KR20210055603A

KR20210055603A - Dicing tape and dicing die-bonding film

Info

Publication number: KR20210055603A
Application number: KR1020200145065A
Authority: KR
Inventors: 유타 기무라; 히데토시 마이카와; 고헤이 다케다; 다이키 우에노; 히로시 나카우라
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2019-11-07
Filing date: 2020-11-03
Publication date: 2021-05-17
Also published as: JP2021077873A; TW202124632A

Abstract

Provided is a dicing tape, etc. which comprises a base layer, and an adhesive layer with higher adhesiveness than the base layer, and a chart measuring the base layer by differential scanning calorimetry, has an endothermic peak with a peak in the range of 100°C or more and 140°C or less. In addition, it is possible to provide the dicing tape in which the temperature difference between a peak starting point and a peak in the endothermic peak is 40°C or less.

Description

다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름{DICING TAPE AND DICING DIE-BONDING FILM}Dicing tape and dicing die-bonding film {DICING TAPE AND DICING DIE-BONDING FILM}

본 발명은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때 사용되는 다이싱 테이프 및 해당 다이싱 테이프를 구비한 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.The present invention relates to, for example, a dicing tape used when manufacturing a semiconductor integrated circuit, and a dicing die-bonding film provided with the dicing tape.

종래, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용되는 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프에 적층되며 또한 웨이퍼에 접착되는 다이 본드층을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재층과, 다이 본드층에 접하고 있는 점착층을 갖는다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 예를 들어 하기와 같이 사용된다.Conventionally, dicing die bonding films used in the manufacture of semiconductor integrated circuits are known. This kind of dicing die-bonding film includes, for example, a dicing tape and a die-bonding layer laminated on the dicing tape and adhered to the wafer. The dicing tape has a base material layer and an adhesive layer in contact with the die bonding layer. This kind of dicing die-bonding film is used, for example, as follows in the manufacture of a semiconductor integrated circuit.

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로, 고집적의 전자 회로에 의해 웨이퍼의 편면측에 회로면을 형성하는 전공정과, 회로면이 형성된 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 후공정을 구비한다.A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit generally includes a pre-process of forming a circuit surface on one side of a wafer with a highly integrated electronic circuit, and a post-process of cutting a chip from a wafer on which the circuit surface is formed to perform assembly.

후공정은, 예를 들어 웨이퍼를 작은 칩(다이)으로 할단하기 위해 웨이퍼에 홈을 형성하는 다이싱 공정과, 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면을 다이 본드층에 첩부하여 다이싱 테이프에 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 홈이 형성된 웨이퍼를 다이 본드층과 함께 할단하여 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 다이 본드층과 점착제층의 사이에서 박리되어 다이 본드층이 첩부된 상태의 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층이 첩부된 상태의 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 반도체 집적 회로는, 이들 공정을 거쳐서 제조된다.Post-processes include, for example, a dicing process in which grooves are formed in the wafer in order to cut the wafer into small chips (die), and the side opposite to the circuit surface of the wafer is attached to the die bonding layer, and the wafer is applied to the dicing tape. The mounting process of fixing the grooves, the expanding process of dividing the wafer with the grooves together with the die-bonding layer to increase the gap between the chips, and the chip in a state where the die-bonding layer is affixed by being peeled between the die-bonding layer and the pressure-sensitive adhesive layer. A pick-up step of taking out (die) and a die bonding step of adhering a chip (die) in a state in which the die-bonding layer is affixed to the adherend are provided. The semiconductor integrated circuit is manufactured through these processes.

상기와 같은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서, 다이싱 공정에 있어서 웨이퍼 분할 후의 버 발생을 억제하기 위해서, 특정한 물성을 갖는 기재층을 구비한 다이싱 테이프가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1).In the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit as described above, in order to suppress the generation of burrs after dividing a wafer in a dicing step, a dicing tape provided with a substrate layer having specific physical properties is known (for example, Patent Document 1 ).

특허문헌 1에 기재된 다이싱 테이프에서는, 상기 기재층이 열가소성 수지 필름이며, 해당 열가소성 수지 필름의 융해에 수반하는 30℃ 내지 200℃의 범위에 있어서의 기재층의 총 흡열량이 50J/g 이하이다.In the dicing tape described in Patent Document 1, the substrate layer is a thermoplastic resin film, and the total heat absorbing amount of the substrate layer in the range of 30°C to 200°C accompanying the melting of the thermoplastic resin film is 50 J/g or less.

그런데, 특허문헌 1에 기재된 다이싱 테이프는, 익스팬드 공정에서 사용되었을 때, 칩끼리의 간격(커프)을 확장한 다음에 간격(커프)을 유지할 수 없게 되는 경우가 있다.By the way, when the dicing tape described in Patent Document 1 is used in an expand process, there are cases where it becomes impossible to maintain the spacing (cuff) after expanding the spacing (cuff) between chips.

상세하게는, 익스팬드 공정에서는, 예를 들어 다이싱 테이프를 방사 방향으로 잡아 늘리고, 신장되어 장력이 저하된 다이싱 테이프의 일부를, 열수축(히트 슈링크)시켜, 이에 의해 간격(커프)을 유지시키려고 한다. 그러나, 일단 잡아늘여진 다이싱 테이프가 탄성에 의해 수축됨으로써, 상기 간격(커프)을 유지할 수 없게 되는 경우가 있다. 간격(커프)을 유지할 수 없으면, 픽업 공정에서 칩끼리가 접촉하여, 칩이 파손된다.Specifically, in the expand process, for example, the dicing tape is stretched in the radial direction, and a part of the dicing tape whose tension is reduced by stretching is thermally contracted (heat shrink), thereby reducing the gap (cuff). Try to keep it. However, the dicing tape once stretched is contracted due to elasticity, so that the gap (cuff) cannot be maintained in some cases. If the gap (cuff) cannot be maintained, chips are brought into contact with each other in the pick-up step and the chips are damaged.

이와 같은 문제를 방지하기 위해, 다이싱 테이프에는, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있는 성능이 요망되고 있다.In order to prevent such a problem, a dicing tape is required to have a performance capable of maintaining a good cuff after expansion.

일본 특허 제6232842호 공보Japanese Patent No. 6232842

그러나, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있는 다이싱 테이프나 다이싱 다이 본드 필름에 대해서는, 아직 충분히 검토되어 있다고는 할 수 없다.However, it cannot be said that a dicing tape or a dicing die-bonding film capable of holding a cuff satisfactorily after expansion has been sufficiently studied.

그래서, 본 발명은, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있는 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, the present invention makes it a subject to provide a dicing tape and a dicing die-bonding film capable of satisfactorily holding a cuff after expansion.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 다이싱 테이프는, 기재층과, 해당 기재층보다도 점착성이 높은 점착제층을 구비하고,In order to solve the above problems, the dicing tape according to the present invention includes a substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer having higher adhesion than the substrate layer,

상기 기재층을 시차 주사 열량 측정에 의해 측정한 차트는, 100℃ 이상 140℃ 이하의 범위에 정점이 있는 흡열 피크를 가지며, 또한, 해당 흡열 피크에 있어서 피크 개시점과 상기 정점의 온도차가 40℃ 이하인 것을 특징으로 한다.The chart obtained by measuring the substrate layer by differential scanning calorimetry has an endothermic peak having a peak in the range of 100°C or more and 140°C or less, and the temperature difference between the peak initiation point and the peak in the endothermic peak is 40°C. It is characterized by the following.

상기 구성의 다이싱 테이프에 의하면, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.According to the dicing tape of the above configuration, the cuff can be satisfactorily maintained after expansion.

상기 다이싱 테이프에서는, 상기 흡열 피크에 있어서, 상기 피크 개시점과 피크 종료점의 온도차가 60℃ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 익스팬드 후에 있어서 기재층이 보다 효율적으로 열수축(히트 슈링크)되기 때문에, 커프를 효율적으로 유지할 수 있다.In the dicing tape, in the endothermic peak, it is preferable that the temperature difference between the peak start point and the peak end point is 60°C or less. Thereby, since the base material layer heat shrinks (heat shrink) more efficiently after expansion, the cuff can be efficiently maintained.

상기 다이싱 테이프에서는, 상기 흡열 피크에 있어서, 상기 피크 개시점의 온도가 70℃ 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 커프를 효율적으로 유지할 수 있다.In the dicing tape, in the endothermic peak, it is preferable that the temperature of the peak starting point is 70°C or higher. Thereby, it is possible to efficiently hold the cuff.

상기 다이싱 테이프에서는, 흡열 피크에 있어서, 피크 종료점의 온도가 150℃ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 커프를 효율적으로 유지할 수 있다.In the dicing tape, in the endothermic peak, the temperature at the end point of the peak is preferably 150°C or less. Thereby, it is possible to efficiently hold the cuff.

본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프에 접합된 다이 본드층을 구비한다.A dicing die-bonding film according to the present invention includes the dicing tape and a die-bonding layer bonded to the dicing tape.

본 발명에 따른 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.According to the dicing tape and the dicing die-bonding film according to the present invention, the cuff can be satisfactorily maintained after expansion.

도 1은 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름을 두께 방향으로 절단한 단면도.
도 2a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 6은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 7a는 시차 주사 열량 측정의 일례(실시예 1)를 나타내는 제1 차트도.
도 7b는 시차 주사 열량 측정의 일례(실시예 1)를 나타내는 제2 차트도.
도 8a는 시차 주사 열량 측정의 일례(실시예 2)를 나타내는 제1 차트도.
도 8b는 시차 주사 열량 측정의 일례(실시예 2)를 나타내는 제2 차트도.
도 9a는 시차 주사 열량 측정의 일례(비교예 1)를 나타내는 제1 차트도.
도 9b는 시차 주사 열량 측정의 일례(비교예 1)를 나타내는 제2 차트도.1 is a cross-sectional view taken along a thickness direction of a dicing die-bonding film of this embodiment.
Fig. 2A is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
Fig. 2B is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
Fig. 2C is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
Fig. 2D is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
3A is a cross-sectional view schematically showing a state of a mounting process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
3B is a cross-sectional view schematically showing a state of a mounting process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
4A is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
4B is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
4C is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
5A is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand process at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
5B is a cross-sectional view schematically showing a state of an expanding process at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
Fig. 6 is a cross-sectional view schematically showing a pickup step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.
Fig. 7A is a first chart showing an example of differential scanning calorimetry (Example 1).
Fig. 7B is a second chart showing an example of differential scanning calorimetry (Example 1).
Fig. 8A is a first chart showing an example of differential scanning calorimetry (Example 2).
Fig. 8B is a second chart showing an example of differential scanning calorimetry (Example 2).
Fig. 9A is a first chart showing an example of differential scanning calorimetry (Comparative Example 1).
9B is a second chart diagram showing an example of differential scanning calorimetry (Comparative Example 1).

이하, 본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름, 및 다이싱 테이프의 일 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a dicing die-bonding film and a dicing tape according to the present invention will be described with reference to the drawings.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 다이싱 테이프(20)와, 해당 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 적층되며 또한 반도체 웨이퍼에 접착되는 다이 본드층(10)을 구비한다.The dicing die-bonding film 1 of this embodiment is a dicing tape 20 and a die-bonding layer 10 laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and adhered to a semiconductor wafer. It is equipped with.

본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 통상, 긴 시트이며, 사용될 때까지 권회된 상태에서 보관된다. 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 할단 처리되는 실리콘 웨이퍼보다도, 한 단계 큰 내경을 갖는 원환상의 프레임에 붙여져, 커트되어 사용된다.The dicing tape 20 of this embodiment is usually a long sheet, and is stored in a wound state until used. The dicing die-bonding film 1 of the present embodiment is applied to an annular frame having an inner diameter that is one step larger than that of a silicon wafer to be cut, and then cut and used.

본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 기재층(21)과, 해당 기재층(21)에 겹쳐진 점착제층(22)을 구비한다.The dicing tape 20 of the present embodiment includes a base layer 21 and a pressure-sensitive adhesive layer 22 overlaid on the base layer 21.

본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)에서는, 기재층(21)을 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정한 차트가, 100℃ 이상 140℃ 이하의 범위에 정점이 있는 흡열 피크를 가지며, 또한, 해당 흡열 피크에 있어서 피크 개시점과 정점의 온도차가 40℃ 이하이다.In the dicing tape 20 of the present embodiment, the chart obtained by measuring the base layer 21 by differential scanning calorimetry (DSC) has an endothermic peak with a peak in the range of 100°C or more and 140°C or less, and , In the endothermic peak, the temperature difference between the peak starting point and the peak is 40°C or less.

본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 상기 구성을 갖기 때문에, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.Since the dicing tape 20 of this embodiment has the above structure, the cuff can be satisfactorily maintained after expansion.

또한, 100℃ 이상 140℃ 이하의 범위에 복수의 흡열 피크가 있는 경우, 이들 중 적어도 하나의 흡열 피크가 상기 조건(피크 개시점과 정점의 온도차가 40℃ 이하임)을 충족하면 된다. 또한, 상기 조건을 충족하는 흡열 피크가, 이하에 설명하는 규정(피크 개시점, 정점, 종료점 등)을 충족하는 것이 바람직하다.In addition, when there are a plurality of endothermic peaks in the range of 100°C or more and 140°C or less, at least one of these endothermic peaks may satisfy the above conditions (the temperature difference between the peak start point and the peak is 40°C or less). In addition, it is preferable that the endothermic peak that satisfies the above conditions satisfies the regulations (peak start point, peak, end point, etc.) described below.

기재층(21)에 관한 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)은, 하기의 측정 조건에 따라 실시된다. 1회의 측정에서 얻어진 차트로부터 상기 각 온도(피크 개시점, 정점 등)를 구한다.The differential scanning calorimetry (DSC measurement) of the substrate layer 21 is performed according to the following measurement conditions. Each temperature (peak start point, peak, etc.) is calculated from the chart obtained in one measurement.

상세하게는, 시판 중인 DSC 측정 장치를 사용하여, 측정 샘플의 약 10㎎을 칭량하고, 실온(약 20℃)으로부터 200℃까지 5℃/분의 승온 속도로, 질소 가스 분위기하에서 측정을 실시한다. 측정 샘플은, 기재층(21)을 두께 방향으로 절단함으로써 제작한다.Specifically, about 10 mg of a measurement sample is weighed using a commercially available DSC measuring device, and the measurement is carried out in a nitrogen gas atmosphere from room temperature (about 20° C.) to 200° C. at a heating rate of 5° C./min. . The measurement sample is produced by cutting the substrate layer 21 in the thickness direction.

측정 차트에 있어서 나타난 흡열 피크의 피크 개시점(이하, 단순히 A점이라고도 함), 피크의 정점(이하, 단순히 C점이라고도 함), 피크 종료점(이하, 단순히 B점이라고도 함)의 각 온도를, DSC 측정 장치에 부속된 해석 소프트웨어에 의해 계측한다.Each temperature of the endothermic peak indicated in the measurement chart at the peak start point (hereinafter, simply referred to as point A), the peak peak (hereinafter, simply referred to as point C), and the peak end point (hereinafter referred to simply as point B), Measurement is made by the analysis software supplied with the DSC measuring device.

측정 차트에 있어서 복수의 피크가 나타난 경우, 각각의 피크에 대하여 상기 각 온도를 계측한다.When a plurality of peaks appear in the measurement chart, each of the above temperatures is measured for each peak.

또한, 피크 개시점, 피크의 정점, 피크의 종료점은, 피크에 있어서의 열량 변화가 없는 저온측의 점과 고온측의 점을 연결한 베이스 라인을 기준으로 하여, 결정할 수 있다. 또한, 측정 차트에 있어서 발열 피크나 유리 전이점에 의한 커브가 출현하는 경우가 있지만, 이들에 대해서는, 흡열 피크로서 다루지 않는다.In addition, the peak start point, the peak peak, and the peak end point can be determined based on a base line connecting a point on the low temperature side and a point on the high temperature side where there is no change in the amount of heat in the peak. In addition, although an exothermic peak or a curve due to a glass transition point may appear in the measurement chart, these are not treated as endothermic peaks.

가장 바람직하게는, 피크 개시점, 피크의 정점, 피크의 종료점은, 후의 실시예에 기재된 특정한 DSC 측정 장치를 사용한 측정 결과를 기초로 하여, 후의 실시예에 기재된 특정한 해석 소프트웨어에 의해 구해진다.Most preferably, the peak start point, the peak peak, and the peak end point are determined by a specific analysis software described in the following examples, based on the measurement results using a specific DSC measuring device described in the following examples.

상기 흡열 피크의 정점(C점)은, 105℃ 이상에 존재하는 것이 바람직하고, 110℃ 이상에 존재하는 것이 보다 바람직하다. 흡열 피크의 정점이 105℃ 이상에 존재함으로써, 히트 슈링크 종료 후에 빠르게 고화하여 커프를 유지할 수 있다는 이점이 있다.The peak (point C) of the endothermic peak is preferably present at 105°C or higher, and more preferably at 110°C or higher. Since the peak of the endothermic peak is present at 105° C. or higher, there is an advantage that the cuff can be maintained by rapidly solidifying after the end of the heat shrink.

상기 흡열 피크의 정점(C점)은, 135℃ 이하에 존재하는 것이 바람직하고, 130℃ 이하에 존재하는 것이 보다 바람직하다. 흡열 피크의 정점이 135℃ 이하에 존재함으로써, 히트 슈링크 시에 충분히 열수축시킬 수 있다는 이점이 있다.The peak (point C) of the endothermic peak is preferably present at 135°C or lower, and more preferably at 130°C or lower. Since the peak of the endothermic peak is present at 135° C. or lower, there is an advantage in that heat shrinkage can be sufficiently performed during heat shrinking.

예를 들어, 융점이 보다 높은 수지 재료로 기재층(21)을 형성하거나, 융점이 보다 높은 수지 재료의 층을 사용하여 적층 구조의 기재층(21)을 구성하거나, 융점이 보다 높은 수지 재료를 기재층(21)에 배합(블렌드)함으로써, 상기 흡열 피크의 정점(C점)을 보다 높은 온도로 시프트시킬 수 있다. 한편, 예를 들어 융점이 보다 낮은 수지 재료로 기재층(21)을 형성하거나, 융점이 보다 낮은 수지 재료의 층을 사용하여 적층 구조의 기재층(21)을 구성하거나, 융점이 보다 낮은 수지 재료를 기재층(21)에 배합(블렌드)함으로써, 상기 흡열 피크의 정점(C점)의 온도를 보다 낮은 온도로 시프트시킬 수 있다.For example, to form the base layer 21 from a resin material having a higher melting point, or to construct the base layer 21 of a laminated structure by using a layer of a resin material with a higher melting point, or to use a resin material with a higher melting point. By blending (blending) in the base layer 21, the peak (point C) of the endothermic peak can be shifted to a higher temperature. On the other hand, for example, the base layer 21 is formed of a resin material having a lower melting point, or a layer of a resin material having a lower melting point is used to form the base layer 21 of a laminated structure, or a resin material having a lower melting point By blending (blending) into the base layer 21, the temperature of the peak (point C) of the endothermic peak can be shifted to a lower temperature.

흡열 피크에 있어서의 피크 개시점(A점)과 정점(C점)의 온도차는, 40℃ 이하이다. 이러한 온도차는, 35℃ 이하인 것이 바람직하다.The temperature difference between the peak initiation point (point A) and the peak (point C) in the endothermic peak is 40°C or less. It is preferable that such a temperature difference is 35 degrees C or less.

이러한 온도차가 40℃ 이하이기 때문에, 기재층(21)의 융해가 비교적 작은(좁은) 온도차로 완료될 수 있다. 따라서, 비교적 작은 온도차로 기재층(21)의 고화 및 연화가 가능하게 된다. 따라서, 히트 슈링크 종료 후에 빠르게 고화하여 커프를 유지할 수 있다.Since this temperature difference is 40° C. or less, the melting of the base layer 21 can be completed with a relatively small (narrow) temperature difference. Therefore, it is possible to solidify and soften the base layer 21 with a relatively small temperature difference. Therefore, it is possible to maintain the cuff by rapidly solidifying after the end of the heat shrink.

이러한 온도차가 35℃ 이하임으로써, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지하는 것을 효율적으로 실시할 수 있다는 이점이 있다.When such a temperature difference is 35° C. or less, there is an advantage that it is possible to efficiently maintain the cuff after expansion.

흡열 피크에 있어서의 피크 개시점(A점)과 정점(C점)의 온도차는, 20℃ 이상이어도 된다.The temperature difference between the peak start point (point A) and the peak (point C) in the endothermic peak may be 20°C or higher.

예를 들어, 기재층(21)에 포함되는 수지(폴리머)의 분자량 분산도를 보다 크게 함으로써, 흡열 피크에 있어서의 피크 개시점(A점)과 정점(C점)의 온도차를 보다 크게 할 수 있다.For example, by increasing the molecular weight dispersion degree of the resin (polymer) contained in the base layer 21, the temperature difference between the peak initiation point (point A) and the peak (point C) in the endothermic peak can be made larger. have.

예를 들어, 기재층(21)에 포함되는 수지(폴리머)의 분자량 분산도를 보다 작게 함으로써, 흡열 피크에 있어서의 피크 개시점(A점)과 정점(C점)의 온도차를 보다 작게 할 수 있다.For example, by making the molecular weight dispersion degree of the resin (polymer) contained in the base layer 21 smaller, the temperature difference between the peak initiation point (point A) and the peak (point C) in the endothermic peak can be made smaller. have.

상기 다이싱 테이프에서는, 기재층(21)의 상기 흡열 피크에 있어서, 피크 개시점(A점)과 피크 종료점(B점)의 온도차가 60℃ 이하인 것이 바람직하고, 50℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 온도차가 60℃ 이하임으로써, 기재층(21)의 융해 개시부터 융해 종료까지의 온도차가 보다 작아지기 때문에, 더 작은 온도차에서 기재층(21)의 고화 및 연화가 가능하게 된다. 따라서, 익스팬드 후에 행하는 상술한 열수축을 효율적으로 실시할 수 있다는 이점이 있다.In the dicing tape, in the endothermic peak of the base layer 21, the temperature difference between the peak start point (point A) and the peak end point (point B) is preferably 60°C or less, and more preferably 50°C or less. When such a temperature difference is 60° C. or less, the temperature difference from the start of the melting to the end of the melting of the base layer 21 becomes smaller, so that solidification and softening of the base layer 21 can be performed at a smaller temperature difference. Accordingly, there is an advantage in that the above-described heat contraction performed after expansion can be efficiently performed.

이러한 온도차는, 30℃ 이상이어도 된다.Such a temperature difference may be 30°C or higher.

예를 들어, 기재층(21)에 포함되는 수지(폴리머)의 분자량 분산도를 보다 작게 함으로써, 피크 개시점(A점)과 피크 종료점(B점)의 온도차를 보다 작게 할 수 있다. 한편, 예를 들어 기재층(21)에 포함되는 수지(폴리머)의 분자량 분산도를 보다 크게 함으로써, 피크 개시점(A점)과 피크 종료점(B점)의 온도차를 보다 크게 할 수 있다.For example, by making the molecular weight dispersion degree of the resin (polymer) contained in the base material layer 21 smaller, the temperature difference between a peak start point (A point) and a peak end point (B point) can be made smaller. On the other hand, for example, by increasing the molecular weight dispersion degree of the resin (polymer) contained in the base layer 21, the temperature difference between the peak start point (point A) and the peak end point (point B) can be made larger.

상기 다이싱 테이프에서는, 기재층(21)의 상기 흡열 피크에 있어서, 피크 개시점(A점)의 온도가 70℃ 이상인 것이 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 피크 개시점(A점)은, 기재층(21)의 고화가 완료되는 온도의 지표이며, 피크 개시점의 온도가 70℃ 이상임으로써, 히터에 의해 일단 연화된 기재층(21)이, 냉각하기 시작해 비교적 높은 온도에서 고화를 완료한다. 70℃보다도 낮은 온도이면, 기재층(21)의 고화가 완료되기 때문에, 익스팬드 후에 있어서의 상술한 열수축을 충분히 행할 수 있다. 따라서, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지하는 것을 효율적으로 실시할 수 있다.In the dicing tape, in the endothermic peak of the base layer 21, the temperature of the peak starting point (point A) is preferably 70°C or higher, and more preferably 80°C or higher. The peak initiation point (point A) is an index of the temperature at which solidification of the base layer 21 is completed, and when the temperature of the peak initiation point is 70°C or higher, the base layer 21 once softened by the heater is cooled. It starts and finishes solidification at a relatively high temperature. If the temperature is lower than 70° C., since solidification of the base layer 21 is completed, the above-described thermal contraction after expansion can be sufficiently performed. Therefore, it is possible to efficiently maintain the cuff after expansion.

피크 개시점(A점)의 온도는, 110℃ 이하여도 되고, 100℃ 이하여도 된다.The temperature of the peak initiation point (point A) may be 110°C or less, or 100°C or less.

예를 들어, 융점이 보다 높은 수지 재료로 기재층(21)을 형성하거나, 융점이 보다 높은 수지 재료의 층을 사용하여 적층 구조의 기재층(21)을 구성하거나, 융점이 보다 높은 수지 재료를 기재층(21)에 배합(블렌드)함으로써, 피크 개시점(A점)의 온도를 보다 높은 온도로 시프트시킬 수 있다. 한편, 예를 들어 융점이 보다 낮은 수지 재료로 기재층(21)을 형성하거나, 융점이 보다 낮은 수지 재료의 층을 사용하여 적층 구조의 기재층(21)을 구성하거나, 융점이 보다 낮은 수지 재료를 기재층(21)에 배합(블렌드)함으로써, 피크 개시점(A점)의 온도를 보다 낮은 온도로 시프트시킬 수 있다.For example, to form the base layer 21 from a resin material having a higher melting point, or to construct the base layer 21 of a laminated structure by using a layer of a resin material with a higher melting point, or to use a resin material with a higher melting point. By blending (blending) in the base layer 21, the temperature of the peak initiation point (point A) can be shifted to a higher temperature. On the other hand, for example, the base layer 21 is formed of a resin material having a lower melting point, or a layer of a resin material having a lower melting point is used to form the base layer 21 of a laminated structure, or a resin material having a lower melting point By blending (blending) into the base layer 21, the temperature of the peak initiation point (point A) can be shifted to a lower temperature.

상기 다이싱 테이프에서는, 기재층(21)의 상기 흡열 피크에 있어서, 피크 종료점(B점)의 온도가 150℃ 이하인 것이 바람직하고, 140℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 피크 종료점(B점)은, 기재층(21)의 연화가 완료되는 온도의 지표이며, 피크 종료점의 온도가 150℃ 이하임으로써, 히터의 가열 온도가 약간 낮아도, 150℃보다도 높은 온도이면, 기재층(21)이 충분히 연화된다. 따라서, 연화시키는 가열 온도가 약간 낮아도 상술한 열수축을 효율적으로 실시할 수 있기 때문에, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지하는 것을 효율적으로 실시할 수 있다.In the dicing tape, in the endothermic peak of the base layer 21, the temperature at the peak end point (point B) is preferably 150°C or less, and more preferably 140°C or less. The peak end point (point B) is an index of the temperature at which the softening of the base layer 21 is completed, and if the temperature at the peak end point is 150°C or less, even if the heating temperature of the heater is slightly lower or higher than 150°C, the base material The layer 21 is sufficiently softened. Therefore, even if the heating temperature for softening is slightly low, since the above-described heat contraction can be efficiently performed, it is possible to efficiently maintain the cuff after expansion.

피크 종료점(B점)의 온도는, 110℃ 이상이어도 되고, 120℃ 이상이어도 된다.The temperature at the peak end point (point B) may be 110°C or higher, or 120°C or higher.

예를 들어, 융점이 보다 낮은 수지 재료로 기재층(21)을 형성하거나, 융점이 보다 낮은 수지 재료의 층을 사용하여 적층 구조의 기재층(21)을 구성하거나, 융점이 보다 낮은 수지 재료를 기재층(21)에 배합(블렌드)함으로써, 피크 종료점(B점)의 온도를 보다 낮은 온도로 시프트시킬 수 있다. 한편, 예를 들어 융점이 보다 높은 수지 재료로 기재층(21)을 형성하거나, 융점이 보다 높은 수지 재료의 층을 사용하여 적층 구조의 기재층(21)을 구성하거나, 융점이 보다 높은 수지 재료를 기재층(21)에 배합(블렌드)함으로써, 피크 종료점(B점)의 온도를 보다 높은 온도로 시프트시킬 수 있다.For example, to form the base layer 21 of a resin material with a lower melting point, or to form the base layer 21 of a laminated structure by using a layer of a resin material with a lower melting point, or a resin material with a lower melting point. By blending (blending) in the base layer 21, the temperature of the peak end point (point B) can be shifted to a lower temperature. On the other hand, for example, the base layer 21 is formed of a resin material having a higher melting point, or a layer of a resin material having a higher melting point is used to form the base layer 21 of a laminated structure, or a resin material having a higher melting point By blending (blending) into the base layer 21, the temperature of the peak end point (point B) can be shifted to a higher temperature.

기재층(21)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조를 가져도 된다.The base material layer 21 may have a single-layer structure or may have a laminated structure.

기재층(21)의 각 층은, 예를 들어 금속박, 종이나 천 등의 섬유 시트, 고무 시트, 수지 필름 등이다.Each layer of the base material layer 21 is, for example, a metal foil, a fiber sheet such as paper or cloth, a rubber sheet, a resin film, or the like.

기재층(21)을 구성하는 섬유 시트로서는, 종이, 직포, 부직포 등을 들 수 있다.Paper, woven fabric, nonwoven fabric, etc. are mentioned as a fiber sheet which comprises the base material layer 21.

수지 필름의 재질로서는, 예를 들어 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르(랜덤, 교호) 공중합체 등의 에틸렌의 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리아크릴레이트; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 지방족 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 폴리아미드; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스 또는 셀룰로오스 유도체; 실리콘 함유 고분자; 불소 함유 고분자 등을 들 수 있다. 이들은, 1종이 단독으로, 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.Examples of the material of the resin film include polyolefins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), and ethylene-propylene copolymer; Ethylene copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ionomer resin, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, and ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer; Polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene terephthalate (PBT); Polyacrylate; Polyvinyl chloride (PVC); Polyurethane; Polycarbonate; Polyphenylene sulfide (PPS); Polyamides such as aliphatic polyamide and wholly aromatic polyamide (aramid); Polyetheretherketone (PEEK); Polyimide; Polyetherimide; Polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer); Cellulose or cellulose derivatives; Silicone-containing polymer; And fluorine-containing polymers. These may be used alone or in combination of two or more.

기재층(21)은, 수지 필름 등의 고분자 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the base material layer 21 is made of a polymer material such as a resin film.

기재층(21)이 수지 필름을 갖는 경우, 수지 필름이 연신 처리 등이 실시되어, 신장률 등의 변형성이 제어되어 있어도 된다.When the base material layer 21 has a resin film, the resin film may be subjected to a stretching treatment or the like to control deformability such as elongation.

기재층(21)의 표면에는, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위해서, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 방법 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 채용될 수 있다. 또한, 앵커 코팅제, 프라이머, 접착제 등의 코팅제에 의한 코팅 처리가 실시되어 있어도 된다.The surface of the substrate layer 21 may be subjected to a surface treatment in order to increase the adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer 22. As the surface treatment, for example, a chemical method such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, ionizing radiation treatment, or an oxidation treatment by a physical method may be employed. Further, coating treatment with a coating agent such as an anchor coating agent, a primer, or an adhesive may be performed.

기재층(21)은, 복수의 층으로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 적어도 3층으로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하며, 3층으로 구성되어 있는 것이 더욱 바람직하다.The base material layer 21 is preferably composed of a plurality of layers, more preferably composed of at least three layers, and even more preferably composed of three layers.

기재층(21)이 복수의 층의 적층 구조(예를 들어 3층 구조)를 가짐으로써, 보다 탄성률이 높은 층보다 탄성률이 낮은 층을 적층하는 것이 가능하게 되기 때문에, 비교적 간편하게 기재층(21)의 탄성률을 컨트롤할 수 있다는 이점이 있다. 예를 들어, 비교적 탄성률이 높은 층만을 갖는 기재층의 경우, 익스팬드 공정에 있어서, 칩의 들뜸이나 기재의 파열이 발생하는 경우도 있다. 또한, 예를 들어 비교적 탄성률이 낮은 층만을 갖는 기재층의 경우, 익스팬드에 의해 할단하기 위한 충분한 응력을 기재층에 전반할 수 없는 경우도 있다.Since the base layer 21 has a stacked structure of a plurality of layers (for example, a three-layer structure), it becomes possible to stack a layer having a lower elastic modulus than a layer having a higher elastic modulus, so that the base layer 21 is relatively simple. There is an advantage that the modulus of elasticity of can be controlled. For example, in the case of a substrate layer having only a layer having a relatively high elastic modulus, in the expansion process, chips may be lifted or the substrate may be ruptured. Further, for example, in the case of a base layer having only a layer having a relatively low elastic modulus, there are cases in which sufficient stress for cleavage due to expansion cannot be transmitted to the base layer.

3층 구조의 기재층(21)은, 비 엘라스토머로 형성된 2개의 비 엘라스토머층 (X, X)과, 2개의 비 엘라스토머층의 사이에 배치되고 또한 엘라스토머로 형성된 엘라스토머층(Y)을 갖는(X층/Y층/X층) 것이 바람직하다.The three-layered base layer 21 has two non-elastomeric layers (X, X) formed of a non-elastomer, and an elastomer layer (Y) disposed between the two non-elastomeric layers and formed of an elastomer (X Layer/Y layer/X layer) is preferable.

엘라스토머층은, 실온에 있어서의 탄성률이 200MPa 이하의 층이다. 엘라스토머층은, 통상, 실온(23℃)에 있어서 고무 탄성을 나타내는 고분자 재료로 형성되어 있다. 한편, 비 엘라스토머층은, 실온에 있어서의 탄성률이 200MPa보다도 큰 층이다.The elastomer layer is a layer having an elastic modulus of 200 MPa or less at room temperature. The elastomer layer is usually formed of a polymer material exhibiting rubber elasticity at room temperature (23° C.). On the other hand, the non-elastomeric layer is a layer having an elastic modulus at room temperature greater than 200 MPa.

이와 같은 3층의 적층 구조를 갖는 엘라스토머의 각 층은, 통상, 수지로 형성되어 있다. 3층의 적층 구조를 갖는 엘라스토머는, 예를 들어 공압출 성형에 의해 제작되고, 3개의 층이 일체화되어 있다.Each layer of an elastomer having such a three-layer laminated structure is usually formed of a resin. An elastomer having a three-layer laminated structure is produced by co-extrusion molding, for example, and three layers are integrated.

3층 구조의 기재층(21)에 있어서, 외층 1층분의 두께에 대한 내층의 두께 비(Y 두께/X 두께)는, 5 이상 15 이하인 것이 바람직하다.In the three-layered base layer 21, the ratio of the thickness of the inner layer to the thickness of one outer layer (Y thickness/X thickness) is preferably 5 or more and 15 or less.

외측에 배치된 비 엘라스토머층은, 구성하는 수지를 GPC 측정했을 때, 3 이하의 분자량 분포 분산도(질량 평균 분자량/수 평균 분자량)를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the non-elastomeric layer arranged on the outside has a molecular weight distribution dispersion degree (mass average molecular weight/number average molecular weight) of 3 or less when the resin constituting it is measured by GPC.

비 엘라스토머층(X)은, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 폴리프로필렌 등을 포함해도 된다. 폴리프로필렌으로서는, 호모폴리머(호모폴리프로필렌), 또는 랜덤 폴리프로필렌이나 블록 폴리프로필렌 등의 코폴리머 등을 들 수 있다. 폴리프로필렌은, 메탈로센 촉매에 의해 합성된 메탈로센 폴리프로필렌이어도 된다. 비 엘라스토머층(X)은, 메탈로센 폴리프로필렌을 포함하는 것이 바람직하다.The non-elastomeric layer (X) may contain low-density polyethylene (LDPE), high-density polyethylene (HDPE), polypropylene, or the like. Examples of the polypropylene include homopolymers (homopolypropylene), copolymers such as random polypropylene and block polypropylene. The polypropylene may be a metallocene polypropylene synthesized by a metallocene catalyst. It is preferable that the non-elastomeric layer (X) contains metallocene polypropylene.

한편, 엘라스토머층(Y)은, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 또는 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 것이 바람직하고, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA)를 포함하는 것이 보다 바람직하다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는, α-올레핀의 호모폴리머, 2종류 이상의 α-올레핀의 코폴리머 등을 들 수 있다.On the other hand, the elastomer layer (Y) preferably contains an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) or an α-olefin-based thermoplastic elastomer, more preferably an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). Examples of the α-olefin-based thermoplastic elastomer include a homopolymer of α-olefin and a copolymer of two or more types of α-olefin.

에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지(EVA)는, 아세트산비닐의 구성 단위를 5질량％ 이상 35질량％ 이하 포함해도 된다.Ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA) may contain 5 mass% or more and 35 mass% or less of structural units of vinyl acetate.

기재층(21)의 두께(총 두께)는, 80㎛ 이상 150㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이러한 값은, 랜덤하게 선택한 적어도 3군데에 있어서의 측정값의 평균값이다. 이하, 점착제층(22)의 두께에 대해서도, 마찬가지로 평균값을 채용한다.The thickness (total thickness) of the base layer 21 is preferably 80 µm or more and 150 µm or less. These values are the average values of the measured values in at least three randomly selected locations. Hereinafter, also about the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 22, the average value is similarly adopted.

기재층(21)의 두께가 80㎛ 이상임으로써, 기재층(21)의 전체에 대하여 보다 균일하게 응력을 가할 수 있어, 저온 익스팬드 공정에서의 양호한 할단성이 보다 충분히 발휘될 수 있다.When the thickness of the base layer 21 is 80 µm or more, stress can be applied more uniformly to the entire base layer 21, and good cleavage properties in the low-temperature expansion process can be more fully exhibited.

기재층(21)의 배면측(점착제층(22)이 겹쳐 있지 않은 측)에는, 박리성을 부여하기 위해서, 예를 들어 실리콘계 수지나 불소계 수지 등의 이형제(박리제) 등에 의해 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.To impart releasability to the back side of the base layer 21 (the side where the adhesive layer 22 does not overlap), for example, a release treatment is performed with a release agent (release agent) such as a silicone resin or a fluorine resin. You may have it.

기재층(21)은, 배면측으로부터 자외선 등의 활성 에너지선을 점착제층(22)에 부여하는 것이 가능해진다는 점에서, 광투과성(자외선 투과성)의 수지 필름 등인 것이 바람직하다.The base material layer 21 is preferably a light-transmitting (ultraviolet ray-transmitting) resin film or the like in that it becomes possible to provide active energy rays such as ultraviolet rays to the pressure-sensitive adhesive layer 22 from the back side.

본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 사용되기 전의 상태에 있어서, 점착제층(22)의 한쪽 면(점착제층(22)이 기재층(21)과 겹쳐 있지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 점착제층(22)보다도 작은 면적의 다이 본드층(10)이, 점착제층(22)에 수용되도록 배치되어 있는 경우, 박리 시트는, 점착제층(22) 및 다이 본드층(10)의 양쪽을 덮도록 배치된다. 박리 시트는, 점착제층(22)을 보호하기 위해 사용되고, 점착제층(22)에 다이 본드층(10)을 첩부하기 전에 박리된다.The dicing tape 20 of the present embodiment, in a state before being used, includes a release sheet covering one side of the pressure-sensitive adhesive layer 22 (the side where the pressure-sensitive adhesive layer 22 does not overlap the base layer 21). You may have it. When the die-bonding layer 10 having an area smaller than the pressure-sensitive adhesive layer 22 is disposed so as to be accommodated in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the release sheet covers both the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding layer 10. It is arranged so as to be. The release sheet is used to protect the pressure-sensitive adhesive layer 22 and is peeled off before attaching the die-bonding layer 10 to the pressure-sensitive adhesive layer 22.

박리 시트로서는, 예를 들어 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면 처리된, 플라스틱 필름 또는 종이 등을 사용할 수 있다.As the release sheet, for example, a plastic film or paper, which has been surface-treated with a release agent such as silicone-based, long-chain alkyl-based, fluorine-based, or molybdenum sulfide, can be used.

또한, 박리 시트로서는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌·불화비닐리덴 공중합체 등의 불소계 폴리머제의 필름; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀제의 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르제의 필름 등을 사용할 수 있다.In addition, as a release sheet, for example, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene copolymer, chlorofluoroethylene/vinyl fluoride Films made of fluorine-based polymers such as a leadene copolymer; Films made of polyolefins such as polyethylene and polypropylene; Polyester films, such as polyethylene terephthalate (PET), can be used.

또한, 박리 시트로서는, 예를 들어 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된, 플라스틱 필름 또는 종이류 등을 사용할 수 있다.In addition, as the release sheet, for example, a plastic film or paper, which is surface-coated with a release agent such as a fluorine-based release agent or a long-chain alkyl acrylate-based release agent, can be used.

또한, 박리 시트는, 점착제층(22)을 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 특히, 박리 시트는, 기재층(21)의 위에 점착제층(22)을 겹칠 때, 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 점착제층(22)이 적층된 상태에서 점착제층(22)을 기재층(21)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리함(전사함)으로써, 기재층(21)의 위에 점착제층(22)을 겹칠 수 있다.In addition, the release sheet can be used as a support material for supporting the pressure-sensitive adhesive layer 22. In particular, the release sheet is suitably used when the pressure-sensitive adhesive layer 22 is overlaid on the base layer 21. Specifically, in a state in which the release sheet and the pressure-sensitive adhesive layer 22 are stacked, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is overlaid on the base layer 21, and then the release sheet is peeled off (transferred). The pressure-sensitive adhesive layer 22 may be overlaid thereon.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)은, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 포함한다.In this embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains, for example, an acrylic polymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator.

점착제층(22)은, 바람직하게는 5㎛ 이상 40㎛ 이하의 두께를 갖는다. 점착제층(22)의 형상 및 크기는, 통상, 기재층(21)의 형상 및 크기와 동일하다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 preferably has a thickness of 5 µm or more and 40 µm or less. The shape and size of the pressure-sensitive adhesive layer 22 are usually the same as the shape and size of the base layer 21.

본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)에 있어서, 다이싱 테이프(20)의 총 두께에 대하여, 점착제층(22)의 두께가 차지하는 비율은 5％ 이상 30％ 이하여도 된다.In the dicing tape 20 of the present embodiment, the ratio of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 22 to the total thickness of the dicing tape 20 may be 5% or more and 30% or less.

상기 아크릴 폴리머는, 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적어도 갖는다. 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 주쇄를 구성하는 단위이다. 상기 아크릴 폴리머에 있어서의 각 측쇄는, 주쇄를 구성하는 각 구성 단위에 포함된다.The acrylic polymer has at least a structural unit of an alkyl (meth)acrylate, a structural unit of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate, and a structural unit of a polymerizable group-containing (meth)acrylate in a molecule. The structural unit is a unit constituting the main chain of the acrylic polymer. Each side chain in the said acrylic polymer is contained in each structural unit which comprises a main chain.

또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴레이트」라는 표기는, 메타크릴레이트(메타크릴산 에스테르) 및 아크릴레이트(아크릴산 에스테르) 중 적어도 한쪽을 나타낸다. 마찬가지로, 「(메트)아크릴산」이라는 표기는, 메타크릴산 및 아크릴산 중 적어도 한쪽을 나타낸다.In addition, in this specification, the notation "(meth)acrylate" represents at least one of methacrylate (methacrylic acid ester) and acrylate (acrylic acid ester). Similarly, the notation "(meth)acrylic acid" represents at least one of methacrylic acid and acrylic acid.

점착제층(22)에 포함되는 아크릴 폴리머에 있어서, 상기 구성 단위는, ¹H-NMR, ¹³C-NMR 등의 NMR 분석, 열분해 GC/MS 분석, 및 적외 분광법 등에 의해 확인할 수 있다. 또한, 아크릴 폴리머에 있어서의 상기 구성 단위의 몰 비율은, 통상, 아크릴 폴리머를 중합할 때의 배합량(투입량)으로부터 산출된다.In the acrylic polymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the structural unit ^{can be confirmed by NMR analysis such as 1} H-NMR and ¹³ C-NMR, thermal decomposition GC/MS analysis, and infrared spectroscopy. In addition, the molar ratio of the structural units in the acrylic polymer is usually calculated from the blending amount (input amount) when the acrylic polymer is polymerized.

상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에서 유래한다. 바꾸어 말하면, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머가 중합 반응한 뒤의 분자 구조가, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위이다. 「알킬」이라고 하는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분의 탄소수를 나타낸다.The constitutional unit of the alkyl (meth) acrylate is derived from an alkyl (meth) acrylate monomer. In other words, the molecular structure after the polymerization reaction of the alkyl (meth)acrylate monomer is the structural unit of the alkyl (meth)acrylate. The notation "alkyl" represents the number of carbon atoms in the hydrocarbon portion ester bonded to (meth)acrylic acid.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 알킬 부분의 탄화수소 부분은, 포화 탄화수소여도 되고, 불포화 탄화수소여도 된다.The hydrocarbon moiety of the alkyl moiety in the structural unit of the alkyl (meth)acrylate may be a saturated hydrocarbon or an unsaturated hydrocarbon.

또한, 알킬 부분은, 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이에 의해, 알킬 폴리머의 극성이 극단적으로 높아지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 점착제층(22)이, 다이 본드층(10)에 대하여 과도한 친화성을 갖는 것이 억제된다. 따라서, 다이 본드층(10)으로부터 다이싱 테이프(20)를, 보다 양호하게 박리할 수 있다. 알킬 부분의 탄소수는, 6 이상 10 이하여도 된다.In addition, it is preferable that the alkyl moiety does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like. Thereby, it can suppress that the polarity of an alkyl polymer becomes extremely high. Therefore, it is suppressed that the pressure-sensitive adhesive layer 22 has excessive affinity for the die-bonding layer 10. Therefore, the dicing tape 20 can be peeled more favorably from the die bonding layer 10. The number of carbon atoms in the alkyl moiety may be 6 or more and 10 or less.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트 등의 각 구성 단위를 들 수 있다.As the structural unit of the alkyl (meth)acrylate, for example, each structural unit such as hexyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, and decyl (meth)acrylate. Can be lifted.

아크릴 폴리머는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖고, 이러한 구성 단위의 수산기가, 이소시아네이트기와 용이하게 반응한다.The acrylic polymer has a structural unit of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate, and the hydroxyl group of such a structural unit reacts easily with an isocyanate group.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물을 점착제층(22)에 공존시켜 둠으로써, 점착제층(22)을 적절하게 경화시킬 수 있다. 그 때문에, 아크릴 폴리머가 충분히 겔화될 수 있다. 따라서, 점착제층(22)은, 형상을 유지하면서 점착 성능을 발휘할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 can be appropriately cured by coexisting the acrylic polymer having a structural unit of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate and an isocyanate compound in the pressure-sensitive adhesive layer 22. Therefore, the acrylic polymer can be sufficiently gelled. Therefore, the adhesive layer 22 can exhibit adhesive performance while maintaining the shape.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위인 것이 바람직하다. 「C2 내지 C4 알킬」이라고 하는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분의 탄소수를 나타낸다. 바꾸어 말하면, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트 모노머는, (메트)아크릴산과, 탄소수 2 내지 4의 알코올(통상, 2가 알코올)이 에스테르 결합한 모노머를 나타낸다.It is preferable that the structural unit of a hydroxyl-containing (meth)acrylate is a structural unit of a hydroxyl-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate. The notation "C2 to C4 alkyl" represents the number of carbon atoms in the hydrocarbon portion ester bonded to (meth)acrylic acid. In other words, the hydroxyl group-containing C2 to C4 alkyl (meth)acrylate monomer represents a monomer in which (meth)acrylic acid and an alcohol having 2 to 4 carbon atoms (usually a dihydric alcohol) are ester-bonded.

C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 통상, 포화 탄화수소이다. 예를 들어, C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 직쇄상 포화 탄화수소, 또는 분지쇄상 포화 탄화수소이다. C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다.The hydrocarbon moiety of C2 to C4 alkyl is usually a saturated hydrocarbon. For example, the hydrocarbon moiety of C2 to C4 alkyl is a straight chain saturated hydrocarbon or a branched chain saturated hydrocarbon. It is preferable that the hydrocarbon moiety of C2 to C4 alkyl does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like.

수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시n-부틸(메트)아크릴레이트, 또는 히드록시iso-부틸(메트)아크릴레이트와 같은 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 각 구성 단위를 들 수 있다. 또한, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 수산기(-OH기)는, 탄화수소 부분의 말단 탄소(C)에 결합하고 있어도 되며, 탄화수소 부분의 말단 이외의 탄소(C)에 결합되어 있어도 된다.As a structural unit of a hydroxyl-containing C2 to C4 alkyl (meth)acrylate, for example, hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxypropyl (meth)acrylate, hydroxy n-butyl (meth)acrylate, or hydroxy Each structural unit of hydroxybutyl (meth)acrylate such as oxyiso-butyl (meth)acrylate can be mentioned. In addition, in the constituent unit of hydroxybutyl (meth)acrylate, the hydroxyl group (-OH group) may be bonded to the terminal carbon (C) of the hydrocarbon moiety, or bonded to carbon (C) other than the terminal of the hydrocarbon moiety. It may be.

상기 아크릴 폴리머는, 측쇄에 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함한다.The acrylic polymer contains a structural unit of a polymerizable group-containing (meth)acrylate having a polymerizable unsaturated double bond in the side chain.

상기 아크릴 폴리머가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함함으로써, 픽업 공정의 전에, 점착제층(22)을, 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해 경화시킬 수 있다. 상세하게는, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해, 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시키고, 이 라디칼의 작용에 의해, 아크릴 폴리머끼리를 가교 반응시킬 수 있다. 이에 의해, 조사 전에 있어서의 점착제층(22)의 점착력을, 조사에 의해 저하시킬 수 있다. 그리고, 다이 본드층(10)을 점착제층(22)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다.Since the acrylic polymer contains a structural unit of a polymerizable group-containing (meth)acrylate, the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be cured by irradiation with active energy rays (ultraviolet rays, etc.) before the pickup step. Specifically, radicals are generated from the photopolymerization initiator by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays, and the acrylic polymers can be crosslinked by the action of the radicals. Thereby, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 before irradiation can be reduced by irradiation. Then, the die-bonding layer 10 can be removed satisfactorily from the pressure-sensitive adhesive layer 22.

또한, 활성 에너지선으로서는, 자외선, 방사선, 전자선이 채용된다.In addition, ultraviolet rays, radiation, and electron beams are employed as active energy rays.

중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 구체적으로는, 상술한 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 수산기에, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 이소시아네이트기가 우레탄 결합한 분자 구조를 가져도 된다.The structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate is specifically, a molecule in which the isocyanate group of the isocyanate group-containing (meth)acrylate monomer is urethane-bonded to the hydroxyl group in the structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate described above. You may have a structure.

중합성기를 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 중합 후에, 조제될 수 있다. 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 공중합 후에, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부에 있어서의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응시킴으로써, 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 얻을 수 있다.The structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate having a polymerizable group can be prepared after polymerization of the acrylic polymer. For example, after copolymerization of an alkyl (meth)acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer, a hydroxyl group in a part of the constituent unit of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate and an isocyanate group-containing polymerizable monomer By urethanizing the isocyanate group, the structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate can be obtained.

상기 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머는, 분자 중에 이소시아네이트기를 하나 갖고 또한 (메트)아크릴로일기를 하나 갖는 것이 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들어 2-(메트)아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(2-이소시아나토에틸(메트)아크릴레이트)를 들 수 있다.It is preferable that the said isocyanate group-containing (meth)acrylate monomer has one isocyanate group in a molecule|numerator, and one (meth)acryloyl group. Examples of such a monomer include 2-(meth)acryloyloxyethyl isocyanate (2-isocyanatoethyl (meth)acrylate).

본 실시 형태에 있어서의 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 이소시아네이트 화합물을 더 포함한다. 이소시아네이트 화합물의 일부는, 우레탄화 반응 등에 의해 반응한 후의 상태여도 된다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 in the present embodiment further contains an isocyanate compound. Some of the isocyanate compounds may be in a state after reacting by a urethanization reaction or the like.

이소시아네이트 화합물은, 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 갖는다. 이소시아네이트 화합물이 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 가짐으로써, 점착제층(22)에 있어서의 아크릴 폴리머 사이의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 이소시아네이트 화합물 중 한쪽의 이소시아네이트기를 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시키고, 다른 쪽의 이소시아네이트기를 다른 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시킴으로써, 이소시아네이트 화합물을 통한 가교 반응을 진행시킬 수 있다.The isocyanate compound has a plurality of isocyanate groups in the molecule. When the isocyanate compound has a plurality of isocyanate groups in the molecule, the crosslinking reaction between the acrylic polymers in the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be advanced. Specifically, by making one isocyanate group of an isocyanate compound react with the hydroxyl group of an acrylic polymer, and making the other isocyanate group react with the hydroxyl group of another acrylic polymer, the crosslinking reaction through an isocyanate compound can be advanced.

이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트, 또는 방향 지방족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트를 들 수 있다.As an isocyanate compound, diisocyanate, such as an aliphatic diisocyanate, an alicyclic diisocyanate, or an aromatic aliphatic diisocyanate, is mentioned, for example.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 디이소시아네이트의 2량체나 3량체 등의 중합 폴리이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐렌폴리이소시아네이트를 들 수 있다.Further, examples of the isocyanate compound include polymerized polyisocyanates such as dimers and trimers of diisocyanates, and polymethylene polyphenylene polyisocyanates.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 상술한 이소시아네이트 화합물의 과잉량과, 활성 수소 함유 화합물을 반응시킨 폴리이소시아네이트를 들 수 있다. 활성 수소 함유 화합물로서는, 활성 수소 함유 저분자량 화합물, 활성 수소 함유 고분자량 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, as an isocyanate compound, the polyisocyanate which made the excess amount of the above-mentioned isocyanate compound and an active hydrogen-containing compound react is mentioned, for example. Examples of the active hydrogen-containing compound include active hydrogen-containing low molecular weight compounds and active hydrogen-containing high molecular weight compounds.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 알로파네이트화 폴리이소시아네이트, 뷰렛화 폴리이소시아네이트 등도 사용할 수 있다.Moreover, as an isocyanate compound, allophanated polyisocyanate, biuret-type polyisocyanate, etc. can also be used.

상기 이소시아네이트 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These isocyanate compounds may be used alone or in combination of two or more.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트와 활성 수소 함유 저분자량 화합물의 반응물이 바람직하다. 방향족 디이소시아네이트의 반응물은, 이소시아네이트기의 반응 속도가 비교적 느리기 때문에, 이러한 반응물을 포함하는 점착제층(22)은, 과도하게 경화되어 버리는 것이 억제된다. 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.As the isocyanate compound, a reaction product of an aromatic diisocyanate and an active hydrogen-containing low molecular weight compound is preferable. Since the reaction rate of the reaction product of the aromatic diisocyanate group is relatively slow, the pressure-sensitive adhesive layer 22 containing such a reaction product is suppressed from being excessively cured. As said isocyanate compound, it is preferable to have 3 or more isocyanate groups in a molecule|numerator.

점착제층(22)에 포함되는 중합 개시제는, 가해진 열이나 광의 에너지에 의해 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이다. 점착제층(22)이 중합 개시제를 포함함으로써, 점착제층(22)에 열 에너지나 광 에너지를 부여했을 때, 아크릴 폴리머 사이에 있어서의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머 사이에 있어서, 중합성기끼리의 중합 반응을 개시시켜, 점착제층(22)을 경화시킬 수 있다. 이에 의해, 점착제층(22)의 점착력을 저하시키고, 픽업 공정에 있어서, 경화한 점착제층(22)으로부터 다이 본드층(10)을 용이하게 박리시킬 수 있다.The polymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22 is a compound capable of initiating a polymerization reaction by applied heat or energy of light. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains a polymerization initiator, when heat energy or light energy is applied to the pressure-sensitive adhesive layer 22, the crosslinking reaction between the acrylic polymers can be advanced. Specifically, between acrylic polymers having a structural unit of a polymerizable group-containing (meth)acrylate, a polymerization reaction between polymerizable groups can be initiated to cure the pressure-sensitive adhesive layer 22. Thereby, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is lowered, and the die-bonding layer 10 can be easily peeled from the cured pressure-sensitive adhesive layer 22 in the pickup step.

중합 개시제로서는, 예를 들어 광중합 개시제 또는 열 중합 개시제 등이 채용된다. 중합 개시제로서는, 일반적인 시판 제품을 사용할 수 있다.As a polymerization initiator, a photoinitiator, a thermal polymerization initiator, etc. are adopted, for example. As the polymerization initiator, general commercial products can be used.

점착제층(22)은, 상술한 성분 이외의 그 밖의 성분을 더 포함할 수 있다. 그 밖의 성분으로서는, 예를 들어 점착 부여제, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 내열 안정제, 대전 방지제, 계면 활성제, 경박리화제 등을 들 수 있다. 그 밖의 성분의 종류 및 사용량은, 목적에 따라 적절하게 선택될 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 may further contain other components other than the above-described components. Examples of other components include tackifiers, plasticizers, fillers, anti-aging agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, light stabilizers, heat-resistant stabilizers, antistatic agents, surfactants, and light peeling agents. The type and amount of other ingredients may be appropriately selected depending on the purpose.

다음으로, 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에 대하여 상세히 설명한다.Next, the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment will be described in detail.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 상술한 다이싱 테이프(20)와, 해당 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 적층된 다이 본드층(10)을 구비한다. 다이 본드층(10)은, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼에 접착되게 된다.The dicing die-bonding film 1 of the present embodiment includes the above-described dicing tape 20 and the die-bonding layer 10 laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20. The die bonding layer 10 is adhered to a semiconductor wafer in manufacturing a semiconductor integrated circuit.

다이 본드층(10)은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함할 수 있다. 다이 본드층(10)은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.The die bonding layer 10 may contain at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin. It is preferable that the die bonding layer 10 contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다. 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등을 보다 적게 함유한다는 점에서, 상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지의 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.As a thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, a thermosetting polyimide resin, etc. are mentioned, for example. As the thermosetting resin, only one type or two or more types are employed. Epoxy resin is preferable as the thermosetting resin from the viewpoint of containing less ionic impurities or the like that may cause corrosion of the semiconductor chip to be die-bonded. As a curing agent for an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 또는 글리시딜아민형의 각 에폭시 수지를 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type , Orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, or glycidylamine type epoxy resin.

페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시 스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다.The phenol resin can function as a curing agent for an epoxy resin. As a phenol resin, polyoxystyrene, such as a novolak type phenol resin, a resol type phenol resin, and polyparaoxy styrene, etc. are mentioned, for example.

노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다.As a novolak type phenol resin, a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, a tert-butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin, etc. are mentioned, for example.

상기 페놀 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.As the phenol resin, only one type or two or more types are employed.

다이 본드층(10)에 있어서, 페놀 수지의 수산기는, 에폭시 수지의 에폭시기 1당량당, 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 보다 바람직하게는 0.7당량 이상 1.5당량 이하이다. 이에 의해, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.In the die-bonding layer 10, the hydroxyl group of the phenol resin is per 1 equivalent of the epoxy group of the epoxy resin, preferably 0.5 equivalents or more and 2.0 equivalents or less, and more preferably 0.7 equivalents or more and 1.5 equivalents or less. Thereby, it is possible to sufficiently advance the curing reaction of the epoxy resin and the phenol resin.

다이 본드층(10)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 다이 본드층(10)에 있어서의 이러한 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드층(10)의 총 질량에 대하여, 5질량％ 이상 60질량％ 이하가 바람직하고, 10질량％ 이상 50질량％ 이하가 보다 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드층(10)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킬 수 있다.When the die bonding layer 10 contains a thermosetting resin, the content ratio of the thermosetting resin in the die bonding layer 10 is 5% by mass or more and 60% by mass with respect to the total mass of the die bonding layer 10. The following are preferable, and 10 mass% or more and 50 mass% or less are more preferable. Thereby, in the die-bonding layer 10, the function as a thermosetting adhesive can be appropriately expressed.

다이 본드층(10)에 포함될 수 있는 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론(상품명) 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.As a thermoplastic resin that can be included in the die bonding layer 10, for example, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, poly Butadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon (brand name), phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET or PBT, poly An amidimide resin, a fluororesin, and the like.

상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적으면서 내열성이 높기 때문에 다이 본드층(10)의 접착성을 보다 확보할 수 있다는 점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.As the thermoplastic resin, since there are few ionic impurities and high heat resistance, the adhesiveness of the die-bonding layer 10 can be more secured, and an acrylic resin is preferable.

상기 열가소성 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.As the thermoplastic resin, only one type or two or more types are employed.

상기 아크릴 수지는, 분자 중의 구성 단위 중, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위가 질량 비율로 가장 많은 폴리머인 것이 바람직하다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.It is preferable that the said acrylic resin is a polymer in which the structural unit of an alkyl (meth)acrylate is the largest among structural units in a molecule|numerator by mass ratio. Examples of the alkyl (meth)acrylate include C2 to C4 alkyl (meth)acrylate.

상기 아크릴 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다.The acrylic resin may contain a structural unit derived from another monomer component copolymerizable with an alkyl (meth)acrylate monomer.

상기 다른 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머, 또는 그 밖에 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다.Examples of the other monomer components include a carboxyl group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxy group-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphate group-containing monomer, an acrylamide, an acrylonitrile, or other functional group-containing monomer, or a monomer thereof. In addition, various polyfunctional monomers, etc. can be mentioned.

상기 아크릴 수지는, 다이 본드층(10)에 있어서 보다 높은 응집력을 발휘할 수 있다는 점에서, 바람직하게는 알킬(메트)아크릴레이트(특히, 알킬 부분의 탄소수가 4 이하의 알킬(메트)아크릴레이트)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체이고, 보다 바람직하게는, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체이다.The acrylic resin is preferably an alkyl (meth)acrylate (particularly, an alkyl (meth)acrylate having 4 or less carbon atoms in the alkyl moiety) from the viewpoint of being able to exhibit a higher cohesive force in the die-bonding layer 10. And, a carboxy group-containing monomer, a nitrogen atom-containing monomer, and a polyfunctional monomer (especially a polyglycidyl polyfunctional monomer), and more preferably ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylic acid, and acrylonitrile. And, it is a copolymer of polyglycidyl (meth)acrylate.

상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, 다이 본드층(10)의 탄성이나 점성을 원하는 범위 내로 설정하기 쉽다고 하는 점에서, -50℃ 이상 50℃ 이하인 것이 바람직하고, 10℃ 이상 30℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -50°C or more and 50°C or less, and 10°C or more and 30°C or less from the viewpoint of being easy to set the elasticity and viscosity of the die-bonding layer 10 within a desired range. It is more preferable.

다이 본드층(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 경우, 다이 본드층(10)에 있어서의 상기 열가소성 수지의 함유 비율은, 필러를 제외한 유기 성분(예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화 촉매 등, 실란 커플링제, 염료)의 총 질량에 대하여, 바람직하게는 30질량％ 이상 70질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이상 60질량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 45질량％ 이상 55질량％ 이하이다. 또한, 열경화성 수지의 함유 비율을 변화시킴으로써, 다이 본드층(10)의 탄성이나 점성을 조정할 수 있다.When the die-bonding layer 10 contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin, the content ratio of the thermoplastic resin in the die-bonding layer 10 is an organic component excluding a filler (for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, With respect to the total mass of a silane coupling agent, dye), such as a curing catalyst, Preferably it is 30 mass% or more and 70 mass% or less, More preferably, it is 40 mass% or more and 60 mass% or less, More preferably 45 mass% It is more than 55 mass %. Further, by changing the content ratio of the thermosetting resin, the elasticity and viscosity of the die-bonding layer 10 can be adjusted.

다이 본드층(10)의 열가소성 수지가 열경화성 관능기를 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 채용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지는, 바람직하게는 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 가장 많은 질량 비율로 포함한다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 상기 예시의 (메트) 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.When the thermoplastic resin of the die bonding layer 10 has a thermosetting functional group, as the thermoplastic resin, for example, an acrylic resin containing a thermosetting functional group can be employed. This thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate in the molecule in the largest mass ratio. As said alkyl (meth)acrylate, the (meth)alkyl (meth)acrylate of the said example is mentioned, for example.

한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다.On the other hand, as a thermosetting functional group in a thermosetting functional group-containing acrylic resin, a glycidyl group, a carboxyl group, a hydroxy group, an isocyanate group, etc. are mentioned, for example.

다이 본드층(10)은, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 복수의 페놀 구조를 갖는 화합물을 경화제로서 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상술한 각종 페놀 수지를 경화제로서 사용할 수 있다.It is preferable that the die-bonding layer 10 contains a thermosetting functional group-containing acrylic resin and a curing agent. When the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, it is preferable to use a compound having a plurality of phenol structures as a curing agent. For example, various phenolic resins described above can be used as a curing agent.

다이 본드층(10)은, 바람직하게는 필러를 함유한다. 다이 본드층(10)에 있어서의 필러의 양을 바꿈으로써, 다이 본드층(10)의 탄성 및 점성을 보다 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 다이 본드층(10)의 도전성, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다.The die bonding layer 10 preferably contains a filler. By changing the amount of the filler in the die-bonding layer 10, the elasticity and viscosity of the die-bonding layer 10 can be more easily adjusted. In addition, physical properties such as conductivity, thermal conductivity, and elastic modulus of the die-bonding layer 10 can be adjusted.

필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다.Examples of the filler include inorganic fillers and organic fillers. As a filler, an inorganic filler is preferable.

무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카나 비정질 실리카와 같은 실리카 등을 포함하는 필러를 들 수 있다. 또한, 무기 필러의 재질로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금 등을 들 수 있다. 붕산 알루미늄 위스커, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등의 필러여도 된다. 필러의 형상은, 구상, 침상, 플레이크상 등의 각종 형상이어도 된다. 필러로서는, 상기 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.Examples of the inorganic filler include silica such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica or amorphous silica. The filler to contain is mentioned. Further, examples of the material of the inorganic filler include metals such as aluminum, gold, silver, copper, and nickel, or alloys. A filler, such as aluminum borate whisker, amorphous carbon black, and graphite, may be sufficient. The shape of the filler may be various shapes such as a spherical shape, a needle shape, and a flake shape. As a filler, only the said 1 type or 2 or more types are adopted.

상기 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005㎛ 이상 10㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.005㎛ 이상 1㎛ 이하이다. 상기 평균 입경이 0.005㎛ 이상임으로써, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 습윤성, 접착성이 보다 향상된다. 상기 평균 입경이 10㎛ 이하임으로써, 첨가한 필러에 의한 특성을 보다 충분히 발휘시킬 수 있고, 또한, 다이 본드층(10)의 내열성을 보다 발휘시킬 수 있다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식 입도 분포계(예를 들어, 제품명 「LA-910」, 호리바 세이사쿠쇼사제)를 사용하여 구할 수 있다.The average particle diameter of the filler is preferably 0.005 µm or more and 10 µm or less, and more preferably 0.005 µm or more and 1 µm or less. When the average particle diameter is 0.005 µm or more, wettability and adhesion to an adherend such as a semiconductor wafer are further improved. When the said average particle diameter is 10 micrometers or less, the characteristic by the added filler can be exhibited more fully, and the heat resistance of the die-bonding layer 10 can be demonstrated more. The average particle diameter of the filler can be obtained using, for example, a photometric particle size distribution meter (for example, the product name "LA-910", manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.).

다이 본드층(10)이 필러를 포함하는 경우, 상기 필러의 함유 비율은, 다이 본드층(10)의 총 질량에 대하여, 바람직하게는 30질량％ 이상 70질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이상 60질량％ 이하이며, 더욱 바람직하게는 42질량％ 이상 55질량％ 이하이다.When the die-bonding layer 10 contains a filler, the content ratio of the filler is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, and more preferably 40% by mass, based on the total mass of the die-bonding layer 10. It is mass% or more and 60 mass% or less, More preferably, it is 42 mass% or more and 55 mass% or less.

다이 본드층(10)은, 필요에 따라서 다른 성분을 포함해도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다.The die-bonding layer 10 may contain other components as necessary. Examples of the other components include a curing catalyst, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trapping agent, and a dye.

난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin.

실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. have.

이온 트랩제로서는, 예를 들어 하이드로탈사이트류, 수산화비스무트, 벤조트리아졸 등을 들 수 있다.Examples of the ion trapping agent include hydrotalcite, bismuth hydroxide, and benzotriazole.

상기 다른 첨가제로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.As said other additive, only 1 type or 2 or more types are employed.

다이 본드층(10)은, 탄성 및 점성을 조정하기 쉽다고 하는 점에서, 바람직하게는 열가소성 수지(특히, 아크릴 수지), 열경화성 수지 및 필러를 포함한다.The die-bonding layer 10 preferably contains a thermoplastic resin (particularly, an acrylic resin), a thermosetting resin, and a filler from the viewpoint of being easy to adjust the elasticity and viscosity.

다이 본드층(10)의 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다. 또한, 다이 본드층(10)이 적층체인 경우, 상기 두께는, 적층체의 총 두께이다.The thickness of the die-bonding layer 10 is not particularly limited, but is, for example, 1 µm or more and 200 µm or less. Such thickness may be 3 µm or more and 150 µm or less, or 5 µm or more and 100 µm or less. In addition, when the die-bonding layer 10 is a laminated body, the thickness is the total thickness of the laminated body.

다이 본드층(10)의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 0℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 10℃ 이상이다. 상기 유리 전이 온도가 0℃ 이상임으로써, 저온 익스팬드에 의해 다이 본드층(10)을 용이하게 할단할 수 있다. 다이 본드층(10)의 유리 전이 온도의 상한은, 예를 들어 100℃이다.The glass transition temperature (Tg) of the die bonding layer 10 is preferably 0°C or higher, and more preferably 10°C or higher. When the glass transition temperature is 0° C. or higher, the die bond layer 10 can be easily cleaved by low-temperature expansion. The upper limit of the glass transition temperature of the die bonding layer 10 is, for example, 100°C.

다이 본드층(10)은, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 단층 구조를 가져도 된다. 본 명세서에 있어서, 단층이란, 동일한 조성물로 형성된 층만을 갖는 것이다. 동일한 조성물로 형성된 층이 복수 적층된 형태도 단층이다.The die-bonding layer 10 may have a single-layer structure, for example, as shown in FIG. 1. In this specification, a single layer has only a layer formed of the same composition. The form in which multiple layers formed of the same composition are stacked is also a single layer.

한편, 다이 본드층(10)은, 예를 들어 2종 이상의 다른 조성물로 각각 형성된 층이 적층된 다층 구조를 가져도 된다.On the other hand, the die-bonding layer 10 may have a multilayer structure in which layers each formed of two or more different compositions are stacked, for example.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에서는, 사용될 때, 활성 에너지선(예를 들어 자외선)이 조사됨으로써, 점착제층(22)이 경화된다. 상세하게는, 한쪽 면에 반도체 웨이퍼가 접착된 다이 본드층(10)과, 해당 다이 본드층(10)의 다른 쪽 면에 접합된 점착제층(22)이 적층된 상태에서, 자외선 등이 적어도 점착제층(22)에 조사된다. 예를 들어, 기재층(21)이 배치되어 있는 쪽으로부터 자외선 등을 조사하여, 기재층(21)을 거친 자외선 등이 점착제층(22)에 도달한다. 자외선 등의 조사에 의해, 점착제층(22)이 경화한다.In the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment, when used, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by being irradiated with an active energy ray (for example, ultraviolet rays). Specifically, in a state in which the die bond layer 10 to which the semiconductor wafer is adhered to one side and the pressure-sensitive adhesive layer 22 bonded to the other side of the die bond layer 10 are stacked, ultraviolet rays or the like are at least a pressure-sensitive adhesive. The layer 22 is irradiated. For example, an ultraviolet ray or the like is irradiated from the side on which the base layer 21 is disposed, and the ultraviolet ray or the like that has passed through the base layer 21 reaches the pressure-sensitive adhesive layer 22. The pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by irradiation such as ultraviolet rays.

조사 후에 점착제층(22)이 경화함으로써, 점착제층(22)의 점착력을 낮출 수 있으므로, 조사 후에 점착제층(22)으로부터 다이 본드층(10)(반도체 웨이퍼가 접착한 상태)을 비교적 용이하게 박리시킬 수 있다.Since the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be lowered by curing the pressure-sensitive adhesive layer 22 after irradiation, the die-bonding layer 10 (a state in which the semiconductor wafer is adhered) is relatively easily peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 22 after irradiation. I can make it.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 사용되기 전의 상태에 있어서, 다이 본드층(10)의 한쪽 면(다이 본드층(10)이 점착제층(22)과 겹쳐 있지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 박리 시트는, 다이 본드층(10)을 보호하기 위해 사용되고, 다이 본드층(10)에 피착체(예를 들어 반도체 웨이퍼)를 첩부하기 직전에 박리된다.In the state before use, the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment has one surface of the die-bonding layer 10 (the surface in which the die-bonding layer 10 does not overlap the pressure-sensitive adhesive layer 22). You may provide a covering release sheet. The release sheet is used to protect the die-bonding layer 10 and is peeled immediately before affixing an adherend (for example, a semiconductor wafer) to the die-bonding layer 10.

이 박리 시트로서는, 상술한 박리 시트와 마찬가지의 것을 채용할 수 있다. 이 박리 시트는, 다이 본드층(10)을 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 박리 시트는, 점착제층(22)의 위에 다이 본드층(10)을 겹칠 때, 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 다이 본드층(10)이 적층된 상태에서 다이 본드층(10)을 점착제층(22)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리함(전사함)으로써, 점착제층(22)의 위에 다이 본드층(10)을 겹칠 수 있다.As this release sheet, the same thing as the release sheet mentioned above can be adopted. This release sheet can be used as a support material for supporting the die bonding layer 10. The release sheet is suitably used when overlapping the die-bonding layer 10 on the pressure-sensitive adhesive layer 22. Specifically, by overlapping the die-bonding layer 10 on the pressure-sensitive adhesive layer 22 in a state in which the release sheet and the die-bonding layer 10 are stacked, and then peeling the release sheet (transferring), the pressure-sensitive adhesive layer 22 ) On top of the die bond layer 10 may be overlapped.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 이상과 같이 구성되어 있는 점에서, 후술하는 상온 익스팬드 공정 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.Since the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment is configured as described above, the cuff can be satisfactorily maintained after the room temperature expansion step described later.

다음으로, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(20) 및 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of manufacturing the dicing tape 20 and the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment will be described.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법은,The manufacturing method of the dicing die-bonding film 1 of this embodiment,

다이싱 테이프(20)를 제조하는 공정(다이싱 테이프의 제조 방법)과, 제조된 다이싱 테이프(20)에 다이 본드층(10)을 겹쳐 다이싱 다이 본드 필름(1)을 제조하는 공정을 구비한다.The process of manufacturing the dicing tape 20 (the manufacturing method of the dicing tape) and the process of manufacturing the dicing die-bonding film 1 by overlapping the die-bonding layer 10 on the manufactured dicing tape 20 are described. Equipped.

다이싱 테이프의 제조 방법(다이싱 테이프를 제조하는 공정)은,The manufacturing method (process of manufacturing a dicing tape) of a dicing tape,

아크릴 폴리머를 합성하는 합성 공정과,Synthesis process of synthesizing acrylic polymer,

상술한 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제와, 용매와, 목적에 따라서 적절히 추가하는 그 밖의 성분을 포함하는 점착제 조성물로부터 용매를 휘발시켜 점착제층(22)을 제작하는 점착제층 제작 공정과,A pressure-sensitive adhesive layer production step of producing the pressure-sensitive adhesive layer 22 by volatilizing a solvent from the pressure-sensitive adhesive composition containing the above-described acrylic polymer, an isocyanate compound, a polymerization initiator, a solvent, and other components appropriately added depending on the purpose;

기재층(21)을 제작하는 기재층 제작 공정과,The base layer manufacturing process of manufacturing the base layer 21, and

점착제층(22)과 기재층(21)을 접합함으로써, 기재층(21)과 점착제층(22)을 적층시키는 적층 공정을 구비한다.A lamination step of laminating the substrate layer 21 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is provided by bonding the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the substrate layer 21.

합성 공정에서는, 예를 들어 C9 내지 C11 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머를 라디칼 중합시킴으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성한다.In the synthesis step, an acrylic polymer intermediate is synthesized by radical polymerization of, for example, a C9 to C11 alkyl (meth)acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer.

라디칼 중합은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 상기 각 모노머를 용매에 용해시켜 가열하면서 교반하고, 중합 개시제를 첨가함으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성할 수 있다. 아크릴 폴리머의 분자량을 조정하기 위해서, 연쇄 이동제의 존재하에서 중합을 행해도 된다.Radical polymerization can be performed by a general method. For example, an acrylic polymer intermediate can be synthesized by dissolving each of the above monomers in a solvent, stirring while heating, and adding a polymerization initiator. In order to adjust the molecular weight of the acrylic polymer, polymerization may be performed in the presence of a chain transfer agent.

다음으로, 아크릴 폴리머 중간체에 포함되는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응에 의해 결합시킨다. 이에 의해, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위가 된다.Next, the hydroxyl group of a part of the structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate contained in the acrylic polymer intermediate and the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer are bonded to each other by a urethanization reaction. Thereby, some of the structural units of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate become the structural units of the polymerizable group-containing (meth)acrylate.

우레탄화 반응은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 용매 및 우레탄화 촉매의 존재하에서, 가열하면서 아크릴 폴리머 중간체와 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머를 교반한다. 이에 의해, 아크릴 폴리머 중간체의 수산기의 일부에, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를 우레탄 결합시킬 수 있다.The urethanization reaction can be performed by a general method. For example, in the presence of a solvent and a urethanization catalyst, the acrylic polymer intermediate and the isocyanate group-containing polymerizable monomer are stirred while heating. Thereby, the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer can be urethane bonded to a part of the hydroxyl groups of the acrylic polymer intermediate.

점착제층 제작 공정에서는, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 용매에 용해시켜, 점착제 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 다음으로, 점착제 조성물을 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 도포한 조성물에, 탈용매 처리나 고화 처리 등을 실시함으로써, 도포한 점착제 조성물을 고화시켜, 점착제층(22)을 제작한다.In the pressure-sensitive adhesive layer production process, for example, an acrylic polymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator are dissolved in a solvent to prepare a pressure-sensitive adhesive composition. By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted. Next, the pressure-sensitive adhesive composition is applied to the release sheet. As the coating method, for example, a general coating method such as roll coating, screen coating, and gravure coating is adopted. By subjecting the applied composition to a solvent removal treatment, a solidification treatment, or the like, the applied pressure-sensitive adhesive composition is solidified, and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is produced.

기재층 제작 공정에서는, 일반적인 방법에 의해 제막하여 기재층(21)을 제작할 수 있다. 제막하는 방법으로서는, 예를 들어, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다. 공압출 성형법을 채용해도 된다. 또한, 기재층(21)으로서, 시판 중인 필름 등을 사용해도 된다.In the base material layer production process, the base material layer 21 can be produced by forming a film by a general method. As a method of forming a film, a calender film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a dry lamination method, and the like can be mentioned. You may adopt a co-extrusion molding method. Further, as the substrate layer 21, a commercially available film or the like may be used.

적층 공정에서는, 박리 시트에 겹친 상태의 점착제층(22)과 기재층(21)을 겹쳐 적층시킨다. 또한, 박리 시트는, 사용 전까지 점착제층(22)에 겹친 상태여도 된다.In the lamination process, the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the substrate layer 21 in a state of being superposed on the release sheet are stacked and laminated. Further, the release sheet may be in a state of being overlaid on the pressure-sensitive adhesive layer 22 before use.

또한, 가교제와 아크릴 폴리머의 반응을 촉진하기 위해서, 또한, 가교제와 기재층(21)의 표면 부분의 반응을 촉진하기 위해서, 적층 공정 후에, 50℃ 환경하에서, 48시간의 에이징 처리 공정을 실시해도 된다.In addition, in order to accelerate the reaction between the crosslinking agent and the acrylic polymer, and in order to accelerate the reaction between the crosslinking agent and the surface portion of the substrate layer 21, after the lamination process, an aging treatment process of 48 hours in an environment at 50°C may be performed. do.

이들 공정에 의해, 다이싱 테이프(20)를 제조할 수 있다.By these processes, the dicing tape 20 can be manufactured.

다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법(다이싱 다이 본드 필름을 제조하는 공정)은,The manufacturing method of a dicing die-bonding film (process of manufacturing a dicing die-bonding film),

다이 본드층(10)을 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하는 수지 조성물 조제 공정과,A resin composition preparation step of preparing a resin composition for forming the die-bonding layer 10, and

수지 조성물로부터 다이 본드층(10)을 제작하는 다이 본드층 제작 공정과,A die-bonding layer production process of producing the die-bonding layer 10 from the resin composition, and

상기와 같이 제조한 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이 본드층(10)을 첩부하는 첩부 공정을 구비한다.An attaching step of attaching the die bonding layer 10 to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 prepared as described above is provided.

수지 조성물 조제 공정에서는, 예를 들어 에폭시 수지, 에폭시 수지의 경화 촉매, 아크릴 수지, 페놀 수지, 용매 등을 혼합하여, 각 수지를 용매에 용해시킴으로써 수지 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 또한, 이들 수지로서는, 시판 중인 제품을 사용할 수 있다.In the resin composition preparation step, for example, an epoxy resin, a curing catalyst for an epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a solvent, and the like are mixed and each resin is dissolved in a solvent to prepare a resin composition. By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted. In addition, as these resins, commercially available products can be used.

다이 본드층 제작 공정에서는, 예를 들어 상기한 바와 같이 조제한 수지 조성물을, 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지는 않고 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 이어서, 필요에 따라서, 탈용매 처리나 경화 처리 등에 의해, 도포한 조성물을 고화시켜, 다이 본드층(10)을 제작한다.In the die-bonding layer production process, for example, the resin composition prepared as described above is applied to the release sheet. It does not specifically limit as a coating method, For example, general coating methods, such as roll coating construction, screen coating construction, and gravure coating construction, are adopted. Subsequently, if necessary, the applied composition is solidified by a solvent removal treatment, a curing treatment, or the like, and the die-bonding layer 10 is produced.

첩부 공정에서는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 및 다이 본드층(10)으로부터 각각 박리 시트를 박리하고, 다이 본드층(10)과 점착제층(22)이 직접 접촉하도록, 양자를 접합한다. 예를 들어, 압착함으로써 접합할 수 있다. 접합할 때의 온도는, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 30℃ 이상 50℃ 이하이고, 바람직하게는 35℃ 이상 45℃ 이하이다. 접합할 때의 선압은, 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 0.1kgf/㎝ 이상 20kgf/㎝ 이하이고, 보다 바람직하게는 1kgf/㎝ 이상 10kgf/㎝ 이하이다.In the affixing process, the peeling sheets are peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding layer 10 of the dicing tape 20, respectively, so that the die-bonding layer 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 are in direct contact with each other. Join. For example, it can be bonded by pressing. The temperature at the time of bonding is not particularly limited, and is, for example, 30°C or more and 50°C or less, and preferably 35°C or more and 45°C or less. The line pressure at the time of bonding is not particularly limited, but is preferably 0.1 kgf/cm or more and 20 kgf/cm or less, and more preferably 1 kgf/cm or more and 10 kgf/cm or less.

상기한 바와 같이 제조된 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 사용에 있어서의 구체예에 대하여 설명한다.The dicing die-bonding film 1 manufactured as described above is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor integrated circuit. Hereinafter, specific examples in use will be described.

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로, 회로면이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 공정을 구비한다.A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit generally includes a step of cutting out a chip from a semiconductor wafer on which a circuit surface is formed and performing assembly.

이 공정은, 예를 들어 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)에 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하고, 또한 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 하프컷 공정과, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층(10)에 첩부하고, 다이싱 테이프(20)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 다이 본드층(10)과 점착제층(22)의 사이를 박리하여 다이 본드층(10)이 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층(10)이 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.This process includes, for example, a half-cut process in which a groove is formed in a semiconductor wafer to process a semiconductor wafer into a chip (die) by a cutting process, and the semiconductor wafer is ground to reduce the thickness, and a half-cut processed semiconductor. A mounting process of attaching one side of the wafer (e.g., the side opposite to the circuit side) to the die bonding layer 10 and fixing the semiconductor wafer to the dicing tape 20, and the half-cut semiconductor chips A pick-up process in which a semiconductor chip (die) is taken out while the die-bonding layer 10 is affixed by peeling the gap between the die-bonding layer 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22, and the die It has a die bonding process of adhering the semiconductor chip (die) in the state where the bonding layer 10 is affixed to the adherend. When performing these processes, the dicing tape (dicing die-bonding film) of this embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.

하프컷 공정에서는, 도 2a 내지 도 2d에 도시한 바와 같이, 반도체 집적 회로를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 W의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프 T에 다이싱 링 R을 설치한다. 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한 상태에서, 분할용 홈을 형성한다. 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프 G를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프 T를 박리한다. 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께가 될 때까지 연삭 가공을 실시한다.In the half-cut process, as shown in Figs. 2A to 2D, half-cut processing is performed to cut the semiconductor integrated circuit into small pieces (die). Specifically, the wafer processing tape T is affixed on the surface of the semiconductor wafer W on the opposite side to the circuit surface. Further, a dicing ring R is provided on the wafer processing tape T. In the state where the wafer processing tape T is affixed, a dividing groove is formed. While the backgrind tape G is affixed to the grooved surface, the wafer processing tape T that was first affixed is peeled off. Grinding is performed until the semiconductor wafer W has a predetermined thickness while the backgrinding tape G is affixed thereto.

마운트 공정에서는, 도 3a 내지 도 3b에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치하면서, 노출된 다이 본드층(10)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다. 그 후, 반도체 웨이퍼 W로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다.In the mounting process, as shown in Figs. 3A to 3B, while installing a dicing ring R on the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20, the surface of the exposed die-bonding layer 10 is half-cut. The processed semiconductor wafer W is affixed. After that, the backgrind tape G is peeled from the semiconductor wafer W.

익스팬드 공정에서는, 도 4a 내지 도 4c에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 익스팬드 장치의 유지구 H에 고정한다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 방향으로 넓어지도록 잡아늘인다. 이에 의해, 특정한 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 0℃이며, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(여기까지 저온 익스팬드 공정). 또한, 익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5b에 도시한 바와 같이, 더 높은 온도 조건 하에서, 면적을 넓히도록 다이싱 테이프(20)를 잡아늘인다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩을 필름면의 면 방향으로 분리하여, 커프(간격)를 더 넓힌다(상온 익스팬드 공정).In the expanding process, as shown in Figs. 4A to 4C, after the dicing ring R is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20, it is fixed to the holder H of the expander. The dicing die-bonding film 1 is stretched so as to widen in the direction by pushing up the push-up member U provided in the expander from the lower side of the dicing die-bonding film 1. Thereby, under a specific temperature condition, the semiconductor wafer W processed by half cut is cut|disconnected. The temperature conditions are, for example, -20 to 0°C, preferably -15 to 0°C, and more preferably -10 to -5°C. The expanded state is canceled by lowering the push-up member U (low temperature expand process up to this point). Further, in the expand process, as shown in Figs. 5A to 5B, the dicing tape 20 is stretched to increase the area under a higher temperature condition. Thereby, the divided adjacent semiconductor chips are separated in the plane direction of the film surface, and the cuff (interval) is further widened (room temperature expansion process).

픽업 공정에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이 본드층(10)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상의 반도체 칩을, 다이싱 테이프(20)를 통해 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그 J에 의해 보유 지지한다.In the pick-up process, as shown in FIG. 6, the semiconductor chip in a state in which the die bonding layer 10 is affixed is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20. Specifically, the pin member P is raised, and the semiconductor chip to be picked up is pushed up through the dicing tape 20. The pushed-up semiconductor chip is held by the suction jig J.

다이 본드 공정에서는, 다이 본드층(10)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체에 접착시킨다.In the die bonding process, the semiconductor chip in a state in which the die bonding layer 10 is affixed is bonded to the adherend.

상술한 바와 같이, 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)(다이싱 테이프(20))은, 상기 공정에서 사용되고, 저온 익스팬드 공정에서는, 0℃ 이하에 있어서, 다이 본드층(10)에 웨이퍼가 접착된 상태에서, 다이싱 테이프(20)가 연신되고, 웨이퍼가 다이 본드층(10)과 함께 할단된다. 또한, 상온에서의 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱 테이프(20)이 연신된다.As described above, the dicing die-bonding film 1 (dicing tape 20) of the present embodiment is used in the above process, and in the low-temperature expanding process, at 0°C or less, the die-bonding layer 10 In a state in which the wafer is adhered to, the dicing tape 20 is stretched, and the wafer is cut together with the die bonding layer 10. Further, in the expanding process at room temperature, the dicing tape 20 is stretched.

또한, 저온 익스팬드 공정에서의 온도는, 통상, 0℃ 이하이고, 예를 들어 -15℃ 내지 0℃의 온도이다. 상온에서의 익스팬드 공정에서의 온도는, 예를 들어 10℃ 내지 25℃의 온도이다.In addition, the temperature in the low-temperature expansion process is usually 0°C or less, for example, -15°C to 0°C. The temperature in the expand process at room temperature is, for example, a temperature of 10°C to 25°C.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.Matters disclosed by this specification include the following.

(1)(One)

기재층과, 해당 기재층보다도 점착성이 높은 점착제층을 구비하고,A substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer having higher adhesion than the substrate layer are provided,

상기 기재층을 시차 주사 열량 측정에 의해 측정한 차트는, 100℃ 이상 140℃ 이하의 범위에 정점이 있는 흡열 피크를 가지며, 또한, 해당 흡열 피크에 있어서 피크 개시점(A점)과 상기 정점(C점)의 온도차가 20℃ 이상 40℃ 이하인, 다이싱 테이프.The chart in which the substrate layer was measured by differential scanning calorimetry has an endothermic peak having a peak in the range of 100°C or more and 140°C or less, and in the endothermic peak, the peak start point (point A) and the peak ( A dicing tape having a temperature difference of 20°C or more and 40°C or less.

(2)(2)

상기 흡열 피크에 있어서, 상기 피크 개시점(A점)과 피크 종료점(B점)의 온도차가 60℃ 이하인, 상기 (1)에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to (1) above, wherein in the endothermic peak, the temperature difference between the peak start point (point A) and the peak end point (point B) is 60°C or less.

(3)(3)

상기 흡열 피크에 있어서, 상기 피크 개시점(A점)의 온도가 70℃ 이상인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to (1) or (2), wherein in the endothermic peak, the temperature of the peak starting point (point A) is 70°C or higher.

(4)(4)

상기 흡열 피크에 있어서, 피크 종료점(B점)의 온도가 150℃ 이하인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to any one of the above (1) to (3), wherein the temperature at the peak end point (point B) is 150°C or less in the endothermic peak.

(5)(5)

상기 흡열 피크의 상기 정점(C점)의 온도가 105℃ 이상 135℃ 이하인, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to any one of (1) to (4), wherein the temperature of the peak (point C) of the endothermic peak is 105°C or more and 135°C or less.

(6)(6)

상기 기재층은, 단층 구조, 또는 적층 구조를 갖는 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to any one of (1) to (5), wherein the base layer has a single-layer structure or a laminated structure.

(7)(7)

상기 기재층은, 적어도 3층으로 구성되어 있는, 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to any one of (1) to (6), wherein the base material layer is composed of at least three layers.

(8)(8)

상기 기재층은, 3층 구조이며, 외층 1층분의 두께에 대한, 내층의 두께 비(Y 두께/X 두께)는, 5 이상 15 이하인, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The substrate layer has a three-layer structure, and the thickness ratio (Y thickness/X thickness) of the inner layer to the thickness of one outer layer is 5 or more and 15 or less. tape.

(9)(9)

상기 기재층은, 3층 구조를 포함하고, 비 엘라스토머로 형성된 2개의 비 엘라스토머층(X, X)과, 2개의 비 엘라스토머층의 사이에 배치되고 또한 엘라스토머로 형성된 엘라스토머층(Y)을 갖는 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The base layer has a three-layer structure, two non-elastomeric layers (X, X) formed of a non-elastomer, and an elastomer layer (Y) disposed between the two non-elastomeric layers and formed of an elastomer. The dicing tape according to any one of (1) to (8).

(10)(10)

상기 비 엘라스토머층(X)은, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 및 폴리프로필렌으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는, 상기 (9)에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to (9), wherein the non-elastomeric layer (X) contains at least one selected from the group consisting of low-density polyethylene (LDPE), high-density polyethylene (HDPE), and polypropylene.

(11)(11)

상기 엘라스토머층(Y)은, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 및 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머 중 적어도 한쪽을 포함하는, 상기 (9) 또는 (10)에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to (9) or (10), wherein the elastomer layer (Y) contains at least one of an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) and an α-olefin-based thermoplastic elastomer.

(12)(12)

상기 기재층의 두께(총 두께)는, 80㎛ 이상 150㎛ 이하인, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to any one of (1) to (11), wherein the thickness (total thickness) of the substrate layer is 80 µm or more and 150 µm or less.

(13)(13)

상기 다이싱 테이프의 두께(총 두께)에 대하여, 상기 점착제층의 두께가 차지하는 비율은, 5％ 이상 30％ 이하인, 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프.The dicing tape according to any one of the above (1) to (12), wherein the ratio of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer to the thickness (total thickness) of the dicing tape is 5% or more and 30% or less.

(14)(14)

상기 (1) 내지 (13) 중 어느 것에 기재된 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프에 접합된 다이 본드층을 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film comprising the dicing tape according to any one of the above (1) to (13) and a die-bonding layer bonded to the dicing tape.

(15)(15)

상기 다이 본드층은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함하는, 상기 (14)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (14), wherein the die-bonding layer contains at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

(16)(16)

상기 다이 본드층의 두께는, 1㎛ 이상 200㎛ 이하인, 상기 (14) 또는 (15)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (14) or (15), wherein the die-bonding layer has a thickness of 1 µm or more and 200 µm or less.

본 실시 형태의 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름은 상기 예시한 바와 같지만, 본 발명은, 상기 예시된 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름에 한정되는 것은 아니다.The dicing tape and dicing die-bonding film of this embodiment are as exemplified above, but the present invention is not limited to the dicing tape and dicing die-bonding film exemplified above.

즉, 일반적인 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 사용되는 다양한 형태가, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 채용될 수 있다.That is, various forms used in general dicing tapes and dicing die-bonding films can be employed within a range that does not impair the effects of the present invention.

실시예Example

다음으로 실험예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described in more detail by experimental examples, but the present invention is not limited thereto.

이하와 같이 하여, 다이싱 테이프를 제조하였다. 또한, 이 다이싱 테이프를 사용하고, 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.A dicing tape was manufactured in the following manner. Further, this dicing tape was used to prepare a dicing die-bonding film.

<기재층><Base layer>

이하에 나타내는 제품을 원료로서 사용하여, 3층이 적층된 기재층, 또는 단층의 기재층을 제작하였다.Using the product shown below as a raw material, a three-layered substrate layer or a single-layered substrate layer was produced.

·내층을 구성(또는 단층의 기재층을 구성)하는 수지・Resin that constitutes the inner layer (or constitutes a single-layer base layer)

원료명: 울트라센 751 Raw material name: Ultrasen 751

에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지(EVA 아세트산비닐 28질량％ 함유) Ethylene-vinyl acetate copolymer resin (contains 28% by mass of EVA vinyl acetate)

도소사제 Toso Priest

·외층을 구성하는 수지·Resin constituting the outer layer

원료명: 윈테크(WINTEC) WFX4M Raw material name: WINTEC WFX4M

메탈로센폴리프로필렌 Metallocene polypropylene

일본 폴리프로사제 Made by Polypro, Japan

·외층을 구성하는 수지·Resin constituting the outer layer

원료명: 윈테크(WINTEC) WSX03 Raw material name: WINTEC WSX03

메탈로센폴리프로필렌 Metallocene polypropylene

일본 폴리프로사제 Made by Polypro, Japan

·외층을 구성하는 수지·Resin constituting the outer layer

원료명: 노바테크 LC520 Raw material name: Novatech LC520

저밀도 폴리에틸렌(LDPE) Low Density Polyethylene (LDPE)

미츠비시 가가쿠사제 Mitsubishi Chemical Corporation

·외층을 구성하는 수지·Resin constituting the outer layer

원료명: 노블렌 FL6737 Raw material name: Noblen FL6737

랜덤 폴리프로필렌 Random polypropylene

스미토모 가가쿠사제 Sumitomo Chemical Company

(기재층의 성형)(Molding of the base layer)

압출 T 다이 성형기를 사용하여 기재층을 성형하였다. 압출 온도는 190℃였다. 3층 적층 타입의 기재층에 대해서는, T 다이로부터 공압출 성형하여 일체화시켰다. 일체화한 기재층(적층체)이 충분히 고화된 후, 기재층을 롤 형으로 권취하여 보관하였다.The substrate layer was molded using an extrusion T die molding machine. The extrusion temperature was 190°C. The three-layer laminated-type substrate layer was integrated by coextrusion molding from a T-die. After the integrated base layer (laminate) was sufficiently solidified, the base layer was wound up in a roll shape and stored.

또한, 기재층을 구성하는 각 층의 두께 비, 기재층의 총 두께는, 표 1에 나타내는 바와 같다.In addition, the thickness ratio of each layer constituting the base layer and the total thickness of the base layer are as shown in Table 1.

<점착제층><Adhesive layer>

(점착제층(점착제 조성물)의 조제)(Preparation of an adhesive layer (adhesive composition))

하기의 원료를 혼합하여 제1 수지 조성물을 조제하였다.The following raw materials were mixed to prepare a first resin composition.

·INA(이소노닐아크릴레이트) 173질량부INA (isononyl acrylate) 173 parts by mass

·HEA(히드록시에틸아크릴레이트) 54.5질량부-HEA (hydroxyethyl acrylate) 54.5 parts by mass

·AIBN (2,2'-아조비스이소부티로니트릴) 0.46질량부AIBN (2,2'-azobisisobutyronitrile) 0.46 parts by mass

·아세트산에틸 372질량부・372 parts by mass of ethyl acetate

다음으로, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크(용량 1L), 온도계, 질소 도입관, 및 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치의 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 제1 수지 조성물을 넣었다. 제1 수지 조성물을 교반하면서, 제1 수지 조성물의 액온을 상온(23℃)으로 조절하면서, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내를 6시간 질소 가스로 치환하는 처리를 행하였다.Next, the first resin composition was placed in a round bottom separable flask of a polymerization experimental apparatus equipped with a round bottom separable flask (volume 1 L), a thermometer, a nitrogen introduction tube, and a stirring blade. While stirring the first resin composition, the inside of the round-bottom separable flask was replaced with nitrogen gas for 6 hours while adjusting the liquid temperature of the first resin composition to room temperature (23°C).

계속해서, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 질소 가스를 유입시키면서, 제1 수지 조성물을 교반하면서, 제1 수지 조성물의 액온을 62℃에서 3시간 유지하였다. 그 후, 또한 75℃에서 2시간 유지함으로써, 상기 INA, HEA, 및 AIBN의 중합 반응을 실시하고, 제2 수지 조성물을 조제하였다. 그 후, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 대한 질소 가스의 유입을 정지하였다.Subsequently, while stirring the first resin composition while flowing nitrogen gas into the round bottom separable flask, the liquid temperature of the first resin composition was maintained at 62°C for 3 hours. Then, by further holding|maintenance at 75 degreeC for 2 hours, the polymerization reaction of the said INA, HEA, and AIBN was performed, and the 2nd resin composition was prepared. After that, the introduction of nitrogen gas into the round bottom separable flask was stopped.

상온이 될 때까지 제2 수지 조성물을 냉각한 후, 제2 수지 조성물에 하기의 원료를 첨가하였다.After cooling the second resin composition until it reached room temperature, the following raw materials were added to the second resin composition.

·2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트2-methacryloyloxyethyl isocyanate

중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 Compounds with polymerizable carbon-carbon double bonds

상품명 「카렌즈 MOI」, 쇼와 덴코사제) 52.5질량부 Brand name "Carens MOI", manufactured by Showa Denko) 52.5 parts by mass

·디라우르산 디부틸주석 Ⅳ(와코 준야쿠 고교사제) 0.26질량부-Dibutyltin dilaurate IV (made by Wako Junyaku Kogyo) 0.26 parts by mass

얻어진 제3 수지 조성물을, 대기 분위기하에서 50℃에서 24시간 교반하였다.The obtained 3rd resin composition was stirred at 50 degreeC in an air atmosphere for 24 hours.

마지막으로, 제3 수지 조성물의 폴리머 고형분 100질량부에 대하여 하기의 원료를 첨가하였다.Finally, the following raw materials were added to 100 parts by mass of the polymer solid content of the third resin composition.

·이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소사제) 0.75질량부・Isocyanate compound (brand name "Coronate L", manufactured by Tosoh Corporation) 0.75 parts by mass

·광중합 개시제(상품명 「Omnirad 127」, IGM Resins사제) 2질량부Photoinitiator (trade name "Omnirad 127", manufactured by IGM Resins) 2 parts by mass

그리고, 고형분 농도가 20질량％로 되도록 아세트산에틸에 의해 제3 수지 조성물을 희석하고, 점착제 조성물을 조제하였다.And the 3rd resin composition was diluted with ethyl acetate so that the solid content concentration might become 20 mass %, and the adhesive composition was prepared.

<다이싱 테이프의 제조><Manufacture of dicing tape>

기재층의 한쪽 표면에, 건조 후에 두께 10㎛가 되도록 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하였다. 점착제 조성물 도포 후의 기재층을 110℃에서 3분 가열 건조하고, 점착제층을 형성함으로써, 다이싱 테이프를 제조하였다.On one surface of the base layer, the pressure-sensitive adhesive composition was applied using an applicator so that the thickness after drying was 10 μm. The substrate layer after application of the pressure-sensitive adhesive composition was heated and dried at 110° C. for 3 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer to prepare a dicing tape.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작><Production of dicing die-bonding film>

(다이 본드층의 제작)(Production of die bond layer)

하기의 원료를 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 고형분 농도 20질량％의 다이 본드층용 조성물을 얻었다.The following raw materials were added to methyl ethyl ketone and mixed to obtain a composition for a die-bonding layer having a solid content concentration of 20% by mass.

·아크릴 수지(상품명 「SG-P3」, 나가세 켐텍스사제, 유리 전이 온도 12℃) 100질량부100 parts by mass of acrylic resin (brand name "SG-P3", manufactured by Nagase Chemtex, glass transition temperature of 12°C)

·에폭시 수지(상품명 「JER1001」, 미츠비시 가가쿠사제) 46질량부Epoxy resin (brand name "JER1001", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 46 parts by mass

·페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」, 메이와 가세이사제) 51질량부-Phenol resin (trade name "MEH-7851ss", manufactured by Meiwa Kasei) 51 parts by mass

·구상 실리카(상품명 「SO-25R」, 애드마텍스사제) 191질량부・Spherical silica (brand name "SO-25R", manufactured by Admatex) 191 parts by mass

·경화 촉매(상품명 「큐어졸 PHZ」, 시코쿠 가세이 고교사제) 0.6질량부-Curing catalyst (trade name "Curesol PHZ", manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 0.6 parts by mass

다음으로, PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)에 실리콘 처리를 실시한, 박리 라이너를 준비하였다. 이 박리 라이너의 처리면 위에 건조 후에 두께 10㎛가 되도록 다이 본드층용 조성물을 애플리케이터에 의해 도포하였다. 130℃에서 2분간의 건조 처리에 의해 다이 본드층용 조성물로부터 용매를 휘발시켜, 박리 라이너 위에 다이 본드층이 적층된 다이 본드 시트를 얻었다.Next, a release liner was prepared in which a PET separator (thickness 50 µm) was subjected to silicone treatment. The composition for a die-bonding layer was applied by an applicator to a thickness of 10 µm after drying on the treated surface of this release liner. The solvent was volatilized from the die-bonding layer composition by drying treatment at 130° C. for 2 minutes to obtain a die-bonding sheet in which a die-bonding layer was laminated on a release liner.

(다이 본드층과 다이싱 테이프의 접합)(Joining die bond layer and dicing tape)

계속해서, 다이싱 테이프의 점착제층과, 다이 본드 시트에 있어서의 다이 본드층(박리 시트가 적층되어 있지 않은 측)을 접합하였다. 그 후, 박리 라이너를 다이 본드층으로부터 박리하여, 다이 본드층을 구비하는 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape and the die-bonding layer in the die-bonding sheet (the side on which the peeling sheet was not laminated) were bonded. Then, the release liner was peeled off from the die bonding layer, and a dicing die bonding film provided with the die bonding layer was produced.

이상과 같이 하여, 상기 방법에 따라서, 실시예 및 비교예의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 각각 제조하였다. 각 다이싱 테이프의 구성을 표 1에 나타낸다.As described above, according to the above method, the dicing tapes and dicing die-bonding films of Examples and Comparative Examples were manufactured, respectively. Table 1 shows the configuration of each dicing tape.

<시차 주사 열량 측정(DSC)의 측정><Measurement of differential scanning calorimetry (DSC)>

각 실시예 및 각 비교예의 다이싱 테이프로부터, 측정용 샘플을 취출하였다. 측정용 샘플은, 기재층을 두께 방향으로 절단함으로써 기재층으로부터 취출하였다.A sample for measurement was taken out from the dicing tapes of each Example and each Comparative Example. The measurement sample was taken out from the substrate layer by cutting the substrate layer in the thickness direction.

시판 중인 DSC 측정 장치를 사용하여, 측정용 샘플의 약 10㎎을 칭량하고, 실온(약 20℃)으로부터 200℃까지 5℃/분의 승온 속도로, 질소 가스 분위기하에서 측정을 실시하였다.Using a commercially available DSC measuring device, about 10 mg of the sample for measurement was weighed, and measurement was performed in a nitrogen gas atmosphere from room temperature (about 20°C) to 200°C at a temperature increase rate of 5°C/min.

측정 차트에 있어서 나타난 흡열 피크의 피크 개시점(A점), 피크의 정점(C점), 피크 종료점(B점)의 각 온도를, 장치에 부속된 해석 소프트웨어에 의해 계측하였다.Each temperature at the peak start point (point A), peak peak (point C), and peak end point (point B) of the endothermic peak shown in the measurement chart was measured by the analysis software included with the apparatus.

측정 차트에 있어서 복수의 피크가 나타난 경우, 각각의 피크에 대하여 상기 각 온도를 계측하였다.When a plurality of peaks appeared in the measurement chart, each of the above temperatures was measured for each peak.

DSC 측정 장치 및 해석 소프트웨어의 상세는, 이하와 같다.The details of the DSC measurement device and analysis software are as follows.

측정 장치: 티·에이·인스트루먼트·재팬 가부시키가이샤제 Measuring device: T-A, Instrument, Japan Co., Ltd. product

장치명 DSC Q-2000 Device name DSC Q-2000

해석 소프트웨어: TA Instruments Universal Analysis 2000버전 4.5A Analysis software: TA Instruments Universal Analysis 2000 version 4.5A

실시예 1의 기재층에 대하여 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)을 행했을 때의 차트를 도 7a 및 도 7b에 나타낸다. 또한, 도 7a 및 도 7b는, 동일한 측정 결과를 다른 표시 형식으로 각각 나타내고 있다. 도 7a에 있어서는, 차트에 있어서의 기울어진 선이 온도를 나타낸다.Charts when differential scanning calorimetry (DSC measurement) was performed on the base layer of Example 1 are shown in Figs. 7A and 7B. 7A and 7B show the same measurement results in different display formats, respectively. In Fig. 7A, the inclined line in the chart represents the temperature.

마찬가지로, 실시예 2의 기재층에 대하여 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)을 행했을 때의 차트를 도 8a 및 도 8b에 나타내고, 비교예 1의 기재층에 대해서 시차 주사 열량 측정(DSC 측정)을 행했을 때의 차트를 도 9a 및 도 9b에 나타낸다.Similarly, a chart when performing differential scanning calorimetry (DSC measurement) on the substrate layer of Example 2 is shown in FIGS. 8A and 8B, and differential scanning calorimetry (DSC measurement) was performed for the substrate layer of Comparative Example 1. The chart when performed is shown in Figs. 9A and 9B.

<성능 평가(커프의 평가)><Performance evaluation (evaluation of cuff)>

각 실시예 및 각 비교예에서 제조한 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 이하와 같이 하여 성능 평가를 행하였다.Performance evaluation was performed as follows using the dicing die-bonding film produced in each Example and each comparative example.

베어 웨이퍼(직경 300㎜)의 편면에 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V-12SR2」, 닛토덴코 가부시키가이샤제)를 첩부한 후, 웨이퍼 가공용 테이프를 통해 베어 웨이퍼를 다이싱 링에 고정하고, 다이싱 장치(DISCO사제, 형식 번호 6361)를 사용하여, 웨이퍼 가공용 테이프를 부착한 측과는 반대측으로부터, 칩이 2㎜×2㎜의 정사각형이 되도록, 격자형의 홈(25㎛폭, 100㎛ 깊이)을 형성하였다. 다음으로, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V-12SR2」, 닛토덴코 가부시키가이샤제)를 웨이퍼로부터 박리하여, 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프를 접합하고, 백 그라인더(DISCO사제, 형식 DGP8760)를 사용하여, 두께가 30㎛(0.030㎜)로 되도록 베어 웨이퍼를 연삭하였다.After affixing a wafer processing tape (brand name "V-12SR2", manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) on one side of a bare wafer (diameter 300 mm), the bare wafer is fixed to a dicing ring through a wafer processing tape, and diced. Using an apparatus (manufactured by DISCO, Model No. 6361), from the side opposite to the side to which the wafer processing tape was attached, a grid-shaped groove (25 µm width, 100 µm depth) so that the chip becomes a 2 mm x 2 mm square. Formed. Next, the wafer processing tape (trade name "V-12SR2", manufactured by Nitto Denko Corporation) was peeled off from the wafer, and the backgrind tape was bonded to the grooved surface, and a back grinder (manufactured by DISCO, Model DGP8760) was applied. By using, the bare wafer was ground so that the thickness became 30 micrometers (0.030 mm).

다이싱 다이본드 테이프의 다이 본드 필름면에, 백그라인드 테이프를 갖는 연삭된 웨이퍼를 60℃의 온도에서 접합하였다. 다음으로, 연삭 후의 웨이퍼와 접합된 다이싱 다이 본드 필름을 링에 접합하여 고정한 다음, 백그라인드 테이프를 박리하였다. 그 후, 쿨 익스팬더 유닛으로, 익스팬드 온도 -5℃, 익스팬드 속도 100㎜/초, 익스팬드량 14㎜의 조건에서 다이 본드층을 할단하였다. 다음으로, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드량 10㎜의 조건에서 상온 익스팬드를 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 채, 히트 온도 200℃, 히트 거리 18㎜, 로테이션 스피드 5°/초의 조건에서, 다이싱 다이 본드 필름의 외주부를 열수축시켰다.On the die-bonding film side of the dicing die-bonding tape, a ground wafer with a backgrind tape was bonded at a temperature of 60°C. Next, the dicing die-bonding film bonded to the wafer after grinding was bonded to the ring and fixed, and then the backgrind tape was peeled off. Thereafter, with a cool expander unit, the die bond layer was cut off under the conditions of an expand temperature of -5°C, an expand speed of 100 mm/sec, and an expand amount of 14 mm. Next, room temperature expansion was performed under the conditions of room temperature, an expand speed of 1 mm/sec, and an expand amount of 10 mm. Then, while maintaining the expanded state, the outer peripheral portion of the dicing die-bonding film was heat-shrunk under conditions of a heat temperature of 200°C, a heat distance of 18 mm, and a rotation speed of 5°/sec.

열수축 후의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 이하와 같이 하여 커프 평가를 행하였다.In the dicing die-bonding film after heat shrinkage, cuff evaluation was performed as follows.

(커프 평가를 위한 측정 방법)(Measurement method for cuff evaluation)

디지털 마이크로스코프(VHX-6000, 키엔스사제)를 사용하여 커프의 측정을 행하였다. 상세하게는, 히트 익스팬드 종료 후에, 할단된 부분에 있어서의 칩과 칩의 간격(커프)을, 디지털 마이크로스코프로 관찰하여, 간격 길이를 측정하였다. 임의로 선택한 5군데에 있어서, MD 방향 및 TD 방향의 커프를 각각 측정하고, 측정값의 최솟값을 채용하였다. 30㎛ 이상의 커프이면, ○라고 평가하고, 30㎛ 미만의 커프이면 ×라고 평가하였다. 또한, 임의의 5군데는, 원형 웨이퍼의 최외주 부분이며 둘레 방향으로 서로 약 90도 이격된 4군데, 및 웨이퍼의 중앙 부근이다.The cuff was measured using a digital microscope (VHX-6000, manufactured by Keyence Corporation). Specifically, after completion of the heat expansion, the gap (cuff) between the chip and the chip in the cut portion was observed with a digital microscope, and the gap length was measured. In five arbitrarily selected locations, the cuffs in the MD direction and the TD direction were measured, respectively, and the minimum value of the measured value was adopted. If it is a cuff of 30 µm or more, it is evaluated as ○, and if it is a cuff of less than 30 µm, it is evaluated as x. In addition, the arbitrary 5 locations are the outermost circumferential portions of the circular wafer, 4 locations separated by about 90 degrees from each other in the circumferential direction, and the vicinity of the center of the wafer.

각 실시예 및 각 비교예의 다이싱 테이프의 기재층에 대하여 시차 주사 열량 측정(DSC)의 측정을 행한 결과, 및 성능 평가(커프의 평가)의 결과를 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the results of differential scanning calorimetry (DSC) measurement and performance evaluation (cuff evaluation) for the base layer of the dicing tape of each Example and Comparative Example.

상기 평가 결과로부터 파악되는 바와 같이, 실시예의 다이싱 다이 본드 필름은, 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에 비하여, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있었다.As understood from the above evaluation results, the dicing die-bonding film of the example was able to maintain the cuff better after expansion than the dicing die-bonding film of the comparative example.

실시예의 다이싱 테이프에서는, 기재층의 DSC 측정 차트에 있어서, 100℃ 이상 140℃ 이하의 범위에 흡열 피크의 정점이 있고, 흡열 피크에 있어서 피크 개시점과 정점의 온도차가 40℃ 이하이며, 흡열 피크에 있어서 피크 개시점과 피크 종료점의 온도차가 60℃ 이하이며, 피크 종료점의 온도가 150℃ 이하이다.In the dicing tape of Examples, in the DSC measurement chart of the base layer, the peak of the endothermic peak is in the range of 100°C or more and 140°C or less, and the temperature difference between the peak initiation point and the peak in the endothermic peak is 40°C or less. In the peak, the temperature difference between the peak start point and the peak end point is 60°C or less, and the temperature at the peak end point is 150°C or less.

이와 같은 물성을 갖는 기재층을 구비한 실시예의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)를, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용함으로써, 상온 익스팬드 공정 후에 있어서의 커프를 양호하게 유지할 수 있다.By using the dicing tape (dicing die-bonding film) of the embodiment provided with the substrate layer having such physical properties in the manufacture of a semiconductor integrated circuit, the cuff after the room temperature expansion process can be satisfactorily maintained.

본 발명의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때의 보조 용구로서, 적합하게 사용된다.The dicing tape and dicing die-bonding film of the present invention are suitably used, for example, as auxiliary tools when manufacturing a semiconductor integrated circuit.

1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이 본드층
20: 다이싱 테이프
21: 기재층
22: 점착제층1: dicing die bond film
10: die bond layer
20: dicing tape
21: base layer
22: adhesive layer

Claims

기재층과, 해당 기재층보다도 점착성이 높은 점착제층을 구비하고,
상기 기재층을 시차 주사 열량 측정에 의해 측정한 차트는, 100℃ 이상 140℃ 이하의 범위에 정점이 있는 흡열 피크를 가지며, 또한, 해당 흡열 피크에 있어서 피크 개시점과 상기 정점의 온도차가 40℃ 이하인, 다이싱 테이프.A substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer having higher adhesion than the substrate layer are provided,
The chart obtained by measuring the substrate layer by differential scanning calorimetry has an endothermic peak having a peak in the range of 100°C to 140°C, and the temperature difference between the peak initiation point and the peak in the endothermic peak is 40°C Dicing tape below.

제1항에 있어서,
상기 흡열 피크에 있어서, 상기 피크 개시점과 피크 종료점의 온도차가 60℃ 이하인, 다이싱 테이프.The method of claim 1,
The dicing tape in which the temperature difference between the peak start point and the peak end point in the endothermic peak is 60°C or less.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 흡열 피크에 있어서, 상기 피크 개시점의 온도가 70℃ 이상인, 다이싱 테이프.The method according to claim 1 or 2,
In the endothermic peak, the temperature of the peak starting point is 70°C or higher.

제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 흡열 피크에 있어서, 피크 종료점의 온도가 150℃ 이하인, 다이싱 테이프.The method according to claim 1 or 2,
In the endothermic peak, the temperature of the peak end point is 150°C or less.

제1항 또는 제2항에 기재된 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프에 접합된 다이 본드층을 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film comprising the dicing tape according to claim 1 or 2, and a die-bonding layer bonded to the dicing tape.