 에미터는 상기 제1전원공급단자 수단에 연결되며, 상기 1쌍의 트랜지스터들중 하나의 콜렉터는 상기 제1 트랜지스터의 상기 콜렉터에 연결되면, 상기 쌍의 트랜지스터들의 상기 베이스들과 상기 쌍의 트랜지스터들의 다른 것의 콜렉터는 상기 제2 트랜지스터의 콜렉터에 연결되며 상기 또다른 트랜지스터의 콜렉터는 상기 출력단자 수단에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.
12. 제10항에 있어서, 또다른 전류미러회로를 더 포함하되, 상기 또다른 전류미러회로는 또다른 쌍의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 또다른 쌍의 트랜지스터들중 하나는 상기 입력단자 수단과 상기 제2 전원공급 단자 수단간에 연결되는 것이 특징인 개선된 부하 구동 특성을 갖는 반도체 집적회로.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.