KR20210098524A - 광 검출 장치 - Google Patents
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Abstract
광 검출 장치(1)는 반도체 기판과, 복수의 패드 전극(42)과, 복수의 와이어를 구비한다. 복수의 패드 전극(42)은 반도체 기판(20)에 배치되어 있다. 복수의 와이어의 각각은, 대응하는 패드 전극(42)에 접속되어 있다. 각 패드 전극(42)에는 대응하는 와이어의 스티치 본드가 형성되어 있다. 각 패드 전극(42)와 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리 T1은, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42) 간의 거리 T2보다도 작다. 복수의 패드 전극(42)은 수광 영역(S)을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)은 제1 영역(R1)에 배치된다. 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은 제2 영역(R2)에 배치되어 있다.
Description
본 발명은 광 검출 장치에 관한 것이다.
수광 영역을 가지는 광 검출 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1). 특허 문헌 1에 기재된 광 검출 장치에서는, 수광 영역에 복수의 셀이 배열되어 있다. 복수의 셀에는, 각각 패드 전극이 접속되어 있다.
수광 영역의 주변에 패드 전극이 접속되어 있는 경우, 해당 패드 전극에 접속된 와이어에 있어서의 광의 반사에 기인하여, 미광(迷光)이 수광 영역에 입사될 우려가 있다. 이 경우, 미광에 의한 노이즈가 검출 결과에 영향을 미칠 우려가 있다. 특히, 패드 전극에 와이어의 볼 본드가 접속되는 경우, 볼 본드에 있어서의 광의 반사가 염려된다. 와이어에서 반사된 미광이 수광 영역에 입사되는 것을 염려하여, 전극 패드와 수광 영역 사이의 거리를 크게 할수록 광 검출 장치의 사이즈도 커진다.
본 발명의 하나의 양태는 대형화가 억제되어 있음과 아울러, 광 검출의 정밀도가 향상된 광 검출 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 양태에 따른 광 검출 장치는 반도체 기판과, 복수의 패드 전극과, 복수의 와이어를 구비한다. 반도체 기판은 복수의 셀이 제1 방향으로 배열된 수광 영역을 가진다. 복수의 패드 전극은 반도체 기판에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극의 각각은, 복수의 셀 중 대응하는 셀에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 와이어의 각각은, 복수의 패드 전극 중 대응하는 패드 전극에 접속되어 있다. 각 패드 전극에는, 복수의 와이어 중 대응하는 와이어의 스티치 본드가 형성되어 있다. 각 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 셀 사이의 거리는, 서로 다른 셀에 접속된 패드 전극 간의 거리보다도 작다. 복수의 패드 전극은 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 수광 영역을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역과 제2 영역에 배치되어 있다. 복수의 셀은 서로 이웃하는 제1 셀 및 제2 셀을 포함하는 복수의 셀군을 포함한다. 제1 셀에 대응하는 패드 전극은 제1 영역에 배치된다. 제2 셀에 대응하는 패드 전극은 제2 영역에 배치되어 있다.
상기 하나의 양태에서는, 각 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 셀 사이의 거리는, 서로 다른 셀에 접속된 패드 전극 간의 거리보다도 작다. 이 때문에, 광 검출 장치의 컴팩트화가 도모되어 있다. 상기 광 검출 장치에서는, 패드 전극에 스티치 본드가 형성되어 있다. 이 때문에, 볼 본드가 형성되는 경우보다도, 와이어에 있어서의 광의 반사가 억제된다. 따라서, 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 셀 사이의 거리가 축소되어도, 각 셀에 미광이 입사되기 어렵다.
볼 본드와 패드 전극의 접합 부위는, 스티치 본드와 패드 전극의 접합 부위보다도 작게 형성할 수 있다. 패드 전극의 사이즈가 클수록, 스티치 본드가 형성되는 패드 전극은, 볼 본드가 형성되는 패드 전극에 비해 사이즈를 축소하기 어렵다. 패드 전극의 사이즈가 클수록, 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧아져, 패드 전극 간의 크로스톡이 염려된다. 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧으면, 와이어와 패드 전극의 접속 부분에서 발생하는 열에 의한 영향도 받기 쉽다. 상기 광 검출 장치에서는, 제1 셀에 대응하는 패드 전극은 제1 영역에 배치되고, 제2 셀에 대응하는 패드 전극은 수광 영역을 사이에 두고고제1 영역과 이격된 제2 영역에 배치되어 있다. 이 때문에, 패드 전극 간의 크로스톡 및 열의 영향도 억제되어 있다.
