KR840006098A - 듀얼 포오트형 반도체 기억장치 - Google Patents

듀얼 포오트형 반도체 기억장치 Download PDF

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KR840006098A
KR840006098A KR1019830004613A KR830004613A KR840006098A KR 840006098 A KR840006098 A KR 840006098A KR 1019830004613 A KR1019830004613 A KR 1019830004613A KR 830004613 A KR830004613 A KR 830004613A KR 840006098 A KR840006098 A KR 840006098A
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후미오 바바
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야마모도 다까마사
후지쓰 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

듀얼 포오트형 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 스태틱형 RAM을 사용한 종래의 듀열포오트형 반도체 기억장치의 일부분 기본회로도.
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 다이나믹형 RAM을 사용한 듀열 포오트형 반도체 기억장치의 일부분 기본회로도.
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 다이나믹형 RAM을 사용한 듀얼포오트형 기억장치 전체 구조의 블록도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
WR: 워어드라인 BLR: 비트라인
MC : 메모리셀 CD1: 제1열디코우더
CD2: 제2열디코우더 SA : 센스증폭기

Claims (5)

  1. 다이나믹형 등속호출기억장치(RAM)을 사용하는 듀얼포오트형 반도체 기억장치에 있어서, 복수의 워어드라인, 복수의 비트라인 쌍, 워어드라인과 비트라인들의 각교점에서 상기 워어드라인과 상기 비트라인사이에 각각 접속된 복수의 다이나믹 메모리 셀, 기록-독출버스에 공통으로 그리고 상기 각 비트라인에 각각 접속된 복수의 제1열 디코우더 및 독출버스에 공통으로 그리고 상기 각 비트라인에 각각 접속된 복수의 제1열 디코우더 및 독출버스에 공통으로 그리고 상기 각 비트라인에 각각 접속된 복수의 제2열 디코우더로 구성되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼 포오트형 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1열 디코우더의 각각은 상기 각 비트라인에 직접 접속된 두개의 트랜지스터로 구성되는 1쌍의 게이트(C1)를 통하여 기록-독출 버스에 접속되며 상기 제2열 디코우더 각각은 두개의 게이트는 상기 각 비트라인에 접속되며 다른 두개의 게이트는 상기 독출버스에 접속되는 4개의 트랜지스터로 구성되는 한쌍의 게이트(G2)를 통하여 독출버스에 접속되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼포오트형 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1열 디코우더는 제1열 어드레스 버스에 공통으로 접속되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼 포오트형 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2열 디코우더는 제2열 어드레스 버스에 공통으로 접속되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼포트형 반도체 기억장치.
  5. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830004613A 1982-09-30 1983-09-29 듀얼 포오트형 반도체 기억장치 KR860001935B1 (ko)

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JP57-169551 1982-09-30
JP57169551A JPS5960793A (ja) 1982-09-30 1982-09-30 半導体メモリ
JP169551 1982-09-30

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KR860001935B1 KR860001935B1 (ko) 1986-10-25

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US4578780A (en) 1986-03-25
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JPH0459713B2 (ko) 1992-09-24
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KR860001935B1 (ko) 1986-10-25
DE3382595D1 (de) 1992-08-27
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