JP2007192652A - パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料 - Google Patents
パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】検査対象試料の画像の転写・現像シミュレーション処理の過程で生じる一時的な強調部分を見出すこと。
【解決手段】検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置。
【選択図】 図1
【解決手段】検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置。
【選択図】 図1
Description
本発明は、検査対象試料のパターン検査装置、パターン検査方法、又は検査された検査対象試料に関するものであり、特に、半導体素子や液晶ディスプレイパネル、及びそれらの製造に使用するレチクル(マスク)のパターン検査装置、パターン検査方法、検査された検査対象試料に関するものである。
従来、集積回路のマスクに対する欠陥をシミュレーション処理により検査する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。しかし、シミュレーション処理の最終的なパターンで検査が実施されている。
しかしながら、近年の半導体の微細化の進行に伴い、転写検査のマージンが少なくなり、欠陥に対し、転写条件を実際に合わせて、最終的に転写マージンがどの程度あるかまで精査することが必要になっている。このため、これを単純に適用するとすれば、全ての転写条件を振ってマージン確認が必要になり、非常に膨大な演算処理が必要になり、非実用的である。
本発明の実施の形態は、検査対象試料の画像の転写・現像シミュレーション処理の過程で生じる一時的な欠陥の強調部分を見出し、より精査な検査が可能なパターン検査装置、パターン検査方法、又は、それにより得られた検査対象試料を得ることにある。
本発明の実施の形態は、レチクルなどの検査対象試料の標準的なプロセス条件でシミュレーション処理を行う。シミュレーション処理の途中でパターン検査を実施することで、プロセス条件を全て振る代わりに、時間軸上で欠陥候補を発見する。その発見した欠陥候補に対してのみ、詳細なシミュレーション処理を行い、より精査な検査が可能となり、効率的に欠陥を検査することができる。具体的には、本発明は、以下の構成を取ることができる。
(1)本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置にある。
(2)また、本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理する転写・現像シミュレーション処理工程と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶工程と、該シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理工程とを備えている、パターン検査方法にある。
(3)また、本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶し、該シミュレーション途中画像のパターンと比較対象のパターンとを比較処理して得られた、検査対象試料にある。
(1)本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置にある。
(2)また、本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理する転写・現像シミュレーション処理工程と、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶工程と、該シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理工程とを備えている、パターン検査方法にある。
(3)また、本発明は、検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶し、該シミュレーション途中画像のパターンと比較対象のパターンとを比較処理して得られた、検査対象試料にある。
以下、本発明の実施形態によるレチクルなどの検査対象試料の画像のパターン検査について説明する。