상기 하나의 양태에서는, 복수의 패드 전극의 적어도 일부는, 수광 영역을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있어도 된다. 이 경우, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
상기 하나의 양태에서는, 제1 셀에 대응하는 패드 전극과, 제2 셀에 대응하는 패드 전극은, 제2 방향으로 늘어서 있어도 된다. 이 경우, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
상기 하나의 양태에서는, 반도체 기판을 사이에 두고 배치되어 있음과 아울러, 복수의 셀에 전기적으로 접속되어 있는 한 쌍의 회로 부재를 추가로 구비해도 된다. 각 와이어는 대응하는 패드 전극과 한 쌍의 회로 부재를 접속해도 된다. 한 쌍의 회로 부재에는 대응하는 와이어의 볼 본드가 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 각 패드 전극과 회로 부재가 하나의 와이어로 접속된다. 이 때문에, 광 검출 장치의 컴팩트화가 더 도모되어 있다.
상기 하나의 양태에서는, 반도체 기판은 주변에 위치하는 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수부를 가져도 된다. 주변 캐리어 흡수부는 반도체 기판에 있어서 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀의 적어도 일부를 둘러싸고 있어도 된다. 이 경우, 셀의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부에서 흡수된다. 따라서, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
상기 하나의 양태에서는, 주변 캐리어 흡수부는 반도체 기판에 있어서 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀에 대응하는 패드 전극의 적어도 일부를 둘러싸고 있어도 된다. 이 경우, 패드 전극의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부에서 흡수된다. 따라서, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
상기 하나의 양태에서는, 제1 영역에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극의 사이에는, 반도체 기판에 절연되어 있음과 아울러 접지된 전극이 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 패드 전극 간의 크로스톡이 더 저감된다.
상기 하나의 양태에서는, 각 패드 전극은 제1 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상이어도 된다. 이 경우, 각 패드 전극에 스티치 본드가 형성되는 경우여도, 각 패드 전극의 컴팩트화가 도모된다.
본 발명의 하나의 양태는 대형화가 억제되어 있음과 아울러, 광 검출의 정밀도가 향상된 광 검출 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 광 검출 장치의 평면도이다.
도 2는 수광 소자의 평면도이다.
도 3은 수광 소자의 단면도이다.
도 4는 수광 소자의 단면도이다.
도 5는 본 실시 형태의 변형예에 따른 수광 소자의 평면도이다.
도 6은 본 실시 형태의 변형예에 따른 수광 소자의 단면도이다.
도 2는 수광 소자의 평면도이다.
도 3은 수광 소자의 단면도이다.
도 4는 수광 소자의 단면도이다.
도 5는 본 실시 형태의 변형예에 따른 수광 소자의 평면도이다.
도 6은 본 실시 형태의 변형예에 따른 수광 소자의 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 덧붙여, 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지고 있는 요소에는, 동일 부호를 이용하는 것으로 하고, 중복하는 설명은 생략한다.
우선, 도 1을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 광 검출 장치를 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 광 검출 장치의 평면도이다. 광 검출 장치(1)는 수광 소자(10)와, 한 쌍의 IC 칩(50, 60)을 구비한다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)은 수광 소자(10)로부터의 신호를 처리하는 판독 회로 등의 회로 부재이다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)은 수광 소자(10)를 사이에 두고 배치되어 있다. 수광 소자(10)와 한 쌍의 IC 칩(50, 60)은, 와이어 본딩에 의해서 마련된 복수의 와이어(W)를 통해서 접속되어 있다.
도 1에 도시되어 있는 것처럼, 수광 소자(10)에는 스티치 본드가 접속되고, IC 칩(50, 60)에는 볼 본드가 접속되어 있다. 각 IC 칩(50, 60)과 수광 소자(10)는, 배선 기판을 개재하지 않고, 와이어(W)로 접속되어 있다. 광의 입사에 따라 수광 소자(10)로부터 출력된 신호는, 복수의 와이어(W)를 통하여, 각 IC 칩(50, 60)에 입력된다.
다음에, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 수광 소자(10)에 대해 상세하게 설명한다. 도 2는 수광 소자(10)를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 III-III선을 따른 단면도이다. 도 4는 도 3의 IV-IV선을 따른 단면도이다.
수광 소자(10)는 반도체 기판(20)을 구비한다. 반도체 기판(20)은 서로 대향하는 주면(20a, 20b)을 가진다. 반도체 기판(20)은 주면(20a) 측에 복수의 셀(22)이 배열된 수광 영역(S)을 가진다. 복수의 셀(22)은 수광 영역(S)에 있어서 일 방향으로 배열되어 있다. 각 셀(22)은 수광부로서 기능한다.
각 셀(22)에는 적어도 하나의 애벌란시 포토 다이오드가 포함되어 있다. 이하, 「애벌란시 포토 다이오드」를 「APD」라고 칭한다. 본 실시 형태에서는, 각 APD(23)는 리니어 모드로 동작한다. 각 셀(22)에 포함되는 APD는, 가이거 모드로 동작하는 것이어도 된다. APD(23)가 가이거 모드로 동작하는 구성에서는, APD(23)에 퀀칭 저항이 접속된다. 본 실시 형태에서는, 각 셀(22)은, 1개의 APD(23)를 포함하고 있다. 각 셀(22)은 복수의 APD(23)를 포함하고 있어도 된다. 각 APD(23)는 리치스루(reach through)형의 APD여도 되고, 리버스형의 APD여도 된다. 이하, 일례로서, 각 APD(23)가 리치스루형의 APD인 경우의 반도체 기판(20)의 구성에 대해 설명한다.
