KR20240054331A - 다층 극자외선 반사기 재료들 - Google Patents

다층 극자외선 반사기 재료들 Download PDF

Info

Publication number
KR20240054331A
KR20240054331A KR1020247010520A KR20247010520A KR20240054331A KR 20240054331 A KR20240054331 A KR 20240054331A KR 1020247010520 A KR1020247010520 A KR 1020247010520A KR 20247010520 A KR20247010520 A KR 20247010520A KR 20240054331 A KR20240054331 A KR 20240054331A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
film
multilayer
mask blank
euv mask
Prior art date
Application number
KR1020247010520A
Other languages
English (en)
Inventor
웬 샤오
빈니 바게세
비부 진달
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20240054331A publication Critical patent/KR20240054331A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/52—Reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

극자외선(EUV) 마스크 블랭크들, 이를 위한 생성 시스템들, 및 다층 막 반사율을 증가시키는 방법들이 개시된다. EUV 마스크 블랭크들은 기판 상에 이중층 막을 포함한다. 이중층 막은, 실리콘(Si)을 포함하는 제1 막 층, 및 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 및 이들의 규화물들로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함하는 제2 막 층을 포함한다. 일부 EUV 마스크 블랭크들은 이중층 막 상의 교번 층들 및 다층 반사 스택 상의 캡핑 층을 포함하는 다층 반사 스택을 더 포함한다. 일부 EUV 마스크 블랭크들은, 다층 반사 스택 상의, 몰리브덴 규화물(MoSi), 붕소 탄화물(B4C), 및 실리콘 질화물(SiN)로 구성된 군으로부터 선택된 평활화 층, 평활화 층 상의 캡핑 층, 및 캡핑 층 상의 흡수체 층을 포함한다.

Description

다층 극자외선 반사기 재료들
[0001] 본 개시내용은 일반적으로, 극자외선 리소그래피에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용은 이중층 막을 포함하는 극자외선 마스크 블랭크(ultraviolet mask blank)들 및 다층 반사 막의 반사율을 증가시키는 방법들에 관한 것이다.
[0002] EUV(extreme ultraviolet) 리소그래피는 0.0135 미크론 이하의 최소 피쳐 사이즈 반도체 디바이스들의 제조에 사용된다. 비-반사 흡수체 마스크 패턴으로 코팅된, 일련의 미러들 또는 렌즈 엘리먼트들, 및 반사 엘리먼트 또는 마스크 블랭크의 사용을 통해, 패터닝된 광은 레지스트-코팅된 반도체 기판 상으로 반사된다.
[0003] 극자외선 리소그래피 시스템들의 렌즈 엘리먼트들 및 마스크 블랭크들은 몰리브덴 및 실리콘과 같은 재료들의 다층 반사 코팅들로 코팅된다. 도 1은 EUV 마스크 블랭크로부터 형성되는 종래의 EUV 반사 마스크(10)를 도시하며, EUV 반사 마스크(10)는 브래그 간섭(Bragg interference)에 의해 마스킹되지 않은 부분들에서 EUV 방사선을 반사하는, 기판(14) 상의 다층 반사 스택(12)을 포함한다. 종래의 EUV 반사 마스크(10)의 마스킹된(비-반사) 영역들(16)은 버퍼 층(18) 및 흡수 층(20)을 에칭함으로써 형성된다. 캡핑 층(22)은 다층 반사 스택(12) 위에 형성되고, 에칭 프로세스 동안 다층 반사 스택(12)을 보호한다. 에칭된 마스크 블랭크는 (비-반사) 영역들(16) 및 반사 영역들(24)을 갖는다.
[0004] 어닐링은 전형적으로, 다층 반사 스택에서 교번 층들 사이에 더 두꺼운 계면 층들의 형성을 유도한다. 다층 반사 스택들의 더 두꺼운 계면 층들은 종종 EUV 마스크 블랭크 반사율의 감소를 야기한다. 더 두꺼운 계면 층들을 갖는 통상적인 다층 반사 스택들은 어닐링 후에 반사율의 약 1.5% 감소를 경험한다. 낮은 반사율은 또한 EUV 리소그래피 프로세스들에서 스루풋(throughput)을 감소시키고 전력 소비를 증가시킨다.
[0005] 따라서, 스루풋을 증가시키고 전력 소비를 감소시키기 위해, 어닐링 전 및 어닐링 후에 높은 반사율을 갖는 다층 반사 스택들을 갖는 EUV 마스크 블랭크들을 제공할 필요가 있다. 또한, 다층 반사 스택은 거칠기, 균일성, 응력 및 열 안정성을 포함하는, EUV 마스크 블랭크들에 대한 다른 요건들을 충족해야 한다.
[0006] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 기판 상에 이중층 막을 포함하는 EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크에 관한 것이다. 이중층 막은, 실리콘(Si)을 포함하는 제1 막 층, 및 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 및 이들의 규화물들로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함하는 제2 막 층을 포함한다. EUV 마스크 블랭크는 이중층 막 상의 교번 층들 및 다층 반사 스택 상의 캡핑 층을 포함하는 다층 반사 스택을 포함한다.
[0007] 부가적인 실시예들은 다층 막의 반사율을 증가시키는 방법에 관한 것이다. 방법은, 기판 상에 제1 막 층 및 제2 막 층을 포함하는 이중층 막을 형성하는 단계 ― 제1 막 층은 실리콘(Si)을 포함하고, 제2 막 층은 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 및 이들의 규화물들로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함함 ―; 이중층 막 상에 교번 층들을 포함하는 다층 반사 스택을 형성하는 단계; 다층 반사 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및 다층 막을 어닐링하는 단계를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 상세한 설명은 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부는 첨부된 도면들에 예시된다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 통상적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 종래의 흡수체를 이용하는 배경 기술 EUV 반사 마스크를 개략적으로 예시한다.
[0010] 도 2는 극자외선 리소그래피 시스템의 실시예를 개략적으로 예시한다.
[0011] 도 3은 극자외선 반사 엘리먼트 생성 시스템의 실시예를 예시한다.
[0012] 도 4는 어닐링 전의 극자외선 반사 엘리먼트, 이를테면 EUV 마스크 블랭크의 실시예를 예시한다.
[0013] 도 5는 어닐링 후의 도 4의 극자외선 반사 엘리먼트의 실시예를 예시한다.
[0014] 도 6은 다중-캐소드 물리적 증착 챔버의 실시예를 예시한다.
[0015] 본 개시내용의 여러 예시적인 실시예들을 설명하기 전에, 본 개시내용은 다음 설명에서 제시되는 구성 또는 프로세스 단계들의 세부사항들에 제한되지 않는다고 이해되어야 한다. 본 개시내용은 다른 실시예들이 가능하며, 다양한 방식들로 실시되거나 또는 수행될 수 있다.
[0016] 본원에서 사용되는 바와 같은 "수평"이라는 용어는, 마스크 블랭크의 배향에 관계없이, 마스크 블랭크의 평면 또는 표면에 평행한 평면으로서 정의된다. "수직"이라는 용어는 방금 정의된 바와 같은 수평에 수직인 방향을 지칭한다. "위", "아래", "최하부", "최상부", "측면"("측벽"에서와 같이), "고(higher)", "하부(lower)", "상부(upper)", "상(over)" 및 "밑(under)"과 같은 용어들은 도면들에 도시된 바와 같이, 수평 평면에 대해 정의된다. "~ 상에"라는 용어는 엘리먼트들 사이에 직접적인 접촉이 있음을 나타낸다. "바로 위에"라는 용어는 개재하는 엘리먼트들 없이 엘리먼트들 사이에 직접적인 접촉이 있음을 나타낸다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "전구체", "반응물", "반응성 가스" 등의 용어들은 기판 표면과 반응하는 임의의 가스성 종을 지칭하기 위해 상호 교환 가능하게 사용된다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "다층 반사 스택", "다층 반사 스택", "반사 층들의 다층 스택"이라는 용어들은 EUV 마스크 블랭크와 같은 반사 엘리먼트를 지칭하기 위해 상호 교환 가능하게 사용된다.
[0017] 당업자들은, 프로세스 구역들을 설명하기 위해 "제1" 및 "제2"와 같은 서수들을 사용하는 것이 프로세싱 챔버 내의 특정 위치 또는 프로세싱 챔버 내의 노출 순서를 의미하지 않는다는 것을 이해할 것이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "기판"이라는 용어는 프로세스가 작용하는 표면 또는 표면의 일부를 지칭한다. 또한, 문맥상 명확하게 달리 표시되지 않는 한, 기판에 대한 언급은 기판의 일부만을 지칭할 수 있다는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다. 부가적으로, 기판 상에 증착하는 것에 대한 언급은 베어(bare) 기판 및 하나 이상의 막들 또는 피쳐(feature)들이 상부에 증착 또는 형성된 기판 둘 모두를 의미한다.
[0018] 이제 도 2를 참조하면, 극자외선 리소그래피 시스템(100)의 예시적인 실시예가 도시된다. 극자외선 리소그래피 시스템(100)은 극자외선 광(112)을 생성하기 위한 극자외선 광원(102), 일련의 반사 엘리먼트들, 및 타깃 웨이퍼(110)를 포함한다. 반사 엘리먼트들은 컨덴서(104), EUV 반사 마스크(106), 광학 감소 조립체(optical reduction assembly)(108), 마스크 블랭크, 미러, 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0019] 극자외선 광원(102)은 극자외선 광(112)을 생성한다. 극자외선 광(112)은 5 내지 50 나노미터(nm)의 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 레이저, 레이저 생성 플라즈마, 방전 생성 플라즈마, 자유 전자 레이저, 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation), 또는 이들의 조합을 포함한다. 극자외선 광원(102)은 파장들의 범위에 걸쳐 광대역 극자외선을 생성한다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 5 nm 내지 50 nm 범위의 파장들을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다.
[0020] 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 광원(102)은 좁은 대역폭을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 13.5 nm에서 극자외선 광(112)을 생성한다. 파장 피크의 중심은 13.5 ㎚이다.
[0021] 컨덴서(104)는 극자외선 광(112)을 반사 및 포커싱하기 위한 광학 유닛이다. 컨덴서(104)는 EUV 반사 마스크(106)를 비추기 위해 극자외선 광원(102)으로부터의 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시킨다. 컨덴서(104)가 단일 엘리먼트로서 도시되어 있지만, 일부 실시예들에서, 컨덴서(104)는 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시키기 위한, 오목 미러, 볼록 미러, 평면 미러 또는 이들의 조합과 같은 하나 이상의 반사 엘리먼트들을 포함하는 것으로 이해된다. 예컨대, 도시된 실시예에서의 컨덴서(104)는 볼록, 오목 및 평탄한 광학 엘리먼트들을 갖는 광학 조립체 또는 단일 오목 미러이다.
[0022] EUV 반사 마스크(106)는 마스크 패턴(114)을 갖는 극자외선 반사 엘리먼트이다. EUV 반사 마스크(106)는 타깃 웨이퍼(110) 상에 형성될 회로 레이아웃을 형성하기 위해 리소그래피 패턴을 생성한다. EUV 반사 마스크(106)는 극자외선 광(112)을 반사한다. 마스크 패턴(114)은 회로 레이아웃의 일부를 정의한다.
[0023] 광학 감소 조립체(108)는 마스크 패턴(114)의 이미지를 감소시키기 위한 광학 유닛이다. EUV 반사 마스크(106)로부터의 극자외선 광(112)의 반사는 광학 감소 조립체(108)에 의해 감소되고, 타깃 웨이퍼(110) 상에서 반사된다. 일부 실시예들의 광학 감소 조립체(108)는 마스크 패턴(114)의 이미지의 사이즈를 감소시키기 위해 미러들 및 다른 광학 엘리먼트들을 포함한다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 광학 감소 조립체(108)는 극자외선 광(112)을 반사 및 포커싱하기 위한 오목 미러들을 포함한다.
[0024] 광학 감소 조립체(108)는 타깃 웨이퍼(110) 상의 마스크 패턴(114)의 이미지의 사이즈를 감소시킨다. 예컨대, 마스크 패턴(114)은 타깃 웨이퍼(110) 상에 광학 감소 조립체(108)에 의해 4:1 비율로 이미징되어, 타깃 웨이퍼(110) 상에 마스크 패턴(114)으로 표현되는 회로를 형성한다. 극자외선 광(112)은 타깃 웨이퍼(110)와 동기식으로 EUV 반사 마스크(106)를 스캔하여 타깃 웨이퍼(110) 상에 마스크 패턴(114)을 형성한다.
[0025] 이제 도 3을 참조하면, 극자외선 반사 엘리먼트 생성 시스템(200)의 실시예가 도시된다. 극자외선 반사 엘리먼트는 EUV 마스크 블랭크(204), 극자외선 미러(205), 또는 다른 반사 엘리먼트, 이를테면 EUV 반사 마스크(106)를 포함한다.
[0026] 극자외선 반사 엘리먼트 생성 시스템(200)은 도 2의 극자외선 광(112)을 반사하는 마스크 블랭크들, 미러들, 또는 다른 엘리먼트들을 생성한다. 극자외선 반사 엘리먼트 생성 시스템(200)은 소스 기판들(203)에 얇은 코팅들을 적용함으로써 반사 엘리먼트들을 제작한다.
[0027] EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2의 EUV 반사 마스크(106)를 형성하기 위한 다층 구조물이다. EUV 마스크 블랭크(204)는 반도체 제작 기술들을 사용하여 형성된다. EUV 반사 마스크(106)는 에칭 및 다른 프로세스들에 의해 EUV 마스크 블랭크(204) 상에 형성된 도 2의 마스크 패턴(114)을 갖는다.
[0028] 극자외선 미러(205)는 극자외선 광의 범위에서 반사하는 다층 구조물이다. 극자외선 미러(205)는 반도체 제작 기술들을 사용하여 형성된다. 일부 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 각각의 엘리먼트 상에 형성된 층들과 관련하여 유사한 구조물들이지만, 극자외선 미러(205)는 마스크 패턴(114)을 갖지 않는다.
[0029] 반사 엘리먼트들은 극자외선 광(112)의 효율적인 반사기들이다. 실시예에서, EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 60% 초과의 극자외선 반사율을 갖는다. 반사 엘리먼트들은, 이들이 극자외선 광(112)의 60% 초과를 반사하는 경우에 효율적이다.
[0030] 극자외선 반사 엘리먼트 생성 시스템(200)은, 소스 기판들(203)이 로딩되고, 반사 엘리먼트들이 언로딩되는 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)을 포함한다. 대기 핸들링 시스템(206)은 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)에 대한 액세스를 제공한다. 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)은 기판 이송 박스들, 로드락(loadlock)들, 및 시스템 내부에서 대기로부터 진공으로 기판을 이송하기 위한 다른 컴포넌트들을 포함한다. EUV 마스크 블랭크(204)는 디바이스들을 매우 작은 스케일로 형성하는 데 사용되기 때문에, 소스 기판들(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)는 오염 및 다른 결함들을 방지하기 위해 진공 시스템에서 프로세싱된다.
[0031] 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 2개의 진공 챔버들, 즉, 제1 진공 챔버(210) 및 제2 진공 챔버(212)를 포함한다. 제1 진공 챔버(210)는 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)을 포함하고, 제2 진공 챔버(212)는 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)을 포함한다. 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)가 2개의 진공 챔버들을 갖는 것으로 설명되지만, 시스템이 임의의 수의 진공 챔버들을 가질 수 있다는 것이 이해된다.
[0032] 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 다양한 다른 시스템들의 부착을 위해 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)의 주변부 주위에 복수의 포트들을 갖는다. 제1 진공 챔버(210)는 탈기 시스템(218), 제1 물리 기상 증착 시스템(220), 제2 물리 기상 증착 시스템(222), 및 사전-세정 시스템(224)을 갖는다. 탈기 시스템(218)은 기판들로부터 수분을 열적으로 탈착하기 위한 것이다. 사전-세정 시스템(224)은 웨이퍼들, 마스크 블랭크들, 미러들, 또는 다른 광학 컴포넌트들의 표면들을 세정하기 위한 것이다.
[0033] 물리 기상 증착 시스템들, 이를테면, 제1 물리 기상 증착 시스템(220) 및 제2 물리 기상 증착 시스템(222)은, 일부 실시예들에서, 소스 기판들(203) 상에 전도성 재료들의 박막들을 형성하기 위해 사용된다. 예컨대, 일부 실시예들의 물리 기상 증착 시스템들은, 마그네트론 스퍼터링 시스템들, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스형 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합과 같은 진공 증착 시스템을 포함한다. 물리 기상 증착 시스템들, 이를테면 마그네트론 스퍼터링 시스템은, 실리콘, 금속들, 합금들, 화합물들, 또는 이들의 조합의 층들을 포함하는 얇은 층들을 소스 기판들(203) 상에 형성한다.
[0034] 하나 이상의 실시예들에서, 물리 기상 증착 시스템은 반사 층들, 캡핑 층들, 및 흡수체 층들을 형성한다. 예컨대, 물리 기상 증착 시스템들은, 실리콘, 몰리브덴, 티타늄 산화물, 티타늄 이산화물, 루테늄 산화물, 니오븀 산화물, 루테늄 텅스텐, 루테늄 몰리브덴, 루테늄 니오븀, 크롬, 탄탈룸, 질화물들, 화합물들, 또는 이들의 조합의 층들을 형성하도록 구성된다. 일부 화합물들이 산화물로서 설명되지만, 화합물들은 산화물들, 이산화물들, 산소 원자들을 갖는 원자 혼합물들, 또는 이들의 조합을 포함하는 것으로 이해된다.
[0035] 제2 진공 챔버(212)는 이에 연결된, 제1 다중-캐소드 소스(226), 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230), 및 초평활(ultra-smooth) 증착 챔버(232)를 갖는다. 예컨대, 일부 실시예들의 화학 기상 증착 시스템(228)은 FCVD(flowable chemical vapor deposition) 시스템, 플라즈마 보조 CVD(plasma assisted chemical vapor deposition) 시스템, 에어로졸 보조 CVD 시스템, 핫 필라멘트 CVD 시스템, 또는 유사한 시스템을 포함한다. 다른 예에서, 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230) 및 초평활 증착 챔버(232)는 극자외선 반사 엘리먼트 생성 시스템(200)과 별개의 시스템에 있다.
[0036] 화학 기상 증착 시스템(228)은 소스 기판들(203) 상에 재료의 박막들을 형성한다. 예컨대, 화학 기상 증착 시스템(228)은 단결정질 층들, 다결정질 층들, 비정질 층들, 에피택셜 층들, 또는 이들의 조합을 포함하는 재료들의 층들을 소스 기판들(203) 상에 형성하는 데 사용된다. 화학 기상 증착 시스템(228)은 실리콘, 실리콘 산화물들, 실리콘 산탄화물, 탄소, 텅스텐, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물, 티타늄 질화물, 금속들, 합금들, 및 화학 기상 증착에 적절한 다른 재료들의 층들을 형성한다. 예컨대, 화학 기상 증착 시스템은 평탄화 층들을 형성한다.
[0037] 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)은 연속적인 진공에서 제1 진공 챔버(210)의 주변부 주위의 다양한 시스템들과 대기 핸들링 시스템(206) 사이에서 소스 기판들(203)을 이동시킬 수 있다. 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)은, 소스 기판들(203)을 연속적인 진공으로 유지하면서, 소스 기판들(203)을 제2 진공 챔버(212) 주위로 이동시킬 수 있다. 극자외선 반사 엘리먼트 생성 시스템(200)은 연속적인 진공에서 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)과 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216) 사이에서 소스 기판들(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)를 이송한다.
[0038] 본 개시내용의 일부 실시예들은 다층 막의 반사율을 증가시키는 방법들을 제공한다. 방법들은, 기판 상에 제1 막 층 및 제2 막 층을 포함하는 이중층 막을 형성하는 단계; 이중층 막 상에 교번 층들을 포함하는 다층 반사 스택을 형성하는 단계; 다층 반사 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및 다층 막을 어닐링하는 단계를 포함한다. 반사율을 증가시키는 방법들은 도 4 및 도 5 중 하나 이상을 참조하여 설명될 수 있다. 도 5는 다층 막(400)을 형성하기 위한 어닐링 후의, 도 4의 극자외선 반사 엘리먼트(300)의 실시예를 도시한다.
[0039] 이제 도 4를 참조하면, 도 3의 EUV 마스크 블랭크(204) 또는 도 3의 극자외선 미러(205)와 같은 극자외선 반사 엘리먼트(300)의 실시예가 도시된다. EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 도 2의 극자외선 광(112)을 반사시키기 위한 구조물들이다. EUV 마스크 블랭크(204)는, 요구되는 회로 레이아웃으로 흡수체 층(380)을 패터닝함으로써, 도 2에 도시된 EUV 반사 마스크(106)를 형성하는 데 사용된다.
[0040] 본원에서 사용되는 바와 같이, EUV 마스크 블랭크(204)에 대한 용어는 단순화를 위해 극자외선 미러(205)의 용어와 상호교환가능하게 사용된다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2의 마스크 패턴(114)을 형성하기 위해 부가적으로 부가된 흡수체 층(380)을 갖는 극자외선 미러(205)의 컴포넌트들을 포함한다.
[0041] 극자외선 반사 엘리먼트(300)는 기판(310), 기판(310) 상의 이중층 막(320), 이중층 막(320) 상의 다층 반사 스택(340), 및 다층 반사 스택(340) 상의 캡핑 층(370)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 미러(205)는 도 2의 컨덴서(104) 또는 도 2의 광학 감소 조립체(108)에서 사용하기 위한 반사 구조물들을 형성하는 데 사용된다.
[0042] EUV 마스크 블랭크(204)는 마스크 패턴(114)을 갖는 EUV 반사 마스크(106)를 형성하기 위해 사용되는 광학적으로 평탄한 구조물이다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)의 반사 표면은 도 2의 극자외선 광(112)과 같은 입사광을 반사하기 위한 편평한 초점면을 형성한다.
[0043] 도 4에 예시된 실시예는 극자외선 반사 엘리먼트(300)를 포함하며, 극자외선 반사 엘리먼트(300)는, 기판(310), 기판(310) 상의 이중층 막(320), 이중층 막(320) 상의 다층 반사 스택(340), 다층 반사 스택(340) 상의 평활화 층(360), 및 평활화 층(360) 상의 캡핑 층(370)을 포함한다.
[0044] 기판(310)은 극자외선 반사 엘리먼트(300)에 구조적 지지를 제공하기 위한 엘리먼트이다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(310)은 온도 변화들 동안 안정성을 제공하기 위해 낮은 열팽창 계수(CTE)를 갖는 재료로 제조된다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(310)은 기계적 사이클링, 열 사이클링, 결정 형성, 또는 이들의 조합에 대한 안정성과 같은 특성들을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에 따른 기판(310)은 실리콘, 유리, 산화물들, 세라믹들, 유리 세라믹들, 또는 이들의 조합과 같은 재료로 형성된다.
[0045] 극자외선 반사 엘리먼트(300)는 어닐링 전에 약 66.8%의 반사율을 갖는다. 통상적인 EUV 마스크 블랭크들은 어닐링 전에 약 65.6%의 반사율을 갖는다. 아래에서 추가로 설명되는 바와 같이, 본 개시내용의 EUV 마스크 블랭크들(204)은 어닐링 전 및 어닐링 후에 통상적인 EUV 마스크 블랭크들보다 더 높은 반사율을 갖는다.
[0046] 하나 이상의 실시예들에서, 이중층 막(320)은 실리콘(Si)을 포함하는 제1 막 층(322)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 이중층 막(320)의 제1 막 층(322)은 3 nm 내지 5 nm의 범위, 3.5 nm 내지 5 nm의 범위, 또는 3.5 nm 내지 4.5 nm의 범위의 두께를 갖는다.
[0047] 이중층 막(320)은, 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti) 및 이들의 규화물들로 구성된 군으로부터 선택된 엘리먼트를 포함하는 제2 막 층(324)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 이중층 막(320)의 제2 막 층(324)은 1 nm 내지 3 nm의 범위, 1.5 nm 내지 2.5 nm의 범위, 또는 1.5 nm 내지 2 nm의 범위의 두께를 갖는다.
[0048] 대부분의 재료들이 극자외선 파장들의 광을 흡수하기 때문에, 사용되는 광학 엘리먼트들은 다른 리소그래피 시스템들에서 사용되는 바와 같이 투과형 대신에 반사형이다. 다층 반사 스택(340)은 브래그 반사기 또는 미러를 생성하기 위해 상이한 광학 특성들을 갖는 재료들의 교번하는 얇은 층들을 가짐으로써 반사 구조물을 형성한다.
[0049] 하나 이상의 실시예들에서, 다층 반사 스택(340)은 이중층 막(320) 상에 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 다층 반사 스택(340)은 극자외선 광(112)을 반사하는 구조물이다. 하나 이상의 실시예들에서, 다층 반사 스택(340)은 제1 층(342) 및 제2 층(346)을 포함하는 복수의 교번 층들의 쌍들을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342) 및 제2 층(346)은 실리콘(Si) 및 몰리브덴(Mo), 그리고 실리콘(Si) 및 루테늄(Ru) 중 하나 이상을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 실리콘(Si)을 포함하고, 제2 층(346)은 몰리브덴(Mo)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 몰리브덴(Mo)을 포함하고, 제2 층(346)은 실리콘(Si)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 실리콘(Si)을 포함하고, 제2 층(346)은 루테늄(Ru)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 루테늄(Ru)을 포함하고, 제2 층(346)은 실리콘(Si)을 포함한다.
[0050] 제1 층(342) 및 제2 층(346)은 다양한 구조들을 가질 수 있다. 실시예에서, 제1 층(342) 및 제2 층(346) 둘 모두는 단일 층, 다수의 층들, 분할된 층 구조, 불-균일한 구조들, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
[0051] 하나 이상의 실시예들에서, 다층 스택(340)의 제1 층(342) 및 제2 층(346)은 반사 쌍을 형성한다. 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, "반사 쌍" 및 "복수의 교번 층들의 쌍들"이라는 용어들은 하나 이상의 반사 층들을 지칭하기 위해 상호교환가능하게 사용될 수 있다. 비-제한적인 실시예에서, 다층 반사 스택(340)은 총 120개 이하의 반사 층들에 대해 20 내지 60개의 범위의 반사 쌍들을 포함한다. 다른 비-제한적인 실시예에서, 다층 반사 스택(340)은 총 40개의 반사 층들에 대해 20개의 반사 쌍들을 포함한다.
[0052] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 다층 스택(340)의 제1 층(342)과 제2 층(346)은 높은 EUV 반사를 갖는 계면들을 형성하기 위해, 굴절률(n)에서 비교적 큰 차이를 가지며, 예컨대, 제1 층(342)의 재료의 n(하이(high)-n)은 0.94 내지 1.01이고, 제2 층(346)의 재료의 n(로우(low)-n)은 0.87 내지 0.93일 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342) 및 제2 층(346)의 재료들 둘 모두는 다중층들에 의한 EUV 흡수를 최소화하기 위해 낮은 흡광 계수(예컨대, k < 0.03)를 갖는다. 다층 반사 스택(340)은 다양한 방식들로 형성된다. 실시예에서, 제1 층(342) 및 제2 층(346)은, 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스형 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
[0053] 예시적인 실시예에서, 다층 반사 스택(340)은 물리 기상 증착 기법, 이를테면, 마그네트론 스퍼터링을 사용하여 형성된다. 실시예에서, 다층 반사 스택(340)의 제1 층(342) 및 제2 층(346)은, 정확한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 특징들을 갖는다. 실시예에서, 다층 반사 스택(340)의 제1 층(342) 및 제2 층(346)은, 정확한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 물리 기상 증착에 의해 형성되는 특징들을 갖는다.
[0054] 실시예에서, 교번 층들(342, 346) 각각은 극자외선 광(112)에 대해 서로 다른 광학 상수들을 갖는다. 교번 층들은, 교번 층들의 두께의 주기가 극자외선 광(112)의 파장의 1/2일 때, 공진 반사율을 제공한다. 일 실시예에서, 13 nm의 파장의 극자외선 광(112)의 경우, 교번 층들은 두께가 약 6.5 nm이다. 제공된 사이즈들 및 치수들은 통상적인 엘리먼트들에 대한 일반적인 공학적 허용오차들 내에 있다는 것이 이해된다.
[0055] 물리 기상 증착 기법을 사용하여 형성된 다층 반사 스택(340)의 층들의 물리적 치수들은 반사율을 증가시키기 위해 정밀하게 제어된다. 층들의 두께는 극자외선 반사 엘리먼트의 피크 반사율 파장을 좌우한다. 층들의 두께가 부정확하다면, 원하는 파장(13.5 nm)에서의 반사율이 감소된다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342) 및 제2 층(346) 각각은, 3 nm 내지 5 nm의 범위, 3.5 nm 내지 4.5 nm의 범위, 또는 3 nm 내지 4 nm의 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)의 두께와 제2 층(346)의 두께는 상이하다.
[0056] 하나 이상의 실시예들에서, 다층 반사 스택(340)은 교번하는 제1 층(342)과 제2 층(346) 각각 사이에 적어도 하나의 계면 층(344)을 포함한다. 이론에 의해 구속되도록 의도하는 것은 아니지만, 어닐링은 다층 반사 스택들의 교번 층들 사이에 더 두꺼운 계면 층들의 형성을 유도하는 것으로 여겨진다. 다층 반사 스택들의 더 두꺼운 계면 층들은 종종 EUV 마스크 블랭크 반사율의 감소를 야기한다. 더 두꺼운 계면 층들을 갖는 통상적인 다층 반사 스택들은 어닐링 후에 반사율의 약 1.5% 감소를 경험한다. 낮은 반사율은 또한 EUV 리소그래피 프로세스들에서 스루풋을 감소시키고 전력 소비를 증가시킨다. 유리하게, 본원에서 설명된 계면 층들(344)은 어닐링 후에 두께의 감소된 증가를 경험하고, 그에 따라, 통상적인 EUV 마스크 블랭크들과 비교하여, 반사율의 더 적은 감소, 스루풋의 증가, 및 전력 소비의 감소를 경험한다는 것이 밝혀졌다. 하나 이상의 실시예들에서, 적어도 하나의 계면 층(344)은, 어닐링 후에 20%를 초과하여 증가하지 않는 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 적어도 하나의 계면 층(344)은, 어닐링 후에 15% 초과, 어닐링 후에 10% 초과, 어닐링 후에 5% 초과, 또는 어닐링 후에 1% 초과로 증가하지 않는 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 적어도 하나의 계면 층(344)은 0.5 nm 내지 2 nm의 범위, 0.8 nm 내지 1.5 nm의 범위, 또는 0.8 nm 내지 1.2 nm의 범위의 두께를 갖는다.
[0057] 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342) 및 제2 층(346)은 실리콘(Si) 및 몰리브덴(Mo), 그리고 실리콘(Si) 및 루테늄(Ru) 중 하나 이상을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 실리콘(Si)을 포함하고, 제2 층(346)은 몰리브덴(Mo)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 몰리브덴(Mo)을 포함하고, 제2 층(346)은 실리콘(Si)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 실리콘(Si)을 포함하고, 제2 층(346)은 루테늄(Ru)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)은 루테늄(Ru)을 포함하고, 제2 층(346)은 실리콘(Si)을 포함한다.
[0058] 하나 이상의 실시예들에서, 적어도 하나의 계면 층(344)은 실리콘-온-몰리브덴(silicon-on-molybdenum), 몰리브덴-온-실리콘(molybdenum-on-silicon), 실리콘-온-루테늄(silicon-on-ruthenium), 및 루테늄-온-실리콘(ruthenium-on-silicon) 중 하나 이상을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 적어도 하나의 계면 층(344)은 다층 스택(340)의 밀도의 적어도 95%인 밀도를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 계면 층(344)은 다층 스택(340)의 밀도의 적어도 85%, 적어도 75%, 적어도 65% 또는 적어도 50%의 밀도를 갖는다.
[0059] 하나 이상의 실시예들에서, 적어도 하나의 계면 층(344)은 적어도 하나의 계면 층(344)이 제1 층(342) 또는 제2 층(346) 중 하나 이상 위에 또는 바로 위에 없을 때, 적어도 1400℃, 적어도 1200℃, 적어도 1000℃, 적어도 800℃, 적어도 600℃, 또는 적어도 400℃의 온도에서 열적으로 안정적이다. 하나 이상의 실시예들에서, 전술된 온도들은 각각의 온도에서의 계면 층 재료 자체의 안정성을 지칭한다. 다시 말해서, 계면 층 재료가 다른 재료들과 접촉하지 않고 온도에만 노출될 때, 재료는 위에서 언급된 온도들에서 안정적이다. 그러나, 계면 층이 다른 재료들, 예컨대 위 또는 아래의 층들과 접촉할 때, 인접한 층들로부터의 재료들의 원자들은 > 600℃의 높은 온도들에서 계면 층 내로 확산될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(342)으로부터의 실리콘(Si)은, 적어도 하나의 계면 층(344)이 약 600℃ 초과의 온도로 제1 층(342) 상에 존재할 때, 계면 층(344) 내로 확산될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 제2 층(346)의 하나 이상의 엘리먼트들은, 적어도 하나의 계면 층(344)이 약 600℃ 초과의 온도로 제2 층(346) 상에 존재할 때, 계면 층(344) 내로 확산될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 계면 층(344)은 적어도 500℃, 적어도 300℃ 또는 적어도 200℃의 온도에서 두께가 증가하지 않거나 또는 화학량론을 변경하지 않는다.
[0060] 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 반사 엘리먼트(300)는 평활화 층(360)을 포함한다. 도 4에 예시된 실시예에서, 평활화 층(360)은 다층 반사 스택(340) 상에 있고, 캡핑 층(340)은 평활화 층(360) 상에 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 평활화 층(360)은, 몰리브덴 규화물(MoSi), 붕소 탄화물(B4C), 및 실리콘 질화물(SiN)로 구성된 군으로부터 선택된다. 하나 이상의 실시예들에서, 몰리브덴 규화물(MoSi), 붕소 탄화물(B4C), 및 실리콘 질화물(SiN) 각각은, 파괴되기 어려운 강한 결합들을 형성한다. 하나 이상의 실시예들에서, 평활화 층(360)은 열적으로 안정적이다. 하나 이상의 실시예들에서, 평활화 층(360)은 0.5 nm 내지 2 nm의 범위, 0.8 nm 내지 1.5 nm의 범위, 또는 0.8 nm 내지 1.2 nm의 범위의 두께를 갖는다.
[0061] 극자외선 반사 엘리먼트(300)는 다층 반사 스택(340) 상에 캡핑 층(370)을 포함한다. 도 4에 예시된 실시예에서, 극자외선 반사 엘리먼트(300)는 평활화 층(360) 상에 캡핑 층(370)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 세정 동안의 침식에 저항하기에 충분한 경도를 갖는 다양한 재료들로 형성된다. 일 실시예에서, 루테늄(Ru)이 캡핑 층 재료로서 사용되는데, 그 이유는 루테늄(Ru)이 양호한 에칭 스톱(etch stop)이고 동작 조건들 하에서 비교적 불활성이기 때문이다. 그러나, 일부 실시예들에서, 캡핑 층(370)을 형성하기 위해 다른 재료들이 사용된다는 것이 이해된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 2 nm 내지 5 nm의 범위, 2.5 nm 내지 4 nm의 범위, 또는 2.5 nm 내지 3 nm의 범위의 두께를 갖는다.
[0062] 하나 이상의 실시예들에서, 더 경질의 재료들로 형성된 다층 반사 스택(340) 위에 캡핑 층(370)을 형성하는 것은 반사율을 개선한다. 일부 실시예들에서, 증가된 반사율은 낮은 거칠기 층들, 층들 사이의 깨끗한 계면들, 개선된 층 재료들, 또는 이들의 조합을 사용하여 달성된다.
[0063] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 극자외선 광(112)의 투과를 가능하게 하는 보호 층이다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 다층 반사 스택(340) 바로 위에 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 오염물들 및 기계적 손상으로부터 다층 반사 스택(340)을 보호한다. 일 실시예에서, 다층 반사 스택(340)은 산소, 탄소, 탄화수소들, 또는 이들의 조합에 의한 오염에 민감하다. 실시예에 따른 캡핑 층(370)은 오염물들과 상호작용하여 오염물들을 중화시킨다.
[0064] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 극자외선 광(112)에 투명한 광학적으로 균일한 구조물이다. 극자외선 광(112)은 캡핑 층(370)을 통과하여 다층 반사 스택(340)으로부터 반사된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 1% 내지 2%의 총 반사율 손실을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 상이한 재료들 각각은 두께에 따라 상이한 반사율 손실을 갖지만, 이들 모두는 1% 내지 2%의 범위에 있을 것이다.
[0065] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 평활한 표면을 갖는다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 캡핑 층(370)의 표면은 0.2 nm RMS(root mean square measure) 미만의 거칠기를 갖는다. 다른 예에서, 캡핑 층(370)의 표면은 1/100 nm 내지 1/1 μm의 범위의 길이에 대해 0.08 nm RMS의 거칠기를 갖는다.
[0066] 캡핑 층(370)은 다양한 방법들에 의해 형성된다. 실시예에서, 캡핑 층(370)은, 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 이온 빔 증착, 전자 빔 증발, RF(radio frequency) 스퍼터링, ALD(atomic layer deposition), 펄스형 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합으로 다층 반사 스택(340) 위에 또는 바로 위에 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은, 정확한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 물리적 특성들을 갖는다. 실시예에서, 캡핑 층(370)은, 정확한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 물리 기상 증착에 의해 형성되는 물리적 특성들을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 본원에서 설명된 방법들 중 임의의 방법을 사용하여 평활화 층(360) 상에 또는 바로 위에 형성된다.
[0067] 흡수체 층(380)은 극자외선 광(112)을 흡수하는 층이다. 흡수체 층(380)은, 극자외선 광(112)을 반사하지 않는 영역들을 제공함으로써 EUV 반사 마스크(106) 상에 패턴을 형성하는 데 사용된다. 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층(380)은 극자외선 광(112)의 특정 주파수, 이를테면 약 13.5 nm에 대해 높은 흡수 계수를 갖는 재료를 포함한다. 실시예에서, 흡수체 층(380)은 캡핑 층(370) 바로 위에 형성되고, 흡수체 층(380)은 EUV 반사 마스크(106)의 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피 프로세스를 사용하여 에칭된다.
[0068] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 캡핑 층(370) 위에 흡수체 층(380)을 형성하는 것은 EUV 반사 마스크(106)의 신뢰성을 증가시킨다. 캡핑 층(370)은 흡수체 층(380)에 대한 에칭 스톱 층으로서 작용한다. 도 2의 마스크 패턴(114)이 흡수체 층(380) 내로 에칭될 때, 흡수체 층(380) 아래의 캡핑 층(370)은 다층 반사 스택(340)을 보호하기 위해 에칭 동작을 중단시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(380)은 캡핑 층(370)에 대해 에칭 선택적이다. 일부 실시예들에서, 캡핑 층(370)은 루테늄을 포함하고, 흡수체 층(380)은 루테늄에 대해 에칭 선택적이다.
[0069] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(380)은 0.93 미만의 "n" 값을 가지며, 이는 약 180도 내지 약 220도의 위상 변이 범위를 제공한다. 약 0.93 미만의 "n" 값은 NILS(normalized image log slope)를 개선하고 3D 효과들을 완화시킨다. 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, "NILS(normalized image log slope)"는 에어리얼 이미지(aerial image)의 리소그래피 품질을 설명하는 메트릭(metric)을 지칭한다. 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, "n" 또는 "n 값"은 굴절률(index of refraction)을 지칭한다. 굴절률은 하나의 매체로부터 다른 매체로 통과할 때의 광선의 휨의 측정이다. 낮은 "n" 값은 NILS를 개선하고 3D 효과들을 완화시킨다.
[0070] 실시예에서, 흡수체 층(380)은, 약 50 nm 미만, 약 45 nm 미만, 약 40 nm 미만, 약 35 nm 미만, 약 30 nm 미만, 약 25 nm 미만, 약 20 nm 미만, 약 15 nm 미만, 약 10 nm 미만, 약 5 nm 미만, 약 1 nm 미만, 또는 약 0.5 nm 미만을 포함하여, 약 55 nm 미만의 두께를 갖는다. 다른 실시예들에서, 흡수체 층(380)은, 약 1 nm 내지 약 54 nm, 1 nm 내지 약 50 nm, 및 15 nm 내지 약 50 nm의 범위를 포함하여, 약 0.5 nm 내지 약 55 nm의 범위의 두께를 갖는다.
[0071] 도 5에서, 다층 막(400)을 형성하기 위한 어닐링 후의 도 4의 극자외선 반사 엘리먼트(300)의 실시예가 도시된다. 도 5에 예시된 실시예는 기판(310) 상의 다층 막(400), 즉, 기판(310) 상의 어닐링된 실리콘 층(321), 어닐링된 실리콘 층(321) 상의 삼중층(325), 삼중층(325) 상의 다층 반사 스택(340), 다층 반사 스택(340) 상의 평활화 층(360), 평활화 층 상의 캡핑 층(370), 및 캡핑 층(370) 상의 흡수체 층(380)을 포함한다.
[0072] 하나 이상의 실시예들에서, 다층 막(400)을 어닐링하는 것은 5분 내지 60분의 범위의 시간 기간 동안 180℃ 내지 250℃의 범위의 온도에서 수행된다.
[0073] 극자외선 반사 엘리먼트(300)는 어닐링 전에 약 66.8%의 반사율을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 다층 막(400)은 어닐링 후에 약 66.1%의 반사율을 갖는다. 통상적인 EUV 마스크 블랭크들은 어닐링 전에 약 65.6%의 반사율 및 어닐링 후에 약 64.2%의 반사율을 갖는다. 아래에서 추가로 설명되는 바와 같이, 본 개시내용의 EUV 마스크 블랭크들(204)은 어닐링 전 및 어닐링 후에 통상적인 EUV 마스크 블랭크들보다 더 높은 반사율을 갖는다.
[0074] 하나 이상의 실시예들에서, 어닐링 프로세스는 도 4의 제2 막 층(324)을 도 5에 도시된, 어닐링된 실리콘 층(321) 상의 삼중층(325)으로 변환시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 삼중층(325)은, 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 규화물을 포함하는 제1 층(326), 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 및 티타늄(Ti)으로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함하는 제2 층(328), 및 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 규화물을 포함하는 제3 층(330)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 삼중층(325)의 제1 층(326)은 1 nm 내지 3 nm의 범위, 1 nm 내지 2 nm의 범위, 또는 1.5 nm 내지 2 nm의 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 삼중층(325)의 제2 층(328)은 1 nm 내지 3 nm의 범위, 1.5 nm 내지 2.5 nm의 범위, 또는 1.5 nm 내지 2 nm의 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 삼중층(325)의 제3 층(330)은 1 nm 내지 3 nm의 범위, 1.5 nm 내지 2.5 nm의 범위, 또는 1.5 nm 내지 2 nm의 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(326), 제2 층(328), 및 제3 층(330) 각각은 동일한 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 제1 층(326), 제2 층(328), 및 제3 층(330) 각각은 상이한 두께를 갖는다.
[0075] 이론에 의해 구속되도록 의도하지 않으면서, 어닐링은 전형적으로, 다층 반사 스택의 교번 층들 사이에 더 두꺼운 계면 층들의 형성을 유도하는 것으로 여겨진다. 루테늄-온-실리콘을 포함하는 계면 층의 형성은 표면 거칠기의 증가에 기여하는 것으로 여겨진다. 유리하게, 루테늄-온-실리콘을 포함하는 계면 층(346) 상의 평활화 층(360)이 표면 거칠기를 감소시킨다는 것이 발견되었다.
[0076] 하나 이상의 실시예들에서, 평활화 층(360)은 평활화 층을 갖지 않는 다층 막과 비교하여 다층 막(400)의 표면 거칠기를 감소시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 다층 막(400)의 표면 거칠기는 0.10 nm 내지 0.20 nm의 범위 내이다. 하나 이상의 실시예들에서, 평활화 층을 갖지 않는 다층 막은 적어도 0.20 nm의 표면 거칠기를 갖는다.
[0077] 하나 이상의 실시예들에서, 다층 막의 응력은, 간섭계를 사용함으로써, EUV 마스크 블랭크(204) 또는 다층 막(400)의 전체 평탄도를 측정함으로써 측정될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 간섭계는 어닐링 전 및 어닐링 후에 전체 평탄도를 측정하는 데 사용된다. 하나 이상의 실시예들에서, 평활화 층(360)은 EUV 마스크 블랭크(204) 또는 다층 막(400) 중 하나 이상에서의 응력을 완화시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 다층 막(400)의 응력은 어닐링 전의 약 600 nm로부터 어닐링 후의 약 200 nm로 감소된다. 하나 이상의 실시예들에서, 평활화 층을 갖지 않는 다층 막의 응력은 어닐링 전의 약 800 nm로부터 어닐링 후의 약 400 nm로 감소된다.
[0078] 이제 도 6을 참조하면, 다중-캐소드 소스 챔버(600)의 상부 부분이 실시예에 따라 도시된다. 다중-캐소드 챔버(600)는, 최상부 어댑터(adapter)(604)에 의해 캡핑된 원통형 바디 부분(602)을 갖는 베이스 구조물(601)를 포함한다. 최상부 어댑터(604)는 최상부 어댑터(604) 주위에 포지셔닝된 다수의 캐소드 소스들, 이를테면 캐소드 소스들(606, 608, 610, 612, 및 614)을 위한 프로비전(provision)들을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에 따른 캐소드 소스들(606, 608, 610, 612, 및 614)은, 다층 반사 스택, 흡수체, 캡핑 층, 이중층 막 및 평활화 층을 형성하기 위해, 본원에서 설명되는 바와 같은 다양한 재료들을 포함한다.