本発明の実施の形態のパターン検査は、検査対象試料から光学画像を取得し、光学画像のパターンを特定のプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理し、転写・現像シミュレーション処理の途中のパターンを検査して、パターンの欠陥部など異常なパターンを検査するものである。画像を転写・現像シミュレーション処理する過程で画像のパターンの欠陥部が一時的に強調されることがある。その強調された欠陥部を見出すことにより、パターンの検査をより正確に行うことができる。例えば、転写・現像シミュレーション処理の途中のパターンを検査して、異常なパターンが発見された場合、欠陥部の候補として記憶し、欠陥部の候補のみに対して、最後まで転写・現像シミュレーション処理を続行する。異常なパターンが見つからない箇所は、転写・現像シミュレーション処理を中止する。最後に処理されたパターンを検査して、その異常なパターンが欠陥部となるか否かを判断する。又は、途中のパターンを検査して、異常なパターンが発見された場合、欠陥部の候補として記憶し、その異常なパターンのみに対して、特定のプロセス条件より詳細なプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理を行う。異常なパターンが見つからない箇所に対して、転写・現像シミュレーション処理を中止するか、又は、特定のプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理を行う。これらの処理により、転写・現像シミュレーション処理の演算量を減らすことができ、効率的に、かつ、正確に欠陥を検査することができる。また、最後まで転写・現像シミュレーション処理をすることにより、欠陥候補を削ることができ、欠陥候補の絞込みができる。
なお、光学画像は、光学画像取得部で取得された画像である。ただ、取得された画像は、本説明では光学画像を扱っているが、本発明では、光学画像に限ることはなく、レーザビームスキャンによる画像、SEM(走査型電子手段)による画像、STM(走査トンネル手段)による画像、NC−AF(非接触原子間力手段)による画像、X線手段による画像など無接触による手段や接触による手段で取得した画像でもよい。また、転写・現像シミュレーション処理は、転写シミュレーション処理、現像シミュレーション処理など画像のパターンを処理する一般に知られているシミュレーションによる処理である。転写・現像シミュレーション処理は、露光条件、エッチング条件など種々のプロセス条件を設定して行う。プロセス条件は、処理時間が短いが簡単な処理条件や、又は、処理時間が長いがより精密な処理ができる条件など種々の処理条件がある。また、以下、検査対象試料としてレチクルについて説明するが、半導体装置や液晶表示装置などの製造において、画像が形成されるものであればどのようなものでもよく、例えば、マスク、ウエーハなどがある。また、パターンとは、画像全体のパターンでも、又は、画像の一部のパターンでもよい。
(パターン検査装置)
図1は、パターン検査装置の一例の概略図を示している。パターン検査装置は、光学画像取得部210、取得画像記憶部22、転写・現像シミュレーション処理部256、シミュレーション画像記憶部26、比較処理部254、参照画像作成部252、参照画像記憶部24、欠陥候補記憶部28などを備えている。光学画像取得部210は、レチクル220など検査対象試料に描かれた画像を取得するものである。取得画像記憶部22は、レチクル220に描かれた画像、即ち取得画像を記憶するものである。シミュレーション処理部256は、画像のパターンについて転写・現像シミュレーション処理を行うものである。シミュレーション画像記憶部26は、転写・現像シミュレート処理を行った途中の画像のパターン、即ちシミュレーション途中画像のパターンを記憶するものである。比較処理部254は、複数のパターンを比較処理するものであり、シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理するものである。比較対象のパターンは、例えば、取得画像のパターン、シミュレーション途中画像の他のパターン(例:同一レチクル内の他のダイのパターン)、レチクル220の参照画像のパターンがある。参照画像作成部252は、レチクル220の設計データ20から光学画像に似せた画像である参照画像を作成するものである。参照画像記憶部24は、作成された参照画像を記憶するものである。欠陥候補記憶部28は、比較処理部254で見出されたパターンの欠陥部を欠陥候補として記憶するものである。なお、パターン検査装置は、パターン検査が可能であれば、図1の構成に追加した構成を備えていても、又は、図1の構成より少ない構成であってもよい。例えば、パターン検査装置は、比較対象のパターンとして、参照画像を利用しない場合、参照画像作成部252、及び、参照画像記憶部24を備えていなくてもよい。また、被検査パターンと基準検査パターンは、両者のパターンを識別するための名称であり、名称を逆にしてもよい。即ち、シミュレーション途中画像のパターンを基準検査パターンとし、比較対象のパターンを被検査パターンと呼んでもよい。
図1は、パターン検査装置の一例の概略図を示している。パターン検査装置は、光学画像取得部210、取得画像記憶部22、転写・現像シミュレーション処理部256、シミュレーション画像記憶部26、比較処理部254、参照画像作成部252、参照画像記憶部24、欠陥候補記憶部28などを備えている。光学画像取得部210は、レチクル220など検査対象試料に描かれた画像を取得するものである。取得画像記憶部22は、レチクル220に描かれた画像、即ち取得画像を記憶するものである。シミュレーション処理部256は、画像のパターンについて転写・現像シミュレーション処理を行うものである。シミュレーション画像記憶部26は、転写・現像シミュレート処理を行った途中の画像のパターン、即ちシミュレーション途中画像のパターンを記憶するものである。比較処理部254は、複数のパターンを比較処理するものであり、シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理するものである。比較対象のパターンは、例えば、取得画像のパターン、シミュレーション途中画像の他のパターン(例:同一レチクル内の他のダイのパターン)、レチクル220の参照画像のパターンがある。参照画像作成部252は、レチクル220の設計データ20から光学画像に似せた画像である参照画像を作成するものである。参照画像記憶部24は、作成された参照画像を記憶するものである。欠陥候補記憶部28は、比較処理部254で見出されたパターンの欠陥部を欠陥候補として記憶するものである。なお、パターン検査装置は、パターン検査が可能であれば、図1の構成に追加した構成を備えていても、又は、図1の構成より少ない構成であってもよい。例えば、パターン検査装置は、比較対象のパターンとして、参照画像を利用しない場合、参照画像作成部252、及び、参照画像記憶部24を備えていなくてもよい。また、被検査パターンと基準検査パターンは、両者のパターンを識別するための名称であり、名称を逆にしてもよい。即ち、シミュレーション途中画像のパターンを基準検査パターンとし、比較対象のパターンを被検査パターンと呼んでもよい。
図2は、一例として、パターン検査装置200を示している。パターン検査装置200は、光学画像取得部210とデータ処理部240を備えている。光学画像取得部210は、オートローダ212、光源216、光照射部217、レチクル220を載置するXYθテーブル218、θモータ222、Xモータ224、Yモータ226、レーザ測長システム214、拡大光学系228、フォトダイオードアレイ230、センサ回路232などを備えている。データ処理部240は、中央演算処理部242、データ、プログラムなどを輸送するバス250、オートローダ制御部244、XYθテーブル218を制御するテーブル制御部248、光学画像に類似した参照画像を作成する参照画像作成部252、画像のパターンを比較し、パターンの欠陥を判定する比較処理部254、光学画像や参照画像を転写や現像などのシミュレーション処理する転写・現像シミュレーション処理部256、バッファメモリ246、レーザ測長システム214からのテーブルの位置を求める位置測定部258、種々のデータ、データベース、プログラムなどを記憶し、取得画像記憶部22、参照画像記憶部24、シミュレーション画像記憶部26、欠陥候補記憶部28などを構成する主記憶装置266や外部記憶装置260、CRT262、プリンタ264などを備えている。なお、パターン検査装置200は、電子回路、プログラム、PC、又は、これらの組み合わせにより構成できる。
(光学画像取得部)
光学画像取得部210は、レチクル220の光学画像を取得する。レチクル220は、XYθテーブル218上に載置される。XYθテーブル218は、中央演算処理部242から指令を受けたテーブル制御部248により、X方向、Y方向に移動でき、θ方向に回転可能な3軸(X−Y−θ)マニピュレータである。X方向にはXモータ224で、Y方向にはYモータ226で、θ方向にはθモータ222で駆動制御される。Xモータ224、Yモータ226、θモータ222は公知のサーボモータやステップモータ等を用いることができる。XYθテーブル218の位置座標は、例えばレーザ測長システム214により測定され、その出力が位置測定部258に送られる。位置測定部258から出力された位置座標はテーブル制御部248にフィードバックされる。
光学画像取得部210は、レチクル220の光学画像を取得する。レチクル220は、XYθテーブル218上に載置される。XYθテーブル218は、中央演算処理部242から指令を受けたテーブル制御部248により、X方向、Y方向に移動でき、θ方向に回転可能な3軸(X−Y−θ)マニピュレータである。X方向にはXモータ224で、Y方向にはYモータ226で、θ方向にはθモータ222で駆動制御される。Xモータ224、Yモータ226、θモータ222は公知のサーボモータやステップモータ等を用いることができる。XYθテーブル218の位置座標は、例えばレーザ測長システム214により測定され、その出力が位置測定部258に送られる。位置測定部258から出力された位置座標はテーブル制御部248にフィードバックされる。
レチクル220は、オートローダ212によりXYθテーブル218上に自動的に供給され、検査終了後に自動的に排出される。XYθテーブル218の上方には、光源216及び光照射部217が配置されている。光源31からの光は、光照射部217の集光レンズを介してレチクル220を照射する。レチクル220の下方には、拡大光学系228及びフォトダイオードアレイ230からなる信号検出部が配置されている。レチクル220を透過した透過光は、拡大光学系228を介してフォトダイオードアレイ230の受光面に結像される。拡大光学系228は、ピエゾ素子等の焦点調整装置(図示省略)で自動的に焦点調整される。この焦点調整装置は、中央演算処理部242に接続されたオートフォーカス制御回路(図示省略)により制御される。焦点調整は、別途設けられた観察スコープでモニタリングしてもよい。光電変換部としてのフォトダイオードアレイ230は、複数の光センサを配設したラインセンサもしくはエリアセンサである。XYθテーブル218をX軸方向に連続的に移動させることにより、フォトダイオードアレイ230は、レチクル220の画像に対応した測定信号を検出する。
この測定信号は、センサ回路232でデジタルデータに変換され、光学画像のデータとして、バッファメモリ246、主記憶装置266、外部記憶装置260などに入力される。光学画像のデータは、例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさを表現するものとする。この種のパターン検査装置200は、通常、これらのパターンデータを10MHz〜30MHz程度のクロック周波数に同期して、フォトダイオードアレイ230から読み出し、適当なデータの並び替えを経て、ラスター走査された2次元画像データとして取り扱われる。
図3は、光学画像の取得手順の一例を示している。レチクル220の被検査領域は、Y方向に向かって、走査幅Wの短冊状の複数のストライプ30に仮想的に分割される。その分割されたストライプ30は、連続的に走査されるように、XYθテーブル218は、テーブル制御部248の制御のもとでX方向に移動する。その移動に従って、各ストライプ30は、フォトダイオードアレイ230により取得される。フォトダイオードアレイ230は、走査幅Wの画像を連続的に取得する。ここでは、例えば、走査幅Wは、2048画素とする。
センサ回路232から出力されたストライプ30の測定パターンデータは、位置測定部258から出力されたXYθテーブル218上のレチクル220の位置を示すデータとともに、比較処理部254に送られる。比較される光学画像は、適当な画素サイズのエリアに切り出される。例えば、512×512画素の領域に切り出される。なお、光学画像は、上記記載では透過光を利用しているが、反射光、散乱光、偏光散乱光、偏光透過光などを利用するものでもよい。これらの画像の光を検出するために、光画像取得部210は、これらの光の画像を取得する取得機構を有している。
(参照画像の作成)
参照画像は、レチクル220の設計データから種々の変換を行って、光学画像に似せて作成された画像である。参照画像は、参照画像作成部252で、レチクル220の画像の設計データを外部記憶装置260又は主記憶装置266から中央演算処理部242により読み出し、イメージデータに変換し、図形の角を丸めたり、多少ボカしたりして、光学画像に似せる処理を行って作成される。作成された参照画像は、外部記憶装置260又は主記憶装置266に格納する。
参照画像は、レチクル220の設計データから種々の変換を行って、光学画像に似せて作成された画像である。参照画像は、参照画像作成部252で、レチクル220の画像の設計データを外部記憶装置260又は主記憶装置266から中央演算処理部242により読み出し、イメージデータに変換し、図形の角を丸めたり、多少ボカしたりして、光学画像に似せる処理を行って作成される。作成された参照画像は、外部記憶装置260又は主記憶装置266に格納する。
(比較処理部)
比較処理部254は、画像間のパターンを比較し、欠陥などの判定するものである。比較する画像は、種々あるが、例えば、レチクル上のダイとダイの比較(DD比較)と、レチクル上のダイと参照画像の比較(DB比較)がある。DD比較やDB比較は、透過率変動、付着物検出、エッジの微小位置、又は、微小強度変動を検出する。また、比較処理部254は、コンタクトホールなど微細形状の比較、図形の重要度に応じたマージンの設定、図形の特徴に応じた領域の感度設定を行い、より的確な劣化検査を可能とする。
比較処理部254は、画像間のパターンを比較し、欠陥などの判定するものである。比較する画像は、種々あるが、例えば、レチクル上のダイとダイの比較(DD比較)と、レチクル上のダイと参照画像の比較(DB比較)がある。DD比較やDB比較は、透過率変動、付着物検出、エッジの微小位置、又は、微小強度変動を検出する。また、比較処理部254は、コンタクトホールなど微細形状の比較、図形の重要度に応じたマージンの設定、図形の特徴に応じた領域の感度設定を行い、より的確な劣化検査を可能とする。
(パターン検査方法)
図4は、パターン検査方法を示している。パターン検査方法は、次のようなステップを備えている。先ず、光学画像取得部210によりレチクル220から光学画像を取得し、取得画像記憶部22に記憶する(光学画像取得工程S1)。次に、転写・現像シミュレーション処理部256により、取得画像記憶部22から取得画像を読み出して、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、処理された転写・現像シミュレーション画像のパターンをシミュレーション画像記憶部26に記憶する(転写・現像シミュレーション処理工程S2)。次に、比較処理部254によりシミュレーション画像記憶部26からシミュレーション画像を読み出し、比較対象のパターンと比較する。比較の結果、パターン差異が所定の閾値を超えている場合、欠陥と判断し、欠陥候補記憶部28に記憶する(比較処理工程S3)。比較対象のパターンは、取得画像のパターン、該シミュレーション画像の他のパターン、他のシミュレーション画像のパターン、又は、検査対象試料の参照画像のパターンなどがある。
図4は、パターン検査方法を示している。パターン検査方法は、次のようなステップを備えている。先ず、光学画像取得部210によりレチクル220から光学画像を取得し、取得画像記憶部22に記憶する(光学画像取得工程S1)。次に、転写・現像シミュレーション処理部256により、取得画像記憶部22から取得画像を読み出して、取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、処理された転写・現像シミュレーション画像のパターンをシミュレーション画像記憶部26に記憶する(転写・現像シミュレーション処理工程S2)。次に、比較処理部254によりシミュレーション画像記憶部26からシミュレーション画像を読み出し、比較対象のパターンと比較する。比較の結果、パターン差異が所定の閾値を超えている場合、欠陥と判断し、欠陥候補記憶部28に記憶する(比較処理工程S3)。比較対象のパターンは、取得画像のパターン、該シミュレーション画像の他のパターン、他のシミュレーション画像のパターン、又は、検査対象試料の参照画像のパターンなどがある。
図5は、転写・現像シミュレーション処理において、転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターン42と、比較対象のパターン44とを比較する手順を示している。図5は、先ず、レチクル220の画像から取得した取得画像32について光学転写シミュレーション処理を行う(転写シミュレーション処理S10)。詳しくは、光学転写シミュレーション処理を行い(光学転写シミュレーション処理S11)、転写画像34のパターンを形成する。次に、転写画像34をレジスト上への転写シミュレーション処理を行い(レジスト上への転写シミュレーション処理S12)、潜像画像(i=0)36を作成する。更に、潜像画像(i=0)36について複数段階の現像シミュレーション処理(T=t0〜tNの時間経過を経る)S20を行い(i=1〜n〜N)、途中で第nの現像途中画像(シミュレーション途中画像)(i=n)38を作成し、最終的に現像結果画像(i=N)40を作成する。途中画像(i=n)42のパターンと比較対象のパターン44を比較処理部254で比較して、欠陥の有無の検査などの処理を行う。なお、転写シミュレーション処理工程S10と現像シミュレーション処理工程S20は、転写・現像シミュレーション処理工程S2を構成する。
図6は、例えば、ダイ画像の左右に2本の電極パターン48a、48bを有する取得画像について転写・現像シミュレーション処理を行った経過過程を示す。図6(A)は、電極パターン48a、48bの現像初期画像50の模式図を示している。右側の電極パターン48bは欠陥部54を有している。図6(B)は、電極パターン48a、48bの現像途中画像38の模式図を示している。2本の電極パターン48a、48bが細くなり、右側の電極パターン48bの欠陥部54が強く現れている。図6(C)は、現像結果画像40の模式図を示している。2本の電極パターン48a、48bが更に細くなり、右側の電極パターン48bの欠陥部54が小さくなっている。このように、転写・現像シミュレーション処理工程S2の途中で欠陥部54が強く現れ、最終的なシミュレーション処理後では、弱まることがある。
(実施の形態1)
図7は、レチクル220からの取得画像32の2つのダイ(一方を被検査ダイ32aとし、他方を基準ダイ32bとする。)について、転写・現像シミュレーション処理工程S2において、転写・現像シミュレーション処理の途中のダイ32aとダイ32b間の被検査パターンと基準検査パターンを比較処理(DD比較処理)する手順を示している。図7は、先ず、被検査ダイ32aと基準ダイ32bについて同一の転写・現像シミュレーション処理を行い、基準ダイと被検査ダイの潜像画像36a、36bの被検査パターンと基準検査パターンを形成する。被検査ダイ32aと基準ダイ32bの潜像画像36a、36bの被検査パターンと基準検査パターンについて、転写・現像シミュレーション処理を行う。転写・現像シミュレーション処理工程S2の途中(i=n)で被検査ダイ32aと基準ダイ32bの途中画像38a、38bのパターンを比較処理部254で比較処理する。被検査ダイ32aと基準ダイ32bの途中画像38a、38bの差が所定の閾値より大きくなった場合(例えば、i=m、M1<m<M2の範囲で大きくなった場合)、局所最大差異の検出として、被検査ダイ32aと基準ダイ32bの欠陥候補に上がった箇所を欠陥候補記憶部28に記憶する。欠陥候補に対してのみ、最後まで転写・現像シミュレーション処理を行う。そして、被検査ダイ32aと基準ダイ32bの現像結果画像(i=N)のパターンを比較処理部254で比較処理する。比較処理部254では、これらの現像結果画像40a、40bのパターンを、転写・現像シミュレーション処理工程S2の途中で検出された欠陥候補の位置と対応させて、被検査ダイ32aと基準ダイ32bの画像の最終的な欠陥の判定を行う。この処理により、欠陥候補を絞り込むことができる。
図7は、レチクル220からの取得画像32の2つのダイ(一方を被検査ダイ32aとし、他方を基準ダイ32bとする。)について、転写・現像シミュレーション処理工程S2において、転写・現像シミュレーション処理の途中のダイ32aとダイ32b間の被検査パターンと基準検査パターンを比較処理(DD比較処理)する手順を示している。図7は、先ず、被検査ダイ32aと基準ダイ32bについて同一の転写・現像シミュレーション処理を行い、基準ダイと被検査ダイの潜像画像36a、36bの被検査パターンと基準検査パターンを形成する。被検査ダイ32aと基準ダイ32bの潜像画像36a、36bの被検査パターンと基準検査パターンについて、転写・現像シミュレーション処理を行う。転写・現像シミュレーション処理工程S2の途中(i=n)で被検査ダイ32aと基準ダイ32bの途中画像38a、38bのパターンを比較処理部254で比較処理する。被検査ダイ32aと基準ダイ32bの途中画像38a、38bの差が所定の閾値より大きくなった場合(例えば、i=m、M1<m<M2の範囲で大きくなった場合)、局所最大差異の検出として、被検査ダイ32aと基準ダイ32bの欠陥候補に上がった箇所を欠陥候補記憶部28に記憶する。欠陥候補に対してのみ、最後まで転写・現像シミュレーション処理を行う。そして、被検査ダイ32aと基準ダイ32bの現像結果画像(i=N)のパターンを比較処理部254で比較処理する。比較処理部254では、これらの現像結果画像40a、40bのパターンを、転写・現像シミュレーション処理工程S2の途中で検出された欠陥候補の位置と対応させて、被検査ダイ32aと基準ダイ32bの画像の最終的な欠陥の判定を行う。この処理により、欠陥候補を絞り込むことができる。
(実施の形態2)
図8は、レチクル220の被検査ダイの取得画像32aと、レチクル220の基準ダイの設計データ20から作成された参照画像56について、転写・現像シミュレーション処理を行い、転写・現像シミュレーション処理工程S2の途中画像38aの被検査パターンと途中画像38bの基準検査パターンを比較処理(DB比較処理)する手順を示している。基準検査パターンが参照画像であることを除いて、実施の形態1(図7)と同じ処理を行う。他の処理方法は、実施の形態1と同様の方法で行う。
図8は、レチクル220の被検査ダイの取得画像32aと、レチクル220の基準ダイの設計データ20から作成された参照画像56について、転写・現像シミュレーション処理を行い、転写・現像シミュレーション処理工程S2の途中画像38aの被検査パターンと途中画像38bの基準検査パターンを比較処理(DB比較処理)する手順を示している。基準検査パターンが参照画像であることを除いて、実施の形態1(図7)と同じ処理を行う。他の処理方法は、実施の形態1と同様の方法で行う。
本発明は、ここで述べた実施の形態に制限されないことは言うまでもない。
20・・設計データ
22・・取得画像記憶部
24・・参照画像記憶部
26・・シミュレーション画像記憶部
28・・欠陥候補記憶部
30・・ストライプ
32・・取得画像
34・・転写画像
36・・潜像画像
38・・現像途中画像
40・・現像結果画像
42・・現像途中画像のパターン
44・・比較対象のパターン
48・・電極パターン
50・・現像初期画像
54・・欠陥部
56・・参照画像
200・パターン検査装置
210・光学画像取得部
212・オートローダ
214・レーザ測長システム
216・光源
217・光照射部
218・XYθテーブル
220・レチクル
222・θモータ
224・Xモータ
226・Yモータ
228・拡大光学系
230・フォトダイオード
232・センサ回路
240・データ処理部
242・中央演算処理部
244・オートローダ制御部
246・バッファメモリ
248・テーブル制御部
250・バス
252・参照画像作成部
254・比較処理部
256・転写・現像シミュレーション処理部
258・位置測定部
260・磁気ディスク装置
262・CRT
264・プリンタ
266・主記憶装置
22・・取得画像記憶部
24・・参照画像記憶部
26・・シミュレーション画像記憶部
28・・欠陥候補記憶部
30・・ストライプ
32・・取得画像
34・・転写画像
36・・潜像画像
38・・現像途中画像
40・・現像結果画像
42・・現像途中画像のパターン
44・・比較対象のパターン
48・・電極パターン
50・・現像初期画像
54・・欠陥部
56・・参照画像
200・パターン検査装置
210・光学画像取得部
212・オートローダ
214・レーザ測長システム
216・光源
217・光照射部
218・XYθテーブル
220・レチクル
222・θモータ
224・Xモータ
226・Yモータ
228・拡大光学系
230・フォトダイオード
232・センサ回路
240・データ処理部
242・中央演算処理部
244・オートローダ制御部
246・バッファメモリ
248・テーブル制御部
250・バス
252・参照画像作成部
254・比較処理部
256・転写・現像シミュレーション処理部
258・位置測定部
260・磁気ディスク装置
262・CRT
264・プリンタ
266・主記憶装置
Claims (9)
- 検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを記憶する取得画像記憶部と、
取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行う転写・現像シミュレーション部と、
取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶部と、
該取得画像のシミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理部と、を備えている、パターン検査装置。 - 請求項1に記載のパターン検査装置において、
基準検査パターンは、取得画像のパターン、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のパターン、又は、該参照画像のシミュレーション途中画像のパターンである、パターン検査装置。 - 請求項1に記載のパターン検査装置において、
基準検査パターンは、該取得画像のシミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、又は、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンを欠陥候補として記憶する欠陥候補記憶部とを備えている、パターン検査装置。 - 検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理する転写・現像シミュレーション処理工程と、
取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶するシミュレーション画像記憶工程と、
該シミュレーション途中画像のパターンを被検査パターンとし、比較対象のパターンを基準検査パターンとし、被検査パターンと基準検査パターンを比較処理する比較処理工程と、を備えている、パターン検査方法。 - 請求項4に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、取得画像のパターン、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のパターン、又は、該参照画像のシミュレーション途中画像のパターンである、パターン検査方法。 - 請求項4に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンを欠陥候補として記憶する記憶工程を備えている、パターン検査方法。 - 請求項4に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンのみに対して、転写・現像シミュレーション処理を続行する続行工程を備えている、パターン検査方法。 - 請求項4に記載のパターン検査方法において、
基準検査パターンは、該シミュレーション途中画像の他のパターン、他の取得画像のシミュレーション途中画像のパターン、検査対象試料の参照画像のシミュレーション途中画像のパターンであり、
被検査パターンと基準検査パターンの差分が閾値以上である場合、閾値以上のパターンのみに対して、比較処理前の転写・現像シミュレーション処理より詳細なプロセス条件で転写・現像シミュレーション処理を続行する続行工程を備えている、パターン検査方法。 - 検査対象試料の画像から取得した取得画像のパターンを転写・現像シミュレーション処理を行い、取得画像のパターンの転写・現像シミュレーション処理の途中のシミュレーション途中画像のパターンを記憶し、該シミュレーション途中画像のパターンと比較対象のパターンとを比較処理して得られた、検査対象試料。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006010760A JP2007192652A (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料 |
US11/378,644 US20070165938A1 (en) | 2006-01-19 | 2006-03-20 | Pattern inspection apparatus and method and workpiece tested thereby |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006010760A JP2007192652A (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007192652A true JP2007192652A (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=38263225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006010760A Pending JP2007192652A (ja) | 2006-01-19 | 2006-01-19 | パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070165938A1 (ja) |
JP (1) | JP2007192652A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012122773A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
JP2012173072A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
JP2014089215A (ja) * | 2014-02-10 | 2014-05-15 | Nuflare Technology Inc | 検査装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060178767A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for inspection control |
JP4942800B2 (ja) * | 2009-08-18 | 2012-05-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置 |
JP6134565B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2017-05-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
US9588446B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-03-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Calibration apparatus and an adjustment method for a lithography apparatus |
KR102415583B1 (ko) * | 2017-06-30 | 2022-07-04 | 삼성전자주식회사 | Opc 모델의 최적화 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
JP6964031B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2021-11-10 | Tasmit株式会社 | パターンエッジ検出方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6807647B2 (en) * | 2000-09-28 | 2004-10-19 | Ando Electric Co., Ltd. | IC test system and storage medium for the same |
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2006
- 2006-01-19 JP JP2006010760A patent/JP2007192652A/ja active Pending
- 2006-03-20 US US11/378,644 patent/US20070165938A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012122773A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
US9057711B2 (en) | 2010-12-06 | 2015-06-16 | Nuflare Technology, Inc. | Inspection apparatus and method |
JP2012173072A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Nuflare Technology Inc | 検査装置および検査方法 |
JP2014089215A (ja) * | 2014-02-10 | 2014-05-15 | Nuflare Technology Inc | 検査装置 |
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