KR860003664A - 칩온칩(Chip-on-Chip)반도체 장치 - Google Patents

칩온칩(Chip-on-Chip)반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR860003664A
KR860003664A KR1019850007311A KR850007311A KR860003664A KR 860003664 A KR860003664 A KR 860003664A KR 1019850007311 A KR1019850007311 A KR 1019850007311A KR 850007311 A KR850007311 A KR 850007311A KR 860003664 A KR860003664 A KR 860003664A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
input
control signal
output
circuit
Prior art date
Application number
KR1019850007311A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900005148B1 (ko
Inventor
시게루 후지이
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR860003664A publication Critical patent/KR860003664A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900005148B1 publication Critical patent/KR900005148B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/3185—Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
    • G01R31/318505—Test of Modular systems, e.g. Wafers, MCM's
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

칩온칩(Chip-on-Chip)반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 칩온칩형 반도체 장치의 회로의 요부를 나타내는 회로계통도.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 칩온칩형 반도체 장치의 회로의 요부를 나타내는 회로계통도.
제4도는 본 발명의 제3실시예에 의한 칩온칩형 반도체 장치의 회로의 요부를 나타내는 회로계통도.

Claims (10)

  1. 제1칩과 상기 제1칩상에 장치되는 제2칩을 포함하되, 상기 제1 및 제2칩들은 제각기 그위에 형성된 제1 및 제2 내부회로들을 가지며, 상기 제1칩은 : 상기 제1 내부회로를 위해 구비되는 입력 및 출력노드들과, 상기 제1칩의 내부영역에 형성되는 것으로, 입력 및 출력단자들로서, 상기 제2내부회로로부터 입력신호를 수신하기 위한 상기 입력단자와 상기 제1 내부회로의 상기 출력노드에 연결되는 상기 출력단자와, 제1 및 제2 입력노드들과 출력노드를 갖는 선택회로로서, 상기 출력단자와 상기 입력단자에 제각기 연결되는 상기 선택회로의 상기 제1 및 제2 입력 노드들과 상기 제1 내부회로의 상기 입력노드에 연결되는 상기선택회로의 상기 출력노드와, 그리고 상기 선택회로에 대한 제어신호들을 수신하기 위한 제어신호 입력단자로서, 상기 제1칩의 주변영역에 형성되어 상기 선택회로에 연결되는 상기 제어신호 입력단자와 상기 제어신호들에 의해 상기 입력단자 또는 상기 출력단자에 연결하도록 상기 제1 내부회로의 상기 입력노드를 스위칭하는 상기 선택회로와를 포함하는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  2. 제1항에서, 상기 선택회로는 두개의 제어신호 입력들을 갖는 앤드-오아-인버어터 게이트와 상기 제어신호 입력들중 하나에 연결되는 인버어터를 포함하는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  3. 제1항에서, 상기 선택회로는 각각 입력과 인버어터를 갖는 두 이송게이트들을 포함하되, 상기 이송 게이트들은 상기 인버어터에 연결되는 공통 출력을 가지며, 상기 이송게이트중 하나는 그의 입력에 연결되는 다른 인버어터를 갖는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  4. 제1칩과 상기 제1 칩상에 장치되는 제2칩을 포함하되, 상기 제1 및 제2 칩들은 제각기 그위에 형성된 제1 및 제2내부 회로들을 가지며, 상기 제1칩은 : 상기 제1내부회로를 위해 구비되는 입력 및 출력노드들과, 상기 제1칩의 내부영역에 형성되는 것으로, 입력 및 출력단자들로서, 상기 제2내부회로로부터 입력신호를 수신하기 위한 상기 입력단자와 상기 제1내부회로의 상기 출력노드에 연결되는 상기 출력단자와, 제1 및 제2 입력노드들과 출력노드를 갖는 선택회로로서, 상기 출력단자와 상기 입력단자에 제각기 연결되는 상기 선택회로의 상기 제1 및 제2입력 노드들과 상기 제1내부회로의 상기 입력노드에 연결되는 상기 선택회로의 상기 출력노드와, 상기 선택회로에 대한 제어신호들을 수신하기 위한 제어신호 입력단자로서, 상기 제1칩의 상기 내부영역에 형성되어 상기선택회로에 연결되는 상기 제어신호 입력단자와, 그리고 상기 제어신호 입력단자와 전압원간에 연결되는 한정된 임피던스를 갖는 임피던스 수단을 포함하며, 그리고 상기 제2칩은 : 상기 제1칩의 상기 제어신호 입력단자에 연결될 제어신호 출력단자와, 그리고 상기 제2 칩상에 형성되는 바이어싱 수단으로서, 상기 바이어싱 수단은 상기 제2칩의 상기 제어신호 출력단자에 연결되며 상기 제2칩의 상기 제어신호 출력단자와 상기 제1칩의 상기 제어신호 입력단자간의 배선완료후 예정된 전압에서 상기 제1칩의 상기 제어신호 입력단자를 클램핑시키며, 상기 선택회로는 상기 제1칩의 상기 제어신호 입력단자와 상기 제2칩의 상기 제어신호 출력단자사이의 배선완료전에 상기 임피던스 수단을 통하여 공급되는 전압에 의해 상기 제1칩의 상기 출력(입력) 단자로 상기 제1 내부회로의 상기 입력노드를 스위칭시키며, 상기 선택회로는 상기 제1칩의 상기 제어신호 입력단자와 상기 제2칩의 상기 제어신호 출력단자간의 배선완료후 상기 바이어싱 수단으로 부터 공급되는 상기 예정전압에 의해 상기 제1칩의 상기 입력(출력)단자로 상기 제1내부회로의 상기 입력노드를 스위칭시키는 바이어싱 수단을 포함하는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  5. 제4항에서, 상기 제어신호 출력단자는 상기 제2칩의 주변영역에 형성되는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  6. 제4항에서, 상기 바이어싱 수단은 상기 제2칩의 상기 제어신호 출력단자에 연결되는 출력과 전원 공급라인에 연결되는 입력을 갖는 구동회로이며, 상기 구동회로는 상기 임피던스 수단의 임피던스보다 더 작은 출력임피던스를 갖는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  7. 제4항에서, 상기 선택회로는 두 제어신호 입력들과 상기 제어신호 입력들중 하나에 연결되는 인버어터를 갖는 AND-0R-인버어터 게이트를 포함하는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  8. 제4항에서, 상기 선택회로는 두 이송게이트들과 인버어터를 포함하며, 상기 이송게이트들은 상기 인버어터에 연결되는 공통출력을 가지며, 상기 이송게이트들중 하나는 그의 입력에 연결된 다른 인버어터를 가지는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  9. 제4항에서, 상기 임피던스 수단은 상기 제1칩의 상기 제어신호 입력단자와 전압원사이에 연결되는 소오스와 드레인을 갖는 MIS(금속절연 반도체) 트랜지스터이며, 상기 MIS 트랜지스터는 예정된 전압에서 클램프되는 게이트를 갖는 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
  10. 제4항에서, 상기 전압은 전원 공급라인인 것이 특징인 칩온칩 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850007311A 1984-10-05 1985-10-04 칩온칩(chip-on-chip)반도체 장치 KR900005148B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59209236A JPS6188538A (ja) 1984-10-05 1984-10-05 半導体装置
JP59-209236 1984-10-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860003664A true KR860003664A (ko) 1986-05-28
KR900005148B1 KR900005148B1 (ko) 1990-07-20

