KR20210098524A - 광 검출 장치 - Google Patents

광 검출 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210098524A
KR20210098524A KR1020217021021A KR20217021021A KR20210098524A KR 20210098524 A KR20210098524 A KR 20210098524A KR 1020217021021 A KR1020217021021 A KR 1020217021021A KR 20217021021 A KR20217021021 A KR 20217021021A KR 20210098524 A KR20210098524 A KR 20210098524A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pad
cell
pad electrode
electrode
region
Prior art date
Application number
KR1020217021021A
Other languages
English (en)
Inventor
히로노리 소노베
후미타카 니시오
마사노리 무라마츠
유지 오카자키
Original Assignee
하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 filed Critical 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
Priority claimed from PCT/JP2019/046881 external-priority patent/WO2020121852A1/ja
Publication of KR20210098524A publication Critical patent/KR20210098524A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0214—Constructional arrangements for removing stray light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4228—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J2001/444—Compensating; Calibrating, e.g. dark current, temperature drift, noise reduction or baseline correction; Adjusting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G01J2001/4446—Type of detector
    • G01J2001/446—Photodiode
    • G01J2001/4466—Avalanche

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

광 검출 장치(1)는 반도체 기판과, 복수의 패드 전극(42)과, 복수의 와이어를 구비한다. 복수의 패드 전극(42)은 반도체 기판(20)에 배치되어 있다. 복수의 와이어의 각각은, 대응하는 패드 전극(42)에 접속되어 있다. 각 패드 전극(42)에는 대응하는 와이어의 스티치 본드가 형성되어 있다. 각 패드 전극(42)와 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리 T1은, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42) 간의 거리 T2보다도 작다. 복수의 패드 전극(42)은 수광 영역(S)을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)은 제1 영역(R1)에 배치된다. 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은 제2 영역(R2)에 배치되어 있다.

Description

광 검출 장치
본 발명은 광 검출 장치에 관한 것이다.
수광 영역을 가지는 광 검출 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1). 특허 문헌 1에 기재된 광 검출 장치에서는, 수광 영역에 복수의 셀이 배열되어 있다. 복수의 셀에는, 각각 패드 전극이 접속되어 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허공개공보 2009－38157호
수광 영역의 주변에 패드 전극이 접속되어 있는 경우, 해당 패드 전극에 접속된 와이어에 있어서의 광의 반사에 기인하여, 미광(迷光)이 수광 영역에 입사될 우려가 있다. 이 경우, 미광에 의한 노이즈가 검출 결과에 영향을 미칠 우려가 있다. 특히, 패드 전극에 와이어의 볼 본드가 접속되는 경우, 볼 본드에 있어서의 광의 반사가 염려된다. 와이어에서 반사된 미광이 수광 영역에 입사되는 것을 염려하여, 전극 패드와 수광 영역 사이의 거리를 크게 할수록 광 검출 장치의 사이즈도 커진다.
본 발명의 하나의 양태는 대형화가 억제되어 있음과 아울러, 광 검출의 정밀도가 향상된 광 검출 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 하나의 양태에 따른 광 검출 장치는 반도체 기판과, 복수의 패드 전극과, 복수의 와이어를 구비한다. 반도체 기판은 복수의 셀이 제1 방향으로 배열된 수광 영역을 가진다. 복수의 패드 전극은 반도체 기판에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극의 각각은, 복수의 셀 중 대응하는 셀에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 와이어의 각각은, 복수의 패드 전극 중 대응하는 패드 전극에 접속되어 있다. 각 패드 전극에는, 복수의 와이어 중 대응하는 와이어의 스티치 본드가 형성되어 있다. 각 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 셀 사이의 거리는, 서로 다른 셀에 접속된 패드 전극 간의 거리보다도 작다. 복수의 패드 전극은 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 수광 영역을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역과 제2 영역에 배치되어 있다. 복수의 셀은 서로 이웃하는 제1 셀 및 제2 셀을 포함하는 복수의 셀군을 포함한다. 제1 셀에 대응하는 패드 전극은 제1 영역에 배치된다. 제2 셀에 대응하는 패드 전극은 제2 영역에 배치되어 있다.
상기 하나의 양태에서는, 각 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 셀 사이의 거리는, 서로 다른 셀에 접속된 패드 전극 간의 거리보다도 작다. 이 때문에, 광 검출 장치의 컴팩트화가 도모되어 있다. 상기 광 검출 장치에서는, 패드 전극에 스티치 본드가 형성되어 있다. 이 때문에, 볼 본드가 형성되는 경우보다도, 와이어에 있어서의 광의 반사가 억제된다. 따라서, 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 셀 사이의 거리가 축소되어도, 각 셀에 미광이 입사되기 어렵다.
볼 본드와 패드 전극의 접합 부위는, 스티치 본드와 패드 전극의 접합 부위보다도 작게 형성할 수 있다. 패드 전극의 사이즈가 클수록, 스티치 본드가 형성되는 패드 전극은, 볼 본드가 형성되는 패드 전극에 비해 사이즈를 축소하기 어렵다. 패드 전극의 사이즈가 클수록, 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧아져, 패드 전극 간의 크로스톡이 염려된다. 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧으면, 와이어와 패드 전극의 접속 부분에서 발생하는 열에 의한 영향도 받기 쉽다. 상기 광 검출 장치에서는, 제1 셀에 대응하는 패드 전극은 제1 영역에 배치되고, 제2 셀에 대응하는 패드 전극은 수광 영역을 사이에 두고고제1 영역과 이격된 제2 영역에 배치되어 있다. 이 때문에, 패드 전극 간의 크로스톡 및 열의 영향도 억제되어 있다.
상기 하나의 양태에서는, 복수의 패드 전극의 적어도 일부는, 수광 영역을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있어도 된다. 이 경우, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
상기 하나의 양태에서는, 제1 셀에 대응하는 패드 전극과, 제2 셀에 대응하는 패드 전극은, 제2 방향으로 늘어서 있어도 된다. 이 경우, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
상기 하나의 양태에서는, 반도체 기판을 사이에 두고 배치되어 있음과 아울러, 복수의 셀에 전기적으로 접속되어 있는 한 쌍의 회로 부재를 추가로 구비해도 된다. 각 와이어는 대응하는 패드 전극과 한 쌍의 회로 부재를 접속해도 된다. 한 쌍의 회로 부재에는 대응하는 와이어의 볼 본드가 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 각 패드 전극과 회로 부재가 하나의 와이어로 접속된다. 이 때문에, 광 검출 장치의 컴팩트화가 더 도모되어 있다.
상기 하나의 양태에서는, 반도체 기판은 주변에 위치하는 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수부를 가져도 된다. 주변 캐리어 흡수부는 반도체 기판에 있어서 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀의 적어도 일부를 둘러싸고 있어도 된다. 이 경우, 셀의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부에서 흡수된다. 따라서, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
상기 하나의 양태에서는, 주변 캐리어 흡수부는 반도체 기판에 있어서 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀에 대응하는 패드 전극의 적어도 일부를 둘러싸고 있어도 된다. 이 경우, 패드 전극의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부에서 흡수된다. 따라서, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
상기 하나의 양태에서는, 제1 영역에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극의 사이에는, 반도체 기판에 절연되어 있음과 아울러 접지된 전극이 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 패드 전극 간의 크로스톡이 더 저감된다.
상기 하나의 양태에서는, 각 패드 전극은 제1 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상이어도 된다. 이 경우, 각 패드 전극에 스티치 본드가 형성되는 경우여도, 각 패드 전극의 컴팩트화가 도모된다.
본 발명의 하나의 양태는 대형화가 억제되어 있음과 아울러, 광 검출의 정밀도가 향상된 광 검출 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 광 검출 장치의 평면도이다.
도 2는 수광 소자의 평면도이다.
도 3은 수광 소자의 단면도이다.
도 4는 수광 소자의 단면도이다.
도 5는 본 실시 형태의 변형예에 따른 수광 소자의 평면도이다.
도 6은 본 실시 형태의 변형예에 따른 수광 소자의 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 덧붙여, 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 가지고 있는 요소에는, 동일 부호를 이용하는 것으로 하고, 중복하는 설명은 생략한다.
우선, 도 1을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 광 검출 장치를 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 광 검출 장치의 평면도이다. 광 검출 장치(1)는 수광 소자(10)와, 한 쌍의 IC 칩(50, 60)을 구비한다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)은 수광 소자(10)로부터의 신호를 처리하는 판독 회로 등의 회로 부재이다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)은 수광 소자(10)를 사이에 두고 배치되어 있다. 수광 소자(10)와 한 쌍의 IC 칩(50, 60)은, 와이어 본딩에 의해서 마련된 복수의 와이어(W)를 통해서 접속되어 있다.
도 1에 도시되어 있는 것처럼, 수광 소자(10)에는 스티치 본드가 접속되고, IC 칩(50, 60)에는 볼 본드가 접속되어 있다. 각 IC 칩(50, 60)과 수광 소자(10)는, 배선 기판을 개재하지 않고, 와이어(W)로 접속되어 있다. 광의 입사에 따라 수광 소자(10)로부터 출력된 신호는, 복수의 와이어(W)를 통하여, 각 IC 칩(50, 60)에 입력된다.
다음에, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 수광 소자(10)에 대해 상세하게 설명한다. 도 2는 수광 소자(10)를 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 III－III선을 따른 단면도이다. 도 4는 도 3의 IV－IV선을 따른 단면도이다.
수광 소자(10)는 반도체 기판(20)을 구비한다. 반도체 기판(20)은 서로 대향하는 주면(20a, 20b)을 가진다. 반도체 기판(20)은 주면(20a) 측에 복수의 셀(22)이 배열된 수광 영역(S)을 가진다. 복수의 셀(22)은 수광 영역(S)에 있어서 일 방향으로 배열되어 있다. 각 셀(22)은 수광부로서 기능한다.
각 셀(22)에는 적어도 하나의 애벌란시 포토 다이오드가 포함되어 있다. 이하, 「애벌란시 포토 다이오드」를 「APD」라고 칭한다. 본 실시 형태에서는, 각 APD(23)는 리니어 모드로 동작한다. 각 셀(22)에 포함되는 APD는, 가이거 모드로 동작하는 것이어도 된다. APD(23)가 가이거 모드로 동작하는 구성에서는, APD(23)에 퀀칭 저항이 접속된다. 본 실시 형태에서는, 각 셀(22)은, 1개의 APD(23)를 포함하고 있다. 각 셀(22)은 복수의 APD(23)를 포함하고 있어도 된다. 각 APD(23)는 리치스루(reach through)형의 APD여도 되고, 리버스형의 APD여도 된다. 이하, 일례로서, 각 APD(23)가 리치스루형의 APD인 경우의 반도체 기판(20)의 구성에 대해 설명한다.
반도체 기판(20)은 반도체 영역(31)과, 복수의 반도체층(32)과, 복수의 반도체층(33)과, 반도체층(34, 35, 36)을 포함한다. APD(23)는 반도체 영역(31) 및 반도체층(32, 33, 36)을 포함한다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체 영역(31) 및 반도체층(34, 36)을 포함한다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체층(34)에 있어서 주변에 위치하는 캐리어를 흡수한다. 즉, 반도체층(34)은 주변의 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수층으로서 기능한다.
반도체 영역(31) 및 반도체층(33, 35, 36)은 제1 도전형이며, 반도체층(32, 34)은 제2 도전형이다. 반도체의 불순물은, 예를 들어 확산법 또는 이온 주입법에 의해서 첨가된다. 본 실시 형태에서는, 제1 도전형은 P형이고, 제2 도전형은 N형이다. 반도체 기판(20)이 Si를 베이스로 하는 경우, P형 불순물로서는 B 등의 III족원소가 이용되고, N형 불순물로서는 N, P 또는 As 등의 V족 원소가 이용된다.
반도체 영역(31)은 반도체 기판(20)의 주면(20a) 측에 위치하고 있다. 반도체 영역(31)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 반도체 영역(31)은 예를 들어 P－형이다. 본 실시 형태에서는, 반도체 영역(31)은 APD(23)에 있어서의 광 흡수 영역을 구성한다.
각 반도체층(32)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 각 반도체층(32)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 반도체 영역(31)에 접하며, 반도체 영역(31)에 둘러싸여 있다. 각 반도체층(32)은 대응하는 APD(23)를 구성한다. 따라서, 반도체층(32)은 APD(23)의 수만큼 마련되어 있다. 반도체층(32)은, 예를 들어 N＋형이다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(32)은 APD(23)에 있어서 캐소드를 구성한다.
각 반도체층(33)은 대응하는 반도체층(32)과 반도체 영역(31)의 사이에 위치하고 있다. 반도체층(33)은 주면(20a) 측에서 반도체층(32)에 접하고, 주면(20b) 측에서 반도체 영역(31)에 접하고 있다. 각 반도체층(33)은 대응하는 APD(23)를 구성한다. 따라서, 반도체층(33)은 APD(23)의 수만큼 마련되어 있다. 반도체층(33)은 반도체 영역(31)보다도 불순물 농도가 높다. 반도체층(33)은 예를 들어 P형이다. 반도체층(33)은 APD(23)에 있어서 애벌란시 영역을 구성한다.
반도체층(34)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 반도체층(34)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 반도체 영역(31)에 접하며, 반도체 영역(31)에 둘러싸여 있다. 반도체층(34)은 반도체 영역(31)을 통해서, 각 반도체층(32)을 둘러싸고 있다. 상술한 것처럼, 반도체층(34)은 주변 캐리어 흡수부(24)를 구성한다. 반도체층(34)은 반도체 기판(20)에 있어서 반도체 영역(31)과만 접하고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 애벌란시 영역에 상당하는 층을 포함하고 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(34)은 반도체층(32)과 동일한 불순물 농도이다. 반도체층(34)은, 예를 들어 N＋형이다.
반도체층(35)은 주면(20a)의 일부를 구성하고 있다. 반도체층(35)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 반도체 영역(31)에 접하고 있다. 반도체층(35)은 반도체 기판(20)의 가장자리(20c)를 따라서 마련되어 있다. 반도체층(35)은 반도체 영역(31)을 통해서 반도체층(32, 33)을 둘러싸고 있다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(35)은 반도체 영역(31) 및 반도체층(33)보다도 불순물 농도가 높다. 반도체층(35)은 예를 들어 P＋형이다. 반도체층(35)은 도시되어 있지 않은 부분에서 반도체층(36)에 접속되어 있다. 반도체층(35)은 광 검출 장치(1)의 애노드를 구성한다. 반도체층(35)은, 예를 들어, APD(23) 및 주변 캐리어 흡수부(24)의 애노드를 구성한다.
반도체층(36)은 반도체 영역(31)보다도 반도체 기판(20)의 주면(20b) 측에 위치하고 있다. 반도체층(36)은 주면(20b)의 전면(全面)을 구성하고 있다. 반도체층(36)은 주면(20a) 측에서 반도체 영역(31)에 접하고 있다. 본 실시 형태에서는, 반도체층(36)은 반도체 영역(31) 및 반도체층(33)보다도 불순물 농도가 높다. 반도체층(36)은 예를 들어 P＋형이다. 반도체층(36)은 광 검출 장치(1)의 애노드를 구성한다. 반도체층(36)은, 예를 들어, APD(23) 및 주변 캐리어 흡수부(24)의 애노드를 구성한다.
광 검출 장치(1)는 복수의 전극부(41)와, 복수의 패드 전극(42)과, 복수의 패드 전극(43)과, 전극부(44)와, 전극부(45)와, 절연막(L)을 구비한다. 복수의 전극부(41), 전극부(44), 전극부(45), 및 절연막(L)은, 주면(20a)에 배치되고, 주면(20a)에 접하고 있다. 복수의 패드 전극(42) 및 복수의 패드 전극(43)은, 절연막(L)에 접하고 있고, 절연막(L)을 통해서 주면(20a) 상에 배치되어 있다. 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 복수의 패드 전극(43), 전극부(44), 및 전극부(45)는, 모두 알루미늄 등의 금속으로 이루어진다.
각 전극부(41)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 대응하는 셀(22)을 둘러싸고 있다. 각 전극부(41)는 대응하는 셀(22)에 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 각 전극부(41)는 환상이지만 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 실시형 형태에서는, 각 전극부(41)는 연속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸고 있지만, 단속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸고 있어도 된다. 각 전극부(41)가 연속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸는 경우에는, 각 셀(22)은 1개의 부분으로 이루어지는 전극부(41)에 둘러싸인다. 각 전극부(41)가 단속적으로 대응하는 셀(22)을 둘러싸는 경우에는, 각 셀(22)은 복수의 부분으로 이루어지는 전극부(41)에 둘러싸인다.
셀(22)의 적어도 일부는, 전극부(41)로부터 노출되어 있다. 각 전극부(41)는 대응하는 셀(22)에 포함되는 APD(23)에 전위를 인가한다. 각 전극부(41)는 대응하는 셀(22)을 구성하는 반도체층(32)에 접하고 있다. 본 실시 형태에서는, 각 전극부(41)는 셀(22)의 캐소드를 구성한다.
복수의 패드 전극(42)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향에서 수광 영역(S)을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)은, 수광 영역(S)을 따라서, 복수의 셀(22)의 배열 방향으로 배치되어 있다. 각 패드 전극(42)은 대응하는 전극부(41)에 접속되어 있다. 각 패드 전극(42)은 전극부(41)를 통해서, 대응하는 셀(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 예를 들어, 복수의 셀(22)의 배열 방향이, 제1 방향을 구성하는 경우, 해당 배열 방향과 교차하는 방향은, 제2 방향을 구성한다.
복수의 셀(22)은 서로 이웃하는 셀(22a)과 셀(22b)을 포함하는 복수의 셀군을 포함한다. 각 셀군은 2개 이상의 셀(22)로 구성된다. 본 실시 형태에서는, 서로 이웃하는 셀군 간의 간격은, 동일 셀군 내의 서로 이웃하는 셀(22)의 간격과 동일하다. 복수의 패드 전극(42)은 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)을 포함한다. 본 실시 형태에서는, 셀(22a)과 셀(22b)은, 셀(22)의 배열 방향에 있어서, 교호(交互)로 배치되어 있다. 예를 들어, 셀(22a)이 제1 셀을 구성하는 경우, 셀(22b)은 제2 셀을 구성한다.
셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b) 중, 한쪽이 제1 영역(R1)에 배치되고, 다른 쪽이 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 복수의 패드 전극(42a)은 제1 영역(R1)에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(42b)은 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 환언하면, 복수의 패드 전극(42)은 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다.
본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 각 셀(22)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직선 상에 위치한다. 패드 전극(42a)은 대응하는 셀(22a)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직선 상에 위치한다. 패드 전극(42b)은 대응하는 셀(22b)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직선 상에 위치한다. 본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 복수의 셀(22)의 배열 방향과 직교하는 주면(20a)과 평행한 방향에서 보았을 때, 대응하는 셀(22)이 위치하는 범위 내에 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 각 셀(22)의 중앙을 통과하고, 또한 복수의 셀(22)의 배열 방향과 수직인 수직선 상에 위치한다. 각 패드 전극(42)은 해당 수직선 상에 위치하지 않고, 수직선으로부터 배열 방향으로 어긋나 있어도 된다.
도 4에 도시되어 있는 것처럼, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 패드 전극(42)과 겹치는 영역에는, 반도체 영역(31)이 마련되고, 반도체층(32)은 마련되어 있지 않다. 복수의 패드 전극(42)은 절연막(L)을 통해서 반도체 영역(31) 상에 배치되어 있다.
각 패드 전극(42)과 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리 T1은, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42)의 사이의 거리 T2보다도 작다. 거리 T1은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 패드 전극(42)의 가장자리로부터, 대응하는 셀(22)의 가장자리까지의 최단 거리이다. 거리 T2는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42)의 가장자리의 사이의 최단 거리이다. 거리 T1은, 예를 들어, 50μm~150μm이다. 거리 T2는, 예를 들어, 200μm~800μm이다. 셀(22)의 가장자리란, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 경우에 있어서의 반도체 영역(31)과 반도체층(32)의 경계를 말한다.
본 실시 형태에서는, 패드 전극(42a)의 가장자리와 해당 패드 전극(42a)에 대응하는 셀(22a)의 가장자리 사이의 최단 거리는, 해당 패드 전극(42a)의 가장자리와, 해당 셀(22a)과 서로 이웃하는 셀(22b)의 가장자리 사이의 최단 거리보다도 작다. 본 실시 형태에서는, 패드 전극(42b)의 가장자리와 해당 패드 전극(42b)에 대응하는 셀(22b)의 가장자리 사이의 최단 거리는, 해당 패드 전극(42b)의 가장자리와, 해당 셀(22b)과 서로 이웃하는 셀(22a)의 가장자리 사이의 최단 거리보다도 작다.
각 패드 전극(42)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상이다. 각 패드 전극(42)은 직사각형이 아니어도 되고, 예를 들어, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때 타원형 또는 원형이라도 된다. 각 패드 전극(42)의 지름은, 예를 들어, 100μm~300μm이다. 본 발명에 있어서, 패드 전극(42)의 지름이란, 평면에서 보았을 때 패드 전극(42)의 중심 위치를 통과하는 직선 상에 있어서의 패드 전극(42)의 가장자리부터 가장자리까지의 최대 거리이다. 따라서, 패드 전극(42)이 직사각형인 경우에는, 긴 변의 길이가 패드 전극(42)의 지름이다.
각 패드 전극(42)에 전위를 인가함으로써, 해당 패드 전극(42)에 접속된 전극부(41)를 통해서, 대응하는 셀(22)에 전위가 인가된다. 본 실시 형태에서는, 각 패드 전극(42)은 캐소드용 패드 전극이다. 각 패드 전극(42)에는, 볼 본딩에 의해서, 대응하는 와이어(W)가 접속된다. 패드 전극(42)에는, 2st본드가 형성된다. 따라서, 패드 전극(42)에는 대응하는 와이어(W)의 스티치 본드가 형성된다. 스티치 본드는 패드 전극(42)의 긴 변을 따라 연장되어 있다.
각 패드 전극(42)에 접속된 각 와이어(W)는 한 쌍의 IC 칩(50, 60)에 접속되어 있다. 제1 영역(R1)에 배치된 패드 전극(42)은 대응하는 와이어(W)를 통하여, IC 칩(50)에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 영역(R2)에 배치된 패드 전극(42)은, 대응하는 와이어(W)를 통하여, IC 칩(60)에 전기적으로 접속되어 있다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)의 패드 전극에는, 1st본드가 형성된다. 따라서, 한 쌍의 IC 칩(50, 60)에는 대응하는 와이어(W)의 볼 본드가 형성되어 있다.
각 셀(22)에 광이 입사되면, APD(23)에 있어서 광자가 전자로 변환되어 증배된다. APD(23)에서 증배된 전자는, 신호로서 출력된다. 각 셀(22)로부터 출력된 신호는 대응하는 전극부(41), 대응하는 패드 전극(42), 및 대응하는 와이어(W)를 통하여, IC 칩(50, 60)에 입력된다.
복수의 패드 전극(43)은 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(43)은 복수의 셀(22)의 배열 방향을 따라서 배치되어 있고, 해당 배열 방향에 있어서 복수의 패드 전극(42)의 사이에 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(43)은 패드 전극(43a)과 패드 전극(43b)을 포함한다. 패드 전극(43a)은 제2 영역(R2)에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극(42b)의 사이에 배치되어 있다. 패드 전극(43b)은 제1 영역(R1)에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극(42a)의 사이에 배치되어 있다.
각 패드 전극(43)은 절연막(L)에 배치되어 있고, 반도체 기판(20), 복수의 전극부(41), 패드 전극(42), 전극부(44), 및 전극부(45)와 이격되어 있다. 따라서, 각 패드 전극(43)은 반도체 기판(20)에 대해서 절연되어 있다. 각 패드 전극(43)은 접지되어 있다.
본 실시 형태에서는, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 패드 전극(43)은 셀(22)의 중앙과 해당 셀(22)에 대응하는 패드 전극(42)의 중앙을 통과하는 직선 상에 위치한다. 이와 같이, 본 실시 형태에서는, 1개의 셀(22)과 1개의 패드 전극(42)과 1개의 패드 전극(43)이, 1세트로서 모아서 배치되어 있다. 패드 전극(43a)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 셀(22a)의 중앙과 해당 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)의 중앙을 통과하는 직선 상에 위치한다. 패드 전극(43b)은 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 셀(22b)의 중앙과 해당 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)의 중앙을 통과하는 직선 상에 위치한다.
전극부(44)는 주면(20a)에 있어서 반도체층(34)에 접하고 있고, 반도체층(34)을 덮고 있다. 전극부(44)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 전극부(44)는 반도체층(34)에 전위를 인가한다. 전극부(44)는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 전극부(45)로부터 이격되어 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(44)는 주변 캐리어 흡수부(24)의 캐소드를 구성한다.
전극부(45)는 주면(20a)에 있어서 반도체층(35)에 접하고 있고, 반도체층(35)을 덮고 있다. 전극부(45)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 전극부(45)는 반도체층(35)에 전위를 인가한다. 전극부(45)는 전극부(41), 패드 전극(42), 패드 전극(43), 및 전극부(44)로부터 이격되어 있다. 본 실시 형태에서는, 전극부(45)는 광 검출 장치(1)의 애노드를 구성한다.
광 검출 장치(1)에서는, 상술한 것처럼, 주변 캐리어 흡수부(24)를 구성하는 반도체층(34)은 전극부(44)에 덮여 있다. 반도체층(34)의 가장자리는, 전극부(44)의 가장자리를 따라서 배치되어 있다. 따라서, 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 전극부(44)가 배치되어 있는 영역에, 반도체층(34)을 포함하는 주변 캐리어 흡수부(24)가 배치되어 있다.
주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 복수의 셀(22)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 패드 전극(42)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)의 주위에 마련되어 있다. 본 실시 형태에서는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 완전하게 둘러싸고 있다. 환언하면, 주변 캐리어 흡수부(24)는 단속적이 아니라, 연속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)가 연속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸는 경우에는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 1개의 부분으로 이루어져도 된다.
다음에, 도 5를 참조하여, 본 실시 형태의 변형예에 따른 광 검출 장치에 대해서 설명한다. 도 5는 수광 소자(10A)를 나타내는 평면도이다. 본 변형예는, 대체로, 상술한 실시 형태와 유사 또는 같다. 본 변형예는 복수의 셀(22), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)의 배열에 관해서, 상술한 실시 형태와 상위하다. 이하, 상술한 실시 형태와 변형예의 상위점을 주로 설명한다.
도 5에 도시되어 있는 것처럼, 본 변형예에서는, 복수의 셀(22)이 배열 방향으로 늘어서는 4개의 셀(22)마다 간격을 두고 배치되어 있다. 환언하면, 본 변형예에서는, 각 셀군이 4개의 셀(22)로 구성되어 있다. 서로 이웃하는 셀군 간의 간격은, 동일 셀군 내의 서로 이웃하는 셀(22)의 간격보다도 크다. 이하, 이 구성에 대해 상세하게 설명한다.
복수의 셀(22), 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)은, 배열 방향으로 늘어서는 4개의 셀(22)과, 그러한 셀(22)에 대응하는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 패드 전극(43)을 1개의 그룹으로서 배치되어 있다. 1개의 그룹이, 2개 또는 3개의 셀(22)과, 그러한 셀(22)에 대응하는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 패드 전극(43)으로 구성되어도 된다. 1개의 그룹이, 5개 이상의 셀(22)과, 그러한 셀(22)에 대응하는 전극부(41), 패드 전극(42), 및 패드 전극(43)으로 구성되어도 된다. 동일 그룹 내에 있어서, 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)은, 배열 방향에 있어서의 셀(22)의 간격에 맞춰서, 상술한 실시 형태와 같은 관계로 배치되어 있다.
동일 그룹에 포함되고 또한 서로 이웃하는 셀(22)의 간격 T3보다도, 서로 다른 그룹에 포함되고 또한 서로 이웃하는 셀(22)의 간격 T4의 쪽이 넓다. 본 실시 형태에서는, 간격 T3은 배열 방향에 있어서의 셀(22)의 폭보다도 작다. 간격 T4는 배열 방향에 있어서의 셀(22)의 폭보다도 크다. 복수의 전극부(41), 복수의 패드 전극(42), 및 복수의 패드 전극(43)은, 각 그룹 내의 셀(22)에 배치에 맞춰서, 상술한 실시 형태와 같게 배치되어 있다. 복수의 패드 전극(42)의 적어도 일부는, 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다. 본 변형예에서는, 적어도, 동일 그룹 내의 4개의 패드 전극(42)이 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다.
상이한 그룹에 배치되고 또한 서로의 간격이 가장 짧은 패드 전극(42)은, 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 중 동일한 영역에 배치되어 있다. 상이한 그룹에 배치되고 또한 서로의 간격이 가장 짧은 패드 전극(43)은, 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2) 중 동일한 영역에 배치되어 있다.
다음에, 도 6을 참조하여, 본 실시 형태의 다른 변형예에 따른 광 검출 장치에 대해서 설명한다. 도 6은 수광 소자(10B)를 나타내는 평면도이다. 본 변형예는, 대체로, 상술한 실시 형태와 유사 또는 같다. 본 변형예는, 복수의 패드 전극(42)의 배치 및 형상, 및 복수의 패드 전극(43)의 유무에 관해서, 상술한 실시 형태와 상위하다. 이하, 상술한 실시 형태와 변형예의 상위점을 주로 설명한다.
도 6에 도시되어 있는 것처럼, 본 변형예에서는, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)과, 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 늘어서 있다. 본 변형예에서는, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 수직인 수직선 상에 위치한다. 이 수직선은 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)의 중앙과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)의 중앙을 통과한다. 환언하면, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은, 서로 이웃하는 셀(22a, 22b)로부터 등거리의 위치에 배치되어 있다. 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42a)과, 셀(22a)에 서로 이웃하는 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42b)는, 상술한 수직선 상에 위치하지 않고, 수직선으로부터 배열 방향으로 어긋나 있어도 된다. 본 변형예에서는, 각 패드 전극(42)은 타원 형상이다.
본 변형예에 있어서도, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)은 제1 영역(R1)에 배치된다. 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은 제2 영역(R2)에 배치된다.
다음에, 상술한 실시 형태 및 변형예에 있어서의 광 검출 장치의 작용 효과에 대해 설명한다.
각 패드 전극(42)과 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리는, 서로 다른 셀(22)에 접속된 패드 전극(42) 간의 거리보다도 작다. 이 때문에, 광 검출 장치(1)의 컴팩트화가 도모되어 있다. 상기 광 검출 장치(1)에서는, 패드 전극(42)에 스티치 본드가 형성되어 있다. 이 때문에, 볼 본드가 형성되는 경우보다도, 와이어(W)에 있어서의 광의 반사가 억제된다. 따라서, 패드 전극(42)과 해당 패드 전극(42)에 대응하는 셀(22) 사이의 거리가 축소되어도, 각 셀(22)에 미광이 입사되기 어렵다.
볼 본드와 패드 전극의 접합 부위는, 스티치 본드와 패드 전극의 접합 부위보다도 작게 형성할 수 있다. 스티치 본드가 형성되는 패드 전극(42)은, 볼 본드가 형성되는 패드 전극에 비해 사이즈를 축소하기 어렵다. 패드 전극의 사이즈가 클수록, 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧아져, 패드 전극 간의 크로스톡이 염려된다. 서로 이웃하는 패드 전극의 가장자리 사이의 거리가 짧으면, 와이어와 패드 전극의 접속 부분에서 발생하는 열에 의한 영향도 받기 쉽다. 상기 광 검출 장치(1)에서는, 셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)은 제1 영역(R1)에 배치되고, 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은 수광 영역(S)을 사이에 두고 제1 영역(R1)과 이격된 제2 영역(R2)에 배치되어 있다. 이 때문에, 패드 전극(42) 간의 크로스톡 및 열의 영향도 억제되어 있다.
각 셀이 APD로 구성되어 있는 경우에는, 특히, 미광의 입사, 패드 전극 간의 크로스톡, 및 패드 전극에 있어서의 열의 발생이, 광 검출 결과에 영향을 미치기 쉽다. 광 검출 장치(1)의 각 셀(22)은, APD(23)가 포함되어 있다. 그러나, 광 검출 장치(1)는 상기 구성을 가지고 있기 때문에, 각 셀(22)에 미광이 입사되기 어렵고, 패드 전극(42) 간의 크로스톡 및 열의 영향도 억제되어 있다.
복수의 패드 전극(42)의 적어도 일부는, 수광 영역(S)을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있다. 이 때문에, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극(42) 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
셀(22a)에 대응하는 패드 전극(42)과, 셀(22b)에 대응하는 패드 전극(42)은, 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 늘어서 있다. 이 때문에, 간이한 구성으로, 대형화를 억제하면서 패드 전극(42) 간의 크로스톡도 억제할 수 있다.
반도체 기판(20)을 사이에 두고 배치되어 있음과 아울러, 복수의 셀(22)에 전기적으로 접속되어 있는 한 쌍의 IC 칩(50, 60)을 구비하고 있다. 각 와이어(W)는 대응하는 패드 전극(42)과 한 쌍의 IC 칩(50, 60)을 접속하고 있다. 한 쌍의 IC 칩(50, 60)에는 대응하는 와이어(W)의 볼 본드가 형성되어 있다. 이 때문에, 각 패드 전극(42)와 IC 칩(50, 60)이 하나의 와이어(W)로 접속된다. 따라서, 광 검출 장치(1)의 컴팩트화가 더 도모되어 있다.
반도체 기판(20)은 주변에 위치하는 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수부(24)를 가지고 있다. 주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체 기판(20)에 있어서 복수의 패드 전극(42)이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 이 때문에, 셀(22)의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부(24)에서 흡수된다. 따라서, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
주변 캐리어 흡수부(24)는 반도체 기판(20)에 있어서 복수의 패드 전극(42)이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22)에 대응하는 패드 전극(42)의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 이 때문에, 패드 전극(42)의 주변에서 발생한 캐리어가 주변 캐리어 흡수부(24)에서 흡수된다. 이와 같이, 주변 캐리어 흡수부(24)가 마련됨으로써, 셀(22) 이외에서 발생한 캐리어가 흡수되어, 광 검출의 정밀도가 더 향상된다.
제1 영역(R1)에 있어서 서로 이웃하는 패드 전극(42)의 사이에는, 반도체 기판(20)에 절연되어 있음과 아울러 접지된 패드 전극(43)이 배치되어 있다. 이 때문에, 상기 패드 전극(42) 간의 크로스톡이 더 저감된다.
각 패드 전극(42)은 복수의 셀(22)의 배열 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상이다. 이 때문에, 각 패드 전극(42)에 스티치 본드가 형성되는 경우여도, 각 패드 전극(42)의 컴팩트화가 도모된다.
이상, 본 발명의 실시 형태 및 변형예에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태 및 변형예로 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
예를 들면, 각 패드 전극(42)이 배치되는 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)은, 상술한 실시 형태 및 변형예에서 교체되어 있어도 된다. 환언하면, 상술한 실시 형태 및 변형예에 있어서, 제1 영역(R1)에 배치되어 있던 패드 전극(42)이 제2 영역(R2)에 배치되고, 제2 영역(R2)에 배치되어 있던 패드 전극(42)이 제1 영역(R1)에 배치되어도 된다.
도 2 및 도 5에 나타낸 구성에서는, 복수의 패드 전극(43)은 복수의 셀(22)의 배열 방향에 있어서 모든 패드 전극(42)의 사이에 배치되어 있다. 그러나, 복수의 패드 전극(43)은 일부의 패드 전극(42)의 사이에 배치되고, 서로 이웃하는 패드 전극(42)의 사이에 있어서 패드 전극(43)이 마련되어 있지 않은 부분이 있어도 된다.
본 실시 형태에서는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 연속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42), 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸고 있다. 그러나, 주변 캐리어 흡수부(24)는 주면(20a)과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42) 및 각 패드 전극(43)을 단속적으로 둘러싸고 있어도 된다. 이 경우, 주변 캐리어 흡수부(24)는 각 패드 전극(42)의 주위에 마련되어 있지 않아도 된다. 주변 캐리어 흡수부(24)가 단속적으로, 각 셀(22), 각 전극부(41), 각 패드 전극(42) 및 각 패드 전극(43)을 둘러싸는 경우에는, 주변 캐리어 흡수부(24)는 복수의 부분으로 이루어진다.
수광 소자(10)가 와이어(W)에 의해서 접속되는 대상은, IC 칩으로 한정되지 않고, 배선 기판 등의 회로 부재여도 된다. 광 검출 장치(1)에서는, 각 패드 전극(42)과 IC 칩(50, 60)이 하나의 와이어(W)로 접속되어 있다. 이 때문에, IC 칩(50, 60)에서 판독되는 신호에 노이즈가 발생하기 어렵다.
1 … 광 검출 장치 20 … 반도체 기판
22, 22a, 22b … 셀 24 … 주변 캐리어 흡수부
42, 42a, 42b … 패드 전극 43, 43a, 43b … 패드 전극
50, 60 … IC 칩 R1 … 제1 영역
R2 … 제2 영역 S … 수광 영역
T1, T2 … 거리 W … 와이어

Claims (8)

  1. 복수의 셀이 제1 방향으로 배열된 수광 영역을 가지는 반도체 기판과,
    상기 반도체 기판에 배치되어 있음과 아울러, 각각이, 상기 복수의 셀 중 대응하는 상기 셀에 전기적으로 접속되어 있는 복수의 패드 전극과,
    각각이, 상기 복수의 패드 전극 중 대응하는 상기 패드 전극에 접속되어 있는 복수의 와이어를 구비하고,
    각 상기 패드 전극에는, 상기 복수의 와이어 중 대응하는 상기 와이어의 스티치 본드가 형성되어 있고,
    각 상기 패드 전극과 해당 패드 전극에 대응하는 상기 셀 사이의 거리는, 서로 다른 상기 셀에 접속된 상기 패드 전극 간의 거리보다도 작고,
    상기 복수의 패드 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 수광 영역을 사이에 두고 서로 이격되는 제1 영역과 제2 영역에 배치되어 있고,
    상기 복수의 셀은, 서로 이웃하는 제1 셀 및 제2 셀을 포함하는 복수의 셀군을 포함하고,
    상기 제1 셀에 대응하는 상기 패드 전극은, 상기 제1 영역에 배치되고,
    상기 제2 셀에 대응하는 상기 패드 전극은, 상기 제2 영역에 배치되어 있는, 광 검출 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 패드 전극의 적어도 일부는, 상기 수광 영역을 사이에 두고 지그재그 배열되어 있는, 광 검출 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 셀에 대응하는 상기 패드 전극과, 상기 제2 셀에 대응하는 상기 패드 전극은, 상기 제2 방향으로 늘어서 있는, 광 검출 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 기판을 사이에 두고 배치되어 있음과 아울러, 상기 복수의 셀에 전기적으로 접속되어 있는 한 쌍의 회로 부재를 더 구비하고,
    각 상기 와이어는 대응하는 상기 패드 전극과 상기 회로 부재를 접속하고,
    상기 한 쌍의 회로 부재에는, 대응하는 상기 와이어의 볼 본드가 형성되어 있는, 광 검출 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 주변에 위치하는 캐리어를 흡수하는 주변 캐리어 흡수부를 가지고,
    상기 주변 캐리어 흡수부는 상기 반도체 기판에 있어서 상기 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 상기 셀의 적어도 일부를 둘러싸고 있는, 광 검출 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 주변 캐리어 흡수부는 상기 반도체 기판에 있어서 상기 복수의 패드 전극이 배치되어 있는 면과 직교하는 방향에서 보았을 때, 각 상기 셀에 대응하는 상기 패드 전극의 적어도 일부를 둘러싸고 있는, 광 검출 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 영역에 있어서 서로 이웃하는 상기 패드 전극의 사이에는, 상기 반도체 기판에 절연되어 있음과 아울러 접지된 전극이 배치되어 있는, 광 검출 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    각 상기 패드 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있는 직사각 형상인, 광 검출 장치.
KR1020217021021A 2018-12-12 2019-11-29 광 검출 장치 KR20210098524A (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-232892 2018-12-12
JPJP-P-2018-232895 2018-12-12
JP2018232892 2018-12-12
JP2018232895 2018-12-12
JPJP-P-2019-111529 2019-06-14
JP2019111529A JP7455520B2 (ja) 2018-12-12 2019-06-14 光検出装置
PCT/JP2019/046881 WO2020121852A1 (ja) 2018-12-12 2019-11-29 光検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210098524A true KR20210098524A (ko) 2021-08-10

Family

ID=70166526

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217021020A KR20210098523A (ko) 2018-12-12 2019-11-29 광 검출 장치
KR1020217021021A KR20210098524A (ko) 2018-12-12 2019-11-29 광 검출 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217021020A KR20210098523A (ko) 2018-12-12 2019-11-29 광 검출 장치

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11927478B2 (ko)
EP (3) EP3896412A4 (ko)
JP (5) JP7454917B2 (ko)
KR (2) KR20210098523A (ko)
CN (5) CN113302462B (ko)
DE (2) DE112019006185T5 (ko)
WO (2) WO2020121859A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11901379B2 (en) * 2018-12-12 2024-02-13 Hamamatsu Photonics K.K. Photodetector
EP3896411A4 (en) * 2018-12-12 2022-10-05 Hamamatsu Photonics K.K. PHOTODETECTOR AND METHOD OF MAKING A PHOTODETECTOR
JP7454917B2 (ja) 2018-12-12 2024-03-25 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
KR20240024071A (ko) * 2021-06-21 2024-02-23 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 수광 소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038157A (ja) 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子アレイ、一次元受光素子アレイおよび二次元受光素子アレイ

Family Cites Families (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1582850A (ko) 1968-03-29 1969-10-10
JPS5062389A (ko) 1973-10-01 1975-05-28
GB1535824A (en) 1976-02-11 1978-12-13 Standard Telephones Cables Ltd Avalanche photodetector biassing system
US4181863A (en) * 1976-04-03 1980-01-01 Ferranti Limited Photodiode circuit arrangements
GB1532262A (en) 1976-04-03 1978-11-15 Ferranti Ltd Photodiode circuit arrangements
GB1503088A (en) 1976-07-22 1978-03-08 Standard Telephones Cables Ltd Avalanche photodetector
JPS5341280A (en) * 1976-09-27 1978-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photodetecting system of multiplication constant control
JPS5916812Y2 (ja) * 1978-06-27 1984-05-17 キヤノン株式会社 カメラの測光回路
JPS6017051B2 (ja) 1978-11-20 1985-04-30 東京光学機械株式会社 アバランシェ・ダイオ−ドの温度補償方法
JPS55127082A (en) * 1979-03-23 1980-10-01 Nec Corp Bias voltage generating circuit of avalanche photodiode
SE417145B (sv) 1979-05-30 1981-02-23 Asea Ab Lavinfotodiodanordning med en lavindiod och med organ for styrning av diodens multiplikationsfaktor
US4464048A (en) * 1981-03-25 1984-08-07 Barr & Stroud Limited Laser rangefinders
JPS60178673A (ja) 1984-02-24 1985-09-12 Nec Corp アバランシフオトダイオ−ド
JPS60180347A (ja) * 1984-02-28 1985-09-14 Fujitsu Ltd アバランシエフオトダイオ−ドの温度補償回路
JPS60211886A (ja) 1984-04-05 1985-10-24 Nec Corp アバランシフオトダイオ−ドの製造方法
JPS6138975U (ja) * 1984-08-09 1986-03-11 株式会社東芝 印刷配線板
JPH0799782B2 (ja) * 1985-06-18 1995-10-25 株式会社ニコン 半導体光検出装置
JPS62239727A (ja) 1986-04-11 1987-10-20 Nec Corp アバランシエホトダイオ−ドの利得制御方式
JPS62279671A (ja) * 1986-05-28 1987-12-04 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
JPH0828488B2 (ja) * 1987-07-07 1996-03-21 富士通株式会社 半導体装置
JPH01118714A (ja) * 1987-10-30 1989-05-11 Omron Tateisi Electron Co 光学式位置検出センサ
US4948989A (en) 1989-01-31 1990-08-14 Science Applications International Corporation Radiation-hardened temperature-compensated voltage reference
JPH0321082A (ja) * 1989-06-19 1991-01-29 Fujitsu Ltd 光受信回路
JP2838906B2 (ja) * 1989-08-04 1998-12-16 キヤノン株式会社 光電変換装置
JPH04111477A (ja) * 1990-08-31 1992-04-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子
JPH04256376A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Hamamatsu Photonics Kk アバランシェホトダイオード及びその製造方法
JPH05235396A (ja) * 1992-02-24 1993-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光装置
JP3121100B2 (ja) 1992-03-25 2000-12-25 株式会社日立製作所 固体撮像装置
JPH06224463A (ja) 1993-01-22 1994-08-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光装置
JPH0763854A (ja) 1993-06-16 1995-03-10 Kansei Corp レーザー送受光装置
JP2686036B2 (ja) 1993-07-09 1997-12-08 浜松ホトニクス株式会社 アバランシェフォトダイオードのバイアス回路
JP3421103B2 (ja) 1993-12-20 2003-06-30 浜松ホトニクス株式会社 アバランシェフォトダイオードを用いた光検出回路
JPH07263653A (ja) 1994-03-17 1995-10-13 Hamamatsu Photonics Kk 固体撮像装置
JPH08207281A (ja) * 1995-02-06 1996-08-13 Canon Inc インクジェット記録ヘッド
JPH10247717A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH11275755A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Fujitsu Ltd アバランシェフォトダイオード保護回路を有する光受信回路
JP2000171295A (ja) 1998-12-03 2000-06-23 Nec Corp Ａｐｄバイアス回路
JP3668926B2 (ja) 1999-08-27 2005-07-06 株式会社ルネサステクノロジ 光インタコネクション受信モジュール
US6313459B1 (en) * 2000-05-31 2001-11-06 Nortel Networks Limited Method for calibrating and operating an uncooled avalanche photodiode optical receiver
JP3509851B2 (ja) * 2000-12-28 2004-03-22 サンケン電気株式会社 電子回路装置及びこれを使用したスィチング回路装置
US20030117121A1 (en) 2001-12-20 2003-06-26 Prescott Daniel C. High-side current-sense circuit for precision application
KR100566197B1 (ko) 2003-01-02 2006-03-29 삼성전자주식회사 Ａｐｄ 광수신기의 온도 보상 장치
JP2004281488A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4223304B2 (ja) * 2003-03-19 2009-02-12 三菱電機株式会社 光受信器
JP2004303878A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nippon Sheet Glass Co Ltd 受光素子アレイ
JP3956923B2 (ja) 2003-09-19 2007-08-08 住友電気工業株式会社 アバランシェフォトダイオードのバイアス電圧制御回路
JP4399337B2 (ja) * 2004-09-13 2010-01-13 株式会社フューチャービジョン 平面パターンを有する基板およびそれを用いた表示装置
JP2007266251A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体装置
JP5183471B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードアレイ
CN200950235Y (zh) * 2006-09-25 2007-09-19 深圳飞通光电子技术有限公司 雪崩光电二极管的温度补偿偏压电路
CN200959101Y (zh) * 2006-10-12 2007-10-10 宁波中科集成电路设计中心有限公司 一种雪崩光电二极管的温度补偿装置
JP4791334B2 (ja) * 2006-12-11 2011-10-12 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光受信装置および光受信装置のバイアス電圧制御方法
JP4642047B2 (ja) * 2007-06-15 2011-03-02 三洋電機株式会社 半導体装置
JP5483544B2 (ja) 2009-10-21 2014-05-07 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体受光装置
CN201601136U (zh) 2010-01-13 2010-10-06 山东交通职业学院 一种用于激光接收电路的温度补偿电路
US20120101614A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Allan Ghaemi System and Method for Manufacturing Optical Network Components
JP5844580B2 (ja) * 2011-09-05 2016-01-20 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像素子及び固体撮像素子の実装構造
JP5791461B2 (ja) * 2011-10-21 2015-10-07 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP5926921B2 (ja) * 2011-10-21 2016-05-25 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP2013164263A (ja) 2012-02-09 2013-08-22 Mitsubishi Electric Corp 受光装置及び距離測定装置及び形状測定装置
JP5984617B2 (ja) 2012-10-18 2016-09-06 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードアレイ
DE102013100696B3 (de) 2013-01-24 2013-11-07 Sick Ag Optoelektronischer Sensor und Verfahren zur Erfassung von Objekten in einem Überwachungsbereich
KR101448393B1 (ko) * 2013-06-27 2014-10-08 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 의료용 레이저 수신단의 apd 이득 안정화 방법
US9541656B2 (en) * 2013-12-20 2017-01-10 General Electric Company System and method for compensating temperature gain variation in radiation detectors
CN103728030A (zh) * 2013-12-20 2014-04-16 中国科学院合肥物质科学研究院 Apd温度自适应近红外单光子探测装置
JP2016061729A (ja) 2014-09-19 2016-04-25 株式会社東芝 光子検出素子、光子検出装置、及び放射線分析装置
CN106033225B (zh) 2015-03-16 2017-08-25 苏州旭创科技有限公司 低功耗apd偏压控制器与偏压控制方法及光电接收器
US10203400B2 (en) 2015-07-31 2019-02-12 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optical measurement system incorporating ambient light component nullification
US9954124B1 (en) * 2016-01-08 2018-04-24 Board Of Trustees Of The University Of Alabama, For And On Behalf Of The University Of Alabama In Huntsville Thermo-compensated silicon photo-multiplier with on-chip temperature sensor
WO2018021411A1 (ja) 2016-07-27 2018-02-01 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
EP3339886B1 (de) * 2016-12-22 2019-02-13 Sick AG Lichtempfänger mit einer vielzahl von lawinenphotodiodenelementen und verfahren zur versorgung mit einer vorspannung
CN110520035B (zh) * 2017-01-30 2023-03-10 麦迪贝肯有限公司 利用漫反射校正的荧光示踪剂的非入侵监测方法
JP6696695B2 (ja) 2017-03-16 2020-05-20 株式会社東芝 光検出装置およびこれを用いた被写体検知システム
JP6741703B2 (ja) 2017-03-31 2020-08-19 株式会社デンソー 光検出器
KR102544296B1 (ko) 2018-09-13 2023-06-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치
WO2020121858A1 (ja) 2018-12-12 2020-06-18 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置及び光検出装置の製造方法
JP7454917B2 (ja) 2018-12-12 2024-03-25 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
US11513002B2 (en) * 2018-12-12 2022-11-29 Hamamatsu Photonics K.K. Light detection device having temperature compensated gain in avalanche photodiode
WO2020121851A1 (ja) 2018-12-12 2020-06-18 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
EP3896411A4 (en) 2018-12-12 2022-10-05 Hamamatsu Photonics K.K. PHOTODETECTOR AND METHOD OF MAKING A PHOTODETECTOR
JP7063854B2 (ja) 2019-07-03 2022-05-09 本田技研工業株式会社 ソフトウェア更新装置、サーバ装置、ソフトウェア更新方法、およびプログラム
US20230083263A1 (en) 2021-09-15 2023-03-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light detector, light detection system, lidar device, and mobile body
JP7027607B1 (ja) 2021-10-01 2022-03-01 株式会社杉原クラフト ウエイトトレーニングマシン

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038157A (ja) 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 受光素子アレイ、一次元受光素子アレイおよび二次元受光素子アレイ

Also Published As

Publication number Publication date
US20220026270A1 (en) 2022-01-27
WO2020121859A1 (ja) 2020-06-18
JP7475123B2 (ja) 2024-04-26
JP7455520B2 (ja) 2024-03-26
EP3988907B1 (en) 2023-09-20
DE112019006173T5 (de) 2021-09-16
JP2020095015A (ja) 2020-06-18
CN113167640A (zh) 2021-07-23
DE112019006185T5 (de) 2021-09-02
EP3988907A1 (en) 2022-04-27
CN113302462A (zh) 2021-08-24
EP3988909A1 (en) 2022-04-27
JP2020096157A (ja) 2020-06-18
JP2020096170A (ja) 2020-06-18
US11927478B2 (en) 2024-03-12
US20220026269A1 (en) 2022-01-27
JP6681509B1 (ja) 2020-04-15
JP6681508B1 (ja) 2020-04-15
EP3896412A4 (en) 2022-12-28
JP2020096158A (ja) 2020-06-18
CN113167638A (zh) 2021-07-23
CN113167641B (zh) 2024-03-19
CN113167638B (zh) 2024-06-11
US11561131B2 (en) 2023-01-24
TW202044569A (zh) 2020-12-01
CN113167637A (zh) 2021-07-23
CN113302462B (zh) 2024-03-26
JP2020095016A (ja) 2020-06-18
CN113167641A (zh) 2021-07-23
EP3988909A4 (en) 2022-11-16
WO2020121855A1 (ja) 2020-06-18
KR20210098523A (ko) 2021-08-10
CN113167637B (zh) 2024-05-28
EP3896412A1 (en) 2021-10-20
EP3988907A4 (en) 2022-12-14
CN113167640B (zh) 2024-07-19
JP7454917B2 (ja) 2024-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210098524A (ko) 광 검출 장치
US10908302B2 (en) Semiconductor photo-detection device and radiation detection apparatus
CN109478578B (zh) 光检测装置
WO2020121851A1 (ja) 光検出装置
CN109564953B (zh) 光检测装置
KR102466928B1 (ko) 광 검출 장치
EP2092563B1 (en) Semiconductor photodetector and radiation detecting apparatus
WO2020121852A1 (ja) 光検出装置
JPS62169476A (ja) 受光ダイオ−ドアレ−

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination