KR20210154751A - 수지 조성물 - Google Patents

Abstract

[과제] 비유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)이 낮게 억제된 경화물을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공한다.
[해결수단] (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}

본 발명은 폴리스티렌 수지를 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다. 또한, 상기 수지 조성물을 사용하여 얻어지는 경화물, 시트상 적층 재료, 수지 시트, 프린트 배선판 및 반도체 장치에 관한 것이다.

프린트 배선판의 제조 기술로서, 절연층과 도체층을 교호하여 겹쳐 쌓는 빌드업 방식에 의한 제조방법이 알려져 있다. 빌드업 방식에 의한 제조방법에 있어서 일반적으로, 절연층은 수지 조성물을 경화시켜서 형성된다. 최근, 전자 기기의 소형화, 고성능화가 진행된 것에 의한 신호의 고주파수화에 따라, 다층 프린트 배선판의 절연층의 저유전율화 및 유전 정접화가 요구되고 있다.

또한, 지금까지, 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지를 포함하는 수지 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1).

일본 공개특허공보 특개2017-36353호

본 발명의 과제는, 비유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)이 낮게 억제된 경화물을 얻기 위한 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 과제를 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 검토한 결과, (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물을 사용함으로써, 의외로, 비유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)이 낮게 억제된 경화물을 얻을 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함한다.

[1] (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재를 포함하는, 수지 조성물.

[2] (A) 성분이, 옥사졸린 골격 함유 폴리스티렌 수지를 포함하는, 상기 [1]에 기재된 수지 조성물.

[3] (A) 성분이, 화학식 (1):

[화학식 (1)]

[식 중, R¹¹, R¹² 및 R¹³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R¹⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고; a는 0 내지 5의 정수를 나타낸다]로 표시되는 반복 단위 및 화학식 (2):

[화학식 (2)]

[식 중, R²¹, R²² 및 R²³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R²⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고; X는 단결합 또는 연결기를 나타내고; b는 0 내지 4의 정수를 나타내고; n은 1 내지 4의 정수를 나타낸다]로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지를 포함하는, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.

[4] (A) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 50질량% 이하인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[5] (B) 성분이, (B-1) 페놀계 경화제, (B-2) 산 무수물계 경화제 및 (B-3) 카복실산계 경화제로부터 선택되는 경화제를 포함하는, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[6] (A) 성분의 환상 이미노에테르 골격에 대한 (B) 성분의 반응기의 몰 당량비((B) 성분의 반응기 / (A) 성분의 환상 이미노에테르 골격)가 1 이하인, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[7] (A) 성분에 대한 (B) 성분의 질량비((B) 성분 / (A) 성분)는 0.01 내지 1인, 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[8] (C) 성분이 실리카인, 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[9] (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 40질량% 이상인, 상기 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[10] (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 70질량% 이하인, 상기 [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[11] (A) 성분에 대한 (C) 성분의 질량비((C) 성분 / (A) 성분)가 0.5 내지 10인, 상기 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[12] (D) 에폭시 수지를 추가로 포함하는, 상기 [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[13] (G) 벤조사이클로부텐 수지를 추가로 포함하는, 상기 [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[14] 수지 조성물의 경화물(경화 온도 200℃)의 유전 정접이, 5.8GHz, 23℃에서 측정한 경우, 0.004 이하인, 상기 [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[15] 수지 조성물의 경화물(경화 온도 200℃)의 비유전율이, 5.8GHz, 23℃에서 측정한 경우, 3.0 이하인, 상기 [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[16] 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한, 상기 [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.

[17] 상기 [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물.

[18] 상기 [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 함유하는, 시트상 적층 재료.

[19] 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 상기 [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물로 형성되는 수지 조성물층을 갖는, 수지 시트.

[20] 상기 [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 구비하는, 프린트 배선판.

[21] 상기 [20]에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.

본 발명의 수지 조성물에 의하면, 비유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)이 낮게 억제된 경화물을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명을 이의 적합한 실시형태에 입각해서 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 하기 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 특허청구범위 및 그 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시될 수 있다.

<수지 조성물>

본 발명의 수지 조성물은 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재를 포함한다. 이러한 수지 조성물을 사용함으로써, 비유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)이 낮게 억제된 경화물을 얻을 수 있다.

본 발명의 수지 조성물은, (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재 이외에, 임의의 성분을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 임의의 성분으로서는, 예를 들어, (D) 에폭시 수지, (E) 에폭시 경화제, (F) 에폭시 경화 촉진제, (G) 벤조사이클로부텐 수지, (H) 기타 첨가제 및 (I) 유기 용제를 들 수 있다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.

<(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지>

본 발명의 수지 조성물은 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지를 함유한다. (A) 성분은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.

환상 이미노에테르 골격이란, 구조 단위 「-N=CR-O-」를 갖는 환 골격을 의미하고, 일 실시형태에 있어서, (A) 성분은, 구조 단위 「-N=CR-O-」에서의 R이, 폴리스티렌 수지의 주쇄와 직접적으로 또는 연결기를 개재하여 간접적으로(바람직하게는 직접적으로) 결합하고 있는 수지일 수 있다. 환상 이미노에테르 골격으로서는, 예를 들어, 단환식 환상 이미노에테르 골격일 수 있고, 구체적으로, 2-옥사졸린 골격(이하, 「옥사졸린 골격」이라고 약칭함), 5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진 골격 등의 5 내지 8원(바람직하게는 5 또는 6원)의 단환식 환상 이미노에테르 골격을 들 수 있고, 일 실시형태에 있어서, 옥사졸린 골격이 바람직하다. 따라서, 일 실시형태에 있어서, (A) 성분은, 옥사졸린 골격 함유 폴리스티렌 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

일 실시형태에 있어서, (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 환상 이미노에테르 골격을 갖는 에틸렌성 불포화 단량체와, 스티렌계 단량체를 포함하는 단량체의 공중합체일 수 있다.

환상 이미노에테르 골격을 갖는 에틸렌성 불포화 단량체는, 예를 들어, 2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 4,4-디메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 4,4,5-트리메틸-2-이소프로페닐-2-옥사졸린, 2-비닐-2-옥사졸린, 5-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 4,4-디메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 4-메틸-2-비닐-2-옥사졸린, 4,4,5-트리메틸-2-비닐-2-옥사졸린 등의 비닐옥사졸린 골격 함유 단량체; 2-이소프로페닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 6-메틸-2-이소프로페닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 4,4-디메틸-2-이소프로페닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 4-메틸-2-이소프로페닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 4,4,6-트리메틸-2-이소프로페닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 2-비닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 6-메틸-2-비닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 4,4-디메틸-2-비닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 4-메틸-2-비닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진, 4,4,6-트리메틸-2-비닐-5,6-디하이드로-4H-1,3-옥사진 등의 비닐디하이드로옥사진 골격 함유 단량체 등을 들 수 있다. 스티렌계 단량체는, 스티렌 골격을 갖는 단량체이고, 예를 들어, 스티렌, α-메틸스티렌, 4-메틸스티렌, 3-메틸스티렌, 2-메틸스티렌, 4-에틸스티렌, 4-tert-부틸스티렌, 1-비닐나프탈렌, 2-비닐나프탈렌 등의 단관능 스티렌계 단량체; p-디비닐벤젠, m-디비닐벤젠 등의 다관능 스티렌계 단량체를 들 수 있다.

(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지는, 환상 이미노에테르 골격을 갖는 에틸렌성 불포화 단량체와, 스티렌계 단량체에 더하여, 추가로 기타 단량체와 공중합하고 있어도 좋다. 기타 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 헵틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 노르보르닐(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 아다만틸(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 지방족(메타)아크릴산 에스테르 단량체; 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 등의 방향족 (메타)아크릴산 에스테르 단량체; 2-하이드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 단량체; 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트 등의 할로겐 함유 (메타)아크릴산 에스테르 단량체; 메틸시아노(메타)아크릴레이트, 에틸시아노(메타)아크릴레이트, 프로필시아노(메타)아크릴레이트, 이소프로필시아노(메타)아크릴레이트 등의 시아노기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 단량체 등의 에틸렌성 불포화 카복실산 에스테르 단량체; (메타)아크릴아미드, 말레이미드, N-메틸말레이미드, N-페닐말레이미드, N,N'-에틸렌비스(메타)아크릴아미드 등의 에틸렌성 불포화 카복실산 아미드 단량체; (메타)아크릴산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등의 에틸렌성 불포화 카복실산 단량체; 무수 말레산 등의 에틸렌성 불포화 무수 카복실산 단량체; (메타)아크릴로니트릴 등의 에틸렌성 불포화 니트릴 단량체; 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐, 아세트산 알릴, 프로피온산 알릴, 부티르산 비닐, 벤조산 비닐, 프탈산 디알릴, 이소시아누르산 트리알릴, 시아누르산 트리알릴, 말레산 디알릴, 아디프산 디비닐, 글루타르산 디비닐 등의 올레핀 에스테르 단량체; 알릴에틸에테르, 테트라알릴옥시에탄, 디알릴에테르 등의 올레핀 에테르 단량체; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디올레핀 단량체 등을 들 수 있다. 「(메타)아크릴레이트」는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 포함한다. 「(메타)아크릴산」, 「(메타)아크릴아미드」, 「(메타)아크릴로니트릴」 등도 마찬가지이다.

일 실시형태에 있어서, (A) 성분은, 바람직하게는, 화학식 (1):

[화학식 (1)]

[식 중, R¹¹, R¹² 및 R¹³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R¹⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고; a는 0 내지 5의 정수를 나타낸다]로 표시되는 반복 단위 및 화학식 (2):

[화학식 (2)]

[식 중, R²¹, R²² 및 R²³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R²⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고; X는 단결합 또는 연결기를 나타내고; b는 0 내지 4의 정수를 나타내고; n은 1 내지 4의 정수를 나타낸다]로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지를 포함한다.

한편, 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위 및 화학식 (2)로 표시되는 반복 단위의 순번 및 개개의 배치는 임의이며, 교호 공중합체, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 등을 포함한다. 또한, 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위 및 화학식 (2)로 표시되는 반복 단위는 각각, 단위마다 동일해도 좋고, 달라도 좋다. 또한, 상기 수지는, 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위 및 화학식 (2)로 표시되는 반복 단위 이외의 임의의 단위를 추가로 갖고 있어도 좋다.

치환기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 알킬-아릴기(1개 이상의 알킬기로 치환된 아릴기), 아릴-아릴기(1개 이상의 아릴기로 치환된 아릴기), 아릴-알킬기(1개 이상의 아릴기로 치환된 알킬기), 알킬-옥시기, 알케닐-옥시기, 아릴-옥시기, 알킬-카보닐기, 알케닐-카보닐기, 아릴-카보닐기, 알킬-옥시-카보닐기, 알케닐-옥시-카보닐기, 아릴-옥시-카보닐기, 알킬-카보닐-옥시기, 알케닐-카보닐-옥시기, 아릴-카보닐-옥시기 등의 1가의 치환기를 들 수 있고, 치환 가능하면, 옥소기(=O) 등의 2가의 치환기도 포함할 수 있다.

알킬(기)이란, 직쇄, 분지쇄 및/또는 환상의 1가의 포화 탄화수소기를 말한다. 알킬(기)은, 특별히 지정이 없는 한, 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 14, 보다 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬(기)이다. 알킬(기)로서는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 메틸사이클로헥실기, 디메틸사이클로헥실기, 트리메틸사이클로헥실기, 사이클로펜틸메틸기, 사이클로헥실메틸기 등을 들 수 있다. 알케닐(기)이란, 적어도 1개의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 직쇄, 분지쇄 및/또는 환상의 1가의 지방족 불포화 탄화수소기를 말한다. 알케닐(기)은, 특별히 지정이 없는 한, 바람직하게는 탄소 원자수 2 내지 14, 보다 바람직하게는 탄소 원자수 2 내지 10, 더욱 바람직하게는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐(기)이다. 알케닐(기)로서는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 사이클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 아릴(기)이란, 1가의 방향족 탄화수소기를 말한다. 아릴(기)은, 탄소 원자수 6 내지 14의 아릴(기)이 바람직하다. 아릴(기)로서는, 예를 들어, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다.

연결기로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 알킬렌기, 알케닐렌기, 아릴렌기, -O-, -CO-, -S-, -SO-, -SO₂-, -COO-, -OCO-, -CONH-, -NHCO- 및 이들의 조합 등을 들 수 있다. 연결기의 주쇄의 원자수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1 내지 100, 바람직하게는 1 내지 50, 보다 바람직하게는 1 내지 20, 더욱 바람직하게는 1 내지 10일 수 있다.

알킬렌기란, 직쇄, 분지쇄 또는 환상의 2가의 포화 탄화수소기를 말한다. 알킬렌기는, 특별히 지정이 없는 한, 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 14, 보다 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 10, 더욱 바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬렌기이다. 알킬렌기로서는, 예를 들어, -CH₂-, -CH₂-CH₂-, -CH(CH₃)-, -CH₂-CH₂-CH₂-, -CH₂-CH(CH₃)-, -CH(CH₃)-CH₂-, -C(CH₃)₂-, -CH₂-CH₂-CH₂-CH₂- 등을 들 수 있다. 알케닐렌기란, 적어도 1개의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 직쇄, 분지쇄 또는 환상의 2가의 지방족 불포화 탄화수소기를 말한다. 알케닐렌기는, 특별히 지정이 없는 한, 바람직하게는 탄소 원자수 2 내지 14, 보다 바람직하게는 탄소 원자수 2 내지 10, 더욱 바람직하게는 탄소 원자수 2 내지 6의 알케닐렌기이다. 알케닐렌기로서는, 예를 들어, -CH₂=CH₂-, -C(=CH₂)-, -CH=CH-CH₂-, -CH₂-CH=CH- 등을 들 수 있다. 아릴렌기란, 2가의 방향족 탄화수소기를 말한다. 아릴렌기는, 탄소 원자수 6 내지 14의 아릴렌기가 바람직하다. 아릴렌기로서는, 예를 들어, 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 2,4-나프틸렌기 등을 들 수 있다.

R¹¹, R¹² 및 R¹³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 바람직하게는, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기이고, 보다 바람직하게는, 수소 원자 또는 알킬기이며, 더욱 바람직하게는, 수소 원자이다. R¹⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고, 바람직하게는, 알킬기 또는 아릴기이며, 보다 바람직하게는 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 메틸기이다. a는 0 내지 5의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0 내지 2이며, 보다 바람직하게는 0이다.

R²¹, R²² 및 R²³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, 바람직하게는, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기이며, 보다 바람직하게는, 수소 원자 또는 알킬기이고, 더욱 바람직하게는, R²¹ 및 R²²가 수소 원자이고 또한 R²³이 알킬기이며, 특히 바람직하게는, R²¹ 및 R²²가 수소 원자이고 또한 R²³이 메틸기이다. R²⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고, 바람직하게는, 알킬기 또는 아릴기이며, 보다 바람직하게는 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 메틸기이다. X는 단결합 또는 연결기를 나타내고, 바람직하게는, 단결합이다. b는 0 내지 4의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0 내지 3이며, 보다 바람직하게는 0 또는 1이고, 더욱 바람직하게는 0이다. n은 1 내지 4의 정수를 나타내고, 바람직하게는 1 내지 3의 정수이며, 보다 바람직하게는 1 또는 2이고, 더욱 바람직하게는 1이다.

일 실시형태에 있어서, 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위는, 바람직하게는, 화학식 (1'):

[화학식 (1')]

으로 표시되는 반복 단위이다.

(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지 1분자에서의 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위의 단위 수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 5 내지 100,000, 보다 바람직하게는 5 내지 10,000, 더욱 바람직하게는 100 내지 5,000이다.

일 실시형태에 있어서, 화학식 (2)로 표시되는 반복 단위는, 바람직하게는, 화학식 (2'):

[화학식 (2')]

[식 중, 각 기호는 화학식 (2)와 동일하다]

로 표시되는 반복 단위이고, 보다 바람직하게는, 화학식 (2"-1) 내지 (2"-20):

[화학식 (2"-1)]

[화학식 (2"-2)]

[화학식 (2"-3)]

[화학식 (2"-4)]

[화학식 (2"-5)]

[화학식 (2"-6)]

[화학식 (2"-7)]

[화학식 (2"-8)]

[화학식 (2"-9)]

[화학식 (2"-10)]

[화학식 (2"-11)]

[화학식 (2"-12)]

[화학식 (2"-13)]

[화학식 (2"-14)]

[화학식 (2"-15)]

[화학식 (2"-16)]

[화학식 (2"-17)]

[화학식 (2"-18)]

[화학식 (2"-19)]

[화학식 (2"-20)]

중 어느 하나로 표시되는 반복 단위이고, 일 실시형태에 있어서, 더욱 바람직하게는, 화학식 (2"-1) 또는 (2"-6)으로 표시되는 반복 단위이며, 특히 바람직하게는, 화학식 (2"-1)로 표시되는 반복 단위이다.

(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지 1분자 중에서의 화학식 (2)로 표시되는 반복 단위의 단위 수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 5 내지 5,000, 보다 바람직하게는 5 내지 500, 더욱 바람직하게는 10 내지 100이다.

(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지에서의 화학식 (2)로 표시되는 반복 단위의 단위 수에 대한 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위의 단위 수의 비(화학식 (1) 단위/화학식 (2) 단위)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 3 내지 500, 보다 바람직하게는 10 내지 100, 더욱 바람직하게는 20 내지 60이다.

(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 10,000 이상, 보다 바람직하게는 50,000 이상, 더욱 바람직하게는 100,000 이상이다. (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 중량 평균 분자량(Mw)의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1,000,000 이하, 보다 바람직하게는 500,000 이하, 더욱 바람직하게는 300,000 이하이다. (A) 성분의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.

(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 환상 이미노에테르 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.03mmol/g 내지 3.00mmol/g, 더욱 바람직하게는 0.05mmol/g 내지 1.50mmol/g, 보다 바람직하게는 0.10mmol/g. 내지 0.30mmol/g이다. (A) 성분의 환상 이미노에테르 함유량은, (A) 성분 1g당 환상 이미노에테르 골격의 물질량이다. (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 환상 이미노에테르 당량은, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 바람직하게는 300g/eq. 내지 30,000g/eq., 보다 바람직하게는 1,000g/eq. 내지 10,000g/eq., 더욱 바람직하게는 2,000g/eq. 내지 5,000g/eq.이다. (A) 성분의 환상 이미노에테르 당량은, 환상 이미노에테르 골격 1당량당 수지의 질량이다.

(A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 시판품으로서는, 예를 들어, 닛폰 쇼쿠바이사 제조의 「에포크로스 RPS-1005」 등을 들 수 있다.

수지 조성물 중의 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 70질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하이며, 유전 정접을 보다 낮게 억제하는 관점에서, 보다 더 바람직하게는 50질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다. 수지 조성물 중의 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 함유량의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 15질량% 이상, 특히 바람직하게는 20질량% 이상이다.

<(B) 경화제>

본 발명의 수지 조성물은 (B) 경화제를 함유한다. (B) 경화제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다. 여기서 설명하는 (B) 경화제는, 일 실시형태에 있어서, 적어도 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지와 반응(예를 들어 부가 반응)해서 수지 조성물을 경화하는 기능을 갖는다. 또한, (B) 경화제는, 일 실시형태에 있어서, 수지 조성물이 (D) 에폭시 수지 등을 포함하는 경우, (A) 성분에 더하여 (D) 성분 등과 반응(예를 들어 부가 반응)해서 수지 조성물을 경화하는 기능을 갖는 경우가 있다.

(B) 경화제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, (B-1) 페놀계 경화제, (B-2) 산 무수물계 경화제, (B-3) 카복실산계 경화제, (B-4) 티올계 경화제 등을 들 수 있다. (B) 경화제는, (B-1) 페놀계 경화제, (B-2) 산 무수물계 경화제 및 (B-3) 카복실산계 경화제로부터 선택되는 경화제를 포함하는 것이 바람직하다.

(B-1) 페놀계 경화제는, 1분자 중에 2개 이상의 페놀성 수산기를 갖는 경화제이고, 예를 들어, 비페닐형 페놀계 경화제, 나프탈렌형 페놀계 경화제, 페놀 노볼락형 페놀계 경화제, 나프틸렌에테르형 페놀계 경화제, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제, 폴리페닐렌에테르형 페놀계 경화제, 페놀아르알킬형 페놀계 경화제, 크레졸 노볼락형 페놀계 경화제, 비스페놀형 페놀계 경화제 등을 들 수 있고, 그 중에서도 바람직하게는, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제, 폴리페닐렌에테르형 페놀계 경화제이다.

(B-1) 페놀계 경화제의 시판품으로서는, 구체적으로, 비페닐형 페놀계 경화제인 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」(메이와 카세이사 제조), 나프탈렌형 페놀계 경화제인 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」(닛폰 카야쿠사 제조), 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN375」, 「SN395」 (신닛테츠 카가쿠사 제조), 「EXB9500」(DIC사 제조), 페놀 노볼락형 페놀계 경화제인 「TD2090」(DIC사 제조), 나프틸렌에테르형 페놀계 경화제인 「EXB-6000」 (DIC사 제조), 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제인 「LA3018」, 「LA7052」, 「LA7054」, 「LA1356」(DIC사 제조), 폴리페닐렌에테르형 페놀계 경화제인 「SA-90」(SABIC사 제조) 등을 들 수 있다.

(B-2) 산 무수물계 경화제는, 1분자 중에 1개 이상의 카복실산 무수물기(-CO-O-CO-)를 갖는 경화제이고, 예를 들어, 무수프탈산, 피로멜리트산 2무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3', 4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카복실산 2무수물, 3,3',4,4'-비페닐테트라카복실산 2무수물, 메틸렌-4,4'-디프탈산 2무수물등의 방향족 산 무수물계 경화제; 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 사이클로펜탄테트라카복실산 2무수물, 사이클로헥산-1,2,4,5-테트라카복실산 2무수물 등의 지방족 산 무수물계 경화제; 스티렌/무수 말레산 공중합체, (메타)아크릴산 알킬/스티렌/무수 말레산 공중합체 등의 무수 말레산 중합체계 경화제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 무수 말레산 중합체계 경화제이고, 특히 바람직하게는, 스티렌/무수 말레산 공중합체계 경화제이다.

(B-2) 산 무수물계 경화제의 시판품으로서는, 지방족 디카복실산 무수물계 경화제인 「HNA-100」, 「MH-700」, 「MTA-15」, 「DDSA」, 「OSA」(신닛폰 리카사 제조), 「YH-306」, 「YH-307」(미츠비시 케미칼사 제조), 「HN-2200」, 「HN-5500」(히타치 카세이사 제조), 스티렌/무수 말레산 공중합체계 경화제인 「XIRAN1000」, 「XIRAN2000」, 「XIRAN2500」, 「XIRAN3000」, 「XIRAN3500」, 「XIRAN3600」, 「XIRAN4000」, 「XIRAN6000」, 「XIRAN9000」, 「XIRAN EF10」, 「XIRAN EF30」, 「XIRAN EF40」, 「XIRAN EF41」, 「XIRAN EF61」, 「XIRAN EF80」(Polyscope사 제조) 등을 들 수 있다.

(B-3) 카복실산계 경화제는, 1분자 중에 2개 이상의 카복시기를 갖는 경화제이고, 예를 들어, 석신산, 글루타르산, 아디프산, 세박산 등의 지방족 카복실산계 경화제; 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산 등의 방향족 카복실산계 경화제; 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 등의 아크릴산 중합체계 경화제; 스티렌/무수 말레산 공중합체, (메타)아크릴산 알킬/스티렌/무수 말레산 공중합체 등의 무수 말레산 중합체를 에스테르화 가수분해한 에스테르기 함유 카복실산계 경화제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 말레산 중합체계 경화제이다.

(B-3) 카복실산계 경화제의 시판품으로서는, 에스테르기 함유 카복실산계 경화제인 「XIRAN1440」, 「XIRAN17352」, 「XIRAN2625」, 「XIRAN3840」(Polyscope사 제조) 등을 들 수 있다.

(B-4) 티올계 경화제는, 1분자 중에 2개 이상의 머캅토기를 갖는 경화제이고, 예를 들어, 4,4'-디머캅토비페닐, 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리티올, 2,5-디머캅토-1,3,4-티아디아졸, 벤젠-1,4-디티올 등의 방향족 티올계 경화제; 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트 등의 지방족 티올계 경화제를 들 수 있다.

(B) 경화제의 반응기 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 보다 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 1,000g/eq., 특히 바람직하게는 120g/eq. 내지 900g/eq.이다. 반응기 당량은, 반응기 1당량당 경화제의 질량이다. 여기서 말하는 반응기는, 예를 들어, 페놀계 경화제이면 페놀성 수산기, 카복실산계 경화제이면 카복시기, 티올계 경화제이면 머캅토기를 의미하고, 산 무수물계 경화제의 경우는 카복실산 무수물기(-CO-O-CO-) 1당량으로 반응기 2당량에 상당한다.

수지 조성물 중의 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지의 환상 이미노에테르 골격에 대한 (B) 경화제의 반응기의 몰 당량비((B) 성분의 반응기 / (A) 성분의 환상 이미노에테르 골격)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1 이하, 보다 바람직하게는 0.98 이하, 더욱 바람직하게는 0.97 이하이다.

수지 조성물 중의 (B) 경화제의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 15질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다. 수지 조성물 중의 (B) 경화제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 1질량% 이상이다.

수지 조성물 중의 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지에 대한 (B) 경화제의 질량비((B) 성분 / (A) 성분)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.001 이상, 보다 바람직하게는 0.01 이상, 더욱 바람직하게는 0.03 이상, 특히 바람직하게는 0.04 이상이다. 수지 조성물 중의 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지에 대한 (B) 경화제의 질량비((B) 성분 / (A) 성분)의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 1 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 이하, 특히 바람직하게는 0.3 이하이다.

<(C) 무기 충전재>

본 발명의 수지 조성물은 (C) 무기 충전재를 함유한다. (C) 무기 충전재는, 입자 상태로 수지 조성물에 포함된다.

(C) 무기 충전재의 재료로서는 무기 화합물을 사용한다. (C) 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄, 인산 텅스텐산 지르코늄, 페라이트, 철계 합금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. (C) 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.

(C) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 덴카 카가쿠코교사 제조의 「UFP-30」; 신닛테츠 스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」, 「SC2050-SXF」; 덴카사 제조의 「DAW-03」, 「FB-105FD」 등을 들 수 있다.

(C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 10μm 이하, 보다 바람직하게는 5μm 이하, 더욱 바람직하게는 3μm 이하, 보다 더 바람직하게는 2μm 이하, 특히 바람직하게는 1μm 이하이다. (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.01μm 이상, 보다 바람직하게는 0.1μm 이상, 더욱 바람직하게는 0.3μm 이상, 특히 바람직하게는 0.5μm 이상이다. (C) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 중앙 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 칭량하여 취하고, 초음파로 20분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하고, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자 직경 분포를 측정하여, 얻어진 입자 직경 분포로부터 중앙 직경으로서 평균 입자 직경을 산출하였다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 호리바 세사쿠쇼사 제조제 「LA-960」, 시마즈 세사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 들 수 있다.

(C) 무기 충전재의 비표면적은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎡/g 이상, 더욱 바람직하게는 1㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. (C) 무기 충전재의 비표면적의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 100㎡/g 이하, 보다 바람직하게는 50㎡/g 이하, 더욱 바람직하게는 30㎡/g 이하, 특히 바람직하게는 10㎡/g 이하이다. 무기 충전재의 비표면적은, BET법에 따르고, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용해서 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.

(C) 무기 충전재는, 적절한 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리됨으로써, (C) 무기 충전재의 내습성 및 분산성을 높일 수 있다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란 등의 비닐계 실란 커플링제; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란 등의 에폭시계 실란 커플링제; p-스티릴트리메톡시실란 등의 스티릴계 실란 커플링제; 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 등의 메타크릴계 실란 커플링제; 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 아크릴계 실란 커플링제; N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐-8-아미노옥틸트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노계 실란 커플링제; 트리스-(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트계 실란 커플링제; 3-우레이도프로필트리알콕시실란 등의 우레이도계 실란 커플링제; 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 등의 머캅토계 실란 커플링제; 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등의 이소시아네이트계 실란 커플링제; 3-트리메톡시실릴프로필석신산 무수물 등의 산 무수물계 실란 커플링제 등의 실란 커플링제; 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 트리플루오로프로필트리메톡시실란 등의 비실란 커플링-알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 표면 처리제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조의 「KBM-1003」, 「KBE-1003」(비닐계 실란 커플링제); 「KBM-303」, 「KBM-402」, 「KBM-403」, 「KBE-402」, 「KBE-403」(에폭시계 실란 커플링제); 「KBM-1403」(스티릴계 실란 커플링제); 「KBM-502」, 「KBM-503」, 「KBE-502」, 「KBE-503」(메타크릴계 실란 커플링제); 「KBM-5103」(아크릴계 실란 커플링제); 「KBM-602」, 「KBM-603」, 「KBM-903」, 「KBE-903」, 「KBE-9103P」, 「KBM-573」, 「KBM-575」(아미노계 실란 커플링제); 「KBM-9659」(이소시아누레이트계 실란 커플링제); 「KBE-585」(우레이도계 실란 커플링제); 「KBM-802」, 「KBM-803」(머캅토계 실란 커플링제); 「KBE-9007N」(이소시아네이트계 실란 커플링제); 「X-12-967C」(산 무수물계 실란 커플링제); 「KBM-13」, 「KBM-22」, 「KBM-103」, 「KBE-13」, 「KBE-22」, 「KBE-103」, 「KBM-3033」, 「KBE-3033」, 「KBM-3063」, 「KBE-3063」, 「KBE-3083」, 「KBM-3103C」, 「KBM-3066」, 「KBM-7103」(비실란 커플링-알콕시실란 화합물) 등을 들 수 있다.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량%는, 0.2질량% 내지 5질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량% 내지 3질량%로 표면 처리되어 있는 것이 보다 바람직하고, 0.3질량% 내지 2질량%로 표면 처리되어 있는 것이 더욱 바람직하다.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 조성물의 용융 점도나 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 방지하는 관점에서, 1.0mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.

(C) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전 재에 추가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 이용해서 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.

수지 조성물 중의 (C) 무기 충전재의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 90질량% 이하, 보다 바람직하게는 80질량% 이하, 더욱 바람직하게는 75질량% 이하이며, 구리 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 보다 더 바람직하게는 70질량% 이하, 특히 바람직하게는 67질량% 이하일 수 있다. 수지 조성물 중의 (C) 무기 충전재의 함유량의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 예를 들어, 1질량% 이상, 5질량% 이상이며, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 10질량% 이상, 20질량% 이상, 보다 바람직하게는 30질량% 이상, 35질량% 이상, 유전 정접을 보다 낮게 억제하는 관점에서, 더욱 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 50질량% 이상, 특히 바람직하게는 60질량% 이상 등일 수 있다.

수지 조성물 중의 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지에 대한 (C) 무기 충전재의 질량비((C) 성분 / (A) 성분)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.5 이상이며, 유전 정접을 보다 낮게 억제하는 관점에서, 더욱 바람직하게는 1 이상, 특히 바람직하게는 1.5 이상이다. 수지 조성물 중의 (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지에 대한 (C) 무기 충전재의 질량비((C) 성분 / (A) 성분)의 상한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 20 이하, 보다 바람직하게는 10 이하, 더욱 바람직하게는 5 이하, 특히 바람직하게는 3 이하이다.

<(D) 에폭시 수지>

본 발명의 수지 조성물은, 임의 성분으로서 (D) 에폭시 수지를 포함하는 경우가 있다. (D) 에폭시 수지란, 에폭시기를 갖는 경화성 수지를 의미한다.

(D) 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지, 페놀프탈레인형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. (D) 에폭시 수지는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

수지 조성물은, (D) 에폭시 수지로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (D) 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물에서의 에폭시 수지는, 비유전율 및 유전 정접을 보다 낮게 억제하는 관점에서, 불소 함유 에폭시 수지 또는 지환식 골격 함유 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 본 발명의 수지 조성물은, 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 또는 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 또는 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하고 있어도 좋다.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물에서의 에폭시 수지는, 고체상 에폭시 수지만이라도 좋지만, 구리 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 액상 에폭시 수지만이거나, 또는 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 조합인 것이 바람직하고, 액상 에폭시 수지만인 것이 특히 바람직하다.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하다.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀A형 에폭시 수지);미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」, 「604」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-3950L」, 「EP-3980S」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-4088S」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 닛폰 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지, 페놀프탈레인형 에폭시 수지가 바람직하다.

고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200L」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」 (나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3000FH」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN485」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN375」(디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YX4000HK」, 「YL7890」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(페놀아르알킬형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1010」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「WHR991S」(페놀프탈이미딘형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(D) 에폭시 수지로서, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용할 경우, 이들의 양비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:1 내지 1:20, 보다 바람직하게는 1:1.5 내지 1:15, 특히 바람직하게는 1:2 내지 1:10이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비가 이러한 범위에 있음으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻을 수 있다. 또한, 통상은, 수지 시트 형태로 사용할 경우에, 적당한 점착성이 초래된다. 또한, 통상은, 수지 시트 형태로 사용할 경우에, 충분한 가요성을 얻을 수 있고, 취급성이 향상된다. 또한, 통상은, 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있다.

(D) 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 60g/eq. 내지 1,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 500g/eq., 보다 더 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 에폭시 당량은, 에폭시기 1당량당 수지의 질량이다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라서 측정할 수 있다.

(D) 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.

수지 조성물 중의 (D) 에폭시 수지의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 5질량% 이하이다. 수지 조성물 중의 (D) 에폭시 수지의 함유량의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 예를 들어, 0질량% 이상, 0.01질량% 이상, 0.1질량% 이상, 1질량% 이상, 2질량% 이상 등일 수 있다.

<(E) 에폭시 경화제>

본 발명의 수지 조성물은, (D) 에폭시 수지를 포함할 경우, 임의 성분으로서, (E) 에폭시 경화제를 추가로 포함하는 경우가 있다. 여기서 설명하는 (E) 에폭시 경화제는, 일 실시형태에 있어서, (D) 에폭시 수지가 상기에서 설명한 (B) 경화제와 반응하지 않거나 또는 반응 속도가 떨어져 충분히 반응하지 않는 경우에, (D) 에폭시 수지와 충분히 반응(예를 들어 부가 반응)해서 수지 조성물을 경화한다. (E) 에폭시 경화제는, 일 실시형태에 있어서, (D) 성분과의 반응 속도에 비해서 (A) 성분과의 반응 속도가 늦거나 또는 반응하지 않는다. (E) 에폭시 경화제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(E) 에폭시 경화제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, (E-1) 활성 에스테르계 경화제, (E-2) 카보디이미드계 경화제, (E-3) 아민계 경화제, (E-4) 벤조옥사진계 경화제, (E-5) 시아네이트에스테르계 경화제 등을 들 수 있다. 일 실시형태에 있어서, (E) 에폭시 경화제는, (E-1) 활성 에스테르계 경화제를 포함하는 것이 특히 바람직하다.

(E-1) 활성 에스테르계 경화제로서는, 일반적으로 페놀 에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다.

(E-1) 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다.

(E-1) 활성 에스테르계 경화제로서는, 예를 들어 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합해서 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.

구체적으로는, (E-1) 활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 경화제, 나프탈렌 구조를 포함하는 나프탈렌형 활성 에스테르계 경화제, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 그 중에서도 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 경화제 및 나프탈렌형 활성 에스테르계 경화제로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하고, 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 경화제가 더욱 바람직하다. 디사이클로펜타디엔형 활성 에스테르계 경화제로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.

(E-1) 활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「EXB-8000L」, 「EXB-8000L-65M」, 「EXB-8000L-65TM」, 「HPC-8000L-65TM」, 「HPC-8000」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H」, 「HPC-8000H-65TM」, (DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150-60T」, 「EXB-8150-62T」, 「EXB-9416-70BK」, 「HPC-8150-60T」, 「HPC-8150-62T」(DIC사 제조), 인 함유 활성 에스테르계 경화제로서, 「EXB9401」(DIC사 제조), 페놀 노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조), 페놀 노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」, 「YLH1030」, 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조), 스티릴기 및 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「PC1300-02-65MA」(에어워터사 제조) 등을 들 수 있다.

(E-2) 카보디이미드계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 카브로디이미드 구조를 갖는 경화제를 들 수 있고, 예를 들어, 테트라메틸렌-비스(t-부틸카보디이미드), 사이클로헥산비스(메틸렌-t-부틸카보디이미드) 등의 지방족 비스카보디이미드; 페닐렌-비스(크실릴카보디이미드) 등의 방향족 비스카보디이미드 등의 비스카보디이미드; 폴리헥사메틸렌카보디이미드, 폴리트리메틸헥사메틸렌카보디이미드, 폴리사이클로헥실렌카보디이미드, 폴리(메틸렌비스사이클로헥실렌카보디이미드), 폴리(이소포론카보디이미드) 등의 지방족 폴리카보디이미드; 폴리(페닐렌카보디이미드), 폴리(나프틸렌카보디이미드), 폴리(톨릴렌카보디이미드), 폴리(메틸디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(트리에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(디에틸페닐렌카보디이미드), 폴리(트리이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(디이소프로필페닐렌카보디이미드), 폴리(크실릴렌카보디이미드), 폴리(테트라메틸크실릴렌카보디이미드), 폴리(메틸렌디페닐렌카보디이미드), 폴리[메틸렌비스(메틸페닐렌)카보디이미드] 등의 방향족 폴리카보디이미드 등의 폴리카보디이미드를 들 수 있다.

(E-2) 카보디이미드계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들어, 닛신보 케미컬사 제조의 「카보디라이트 V-02B」, 「카보디라이트 V-03」, 「카보디라이트 V-04K」, 「카보디라이트 V-07」 및 「카보디라이트 V-09」; 라인케미사 제조의 「스타바쿠졸 P」, 「스타바쿠졸 P400」, 「하이카딜 510」 등을 들 수 있다.

(E-3) 아민계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상의 아미노기를 갖는 경화제를 들 수 있고, 예를 들어, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 나타내는 관점에서, 방향족 아민류가 바람직하다. (E-3) 아민계 경화제는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. (E-3) 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4- (4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. (E-3) 아민계 경화제는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 세이카사 제조 「SEIKACURE-S」, 닛폰 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.

(E-4) 벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OP100D」, 「ODA-BOZ」; 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」; 시코쿠 카세이코교사 제조의 「P-d」, 「F-a」 등을 들 수 있다.

(E-5) 시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트)), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. (E-5) 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(모두 페놀 노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.

(E) 에폭시 경화제의 반응기 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1,000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 반응기 당량은, (D) 에폭시 수지에서의 에폭시기와의 반응기 1당량당 에폭시 경화제의 질량이다.

수지 조성물 중의 (E) 에폭시 경화제의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 5질량% 이하이다. 수지 조성물 중의 (E) 에폭시 경화제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 예를 들어, 0질량% 이상, 0.01질량% 이상, 0.1질량% 이상, 1질량% 이상, 2질량% 이상 등일 수 있다.

<(F) 에폭시 경화 촉진제>

본 발명의 수지 조성물은, (D) 에폭시 수지를 포함할 경우, 임의 성분으로서, (F) 에폭시 경화 촉진제를 추가로 포함하는 경우가 있다. 일 실시형태에 있어서, (F) 에폭시 경화 촉진제는, (D) 에폭시 수지의 경화 반응을 촉진하는 촉매로서의 기능을 가질 수 있다.

(F) 에폭시 경화 촉진제로서는, 예를 들어, (F-1) 이미다졸계 경화 촉진제, (F-2) 아민계 경화 촉진제, (F-3) 인계 경화 촉진제, (F-4) 우레아계 경화 촉진제, (F-5) 구아니딘계 경화 촉진제, (F-6) 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 일 실시형태에 있어서, (F) 에폭시 경화 촉진제는, (F-1) 이미다졸계 경화 촉진제 및 (F-2) 아민계 경화 촉진제로부터 선택되는 에폭시 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. (F) 에폭시 경화 촉진제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

(F-1) 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6- [2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물, 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다.

(F-1) 이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 시코쿠 카세이코교사 제조의 「1B2PZ」, 「2MZA-PW」, 「2PHZ-PW」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.

(F-2) 아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있다.

(F-2) 아민계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 아지노모토 파인테크노사 제조의 「MY-25」 등을 들 수 있다.

(F-3) 인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라부틸포스포늄클로라이드, 테트라부틸포스포늄아세테이트, 테트라부틸포스포늄데카노에이트, 테트라부틸포스포늄라우레이트, 비스(테트라부틸포스포늄)피로멜리테이트, 테트라부틸포스포늄하이드로젠헥사하이드로프탈레이트, 테트라부틸포스포늄2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페노레이트, 디-tert-부틸메틸포스포늄테트라페닐보레이트 등의 지방족 포스포늄염; 메틸트리페닐포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드, 프로필트리페닐포스포늄브로마이드, 부틸트리페닐포스포늄브로마이드, 벤질트리페닐포스포늄클로라이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, p-톨릴트리페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라p-톨릴보레이트, 트리페닐에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(3-메틸페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(2-메톡시페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등의 방향족 포스포늄염; 트리페닐포스핀·트리페닐보란 등의 방향족 포스핀·보란 복합체; 트리페닐포스핀·p-벤조퀴논 부가 반응물 등의 방향족 포스핀·퀴논 부가 반응물; 트리부틸포스핀, 트리-tert-부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 디-tert-부틸(2-부테닐)포스핀, 디-tert-부틸(3-메틸-2-부테닐)포스핀, 트리사이클로헥실포스핀 등의 지방족 포스핀; 디부틸페닐포스핀, 디-tert-부틸페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 에틸디페닐포스핀, 부틸디페닐포스핀, 디페닐사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 트리-m-톨릴포스핀, 트리-p-톨릴포스핀, 트리스(4-에틸페닐)포스핀, 트리스(4-프로필페닐)포스핀, 트리스(4-이소프로필페닐)포스핀, 트리스(4-부틸페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부틸페닐)포스핀, 트리스(2,4-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸페닐)포스핀, 트리스(3,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,4,6-트리메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸-4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(2-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부톡시페닐)포스핀, 디페닐-2-피리딜포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,2-비스(디페닐포스피노)아세틸렌, 2,2'-비스(디페닐포스피노)디페닐에테르 등의 방향족 포스핀 등을 들 수 있다.

(F-4) 우레아계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 1,1-디메틸 요소; 1,1,3-트리메틸 요소, 3-에틸-1,1-디메틸 요소, 3-사이클로헥실-1,1-디메틸 요소, 3-사이클로옥틸-1,1-디메틸 요소 등의 지방족 디메틸우레아; 3-페닐-1,1-디메틸 요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(3-클로로-4-메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(2-메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(3,4-디메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-이소프로필페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-메톡시페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(4-니트로페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-[4-(4-메톡시페녹시)페닐]-1,1-디메틸 요소, 3-[4-(4-클로로페녹시)페닐]-1,1-디메틸 요소, 3-[3-(트리플루오로메틸)페닐]-1,1-디메틸 요소, N,N-(1,4-페닐렌)비스(N',N'-디메틸 요소), N,N-(4-메틸-1,3-페닐렌)비스(N',N'-디메틸 요소)〔톨루엔비스디메틸우레아〕등의 방향족 디메틸우레아 등을 들 수 있다.

(F-5) 구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다.

(F-6) 금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.

수지 조성물 중의 (F) 에폭시 경화 촉진제의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.05질량% 이하이다. 수지 조성물 중의 (F) 에폭시 경화 촉진제의 함유량의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 예를 들어, 0질량% 이상, 0.0001질량% 이상, 0.001질량% 이상, 0.01질량% 이상 등일 수 있다.

<(G) 벤조사이클로부텐 수지>

본 발명의 수지 조성물은, 임의 성분으로서, (G) 벤조사이클로부텐 수지를 포함하는 경우가 있다. (G) 벤조사이클로부텐 수지는, 1개 이상의 벤조사이클로부텐환, 바람직하게는, 2개 이상의 벤조사이클로부텐환을 갖는 화합물이다. 일 실시형태에 있어서, (G) 성분은 에틸렌성 불포화기와 부가 반응할 수 있다.

일 실시형태에 있어서, (G) 벤조사이클로부텐 수지는, 에틸렌성 불포화기를 추가로 갖는 것이 바람직하다. (G) 성분이 에틸렌성 불포화기를 가짐으로써, (G) 성분만으로 중합 가능해질 수 있다.

일 실시형태에 있어서, (G) 벤조사이클로부텐 수지는, 오르가노실록산 골격을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 오르가노실록산 골격으로서는, 예를 들어, 디메틸실록산 골격 등의 디알킬실록산 골격; 디페닐실록산 골격 등의 디아릴실록산 골격 등을 들 수 있고, 디알킬실록산 골격이 바람직하고, 디메틸실록산 골격이 특히 바람직하다.

일 실시형태에 있어서, (G) 벤조사이클로부텐 수지는, 바람직하게는, 화학식 (3):

[화학식 (3)]

[식 중, R¹ 및 R³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기(바람직하게는 수소 원자 또는 알킬기, 특히 바람직하게는 수소 원자)를 나타내고; R² 및 R⁴는 각각 독립적으로, 치환기(바람직하게는 알킬기 또는 아릴기, 특히 바람직하게는 알킬기)를 나타내고; c는 각각 독립적으로, 0 내지 3의 정수(바람직하게는 0)를 나타내고; m은 각각 독립적으로, 1 이상의 정수(바람직하게는 1 내지 3의 정수, 보다 바람직하게는 1)를 나타낸다]로 표시되는 수지이다.

(G) 벤조사이클로부텐 수지의 시판품으로서는, 예를 들어, 더 다우 케미컬 컴퍼니 제조의 「CYCLOTENE3022」 등을 들 수 있다.

수지 조성물 중의 (G) 벤조사이클로부텐 수지의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다. 수지 조성물 중의 (G) 벤조사이클로부텐 수지의 함유량의 하한은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 예를 들어, 0질량% 이상, 0.01질량% 이상, 0.1질량% 이상, 0.5질량% 이상 등으로 할 수 있고, 유전 정접을 낮게 억제하는 관점에서, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이다.

<(H) 기타 첨가제>

본 발명의 수지 조성물은, 불휘발 성분으로서, 임의의 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어, 말레이미드계 라디칼 중합성 화합물, 비닐페닐계 라디칼 중합성 화합물, (메타)아크릴계 라디칼 중합성 화합물, 알릴계 라디칼 중합성 화합물, 폴리부타디엔계 라디칼 중합성 화합물 등의 라디칼 중합성 화합물; 과산화물계 라디칼 중합 개시제, 아조계 라디칼 중합 개시제 등의 라디칼 중합 개시제; 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등의 열가소성 수지; 에폭시아크릴레이트 수지, 우레탄아크릴레이트 수지, 우레탄 수지, 시아네이트 수지, 폴리이미드 수지, 벤조옥사진 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 페녹시 수지 등의 에폭시 수지 이외의 열 경화성 수지; 고무 입자 등의 유기 충전재; 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 프탈로시아닌 블루, 프탈로시아닌 그린, 아이오딘 그린, 디아조 옐로우, 크리스탈 바이올렛, 산화 티탄, 카본 블랙 등의 착색제; 하이드로퀴논, 카테콜, 피로갈롤, 페노티아진 등의 중합 금지제; 실리콘계 레베링제, 아크릴 폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제 등의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소 실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드페놀계 산화 방지제, 힌더드아민계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 스틸벤 유도체 등의 형광 증백제; 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 계면활성제; 인계 난연제(예를 들어 인산 에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적인), 질소계 난연제(예를 들어 황산 멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들어 3산화 안티몬) 등의 난연제; 인산 에스테르계 분산제, 폴리옥시알킬렌계 분산제, 아세틸렌계 분산제, 실리콘계 분산제, 음이온성 분산제, 양이온성 분산제 등의 분산제; 보레이트계 안정제, 티타네이트계 안정제, 알루미네이트계 안정제, 지르코네이트계 안정제, 이소시아네이트계 안정제, 카복실산계 안정제, 카복실산 무수물계 안정제 등의 안정제 등을 들 수 있다. (H) 기타 첨가제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. (H) 기타 첨가제의 함유량은 당업자이면 적절히 설정할 수 있다.

<(I) 유기 용제>

본 발명의 수지 조성물은, 상기 불휘발성 성분 이외에, 휘발성 성분으로서, 임의의 유기 용제를 추가로 함유하는 경우가 있다. (I) 유기 용제로서는, 불휘발성 성분 중 적어도 일부를 용해 가능한 것인 한, 공지의 것을 적절히 사용할 수 있고, 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니다. (I) 유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 이소아밀, 프로피온산 메틸, 프로피온산 에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 테트라하이드로피란, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르 등의 에테르계 용제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올계 용제; 아세트산 2-에톡시에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤, 메톡시프로피온산 메틸 등의 에테르 에스테르계 용제; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 2-하이드록시이소부티르산 메틸 등의 에스테르 알코올계 용제; 2-메톡시프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카르비톨) 등의 에테르 알코올계 용제; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제; 디메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용제; 아세토니트릴, 프로피오니트릴등의 니트릴계 용제; 헥산, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. (I) 유기 용제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. (I) 유기 용제는, 사용할 경우, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.

일 실시형태에 있어서, (I) 유기 용제의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전체 성분을 100질량%로 할 경우, 예를 들어, 60질량% 이하, 40질량% 이하, 30질량% 이하, 20질량% 이하, 15질량% 이하, 10질량% 이하 등일 수 있다.

<수지 조성물의 제조방법>

본 발명의 수지 조성물은, 예를 들면, 임의인 조제 용기에, (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재, 필요에 따라서 (D) 에폭시 수지, 필요에 따라서 (E) 에폭시 경화제, 필요에 따라서 (F) 에폭시 경화 촉진제, 필요에 따라서 (G) 벤조사이클로부텐 수지, 필요에 따라서 (H) 기타 첨가제 및 필요에 따라서 (I) 유기 용제를, 임의의 순서로 그리고/또는 일부 또는 전부 동시에 첨가하여 혼합함으로써 제조할 수 있다. 또한, 각 성분을 첨가하여 혼합하는 과정에서, 온도를 적절히 설정할 수 있고, 일시적으로 또는 시종에 걸쳐, 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 첨가하여 혼합하는 과정에 있어서 또는 그 후에, 수지 조성물을, 예를 들어, 믹서 등의 교반 장치 또는 진탕 장치를 사용해서 교반 또는 진탕하여 균일하게 분산시켜도 좋다. 또한, 교반 또는 진탕과 동시에, 진공 하 등의 저압 조건 하에서 탈포를 행하여도 좋다.

<수지 조성물의 특성>

본 발명의 수지 조성물은, (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재를 포함한다. 이러한 수지 조성물을 사용함으로써, 비유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)이 낮게 억제된 경화물을 얻을 수 있다. 또한, 일 실시형태에 있어서, 이러한 수지 조성물을 사용함으로써, 구리 밀착성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.

본 발명의 수지 조성물의 경화물은, 유전 정접(Df)이 낮다는 특징을 가질 수 있다. 따라서, 일 실시형태에 있어서, 하기 시험예 1과 같이 5.8GHz, 23℃에서 측정한 경우의 수지 조성물의 경화물(경화 온도 200℃)의 유전 정접(Df)은, 바람직하게는 0.020 이하, 0.010 이하, 보다 바람직하게는 0.008 이하, 0.007 이하, 더욱 바람직하게는 0.006 이하, 0.005 이하, 특히 바람직하게는 0.004 이하, 0.003 이하가 될 수 있다.

본 발명의 수지 조성물의 경화물은, 비유전율(Dk)이 낮다는 특징을 가질 수 있다. 따라서, 일 실시형태에 있어서, 하기 시험예 1과 같이 5.8GHz, 23℃에서 측정한 경우의 수지 조성물의 경화물(경화 온도 200℃)의 비유전율(Dk)은, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 4.0 이하, 더욱 바람직하게는 3.5 이하, 보다 더 바람직하게는 3.2 이하, 특히 바람직하게는 3.0 이하, 2.9 이하, 2.8 이하가 될 수 있다.

일 실시형태에 있어서, 본 발명의 수지 조성물의 경화물은, 우수한 구리 밀착성을 가질 수 있다. 따라서, 일 실시형태에 있어서, 하기 시험예 2와 같이 동박을 라미네이트한 경화물(경화 온도 200℃)로부터 수직 방향으로 동박을 인장 박리했을 때의 하중으로부터 산출되는 동박 인장 박리 강도가, 바람직하게는 0.1kgf/cm 이상, 보다 바람직하게는 0.3kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.4kgf/cm 이상, 보다 더 바람직하게는 0.45kgf/cm 이상, 특히 바람직하게는 0.5kgf/cm 이상이 될 수 있다. 상한에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 10kgf/cm 이하 등으로 할 수 있다.

<수지 조성물의 용도>

본 발명의 수지 조성물은, 절연 용도의 수지 조성물, 특히, 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 절연층 위에 형성되는 도체층(재배선층을 포함함)을 형성하기 위한 상기 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(도체층을 형성하기 위한 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 후술하는 프린트 배선판에 있어서, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(프린트 배선판의 절연층 형성용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 또한, 수지 시트, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 언더필재, 다이본딩재, 반도체 밀봉재, 구멍 메움 수지, 부품 매립 수지 등 수지 조성물이 필요하게 되는 용도에서 광범위하게 사용할 수 있다.

또한, 예를 들어, 이하의 (1) 내지 (6) 공정을 거쳐 반도체 칩 패키지가 제조될 경우, 본 발명의 수지 조성물은, 재배선층을 형성하기 위한 절연층으로서의 재배선 형성층용 수지 조성물(재배선 형성층 형성용 수지 조성물) 및 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용 수지 조성물)로서도 적합하게 사용할 수 있다. 반도체 칩 패키지가 제조될 때, 밀봉층 위에 추가로 재배선층을 형성해도 좋다.

(1) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,

(2) 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,

(3) 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,

(4) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,

(5) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정, 및

(6) 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 부품 매립성이 양호한 절연층을 형성하므로, 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우에도 적합하게 사용할 수 있다.

<시트상 적층 재료>

본 발명의 수지 조성물은, 바니시 상태에서 도포하여 사용할 수도 있지만, 공업적으로는 일반적으로, 상기 수지 조성물을 함유하는 시트상 적층 재료 형태로 사용하는 것이 적합하다.

시트상 적층 재료로서는, 이하에 나타내는 수지 시트, 프리프레그가 바람직하다.

일 실시형태에 있어서, 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 수지 조성물층을 포함하여 이루어지고, 수지 조성물층은 본 발명의 수지 조성물로 형성된다.

수지 조성물층의 두께는, 프린트 배선판의 박형화 및 상기 수지 조성물의 경화물이 박막이라도 절연성이 우수한 경화물을 제공할 수 있다는 관점에서, 바람직하게는 50μm 이하, 보다 바람직하게는 40μm 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 5μm 이상, 10μm 이상 등으로 할 수 있다.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용할 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.

지지체로서 금속박을 사용할 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리를 실시해도 좋다.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 토레사 제조의 「루미라 T60」, 테이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.

지지체의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5μm 내지 75μm의 범위가 바람직하고, 10μm 내지 60μm의 범위가 보다 바람직하다. 한편, 이형층 부착 지지체를 사용할 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.

일 실시형태에 있어서, 수지 시트는, 필요에 따라서 임의의 층을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 이러한 임의의 층으로서는, 예를 들어, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에 제공된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1μm 내지 40μm이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다.

수지 시트는, 예를 들어, 액상 수지 조성물을 그대로, 또는 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니시를 조제하고, 이것을, 다이코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 더 건조시켜서 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.

유기 용제로서는, 수지 조성물의 성분으로서 설명한 유기 용제와 동일한 것을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 조성물 또는 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 조성물 또는 수지 바니시를 사용할 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써 수지 조성물층을 형성할 수 있다.

수지 시트는, 롤 상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 가질 경우, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.

일 실시형태에 있어서, 프리프레그는, 시트상 섬유 기재에 본 발명의 수지 조성물을 함침시켜서 형성된다.

프리프레그에 사용하는 시트상 섬유 기재는 특별히 한정되지 않고, 글래스 클로스, 아라미드 부직포, 액정 폴리머 부직포 등의 프리프레그용 기재로서 상용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 프린트 배선판의 박형화의 관점에서, 시트상 섬유 기재의 두께는, 바람직하게는 50μm 이하, 보다 바람직하게는 40μm 이하, 더욱 바람직하게는 30μm 이하, 특히 바람직하게는 20μm 이하이다. 시트상 섬유 기재의 두께의 하한은 특별히 한정되지 않는다. 통상, 10μm 이상이다.

프리프레그는, 핫멜트법, 솔벤트법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.

프리프레그의 두께는, 상기 수지 시트에서의 수지 조성물층과 동일한 범위로 할 수 있다.

본 발명의 시트상 적층 재료는, 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 절연층용) 적합하게 사용할 수 있고, 프린트 배선판의 층간 절연층을 형성하기 위해(프린트 배선판의 층간 절연층용) 보다 적합하게 사용할 수 있다.

<프린트 배선판>

본 발명의 프린트 배선판은, 본 발명의 수지 조성물을 경화해서 얻어지는 경화물로 이루어진 절연층을 포함한다.

프린트 배선판은, 예를 들어, 상기 수지 시트를 사용하고, 하기 (I) 및 (II)의 공정을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.

(I) 내층 기판 위에, 수지 시트를, 수지 시트의 수지 조성물층이 내층 기판과 접합하도록 적층하는 공정

(II) 수지 조성물층을 경화(예를 들어 열경화)해서 절연층을 형성하는 공정

공정 (I)에서 사용하는 「내층 기판」이란, 프린트 배선판의 기판이 되는 부재로서, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 또한, 상기 기판은, 이의 편면 또는 양면에 도체층을 갖고 있어도 좋고, 이 도체층은 패턴 가공되어 있어도 좋다. 기판의 편면 또는 양면에 도체층(회로)이 형성된 내층 기판은 「내층 회로 기판」이라고 하는 경우가 있다. 또한 프린트 배선판을 제조할 때에, 추가로 절연층 및/또는 도체층이 형성되어야 할 중간 제조물도 본 발명에서 말하는 「내층 기판」에 포함된다. 프린트 배선판이 부품 내장 회로판인 경우, 부품을 내장한 내층 기판을 사용해도 좋다.

내층 기판과 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 내층 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 한편, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니고, 내층 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.

내층 기판과 수지 시트의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에 있어서, 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이며, 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이고, 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시될 수 있다.

적층은, 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 메이키 세사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코 머티리얼즈사 제조의 베큠 어플리케이터, 배취식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.

지지체는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 제거해도 좋고, 공정 (II) 후에 제거해도 좋다.

공정 (II)에 있어서, 수지 조성물층을 경화(예를 들어 열경화)하여, 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 사용해도 좋다.

예를 들어, 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 의해서도 다르지만, 일 실시형태에 있어서, 경화 온도는 바람직하게는 120℃ 내지 250℃, 보다 바람직하게는 150℃ 내지 240℃, 더욱 바람직하게는 170℃ 내지 230℃이다. 경화 시간은 바람직하게는 5분간 내지 120분간, 보다 바람직하게는 10분간 내지 100분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간으로 할 수 있다.

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 50℃ 내지 120℃, 바람직하게는 60℃ 내지 115℃, 보다 바람직하게는 70℃ 내지 110℃의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상, 바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간 예비 가열해도 좋다.

프린트 배선판을 제조할 때에는, (III) 절연층에 천공하는 공정, (IV) 절연층을 조화 처리하는 공정, (V) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 실시해도 좋다. 이들 공정 (III) 내지 공정 (V)는, 프린트 배선판의 제조에 사용되는, 당업자에게 공지의 각종 방법에 따라서 실시해도 좋다. 또한, 지지체를 공정 (II) 후에 제거할 경우, 상기 지지체의 제거는, 공정 (II)와 공정 (III) 사이, 공정 (III)과 공정 (IV) 사이 또는 공정 (IV)와 공정 (V) 사이에 실시해도 좋다. 또한, 필요에 따라서, 공정 (II) 내지 공정 (V)의 절연층 및 도체층의 형성을 반복해서 실시하여, 다층 프린트 배선판을 형성해도 좋다.

다른 실시형태에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판은, 상기 프리프레그를 사용하여 제조할 수 있다. 제조방법은 기본적으로 수지 시트를 사용하는 경우와 동일하다.

공정 (III)은 절연층에 천공하는 공정이며, 이로써 절연층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 공정 (III)은, 절연층의 형성에 사용한 수지 조성물의 조성 등에 따라, 예를 들어, 드릴, 레이저, 플라즈마 등을 사용해서 실시해도 좋다. 홀의 치수나 형상은, 프린트 배선판의 디자인에 따라서 적절히 결정해도 좋다.

공정 (IV)는 절연층을 조화 처리하는 공정이다. 통상, 이 공정 (IV)에 있어서, 스미어의 제거도 행하여진다. 조화 처리의 순서, 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 사용되는 공지의 순서, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 실시해서 절연층을 조화 처리할 수 있다.

조화 처리에 사용하는 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이고, 상기 알칼리 용액으로서는, 수산화 나트륨 용액, 수산화 칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다.

조화 처리에 사용하는 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨 또는 과망간산 나트륨을 용해한 알카리성과망간산 용액을 들 수 있다. 알카리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 100℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알카리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「콘센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징 솔루션 세큐리간스 P」 등의 알카리성 과망간산 용액을 들 수 있다.

또한, 조화 처리에 사용하는 중화액으로서는, 산성 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션 솔루션 세큐리간트 P」를 들 수 있다.

중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 된 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 5분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 된 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.

일 실시형태에 있어서, 조화 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 400nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 1nm 이상, 2nm 이상 등으로 할 수 있다. 또한, 조화 처리 후의 절연층 표면의 자승 평균 평방근 거칠기(Rq)는, 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 400nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 1nm 이상, 2nm 이상 등으로 할 수 있다. 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra) 및 자승 평균 평방근 거칠기(Rq)는, 비접촉형 표면 조도계를 사용해서 측정할 수 있다.

공정 (V)는, 도체층을 형성하는 공정이며, 절연층 위에 도체층을 형성한다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들어, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속층 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.

도체층은, 단층 구조라도, 다른 종류의 금속 또는 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층된 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 절연층과 접하는 층은, 크롬, 아연 또는 티탄의 단금속층 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.

도체층의 두께는 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3μm 내지 35μm, 바람직하게는 5μm 내지 30μm이다.

일 실시형태에 있어서 도체층은, 도금에 의해 형성해도 좋다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 종래 공지의 기술에 의해 절연층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있고, 제조의 간편성의 관점에서, 세미 어디티브법에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 이하, 도체층을 세미 어디티브법에 의해 형성하는 예를 나타낸다.

우선, 절연층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 그 다음에, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응해서 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출한 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.

다른 실시형태에 있어서, 도체층은, 금속박을 사용해서 형성해도 좋다. 금속박을 사용해서 도체층을 형성할 경우, 공정 (V)는, 공정 (I)과 공정 (II) 사이에 실시하는 것이 적합하다. 예를 들어, 공정 (I) 후, 지지체를 제거하고, 노출된 수지 조성물층의 표면에 금속박을 적층한다. 수지 조성물층과 금속박의 적층은, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 적층의 조건은, 공정 (I)에 대하여 설명한 조건과 동일하게 해도 좋다. 그 다음에, 공정 (II)를 실시해서 절연층을 형성한다. 그 후, 절연층 위의 금속박을 이용하여, 서브트랙티브법, 모디파이드 세미어디티브법 등의 종래의 공지의 기술에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.

금속박은, 예를 들어, 전해법, 압연법 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 금속박의 시판품으로서는, 예를 들어, JX 닛코닛세키 킨조쿠사 제조의 HLP박, JXUT-III박, 미츠이 킨조쿠코잔사 제조의 3EC-III박, TP-III박 등을 들 수 있다.

<반도체 장치>

본 발명의 반도체 장치는, 본 발명의 프린트 배선판을 포함한다. 본 발명의 반도체 장치는, 본 발명의 프린트 배선판을 이용해서 제조할 수 있다.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.

[실시예]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 특히 온도의 지정이 없는 경우의 온도 조건은, 실온(25℃)이다. 특히 기압의 지정이 없는 경우의 압력 조건은, 대기압(1atm)이다.

<실시예 1>

옥사졸린기를 함유한 폴리스티렌 수지(닛폰 쇼쿠바이사 제조 「RPS-1005」, 활성기 당량 약 3,700g/eq.) 50부를 톨루엔 50부, 사이클로헥사논 50부에 교반하면서 가열 용해시켰다.

실온으로까지 냉각한 후, 페놀계 경화제(SABIC사 제조 「SA-90」, 활성기 당량 약 800g/eq.) 10부, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm) 110부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산한 후에, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP020」)로 여과하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 2>

벤조사이클로부텐 수지(다우 케미컬사 제조 「CYCLOTEN3022」) 12부를 추가로 추가하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 110부에서 135부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 3>

비스페놀 AF형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7760」, 에폭시 당량 약 245g/eq.) 8부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 10부 및 경화 촉진제 (1B2PZ(1-벤질-2-페닐이미다졸)의 고형분 10%의 MEK 용액) 0.5부를 추가로 추가하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 110부에서 140부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 4>

지환식 에폭시 수지(다이셀사 제조 「2021P」, 에폭시 당량 약 137g/eq.) 4부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 10부 및 경화 촉진제(1B2PZ(1-벤질-2-페닐이미다졸)의 고형분 10%의 MEK 용액) 0.5부를 추가로 추가하고, 페놀계 경화제 (SABIC사 제조 「SA-90」, 활성기 당량 약 800g/eq.) 10부 대신에 산 무수물계 경화제(Polyscope사 제조 「XIRAN EF30」, 산가 약 280g/eq.)를 3.5부 사용하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 110부에서 120부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 5>

지환식 에폭시 수지(다이셀사 제조 「2021P」, 에폭시 당량 약 137g/eq.) 4부 대신에 비스페놀계 에폭시 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「ZX-1059」, 에폭시 당량 약 165g/eq.)를 5부 사용하고, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 10부 대신에 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8150-62T」, 활성기 당량 약229g/eq., 고형분 62질량%의 톨루엔 용액)를 10부 사용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 6>

페놀계 경화제(SABIC사 제조 「SA-90」, 활성기 당량 약 800g/eq.) 10부 대신에 에스테르기 함유 카복실산계 경화제(Polyscope사 제조 「XIRAN 1440」, 산가 약 185g/eq.)를 2.4부 사용하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 110부에서 96부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 7>

벤조사이클로부텐 수지(다우 케미컬사 제조 「CYCLOTEN3022」) 10부를 추가로 추가하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 96부에서 115부로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 8>

나프탈렌형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP-4032SS」, 에폭시 당량 약144g/eq.) 4부, 활성 에스테르계 경화제(DIC사 제조 「HPC-8150-62T」, 활성기 당량 약 229g/eq., 고형분 62질량%의 톨루엔 용액) 10부 및 경화 촉진제(1B2PZ(1-벤질-2-페닐이미다졸)의 고형분 10%의 MEK 용액) 0.5부를 추가로 추가하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 96부에서 120부로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 9>

N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 110부에서 140부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<실시예 10>

N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 110부에서 40부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 1>

옥사졸린기를 함유한 폴리스티렌 수지(닛폰 쇼쿠바이사 제조 「RPS-1005」, 활성기 당량 약 3,700g/eq.) 50부를 사용하지 않고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 110부에서 120부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 2>

옥사졸린기를 함유한 폴리스티렌 수지(닛폰 쇼쿠바이사 제조 「RPS-1005」, 활성기 당량 약 3,700g/eq.) 50부 대신에 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「1010」, 에폭시 당량 약 4,000g/eq.)를 55부 사용하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 140부에서 145부로 변경한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 3>

옥사졸린기를 함유한 폴리스티렌 수지(닛폰 쇼쿠바이사 제조 「RPS-1005」, 활성기 당량 약 3,700g/eq.) 50부 대신에 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「1010」, 에폭시 당량 약 4,000g/eq.)를 55부 사용하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 120부에서 130부로 변경한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<비교예 4>

옥사졸린기를 함유한 폴리스티렌 수지(닛폰 쇼쿠바이사 제조 「RPS-1005」, 활성기 당량 약 3,700g/eq.) 50부 대신에 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「1010」, 에폭시 당량 약 4,000g/eq.)를 55부 사용하고, N-페닐-8-아미노옥틸-트리메톡시실란(신에츠 카가쿠코교사 제조, 분자량 325.2)으로 표면 처리된 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2050-SXF」, 비표면적 5.9㎡/g, 평균 입자 직경 0.77μm)의 사용량을 96부에서 105부로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하였다.

<무기 충전재의 평균 입자 직경의 측정>

무기 충전재 100mg, 분산제(산노프코사 제조 「SN9228」) 0.1g, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 칭량하여 취하고, 초음파로 20분간 분산하였다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치(시마즈 세사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」)를 사용하여, 회분 셀 방식으로 입자 직경 분포를 측정하고, 중앙 직경에 의한 평균 입자 직경을 산출하였다.

<시험예 1: 비유전율 및 유전 정접의 측정>

지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38μm, 연화점 130℃)을 준비하였다.

실시예 및 비교예에서 조제한 수지 조성물을 각각 지지체 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 40μm가 되도록 다이코터로 균일하게 도포하고, 70℃ 내지 95℃에서 3분간 건조함으로써, 지지체 위에 수지 조성물층을 형성하였다. 그 다음에, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면에, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오지 에프텍스사 제조 「알판 MA-411」, 두께 15μm)의 조면(粗面)을 첩합하였다. 이로써, 지지체, 수지 조성물층 및 보호 필름을 이러한 순서로 갖는 수지 시트를 얻었다.

얻어진 수지 시트에서 보호 필름을 벗겨내고, 200℃에서 90분간 가열해서 수지 조성물층을 열경화시킨 후, 지지체를 박리하여, 경화물을 얻었다. 또한, 실시예 2 및 7에서 조제한 수지 조성물로부터 얻어진 수지 시트에 관해서는, 전자(200℃ 90분간 경화물)와는 달리 질소 분위기 하 220℃에서 90분간 가열하여 수지 조성물층을 열경화시킨 후, 지지체를 박리하여, 경화물을 추가로 얻었다.

얻어진 경화물을 폭 2mm, 길이 80mm의 시험편으로 절단하였다. 상기 시험편에 대하여, 아질렌트 테크놀로지즈사 제조 「HP8362B」를 사용하여, 공동 공진 섭동법에 의해 측정 주파수 5.8GHz, 측정 온도 23℃에서 비유전율, 유전 정접을 측정하였다. 3개의 시험편에 대하여 측정을 행하여, 평균값을 산출하였다. 비유전율이 3.0 이하 또한 유전 정접이 0.004 이하인 경우를 「○」이라고 평가하고, 그 밖의 경우를 「×」라고 평가하였다.

<시험예 2: 동박 인장 박리 강도(동박 밀착 강도)의 측정>

(1) 동박의 하지 처리

미츠이 킨조쿠코잔사 제조 「3EC-III」(전계 동박, 35μm)의 광택면을 마이크로에칭제(맥크사 제조 「CZ8101」)로 1μm 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 행하고, 이어서 방청 처리(CL8300)를 실시하였다. 추가로, 130℃의 오븐에서 30분간 가열 처리하였다. 이러한 동박을 CZ 동박이라고 한다.

(2) 내층 기판의 준비

내층 회로를 형성한 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18μm, 기판의 두께 0.4mm, 파나소닉사 제조 「R1515A」)의 양면을 마이크로에칭제 (맥크사 제조 「CZ8101」)로 1μm 에칭하여 구리 표면의 조화 처리를 행하였다.

(3) 동박의 라미네이트와 절연층의 형성

시험예 1에서 얻은 각 수지 시트에서 보호 필름을 벗겨내어, 수지 조성물층을 노출시켰다. 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조, 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물층이 내층 기판과 접하도록, 내층 기판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 조정한 후, 120℃, 압력 0.74MPa로 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 그 다음에, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 열 프레스를 행하였다. 그 수지 조성물층 위에, CZ 동박의 처리면을 상기와 동일한 조건으로 라미네이트하였다. 그리고, 200℃, 90분의 경화 조건으로 수지 조성물층을 경화해서 절연층을 형성함으로써 평가 기판을 제작하였다. 또한, 실시예 2 및 7에서 조제한 수지 조성물로부터 얻어진 수지 시트에 관해서는, 전자(200℃ 90분간 경화물)와는 달리 질소 분위기 하 220℃에서 90분간 가열해서 수지 조성물층을 경화하여 절연층을 형성함으로써, 평가 기판을 더 제작하였다.

(4) 동박 인장 박리 강도의 측정

제작한 평가 기판을 150×30mm의 소편으로 절단하였다. 소편의 동박 부분에, 커터를 이용해서 폭 10mm, 길이 100mm의 부분 절개를 넣고, 동박의 일단을 벗겨서 집기 도구로 집고, 실온 중에서 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 35mm를 인장 박리했을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하여, 박리 강도를 구하였다. 측정에는, 인장 시험기(TSE사 제조 「AC-50C-SL」)를 사용하였다. 측정은 일본 공업 규격(JIS C6481)에 준거하여 행하였다. 동박 인장 박리 강도가 0.4kgf/cm 이상인 경우를 「○」라고 평가하고, 그 밖의 경우를 「×」라고 평가하였다.

실시예 및 비교예의 수지 조성물의 불휘발 성분의 사용량, 시험예의 측정 결과 및 판정 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

이상에 의해, (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물을 사용함으로써, 비유전율(Dk) 및 유전 정접(Df)이 낮고, 또한 구리 밀착성이 우수한 경화물을 얻을 수 있음을 알 수 있었다.

Claims (21)

1. (A) 환상 이미노에테르 골격 함유 폴리스티렌 수지, (B) 경화제 및 (C) 무기 충전재를 포함하는, 수지 조성물.
2. 제1항에 있어서, (A) 성분이, 옥사졸린 골격 함유 폴리스티렌 수지를 포함하는, 수지 조성물.
3. 제1항에 있어서, (A) 성분이, 화학식 (1):
   [화학식 (1)]
   

   

   
   [식 중, R¹¹, R¹² 및 R¹³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R¹⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고; a는 0 내지 5의 정수를 나타낸다]
   로 표시되는 반복 단위 및 화학식 (2):
   [화학식 (2)]
   

   

   
   [식 중, R²¹, R²² 및 R²³은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환기를 나타내고; R²⁴는 각각 독립적으로, 치환기를 나타내고; X는 단결합 또는 연결기를 나타내고; b는 0 내지 4의 정수를 나타내고; n은 1 내지 4의 정수를 나타낸다]
   로 표시되는 반복 단위를 갖는 수지를 포함하는, 수지 조성물.
4. 제1항에 있어서, (A) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 50질량% 이하인, 수지 조성물.
5. 제1항에 있어서, (B) 성분이, (B-1) 페놀계 경화제, (B-2) 산 무수물계 경화제 및 (B-3) 카복실산계 경화제로부터 선택되는 경화제를 포함하는, 수지 조성물.
6. 제1항에 있어서, (A) 성분의 환상 이미노에테르 골격에 대한 (B) 성분의 반응기의 몰 당량비((B) 성분의 반응기 / (A) 성분의 환상 이미노에테르 골격)가 1 이하인, 수지 조성물.
7. 제1항에 있어서, (A) 성분에 대한 (B) 성분의 질량비((B) 성분 / (A) 성분)는 0.01 내지 1인, 수지 조성물.
8. 제1항에 있어서, (C) 성분이 실리카인, 수지 조성물.
9. 제1항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 40질량% 이상인, 수지 조성물.
10. 제1항에 있어서, (C) 성분의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 경우, 70질량% 이하인, 수지 조성물.
11. 제1항에 있어서, (A) 성분에 대한 (C) 성분의 질량비((C) 성분 / (A) 성분)가 0.5 내지 10인, 수지 조성물.
12. 제1항에 있어서, (D) 에폭시 수지를 추가로 포함하는, 수지 조성물.
13. 제1항에 있어서, (G) 벤조사이클로부텐 수지를 추가로 포함하는, 수지 조성물.
14. 제1항에 있어서, 수지 조성물의 경화물(경화 온도 200℃)의 유전 정접이, 5.8GHz, 23℃에서 측정한 경우, 0.004 이하인, 수지 조성물.
15. 제1항에 있어서, 수지 조성물의 경화물(경화 온도 200℃)의 비유전율이, 5.8GHz, 23℃에서 측정한 경우, 3.0 이하인, 수지 조성물.
16. 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한, 제1항에 기재된 수지 조성물.
17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물.
18. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 함유하는, 시트상 적층 재료.
19. 지지체와, 상기 지지체 위에 제공된 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물로 형성되는 수지 조성물층을 갖는, 수지 시트.
20. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물로 이루어진 절연층을 구비하는, 프린트 배선판.
21. 제20항에 기재된 프린트 배선판을 포함하는, 반도체 장치.