Family

ID=16569610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850007311A KR900005148B1 (ko) 1984-10-05 1985-10-04 칩온칩(chip-on-chip)반도체 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4697095A (ko)
EP (1) EP0180776B1 (ko)
JP (1) JPS6188538A (ko)
KR (1) KR900005148B1 (ko)
DE (1) DE3585309D1 (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2605687B2 (ja) * 1986-04-17 1997-04-30 三菱電機株式会社 半導体装置
US4825098A (en) * 1986-12-17 1989-04-25 Fujitsu Limited Bidirectional semiconductor device having only one one-directional device
JPH06105757B2 (ja) * 1987-02-13 1994-12-21 富士通株式会社 マスタ・スライス型半導体集積回路
US4761567A (en) * 1987-05-20 1988-08-02 Advanced Micro Devices, Inc. Clock scheme for VLSI systems
KR910003593B1 (ko) * 1987-12-30 1991-06-07 삼성전자 주식회사 고집적도 메모리용 모드 선택회로
US4866309A (en) * 1988-07-18 1989-09-12 Western Digital Corporation Multiplexed bus architecture for configuration sensing
US5162675A (en) * 1989-04-14 1992-11-10 Digital Communications Associates, Inc. Dual personal computer architecture peripheral adapter board and circuit
JP2839547B2 (ja) * 1989-05-02 1998-12-16 株式会社東芝 半導体集積回路装置
NL8902964A (nl) * 1989-12-01 1991-07-01 Philips Nv Op substraat geintegreerd teststelsel.
US5079442A (en) * 1990-03-28 1992-01-07 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus adaptable for use as a replacement output driver in a signal generating circuit
US5128723A (en) * 1991-05-06 1992-07-07 Xerox Corporation Scavengeless development system having toner deposited on a doner roller from a toner mover
CA2067599A1 (en) * 1991-06-10 1992-12-11 Bruce Alan Smith Personal computer with riser connector for alternate master
US5714802A (en) * 1991-06-18 1998-02-03 Micron Technology, Inc. High-density electronic module
JP2665285B2 (ja) * 1991-09-12 1997-10-22 三菱電機株式会社 半導体集積回路
JP3036233B2 (ja) * 1992-06-22 2000-04-24 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5502333A (en) * 1994-03-30 1996-03-26 International Business Machines Corporation Semiconductor stack structures and fabrication/sparing methods utilizing programmable spare circuit
US5686843A (en) * 1995-06-30 1997-11-11 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for burn-in stressing and simultaneous testing of semiconductor device chips in a multichip module
US5550496A (en) * 1995-07-31 1996-08-27 Hewlett-Packard Company High speed I/O circuit having a small voltage swing and low power dissipation for high I/O count applications
US5625631A (en) * 1996-04-26 1997-04-29 International Business Machines Corporation Pass through mode for multi-chip-module die
US5923090A (en) * 1997-05-19 1999-07-13 International Business Machines Corporation Microelectronic package and fabrication thereof
US5900777A (en) * 1998-05-04 1999-05-04 International Business Machines Corporation Method for interconnecting CMOS chip types
JP3495281B2 (ja) * 1999-02-04 2004-02-09 ローム株式会社 半導体装置
JP2000227457A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP3754221B2 (ja) * 1999-03-05 2006-03-08 ローム株式会社 マルチチップ型半導体装置
US6456101B2 (en) 1999-04-07 2002-09-24 Agere Systems Guardian Corp. Chip-on-chip testing using BIST
KR100335481B1 (ko) 1999-09-13 2002-05-04 김덕중 멀티 칩 패키지 구조의 전력소자
US6559531B1 (en) 1999-10-14 2003-05-06 Sun Microsystems, Inc. Face to face chips
JP3831593B2 (ja) * 2000-09-21 2006-10-11 三洋電機株式会社 マルチチップモジュール
US7262492B2 (en) * 2004-09-28 2007-08-28 Intel Corporation Semiconducting device that includes wirebonds
DE102005008322B4 (de) * 2005-02-23 2017-05-24 Infineon Technologies Ag Signalübertragungsanordnung und Signalübertragungsverfahren
US8146046B2 (en) * 2006-03-23 2012-03-27 International Business Machines Corporation Structures for semiconductor structures with error detection and correction
US7526698B2 (en) * 2006-03-23 2009-04-28 International Business Machines Corporation Error detection and correction in semiconductor structures
KR100915822B1 (ko) * 2007-12-11 2009-09-07 주식회사 하이닉스반도체 바운더리 스캔 테스트 회로 및 바운더리 스캔 테스트 방법
KR20120118538A (ko) * 2011-04-19 2012-10-29 삼성전자주식회사 멀티 칩 패키지, 이의 제조 방법, 및 멀티 칩 패키지를 포함하는 메모리 시스템

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055754A (en) * 1975-12-22 1977-10-25 Chesley Gilman D Memory device and method of testing the same
US4071902A (en) * 1976-06-30 1978-01-31 International Business Machines Corporation Reduced overhead for clock testing in a level system scan design (LSSD) system
US4103182A (en) * 1976-09-01 1978-07-25 Hewlett-Packard Company Programmable transfer gate array
US4350906A (en) * 1978-06-23 1982-09-21 Rca Corporation Circuit with dual-purpose terminal
JPS57208154A (en) * 1981-06-17 1982-12-21 Nec Corp Semiconductor device
US4446390A (en) * 1981-12-28 1984-05-01 Motorola, Inc. Low leakage CMOS analog switch circuit
JPS58115372A (ja) * 1981-12-29 1983-07-09 Fujitsu Ltd 半導体装置試験回路
JPS58154254A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Hitachi Ltd 半導体装置
US4509008A (en) * 1982-04-20 1985-04-02 International Business Machines Corporation Method of concurrently testing each of a plurality of interconnected integrated circuit chips
US4558447A (en) * 1983-02-28 1985-12-10 International Business Machines Corporation Self-testing facilities of off-chip drivers for processor and the like
JPS6094756A (ja) * 1983-10-29 1985-05-27 Toshiba Corp 半導体装置
US4612499A (en) * 1983-11-07 1986-09-16 Texas Instruments Incorporated Test input demultiplexing circuit

Also Published As

Publication number Publication date
EP0180776A3 (en) 1988-12-14
US4697095A (en) 1987-09-29
DE3585309D1 (de) 1992-03-12
EP0180776B1 (en) 1992-01-29
EP0180776A2 (en) 1986-05-14
JPS6188538A (ja) 1986-05-06
KR900005148B1 (ko) 1990-07-20
JPH0351306B2 (ko) 1991-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860003664A (ko) 칩온칩(Chip-on-Chip)반도체 장치
KR930008859A (ko) 직류 전류를 제거한 데이타 출력 버퍼
KR890013862A (ko) 전압레벨 변환회로
KR880001111A (ko) 반도체 집적회로
KR840008075A (ko) 스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치
KR880010576A (ko) 논리회로
KR930001585A (ko) 출력 회로 및 반도체 집적 회로 장치
KR880011800A (ko) 데이터출력버퍼회로를 갖춘 반도체장치
KR950007285A (ko) 플립플롭형 증폭 회로
KR860000719A (ko) 상보형(相補型)Bi-MIS 게이트회로
KR910002127A (ko) 전원절환회로
KR900019041A (ko) 반도체 메모리
KR940003448A (ko) 반도체 기억장치
KR930006875A (ko) 집적회로
KR960042745A (ko) 다수개의 스위칭 수단을 가지는 다용도 패드를 구비한 반도체 메모리장치
US5155398A (en) Control circuit for high power switching transistor
KR940004833A (ko) 씨엠오에스(cmos)회로의 래치업 저감출력 드라이버 및 래치업 저감방법
KR880004398A (ko) 비교회로
KR880013170A (ko) 반도체 기억장치
DE59510811D1 (de) Verfahren zum schalten von höheren spannungen auf einem halbleiterchip
JP2548813B2 (ja) ガリウム砒素半導体集積回路
JPS59200524A (ja) Ｃｍｏｓマルチプレクサ
KR970024603A (ko) 슈미트 트리거회로
KR970051304A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이터 입 / 출력 회로
KR930014570A (ko) 출력버퍼회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030708

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee