KR840006098A - 듀얼 포오트형 반도체 기억장치 - Google Patents
듀얼 포오트형 반도체 기억장치 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 스태틱형 RAM을 사용한 종래의 듀열포오트형 반도체 기억장치의 일부분 기본회로도.
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 다이나믹형 RAM을 사용한 듀열 포오트형 반도체 기억장치의 일부분 기본회로도.
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 다이나믹형 RAM을 사용한 듀얼포오트형 기억장치 전체 구조의 블록도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
WR: 워어드라인 BLR: 비트라인
MC : 메모리셀 CD1: 제1열디코우더
CD2: 제2열디코우더 SA : 센스증폭기
Claims (5)
- 다이나믹형 등속호출기억장치(RAM)을 사용하는 듀얼포오트형 반도체 기억장치에 있어서, 복수의 워어드라인, 복수의 비트라인 쌍, 워어드라인과 비트라인들의 각교점에서 상기 워어드라인과 상기 비트라인사이에 각각 접속된 복수의 다이나믹 메모리 셀, 기록-독출버스에 공통으로 그리고 상기 각 비트라인에 각각 접속된 복수의 제1열 디코우더 및 독출버스에 공통으로 그리고 상기 각 비트라인에 각각 접속된 복수의 제1열 디코우더 및 독출버스에 공통으로 그리고 상기 각 비트라인에 각각 접속된 복수의 제2열 디코우더로 구성되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼 포오트형 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1열 디코우더의 각각은 상기 각 비트라인에 직접 접속된 두개의 트랜지스터로 구성되는 1쌍의 게이트(C1)를 통하여 기록-독출 버스에 접속되며 상기 제2열 디코우더 각각은 두개의 게이트는 상기 각 비트라인에 접속되며 다른 두개의 게이트는 상기 독출버스에 접속되는 4개의 트랜지스터로 구성되는 한쌍의 게이트(G2)를 통하여 독출버스에 접속되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼포오트형 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1열 디코우더는 제1열 어드레스 버스에 공통으로 접속되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼 포오트형 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2열 디코우더는 제2열 어드레스 버스에 공통으로 접속되는 것을 특징으로 하는 다이나믹형 RAM을 사용하는 듀얼포트형 반도체 기억장치.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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