KR20210056965A - Fluorine-based substrate with a low dielectric constant - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 저유전율을 가지는 불소계 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 접착제를 사용하지 않고, 종래의 기판에 비하여 두께가 현저히 얇아 곡면에서의 사용이 자유로우며, 저유전을 가지면서도 유전율이 균일하고, 안정적이며, 금속 스퍼터링을 통하여 미에칭 영역의 결함을 보완함으로써 도금층의 접착력 불량을 원천적으로 방지하여 신뢰성을 향상시켜 5G용 휴대폰을 포함한 디스플레이 및 인빌딩용 안테나에 유용하게 사용할 수 있는 저유전율을 가지는 불소계 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a fluorine-based substrate having a low dielectric constant and a method of manufacturing the same, and more specifically, it does not use an adhesive, and has a significantly thinner thickness compared to a conventional substrate, so it can be freely used on a curved surface, and has a low dielectric constant. This uniform, stable, and metal sputtering compensates for defects in the unetched area, thereby fundamentally preventing the poor adhesion of the plating layer and improving the reliability, which can be usefully used for displays including 5G mobile phones and in-building antennas. It relates to a fluorine-based substrate having a dielectric constant and a method of manufacturing the same.
이하에 기술되는 내용은 단순히 본 발명과 관련되는 배경 정보만을 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것이 아니다.The contents described below merely provide background information related to the present invention and do not constitute the prior art.
일반적으로, 회로기판의 하나인 다층배선구조를 가지는 전자회로용 기판, 소위 다층기판(적층기판)에는, 기판에 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE, 이하 테프론이라고 함)을 재료로서 사용하고 있다(일본특허공개 2000-286560호 공보 참조). 이는 글라스 크로스 혹은 아라미드 섬유의 부직포에 PTFE 재료를 함침시킨 프리프레그(prepreg)를 시트화하고, 이 시트와 PTFE 필름을 적층하여 기판을 형성하며, 그 위에 도전패턴을 형성한다. 이러한 다층기판은 불소수지의 유전율 및 유전 정접이 낮다는 특성을 이용하고 있으며, 이에 의해 양호한 전기특성을 얻는 동시에 고주파의 손실을 줄일 수 있다.In general, for electronic circuit boards having a multilayer wiring structure, which is one of the circuit boards, so-called multilayer boards (laminated boards), polytetrafluoroethylene (PTFE, hereinafter referred to as Teflon) is used as a material for the board (Japan See Patent Publication No. 2000-286560). This forms a sheet of a prepreg in which a PTFE material is impregnated with a glass cloth or aramid fiber nonwoven fabric, and the sheet and a PTFE film are laminated to form a substrate, and a conductive pattern is formed thereon. Such a multilayer substrate utilizes the characteristics of a low dielectric constant and a dielectric loss tangent of a fluororesin, thereby obtaining good electrical characteristics and reducing high frequency losses.
한편, 5G 시대가 도래함에 따라 더욱 낮은 유전율을 가지면서도 두께가 얇은 안테나가 필요한데 여기에는 박형의 기판이 필수이다.On the other hand, with the advent of the 5G era, an antenna with a lower dielectric constant and thinner thickness is required, and a thin substrate is essential for this.
일반적으로 종래에는 도 1과 같은 불소계 기판이 이용되었다.In general, conventionally, a fluorine-based substrate as shown in FIG. 1 has been used.
도 1은 일반적인 불소계 기판의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing the structure of a general fluorine-based substrate.
도 1을 참조하면, 테프론을 에칭하고, 여기에 접착제를 이용하여 동박층을 접착시켜 불소계 기판을 제조하였다. 그러나 이러한 종래의 불소계 기판은 두께가 기본적으로 많은 양의 접착제가 필수적으로 사용되어 두께가 두꺼웠으며, 접착제의 유전율이 높은 까닭에 접착제를 포함한 전체 기판의 유전율이 높았으며, 접착제의 두께에 따라 유전율이 달라져 기판 전체에 있어서 균일하고 안정적인 유전율을 가지기가 어려웠다. 또한, 에칭된 불소수지가 미세부분에 있어서는 미에칭영역을 포함하고, 미에칭영역에 접착제가 도포되는 경우 열충격 및 습한 조건 아래에서는 접착력이 나오지 않아 기판 전체에 있어서 신뢰성이 떨어지는 문제점이 있었다.Referring to FIG. 1, Teflon was etched, and a copper foil layer was adhered thereto using an adhesive to prepare a fluorine-based substrate. However, these conventional fluorine-based substrates were essentially thick because a large amount of adhesive was essentially used, and the dielectric constant of the entire substrate including the adhesive was high due to the high dielectric constant of the adhesive, and the dielectric constant according to the thickness of the adhesive. Due to this change, it was difficult to have a uniform and stable dielectric constant over the entire substrate. In addition, when the etched fluororesin includes an unetched region in a fine portion, and when an adhesive is applied to the unetched region, there is a problem in that the reliability of the entire substrate is deteriorated because adhesion does not appear under thermal shock and humid conditions.
이에 상기 문제점을 보완하면서 5G 시대에 알맞은 박형의 낮은 유전율을 가진 불소계 기판이 절실히 필요한 실정이다.Accordingly, there is an urgent need for a thin, low dielectric constant fluorine-based substrate suitable for the 5G era while supplementing the above problems.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 접착제를 사용하지 않고, 종래의 기판에 비하여 두께가 현저히 얇아 곡면에서의 사용이 자유로우며, 저유전을 가지면서도 유전율이 균일하고, 안정적이며, 금속 스퍼터링을 통하여 미에칭 영역의 결함을 보완함으로써 도금층의 접착력 불량을 원천적으로 방지하여 신뢰성을 향상시켜 5G용 휴대폰을 포함한 디스플레이 및 인빌딩용 안테나에 유용하게 사용할 수 있는 저유전율을 가지는 저유전율을 가진 불소계 기판 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above-described problems, without the use of an adhesive, and the thickness is significantly thinner than the conventional substrate, so that it is free to use on a curved surface, and the dielectric constant is uniform and stable while having a low dielectric constant, and metal sputtering A fluorine-based substrate with a low dielectric constant with a low dielectric constant that can be usefully used for displays including 5G mobile phones and in-building antennas by fundamentally preventing defects in the adhesion of the plating layer by supplementing defects in the unetched area through the device to improve reliability. And to provide a method of manufacturing the same.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved by the present invention is not limited to those mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 특징에 따른 저유전율을 가지는 불소계 기판은,A fluorine-based substrate having a low dielectric constant according to the features of the present invention for solving these technical problems,
표면이 개질된 테프론층;A Teflon layer with a modified surface;
상기 테프론층 위에 형성된 금속 스퍼터링층; 및 A metal sputtering layer formed on the Teflon layer; And
상기 금속 스퍼터링층 위에 형성된 금속층;A metal layer formed on the metal sputtering layer;
을 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a.
상기 저율전율을 가지는 불소계 기판의 유전율은 2.5 이하인 것을 특징으로 한다.The fluorine-based substrate having a low dielectric constant has a dielectric constant of 2.5 or less.
바람직하기로 상기 스퍼터링층의 두께는 0.01 내지 0.2 마이크로미터이다.Preferably, the thickness of the sputtering layer is 0.01 to 0.2 micrometer.
상기 표면이 개질된 테프론층;과 금속 스퍼터링층; 사이에는 고분자코팅층 또는 프라이머층을 더욱 포함할 수 있다.A Teflon layer having the surface modified; and a metal sputtering layer; A polymer coating layer or a primer layer may be further included therebetween.
바람직하기로 상기 금속층의 두께는 1 내지 20 마이크로미터이다.Preferably, the thickness of the metal layer is 1 to 20 micrometers.
바람직하기로 상기 금속층은 구리 또는 구리합금이다.Preferably, the metal layer is copper or a copper alloy.
바람직하기로 상기 금속층은 단일층 또는 2 내지 10층의 복수층일 수 있다.Preferably, the metal layer may be a single layer or a plurality of 2 to 10 layers.
상기 저율전율을 가지는 불소계 기판은 포러스한 기판일 수 있다.The fluorine-based substrate having the low dielectric constant may be a porous substrate.
상기 저율전율을 가지는 불소계 기판은 양면으로 금속 스퍼터링층 및 금속층을 포함할 수 있다.The fluorine-based substrate having a low dielectric constant may include a metal sputtering layer and a metal layer on both sides.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 특징에 저율전율을 가지는 따른 불소계 기판의 제조 방법은,According to the features of the present invention for solving these technical problems, the method of manufacturing a fluorine-based substrate,
테프론 필름을 준비하는 단계;Preparing a Teflon film;
상기 테프론 표면을 표면개질하는 단계;Surface-modifying the surface of the Teflon;
상기 표면개질된 표면에 금속을 스퍼터링하는 단계;Sputtering a metal on the surface-modified surface;
상기 스퍼터된 표면에 도금으로 금속층을 형성하는 단계;Forming a metal layer by plating on the sputtered surface;
를 포함한다.Includes.
바람직하기로 상기 스퍼터링층의 두께는 0.01 내지 0.2 마이크로미터이다.Preferably, the thickness of the sputtering layer is 0.01 to 0.2 micrometer.
상기 표면이 개질된 테프론층;과 금속 스퍼터링층; 사이에는 고분자코팅층 또는 프라이머층을 더욱 형성할 수 있다.A Teflon layer having the surface modified; and a metal sputtering layer; In between, a polymer coating layer or a primer layer may be further formed.
바람직하기로 상기 금속층은 1 내지 20 마이크로미터이다.Preferably the metal layer is 1 to 20 micrometers.
바람직하기로 상기 금속층의 금속은 구리 또는 구리합금이다.Preferably, the metal of the metal layer is copper or a copper alloy.
바람직하기로 상기 금속층은 단일층 또는 2 내지 10층의 복수층일 수 있다.Preferably, the metal layer may be a single layer or a plurality of 2 to 10 layers.
상기 저율전율을 가지는 불소계 기판은 포러스한 기판일 수 있다.The fluorine-based substrate having the low dielectric constant may be a porous substrate.
상기 저율전율을 가지는 불소계 기판은 양면으로 금속 스퍼터링층 및 구리층을 형성할 수 있다.A metal sputtering layer and a copper layer may be formed on both sides of the fluorine-based substrate having the low dielectric constant.
본 발명에 따르면, 접착제를 사용하지 않고, 종래의 기판에 비하여 두께가 현저히 얇아 곡면에서의 사용이 자유로우며, 저유전을 가지면서도 유전율이 균일하고, 안정적이며, 금속 스퍼터링을 통하여 미에칭 영역의 결함을 보완함으로서 도금층의 접착력 불량을 원천적으로 방지하여 신뢰성을 향상시켜 5G용 휴대폰을 포함한 디스플레이 및 인빌딩용 안테나에 유용하게 사용할 수 있는 저유전율을 가진 불소계 기판 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, the adhesive is not used, and the thickness is significantly thinner than that of the conventional substrate, so it is free to use on a curved surface, and the dielectric constant is uniform and stable while having a low dielectric constant, and defects in the unetched area through metal sputtering. By supplementing, it is possible to provide a fluorine-based substrate having a low dielectric constant and a method of manufacturing the same that can be usefully used for displays including 5G mobile phones and in-building antennas by improving reliability by fundamentally preventing poor adhesion of the plating layer.
도 1은 일반적인 불소계 기판의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저유전율을 가지는 불소계 기판의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 저유전율을 가지는 불소계 기판의 제조 방법에 따라 형성된 저유전율을 가지는 불소계 기판의 단면을 보인 도면이다.1 is a diagram showing the structure of a general fluorine-based substrate.
2 is a view showing a method of manufacturing a fluorine-based substrate having a low dielectric constant according to an embodiment of the present invention.
3 to 6 are cross-sectional views of a fluorine-based substrate having a low dielectric constant formed according to a method of manufacturing a fluorine-based substrate having a low dielectric constant according to an exemplary embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In addition, terms used in the present specification are terms used to properly express a preferred embodiment of the present invention, which may vary depending on the intention of users or operators, or customs in the field to which the present invention belongs. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the present specification. The same reference numerals shown in each drawing indicate the same members.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the specification, when a member is said to be positioned "on" another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components.
이하, 본 발명의 저유전율을 가지는 불소계 기판의 제조 방법에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, a method of manufacturing a fluorine-based substrate having a low dielectric constant of the present invention will be described in detail with reference to examples and drawings. However, the present invention is not limited to these examples and drawings.
본 발명의 저유전율을 가지는 불소계 기판은 테프론 FCCL(Flexible Copper Clad Laminated: 연성동박적층판)에 대하여 설명하지만 다른 종류의 기판에도 적용될 수 있다.The fluorine-based substrate having a low dielectric constant of the present invention is described for Teflon FCCL (Flexible Copper Clad Laminated), but can be applied to other types of substrates.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 저유전율을 가지는 불소계 기판의 제조 방법을 나타낸 도면이고, 도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 불소계 기판의 제조 방법에 따라 제조된 불소계 기판의 단면을 보인 도면이다.2 is a diagram showing a method of manufacturing a fluorine-based substrate having a low dielectric constant according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 6 are cross-sectional views of a fluorine-based substrate manufactured according to the method of manufacturing a fluorine-based substrate according to an embodiment of the present invention It is a drawing showing.
도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 저율전을 가지는 불소계 기판은,2 to 6, a fluorine-based substrate having a low modulus according to an embodiment of the present invention,
표면이 개질된 테프론층(100);Teflon
상기 테프론층(100) 위에 형성된 금속 스퍼터링층(110, 120); 및
상기 금속 스퍼터링층(110, 120) 위에 형성된 금속층(210, 220);
을 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a.
본 발명에서 상기 테프론은 CCFL 기판에 사용되는 공지의 테프론이 사용될 수 있으며, 바람직하기로는 Skived 테프론을 사용할 수 있다.In the present invention, as the Teflon, a known Teflon used for a CCFL substrate may be used, preferably Skived Teflon may be used.
바람직하기로는 상기 테프론층(100)의 유전율은 2.1 이하인 것을 사용하는 것이 좋다. 이 경우 저유전율 기판의 형성에 유리하다.Preferably, the
상기 테프론층(100)의 개질된 표면은 공지의 테프론 개질방법이 적용될 수 있으며, 구체적인 예로는 에칭으로 표면을 개질할 수 있다.A known Teflon modification method may be applied to the modified surface of the
또한 상기 테르론층(100)의 개질된 표면 위에 고분자코팅층 또는 프라이머층을 더욱 포함할 수 있다. 상기 고분자코팅층 또는 프라이머층에 적용되는 고분자 또는 프라이머는 테프론의 접착력 향상을 위한 공지의 고분자 또는 프라이머가 적용될 수 있으며, 구체적인 예로는 폴리에틸렌을 코팅층을 형성할 수 있다.In addition, a polymer coating layer or a primer layer may be further included on the modified surface of the
상기 금속 스퍼터링층(110, 120)의 금속은 바람직하기로 구리 또는 구리합금이며, 상기 금속 스퍼터링층(110, 120)의 두께는 바람직하기로 0.01 내지 0.2 마이크로미터이다. 이 경우 두께가 얇아 기판의 곡면에서의 사용이 자유로우며, 저유전을 가지면서도 유전율이 균일하고, 안정적이며, 미에칭 영역의 결함을 보완함으로써 도금층의 접착력 불량을 원천적으로 방지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The metal of the metal sputtering layers 110 and 120 is preferably copper or a copper alloy, and the thickness of the metal sputtering layers 110 and 120 is preferably 0.01 to 0.2 micrometer. In this case, since the thickness is thin, it is free to use on the curved surface of the substrate, and the dielectric constant is uniform and stable while having a low dielectric constant, and by compensating for defects in the unetched area, defects in the adhesion of the plating layer are fundamentally prevented and reliability can be improved. have.
상기 금속층(210, 220)은 임의로 두께를 조정할 수 있으며, 구체적으로 1 내지 10 마이크로미터일 수 있다. 이 경우 두께가 얇아 기판의 곡면에서의 사용이 자유로우며, 저유전을 가지면서도 유전율이 균일하고, 안정적일 수 있다.The thickness of the metal layers 210 and 220 may be arbitrarily adjusted, and specifically, may be 1 to 10 micrometers. In this case, since the thickness is thin, it is free to use on the curved surface of the substrate, and the dielectric constant may be uniform and stable while having a low dielectric constant.
상기 금속층은 도금을 통하여 형성할 수 있다.The metal layer may be formed through plating.
바람직하기로 상기 금속층은 구리 또는 구리합금이다.Preferably, the metal layer is copper or a copper alloy.
필요한 경우 상기 금속층은 단일층 또는 2 내지 10층의 복수층일 수 있다.If necessary, the metal layer may be a single layer or a plurality of 2 to 10 layers.
상기 저율전율을 가지는 불소계 기판은 필요한 경우 포러스 기판일 수 있다.The fluorine-based substrate having the low dielectric constant may be a porous substrate if necessary.
상기 저율전율을 가지는 불소계 기판은 필요한 경우 양면으로 에칭하여 금속 스퍼터링층 및 구리층을 포함할 수 있다.If necessary, the fluorine-based substrate having a low dielectric constant may be etched on both sides to include a metal sputtering layer and a copper layer.
이러한 구성을 가진 본 발명의 실시예에 따른 저유전율을 가지는 불소계 기판의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a fluorine-based substrate having a low dielectric constant according to an embodiment of the present invention having such a configuration will be described as follows.
먼저, 테프론(100)을 준비한다(S10). 바람직하기로 상기 테프론은 Skived 테프론이다.First, prepare the Teflon 100 (S10). Preferably the Teflon is Skived Teflon.
그리고 상기 테프론(100)의 양쪽 표면을 표면개질한다(S20). 상기 표면개질은 테프론의 접착력 향상을 위한 표면개질방법이 적용될 수 있으며, 구체적인 예로는 에칭이다. 상기 에칭은 공지의 방법이 적용될 수 있으며, 구체적으로는 sodium ammonium type 또는 sodium naphthalene type이 적용될 수 있으며, 상용적으로 판매되는 에칭액을 이용하여 에칭할 수도 있다. 이렇게 에칭이 되면 도 4와 같은 상태가 된다.Then, both surfaces of the
필요한 경우 상기 테플론층(100)의 개질된 표면 위에 고분자코팅층 또는 프라이머층을 더욱 포함할 수 있다. 상기 고분자코팅층 또는 프라이머층에 적용되는 고분자 또는 프라이머는 테프론의 접착력 향상을 위한 공지의 고분자 또는 프라이머가 적용될 수 있으며, 구체적인 예로는 폴리에틸렌을 코팅층을 형성할 수 있다.If necessary, a polymer coating layer or a primer layer may be further included on the modified surface of the
그리고 나서, 상기 표면개질된 표면에 금속을 스퍼터링한다(S30). 상기 스퍼터링의 금속은 구리 또는 구리합금일 수 있다. 스퍼터링의 두께는 바람직하기로 0.01 내지 0.2 마이크로미터이다. 이렇게 구리가 스퍼터링되면 테프론의 에칭된 표면 위에 금속 스퍼터링층(110, 120)이 형성된다.Then, the metal is sputtered on the surface-modified surface (S30). The metal of the sputtering may be copper or a copper alloy. The thickness of the sputtering is preferably 0.01 to 0.2 micrometers. When copper is sputtered in this way,
다음, 상기 스퍼터링된 표면에 금속층(210, 220)을 형성한다(S40). 바람직하기로 상기 금속층의 두께는 1 내지 20 마이크로미터이다.Next,
상기 금속층(210, 220)은 도금을 통하여 형성할 수 있으며, 상기 도금은 무전해도금 또는 전기도금을 통하여 형성할 수 있다.The metal layers 210 and 220 may be formed through plating, and the plating may be formed through electroless plating or electroplating.
바람직하기로 상기 금속층은 구리 또는 구리합금이다.Preferably, the metal layer is copper or a copper alloy.
바람직하기로 상기 금속층은 단일층 또는 2 내지 10층의 복수층일 수 있다.Preferably, the metal layer may be a single layer or a plurality of 2 to 10 layers.
이렇게 구리층(210, 220)이 형성되면 도 6과 같은 상태가 된다.When the copper layers 210 and 220 are formed in this way, the state is as shown in FIG. 6.
바람직하기로 상기 금속층(210, 220)이 형성된 불소계 기판의 유전율은 2.5 이하인 것이며, 구체적으로는 2.1 내지 2.5일 수 있다.Preferably, the dielectric constant of the fluorine-based substrate on which the metal layers 210 and 220 are formed is 2.5 or less, and specifically, may be 2.1 to 2.5.
이상의 본 발명의 실시예의 불소계 기판은 종래의 기판에 비하여 두께가 현저히 얇아진다. 5G 휴대폰 등 디스플레이와 실내용 안테나의 제조에 사용되기 위해서는 얇은 FCCL이 필요하며, 본 발명의 실시예에서의 불소계 기판은 얇아서 곡면에도 부착이 가능하므로 5G용 휴대폰을 포함한 디스플레이 및 인빌딩용 안테나에 유용하게 사용할 수 있다.The fluorine-based substrate of the embodiment of the present invention is significantly thinner than that of the conventional substrate. In order to be used for manufacturing displays and indoor antennas such as 5G mobile phones, a thin FCCL is required, and since the fluorine-based substrate in the embodiment of the present invention is thin and can be attached to a curved surface, it is useful for displays and in-building antennas including 5G mobile phones. Can be used.
또한, 본 발명의 실시예의 불소계 기판은 유전율이 균일하고 안정적이다. 특히, 제조 과정에서 접착제를 사용하지 않기 때문에 기본 베이스 순수 PTFE의 유전율을 나타내며, 전면적에 대해서 균일한 유전율을 보여준다. In addition, the fluorine-based substrate of the embodiment of the present invention has a uniform and stable dielectric constant. In particular, since no adhesive is used in the manufacturing process, it shows the dielectric constant of the basic base pure PTFE, and shows a uniform dielectric constant over the entire area.
접착제는 PTFE보다 높은 유전율을 가지는데, 접착제를 사용하게 되면 기판의 전체적인 유전율이 높아지고, 접착제 두께 편차에 따른 전면적에 대한 유전율 편차가 발생한다. 또한, 접착제를 붙이기 위해서는 구리동박에 표면 Roughness가 있는데 이와 달리 본 발명의 실시예 방식은 Rz값이 낮아서 유전손실이 적다. The adhesive has a higher dielectric constant than PTFE. When the adhesive is used, the overall dielectric constant of the substrate is increased, and the dielectric constant of the entire area according to the adhesive thickness variation occurs. In addition, in order to attach an adhesive, the copper copper foil has surface roughness. Unlike this, in the embodiment method of the present invention, the Rz value is low, so the dielectric loss is small.
또한, 에칭용액은 점도가 있기 때문에 에칭시 골고루 에칭이 되지 않는 경향이 있고, 육안으로는 갈색으로 변해서 균일하게 Etch처리가 된 것으로 보이지만 미시적으로 현미경으로 보면 White한 처리가 안 된 부분이 보인다. 에칭이 되지 않은(White한) 부분은 열충격 및 항온항습 처리 등에 의해 부분적으로 밀착력이 약해질 수 있다. 실제로 Etch 처리가 안 된 PTFE에 접착제 밀착력은 거의 나오지 않아 5G에 사용되는 고주파 28GHz, 33GHz, 60GHz, 70GHz 등등에서는 문제가 될 수 있다. 이에 비해 본 발명의 방식은 스퍼터 방식을 사용하여 표면처리를 진공상태에서 처리하기 때문에 불량 발생을 방지할 수 있으며, Etch처리에서 White한 부분이 있더라도 스퍼터링에 의해서 완벽하게 흠결이 보완이 될 수 있다.In addition, since the etching solution has a viscosity, there is a tendency that it is not evenly etched during etching, and it turns brown to the naked eye and seems to have been uniformly etched, but microscopically, a portion that has not been treated with white is visible. The non-etched (white) part may be partially weakened due to thermal shock and constant temperature and humidity treatment. In fact, there is little adhesive adhesion to PTFE that has not been etched, so it can be a problem in high-frequency 28GHz, 33GHz, 60GHz, and 70GHz used for 5G. In contrast, in the method of the present invention, since the surface treatment is performed in a vacuum state by using a sputtering method, defects can be prevented, and even if there is a white part in the etch treatment, the defect can be completely compensated by sputtering.
또한, 일반적으로 불소계 고분자가 저유전율이지만 더 낮은 유전율을 얻기 위해서 고분자 내부에 공기를 넣는 경우가 있다. 일예로 접착제를 이용해서 라미네이팅 하는 경우는 고분자내에 공기를 넣어서 필름을 만들지만 강한 압력과 온도에 의해서 공기가 처음 모양과 달리 사라지거나 줄어들고 모양이 이상해져서 초기 예상한 유전율이 나오지 않을 수 있다. 하지만 본 발명의 스퍼터링 방식은 고분자 필름에 압력이나 온도를 가하지 않기 때문에 공기, 즉 포러스한 제품도 저유전율을 그대로 유지할 수 있어 특히 유리하다. In addition, in general, a fluorine-based polymer has a low dielectric constant, but there are cases where air is put inside the polymer to obtain a lower dielectric constant. For example, in the case of laminating using an adhesive, air is put into the polymer to form a film, but due to strong pressure and temperature, the air disappears or shrinks differently from the initial shape, and the shape becomes strange, so the initially expected dielectric constant may not come out. However, since the sputtering method of the present invention does not apply pressure or temperature to the polymer film, air, that is, even a porous product can maintain a low dielectric constant as it is, which is particularly advantageous.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다. As described above, although the embodiments have been described by the limited embodiments and drawings, various modifications and variations are possible from the above description to those of ordinary skill in the art. For example, even if the described techniques are performed in a different order from the described method, and/or the described components are combined or combined in a form different from the described method, or are replaced or substituted by other components or equivalents. Appropriate results can be achieved. Therefore, other implementations, other embodiments, and those equivalent to the claims also fall within the scope of the claims to be described later.
Claims (1)
상기 테프론층 위에 형성된 금속 스퍼터링층; 및
상기 금속 스퍼터링층 위에 형성된 금속층;
을 포함하는 것을 특징으로 하고,
상기 스퍼터링층의 두께는 0.01 내지 0.2 마이크로미터이고,
상기 금속층의 두께는 1 내지 20 마이크로미터이고,
상기 금속층의 금속은 구리 또는 구리합금이고,
상기 금속층은 단일층 또는 2 내지 10층의 복수층인 것을 특징으로 하고,
상기 저유전율을 가지는 불소계 기판의 유전율은 2.5 이하인 것을 특징으로 하고,
상기 표면이 개질된 테프론층;과 금속 스퍼터링층; 사이에는 고분자코팅층 또는 프라이머층을 더욱 포함하고, 상기 고분자코팅층 또는 프라이머층에 적용되는 고분자 또는 프라이머는 테프론의 접착력을 향상시키는 것을 특징으로 하고,
상기 불소계 기판은 포러스한 기판인 것을 특징으로 하고,
상기 저유전율을 가지는 불소계 기판은 양면으로 금속 스퍼터링층 및 구리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저유전율을 가지는 불소계 기판.
A Teflon layer with a modified surface;
A metal sputtering layer formed on the Teflon layer; And
A metal layer formed on the metal sputtering layer;
It characterized in that it comprises a,
The thickness of the sputtering layer is 0.01 to 0.2 micrometer,
The thickness of the metal layer is 1 to 20 micrometers,
The metal of the metal layer is copper or a copper alloy,
The metal layer is characterized in that it is a single layer or a plurality of layers of 2 to 10,
The dielectric constant of the fluorine-based substrate having a low dielectric constant is characterized in that 2.5 or less,
A Teflon layer having the surface modified; and a metal sputtering layer; A polymer coating layer or a primer layer is further included therebetween, and the polymer or primer applied to the polymer coating layer or primer layer is characterized in that it improves the adhesion of Teflon,
The fluorine-based substrate is characterized in that the porous substrate,
The fluorine-based substrate having a low dielectric constant comprises a metal sputtering layer and a copper layer on both sides of the fluorine-based substrate.
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Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| KR20040026733A (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-01 | 주식회사 피앤아이 | Method and Apparatus for Formation of Thick Layer on the Surface Modified Substrate |
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Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| KR20040026733A (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-01 | 주식회사 피앤아이 | Method and Apparatus for Formation of Thick Layer on the Surface Modified Substrate |
| KR20050119902A (en) * | 2004-06-17 | 2005-12-22 | 텅 신 우 | Method for metallizing a non-metallic surface and the metallized surface structure thereof |
| KR100885664B1 (en) * | 2008-04-03 | 2009-02-25 | 주식회사 케이아이자이맥스 | Method for manufacturing thick film using high rate and high density magnetron sputtering way |
| KR20150042124A (en) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 삼성전기주식회사 | Surface-treated copper foil, copper clad laminate comprising the same, printed curcuit board using the same and manufactured method thereof |
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