KR840008075A - 스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치 - Google Patents

스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치 Download PDF

Info

Publication number
KR840008075A
KR840008075A KR1019840000426A KR840000426A KR840008075A KR 840008075 A KR840008075 A KR 840008075A KR 1019840000426 A KR1019840000426 A KR 1019840000426A KR 840000426 A KR840000426 A KR 840000426A KR 840008075 A KR840008075 A KR 840008075A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor integrated
integrated circuit
control signal
circuit
redundant
Prior art date
Application number
KR1019840000426A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900001740B1 (ko
Inventor
마사노부 요시다 (외 1)
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR840008075A publication Critical patent/KR840008075A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900001740B1 publication Critical patent/KR900001740B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/785Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes
    • G11C29/789Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes using non-volatile cells or latches
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/83Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 리던던트회로를 갖춘 반도체 메모리장치의 개략도,
제3도 및 제4도는 제2도에 표시된 장치에 사용된 퓨우즈용단 제어회로의 일예도,

Claims (2)

  1. 스위칭 제어신호를 발생하기 위한 반도체 집적회로 장치에 있어서, 1쌍의 상호접속된 상보형 MOS 전계효과 트랜지스터(CMOS FET)형 인버어터로 이루어진 플립플롭회로 및 전원에 접속된 한단자와 상기 플립플 롭회로에 접속된 타단을 가진 퓨우즈로 이루어지며 상기 플립플롭회로는 상기 퓨우즈의 용단 또는 비용단상태에 따라서 스위칭 제어신호를 발생하는 것을 특징으로 하는 스위칭 제어신호 발생용 반도체집적 회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 집적회로장치는 리던던트회로 를갖춘 반도체 기억장치내의 스위칭 제어 신호발생회로에 사용되며, 상기 반도체 기억장치는: 정규반도체 집적회로; 리던던트반도체 집적회로; 상기 정규 반도체집적회로에 접속되어 상기 리던던트 반도체집적회로에 의해 상기 정규 반도체 집적회로들중의 하나를 선택적으로 대체하는 것을 제공하기 위한 스위칭회로; 상기 리던던트반도체 집적회로에 접속된 스위칭회로; 상기 정규 반도체 집적회로에 접속된 상기 스위칭회로에 접속된 출력버퍼회로; 및 입력신호 및 리던던트 제어신호에 따라서 퓨우즈용단 제어신호를 발생하기 위하여 상기 정규 및 리던던트 반도체 집적회로에 대응하는 퓨우즈용단 제어회로를 포함하여; 상기 발생된 퓨우즈용단 제어신호는 제1항에 따른 상기 반도체 집적회로장치에 공급되며; 제1항에 따른 상기 반도체 집적회로장치로부터 발생된 스위칭제어신호는 상기 정규반도체 집적회로에 접속된 상기 스위칭회로 및 상기 리던던트 반도체 집적회로에 접속된 상기 스위칭회로에 공급되는것을 특징으로 하는 스위칭제어신호 발생용 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840000426A 1983-02-04 1984-01-31 스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치 KR900001740B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP???58-016273 1983-02-04
JP16273 1983-02-04
JP58016273A JPS59142800A (ja) 1983-02-04 1983-02-04 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR840008075A true KR840008075A (ko) 1984-12-12
KR900001740B1 KR900001740B1 (ko) 1990-03-19

Family

ID=11911933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019840000426A KR900001740B1 (ko) 1983-02-04 1984-01-31 스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4614881A (ko)
EP (1) EP0116440B1 (ko)
JP (1) JPS59142800A (ko)
KR (1) KR900001740B1 (ko)
CA (1) CA1208310A (ko)
DE (1) DE3482343D1 (ko)
IE (1) IE55824B1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2576132B1 (fr) * 1985-01-15 1990-06-29 Eurotechnique Sa Memoire en circuit integre
US4689494A (en) * 1986-09-18 1987-08-25 Advanced Micro Devices, Inc. Redundancy enable/disable circuit
JPH0677400B2 (ja) * 1987-11-12 1994-09-28 シャープ株式会社 半導体集積回路装置
NL8800846A (nl) * 1988-04-05 1989-11-01 Philips Nv Geintegreerde schakeling met een programmeerbare cel.
US5204990A (en) * 1988-09-07 1993-04-20 Texas Instruments Incorporated Memory cell with capacitance for single event upset protection
JPH0289299A (ja) * 1988-09-27 1990-03-29 Nec Corp 半導体記憶装置
US4908525A (en) * 1989-02-03 1990-03-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Cut-only CMOS switch for discretionary connect and disconnect
JPH07105159B2 (ja) * 1989-11-16 1995-11-13 株式会社東芝 半導体記憶装置の冗長回路
US5038368A (en) * 1990-02-02 1991-08-06 David Sarnoff Research Center, Inc. Redundancy control circuit employed with various digital logic systems including shift registers
JP3001252B2 (ja) * 1990-11-16 2000-01-24 株式会社日立製作所 半導体メモリ
JPH0831279B2 (ja) * 1990-12-20 1996-03-27 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 冗長システム
FR2684206B1 (fr) * 1991-11-25 1994-01-07 Sgs Thomson Microelectronics Sa Circuit de lecture de fusible de redondance pour memoire integree.
US5319592A (en) * 1992-11-25 1994-06-07 Fujitsu Limited Fuse-programming circuit
US5440246A (en) * 1994-03-22 1995-08-08 Mosel Vitelic, Incorporated Programmable circuit with fusible latch
US6100747A (en) * 1994-05-30 2000-08-08 Stmicroelectronics, S.R.L. Device for selecting design options in an integrated circuit
EP0797144B1 (en) * 1996-03-22 2002-08-14 STMicroelectronics S.r.l. Circuit for detecting the coincidence between a binary information unit stored therein and an external datum
IT1286037B1 (it) * 1996-10-25 1998-07-07 Sgs Thomson Microelectronics Circuito per la abilitazione selettiva di una pluralita' di alternative circuitali di un circuito integrato
DE69712302T2 (de) 1996-12-31 2002-10-24 St Microelectronics Inc Struktur und Bauelement zur Auswahl von Entwurfsmöglichkeiten in einem integrierten Schaltkreis
US5889414A (en) * 1997-04-28 1999-03-30 Mosel Vitelic Corporation Programmable circuits
US6163492A (en) 1998-10-23 2000-12-19 Mosel Vitelic, Inc. Programmable latches that include non-volatile programmable elements
US6084803A (en) * 1998-10-23 2000-07-04 Mosel Vitelic, Inc. Initialization of non-volatile programmable latches in circuits in which an initialization operation is performed
US6621319B1 (en) * 1999-09-29 2003-09-16 Agere Systems Inc. Edge-triggered toggle flip-flop circuit
TWI251900B (en) * 2005-02-15 2006-03-21 Neotec Semiconductor Ltd Trimming fuse with latch circuit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4228528B2 (en) * 1979-02-09 1992-10-06 Memory with redundant rows and columns
JPS5685934A (en) * 1979-12-14 1981-07-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Control signal generating circuit
US4358833A (en) * 1980-09-30 1982-11-09 Intel Corporation Memory redundancy apparatus for single chip memories
US4446534A (en) * 1980-12-08 1984-05-01 National Semiconductor Corporation Programmable fuse circuit
US4546455A (en) * 1981-12-17 1985-10-08 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US4459685A (en) * 1982-03-03 1984-07-10 Inmos Corporation Redundancy system for high speed, wide-word semiconductor memories

Also Published As

Publication number Publication date
EP0116440A2 (en) 1984-08-22
EP0116440B1 (en) 1990-05-23
DE3482343D1 (de) 1990-06-28
JPS6236316B2 (ko) 1987-08-06
IE840263L (en) 1984-08-04
IE55824B1 (en) 1991-01-30
CA1208310A (en) 1986-07-22
EP0116440A3 (en) 1986-05-14
KR900001740B1 (ko) 1990-03-19
JPS59142800A (ja) 1984-08-16
US4614881A (en) 1986-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR840008075A (ko) 스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치
KR920000072A (ko) 반도체 집적회로
KR840008097A (ko) 기판 바이어스 전압제어회로 및 방법
KR890009068A (ko) 레벨변환회로
KR970017598A (ko) 반도체 장치 및 그 제어 회로
KR870006701A (ko) 출력제한 전류비를 제공하는 출력버퍼 및 제어회로
KR900019385A (ko) 스위칭 유도 잡음을 감소시키는 출력 버퍼
KR930003556A (ko) 점진적 턴-온 특성의 cmos 구동기
KR860000719A (ko) 상보형(相補型)Bi-MIS 게이트회로
KR920000177A (ko) 반도체 집적회로장치
KR870009528A (ko) 버퍼회로
KR890010903A (ko) 고집적도 메모리용 모드 선택회로
KR910002127A (ko) 전원절환회로
KR910016077A (ko) 반도체집적회로
KR860004380A (ko) 반도체 메모리 장치
KR880009375A (ko) 씨모오스 어드레스 버퍼
KR900013718A (ko) 수직 퓨즈 어레이용 고속 ecl입력 버퍼
KR930006875A (ko) 집적회로
KR970031312A (ko) 3-상태회로의 출력 안정화회로
KR970071797A (ko) 지연조정이 용이한 반도체 메모리 장치
KR910016008A (ko) 메모리 소자의 저소비 전력 리던던시(Redundancy) 회로
KR890007286A (ko) 제어신호 출력회로
KR910017743A (ko) 레벨변환회로
KR890001283A (ko) 발생기 회로
KR880004655A (ko) 전송 게이트 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19930305

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee