KR20210133142A - 정보 처리장치 및 정보 처리방법 - Google Patents
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Abstract
정보 처리장치는, 처리 데이터 및 처리 조건을 포함하는 기판 처리에 관한 처리 정보를 취득하도록 구성된 취득부와, 상기 취득부에 의해 취득된 상기 처리 정보에 근거하여, 표시장치에 대한 표시를 제어하도록 구성된 표시 제어부를 구비하고, 상기 표시 제어부는, 복수의 기판을 포함하는 로트의 처리 데이터를 로트 단위로 표시하는 제1 화면과, 상기 제1 화면에 표시된 로트로부터 유저에 의해 지정된 로트인 제1 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 제2 화면을, 상기 표시장치에 선택적으로 표시한다.
Description
본 발명은, 정보 처리장치 및 정보 처리방법에 관한 것이다.
반도체 제조공장에는, 기판을 노광하는 반도체 노광장치 등의 반도체 제조장치가 통상적으로 설치되어 있고, 각각의 장치의 가동 상황을 파악하면서 효율적으로 기판을 처리해야 한다. 또한, 반도체 제조장치에서 이상이 발생한 경우에는, 즉시 이 이상을 해소하기 위해 대처를 행할 필요가 있다.
일본국 특개 2009-170612호 공보에는, 반도체 제조장치의 이상을 검지하기 기술이 개시되어 있다. 구체적으로 설명하면, 반도체 제조장치의 처리 결과를 복수의 기판을 각각 포함하는 로트 단위로 통계처리하고, 그 통계처리 결과를 그래프로 표시한다. 이것에 의해, 유저는, 이상이 발생한 로트를 즉시 인식할 수 있다.
그렇지만, 복수의 기판을 각각 포함하는 로트에 근거하여 표시된 그래프로부터, 유저가 차이가 발생할 때 로트들 사이의 차이를 인식할 수 있지만, 유저가 이 차이의 요인을 즉시 판단하는 것은 곤란하다. 유저는 로트들의 웨이퍼 단위의 데이터로부터 로트들 사이의 차이의 요인을 판단하는 것이 필요하다. 유저가 데이터의 수집과 데이터의 분석을 행하지 않으면, 유저는 로트들 사이의 차이의 요인을 판단할 수 없고, 이상을 해소하는데 상당한 시간이 걸린다.
본 발명의 일면에 따르면, 정보 처리장치는, 처리 데이터 및 처리 조건을 포함하는 기판 처리에 관한 처리 정보를 취득하도록 구성된 취득부와, 상기 취득부에 의해 취득된 상기 처리 정보에 근거하여, 표시장치에 대한 표시를 제어하도록 구성된 표시 제어부를 구비하고,
상기 표시 제어부는, 복수의 기판을 포함하는 로트의 처리 데이터를 로트 단위로 표시하는 제1 화면과, 상기 제1 화면에 표시된 로트로부터 유저에 의해 지정된 로트인 제1 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 제2 화면을, 상기 표시장치에 선택적으로 표시하도록 구성된다.
본 발명에 따르면, 예를 들면, 반도체 제조장치에 있어서의 이상의 요인 분석의 시간 단축에 유리한 기술을 제공할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하는 이하의 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도1은 물품의 제조 시스템을 나타낸 도면이다.
도2는 패턴 형성장치의 일례로서의 노광장치를 나타낸 도면이다.
도3은 정보 처리장치의 하드웨어 구성을 나타낸 도면이다.
도4는 관리장치의 중앙처리장치(CPU)의 구성을 도시한 도면이다.
도5는 표시장치의 표시 처리를 나타낸 플로우차트다.
도6은 제1실시형태에 따른 로트 데이터를 표시한 도면이다.
도7은 제1실시형태에 따른 처리 데이터를 표시한 도면이다.
도8은 지정된 로트의 처리 조건을 강조해서 표시한 도면이다.
도9는 로트 데이터와 처리 데이터를 동일 화면에 표시한 도면이다.
도10은 제2실시형태에 따른 로트 데이터를 표시한 도면이다.
도11은 제2실시형태에 따른 처리 데이터를 표시한 도면이다.
도12는 제3실시형태에 따른 로트 데이터를 표시한 도면이다.
도13은 제3실시형태에 따른 처리 데이터를 표시한 도면이다.
도2는 패턴 형성장치의 일례로서의 노광장치를 나타낸 도면이다.
도3은 정보 처리장치의 하드웨어 구성을 나타낸 도면이다.
도4는 관리장치의 중앙처리장치(CPU)의 구성을 도시한 도면이다.
도5는 표시장치의 표시 처리를 나타낸 플로우차트다.
도6은 제1실시형태에 따른 로트 데이터를 표시한 도면이다.
도7은 제1실시형태에 따른 처리 데이터를 표시한 도면이다.
도8은 지정된 로트의 처리 조건을 강조해서 표시한 도면이다.
도9는 로트 데이터와 처리 데이터를 동일 화면에 표시한 도면이다.
도10은 제2실시형태에 따른 로트 데이터를 표시한 도면이다.
도11은 제2실시형태에 따른 처리 데이터를 표시한 도면이다.
도12는 제3실시형태에 따른 로트 데이터를 표시한 도면이다.
도13은 제3실시형태에 따른 처리 데이터를 표시한 도면이다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
제1 실시형태에서는, 복수의 장치와, 복수의 장치를 관리하는 관리장치로 이루어진 물품 제조 시스템에 대해 설명한다. 도1은 물품 제조 시스템을 나타낸 도면이다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 시스템(100)은, 패턴 형성장치(200), 처리장치(201), 검사장치(202)와, 관리장치(300)를 갖는다. 패턴 형성장치(200)는 웨이퍼(기판)에 패턴 형성을 행한다. 관리장치(300)는, 패턴 형성장치(200), 처리장치(201) 와 검사장치(202)를 관리한다. 또한, 물품 제조 시스템(100)의 패턴 형성장치(200), 처리장치(201) 및 검사장치(202)는 각각 한개 이상의 장치를 포함한다.
패턴 형성장치(200)는, 패턴이 형성된 레티클(마스크, 원판)에 빛을 조사하여, 레티클로부터의 빛으로 웨이퍼 위의 숏 영역에 패턴을 투영하는 노광장치를 포함한다. 또한, 패턴 형성장치(200)는, 예를 들면, 웨이퍼 위에 공급된 임프린트 재와 형틀(원판, 몰드)을 접촉시켜, 임프린트 재에 경화용의 에너지를 주는 것에 의해, 형틀의 형상이 전사된 조성물을 형성하는 임프린트 장치를 포함한다. 또한, 패턴 형성장치(200)는, 하전 입자 광학계를 거쳐 전자선과 이온빔 등의 하전 입자선으로 기판에 묘화를 행하여, 기판에 패턴 형성을 행하는 묘화장치를 포함한다. 패턴 형성장치(200)는 전술한 방법을 사용하여 기판 처리를 행하는 것이다.
처리장치(201)는, 디바이스 등의 물품의 제조에 있어서, 노광장치 등의 장치가 실시하는 공정 이외의 공정을 실시하는 제조장치를 포함한다. 이들 제조장치의 예로는, 감광 매체를 기판의 표면 위에 도포하는 도포 장치와, 패턴이 전사된 기판을 현상하는 현상 장치를 들 수 있다. 처리장치(201)는, 에칭 장치 및 성막장치 등의 다른 장치를 더 포함한다.
검사장치(202)는, 예를 들면, 중첩 검사장치, 선폭 검사장치, 패턴 검사장치, 및 전기 특성 검사장치를 포함한다. 중첩 검사장치는, 패턴이 그 위에 각각 형성된 다수의 층을 포함하는 기판의 상층 및 하층 위의 패턴들 사이의 위치어긋남의 정밀도를 검사하는 장치다. 또한, 선폭 검사장치는, 기판 위에 형성된 패턴의 선폭 등의 치수의 정밀도를 검사하는 장치다. 또한, 패턴 검사장치는, 패턴이 형성된 기판 위의 이물질이나 임프린트 재의 미충전에 의해 정밀도를 만족시키지 않는 패턴의 유무를 검사하는 장치다. 또한, 전기 특성 검사장치는, 패턴이 형성된 기판으로부터 제조된 반도체 디바이스의 전기 특성의 정밀도를 검사하는 장치다.
다음에, 패턴 형성장치(200)의 일례로서, 패턴이 형성된 레티클로부터의 빛으로 웨이퍼를 노광하는 노광장치에 대해 설명한다. 도2는 패턴 형성장치(200)의 일례로서의 노광장치를 나타낸 도면이다. 본 실시형태에 따른 노광장치(204)로서, 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지를 동기 구동시키면서 노광을 행하는 스텝 앤드 스캔 방식의 노광장치를 설명한다. 또한, 노광장치(204)는 스캐너에 한정되지 않고, 웨이퍼 스테이지를 정지시킨 상태에서 노광을 행하는 스텝 앤드 리피트 방식의 노광장치일 수 있다. 도2에 도시된 예에서, 노광장치(204)는 광원(7), 조명 광학계(8), 레티클 스테이지(2), 투영 광학계(3), 웨이퍼 스테이지(6), 웨이퍼 척(5), 및 제어부(13)를 갖는다. 노광장치(204)는, 레이저 간섭계 9 및 10, 포커스 센서, 웨이퍼 반송부(12), 레티클 반송부(14) 및 얼라인먼트 스코프(15)를 더 갖는다. 또한, 도2에서는, 투영 광학계(3)의 광축에 평행한 방향이 Z축 방향이고, Z축 방향에 수직한 평면 내에 있으며 서로 직교하는 2방향이 각각 X축 방향 및 Y축 방향이다.
광원(7)은, 예를 들면, 고압 수은 램프, 아르곤 플루오라이드(ArF) 엑시머 레이저, 및 크립톤 플루오라이드(KrF) 엑시머 레이저이다. 또한, 광원(7)은, 노광장치의 챔버 내부에 놓일 필요는 없으며, 외부 광원일 수 있다. 광원(7)을 나온 빛은 조명 광학계(8)를 거쳐 레티클(1)을 조명한다. 레티클(1)에는, 감광재가 도포된 웨이퍼(4) 위에 전사할 패턴이 묘화되어 있고, 레티클 스테이지(2)에 레티클(1)이 탑재된다. 레티클 스테이지(2)는, 레티클 척을 거쳐 레티클을 흡착 유지하고, 예를 들면, 리니어 모터에 의해 이동가능하다.
투영 광학계(3)는, 레티클(1)에 묘화된 패턴의 상을, 웨이퍼 척(5) 위에 재치된 웨이퍼(4) 위에 투영한다. 패턴의 상을 웨이퍼(4) 위에 투영할 때에, 투영 광학계(3)를 거쳐 투영 배율(예를 들면, 4분의 1)로 반전 축소한 상이 웨이퍼(4) 위에 투영된다. 패턴의 상이 투영되는 영역을 숏 영역으로 부르고, 웨이퍼(4)에는 복수의 숏 영역이 설정된다. 숏 영역에는 순차적으로 투영이 반복하여 행해진다.
웨이퍼 스테이지(6)는 리니어 모터의 액추에이터에 의해 구동됨으로써, X방향 및 Y방향으로 이동한다. 웨이퍼 척(5)은, 웨이퍼 스테이지(6) 위에 탑재되어, 웨이퍼(4)를 유지한다. 웨이퍼 스테이지(6)는 웨이퍼 척(5)을 Z방향, θ방향, ωX 방향, 및 ωY 방향으로 위치결정한다. 이에 따라, 웨이퍼 척(5)에 의해 유지된 웨이퍼(4)가 웨이퍼 스테이지(6) 및 웨이퍼 척(5)의 구동에 의해 이동한다.
레이저 간섭계 9는, 레티클 스테이지(2)의 Y방향의 위치를 계측하고, 레티클 스테이지(2)의 자세를 계측한다. 레이저 간섭계 9는, 마찬가지로 레티클 스테이지(2)의 X방향의 위치를 계측하는 레이저 간섭계를 포함한다. 레이저 간섭계 10은, 웨이퍼(4)를 탑재하는 웨이퍼 스테이지(6)의 Y방향의 위치를 계측하고, 웨이퍼 스테이지(6)의 자세를 계측한다. 또한, 레이저 간섭계 10은, 마찬가지로 웨이퍼 스테이지(6)의 X방향의 위치를 계측하는 레이저 간섭계를 포함한다. 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)는, 레이저 간섭계 9 및 10에 의해 계측된 위치에 근거하여, 후술하는 제어부(13)에 의해 위치가 제어된다.
포커스 센서는, 웨이퍼(4)에 대하여 빛을 투사하는 투광계(11a)와, 웨이퍼로부터의 반사광을 수광하는 수광계(11b)와, 수광계(11b)로부터의 빛을 검출하여 제어부(13)에 검출 신호를 출력하는 검출부를 포함한다. 투광계(11a)와 수광계(11b)는, 투영 광학계(3)의 출사부 부근을 사이에 끼우도록 배치된다. 투광계(11a)가 웨이퍼에 사입사광을 조사하고, 수광계(11b)가 반대측에서 반사한 빛을 받아들인다. 후술하는 제어부(13)는, 포커스 센서에 의해 검출된 검출 신호로부터 웨이퍼(4)의 Z방향의 위치를 계측하고, 웨이퍼 스테이지(6)에 의한 웨이퍼(4)의 이동을 제어한다.
웨이퍼 반송부(12)는 웨이퍼(4)를 반송한다. 웨이퍼 반송부(12)는, 웨이퍼(4)를 수납하는 웨이퍼 수납 용기로부터 웨이퍼 스테이지(6)에 웨이퍼(4)를 반송한다. 또한, 웨이퍼 반송부(12)는, 웨이퍼 스테이지(6)로부터 웨이퍼 수납 용기에 웨이퍼(4)를 반송한다.
레티클 반송부(14)는 레티클(1)을 반송한다. 레티클 반송부(14)는, 레티클(1)을 수납하는 레티클 수납 용기로부터 레티클 스테이지(2)에 레티클(1)을 반송한다. 또한, 레티클 반송부(14)는, 레티클 스테이지(2)로부터 레티클 수납 용기에 레티클(1)을 반송한다.
얼라인먼트 스코프(15)는, 웨이퍼 척(5)에 유지된 웨이퍼(4)의 위치결정(얼라인먼트)을 행하기 위해, 웨이퍼(4) 위에 형성된 마크를 촬상한 디지털 화상신호를 취득한다. 얼라인먼트 스코프(15)는, 이미지 센서와 아날로그/디지털(A/D) 변환기를 구비한다. 이미지 센서는 웨이퍼(4)로부터의 반사광의 밝기, 즉 강도에 근거하여 강도 화상신호를 출력한다. A/D 변환기는, 그 이미지 센서로부터 얻어지는 강도 화상신호를 디지털 화상신호로 변환한다. 후술하는 제어부(13)는, 취득된 디지털 화상신호를 사용해서 웨이퍼(4) 위에 형성된 마크의 위치를 검출하고, 검출한 마크의 위치에 근거하여 웨이퍼 스테이지(6)를 제어해서, 웨이퍼(4)의 위치결정을 행한다.
제어부(13)는, 노광장치(204)의 각 구성요소의 동작 및 조정을 제어함으로써 웨이퍼(4)에의 노광 처리를 제어한다. 제어부(13)는, 예를 들면, 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA) 등의 프로그래머블 로직 디바이스(PLD), 주문형 집적회로(ASIC), 프로그램이 내장된 컴퓨터, 또는, 전술한 부품들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성된다. 또한, 제어부(13)는, 노광장치(204)의 다른 부분과 일체화되거나(제어부(13)와 다른 부분이 같은 하우징 내에 설치될 수 있다), 노광장치(204)의 다른 부분과는 별체로 설치될 수 있다(제어부(13)와 다른 부분이 다른 하우징 내에 설치될 수 있다). 또한, 제어부(13)는, 후술하는 기억장치로부터 취득한 정보를 적용하여, 웨이퍼(4)에의 노광 처리(패턴 형성처리)의 실행을 제어한다.
다음에, 관리장치(300)에 대해 설명한다. 도3은 정보 처리장치의 하드웨어 구성을 나타낸 도면이다. 정보 처리장치는 중앙처리장치(CPU)(301), 판독 전용 메모리(ROM)(302), 랜덤 액세스 메모리(RAM)(303), 기억장치(304), 입력장치(305), 표시장치(306) 및 통신장치(307)를 포함한다. 정보 처리장치의 각 하드웨어는 프로그램에 근거하여 기능한다. 도3에 도시된 예에서, CPU(301)은, 프로그램에 근거하여 제어를 위한 연산을 실행하고, 버스(308)에 접속된 각 구성요소를 제어하는 처리장치다. ROM(302)은, 데이터 판독 전용의 메모리이며, 프로그램과 데이터가 격납되어 있다. RAM(303)은, 데이터 판독 및 기록용의 메모리이며, 프로그램과 데이터의 보존용으로 사용된다. RAM(303)은, CPU(301)에 의한 연산의 결과 등의 데이터의 일시 보존용으로 사용된다. 기억장치(304)는, 프로그램과 데이터의 보존용으로 사용된다. 기억장치(304)는, 정보 처리장치의 오퍼레이팅 시스템(OS)의 프로그램, 및 데이터의 일시 보존 영역으로서도 사용된다.
기억장치(304)는, RAM(303)에 비해 데이터의 입출력은 느리지만, 대용량의 데이터를 보존하는 것이 가능하다. 기억장치(304)는, 장기간에 걸쳐 참조할 수 있도록, 영속적인 데이터로서 데이터를 보존하는 불휘발성 기억장치인 것이 바람직하다. 기억장치(304)는, 주로 자기 기억장치(하드디스크 드라이브(HDD))로 구성되지만, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 메모리 카드 등의 외부 미디어를 장전해서 데이터의 판독과 기록을 행하는 장치일 수 있다.
입력장치(305)는, 정보 처리장치에 문자와 데이터를 입력하기 위한 장치이다. 입력장치(305)는 각종의 키보드와 마우스이다. 표시장치(306)는, 관리장치(300)의 유저 인터페이스로서의 역할을 하고, 정보 처리장치의 조작에 필요한 정보와 처리 결과를 표시하기 위한 장치이다. 표시장치(306)는 음극선관(CRT) 또는 액정 모니터이다. 터치패널과 같이, 화면에 터치해서 조작가능한 표시장치(306)는, 입력장치(305)의 역할도 한다. 입력장치(305)와 표시장치(306)를 관리장치(300)의 일부로서 설명했지만, 입력장치(305)와 표시장치(306)는 이것에 한정되지 않고, 예를 들면, 패턴 형성장치(200)의 일부일 수 있다.
통신장치(307)는, 네트워크에 접속해서 Transmission Control Protocol over Internet Protocol(TCP/IP) 등의 통신 프로토콜에 근거하여 데이터 통신을 행함으로써, 다른 장치와 통신을 행하기 위해 사용된다. 또한, 정보 처리장치는 고속의 연산 처리를 가능하게 하기 위해, 그래픽 처리 유닛(GPU)을 포함할 수 있다. 관리장치(300)는 정보 처리장치이며, 통신장치(307)를 거쳐 복수의 노광장치(204)와 데이터를 통신하기 위해서 복수의 노광장치(204)에 접속된다.
도4는 관리장치(300)의 CPU(301)의 구성을 도시한 도면이다. CPU(301)은, 취득부(401), 축적부(402), 산출부(403), 및 표시 제어부(404)를 포함한다. 도5는 노광장치에서 발생한 이상을 분석하기 위한 표시장치(306)의 표시 처리를 나타낸 플로우차트다.
도4 및 도5를 참조하여, 본 실시형태에 따른 관리장치(300)의 표시장치(306)의 표시 처리에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 표시장치(306)의 표시에 의해, 노광장치(204)에 있어서의 이상의 요인 분석에 필요한 시간이 단축된다. 본 실시형태에 따른 "이상"이라는 용어는, 노광장치(204)를 정지시키는데 충분할 정도로 중대한 이상을 말하며, 노광장치(204)의 정밀도를 저하하여 생산성에 영향을 미치는 이상도 말한다.
도5에 도시된 플로우차트에 대해 설명한다. 스텝 S501에 있어서, 취득부(401)는 노광장치(204)의 처리 정보를 취득한다. 노광장치(204)의 처리 정보는, 노광장치(204)의 처리 데이터, 및 노광 처리시에 적용된 처리 조건을 포함한다. 노광장치(204)의 처리 데이터는, 노광장치(204)의 동작 결과와, 노광장치(204)에 의해 노광된 웨이퍼(4)의 상태를 포함하는 정보이다. 처리 데이터의 내용은 구체적으로는 동기 정밀도 데이터 및 얼라인먼트 정밀도 데이터이다. 동기 정밀도 데이터는, 대상의 숏 영역을 노광하기 위해서 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)를 예를 들면 Y축 방향에 있어서 동기해서 구동시키는 기간 중에 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)의 상대적인 위치의 오차를 나타내는 데이터이다. 또한, 얼라인먼트 정밀도 데이터는, 대상의 웨이퍼(4) 위에 형성된 마크를 촬상해서 얻어진 디지털 화상신호의 파형 데이터와 디지털 화상신호의 평가(파형 데이터의 대칭성, 디지털 화상신호의 콘트라스트)를 나타내는 데이터다.
노광 처리시에 적용된 처리 조건은, 생산하고 싶은 웨이퍼의 레시피마다 결정되는 레시피와, 노광장치(204)마다 결정되는 장치 파라미터를 말한다. 레시피는, 복수의 노광장치에 의해 공유되어 사용되는 처리 조건이다. 장치 파라미터는, 복수의 노광장치에 의해 공유되지 않는 처리 조건이다. 레시피는, 예를 들면, 웨이퍼에 노광할 때의 노광량과, 노광된 패턴에 추종하기 위한 개별의 보정값 및 보정 알고리즘의 선택이다. 장치 파라미터는, 예를 들면, 투영 광학계(3)의 보정값, 웨이퍼 스테이지(6)의 제어 방법 및 제어 파라미터이다. 또한, 표 702에 표시되는 처리 조건은 전술한 것에 한정되지 않고, 다른 처리 조건을 정하는 파라미터를 표시할 수 있다.
다음에, 스텝 S502에 있어서, 스텝 S501에서 취득한 노광장치(204)의 처리 데이터 및 처리 조건이 축적부(402)에 축적된다. 처리 데이터로서, 예를 들면, 웨이퍼 단위(기판 단위)의 처리 데이터를 축적부(402)에 축적한다.
스텝 S503에 있어서, 산출부(403)는, 축적부(402)에서 축적된 웨이퍼 단위의 처리 데이터에 근거하여, 로트 단위의 처리 데이터인 로트 데이터를 산출한다. 로트 데이터는, 웨이퍼 단위의 처리 데이터의 통계값(예를 들면, 최대값, 최소값, 평균값, 중앙값, 표준편차)에 근거하여 산출된다. 또한, 로트 데이터는, 산출부(403) 대신에, 노광장치(204)에 의해 산출될 수 있다. 예를 들면, 취득부(401)는, 노광장치(204)에 의해 산출된 로트 데이터를 노광장치(204)로부터 취득할 수 있으며, 스텝 S504로 처리를 진행한다.
스텝 S504에서, 표시 제어부(404)는, 로트 데이터를 표시장치(306)에 출력하고, 표시장치(306)를 도6에 도시된 것과 같이 로트 데이터를 표시하도록 제어한다. 도6은 로트 데이터를 표시하는 화면을 나타낸다. 그래프 601의 횡축은 노광장치(204)에 의해 실행된 로트의 명칭을 나타내고, 종축은 로트 단위의 처리 데이터의 값인 로트 데이터 값을 나타낸다.
설정 필드(602)에는, 그래프 601에 표시할 내용을 입력 또는 선택할 수 있다. 유저는, 노광장치(204)가 설치되어 있는 반도체 제조라인의 명칭, 장치를 특정하는 정보(예를 들면, 장치를 특정하는 ID), 표시하고 싶은 데이터 및 통계값을 산출하기 위한 통계 수법(예를 들면, 최대값, 최소값, 평균값, 중앙값, 표준편차)을 입력 또는 선택한다. 표시장치(306)는, 입력 또는 선택한 내용에 근거하여 그래프 601의 표시 내용을 갱신한다. 그래프 601에 있어서, 각 로트를 실행시의 각각의 레시피에 대해, 표시할 때의 색 및/또는 형상을 변경할 수 있다.
스텝 S505에 있어서, 표시 제어부(404)는, 로트가 유저에 의해 지정되었는지 아닌지를 판단한다. 로트가 지정된 경우에는(스텝 S505에서 YES), 스텝 S506으로 처리를 진행한다. 유저는, 그래프 601에 플롯된 로트 데이터를 선택하거나, 로트 명을 입력함으로써, 로트를 지정한다. 로트를 지정하는 방법은, 마우스, 키보드, 또는 터치패널 등의 컴퓨터용 입력 기기와, 이 입력 기기를 제어하는 프로그램에 의해 실현된다. 유저는, 이상이 발생한 로트를 지정함으로써, 후술하는 방법에 의해 이상의 요인을 특정한다.
스텝 S506에 있어서, 표시 제어부(404)는, 스텝 S505에서 지정된 로트의 처리 데이터를 표시장치(306)에 출력하고, 표시장치(306)는 도7을 표시한다. 도7은, 처리 데이터의 그래프 701과, 노광 처리의 처리 조건을 나타내는 표(702)를 표시하는 화면을 나타낸 것이다. 그래프 701의 횡축은 웨이퍼 번호를 나타내고, 그래프 701의 종축은 웨이퍼 단위의 처리 데이터의 값인 웨이퍼 데이터 값을 나타낸다.
표(702)는, 각 로트의 명칭과 노광장치(204)의 처리 조건을 나타내고 있다. 모든 처리 조건을 표시하거나, 처리 데이터에 관련되는 처리 조건만 표시해도 된다. 처리 데이터와, 처리 데이터와 그것에 관련된 처리 조건의 관계는 기억장치(304)에 보존할 수 있고, 유저가, 처리 데이터와 이 처리 데이터와 관련된 처리 조건의 관계를 정적 또는 동적으로 지정할 수 있다.
그래프 701에서는, 스텝 S506에서 지정된 로트에 대한 표시의 비교 대상으로서, 유저에 의해 지정된 로트와 동일 레시피에 의해 노광 처리된 각각의 로트의 처리 데이터도 표시된다. 표(702)는, 지정된 로트와, 비교하기 위한 로트의 처리 조건을 표시한다. 유저에 의해 지정된 로트와 동일한 레시피에 의해 노광 처리된 각각의 로트를 비교 대상의 로트로서 설명하지만, 비교 대상 로트는 전술한 것에 한정되지 않고, 유저에 의해 지정된 로트와 같은 1개 이상의 처리 조건을 사용하여 노광 처리된 로트일 수 있다.
유저는, 스텝 S506에서 표시장치(306)에 표시된 내용을 확인하고, 지정한 로트와 다른 로트 사이의 웨이퍼 단위의 처리 데이터, 경향, 및 처리 조건의 차이를 분석한다. 유저는, 분석 결과에 근거하여, 노광장치(204)에서의 이상의 요인을 특정하고, 이상을 해소하기 위한 동작을 행한다.
스텝 S507에서, 유저가 화면의 종료를 결정하는 경우, 표시장치(306)의 표시가 종료한다.
전술한 노광장치(204)에서의 이상을 해소할 때까지의 처리를, 표시장치(306)에 표시되는 화면과 유저의 동작을 연관시켜, 더욱 상세히 설명한다. 유저는, 우선 노광장치에서 이상이 존재하는지 여부를 확인하기 위해서, 도6에 도시된 화면을 표시한다. 유저는, 그래프 601을 확인함으로써, 로트 BBB의 로트 데이터가 다른 로트 데이터보다 상당히 크다는 것을 인식한다. 그후, 유저는, 이 차이의 원인을 분석하기 위해, 화면 상에서 그래프 601의 로트 BBB을 지정한다. 표시장치(306)의 화면 표시가 그래프 601로부터, 도7의 그래프 701 및 표(702)로 전환된다. 이때, 로트 BBB과 동일 레시피에 의해 노광 처리가 실행된 로트 CCC 및 EEE의 웨이퍼 단위의 처리 데이터 및 처리 조건도 함께 표시된다.
그래프 701에 표시된 웨이퍼 단위의 처리 데이터는, 그래프 601에 표시된 로트 데이터를 산출하는 소스가 되는 처리 데이터이다. 유저는, 그래프 701을 확인함으로써, 로트 BBB의 10매의 웨이퍼 중 1매째의 웨이퍼의 처리 데이터의 값이 2 내지 10매째의 웨이퍼 및 다른 로트의 웨이퍼의 처리 데이터의 값보다 큰 것을 인식할 수 있다. 또한, 표(702)에 표시된 처리 조건의 설정값 1 내지 4 중에서 설정값 1 내지 3이 다른 로트의 설정값과 다른 것을 인식할 수 있다. 또한, 설정값 1 및 2는 거의 같은 수치값이기 때문에, 영향은 적다고 생각되므로, 설정값 3의 차이가 이상의 요인이라고 판단된다.
그 결과, 유저는, 로트들 사이의 차이가 설정값 3에 기인하고 있다고 판단하여, 다른 로트와 같은 처리 조건으로 처리 조건을 변경하는 것과 같은 동작을 신속하게 행한다. 이러한 분석 작업을 더욱 효율화하기 위해서, 로트들 사이에서 다른 각각의 처리 조건을 강조표시할 수 있다. 도8은, 강조표시한 처리 조건의 예를 나타낸 것이다. 유저가 로트 BBB과 EEE를 지정한 겨우, 표시된 처리 조건 중에서 다른 처리 조건인 설정값 1과 3 만 강조 표시한다. 이에 따라, 유저는 시각적으로 로트들 사이의 처리 조건의 차이를 판단하기 쉬워진다. 도8에 도시된 예에서는 표의 표시를 윤곽 문자로 문자를 변경함으로써 강조표시하고 있지만, 예를 들면, 문자의 색, 굵기 및 폰트를 다른 내용으로 변경하거나, 프레임의 색과 굵기를 변경하거나, 또는 내용이 다른 각각의 부분을 점멸시킬 수 있다. 또한, 전술한 것과 같이, 도6과 도7의 표시는, 표시장치(306)에 선택적으로 표시되거나, 도9에 나타낸 것과 같이, 그래프 601, 설정 필드(602), 그래프 701 및 표(702)를 동일 화면에 표시할 수 있다.
본 실시형태에서는 노광장치(204) 등의 패턴 형성장치(200)의 이상 요인을 분석하는 예에 대해 설명을 했지만, 패턴 형성장치(200) 이외의 반도체 제조장치에 있어서의 이상 요인의 분석에 본 발명에 따른 정보 처리장치를 적용가능하다. 예를 들면, 본 실시형태에 따른 정보 처리장치는, 처리장치(201) 및 검사장치(202)의 이상 요인의 분석에 적용가능하다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 표시장치(306) 상에 지정된 로트의 웨이퍼 단위의 처리 데이터가 그래프 표시된다. 이 때문에, 어느 웨이퍼에서 이상이 발생했는지 분석하기 쉽다. 더구나, 처리 조건도 표시되므로, 이상의 요인이 될 수 있는 처리 조건이 즉시 분석될 수 있다. 이에 따라, 이상을 해소하는데 필요한 시간이 단축된다.
제2실시형태에서는, 제1실시형태보다 더 구체적인 상황에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 노광장치(204)의 스테이지의 동기 정밀도에 관련되는 이상을 분석하는 방법에 대해 설명한다. 스테이지의 동기 정밀도는, 대상의 숏 영역을 노광하기 위해서 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)를, 예를 들면, Y축 방향으로 동기해서 구동시키는 기간에 있어서 레티클 스테이지(2)와 웨이퍼 스테이지(6)의 상대적인 위치의 오차를 나타내는 데이터이다. 본 실시형태에서 언급하지 않는 사항은 제1실시형태에서 설명한 것과 같다.
유저는, 제1실시형태에서 도5의 스텝 S504에 해당하는 도10에 도시된 화면 상에서, 설정 필드(602)의 라인 명(예를 들면, 공장, 건물 또는 제조라인을 특정하는 ID)과, 장치 명(예를 들면, 장치를 특정하는 ID)을 입력한다. 도10에서는, 라인 명 및 장치 명으로서 각각 "L1" 및 "T1"을 입력하고 있다. 또한, 유저는, 설정 필드(602)의 표시 데이터를 입력한다. 도10에서는, 표시 데이터로서, "동기 정밀도 계측 결과"를 입력하고 있다. 유저는 설정 필드(602)의 통계 수법을 더 입력한다. 통계 수법은, 산출부(403)에 의해 로트 데이터를 산출하기 위해 채용된 통계 수법(예를 들면, 최대값, 최소값, 평균값, 중앙값, 표준편차)이다. 도10에서는, 로트의 웨이퍼(4) 중에서 가장 낮은 정밀도의 동기 정밀도 계측 결과의 웨이퍼(4)를 비교하기 위해, 통계 수법으로서 최대값을 산출하는 설정의 "MAX"를 입력하고 있다. 표시장치(306)는, 설정 필드(602)에 입력된 설정에 근거하여, 그래프 601을 표시한다.
유저는, 그래프 601을 확인함으로써, 로트 BBB의 통계값이 다른 로트와 비교해서 큰 것을 인식할 수 있다. 또한, 유저는, 로트 BBB과 동일 레시피에 의해 노광 처리된 로트 CCC 및 EEE의 값이 로트 BBB보다 작은 것을 인식할 수 있다. 유저는, 이 차이를 더 상세하게 분석하기 위해서, 로트 BBB을 지정한다.
표시장치(306)는, 로트 BBB에 있어서 노광 처리된 웨이퍼(4)의 동기 정밀도 계측 결과의 그래프, 로트 BBB의 처리 조건과, 로트 BBB과 동일 레시피에 의해 노광 처리된 로트 CCC 및 EEE의 동기 정밀도 계측 결과 및 처리 조건을 도11에 도시된 것과 같이 표시한다. 이때, 표(702)에는 동기 정밀도에 관련되는 처리 조건 만 표시되어도 된다. 스테이지의 동기 정밀도에 관련되는 처리 조건은, 예를 들면, 웨이퍼 스테이지(6)의 스캔 속도, 웨이퍼 스테이지(6)를 구동하는 리니어 모터를 피드포워드((FF) 기술을 사용해서 제어하기 위한 설정과, 노광시의 광원(7)의 조도이다. 유저는, 그래프 701을 확인하여, 로트 BBB에서 노광 처리된 모든 웨이퍼(4)의 동기 정밀도 계측 결과가 다른 로트보다 큰 것을 인식할 수 있다. 유저는, 표(702)를 확인하고 각 로트의 처리 조건을 비교함으로써, 로트 BBB의 스캔 속도가 다른 로트와 비교해서 큰 것을 판정할 수 있다.
따라서, 유저는, 동기 정밀도 계측 결과의 차이가 스캔 속도의 차이에 의한 것이라고 분석할 수 있고, 노광장치(204)의 이상을 해소하기 위한 대응을 즉시 행할 수 있다.
제3실시형태에서는, 제2실시형태와는 다른 이상이 발생하는 경우에 대해 설명한다. 본 실시형태에서는, 노광장치(204)의 얼라인먼트 계측 결과에 관련되는 이상을 분석하는 방법에 대해 설명한다. 얼라인먼트 계측 결과는, 대상의 웨이퍼(4) 위에 형성된 마크를 촬상해서 얻어진 디지털 화상신호의 파형 데이터와 디지털 화상신호의 평가(파형 데이터의 대칭성, 디지털 화상신호의 콘트라스트)의 데이터이다. 본 실시형태에서 언급하지 않는 사항은 제1실시형태에서 설명한 것과 같다.
유저는, 제1실시형태의 도5의 스텝 S504에 해당하는 도12에 도시된 화면 상에서, 설정 필드(602)의 라인 명(예를 들면, 공장, 건물 또는 제조라인을 특정하는 ID)과, 장치 명(예를 들면, 장치를 특정하는 ID)을 입력한다. 도12에서는, 라인 명 및 장치 명으로서 각각 "L2" 및 "T2"를 입력하고 있다. 또한, 유저는, 설정 필드(602)의 표시 데이터를 입력한다. 도12에서는, 표시 데이터로서 "얼라인먼트 계측 결과"를 입력하고 있다. 유저는, 설정 필드(602)의 통계 수법을 더 입력한다. 통계 수법은, 산출부(403)에 의해 로트 데이터를 산출하기 위한 통계 수법(예를 들면, 최대값, 최소값, 평균값, 중앙값, 표준편차)이다. 도12에서는, 로트의 웨이퍼(4)의 평균값을 비교하기 위해서, 통계 수법으로서 평균값을 산출하는 설정의 "AVE"를 입력하고 있다. 표시장치(306)는, 설정 필드(602)에서 입력한 설정에 근거하여, 그래프 601을 표시한다.
유저는, 그래프 601을 확인함으로써, 로트 GGG의 로트 데이터가 다른 로트 데이터보다 큰 것을 인식할 수 있다. 유저는, 로트 GGG과 동일 레시피에 의해 노광 처리를 실행한 로트 HHH 및 JJJ의 로트 데이터가 로트 GGG의 로트 데이터보다 작은 것을 더 인식할 수 있다. 유저는, 이 차이를 상세하게 분석하기 위해서, 로트 GGG을 지정한다.
표시장치(306)는, 로트 GGG에 대한 노광 처리의 얼라인먼트 계측 결과의 그래프, 로트 GGG의 처리 조건, 로트 GGG과 동일 레시피에 의해 노광 처리된 로트 HHH 및 JJJ의 얼라인먼트 계측 결과 및 처리 조건을 도13에 도시된 것과 같이 표시한다. 이때, 표(702)에는 얼라인먼트 계측에 관련되는 처리 조건 만을 표시해도 된다. 얼라인먼트 계측에 관련되는 처리 조건은, 예를 들면, 조명 모드, 이상이 발생한 경우에 리트라이를 실행할 것인지 아닌지를 선택하는 설정, 웨이퍼(4) 위에 형성되는 마크 타입과, 얼라인먼트 계측시의 오프셋 값이다. 유저는, 그래프 701을 확인하여, 로트 GGG의 웨이퍼(4) 중에서 첫번째로 노광 처리한 웨이퍼(4)의 얼라인먼트 계측 결과의 차이가 큰 반면에, 그 밖의 웨이퍼(4)의 얼라인먼트 계측 결과는 다른 로트의 웨이퍼(4)의 얼라인먼트 계측 결과와 차이가 작은 것을 인식할 수 있다. 유저는, 표(702)를 확인하고, 각 로트의 처리 조건을 비교함으로써, 로트 GGG의 오프셋 값이 다른 로트와 비교해서 큰 것을 인식할 수 있다.
따라서, 유저는 얼라인먼트 계측 결과의 차이가 오프셋 값의 차이에 의한 것이라고 분석을 할 수 있고, 노광장치(204)의 이상을 해소하기 위한 대응을 즉시 행할 수 있다.
<물품의 제조방법의 실시형태>
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스와 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 물품의 제조 시스템을 사용해서 기판에 원판의 패턴을 형성하는 단계와, 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함할 수 있다. 이와 같은 물품의 제조방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징)을 더 포함할 수 있다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다.
기타 실시형태
본 발명의 실시형태는, 본 발명의 전술한 실시형태(들)의 1개 이상의 기능을 수행하기 위해 기억매체('비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억매체'로서 더 상세히 언급해도 된다)에 기록된 컴퓨터 실행가능한 명령(예를 들어, 1개 이상의 프로그램)을 판독하여 실행하거나 및/또는 전술한 실시예(들)의 1개 이상의 기능을 수행하는 1개 이상의 회로(예를 들어, 주문형 반도체 회로(ASIC)를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터나, 예를 들면, 전술한 실시형태(들)의 1개 이상의 기능을 수행하기 위해 기억매체로부터 컴퓨터 실행가능한 명령을 판독하여 실행함으로써, 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해 구현될 수도 있다. 컴퓨터는, 1개 이상의 중앙처리장치(CPU), 마이크로 처리장치(MPU) 또는 기타 회로를 구비하고, 별개의 컴퓨터들의 네트워크 또는 별개의 컴퓨터 프로세서들을 구비해도 된다. 컴퓨터 실행가능한 명령은, 예를 들어, 기억매체의 네트워크로부터 컴퓨터로 주어져도 된다. 기록매체는, 예를 들면, 1개 이상의 하드디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 분산 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광 디스크(콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD), 또는 블루레이 디스크(BD)TM 등), 플래시 메모리소자, 메모리 카드 등을 구비해도 된다.
본 발명은, 상기한 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실행가능하다. 또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
예시적인 실시형태들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 이러한 실시형태에 한정되지 않는다는 것은 자명하다. 이하의 청구범위의 보호범위는 가장 넓게 해석되어 모든 변형, 동등물 구조 및 기능을 포괄하여야 한다.
Claims (16)
- 처리 데이터 및 처리 조건을 포함하는 기판 처리에 관한 처리 정보를 취득하도록 구성된 취득부와,
상기 취득부에 의해 취득된 상기 처리 정보에 근거하여, 표시장치에 대한 표시를 제어하도록 구성된 표시 제어부를 구비하고,
상기 표시 제어부는, 복수의 기판을 포함하는 로트의 처리 데이터를 로트 단위로 표시하는 제1 화면과, 상기 제1 화면에 표시된 로트로부터 유저에 의해 지정된 로트인 제1 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 제2 화면을, 상기 표시장치에 선택적으로 표시하도록 구성된 정보 처리장치.
- 처리 데이터 및 처리 조건을 포함하는 기판 처리에 관한 처리 정보를 취득하도록 구성된 취득부와,
상기 취득부에 의해 취득된 상기 처리 정보에 근거하여, 표시장치에 대한 표시를 제어하도록 구성된 표시 제어부를 구비하고,
상기 표시 제어부는, 복수의 기판을 포함하는 로트의 처리 데이터를 로트 단위로 표시하는 제1 화면과 함께, 상기 제1 화면에 표시된 로트로부터 유저에 의해 지정된 로트인 제1 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 제2 화면을 상기 표시장치에 표시하도록 구성된 정보 처리장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 처리 데이터는, 상기 기판 처리를 행하는 처리장치의 동작 결과, 및 상기 기판 처리가 행해진 기판의 상태를 포함하는 정보인 정보 처리장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 처리 조건은 레시피와 장치 파라미터를 포함하는 조건이고, 상기 레시피는 복수의 장치에 의해 공유되어 사용되는 처리 조건이고, 상기 장치 파라미터는 복수의 장치에 의해 공유되지 않는 처리 조건인 정보 처리장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 표시 제어부는, 상기 제1 로트의 처리 데이터와, 상기 제1 로트가 처리되는 처리 조건과 같은 1개 이상의 처리 조건을 포함하는 처리 조건에서 처리되는 제2 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 상기 제2 화면을 상기 표시장치에 표시하도록 구성된 정보 처리장치.
- 제 4항에 있어서,
상기 표시 제어부는, 상기 제1 로트의 처리 데이터와, 상기 제1 로트가 처리되는 레시피와 같은 레시피에 의해 처리되는 제2 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 상기 제2 화면을 상기 표시장치에 표시하도록 구성된 정보 처리장치.
- 제 5항에 있어서,
상기 표시 제어부는, 기판 단위의 상기 제1 로트의 처리 데이터 및 상기 제2 로트의 처리 데이터와, 상기 제1 로트의 처리 조건 및 상기 제2 로트의 처리 조건을 표시하는 상기 제2 화면을 상기 표시장치에 표시하도록 구성된 정보 처리장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제1 화면 및 상기 제2 화면 중 적어도 한쪽은 처리 데이터를 그래프로 표시하는 정보 처리장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 제2 화면을 상기 표시장치에 표시하는 표시 방법은, 유저에 의해 지정된 제3 및 제4 로트들의 처리 조건들 중에서 차이가 있는 처리 조건을 강조표시하도록 변경가능한 정보 처리장치.
- 제 1항에 있어서,
상기 취득부에 의해 취득된 기판 단위의 복수의 처리 데이터에 근거하여, 로트 단위의 처리 데이터를 산출하도록 구성된 산출부를 더 구비한 정보 처리장치.
- 제 10항에 있어서,
상기 산출부는, 상기 기판 단위의 복수의 처리 데이터의 최대값, 최소값, 평균값, 중앙값 및 표준편차 중에서 적어도 한개의 통계처리에 근거하여, 로트 단위의 처리 데이터를 산출하도록 구성된 정보 처리장치.
- 처리 데이터 및 처리 조건을 포함하는 기판 처리에 관한 처리 정보를 취득하는 단계와,
취득된 상기 처리 정보에 근거하여, 표시장치에 대한 표시를 제어하는 단계를 포함하고,
복수의 기판을 포함하는 로트의 처리 데이터를 로트 단위로 표시하는 제1 화면과, 상기 제1 화면에 표시된 로트로부터 유저에 의해 지정된 로트인 제1 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 제2 화면을, 상기 표시장치에 선택적으로 표시하도록 제어가 행해지는 정보 처리방법.
- 처리 데이터 및 처리 조건을 포함하는 기판 처리에 관한 처리 정보를 취득하는 단계와,
취득된 상기 처리 정보에 근거하여, 표시장치에 대한 표시를 제어하는 단계를 포함하고,
복수의 기판을 포함하는 로트의 처리 데이터를 로트 단위로 표시하는 제1 화면과 함께, 상기 제1 화면에 표시된 로트로부터 유저에 의해 지정된 로트인 제1 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 제2 화면을 상기 표시장치에 표시하도록 제어가 행해지는 정보 처리방법.
- 취득단계와 표시 제어단계를 포함하고,
처리 데이터 및 처리 조건을 포함하는 기판 처리에 관한 처리 정보를 취득하고,
취득된 상기 처리정보에 근거하여, 복수의 기판을 포함하는 로트의 처리 데이터를 로트 단위로 표시하는 제1 화면과, 상기 제1 화면에 표시된 로트로부터 유저에 의해 지정된 로트인 제1 로트의 처리 데이터를 기판 단위로 표시하는 제2 화면을, 표시장치에 선택적으로 표시하도록 제어가 행해지는 정보 처리방법을, 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독가능한 기억매체.
- 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 기재된 정보 처리장치와,
기판 위에 패턴을 형성하도록 구성된 패턴 형성장치를 구비하고,
상기 정보 처리장치는 상기 패턴 형성장치를 포함하는 복수의 장치들을 관리하는 물품의 제조 시스템.
- 청구항 15에 기재된 물품 제조 시스템을 사용해서 기판 위에 패턴을 형성하는 단계와,
상기 패턴이 형성된 상기 기판에 대해, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩 및 패키징 중 적어도 1개의 처리를 행하는 단계를 포함하고,
처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 물품의 제조방법.
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