KR840007310A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 n채널 궁핍모드 캐스코드 MOSFET 및 JFET 증폭기에 대한 단면도와 회로도.
제3도 및 제4도는 n채널 성장 모드 캐스코드 MOSFET 및 JFET 증폭기에 대한 단면도와 회로도.

Claims (18)

  1. 제1전도형 기판과, 기판에 서로 예정된 간격으로 형성되고 제1전도형과는 다른 제2전도형으로 구성된 소스영역 및 드레인 영역과, 소스영역과 접촉하도록 형성된 소스전극과, 드레인 영역과 접촉하도록 형성된 드레인 전극과, 기판위에 배치된 것으로 기판과 근접하게 접촉하는 게이트 장벽과, 게이트장벽 부분과 접촉하도록 형성된 게이트 전극을 포함하는 반도체 장치로서, 채널도체(16), (17)는 소스영역(12)과 드레인 영역(14) 사이에 전도 선로를 제공하기 위해 소스영역(12)과 드레인 영역(12) 사이의 기판(10)에 형성되고, 상기 채널도체는 제2전도형으로 구성되며 채널과 기판과 드레인 접촉 사이에 접합형 전계효과 트랜지스터 작용을 할 수 있는 예정된 도핑농도 및 두께를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 게이트 전극(22)은 게이트 전극이 소스 영역 및 드레인 영역을 덥지 않는 방식으로 채널도체(16) 위에만 배치되는 게이트 장벽(18) 부분위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 제1전도형태(40)는 n형으로 구성되며 제2전도형태(46)는 p형으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 제1전도형태(40)는 p형으로 구성되며 제2전도형태(16)는 n형으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 게이트 장벽은 삽입 물질층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 게이트 장벽은 쇼트키 접촉을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1항에 있어서, 게이트 장벽은 제2전도형 기판물질을 포함하며 이에 의해 게이트 장벽(18) 과 기판(10) 사이에 pn 접합을 형성하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제1항에 있어서, 채널도체(16)는 소스영역(12)과 드레인 영역(14) 사이로 연장되며 소스영역(12) 및 드레인 영역(14)과 근접하게 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서, 채널도체는 소스 삽입도체(15) 및 드레인 삽입도체(17)가 분리된 상태로 유지되는 방식으로 소스영역(12)과 근접하게 접촉하는 소스 삽입도체(15)와, 드레인 영역(14)과 근접하게 접촉하는 드레인 삽입도체를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제1항에 있어서, 기판은 붕소도핑형 실리콘 물질을 구비하며, 소스 영역, 드레인 영역 및 채널도체는 비소 도핑형 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제9항에 있어서, 반도체 장치는 서로 분리된 관계를 유지하는 제9도의 드레인 영역(14) 옆의 기판에 형성되는 제9도의 제2전도형 기판 세삽입영역(40)과, 기판 삽입영역(40)에서 서로 예정된 간격으로 분리되어 형성된 제1전도형으로 구성된 제2소스영역(42) 및 제2드레인 영역(44)과, 제2소스영역(42)과 접촉하도록 형성된 제2소스전극(202)과, 상기 제2드레인 영역(44)과 접촉하도록 형성된 제2드레인전극(242)과 기판 삽입 영역위에 배치되어 기판 삽입 영역과 근접하게 접촉하는 제2게이트 장벽(182)과, 제2게이트 장벽(182) 부분과 접촉하도록 형성된 제2게이트 전극 (222)과 제2소스 영역(42)과 제2드레인영역(44) 사이에 전도선로를 제공하기 위해 제2소스영역(42)과 제2드레인 영역(44) 사이의 기판 삽입 영역(40)에 형성되는 제2채널 도체(47)로서 제1전도형으로 구성되고 제2채널도체 및 기판삽입 영역과 제2드레인 접촉 사이에 접합형 전계효과 트랜지스터 작용을 형성할 수 있는 예정된 도핑 농도 및 두께를 구비한 상기 제2채널 도체(47)와, 상보적 장치를 전기적으로 상호 연결시키기 위해 드레인 전극(241) 및 제2소스전극(202)과 연결된 상호 연결도체와 상보적 반도체 장치 증폭기를 형성하는 여타의 반도체장치를 포함하는 상보적 반도체 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제1전도형 실리콘 기판상에 반도체 전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, 기판에서 서로 예정된 간격으로 분리되어 있는 영역으로 제1전도형과 반대되는 제2전도형으로 구성된 소스영역 및 드레인 영역을 형성하고, 기판상에 게이트 장벽을 배치시키며, 소스전극을 소스영역에 접촉시키고 게이트 전극을 게이트 장벽 부분에 접촉시키며 드레인 전극을 드레인 영역에 접촉시키는 단계를 수행하는 반도체 전계효과 트랜지스터 제조방법에 있어서, 소스영역과 드레인 영역 사이에 전도선로를 제공하기 위해 소스영역과 드레인 영역 사이의 기판에 채널 도체를 형성하는데 상기 채널 도체는 채널도체와 기판과 드레인 접촉사이에 전계효과 트랜지스터 작용을 형성할 수 있도록 제2전도형으로 구성됨과 동시에 예정된 두께 및 도핑농도를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 소스전극, 게이트전극 및 드레인 전극 접촉 단계에서 게이트 전극은 소스영역과 드레인 영역중 어느 하나와는 중복되지 않는 게이트 장벽부분에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  14. 내용 없음
  15. 제12항에 있어서, 제1전도형태는 p형으로 구성되며 제2전도형태는 n형으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  16. 제12항에 있어서, 채널도체 형성단계에서 채널도체가 소스영역과 드레인 영역 사이에 연장되고 소스영역 및 드레인 영역과 근접하게 접촉하도록 채널도체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  17. 제12항에 있어서, 채널도체 형성단계에서 채널도체는 소스삽입 도체 및 드레인 삽입도체가 서로 간격져 있는 상태로 유지되는 방식으로 드레인 영역과 근접하게 접촉하는 드레인 삽입도체와, 소스영역과 근접하게 접촉하는 소스 삽입도체를 구비하도록 채널 도체를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  18. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830005785A 1982-12-10 1983-12-07 반도체 장치 및 그 제조방법 KR840007310A (ko)

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