반도체 기판(20)은 반도체 영역(31)과, 복수의 반도체층(32)과, 복수의 반도체층(33)과, 반도체층(34, 35, 36)을 포함한다. APD(23)는 반도체 영역(31) 및 반도체층(32, 33, 36)을 포함한다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체 영역(31) 및 반도체층(34, 36)을 포함한다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체층(34)에 있어서 주변에 위치하는 캐리어를 흡수한다. 즉, 반도체층(34)은 주변의 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수층으로서 기능한다.
반도체 영역(31) 및 반도체층(33, 35, 36)은 제1 도전형이며, 반도체층(32, 34)은 제2 도전형이다. 반도체의 불순물은, 예를 들어 확산법 또는 이온 주입법에 의해서 첨가된다. 본 실시 형태에서는, 제1 도전형은 P형이고, 제2 도전형은 N형이다. 반도체 기판(20)이 Si를 베이스로 하는 경우, P형 불순물로서는 B 등의 III족원소가 이용되고, N형 불순물로서는 N, P 또는 As 등의 V족 원소가 이용된다.
반도체 영역(31)은 반도체 기판(20)의 주면(20a) 측에 위치하고 있다. 반도체 영역(31)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 반도체 영역(31)은 예를 들어 P-형이다. 본 실시 형태에서는, 반도체 영역(31)은 APD(23)에 있어서의 광 흡수 영역을 구성한다.
각 반도체층(32)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 각 반도체층(32)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 반도체 영역(31)에 접하며, 반도체 영역(31)에 둘러싸여 있다. 각 반도체층(32)은 대응하는 APD(23)를 구성한다. 따라서, 반도체층(32)은 APD(23)의 수만큼 마련되어 있다. 반도체층(32)은, 예를 들어 N+형이다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(32)은 APD(23)에 있어서 캐소드를 구성한다.
각 반도체층(33)은 대응하는 반도체층(32)과 반도체 영역(31)의 사이에 위치하고 있다. 반도체층(33)은 주면(20a) 측에서 반도체층(32)에 접하고, 주면(20b) 측에서 반도체 영역(31)에 접하고 있다. 각 반도체층(33)은 대응하는 APD(23)를 구성한다. 따라서, 반도체층(33)은 APD(23)의 수만큼 마련되어 있다. 반도체층(33)은 반도체 영역(31)보다도 불순물 농도가 높다. 반도체층(33)은 예를 들어 P형이다. 반도체층(33)은 APD(23)에 있어서 애벌란시 영역을 구성한다.
반도체층(34)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 반도체층(34)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 반도체 영역(31)에 접하며, 반도체 영역(31)에 둘러싸여 있다. 반도체층(34)은 반도체 영역(31)을 통해서, 각 반도체층(32)을 둘러싸고 있다. 상술한 것처럼, 반도체층(34)은 주변 캐리어 흡수부(24)를 구성한다. 반도체층(34)은 반도체 기판(20)에 있어서 반도체 영역(31)과만 접하고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 애벌란시 영역에 상당하는 층을 포함하고 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(34)은 반도체층(32)과 동일한 불순물 농도이다. 반도체층(34)은, 예를 들어 N+형이다.
반도체층(35)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 반도체층(35)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 반도체 영역(31)에 접하고 있다. 반도체층(35)은 반도체 기판(20)의 가장자리(20c)를 따라서 마련되어 있다. 반도체층(35)은 반도체 영역(31)을 통해서 반도체층(32, 33)을 둘러싸고 있다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(35)은 반도체 영역(31) 및 반도체층(33)보다도 불순물 농도가 높다. 반도체층(35)은 예를 들어 P+형이다. 반도체층(35)은 도시되어 있지 않은 부분에서 반도체층(36)에 접속되어 있다. 반도체층(35)은 광 검출 장치(1)의 애노드를 구성한다. 반도체층(35)은, 예를 들어, APD(23) 및 주변 캐리어 흡수부(24)의 애노드를 구성한다.
반도체층(36)은 반도체 영역(31)보다도 반도체 기판(20)의 주면(20b) 측에 위치하고 있다. 반도체층(36)은 주면(20b)의 전면(全面)을 구성하고 있다. 반도체층(36)은 주면(20a) 측에서 반도체 영역(31)에 접하고 있다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(36)은 반도체 영역(31) 및 반도체층(33)보다도 불순물 농도가 높다. 반도체층(36)은 예를 들어 P+형이다. 반도체층(36)은 광 검출 장치(1)의 애노드를 구성한다. 반도체층(36)은, 예를 들어, APD(23) 및 주변 캐리어 흡수부(24)의 애노드를 구성한다.
광 검출 장치(1)는 복수의 전극부(41)와, 복수의 패드 전극(42)과, 복수의 패드 전극(43)과, 전극부(44)와, 전극부(45)와, 절연막(L)을 구비한다. 복수의 전극부(41), 전극부(44), 전극부(45), 및 절연막(L)은, 주면(20a)에 배치되고, 주면(20a)에 접하고 있다. 복수의 패드 전극(42) 및 복수의 패드 전극(43)은, 절연막(L)에 접하고 있고, 절연막(L)을 통해서 주면(20a) 상에 배치되어 있다. 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 복수의 패드 전극(43), 전극부(44), 및 전극부(45)는, 모두 알루미늄 등의 금속으로 이루어진다.
각 전극부(41)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 대응하는 셀(22)을 둘러싸고 있다. 각 전극부(41)는 대응하는 셀(22)에 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 각 전극부(41)는 환상이지만 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 실시형 형태에서는, 각 전극부(41)는 연속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸고 있지만, 단속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸고 있어도 된다. 각 전극부(41)가 연속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸는 경우에는, 각 셀(22)은 1개의 부분으로 이루어지는 전극부(41)에 둘러싸인다. 각 전극부(41)가 단속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸는 경우에는, 각 셀(22)은 복수의 부분으로 이루어지는 전극부(41)에 둘러싸인다.
셀(22)의 적어도 일부는, 전극부(41)로부터 노출되어 있다. 각 전극부(41)는 대응하는 셀(22)에 포함되는 APD(23)에 전위를 인가한다. 각 전극부(41)는 대응하는 셀(22)을 구성하는 반도체층(32)에 접하고 있다. 본 실시 형태에서는, 각 전극부(41)는 셀(22)의 캐소드를 구성한다.
복수의 패드 전극(42)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향에서 수광 영역(S)을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)은, 수광 영역(S)을 따라서, 복수의 셀(22)의 배열 방향으로 배치되어 있다. 각 패드 전극(42)은 대응하는 전극부(41)에 접속되어 있다. 각 패드 전극(42)은 전극부(41)를 통해서, 대응하는 셀(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 예를 들어, 복수의 셀(22)의 배열 방향이, 제1 방향을 구성하는 경우, 해당 배열 방향과 교차하는 방향은, 제2 방향을 구성한다.
복수의 셀(22)은 서로 이웃하는 셀(22a)과 셀(22b)을 포함하는 복수의 셀군을 포함한다. 각 셀군은 2개 이상의 셀(22)로 구성된다. 본 실시 형태에서는, 서로 이웃하는 셀군 간의 간격은, 동일 셀군 내의 서로 이웃하는 셀(22)의 간격과 동일하다. 복수의 패드 전극(42)은 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)을 포함한다. 본 실시 형태에서는, 셀(22a)과 셀(22b)은, 셀(22)의 배열 방향에 있어서, 교호(交互)로 배치되어 있다. 예를 들어, 셀(22a)이 제1 셀을 구성하는 경우, 셀(22b)은 제2 셀을 구성한다.
셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b) 중, 한쪽이 제1 영역(R1)에 배치되고, 다른 쪽이 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 복수의 패드 전극(42a)은 제1 영역(R1)에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(42b)은 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 환언하면, 복수의 패드 전극(42)은 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다.
본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 각 셀(22)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직선 상에 위치한다. 패드 전극(42a)은 대응하는 셀(22a)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직선 상에 위치한다. 패드 전극(42b)은 대응하는 셀(22b)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직선 상에 위치한다. 본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 복수의 셀(22)의 배열 방향과 직교하는 주면(20a)과 평행한 방향에서 보았을 때, 대응하는 셀(22)이 위치하는 범위 내에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 각 셀(22)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 수직인 수직선 상에 위치한다. 각 패드 전극(42)은 해당 수직선 상에 위치하지 않고, 수직선으로부터 배열 방향으로 어긋나 있어도 된다.
도 4에 도시되어 있는 것처럼, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 패드 전극(42)과 겹치는 영역에는, 반도체 영역(31)이 마련되고, 반도체층(32)은 마련되어 있지 않다. 복수의 패드 전극(42)은 절연막(L)을 통해서 반도체 영역(31) 상에 배치되어 있다.
각 패드 전극(42)과 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리 T1은, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42)의 사이의 거리 T2보다도 작다. 거리 T1은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 패드 전극(42)의 가장자리로부터, 대응하는 셀(22)의 가장자리까지의 최단 거리이다. 거리 T2는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42)의 가장자리의 사이의 최단 거리이다. 거리 T1은, 예를 들어, 50μm~150μm이다. 거리 T2는, 예를 들어, 200μm~800μm이다. 셀(22)의 가장자리란, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 경우에 있어서의 반도체 영역(31)과 반도체층(32)의 경계를 말한다.
본 실시 형태에서는, 패드 전극(42a)의 가장자리와 해당 패드 전극(42a)에 대응하는 셀(22a)의 가장자리 사이의 최단 거리는, 해당 패드 전극(42a)의 가장자리와, 해당 셀(22a)과 서로 이웃하는 셀(22b)의 가장자리 사이의 최단 거리보다도 작다. 본 실시 형태에서는, 패드 전극(42b)의 가장자리와 해당 패드 전극(42b)에 대응하는 셀(22b)의 가장자리 사이의 최단 거리는, 해당 패드 전극(42b)의 가장자리와, 해당 셀(22b)과 서로 이웃하는 셀(22a)의 가장자리 사이의 최단 거리보다도 작다.
각 패드 전극(42)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상이다. 각 패드 전극(42)은 직사각형이 아니어도 되고, 예를 들어, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때 타원형 또는 원형이라도 된다. 각 패드 전극(42)의 지름은, 예를 들어, 100μm~300μm이다. 본 발명에 있어서, 패드 전극(42)의 지름이란, 평면에서 보았을 때 패드 전극(42)의 중심 위치를 통과하는 직선 상에 있어서의 패드 전극(42)의 가장자리부터 가장자리까지의 최대 거리이다. 따라서, 패드 전극(42)이 직사각형인 경우에는, 긴 변의 길이가 패드 전극(42)의 지름이다.
각 패드 전극(42)에 전위를 인가함으로써, 해당 패드 전극(42)에 접속된 전극부(41)를 통해서, 대응하는 셀(22)에 전위가 인가된다. 본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 캐소드용 패드 전극이다. 각 패드 전극(42)에는, 볼 본딩에 의해서, 대응하는 와이어(W)가 접속된다. 패드 전극(42)에는, 2st본드가 형성된다. 따라서, 패드 전극(42)에는 대응하는 와이어(W)의 스티치 본드가 형성된다. 스티치 본드는 패드 전극(42)의 긴 변을 따라 연장되어 있다.
각 패드 전극(42)에 접속된 각 와이어(W)는 한 쌍의 IC 칩(50, 60)에 접속되어 있다. 제1 영역(R1)에 배치된 패드 전극(42)은 대응하는 와이어(W)를 통하여, IC 칩(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 영역(R2)에 배치된 패드 전극(42)은, 대응하는 와이어(W)를 통하여, IC 칩(60)에 전기적으로 접속되어 있다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)의 패드 전극에는, 1st본드가 형성된다. 따라서, 한 쌍의 IC 칩(50, 60)에는 대응하는 와이어(W)의 볼 본드가 형성되어 있다.
각 셀(22)에 광이 입사되면, APD(23)에 있어서 광자가 전자로 변환되어 증배된다. APD(23)에서 증배된 전자는, 신호로서 출력된다. 각 셀(22)로부터 출력된 신호는 대응하는 전극부(41), 대응하는 패드 전극(42), 및 대응하는 와이어(W)를 통하여, IC 칩(50, 60)에 입력된다.
복수의 패드 전극(43)은 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(43)은 복수의 셀(22)의 배열 방향을 따라서 배치되어 있고, 해당 배열 방향에 있어서 복수의 패드 전극(42)의 사이에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(43)은 패드 전극(43a)과 패드 전극(43b)을 포함한다. 패드 전극(43a)은 제2 영역(R2)에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극(42b)의 사이에 배치되어 있다. 패드 전극(43b)은 제1 영역(R1)에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극(42a)의 사이에 배치되어 있다.
각 패드 전극(43)은 절연막(L)에 배치되어 있고, 반도체 기판(20), 복수의 전극부(41), 패드 전극(42), 전극부(44), 및 전극부(45)와 이격되어 있다. 따라서, 각 패드 전극(43)은 반도체 기판(20)에 대해서 절연되어 있다. 각 패드 전극(43)은 접지되어 있다.
본 실시 형태에서는, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 패드 전극(43)은 셀(22)의 중앙과 해당 셀(22)에 대응하는 패드 전극(42)의 중앙을 통과하는 직선 상에 위치한다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는, 1개의 셀(22)과 1개의 패드 전극(42)과 1개의 패드 전극(43)이, 1세트로서 모아서 배치되어 있다. 패드 전극(43a)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 셀(22a)의 중앙과 해당 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)의 중앙을 통과하는 직선 상에 위치한다. 패드 전극(43b)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 셀(22b)의 중앙과 해당 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)의 중앙을 통과하는 직선 상에 위치한다.
전극부(44)는 주면(20a)에 있어서 반도체층(34)에 접하고 있고, 반도체층(34)을 덮고 있다. 전극부(44)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 전극부(44)는 반도체층(34)에 전위를 인가한다. 전극부(44)는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 전극부(45)로부터 이격되어 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(44)는 주변 캐리어 흡수부(24)의 캐소드를 구성한다.
전극부(45)는 주면(20a)에 있어서 반도체층(35)에 접하고 있고, 반도체층(35)을 덮고 있다. 전극부(45)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 전극부(45)는 반도체층(35)에 전위를 인가한다. 전극부(45)는 전극부(41), 패드 전극(42), 패드 전극(43), 및 전극부(44)로부터 이격되어 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(45)는 광 검출 장치(1)의 애노드를 구성한다.
광 검출 장치(1)에서는, 상술한 것처럼, 주변 캐리어 흡수부(24)를 구성하는 반도체층(34)은 전극부(44)에 덮여 있다. 반도체층(34)의 가장자리는, 전극부(44)의 가장자리를 따라서 배치되어 있다. 따라서, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 전극부(44)가 배치되어 있는 영역에, 반도체층(34)을 포함하는 주변 캐리어 흡수부(24)가 배치되어 있다.
주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 셀(22)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 패드 전극(42)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)의 주위에 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 완전하게 둘러싸고 있다. 환언하면, 주변 캐리어 흡수부(24)는 단속적이 아니라, 연속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)가 연속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸는 경우에는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 1개의 부분으로 이루어져도 된다.
다음에, 도 5를 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 따른 광 검출 장치에 대해서 설명한다. 도 5는 수광 소자(10A)를 나타내는 평면도이다. 본 변형예는, 대체로, 상술한 실시 형태와 유사 또는 같다. 본 변형예는 복수의 셀(22), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)의 배열에 관해서, 상술한 실시 형태와 상위하다. 이하, 상술한 실시 형태와 변형예의 상위점을 주로 설명한다.
도 5에 도시되어 있는 것처럼, 본 변형예에서는, 복수의 셀(22)이 배열 방향으로 늘어서는 4개의 셀(22)마다 간격을 두고 배치되어 있다. 환언하면, 본 변형예에서는, 각 셀군이 4개의 셀(22)로 구성되어 있다. 서로 이웃하는 셀군 간의 간격은, 동일 셀군 내의 서로 이웃하는 셀(22)의 간격보다도 크다. 이하, 이 구성에 대해 상세하게 설명한다.
복수의 셀(22), 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)은, 배열 방향으로 늘어서는 4개의 셀(22)과, 그러한 셀(22)에 대응하는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 패드 전극(43)을 1개의 그룹으로서 배치되어 있다. 1개의 그룹이, 2개 또는 3개의 셀(22)과, 그러한 셀(22)에 대응하는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 패드 전극(43)으로 구성되어도 된다. 1개의 그룹이, 5개 이상의 셀(22)과, 그러한 셀(22)에 대응하는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 패드 전극(43)으로 구성되어도 된다. 동일 그룹 내에 있어서, 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)은, 배열 방향에 있어서의 셀(22)의 간격에 맞춰서, 상술한 실시 형태와 같은 관계로 배치되어 있다.
동일 그룹에 포함되고 또한 서로 이웃하는 셀(22)의 간격 T3보다도, 서로 다른 그룹에 포함되고 또한 서로 이웃하는 셀(22)의 간격 T4의 쪽이 넓다. 본 실시 형태에서는, 간격 T3은 배열 방향에 있어서의 셀(22)의 폭보다도 작다. 간격 T4는 배열 방향에 있어서의 셀(22)의 폭보다도 크다. 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)은, 각 그룹 내의 셀(22)에 배치에 맞춰서, 상술한 실시 형태와 같게 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(42)의 적어도 일부는, 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다. 본 변형예에서는, 적어도, 동일 그룹 내의 4개의 패드 전극(42)이 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다.
상이한 그룹에 배치되고 또한 서로의 간격이 가장 짧은 패드 전극(42)은, 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 중 동일한 영역에 배치되어 있다. 상이한 그룹에 배치되고 또한 서로의 간격이 가장 짧은 패드 전극(43)은, 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 중 동일한 영역에 배치되어 있다.
다음에, 도 6을 참조하여, 본 실시 형태의 다른 변형예에 따른 광 검출 장치에 대해서 설명한다. 도 6은 수광 소자(10B)를 나타내는 평면도이다. 본 변형예는, 대체로, 상술한 실시 형태와 유사 또는 같다. 본 변형예는, 복수의 패드 전극(42)의 배치 및 형상, 및 복수의 패드 전극(43)의 유무에 관해서, 상술한 실시 형태와 상위하다. 이하, 상술한 실시 형태와 변형예의 상위점을 주로 설명한다.
도 6에 도시되어 있는 것처럼, 본 변형예에서는, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)과, 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 늘어서 있다. 본 변형예에서는, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 수직인 수직선 상에 위치한다. 이 수직선은 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)의 중앙과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)의 중앙을 통과한다. 환언하면, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은, 서로 이웃하는 셀(22a, 22b)로부터 등거리의 위치에 배치되어 있다. 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)는, 상술한 수직선 상에 위치하지 않고, 수직선으로부터 배열 방향으로 어긋나 있어도 된다. 본 변형예에서는, 각 패드 전극(42)은 타원 형상이다.
본 변형예에 있어서도, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)은 제1 영역(R1)에 배치된다. 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은 제2 영역(R2)에 배치된다.
다음에, 상술한 실시 형태 및 변형예에 있어서의 광 검출 장치의 작용 효과에 대해 설명한다.
각 패드 전극(42)과 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리는, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42) 간의 거리보다도 작다. 이 때문에, 광 검출 장치(1)의 컴팩트화가 도모되어 있다. 상기 광 검출 장치(1)에서는, 패드 전극(42)에 스티치 본드가 형성되어 있다. 이 때문에, 볼 본드가 형성되는 경우보다도, 와이어(W)에 있어서의 광의 반사가 억제된다. 따라서, 패드 전극(42)과 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리가 축소되어도, 각 셀(22)에 미광이 입사되기 어렵다.
볼 본드와 패드 전극의 접합 부위는, 스티치 본드와 패드 전극의 접합 부위보다도 작게 형성할 수 있다. 스티치 본드가 형성되는 패드 전극(42)은, 볼 본드가 형성되는 패드 전극에 비해 사이즈를 축소하기 어렵다. 패드 전극의 사이즈가 클수록, 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧아져, 패드 전극 간의 크로스톡이 염려된다. 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧으면, 와이어와 패드 전극의 접속 부분에서 발생하는 열에 의한 영향도 받기 쉽다. 상기 광 검출 장치(1)에서는, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)은 제1 영역(R1)에 배치되고, 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은 수광 영역(S)을 사이에 두고 제1 영역(R1)과 이격된 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 이 때문에, 패드 전극(42) 간의 크로스톡 및 열의 영향도 억제되어 있다.
각 셀이 APD로 구성되어 있는 경우에는, 특히, 미광의 입사, 패드 전극 간의 크로스톡, 및 패드 전극에 있어서의 열의 발생이, 광 검출 결과에 영향을 미치기 쉽다. 광 검출 장치(1)의 각 셀(22)은, APD(23)가 포함되어 있다. 그러나, 광 검출 장치(1)는 상기 구성을 가지고 있기 때문에, 각 셀(22)에 미광이 입사되기 어렵고, 패드 전극(42) 간의 크로스톡 및 열의 영향도 억제되어 있다.
복수의 패드 전극(42)의 적어도 일부는, 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다. 이 때문에, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극(42) 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)과, 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 늘어서 있다. 이 때문에, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극(42) 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
반도체 기판(20)을 사이에 두고 배치되어 있음과 아울러, 복수의 셀(22)에 전기적으로 접속되어 있는 한 쌍의 IC 칩(50, 60)을 구비하고 있다. 각 와이어(W)는 대응하는 패드 전극(42)과 한 쌍의 IC 칩(50, 60)을 접속하고 있다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)에는 대응하는 와이어(W)의 볼 본드가 형성되어 있다. 이 때문에, 각 패드 전극(42)와 IC 칩(50, 60)이 하나의 와이어(W)로 접속된다. 따라서, 광 검출 장치(1)의 컴팩트화가 더 도모되어 있다.
반도체 기판(20)은 주변에 위치하는 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수부(24)를 가지고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체 기판(20)에 있어서 복수의 패드 전극(42)이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 이 때문에, 셀(22)의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부(24)에서 흡수된다. 따라서, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체 기판(20)에 있어서 복수의 패드 전극(42)이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22)에 대응하는 패드 전극(42)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 이 때문에, 패드 전극(42)의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부(24)에서 흡수된다. 이와 같이, 주변 캐리어 흡수부(24)가 마련됨으로써, 셀(22) 이외에서 발생한 캐리어가 흡수되어, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
제1 영역(R1)에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극(42)의 사이에는, 반도체 기판(20)에 절연되어 있음과 아울러 접지된 패드 전극(43)이 배치되어 있다. 이 때문에, 상기 패드 전극(42) 간의 크로스톡이 더 저감된다.
각 패드 전극(42)은 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상이다. 이 때문에, 각 패드 전극(42)에 스티치 본드가 형성되는 경우여도, 각 패드 전극(42)의 컴팩트화가 도모된다.
이상, 본 발명의 실시 형태 및 변형예에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태 및 변형예로 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
예를 들면, 각 패드 전극(42)이 배치되는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)은, 상술한 실시 형태 및 변형예에서 교체되어 있어도 된다. 환언하면, 상술한 실시 형태 및 변형예에 있어서, 제1 영역(R1)에 배치되어 있던 패드 전극(42)이 제2 영역(R2)에 배치되고, 제2 영역(R2)에 배치되어 있던 패드 전극(42)이 제1 영역(R1)에 배치되어도 된다.
도 2 및 도 5에 나타낸 구성에서는, 복수의 패드 전극(43)은 복수의 셀(22)의 배열 방향에 있어서 모든 패드 전극(42)의 사이에 배치되어 있다. 그러나, 복수의 패드 전극(43)은 일부의 패드 전극(42)의 사이에 배치되고, 서로 이웃하는 패드 전극(42)의 사이에 있어서 패드 전극(43)이 마련되어 있지 않은 부분이 있어도 된다.
본 실시 형태에서는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 연속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 그러나, 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42) 및 각 패드 전극(43)을 단속적으로 둘러싸고 있어도 된다. 이 경우, 주변 캐리어 흡수부(24)는 각 패드 전극(42)의 주위에 마련되어 있지 않아도 된다. 주변 캐리어 흡수부(24)가 단속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42) 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸는 경우에는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 복수의 부분으로 이루어진다.
수광 소자(10)가 와이어(W)에 의해서 접속되는 대상은, IC 칩으로 한정되지 않고, 배선 기판 등의 회로 부재여도 된다. 광 검출 장치(1)에서는, 각 패드 전극(42)과 IC 칩(50, 60)이 하나의 와이어(W)로 접속되어 있다. 이 때문에, IC 칩(50, 60)에서 판독되는 신호에 노이즈가 발생하기 어렵다.
1 … 광 검출 장치
20 … 반도체 기판
22, 22a, 22b … 셀 24 … 주변 캐리어 흡수부
42, 42a, 42b … 패드 전극 43, 43a, 43b … 패드 전극
50, 60 … IC 칩 R1 … 제1 영역
R2 … 제2 영역 S … 수광 영역
T1, T2 … 거리 W … 와이어
22, 22a, 22b … 셀 24 … 주변 캐리어 흡수부
42, 42a, 42b … 패드 전극 43, 43a, 43b … 패드 전극
50, 60 … IC 칩 R1 … 제1 영역
R2 … 제2 영역 S … 수광 영역
T1, T2 … 거리 W … 와이어
Claims (8)
- 복수의 셀이 제1 방향으로 배열된 수광 영역을 가지는 반도체 기판과,
상기 반도체 기판에 배치되어 있음과 아울러, 각각이, 상기 복수의 셀 중 대응하는 상기 셀에 전기적으로 접속되어 있는 복수의 패드 전극과,
각각이, 상기 복수의 패드 전극 중 대응하는 상기 패드 전극에 접속되어 있는 복수의 와이어를 구비하고,
각 상기 패드 전극에는, 상기 복수의 와이어 중 대응하는 상기 와이어의 스티치 본드가 형성되어 있고,
각 상기 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 상기 셀 사이의 거리는, 서로 다른 상기 셀에 접속된 상기 패드 전극 간의 거리보다도 작고,
상기 복수의 패드 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 수광 영역을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역과 제2 영역에 배치되어 있고,
상기 복수의 셀은, 서로 이웃하는 제1 셀 및 제2 셀을 포함하는 복수의 셀군을 포함하고,
상기 제1 셀에 대응하는 상기 패드 전극은, 상기 제1 영역에 배치되고,
상기 제2 셀에 대응하는 상기 패드 전극은, 상기 제2 영역에 배치되어 있는, 광 검출 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 패드 전극의 적어도 일부는, 상기 수광 영역을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있는, 광 검출 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 셀에 대응하는 상기 패드 전극과, 상기 제2 셀에 대응하는 상기 패드 전극은, 상기 제2 방향으로 늘어서 있는, 광 검출 장치. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 기판을 사이에 두고 배치되어 있음과 아울러, 상기 복수의 셀에 전기적으로 접속되어 있는 한 쌍의 회로 부재를 더 구비하고,
각 상기 와이어는 대응하는 상기 패드 전극과 상기 회로 부재를 접속하고,
상기 한 쌍의 회로 부재에는, 대응하는 상기 와이어의 볼 본드가 형성되어 있는, 광 검출 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 기판은 주변에 위치하는 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수부를 가지고,
상기 주변 캐리어 흡수부는 상기 반도체 기판에 있어서 상기 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 상기 셀의 적어도 일부를 둘러싸고 있는, 광 검출 장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 주변 캐리어 흡수부는 상기 반도체 기판에 있어서 상기 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 상기 셀에 대응하는 상기 패드 전극의 적어도 일부를 둘러싸고 있는, 광 검출 장치. - 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 영역에 있어서 서로 이웃하는 상기 패드 전극의 사이에는, 상기 반도체 기판에 절연되어 있음과 아울러 접지된 전극이 배치되어 있는, 광 검출 장치. - 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
각 상기 패드 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상인, 광 검출 장치.
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