[0079] 일부 실시예들에서, 다중-캐소드 소스 챔버(600)는 도 3에 도시된 시스템의 부분이다. 실시예에서, 극자외선(EUV) 마스크 블랭크 생성 시스템은, 기판 핸들링 진공 챔버에 로딩된 기판을 운송하기 위해, 진공에서, 진공의 기판 핸들링 플랫폼을 생성하기 위한 기판 핸들링 진공 챔버, 및 EUV 마스크 블랭크를 형성하기 위한, 기판 핸들링 플랫폼에 의해 액세스되는 다수의 서브-챔버들을 포함하며, 다수의 서브-챔버들은 기판 상에 반사 층들의 다층 스택을 포함하고, 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들, 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층, 및 캡핑 층 상의 흡수체 층을 포함한다. 시스템은 도 4 또는 도 5와 관련하여 도시된 EUV 마스크 블랭크들을 제조하는 데 사용되며, 도 4 - 도 5와 관련하여 설명된 EUV 마스크 블랭크들과 관련하여 설명된 특성들 중 임의의 특성을 갖는다.
[0080] 프로세스들은 일반적으로, 프로세서에 의해 실행될 때 프로세스 챔버가 본 개시내용의 프로세스들을 수행하게 하는 소프트웨어 루틴(software routine)으로서 메모리에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, 프로세서에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격으로 위치된 제2 프로세서(도시되지 않음)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다. 본 개시내용의 방법의 일부 또는 전부는 또한 하드웨어로 수행될 수 있다. 이와 같이, 프로세스는 소프트웨어로 구현되어 컴퓨터 시스템을 사용하여 실행될 수 있거나, 또는 예컨대 주문형 집적 회로 또는 다른 타입의 하드웨어 구현으로서 하드웨어로 구현될 수 있거나, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합으로서 구현될 수 있다. 소프트웨어 루틴은, 프로세서에 의해 실행될 때, 프로세스들이 수행되도록 챔버 동작을 제어하는 특수 목적 컴퓨터(제어기)로 범용 컴퓨터를 변환시킨다.
[0081] 본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예", "특정 실시예들", "하나 이상의 실시예들" 또는 "실시예"에 대한 언급은 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조, 재료 또는 특성이 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 포함되는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 위치들에서 "하나 이상의 실시예들에서", "특정 실시예들에서", "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"와 같은 문구들의 출현들이 반드시 본 개시내용의 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 또한, 특정 특징들, 구조들, 재료들, 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
[0082] 본원의 개시내용이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이 실시예들은 단지 예시적이라는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 방법 및 장치에 대해 다양한 수정들 및 변형들이 이루어질 수 있다는 것이 당업자들에게 자명할 것이다. 따라서, 본 개시내용은 첨부된 청구항들 및 이들의 등가물들의 범위 내에 있는 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 극자외선(EUV) 마스크 블랭크(mask blank)로서,
    기판 상의 이중층 막 ― 상기 이중층 막은, 실리콘(Si)을 포함하는 제1 막 층, 및 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 및 이들의 규화물들로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함하는 제2 막 층을 포함함 ―;
    상기 이중층 막 상의 다층 반사 스택 ― 상기 다층 반사 스택은 교번 층들을 포함함 ―; 및
    상기 다층 반사 스택 상의 캡핑 층을 포함하는, EUV 마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다층 반사 스택 상의 평활화 층 및 상기 평활화 층 상의 캡핑 층을 더 포함하며, 상기 평활화 층은 몰리브덴 규화물(MoSi), 붕소 탄화물(B4C) 및 실리콘 질화물(SiN)로 구성된 군으로부터 선택되는, EUV 마스크 블랭크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 막 층은 3 nm 내지 5 nm의 범위의 두께를 갖고, 상기 제2 막 층은 1 nm 내지 3 nm의 범위의 두께를 갖는, EUV 마스크 블랭크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2 막 층은, EUV 마스크 블랭크를 어닐링한 후에, 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 규화물을 포함하는 제1 층, 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 및 티타늄(Ti)으로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함하는 제2 층, 및 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 및 티타늄(Ti) 중 하나 이상의 규화물을 포함하는 제3 층을 포함하는, EUV 마스크 블랭크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 층 및 상기 제3 층 각각은 1 nm 내지 3 nm의 범위의 두께를 갖는, EUV 마스크 블랭크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 다층 반사 스택의 교번 층들 각각 사이에 적어도 하나의 계면 층을 더 포함하는, EUV 마스크 블랭크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 계면 층 각각은 어닐링 후에 20%를 초과하여 증가하지 않는 두께를 갖는, EUV 마스크 블랭크.
  8. 제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 계면 층은 0.5 nm 내지 2 nm의 범위의 두께를 갖는, EUV 마스크 블랭크.
  9. 제2항에 있어서, 상기 평활화 층은 0.5 nm 내지 2 nm 범위의 두께를 갖는, EUV 마스크 블랭크.
  10. 제9항에 있어서, 상기 EUV 마스크 블랭크는 0.10 nm 내지 0.20 nm 범위의 표면 거칠기를 갖는, EUV 마스크 블랭크.
  11. 제1항에 있어서, 상기 캡핑 층은 2 nm 내지 5 nm의 범위의 두께를 갖는, EUV 마스크 블랭크.
  12. 제11항에 있어서, 상기 캡핑 층은 루테늄(Ru)을 포함하는, EUV 마스크 블랭크.
  13. 다층 막의 반사율을 증가시키는 방법으로서, 상기 방법은,
    기판 상에 제1 막 층 및 제2 막 층을 포함하는 이중층 막을 형성하는 단계 ― 상기 제1 막 층은 실리콘(Si)을 포함하고, 상기 제2 막 층은 루테늄(Ru), 니켈(Ni), 코발트(Co), 텅스텐(W), 철(Fe), 티타늄(Ti), 및 이들의 규화물들로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함함 ―;
    상기 이중층 막 상에 교번 층들을 포함하는 다층 반사 스택을 형성하는 단계;
    상기 다층 반사 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및
    상기 다층 막을 어닐링하는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 다층 반사 스택 상에 평활화 층을 형성하는 단계, 및 상기 평활화 층 상에 캡핑 층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 평활화 층은 몰리브덴 규화물(MoSi), 붕소 탄화물(B4C) 및 실리콘 질화물(SiN)로 구성된 군으로부터 선택되는, 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 다층 막은 어닐링 전에 약 66.8%의 반사율을 갖는, 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 다층 막은 어닐링 후에 약 66.1%의 반사율을 갖는, 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 평활화 층을 형성하는 단계는, 상기 평활화 층을 갖지 않는 다층 막과 비교하여 상기 다층 막의 표면 거칠기를 감소시키는, 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 다층 막의 표면 거칠기는 0.10 nm 내지 0.20 nm의 범위 내에 있는, 방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 다층 막의 응력은 어닐링 전의 약 600 nm로부터 어닐링 후의 약 200 nm로 감소되는, 방법.
  20. 제13항에 있어서, 상기 다층 막을 어닐링하는 단계는 5분 내지 60분의 범위의 시간 기간 동안 180℃ 내지 250℃의 범위의 온도에서 수행되는, 방법.
KR1020247010520A 2021-08-30 2022-08-03 다층 극자외선 반사기 재료들 KR20240054331A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/461,250 2021-08-30
US17/461,250 US11815803B2 (en) 2021-08-30 2021-08-30 Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
PCT/US2022/039266 WO2023033975A1 (en) 2021-08-30 2022-08-03 Multilayer extreme ultraviolet reflector materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240054331A true KR20240054331A (ko) 2024-04-25

Family

ID=85285738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247010520A KR20240054331A (ko) 2021-08-30 2022-08-03 다층 극자외선 반사기 재료들

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11815803B2 (ko)
KR (1) KR20240054331A (ko)
TW (1) TW202309645A (ko)
WO (1) WO2023033975A1 (ko)

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4410407A (en) 1981-12-22 1983-10-18 Raytheon Company Sputtering apparatus and methods
JPS6376325A (ja) 1987-06-30 1988-04-06 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜
DE19508405A1 (de) 1995-03-09 1996-09-12 Leybold Ag Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar
US6323131B1 (en) 1998-06-13 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Passivated copper surfaces
US6132566A (en) 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
TWI267704B (en) 1999-07-02 2006-12-01 Asml Netherlands Bv Capping layer for EUV optical elements
JP3529676B2 (ja) 1999-09-16 2004-05-24 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6562522B1 (en) 1999-10-29 2003-05-13 Intel Corporation Photomasking
US6583068B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Intel Corporation Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask
US6740209B2 (en) 2001-07-27 2004-05-25 Anelva Corporation Multilayer film deposition apparatus, and method and apparatus for manufacturing perpendicular-magnetic-recording media
DE10155112B4 (de) 2001-11-09 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür
EP1333323A3 (en) 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
KR20070086692A (ko) 2002-04-11 2007-08-27 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
US6641899B1 (en) 2002-11-05 2003-11-04 International Business Machines Corporation Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same
US6913706B2 (en) 2002-12-28 2005-07-05 Intel Corporation Double-metal EUV mask absorber
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
US7674360B2 (en) 2003-12-12 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanism for varying the spacing between sputter magnetron and target
JP2005234209A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法
US20060024589A1 (en) 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
US7407729B2 (en) 2004-08-05 2008-08-05 Infineon Technologies Ag EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof
WO2006030627A1 (ja) 2004-09-17 2006-03-23 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクスおよびその製造方法
US8575021B2 (en) 2004-11-22 2013-11-05 Intermolecular, Inc. Substrate processing including a masking layer
FR2884965B1 (fr) 2005-04-26 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase
US7432201B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
KR20070036519A (ko) 2005-09-29 2007-04-03 주식회사 하이닉스반도체 반사형 마스크
JP5045144B2 (ja) 2007-02-22 2012-10-10 株式会社ニコン 多層膜反射鏡、露光装置、デバイス製造方法、及び多層膜反射鏡の製造方法
JP4652946B2 (ja) 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
KR20080001023A (ko) 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법
US7771895B2 (en) 2006-09-15 2010-08-10 Applied Materials, Inc. Method of etching extreme ultraviolet light (EUV) photomasks
JP5194888B2 (ja) 2007-09-27 2013-05-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法
JP5541159B2 (ja) 2008-07-14 2014-07-09 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
DE102008042212A1 (de) 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2010050359A1 (ja) 2008-10-30 2010-05-06 キヤノンアネルバ株式会社 多層膜スパッタリング装置及び多層膜形成方法
US8587662B1 (en) 2008-11-06 2013-11-19 Target Brands, Inc. Theft trend analysis and response
KR101095681B1 (ko) 2008-12-26 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법
EP2264460A1 (en) 2009-06-18 2010-12-22 Nxp B.V. Device having self-assembled-monolayer
JP5766393B2 (ja) 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JP5590113B2 (ja) 2010-03-02 2014-09-17 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
KR101625382B1 (ko) 2010-04-29 2016-05-30 (주)에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
JP5830089B2 (ja) 2010-06-15 2015-12-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖリソグラフィ用のマスク、ｅｕｖリソグラフィシステム、及びマスクの結像を最適化する方法
TWI554630B (zh) 2010-07-02 2016-10-21 應用材料股份有限公司 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法
EP2617076B1 (en) 2010-09-15 2014-12-10 Ricoh Company, Limited Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof
JP6013720B2 (ja) 2010-11-22 2016-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
JPWO2013077430A1 (ja) 2011-11-25 2015-04-27 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2013120868A (ja) 2011-12-08 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
KR20130085774A (ko) 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｕｖ 마스크
WO2013152921A1 (en) 2012-04-12 2013-10-17 Asml Netherlands B.V. Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus
US8658333B2 (en) 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
US8932785B2 (en) 2012-10-16 2015-01-13 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
KR20150088866A (ko) 2012-11-30 2015-08-03 캐논 아네르바 가부시키가이샤 스퍼터링 장치 및 기판 처리 장치
US9146458B2 (en) 2013-01-09 2015-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba EUV mask
US9442387B2 (en) 2013-02-01 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process
US9812303B2 (en) 2013-03-01 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Configurable variable position closed track magnetron
US9135499B2 (en) 2013-03-05 2015-09-15 Tyco Fire & Security Gmbh Predictive theft notification for the prevention of theft
US20140254001A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Globalfoundries Inc. Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making
US9298081B2 (en) 2013-03-08 2016-03-29 Globalfoundries Inc. Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9564348B2 (en) 2013-03-15 2017-02-07 Applied Materials, Inc. Shutter blade and robot blade with CTE compensation
US9091947B2 (en) 2013-07-19 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof
US9134604B2 (en) 2013-08-30 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask
EP3049836A1 (en) 2013-09-23 2016-08-03 Carl Zeiss SMT GmbH Multilayer mirror
US9261774B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
US10279488B2 (en) 2014-01-17 2019-05-07 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9329597B2 (en) 2014-01-17 2016-05-03 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9195132B2 (en) 2014-01-30 2015-11-24 Globalfoundries Inc. Mask structures and methods of manufacturing
US11183375B2 (en) 2014-03-31 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof
KR20160002332A (ko) 2014-06-30 2016-01-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
US9581890B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof
US9709884B2 (en) 2014-11-26 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and manufacturing method by using the same
US9471866B2 (en) 2015-01-05 2016-10-18 Tyco Fire and Securtiy GmbH Anti-theft system used for customer service
TWI694304B (zh) 2015-06-08 2020-05-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底
KR101829604B1 (ko) 2015-08-17 2018-03-29 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법
US10468238B2 (en) 2015-08-21 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for co-sputtering multiple targets
US9673042B2 (en) 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
US20170092533A1 (en) 2015-09-29 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor
US10163629B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US10431440B2 (en) 2015-12-20 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US9791771B2 (en) 2016-02-11 2017-10-17 Globalfoundries Inc. Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure
KR102149907B1 (ko) 2016-03-03 2020-08-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 주기적 공기-물 노출에 의한 개선된 자기-조립 단분자층 차단
US10061191B2 (en) 2016-06-01 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High durability extreme ultraviolet photomask
TWI821984B (zh) 2016-07-27 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
JP2018085332A (ja) 2016-11-11 2018-05-31 三菱ケミカル株式会社 多孔質電極基材及び、ガス拡散層、及びガス拡散電極とその製造方法
US11011357B2 (en) 2017-02-21 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing
US10704139B2 (en) 2017-04-07 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering
JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
US10504705B2 (en) 2017-09-15 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering
KR102402767B1 (ko) * 2017-12-21 2022-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법
TWI821300B (zh) 2018-06-19 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 具有護罩座的沉積系統
TW202043905A (zh) 2019-03-01 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積系統與處理
CN211454228U (zh) * 2019-08-22 2020-09-08 福建省晋华集成电路有限公司 极紫外光光罩基底及极紫外光光罩
US11480869B2 (en) * 2019-08-29 2022-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Photomask with enhanced contamination control and method of forming the same
US11630385B2 (en) * 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023033975A1 (en) 2023-03-09
US11815803B2 (en) 2023-11-14
US20230067566A1 (en) 2023-03-02
TW202309645A (zh) 2023-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102537308B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체 물질들
KR102647715B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체용 ta-cu 합금 재료
WO2020160353A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR20220130786A (ko) 극자외선 마스크 블랭크 하드 마스크 재료들
TWI827922B (zh) 極紫外線遮罩素材及其製造方法
JP7454699B2 (ja) 極紫外線マスク用吸収体材料
WO2020160355A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11249386B2 (en) Extreme ultraviolet mask with backside coating
JP7443560B2 (ja) 極端紫外線マスク吸収体材料
US11640109B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11630385B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11815803B2 (en) Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
US11762278B2 (en) Multilayer extreme ultraviolet reflectors
US11782337B2 (en) Multilayer extreme ultraviolet reflectors
TWI845677B (zh) 極紫外光遮罩吸收材料
JP7192127B2 (ja) 極紫外線マスク吸収体、及びその製造のためのプロセス
US11592738B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI845579B (zh) 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法
US20220350233A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials