KR20210078416A - Die-bonding sheet and dicing die-bonding film - Google Patents

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히로시 나카우라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

Provided is a die-bonding sheet having peeling force of 0.1 N/50 mm or more against a polyimide resin surface. In addition, provided is a dicing die-bonding film including the die-bonding sheet and a dicing tape bonded to the die-bonding sheet. The present invention can suppress lifting.

Description

다이 본드 시트 및 다이싱 다이 본드 필름 {DIE-BONDING SHEET AND DICING DIE-BONDING FILM}Die-bond sheet and dicing die-bond film {DIE-BONDING SHEET AND DICING DIE-BONDING FILM}

본 발명은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때에 사용되는, 다이 본드 시트와, 해당 다이 본드 시트를 구비한 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to, for example, a die-bonding sheet used when manufacturing a semiconductor integrated circuit, and a dicing die-bonding film provided with the die-bonding sheet.

종래, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용되는 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프에 적층되며 또한 웨이퍼에 접착되는 다이 본드 시트를 구비한다. 다이싱 테이프는 기재층과, 다이 본드 시트에 접해 있는 점착층을 갖는다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 예를 들어 하기와 같이 사용된다.DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, the dicing die-bonding film used in manufacture of a semiconductor integrated circuit is known. This type of dicing die-bonding film includes, for example, a dicing tape and a die-bonding sheet laminated on the dicing tape and adhered to a wafer. A dicing tape has a base material layer and the adhesive layer in contact with the die-bonding sheet|seat. This kind of dicing die-bonding film is used, for example, as follows in the manufacture of semiconductor integrated circuits.

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로 고집적의 전자 회로에 의해 웨이퍼의 편면측에 회로면을 형성하기 전 공정과, 회로면이 형성된 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 후 공정을 구비한다.A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit generally includes a step before forming a circuit surface on one side of a wafer by means of a highly integrated electronic circuit, and a step after cutting out a chip from the wafer on which the circuit surface is formed and assembling it.

후 공정은, 예를 들어 웨이퍼를 작은 칩(다이)으로 할단하기 위해 웨이퍼에 홈을 형성하는 다이싱 공정과, 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면을 다이 본드 시트에 첩부하여 다이싱 테이프에 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 홈이 형성된 웨이퍼를 다이 본드 시트와 함께 할단하여 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 다이 본드 시트와 점착제층 사이에서 박리하여 다이 본드 시트가 첩부된 상태의 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드 시트가 첩부된 상태의 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 반도체 집적 회로는 이들 공정을 거쳐서 제조된다.The post-process is, for example, a dicing process of forming grooves in the wafer in order to cut the wafer into small chips (die), and attaching the surface opposite to the circuit surface of the wafer to a die-bonding sheet to attach the wafer to a dicing tape A mounting process for fixing the wafer, an expand process for widening the gap between the chips by cutting the grooved wafer together with a die bond sheet, and a chip in a state where the die bond sheet is peeled off between the die bond sheet and the adhesive layer ( It has a pick-up process of taking out a die|dye), and a die-bonding process of adhering the chip|tip (die) in the state to which the die-bonding sheet was affixed to an adherend. A semiconductor integrated circuit is manufactured through these processes.

상기와 같은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서, 픽업 공정 및 다이 본드 공정에서의 성능을 양호하게 하기 위해, 열가소성 수지 성분과 열경화성 수지 성분을 특정한 함유율로 포함하면서 또한 표면 자유 에너지가 특정 범위 내에 있는 다이 본드 시트가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1).In the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit as described above, in order to improve performance in the pick-up process and the die-bonding process, a die containing a thermoplastic resin component and a thermosetting resin component in a specific content ratio and having a surface free energy within a specific range A bond sheet is known (for example, patent document 1).

상세하게는, 특허문헌 1에 기재된 다이 본드 시트에서는, 함유되는 유기 수지 성분 중 열가소성 수지 성분이 15 내지 30질량％를 차지하고, 열경화성 수지 성분이 60 내지 70중량％를 차지한다. 또한, 표면 자유 에너지가 37mJ/m2 이상40mJ/m2 미만이다.In detail, in the die-bonding sheet of patent document 1, a thermoplastic resin component occupies 15 to 30 mass % among organic resin components contained, and a thermosetting resin component occupies 60 to 70 weight%. In addition, the surface free energy is 37 mJ/m 2 or more and less than 40 mJ/m 2 .

특허문헌 1에 기재된 다이 본드 시트는, 픽업 공정에 있어서, 점착제층과의 사이에서 양호한 박리성을 발휘할 수 있다. 또한, 다이 본드 공정에 있어서, 피착체와 양호한 접착성을 발휘할 수 있다.The die-bonding sheet of patent document 1 can exhibit favorable peelability between an adhesive layer in a pick-up process. Moreover, in a die-bonding process, favorable adhesiveness with a to-be-adhered body can be exhibited.

그런데, 근년에 있어서의 집적화 기술의 새로운 진전에 수반하여, 예를 들어 상기 다이 본드 공정에 있어서, 다이 본드 시트가 첩부된 상태의 비교적 얇은 칩(다이)을 복수회에 걸쳐 적층하는 경우가 있다.By the way, with the new progress of integration technology in recent years, for example, in the said die-bonding process, the comparatively thin chip (die) in the state which the die-bonding sheet was affixed may be laminated|stacked over several times.

그런데, 특허문헌 1에 기재된 것과 같은 다이 본드 시트가 첩부된 상태의 칩(다이)을 적층하면, 다이 본드 시트와 칩(다이)의 첩부 불량에 의해, 소위 들뜸이 발생해버리는 경우가 있다.However, when a chip (die) in a state in which a die-bonding sheet as described in Patent Document 1 is adhered is laminated, so-called floating may occur due to poor adhesion between the die-bonding sheet and the chip (die).

이러한 문제를 방지하기 위해, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 억제할 수 있는 다이 본드 시트가 요망되고 있다.In order to prevent such a problem, there is a demand for a die-bonding sheet capable of suppressing floatation when chips (die) are stacked.

일본 특허 공개 제2008-244463호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2008-244463

그러나, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 억제할 수 있는 다이 본드 시트 및 해당 다이 본드 시트를 구비한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여는, 여전히 충분히 검토되어 있다고는 할 수 없다.However, it cannot be said that the die-bonding sheet which can suppress the float when the chip|tip (die) is laminated|stacked, and the dicing die-bonding film provided with this die-bonding sheet are still fully studied.

그래서, 본 발명은, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 억제할 수 있는 다이 본드 시트 및 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.Then, this invention makes it a subject to provide the die-bonding sheet and dicing die-bonding film which can suppress the float when the chip|tip (die) is laminated|stacked.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 다이 본드 시트는, 폴리이미드 수지면에 대한 박리력이 0.1N/50mm 이상인 것을 특징으로 한다.In order to solve the said subject, the die-bonding sheet which concerns on this invention is the peeling force with respect to a polyimide resin surface 0.1N/50mm or more, It is characterized by the above-mentioned.

상기 구성의 다이 본드 시트에 의하면, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 억제할 수 있다.According to the die-bonding sheet having the above configuration, it is possible to suppress the float when the chips (die) are laminated.

상기 다이 본드 시트에서는, 표면 자유 에너지가 35mJ/m2 이하이고, 또한 상기 표면 자유 에너지 중 분산 성분이 차지하는 비율이 95％ 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 보다 충분히 억제할 수 있다.In the die-bonding sheet, it is preferable that the surface free energy is 35 mJ/m 2 or less, and the ratio of the dispersion component among the surface free energy is 95% or more. Thereby, the float at the time of stacking|stacking a chip|tip (die) can be suppressed more fully.

상기 다이 본드 시트에서는, 물과의 접촉각이 90° 이상이 되고, 또한 요오드화메틸렌과의 접촉각이 50° 이상이 되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 보다 충분히 억제할 수 있다.In the die-bonding sheet, it is preferable that the contact angle with water is 90° or more and the contact angle with methylene iodide is 50° or more. Thereby, the float at the time of stacking|stacking a chip|tip (die) can be suppressed more fully.

본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은 상기 다이 본드 시트와, 해당 다이 본드 시트에 접합된 다이싱 테이프를 구비한다.A dicing die-bonding film according to the present invention includes the die-bonding sheet and a dicing tape bonded to the die-bonding sheet.

본 발명에 관한 다이 본드 시트 및 다이싱 다이 본드 필름은, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.The die-bonding sheet and the dicing die-bonding film which concern on this invention exhibit the effect of being able to suppress the float when a chip|tip (die) is laminated|stacked.

도 1은 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름을 두께 방향으로 절단한 단면도.
도 2a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 2d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 4c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 6은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.
도 7은 칩(다이)을 적층하였을 때의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which cut|disconnected the dicing die-bonding film of this embodiment in the thickness direction.
Fig. 2A is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 2B is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 2C is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 2D is a cross-sectional view schematically showing a state of half-cut processing in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 3A is a cross-sectional view schematically showing a state of a mounting step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 3B is a cross-sectional view schematically showing a state of a mounting step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 4A is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand step at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 4B is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand step at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 4C is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand step at a low temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 5A is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
Fig. 5B is a cross-sectional view schematically showing a state of an expand step at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit;
It is sectional drawing which shows typically the mode of the pick-up process in the manufacturing method of a semiconductor integrated circuit.
Fig. 7 is a cross-sectional view schematically showing a state when chips (die) are stacked;

이하, 본 발명에 관한 다이 본드 시트 및 해당 다이 본드 시트를 구비한 다이싱 다이 본드 필름의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the die-bonding sheet which concerns on this invention, and the dicing die-bonding film provided with this die-bonding sheet is demonstrated, referring drawings.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(20)와, 해당 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 적층되며 또한 반도체 웨이퍼에 접착되는 다이 본드 시트(10)를 구비한다. 다이 본드 시트(10)는 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 회로 기판 또는 반도체 칩 등의 피착체에 접착되게 된다.The dicing die-bonding film 1 of this embodiment is laminated|stacked on the dicing tape 20 and the adhesive layer 22 of this dicing tape 20, as shown in FIG. 1, and is also applied to a semiconductor wafer. A die-bonding sheet 10 to be adhered is provided. The die bond sheet 10 is adhered to an adherend such as a circuit board or a semiconductor chip in the manufacture of a semiconductor integrated circuit.

<다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 시트><Die-bonding sheet of dicing die-bonding film>

다이 본드 시트(10)는, 폴리이미드 수지면에 대한 박리력이 0.1N/50mm 이상이다. 이러한 박리력이 0.1N/50mm 미만이면, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 억제할 수 없을 우려가 있다. 또한, 이러한 박리력은, 다이 본드 시트(10)가 가열 등에 의해 경화 처리되는 것인 경우, 경화 처리되기 전의 값이다. 또한, 이러한 박리력은, 다이 본드 시트(10)에 있어서의, 점착제층(22)(나중에 상세히 기술)과 접합된 면(피착체와 접착되는 면)의 박리력이다.The die-bonding sheet 10 has a peeling force of 0.1 N/50 mm or more to the polyimide resin surface. If this peeling force is less than 0.1 N/50 mm, there exists a possibility that the float at the time of laminating|stacking a chip|tip (die) cannot be suppressed. In addition, this peeling force is a value before hardening process, when the die-bonding sheet 10 is a thing hardening-processed by heating or the like. In addition, this peeling force is the peeling force of the adhesive layer 22 (described in detail later) and the bonded surface (the surface to adhere|attach with an adherend) in the die-bonding sheet 10. As shown in FIG.

상기 박리력은, 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된다.The said peeling force is measured by the method as described in an Example.

상기 다이 본드 시트(10)의 박리력을 측정하기 위해 사용하는 폴리이미드 수지면은, 특정한 폴리이미드 수지 필름의 표면이다.The polyimide resin surface used in order to measure the peeling force of the said die-bonding sheet 10 is the surface of a specific polyimide resin film.

또한, 측정용의 폴리이미드 수지 필름의 물성에 대하여는, 하기와 같다. 하기 물성을 갖는 폴리이미드 수지 필름을, 박리력의 측정에 사용한다.In addition, about the physical property of the polyimide resin film for a measurement, it is as follows. The polyimide resin film which has the following physical property is used for the measurement of peeling force.

정지 마찰 계수: 0.48(JIS K 7125)Static friction coefficient: 0.48 (JIS K 7125)

운동 마찰 계수: 0.42(JIS K 7125)Coefficient of kinetic friction: 0.42 (JIS K 7125)

표면 조도[Ra]: 0.03 내지 0.07㎛(JIS B 0601)Surface roughness [Ra]: 0.03 to 0.07 μm (JIS B 0601)

밀도[g·cm-3]: 1.42(아르키메데스법)Density [g·cm -3 ]: 1.42 (Archimedes method)

원칙으로서, 본원 출원 시에 시판되고 있는 도레이 듀퐁사제의 제품명 「캡톤 100H」를 측정용의 폴리이미드 수지 필름으로서 사용한다.In principle, the product name "Kapton 100H" manufactured by DuPont Toray, commercially available at the time of the application of the present application, is used as the polyimide resin film for measurement.

상기 박리력의 측정에 있어서 사용하는 폴리이미드 수지면의 표면 자유 에너지는, 통상 25mJ/m2 이상 35mJ/m2 이하이고, 또한 해당 표면 자유 에너지 중 분산 성분이 차지하는 비율은, 85％ 이상 95％ 이하이다.The surface free energy of the polyimide resin surface used in the measurement of the peeling force is usually 25 mJ/m 2 or more and 35 mJ/m 2 or less, and the ratio of the dispersed component among the surface free energy is 85% or more and 95% or less to be.

상기 박리력은 0.2N/50mm 이상이어도 된다. 상기 박리력이 0.2N/50mm 이상임으로써, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 보다 충분히 억제할 수 있다.0.2 N/50 mm or more may be sufficient as the said peeling force. When the said peeling force is 0.2 N/50 mm or more, the float when the chip|tip (die) is laminated|stacked can be suppressed more fully.

또한, 상기 박리력은 0.5N/50mm 이하여도 된다.In addition, 0.5 N/50 mm or less may be sufficient as the said peeling force.

예를 들어, 열가소성 수지나 열경화성 수지의 함유 비율을 증가시키고, 무기 필러의 함유 비율을 줄임으로써, 상기 박리력을 크게 할 수 있다. 한편, 열가소성 수지나 열경화성 수지의 함유 비율을 저감시키고, 무기 필러의 함유 비율을 증가시킴으로써, 상기 박리력을 작게 할 수 있다.For example, the said peeling force can be enlarged by increasing the content rate of a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and reducing the content rate of an inorganic filler. On the other hand, the said peeling force can be made small by reducing the content rate of a thermoplastic resin or a thermosetting resin, and increasing the content rate of an inorganic filler.

다이 본드 시트(10)에 있어서, 표면 자유 에너지가 35mJ/m2 이하이고, 또한 표면 자유 에너지 중 분산 성분이 차지하는 비율이 95％ 이상인 것이 바람직하다.In the die-bonding sheet 10, it is preferable that the surface free energy is 35 mJ/m 2 or less, and the ratio of the dispersed component in the surface free energy is 95% or more.

상기 표면 자유 에너지가 35mJ/m2 이하이며 또한 분산 성분이 차지하는 상기 비율이 95％ 이상임으로써, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 보다 충분히 억제할 수 있다는 이점이 있다.When the surface free energy is 35 mJ/m 2 or less and the ratio occupied by the dispersed component is 95% or more, there is an advantage that the float when the chips (die) are stacked can be more sufficiently suppressed.

상기 표면 자유 에너지는 25mJ/m2 이상이어도 되고, 30mJ/m2 이상이어도 된다.The surface free energy may be either more than 25mJ / m 2, or may be 30mJ / m 2 or more.

상기 표면 자유 에너지의 측정 방법의 상세에 대하여 설명한다.The detail of the measuring method of the said surface free energy is demonstrated.

상기 표면 자유 에너지는 하기와 같이 실시한 접촉각 측정의 결과로부터 산출된다. 상세하게는 20℃ 및 상대 습도 65％의 조건 하에서, 다이 본드 시트(10)의 표면에 접촉하는 물(H2O) 및 요오드화메틸렌(CH2I2)의 각 액적의 접촉각을, 접촉각계를 사용하여 측정한다.The surface free energy is calculated from the result of the contact angle measurement performed as follows. Specifically, the contact angle of each droplet of water (H 2 O) and methylene iodide (CH 2 I 2 ) in contact with the surface of the die-bonding sheet 10 under the conditions of 20° C. and 65% relative humidity was measured using a contact angle meter. to measure using

이어서, 측정된 물의 접촉각 θw 및 요오드화메틸렌의 접촉각 θi의 값으로부터, 이하와 같이 하여 표면 자유 에너지를 산출한다. 상세하게는, Journal of Applied Polymer Science, vol.13, p1741-1747(1969)에 기재된 Owens 등의 방법에 따라서, γsd(표면 자유 에너지의 분산 성분) 및 γsh(표면 자유 에너지의 극성 성분)을 구한다. 그리고, γsd와 γsh를 더하여 얻어지는 값 γs(=γsd +γsh)를 다이 본드 시트(10)의 표면 자유 에너지로 한다.Then, the surface free energy is computed as follows from the measured contact angle (theta)w of water and the contact angle (theta)i of methylene iodide. Specifically, according to the method of Owens et al described in Journal of Applied Polymer Science, vol. 13, p1741-1747 (1969), γs d (dispersion component of surface free energy) and γs h (polar component of surface free energy) save Then, a value γs (=γs d +γs h ) obtained by adding γs d and γs h is defined as the surface free energy of the die-bonding sheet 10 .

γsd(분산 성분) 및 γsh(극성 성분) 각각의 값은, 하기 식 (1) 및 식 (2)의 2원 연립 방정식의 해로서 얻어진다. 식 (1) 및 (2)에 있어서, γw는 물의 표면 자유 에너지, γwd는 물의 표면 자유 에너지의 분산 성분, γwh는 물의 표면 자유 에너지의 극성 성분, γi는 요오드화메틸의 표면 자유 에너지, γid는 요오드화메틸의 표면 자유 에너지의 분산 성분, γih는 요오드화메틸의 표면 자유 에너지의 극성 성분이며, 하기와 같이 기지의 값이다.Each value of γs d (dispersion component) and γs h (polar component) is obtained as a solution of a simultaneous binary equation of the following formulas (1) and (2). In formulas (1) and (2), γw is the surface free energy of water, γw d is the dispersion component of the surface free energy of water, γw h is the polar component of the surface free energy of water, γi is the surface free energy of methyl iodide, γi d is the dispersion component of the surface free energy of methyl iodide, γi h is the polar component of the surface free energy of methyl iodide, and is a known value as follows.

γw=72.8 [mJ/m2]γw=72.8 [mJ/m 2 ]

γwd=21.8 [mJ/m2]γw d =21.8 [mJ/m 2 ]

γwh=51.0 [mJ/m2]γw h =51.0 [mJ/m 2 ]

γi=50.8 [mJ/m2]γi=50.8 [mJ/m 2 ]

γid=48.5 [mJ/m2]γi d =48.5 [mJ/m 2 ]

γih=2.3 [mJ/m2]γi h =2.3 [mJ/m 2 ]

Figure pat00001
Figure pat00001

다이 본드 시트(10)의 표면에서는, 물과의 접촉각이 90° 이상이 되고, 또한 요오드화메틸렌과의 접촉각이 50° 이상이 되는 것이 바람직하다.On the surface of the die-bonding sheet 10, it is preferable that the contact angle with water be 90 degrees or more, and it is preferable that the contact angle with methylene iodide be 50 degrees or more.

이에 의해, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 보다 충분히 억제할 수 있다는 이점이 있다.Thereby, there exists an advantage that the float when the chip|tip (die) is laminated|stacked can be suppressed more fully.

다이 본드 시트(10)의 표면에서는, 바람직하게는 물과의 접촉각이 95° 이상이 된다. 이에 의해, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 보다 충분히 억제할 수 있다는 이점이 있다.On the surface of the die-bonding sheet 10, preferably, the contact angle with water is 95° or more. Thereby, there exists an advantage that the float when the chip|tip (die) is laminated|stacked can be suppressed more fully.

다이 본드 시트(10)의 표면에서는, 물과의 접촉각이 110° 이하여도 된다.On the surface of the die-bonding sheet 10, the contact angle with water may be 110 degrees or less.

다이 본드 시트(10)의 표면에서는, 바람직하게는 요오드화메틸렌과의 접촉각이 52° 이상이 된다. 이에 의해, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸을 보다 충분히 억제할 수 있다는 이점이 있다.On the surface of the die-bonding sheet 10, preferably, the contact angle with methylene iodide is 52 degrees or more. Thereby, there exists an advantage that the float when the chip|tip (die) is laminated|stacked can be suppressed more fully.

다이 본드 시트(10)의 표면에서는, 요오드화메틸렌과의 접촉각이 60° 이하여도 된다.On the surface of the die-bonding sheet 10, the contact angle with methylene iodide may be 60 degrees or less.

본 명세서에 있어서는, 표면 자유 에너지를 상기와 같이 분산 성분과 극성 성분으로 나눈다. 일반적으로, 표면 자유 에너지의 분산 성분은 물질의 밀도, 분자량, 경도 등을 반영한 물리량이다. 예를 들어 산화물 또는 금속의 표면 자유 에너지에 있어서, 분산 성분은 낮은 한편, 유기 재료의 경우의 분산 성분은 높다. 이에 비해, 극성 성분은 표면의 극성기 밀도 또는 활성도를 반영한 물리량이다. 고체 표면에 있어서의 분산 성분은 「제로」가 되지 않지만, 극성 성분은 「제로」가 될 수 있다. 각 성분을 표면끼리의 분자간 상호 작용으로 생각하면, 분산 성분은2개의 무극성 분자(쌍극자)간의 쿨롱 인력으로서 표시되고, London 분산 에너지라 칭해진다. 한편, 극성 성분은 영구 쌍극자간(Keesom), 및 영구 쌍극자-무극성 쌍극자간(Debye) 에너지라 칭해진다.In the present specification, the surface free energy is divided into a dispersion component and a polar component as described above. In general, the dispersion component of surface free energy is a physical quantity reflecting the density, molecular weight, hardness, etc. of the material. For example, for the surface free energy of oxides or metals, the dispersion component is low, while in the case of organic materials, the dispersion component is high. In contrast, the polar component is a physical quantity reflecting the density or activity of polar groups on the surface. The dispersion component on the solid surface does not become "zero", but the polar component can become "zero". When each component is considered as an intermolecular interaction between surfaces, the dispersion component is expressed as a Coulomb attraction between two nonpolar molecules (dipoles), and is called London dispersion energy. On the other hand, the polar component is called permanent interdipole (Keesom), and permanent dipole-nonpolar interdipole (Debye) energy.

다이 본드 시트(10)의 표면 자유 에너지 중, 분산 성분이 차지하는 비율은, 97％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 분산 성분이 차지하는 비율이 보다 높아짐으로써, 일반적인 피착체에 대한 다이 본드 시트(10)의 번짐성이 보다 높아진다는 이점이 있다. 또한, 분산 성분이 차지하는 비율은 100％ 이하여도 된다.It is more preferable that the ratio for which a dispersed component occupies in the surface free energy of the die-bonding sheet 10 is 97 % or more. There is an advantage that the spreadability of the die-bonding sheet 10 with respect to a general to-be-adhered body becomes higher because the ratio which a dispersed component occupies becomes higher. In addition, 100% or less may be sufficient as the ratio which a dispersion component occupies.

또한, 상기 분산 성분은 25mJ/m2 이상 35mJ/m2 이하여도 된다.Moreover, the said dispersion component may be 25 mJ/m<2> or more and 35 mJ/m<2> or less.

상기 표면 자유 에너지를 작게 하기 위해서, 또한 물이나 요오드화메틸렌과의 접촉각을 크게 하기 위해서는, 예를 들어 다이 본드 시트(10)에 배합하는 원료(수지 등)로서, 극성이 보다 낮은 원료를 선택하거나, 또는 보다 극성이 낮은 원료의 배합 비율을 높인다. 한편, 상기 표면 자유 에너지를 크게 하기 위해서, 또한 물이나 요오드화메틸렌과의 접촉각을 작게 하기 위해서는, 예를 들어 다이 본드 시트(10)에 배합하는 원료(수지 등)로서, 극성이 보다 높은 원료를 선택하거나, 또는 보다 극성이 높은 원료의 배합 비율을 높인다.In order to reduce the surface free energy and increase the contact angle with water or methylene iodide, for example, as a raw material (resin, etc.) to be blended into the die-bonding sheet 10, a raw material having a lower polarity is selected, Or increase the blending ratio of the less polar raw material. On the other hand, in order to increase the surface free energy and decrease the contact angle with water or methylene iodide, for example, as a raw material (resin, etc.) to be blended into the die-bonding sheet 10, a raw material having a higher polarity is selected. Or, increase the blending ratio of the more polar raw material.

다이 본드 시트(10)는, 열경화성 수지 및 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함할 수 있다. 다이 본드 시트(10)는, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.The die bond sheet 10 may contain at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin. It is preferable that the die-bonding sheet 10 contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다. 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등을 보다 적게 함유한다는 점에서, 상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지의 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.As a thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, thermosetting polyimide resin, etc. are mentioned, for example. As said thermosetting resin, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted. As said thermosetting resin, an epoxy resin is preferable from the point of containing less ionic impurities etc. which may cause corrosion of the semiconductor chip which is die-bonding object. As a hardening|curing agent for an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 디시클로펜타디엔형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형의 각 에폭시 수지를 들 수 있다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, dicyclopentadiene type, phenol novolak type, orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type or glycidylamine type epoxy resin can be heard

페놀 수지는 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다.The phenolic resin can act as a curing agent for the epoxy resin. As a phenol resin, polyoxystyrene, such as a novolak-type phenol resin, a resol-type phenol resin, and polyparaoxystyrene, etc. are mentioned, for example.

노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다.As a novolak-type phenol resin, a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, tert- butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin, etc. are mentioned, for example.

상기 페놀 수지로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.As said phenol resin, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted.

다이 본드 시트(10)에 있어서, 페놀 수지의 수산기는 에폭시 수지의 에폭시기 1 당량당, 바람직하게는 0.5 당량 이상 2.0 당량 이하, 보다 바람직하게는 0.7 당량 이상 1.5 당량 이하이다. 이에 의해, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.In the die-bonding sheet 10, the hydroxyl group of the phenol resin is preferably 0.5 equivalent or more and 2.0 equivalent or less, and more preferably 0.7 equivalent or more and 1.5 equivalent or less per equivalent of the epoxy group of the epoxy resin. Thereby, hardening reaction of an epoxy resin and a phenol resin can fully advance.

다이 본드 시트(10)가 열경화성 수지를 포함하는 경우, 다이 본드 시트(10)에 있어서의 이러한 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드 시트(10)의 총 질량에 대하여 5질량％ 이상 60질량％ 이하가 바람직하고, 10질량％ 이상 50질량％ 이하가 보다 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킬 수 있다.When the die-bonding sheet 10 contains a thermosetting resin, the content ratio of the thermosetting resin in the die-bonding sheet 10 is 5 mass% or more and 60 mass% or less with respect to the total mass of the die-bonding sheet 10 . is preferable, and 10 mass % or more and 50 mass % or less are more preferable. Thereby, in the die-bonding sheet 10, the function as a thermosetting adhesive can be expressed suitably.

다이 본드 시트(10)에 포함될 수 있는 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-폴리아미드 수지나 6,6-폴리아미드 수지 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.Examples of the thermoplastic resin that may be included in the die bond sheet 10 include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, poly Butadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-polyamide resin or 6,6-polyamide resin, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET or PBT; Polyamideimide resin, a fluororesin, etc. are mentioned.

상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높기 때문에 다이 본드 시트(10)의 접착성을 보다 확보할 수 있다는 점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.As said thermoplastic resin, since there are few ionic impurities and heat resistance is high, since the adhesiveness of the die-bonding sheet 10 can be ensured more, an acrylic resin is preferable.

상기 열가소성 수지로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.As said thermoplastic resin, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted.

상기 아크릴 수지는 분자 중의 구성 단위 중, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위가 질량 비율로 가장 많은 폴리머인 것이 바람직하다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 C2 내지 C4알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.It is preferable that the said acrylic resin is a polymer in which the structural unit of alkyl (meth)acrylate has the most by mass ratio among structural units in a molecule|numerator. Examples of the alkyl (meth)acrylate include C2 to C4 alkyl (meth)acrylate.

상기 아크릴 수지는 알킬(메트)아크릴레이트모노머와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래하는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다.The said acrylic resin may contain the structural unit derived from the other monomer component copolymerizable with an alkyl (meth)acrylate monomer.

상기 다른 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산무수물 모노머, 히드록시기(수산기) 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머, 또는 기타 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다.Examples of the other monomer component include a carboxyl group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxyl group (hydroxyl group)-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphoric acid group-containing monomer, acrylamide, and a functional group-containing monomer such as acrylonitrile. , or other various polyfunctional monomers.

상기 아크릴 수지는 다이 본드 시트(10)에 있어서 보다 높은 응집력을 발휘할 수 있다는 점에서, 바람직하게는 알킬(메트)아크릴레이트(특히, 알킬 부분의 탄소수가 4 이하인 알킬(메트)아크릴레이트)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체이며, 보다 바람직하게는 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체이다.The acrylic resin is preferably an alkyl (meth) acrylate (especially an alkyl (meth) acrylate having 4 or less carbon atoms in the alkyl portion) from the viewpoint of being able to exhibit a higher cohesive force in the die-bonding sheet 10; It is a copolymer of a carboxyl group-containing monomer, a nitrogen atom-containing monomer, and a polyfunctional monomer (especially a polyglycidyl-based polyfunctional monomer), more preferably ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylic acid, acrylonitrile, and poly It is a copolymer of glycidyl (meth)acrylate.

상기 아크릴 수지는, 아크릴로니트릴의 함유량이 10질량％ 이하인 아크릴 수지인 것이 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드 시트(10)의 표면 자유 에너지 중 극성 성분의 비율을 보다 낮출 수 있다는 이점이 있다.It is preferable that the said acrylic resin is an acrylic resin whose content of acrylonitrile is 10 mass % or less. Thereby, there is an advantage that the ratio of the polar component in the surface free energy of the die-bonding sheet 10 can be lowered.

상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 다이 본드 시트(10)의 탄성이나 점성을 원하는 범위 내로 설정하기 쉽다는 점에서, -50℃ 이상 50℃ 이하인 것이 바람직하고, 10℃ 이상 30℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -50°C or more and 50°C or less, and 10°C or more and 30°C or less, from the viewpoint of easily setting the elasticity and viscosity of the die-bonding sheet 10 within a desired range. more preferably.

다이 본드 시트(10)가 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 경우, 다이 본드 시트(10)에 있어서의 상기 열가소성 수지의 함유 비율은, 필러를 제외한 유기 성분(예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화 촉매 등, 실란 커플링제, 염료)의 총 질량에 대하여, 바람직하게는 5질량％ 이상 50질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 10질량％ 이상 45질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 20질량％ 이상 40질량％ 이하이다. 또한, 열경화성 수지의 함유 비율을 변화시킴으로써, 다이 본드 시트(10)의 탄성이나 점성을 조정할 수 있다.When the die-bonding sheet 10 contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin, the content ratio of the thermoplastic resin in the die-bonding sheet 10 is an organic component (for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, With respect to the gross mass of a silane coupling agent, dye, such as a curing catalyst, Preferably it is 5 mass % or more and 50 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or more and 45 mass % or less, More preferably, it is 20 mass %. or more and 40 mass % or less. Moreover, the elasticity and viscosity of the die-bonding sheet 10 can be adjusted by changing the content rate of a thermosetting resin.

다이 본드 시트(10)의 열가소성 수지가 열경화성 관능기를 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 채용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지는, 바람직하게는 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 가장 많은 질량 비율로 포함한다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 상기 예시된 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.When the thermoplastic resin of the die-bonding sheet 10 has a thermosetting functional group, a thermosetting functional group containing acrylic resin is employable as this thermoplastic resin, for example. This thermosetting functional group containing acrylic resin, Preferably in a molecule|numerator, the structural unit derived from alkyl (meth)acrylate contains the most mass ratio. As said alkyl (meth)acrylate, the alkyl (meth)acrylate illustrated above is mentioned, for example.

한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기(수산기), 이소시아네이트기 등을 들 수 있다.In addition, as a thermosetting functional group in a thermosetting functional group containing acrylic resin, a glycidyl group, a carboxy group, a hydroxyl group (hydroxyl group), an isocyanate group, etc. are mentioned, for example.

다이 본드 시트(10)는 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 복수의 페놀 구조를 갖는 화합물을 경화제로서 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상술한 각종 페놀 수지를 경화제로서 사용할 수 있다.The die bond sheet 10 preferably contains a thermosetting functional group-containing acrylic resin and a curing agent. When the thermosetting functional group in a thermosetting functional group containing acrylic resin is a glycidyl group, it is preferable to use the compound which has a some phenol structure as a hardening|curing agent. For example, the various phenol resins described above can be used as the curing agent.

다이 본드 시트(10)는 바람직하게는 필러를 함유한다. 다이 본드 시트(10)에 있어서의 필러의 양을 바꿈으로써, 다이 본드 시트(10)의 탄성 및 점성을 보다 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 다이 본드 시트(10)의 도전성, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다.The die bond sheet 10 preferably contains a filler. By changing the amount of filler in the die-bonding sheet 10 , the elasticity and viscosity of the die-bonding sheet 10 can be more easily adjusted. In addition, physical properties such as conductivity, thermal conductivity, and elastic modulus of the die bond sheet 10 can be adjusted.

필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다.As a filler, an inorganic filler and an organic filler are mentioned. As a filler, an inorganic filler is preferable.

무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카나 비정질 실리카와 같은 실리카 등을 포함하는 필러를 들 수 있다. 또한, 무기 필러의 재질로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금 등을 들 수 있다. 붕산알루미늄 위스커, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등의 필러여도 된다. 필러의 형상은 구상, 바늘상, 플레이크상 등의 각종 형상이어도 된다. 필러로서는, 상기의 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.Examples of the inorganic filler include silica such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica or amorphous silica. The filler contained is mentioned. Moreover, as a material of an inorganic filler, metal single-piece|unit, alloys, such as aluminum, gold|metal|money, silver, copper, nickel, etc. are mentioned. Fillers, such as an aluminum borate whisker, amorphous carbon black, graphite, may be sufficient. The shape of a filler may be various shapes, such as a spherical shape, needle shape, and flake shape. As a filler, only 1 type or 2 or more types mentioned above are employ|adopted.

상기 필러의 평균 입경은 바람직하게는 0.005㎛ 이상 10㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.005㎛ 이상 1㎛ 이하이다. 상기 평균 입경이 0.005㎛ 이상임으로써, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에의 습윤성, 접착성이 보다 향상된다. 상기 평균 입경이 10㎛ 이하임으로써, 첨가한 필러에 의한 특성을 보다 충분히 발휘시킬 수 있고, 또한 다이 본드 시트(10)의 내열성을 보다 발휘시킬 수 있다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(예를 들어, 제품명 「LA-910」, 호리바 세이사꾸쇼사제)를 사용하여 구할 수 있다.The average particle diameter of the filler is preferably 0.005 µm or more and 10 µm or less, and more preferably 0.005 µm or more and 1 µm or less. When the said average particle diameter is 0.005 micrometer or more, the wettability and adhesiveness to to-be-adhered bodies, such as a semiconductor wafer, improve more. When the said average particle diameter is 10 micrometers or less, the characteristic by the added filler can be exhibited more fully, and the heat resistance of the die-bonding sheet 10 can be exhibited more. The average particle diameter of a filler can be calculated|required using the particle size distribution meter (For example, product name "LA-910", the Horiba Corporation make) of a photometric type, for example.

다이 본드 시트(10)가 필러를 포함하는 경우, 상기 필러의 함유 비율은, 다이 본드 시트(10)의 총 질량에 대하여 바람직하게는 30질량％ 이상 70질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이상(60질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 42질량％ 이상 55질량％ 이하이다.When the die-bonding sheet 10 contains a filler, the content rate of the filler is preferably 30 mass % or more and 70 mass % or less with respect to the total mass of the die-bonding sheet 10, More preferably, 40 mass % % or more (60 mass % or less, more preferably 42 mass % or more and 55 mass % or less.

다이 본드 시트(10)는 필요에 따라서 다른 성분을 포함해도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다.The die-bonding sheet 10 may contain other components as needed. As said other component, a curing catalyst, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trap agent, dye etc. are mentioned, for example.

난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin.

실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. have.

이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트, 벤조트리아졸 등을 들 수 있다.As an ion trap agent, hydrotalcites, bismuth hydroxide, benzotriazole, etc. are mentioned, for example.

상기 다른 첨가제로서는, 1종만 또는 2종 이상이 채용된다.As said other additive, only 1 type or 2 or more types are employ|adopted.

다이 본드 시트(10)는 탄성 및 점성을 조정하기 쉽다는 점에서, 바람직하게는 열가소성 수지(특히, 아크릴 수지), 열경화성 수지 및 필러를 포함한다.The die-bonding sheet 10 preferably contains a thermoplastic resin (particularly an acrylic resin), a thermosetting resin, and a filler from the viewpoint of being easy to adjust elasticity and viscosity.

다이 본드 시트(10)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다. 또한, 다이 본드 시트(10)가 적층체인 경우, 상기 두께는 적층체의 총 두께이다.Although the thickness of the die-bonding sheet 10 is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer or more and 200 micrometers or less. 3 micrometers or more and 150 micrometers or less may be sufficient as such a thickness, and 5 micrometers or more and 100 micrometers or less may be sufficient as them. In addition, when the die-bonding sheet 10 is a laminated body, the said thickness is the total thickness of a laminated body.

다이 본드 시트(10)는, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 단층 구조를 가져도 된다. 본 명세서에 있어서, 단층은 동일한 조성물로 형성된 층만을 갖는 것이다. 동일한 조성물로 형성된 층이 복수 적층된 형태도 단층이다.The die-bonding sheet 10 may have a single-layer structure, for example, as shown in FIG. 1 . In the present specification, a single layer has only a layer formed of the same composition. A form in which a plurality of layers formed of the same composition are laminated is also a single layer.

한편, 다이 본드 시트(10)는, 예를 들어 2종 이상의 다른 조성물로 각각 형성된 층이 적층된 다층 구조를 가져도 된다.In addition, the die-bonding sheet 10 may have a multilayer structure in which the layers each formed from 2 or more types of different compositions were laminated|stacked, for example.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에서는, 사용될 때에 활성 에너지선(예를 들어 자외선)이 조사됨으로써, 점착제층(22)이 경화된다. 상세하게는, 한쪽 면에 반도체 웨이퍼가 접착된 다이 본드 시트(10)와, 해당 다이 본드 시트(10)의 다른 쪽 면에 접합된 점착제층(22)이 적층된 상태에서, 자외선 등이 적어도 점착제층(22)에 조사된다. 예를 들어, 기재층(21)이 배치되어 있는 쪽으로부터 자외선 등을 조사하여, 기재층(21)을 거친 자외선 등이 점착제층(22)에 다다른다. 자외선 등의 조사에 의해, 점착제층(22)이 경화된다.In the dicing die-bonding film 1 of the present embodiment, when used, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by being irradiated with active energy rays (eg, ultraviolet rays). Specifically, in a state in which a die bond sheet 10 having a semiconductor wafer adhered to one surface and an adhesive layer 22 bonded to the other surface of the die bond sheet 10 are laminated, ultraviolet light or the like is at least a pressure sensitive adhesive. The layer 22 is irradiated. For example, ultraviolet rays etc. are irradiated from the side where the base material layer 21 is arrange|positioned, and the ultraviolet rays etc. which passed through the base material layer 21 reach the adhesive layer 22 . By irradiation with ultraviolet rays or the like, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured.

조사 후에 점착제층(22)이 경화됨으로써, 점착제층(22)의 점착력을 낮출 수 있기 때문에, 조사 후에 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)(반도체 웨이퍼가 접착된 상태)를 비교적 용이하게 박리시킬 수 있다.Since the adhesive layer 22 can be lowered by curing the pressure-sensitive adhesive layer 22 after irradiation, the die-bonding sheet 10 (semiconductor wafer adhered state) can be relatively easily removed from the pressure-sensitive adhesive layer 22 after irradiation. can be peeled off.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 사용되기 전의 상태에 있어서, 다이 본드 시트(10)의 한쪽 면(다이 본드 시트(10)가 점착제층(22)과 겹치지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 박리 시트는 다이 본드 시트(10)를 보호하기 위해 사용되고, 다이 본드 시트(10)에 피착체(예를 들어 반도체 웨이퍼)를 첩부하기 직전에 박리된다.In the state before being used, the dicing die-bonding film 1 of this embodiment covers one side of the die-bonding sheet 10 (the side where the die-bonding sheet 10 does not overlap the pressure-sensitive adhesive layer 22). A release sheet may be provided. The release sheet is used to protect the die-bonding sheet 10 , and is peeled off immediately before affixing an adherend (eg, a semiconductor wafer) to the die-bonding sheet 10 .

이 박리 시트로서는, 상술한 박리 시트와 마찬가지의 것을 채용할 수 있다. 이 박리 시트는, 다이 본드 시트(10)를 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 박리 시트는, 점착제층(22) 상에 다이 본드 시트(10)를 겹칠 때에 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 다이 본드 시트(10)가 적층된 상태에서 다이 본드 시트(10)를 점착제층(22)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리(전사함)함으로써, 점착제층(22) 상에 다이 본드 시트(10)를 겹칠 수 있다.As this release sheet, the thing similar to the above-mentioned release sheet is employable. This release sheet can be used as a support material for supporting the die-bonding sheet 10 . The release sheet is suitably used when the die-bonding sheet 10 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 22 . Specifically, in a state in which the release sheet and the die bond sheet 10 are laminated, the die bond sheet 10 is superimposed on the pressure sensitive adhesive layer 22, and the release sheet is peeled off (transferred) after being overlaid, whereby the pressure sensitive adhesive layer 22 A die bond sheet 10 may be overlapped thereon.

본 실시 형태의 다이 본드 시트(10)는 상기와 같이 구성되어 있기 때문에, 칩(다이)을 적층하였을 때의 들뜸(칩의 들뜸 현상)을 억제할 수 있다.Since the die-bonding sheet 10 of the present embodiment is configured as described above, it is possible to suppress the floatation (floating phenomenon of the chips) when the chips (die) are stacked.

이어서, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 실시 형태에 대하여 설명한다.Next, embodiment of the dicing die-bonding film which concerns on this invention is demonstrated.

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 상기 다이 본드 시트(10)와, 해당 다이 본드 시트(10)에 접합된 다이싱 테이프를 구비한다.The dicing die-bonding film 1 of this embodiment is provided with the said die-bonding sheet 10 and the dicing tape joined to the said die-bonding sheet 10 .

<다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프><Dicing tape of dicing die bond film>

상기 다이싱 테이프(20)는 통상 장척 시트이며, 사용될 때까지 권회된 상태에서 보관된다. 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 할단 처리되는 실리콘 웨이퍼보다도, 한층 더 큰 내경을 갖는 원환상의 프레임에 부착되고, 커트되어 사용된다.The dicing tape 20 is usually a long sheet, and is stored in a rolled state until used. The dicing die-bonding film 1 of this embodiment is attached to an annular frame having an inner diameter still larger than that of the silicon wafer to be cut, and used after being cut.

상기 다이싱 테이프(20)는 기재층(21)과, 해당 기재층(21)에 겹친 점착제층(22)을 구비한다.The dicing tape 20 includes a base layer 21 and an adhesive layer 22 superimposed on the base layer 21 .

기재층(21)은 단층 구조여도 되고, 적층 구조를 가져도 된다.A single layer structure may be sufficient as the base material layer 21, and it may have a laminated structure.

기재층(21)의 각 층은, 예를 들어 금속박, 종이나 천 등의 섬유 시트, 고무 시트, 수지 필름 등이다.Each layer of the base material layer 21 is metal foil, fiber sheets, such as paper and cloth, a rubber sheet, a resin film, etc., for example.

기재층(21)을 구성하는 섬유 시트로서는, 종이, 직포, 부직포 등을 들 수 있다.As a fiber sheet which comprises the base material layer 21, paper, a woven fabric, a nonwoven fabric, etc. are mentioned.

수지 필름의 재질로서는, 예를 들어 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체 등의 에틸렌의 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리아크릴레이트; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 지방족 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 폴리아미드; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스 또는 셀룰로오스 유도체; 실리콘 함유 고분자; 불소 함유 고분자 등을 들 수 있다. 이들은 1종이 단독으로 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.As a material of a resin film, For example, Polyolefin, such as polyethylene (PE), a polypropylene (PP), an ethylene-propylene copolymer; copolymers of ethylene, such as an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), an ionomer resin, an ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, and an ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer; polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene terephthalate (PBT); polyacrylate; polyvinyl chloride (PVC); Polyurethane; polycarbonate; polyphenylene sulfide (PPS); polyamides such as aliphatic polyamide and wholly aromatic polyamide (aramid); polyetheretherketone (PEEK); polyimide; polyetherimide; polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer); cellulose or cellulose derivatives; silicone-containing polymers; A fluorine-containing polymer|macromolecule etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

기재층(21)은 수지 필름 등의 고분자 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the base material layer 21 is comprised by polymeric materials, such as a resin film.

기재층(21)이 수지 필름을 갖는 경우, 수지 필름이 연신 처리 등이 실시되어, 신장률 등의 변형성이 제어되어 있어도 된다.When the base material layer 21 has a resin film, an extending|stretching process etc. may be given to a resin film, and deformability, such as elongation rate, may be controlled.

기재층(21)의 표면에는, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위해서, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 방법 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 채용될 수 있다. 또한, 앵커 코팅제, 프라이머, 접착제 등의 코팅제에 의한 코팅 처리가 실시되어 있어도 된다.In order to improve adhesiveness with the adhesive layer 22, the surface of the base material layer 21 may be surface-treated. As the surface treatment, chemical methods such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-pressure electric shock exposure, and ionizing radiation treatment or oxidation treatment by a physical method can be employed, for example. Moreover, the coating process by coating agents, such as an anchor coating agent, a primer, and an adhesive agent, may be performed.

기재층(21)은 복수의 층으로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 적어도 3층으로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하고, 3층으로 구성되어 있는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the base material layer 21 is comprised by several layers, It is more preferable to be comprised by at least three layers, It is more preferable to be comprised by three layers.

3층 구조의 기재층(21)은, 비엘라스토머로 형성된 2개의 비엘라스토머층(X, X)과, 2개의 비엘라스토머층 사이에 배치되며 또한 엘라스토머로 형성된 엘라스토머층(Y)을 갖는(X층/Y층/X층) 것이 바람직하다.The base layer 21 of the three-layer structure has two non-elastomeric layers (X, X) formed of a non-elastomer, and an elastomer layer (Y) disposed between the two non-elastomeric layers and formed of an elastomer (layer X) /Y layer/X layer) is preferable.

엘라스토머층은, 실온에서의 탄성률이 200MPa 이하인 층이다. 엘라스토머층은 통상 실온(23℃)에 있어서 고무 탄성을 나타내는 고분자 재료로 형성되어 있다. 한편, 비엘라스토머층은 실온에서의 탄성률이 200MPa보다도 큰 층이다.An elastomer layer is a layer whose elasticity modulus at room temperature is 200 MPa or less. The elastomer layer is usually formed of a polymer material exhibiting rubber elasticity at room temperature (23°C). On the other hand, the non-elastomeric layer is a layer whose elastic modulus at room temperature is larger than 200 MPa.

이러한 3층의 적층 구조를 갖는 엘라스토머의 각 층은, 통상 수지로 형성되어 있다. 3층의 적층 구조를 갖는 엘라스토머는, 예를 들어 공압출 성형에 의해 제작되고, 3개의 층이 일체화되어 있다.Each layer of the elastomer having such a three-layer laminated structure is usually formed of a resin. The elastomer having a three-layer laminate structure is produced by, for example, co-extrusion molding, and the three layers are integrated.

3층 구조의 기재층(21)에 있어서, 외층 1층분의 두께에 대한 내층의 두께의 비(Y 두께/X 두께)는, 5 이상 15 이하인 것이 바람직하다.In the base material layer 21 of a three-layer structure, it is preferable that ratio (Y thickness/X thickness) of the thickness of the inner layer with respect to the thickness of one outer layer is 5 or more and 15 or less.

외측에 배치된 비엘라스토머층은, 구성하는 수지를 GPC 측정하였을 때, 3 이하의 분자량 분포 분산도(질량 평균 분자량/수평균 분자량)를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the non-elastomeric layer arrange|positioned on the outer side has a molecular weight distribution dispersion degree (mass average molecular weight/number average molecular weight) of 3 or less, when GPC-measured GPC of resin which comprises.

비엘라스토머층(X)은 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 폴리프로필렌 등을 포함해도 된다. 폴리프로필렌으로서는, 호모 폴리머(호모 폴리프로필렌), 또는 랜덤 폴리프로필렌이나 블록 폴리프로필렌 등의 코폴리머 등을 들 수 있다. 폴리프로필렌은 메탈로센 촉매에 의해 합성된 메탈로센 폴리프로필렌이어도 된다. 비엘라스토머층(X)은 메탈로센 폴리프로필렌을 포함하는 것이 바람직하다.The non-elastomeric layer (X) may contain low-density polyethylene (LDPE), high-density polyethylene (HDPE), polypropylene, or the like. As polypropylene, copolymers, such as a homopolymer (homopolypropylene) or random polypropylene and block polypropylene, etc. are mentioned. The polypropylene may be a metallocene polypropylene synthesized by a metallocene catalyst. It is preferable that the non-elastomeric layer (X) contains a metallocene polypropylene.

한편, 엘라스토머층(Y)은 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 또는 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 것이 바람직하고, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA)를 포함하는 것이 보다 바람직하다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는, α-올레핀의 호모 폴리머, 2종류 이상의 α-올레핀의 코폴리머 등을 들 수 있다.On the other hand, the elastomer layer (Y) preferably contains an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) or an α-olefin-based thermoplastic elastomer, and more preferably contains an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). Examples of the α-olefin thermoplastic elastomer include homopolymers of α-olefins, copolymers of two or more types of α-olefins, and the like.

에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지(EVA)는 아세트산비닐의 구성 단위를 5질량％ 이상 35질량％ 이하 포함해도 된다.Ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA) may contain 5 mass % or more and 35 mass % or less of structural units of vinyl acetate.

기재층(21)의 두께(총 두께)는 80㎛ 이상 150㎛ 이하여도 된다.The thickness (total thickness) of the base material layer 21 may be 80 micrometers or more and 150 micrometers or less.

기재층(21)의 배면측(점착제층(22)이 겹치지 않은 측)에는, 박리성을 부여하기 위해서, 예를 들어 실리콘계 수지나 불소계 수지 등의 이형제(박리제) 등에 의해 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.In order to impart releasability to the back side of the base layer 21 (the side where the pressure-sensitive adhesive layer 22 does not overlap), for example, a release agent (release agent) such as a silicone-based resin or a fluorine-based resin may be subjected to a release treatment. do.

기재층(21)은, 배면측으로부터 자외선 등의 활성 에너지선을 점착제층(22)에 부여하는 것이 가능해지는 점에서, 광투과성(자외선 투과성)의 수지 필름 등인 것이 바람직하다.Since the base material layer 21 becomes possible to provide active energy rays, such as an ultraviolet-ray, to the adhesive layer 22 from the back side, it is preferable that it is a light-transmitting (ultraviolet-ray transmittance) resin film etc.

상기 다이싱 테이프(20)는, 사용되기 전의 상태에 있어서, 점착제층(22)의 한쪽 면(점착제층(22)이 기재층(21)과 겹치지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 점착제층(22)보다도 작은 면적의 다이 본드 시트(10)가, 점착제층(22)에 안정되게 배치되어 있는 경우, 박리 시트는 점착제층(22) 및 다이 본드 시트(10)의 양쪽을 덮도록 배치된다. 박리 시트는 점착제층(22)을 보호하기 위해 사용되고, 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 첩부하기 전에 박리된다.The said dicing tape 20 may be equipped with the release sheet which covers one side of the adhesive layer 22 (the surface where the adhesive layer 22 does not overlap with the base material layer 21) in the state before using. When the die-bonding sheet 10 having an area smaller than the pressure-sensitive adhesive layer 22 is stably disposed on the pressure-sensitive adhesive layer 22 , the release sheet covers both the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding sheet 10 . are placed The release sheet is used to protect the pressure-sensitive adhesive layer 22 , and is peeled off before attaching the die-bonding sheet 10 to the pressure-sensitive adhesive layer 22 .

박리 시트로서는, 예를 들어 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면 처리된, 플라스틱 필름 또는 종이 등을 사용할 수 있다.As the release sheet, for example, a plastic film or paper surface-treated with a release agent such as silicone-based, long-chain alkyl-based, fluorine-based or molybdenum sulfide can be used.

또한, 박리 시트로서는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌·불화비닐리덴 공중합체 등의 불소계 폴리머제의 필름; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀제의 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르제의 필름 등을 사용할 수 있다.Further, examples of the release sheet include polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene copolymer, and chlorofluoroethylene/vinyl fluoride. Films made from a fluorine-type polymer, such as a leadene copolymer; Films made of polyolefins, such as polyethylene and polypropylene; A film made of polyester, such as polyethylene terephthalate (PET), etc. can be used.

또한, 박리 시트로서는, 예를 들어 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된, 플라스틱 필름 또는 종이류 등을 사용할 수 있다.Moreover, as a release sheet, the plastic film, paper, etc. which were surface-coated with release agents, such as a fluorine-type release agent and a long-chain alkyl acrylate type release agent, can be used, for example.

또한, 박리 시트는 점착제층(22)을 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 특히, 박리 시트는 기재층(21) 상에 점착제층(22)을 겹칠 때에 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 점착제층(22)이 적층된 상태에서 점착제층(22)을 기재층(21)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리함(전사함)으로써, 기재층(21) 상에 점착제층(22)을 겹칠 수 있다.In addition, the release sheet can be used as a support material for supporting the pressure-sensitive adhesive layer 22 . In particular, the release sheet is suitably used when laminating the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the base layer 21 . Specifically, in a state in which the release sheet and the pressure-sensitive adhesive layer 22 are laminated, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is overlapped on the base material layer 21, and the release sheet is peeled (transferred) after being overlapped, so that on the base material layer 21 The pressure-sensitive adhesive layer 22 may be overlapped.

본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)은 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 포함한다.In this embodiment, the adhesive layer 22 contains an acrylic polymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator, for example.

점착제층(22)은 5㎛ 이상 40㎛ 이하의 두께를 가져도 된다. 점착제층(22)의 형상 및 크기는 통상 기재층(21)의 형상 및 크기와 동일하다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 may have a thickness of 5 µm or more and 40 µm or less. The shape and size of the pressure-sensitive adhesive layer 22 are usually the same as the shape and size of the base layer 21 .

상기 아크릴 폴리머는 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적어도 갖는다. 구성 단위는 아크릴 폴리머의 주쇄를 구성하는 단위이다. 상기 아크릴 폴리머에 있어서의 각 측쇄는, 주쇄를 구성하는 각 구성 단위에 포함된다.The said acrylic polymer has at least a structural unit of an alkyl (meth)acrylate, a structural unit of a hydroxyl-containing (meth)acrylate, and a polymeric group-containing (meth)acrylate structural unit in a molecule|numerator. The structural unit is a unit constituting the main chain of the acrylic polymer. Each side chain in the said acrylic polymer is contained in each structural unit which comprises a main chain.

또한, 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴레이트」라는 표기는, 메타크릴레이트(메타크릴산에스테르) 및 아크릴레이트(아크릴산에스테르) 중 적어도 한쪽을 나타낸다. 마찬가지로, 「(메트)아크릴산」라는 표기는 메타크릴산 및 아크릴산 중 적어도 한쪽을 나타낸다.In addition, in this specification, the description with "(meth)acrylate" shows at least one of a methacrylate (methacrylic acid ester) and an acrylate (acrylic acid ester). Similarly, the expression "(meth)acrylic acid" represents at least one of methacrylic acid and acrylic acid.

점착제층(22)에 포함되는 아크릴 폴리머에 있어서, 상기 구성 단위는 1H-NMR, 13C-NMR 등의 NMR 분석, 열분해 GC/MS 분석 및 적외 분광법 등에 의해 확인할 수 있다. 또한, 아크릴 폴리머에 있어서의 상기 구성 단위의 몰 비율은, 통상 아크릴 폴리머를 중합할 때의 배합량(투입량)으로부터 산출된다.In the acrylic polymer included in the pressure-sensitive adhesive layer 22 , the structural unit can be confirmed by NMR analysis such as 1 H-NMR and 13 C-NMR, thermal decomposition GC/MS analysis, infrared spectroscopy, or the like. In addition, the molar ratio of the said structural unit in an acrylic polymer is computed from the compounding quantity (injection amount) at the time of superposing|polymerizing normally an acrylic polymer.

상기 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에서 유래한다. 환언하면, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머가 중합 반응한 후의 분자 구조가, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위이다. 「알킬」이라는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분의 탄소수를 나타낸다.The structural unit of the alkyl (meth) acrylate is derived from an alkyl (meth) acrylate monomer. In other words, the molecular structure after the polymerization reaction of the alkyl (meth) acrylate monomer is a structural unit of the alkyl (meth) acrylate. The expression "alkyl" indicates the number of carbon atoms in the hydrocarbon moiety ester-bonded with (meth)acrylic acid.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 알킬 부분의 탄화수소 부분은, 포화 탄화수소여도 되고, 불포화 탄화수소여도 된다.A saturated hydrocarbon may be sufficient as the hydrocarbon part of the alkyl part in the structural unit of an alkyl (meth)acrylate, and an unsaturated hydrocarbon may be sufficient as it.

또한, 알킬 부분은 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이에 의해, 알킬폴리머의 극성이 극단적으로 높아지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 점착제층(22)이 다이 본드 시트(10)에 대하여 과도한 친화성을 갖는 것이 억제된다. 따라서, 다이 본드 시트(10)로부터 다이싱 테이프(20)를 보다 양호하게 박리할 수 있다. 알킬 부분의 탄소수는 6 이상 10 이하여도 된다.In addition, it is preferable that the alkyl moiety does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like. Thereby, it can suppress that the polarity of an alkyl polymer becomes extremely high. Accordingly, it is suppressed that the pressure-sensitive adhesive layer 22 has excessive affinity for the die-bonding sheet 10 . Therefore, the dicing tape 20 can be peeled from the die-bonding sheet 10 more favorably. 6 or more and 10 or less may be sufficient as carbon number of an alkyl part.

알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n- 또는 iso-노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트 등의 각 구성 단위를 들 수 있다.As a structural unit of alkyl (meth)acrylate, For example, hexyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, n- or iso- nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, etc. of each constituent unit.

아크릴 폴리머는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖고, 이러한 구성 단위의 수산기가 이소시아네이트기와 용이하게 반응한다.An acrylic polymer has a structural unit of hydroxyl-containing (meth)acrylate, The hydroxyl group of this structural unit reacts easily with an isocyanate group.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물을 점착제층(22)에 공존시켜 둠으로써, 점착제층(22)을 적절하게 경화시킬 수 있다. 그 때문에, 아크릴 폴리머를 충분히 겔화할 수 있다. 따라서, 점착제층(22)은 형상을 유지하면서 점착 성능을 발휘할 수 있다.By making the adhesive layer 22 coexist with the acrylic polymer which has the structural unit of a hydroxyl-containing (meth)acrylate, and an isocyanate compound, the adhesive layer 22 can be hardened suitably. Therefore, the acrylic polymer can be sufficiently gelled. Accordingly, the pressure-sensitive adhesive layer 22 can exhibit adhesive performance while maintaining its shape.

수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위인 것이 바람직하다. 「C2 내지 C4 알킬」이라는 표기는, (메트)아크릴산에 대하여 에스테르 결합한 탄화수소 부분의 탄소수를 나타낸다. 환언하면, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트 모노머는, (메트)아크릴산과 탄소수 2 내지 4의 알코올(통상, 2가 알코올)이 에스테르 결합한 모노머를 나타낸다.It is preferable that the structural unit of a hydroxyl-containing (meth)acrylate is a structural unit of a hydroxyl-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate. The expression "C2-C4 alkyl" indicates the number of carbon atoms in the hydrocarbon moiety ester-bonded with (meth)acrylic acid. In other words, the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate monomer represents a monomer in which (meth)acrylic acid and an alcohol having 2 to 4 carbon atoms (usually a dihydric alcohol) are ester-bonded.

C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은 통상 포화 탄화수소이다. 예를 들어, C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은 직쇄상 포화 탄화수소 또는 분지쇄상 포화 탄화수소이다. C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다.The hydrocarbon portion of the C2 to C4 alkyl is usually a saturated hydrocarbon. For example, the hydrocarbon portion of a C2 to C4 alkyl is a linear saturated hydrocarbon or a branched saturated hydrocarbon. It is preferable that the hydrocarbon portion of C2 to C4 alkyl does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like.

수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시n-부틸(메트)아크릴레이트 또는 히드록시iso-부틸(메트)아크릴레이트와 같은 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 각 구성 단위를 들 수 있다. 또한, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 수산기(-OH기)는 탄화수소 부분의 말단 탄소(C)에 결합되어 있어도 되고, 탄화수소 부분의 말단 이외의 탄소(C)에 결합되어 있어도 된다.As the structural unit of the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate, for example, hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxypropyl (meth)acrylate, hydroxyn-butyl (meth)acrylate or hydroxy Each structural unit of hydroxybutyl (meth)acrylate like iso-butyl (meth)acrylate is mentioned. In addition, in the structural unit of hydroxybutyl (meth)acrylate, the hydroxyl group (-OH group) may be bonded to a terminal carbon (C) of the hydrocarbon portion, or bonded to a carbon (C) other than the terminal of the hydrocarbon portion. there may be

상기 아크릴 폴리머는 측쇄에 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함한다.The acrylic polymer includes a structural unit of a polymerizable group-containing (meth)acrylate having a polymerizable unsaturated double bond in a side chain.

상기 아크릴 폴리머가 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함함으로써, 픽업 공정 전에, 점착제층(22)을 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해 경화시킬 수 있다. 상세하게는, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해, 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시키고, 이 라디칼의 작용에 의해, 아크릴 폴리머끼리를 가교 반응시킬 수 있다. 이에 의해, 조사 전에 있어서의 점착제층(22)의 점착력을, 조사에 의해 저하시킬 수 있다. 그리고, 다이 본드 시트(10)를 점착제층(22)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다.When the said acrylic polymer contains the structural unit of polymeric-group containing (meth)acrylate, before a pick-up process, the adhesive layer 22 can be hardened by irradiation of an active energy ray (ultraviolet rays etc.). In detail, by irradiation of active energy rays, such as an ultraviolet-ray, radicals can be generate|occur|produced from a photoinitiator, and acrylic polymers can be crosslinked by the action|action of this radical. Thereby, the adhesive force of the adhesive layer 22 in before irradiation can be reduced by irradiation. And the die-bonding sheet 10 can be peeled favorably from the adhesive layer 22. As shown in FIG.

또한, 활성 에너지선으로서는, 자외선, 방사선, 전자선이 채용된다.Moreover, as an active energy ray, an ultraviolet-ray, a radiation, an electron beam is employ|adopted.

중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 구체적으로는 상술한 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 수산기에, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 이소시아네이트기가 우레탄 결합한 분자 구조를 가져도 된다.The structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate is, specifically, a molecular structure in which an isocyanate group of an isocyanate group-containing (meth)acrylate monomer is urethane-bonded to a hydroxyl group in the structural unit of the above-described hydroxyl group-containing (meth)acrylate. may have

중합성기를 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 중합 후에 조제될 수 있다. 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 공중합 후에, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부에 있어서의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응시킴으로써, 상기 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 얻을 수 있다.The structural unit of the polymerizable group containing (meth)acrylate which has a polymeric group can be prepared after superposition|polymerization of an acrylic polymer. For example, after copolymerization of an alkyl (meth) acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer, the hydroxyl group in a part of the structural units of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate, and an isocyanate group-containing isocyanate of the polymerizable monomer A structural unit of the said polymeric-group containing (meth)acrylate can be obtained by making a group urethanation-react.

상기 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머는, 분자 중에 이소시아네이트기를 1개 갖고 또한 (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 것이 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들어 2-이소시아나토에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.It is preferable that the said isocyanate group containing (meth)acrylate monomer has one isocyanate group in a molecule|numerator, and has one (meth)acryloyl group. As such a monomer, 2-isocyanatoethyl (meth)acrylate is mentioned, for example.

본 실시 형태에 있어서의 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 또한 이소시아네이트 화합물을 포함한다. 이소시아네이트 화합물의 일부는 우레탄화 반응 등에 의해 반응한 후의 상태여도 된다.The adhesive layer 22 of the dicing tape 20 in this embodiment contains an isocyanate compound further. The state after a part of isocyanate compound reacts by urethanation reaction etc. may be sufficient.

이소시아네이트 화합물은 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 갖는다. 이소시아네이트 화합물이 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 가짐으로써, 점착제층(22)에 있어서의 아크릴 폴리머간의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 이소시아네이트 화합물의 한쪽의 이소시아네이트기를 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시키고, 다른 쪽의 이소시아네이트기를 다른 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시킴으로써, 이소시아네이트 화합물을 통한 가교 반응을 진행시킬 수 있다.An isocyanate compound has several isocyanate groups in a molecule|numerator. When an isocyanate compound has several isocyanate groups in a molecule|numerator, the crosslinking reaction between the acrylic polymers in the adhesive layer 22 can be advanced. Specifically, by making one isocyanate group of an isocyanate compound react with the hydroxyl group of an acrylic polymer, and making the other isocyanate group react with the hydroxyl group of another acrylic polymer, the crosslinking reaction through an isocyanate compound can be advanced.

이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트 또는 방향 지방족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트를 들 수 있다.As an isocyanate compound, diisocyanate, such as aliphatic diisocyanate, alicyclic diisocyanate, or aromatic aliphatic diisocyanate, is mentioned, for example.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 디이소시아네이트의 2량체나 3량체 등의 중합 폴리이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐렌폴리이소시아네이트를 들 수 있다.Moreover, as an isocyanate compound, superposition|polymerization polyisocyanate, such as a dimer and a trimer of diisocyanate, and polymethylene polyphenylene polyisocyanate are mentioned, for example.

덧붙여, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 상술한 이소시아네이트 화합물의 과잉량과, 활성 수소 함유 화합물을 반응시킨 폴리이소시아네이트를 들 수 있다. 활성 수소 함유 화합물로서는, 활성 수소 함유 저분자량 화합물, 활성 수소 함유 고분자량 화합물 등을 들 수 있다.In addition, as an isocyanate compound, the polyisocyanate which made the excess amount of the above-mentioned isocyanate compound, and an active hydrogen containing compound react is mentioned, for example. Examples of the active hydrogen-containing compound include active hydrogen-containing low molecular weight compounds and active hydrogen-containing high molecular weight compounds.

또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 알로파네이트화 폴리이소시아네이트, 뷰렛화 폴리이소시아네이트 등도 사용할 수 있다.Moreover, as an isocyanate compound, allophanate-ized polyisocyanate, biuret-ized polyisocyanate, etc. can also be used.

상기 이소시아네이트 화합물은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The said isocyanate compound can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트와 활성 수소 함유 저분자량 화합물의 반응물이 바람직하다. 방향족 디이소시아네이트의 반응물은, 이소시아네이트기의 반응 속도가 비교적 느리기 때문에, 이러한 반응물을 포함하는 점착제층(22)은, 과도하게 경화되어버리는 것이 억제된다. 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.As the isocyanate compound, a reaction product of an aromatic diisocyanate and an active hydrogen-containing low molecular weight compound is preferable. Since the reaction rate of an isocyanate group is comparatively slow in the reaction material of aromatic diisocyanate, it is suppressed that the adhesive layer 22 containing such a reaction material hardens|cures excessively. As said isocyanate compound, what has 3 or more isocyanate groups in a molecule|numerator is preferable.

점착제층(22)에 포함되는 중합 개시제는, 가해진 열이나 광의 에너지에 의해 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이다. 점착제층(22)이 중합 개시제를 포함함으로써, 점착제층(22)에 열에너지나 광에너지를 부여하였을 때, 아크릴 폴리머간에 있어서의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머간에 있어서, 중합성기끼리의 중합 반응을 개시시켜, 점착제층(22)을 경화시킬 수 있다. 이에 의해, 점착제층(22)의 점착력을 저하시켜, 픽업 공정에 있어서, 경화한 점착제층(22)으로부터 다이 본드 시트(10)를 용이하게 박리시킬 수 있다.The polymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22 is a compound capable of initiating a polymerization reaction by applied heat or light energy. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains a polymerization initiator and heat energy or light energy is applied to the pressure-sensitive adhesive layer 22 , the crosslinking reaction between the acrylic polymers can proceed. In detail, between the acrylic polymers which have a structural unit of polymerizable group containing (meth)acrylate WHEREIN: The polymerization reaction of polymeric groups can be started, and the adhesive layer 22 can be hardened. Thereby, the adhesive force of the adhesive layer 22 can be reduced and the die-bonding sheet 10 can be easily peeled from the hardened|cured adhesive layer 22 in a pick-up process.

중합 개시제로서는, 예를 들어 광중합 개시제 또는 열중합 개시제 등이 채용된다. 중합 개시제로서는, 일반적인 시판 제품을 사용할 수 있다.As a polymerization initiator, a photoinitiator, a thermal polymerization initiator, etc. are employ|adopted, for example. As the polymerization initiator, a general commercially available product can be used.

점착제층(22)은 상술한 성분 이외의 기타 성분을 더 포함할 수 있다. 기타 성분으로서는, 예를 들어 점착 부여제, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 내열 안정제, 대전 방지제, 계면 활성제, 경박리화제 등을 들 수 있다. 기타 성분의 종류 및 사용량은 목적에 따라서 적절하게 선택될 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 may further include other components in addition to the above-described components. As other components, a tackifier, a plasticizer, a filler, an antioxidant, antioxidant, a ultraviolet absorber, a light stabilizer, a heat-resistant stabilizer, an antistatic agent, surfactant, a light peeling agent etc. are mentioned, for example. The type and amount of other components may be appropriately selected according to the purpose.

계속해서, 본 실시 형태의 다이 본드 시트(10) 및 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Then, the manufacturing method of the die-bonding sheet 10 and the dicing die-bonding film 1 of this embodiment is demonstrated.

<다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법><Manufacturing method of dicing die-bonding film>

본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법은,The manufacturing method of the dicing die-bonding film 1 of this embodiment,

다이 본드 시트(10)를 제작하는 공정과,The process of manufacturing the die bond sheet 10, and

다이싱 테이프(20)를 제작하는 공정과,A process of manufacturing the dicing tape 20,

제조된 다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정을 구비한다.The process of overlapping the manufactured die-bonding sheet 10 and the dicing tape 20 is provided.

<다이 본드 시트를 제작하는 공정><Process of manufacturing a die-bonding sheet>

다이 본드 시트(10)를 제작하는 공정은,The process of manufacturing the die bond sheet 10 is,

다이 본드 시트(10)를 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하는 수지 조성물 조제 공정과,A resin composition preparation step of preparing a resin composition for forming the die-bonding sheet 10;

수지 조성물로 다이 본드 시트(10)를 형성하는 다이 본드 시트 형성 공정을 갖는다.It has a die-bonding sheet forming process of forming the die-bonding sheet 10 from a resin composition.

수지 조성물 조제 공정에서는, 예를 들어 에폭시 수지, 에폭시 수지의 경화 촉매, 아크릴 수지, 페놀 수지, 용매 등을 혼합하여, 각 수지를 용매에 용해시킴으로써 수지 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 또한, 이들 수지로서는, 시판되고 있는 제품을 사용할 수 있다.At a resin composition preparation process, for example, an epoxy resin, the curing catalyst of an epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a solvent, etc. are mixed, and a resin composition is prepared by dissolving each resin in a solvent. By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted. In addition, as these resins, commercially available products can be used.

다이 본드 시트 형성 공정에서는, 예를 들어 상기와 같이 조제한 수지 조성물을 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 이어서, 필요에 따라서 탈용매 처리나 경화 처리 등에 의해, 도포한 조성물을 고화시켜, 다이 본드 시트(10)를 형성한다.In a die-bonding sheet formation process, the resin composition prepared as mentioned above is apply|coated to a peeling sheet, for example. It does not specifically limit as a coating method, For example, general coating methods, such as roll coating, screen coating, gravure coating, are employ|adopted. Next, if necessary, the applied composition is solidified by solvent removal treatment, curing treatment, or the like to form the die-bonding sheet 10 .

<다이싱 테이프를 제작하는 공정><Process of producing dicing tape>

다이싱 테이프를 제작하는 공정은,The process of producing a dicing tape is,

아크릴 폴리머를 합성하는 합성 공정과,A synthesis process for synthesizing an acrylic polymer;

상술한 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제와, 용매와, 목적에 따라서 적절히 추가하는 기타 성분을 포함하는 점착제 조성물로부터 용매를 휘발시켜 점착제층(22)을 제작하는 점착제층 제작 공정과,A pressure-sensitive adhesive layer production step of preparing the pressure-sensitive adhesive layer 22 by volatilizing the solvent from the pressure-sensitive adhesive composition comprising the above-described acrylic polymer, an isocyanate compound, a polymerization initiator, a solvent, and other components to be appropriately added according to the purpose;

기재층(21)을 제작하는 기재층 제작 공정과,A base layer production process of producing the base layer 21, and

점착제층(22)과 기재층(21)을 접합함으로써, 기재층(21)과 점착제층(22)을 적층시키는 적층 공정을 구비한다.By bonding the adhesive layer 22 and the base material layer 21 together, the lamination|stacking process of laminating|stacking the base material layer 21 and the adhesive layer 22 is provided.

합성 공정에서는, 예를 들어 C9 내지 C11 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머를 라디칼 중합시킴으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성한다.In the synthesis step, for example, an acrylic polymer intermediate is synthesized by radical polymerization of a C9 to C11 alkyl (meth)acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer.

라디칼 중합은 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 상기 각 모노머를 용매에 용해시켜 가열하면서 교반하고, 중합 개시제를 첨가함으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성할 수 있다. 아크릴 폴리머의 분자량을 조정하기 위해서, 연쇄 이동제의 존재 하에서 중합을 행해도 된다.Radical polymerization can be performed by a general method. For example, an acryl polymer intermediate can be synthesize|combined by dissolving each said monomer in a solvent, stirring, heating, and adding a polymerization initiator. In order to adjust the molecular weight of an acrylic polymer, you may superpose|polymerize in presence of a chain transfer agent.

이어서, 아크릴 폴리머 중간체에 포함되는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응에 의해 결합시킨다. 이에 의해, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부가 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위가 된다.Next, the hydroxyl group of a part of the structural unit of a hydroxyl-containing (meth)acrylate contained in an acrylic polymer intermediate|middle, and the isocyanate group of an isocyanate group-containing polymerizable monomer are couple|bonded by urethanation reaction. Thereby, a part of structural unit of hydroxyl-containing (meth)acrylate turns into a structural unit of polymerizable group-containing (meth)acrylate.

우레탄화 반응은 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 용매 및 우레탄화 촉매의 존재 하에서, 가열하면서 아크릴 폴리머 중간체와 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머를 교반한다. 이에 의해, 아크릴 폴리머 중간체의 수산기 일부에, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를 우레탄 결합시킬 수 있다.The urethanation reaction can be performed by a general method. For example, in the presence of a solvent and a urethanization catalyst, the acrylic polymer intermediate and the isocyanate group-containing polymerizable monomer are stirred while heating. Thereby, the isocyanate group of an isocyanate group containing polymerizable monomer can be urethane-bonded with a part of hydroxyl group of an acrylic polymer intermediate|middle.

점착제층 제작 공정에서는, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 용매에 용해시켜, 점착제 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 이어서, 점착제 조성물을 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 도포한 조성물에 탈용매 처리나 고화 처리 등을 실시함으로써, 도포한 점착제 조성물을 고화시켜, 점착제층(22)을 제작한다.In an adhesive layer preparation process, an acrylic polymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator are melt|dissolved in a solvent, for example, and an adhesive composition is prepared. By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted. Next, the pressure-sensitive adhesive composition is applied to the release sheet. As a coating method, general coating methods, such as roll coating, screen coating, and gravure coating, are employ|adopted, for example. By performing a solvent removal process, a solidification process, etc. to the apply|coated composition, the apply|coated adhesive composition is solidified, and the adhesive layer 22 is produced.

기재층 제작 공정에서는, 일반적인 방법에 의해 제막하여 기재층을 제작할 수 있다. 제막하는 방법으로서는, 예를 들어, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다. 공압출 성형법을 채용해도 된다. 또한, 기재층(21)으로서, 시판되고 있는 필름 등을 사용해도 된다.In a base material layer preparation process, it can form into a film by a general method, and can produce a base material layer. As a film forming method, the calender film forming method, the casting method in an organic solvent, the inflation extrusion method in a closed system, the T-die extrusion method, the dry lamination method etc. are mentioned, for example. A co-extrusion molding method may be employed. In addition, as the base material layer 21, you may use a commercially available film etc.

적층 공정에서는, 박리 시트에 겹친 상태의 점착제층(22)과 기재층(21)을 겹쳐 적층시킨다. 또한, 박리 시트는 사용 전까지 점착제층(22)에 겹친 상태여도 된다.At a lamination|stacking process, the adhesive layer 22 and the base material layer 21 of the state which were superimposed on the release sheet are laminated|stacked and laminated|stacked. In addition, the state overlaid on the adhesive layer 22 may be sufficient as the peeling sheet before use.

또한, 가교제와 아크릴 폴리머의 반응을 촉진시키기 위해서, 또한 가교제와 기재층(21)의 표면 부분의 반응을 촉진시키기 위해서, 적층 공정 후에, 50℃ 환경 하에서 48시간의 에이징 처리 공정을 실시해도 된다.In addition, in order to promote the reaction between the crosslinking agent and the acrylic polymer, and to promote the reaction between the crosslinking agent and the surface portion of the base layer 21, an aging treatment step for 48 hours may be performed under a 50°C environment after the lamination step.

이들 공정에 의해, 다이싱 테이프(20)를 제조할 수 있다.By these steps, the dicing tape 20 can be manufactured.

<다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정><Step of superposing the die-bonding sheet 10 and the dicing tape 20>

다이 본드 시트(10)와 다이싱 테이프(20)를 중첩하는 공정에서는, 상기와 같이 제조한 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이 본드 시트(10)를 첩부한다.In the step of overlapping the die-bonding sheet 10 and the dicing tape 20 , the die-bonding sheet 10 is affixed to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 manufactured as described above.

이러한 첩부에서는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 및 다이 본드 시트(10)로부터 각각 박리 시트를 박리하고, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22)이 직접 접촉하도록, 양자를 접합한다. 예를 들어, 압착함으로써 접합할 수 있다. 접합할 때의 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30℃ 이상 50℃ 이하이고, 바람직하게는 35℃ 이상 45℃ 이하이다. 접합할 때의 선압은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.1kgf/cm 이상 20kgf/cm 이하이고, 보다 바람직하게는 1kgf/cm 이상 10kgf/cm 이하이다.In such pasting, the release sheet is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding sheet 10 of the dicing tape 20, respectively, and the die-bonding sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 are in direct contact with both. join For example, it can join by crimping|bonding. The temperature at the time of joining is not specifically limited, For example, they are 30 degreeC or more and 50 degrees C or less, Preferably they are 35 degreeC or more and 45 degrees C or less. Although the linear pressure at the time of joining is not specifically limited, Preferably they are 0.1 kgf/cm or more and 20 kgf/cm or less, More preferably, they are 1 kgf/cm or more and 10 kgf/cm or less.

상술한 공정을 거쳐, 상기와 같이 제조된 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 사용에 있어서의 구체예에 대하여 설명한다.The dicing die bond film 1 manufactured as mentioned above through the process mentioned above is used as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor integrated circuit, for example. Hereinafter, the specific example in use is demonstrated.

<반도체 집적 회로를 제조할 때의 다이싱 다이 본드 필름의 사용 방법><Method of using dicing die-bonding film in manufacturing semiconductor integrated circuit>

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로, 회로면이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 공정을 구비한다.BACKGROUND ART A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit generally includes a step of cutting out a chip from a semiconductor wafer on which a circuit surface is formed and assembling it.

이 공정은, 예를 들어 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하고, 또한 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 하프컷 공정과, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드 시트(10)에 첩부하여, 다이싱 테이프(20)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 다이 본드 시트(10)와 점착제층(22) 사이를 박리하여 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때에, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.In this process, for example, in order to process a semiconductor wafer into a chip (die) by cutting process, the half-cut process which forms a groove|channel in a semiconductor wafer, and grinds a semiconductor wafer to make thickness thin, and a half-cut processed semiconductor A mounting process of affixing one surface of the wafer (for example, the surface opposite to the circuit surface) to the die bond sheet 10 and fixing the semiconductor wafer to the dicing tape 20, and half-cut semiconductor chips An expand step of widening the gap between the die bond sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22, and a pickup step of removing the semiconductor chip (die) in a state where the die bond sheet 10 is adhered, die bonding It has a die bonding process of adhering the semiconductor chip (die) in the state to which the sheet|seat 10 was stuck to a to-be-adhered body. When implementing these processes, the dicing tape (dicing die-bonding film) of this embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.

하프컷 공정에서는, 도 2a 내지 도 2d에 나타내는 바와 같이, 반도체 집적 회로를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 W의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프 T에 다이싱 링 R을 설치한다. 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한 상태에서, 분할용의 홈을 형성한다. 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프 G를 첩부하는 한편으로, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프 T를 박리한다. 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께가 될 때까지 연삭 가공을 실시한다.In the half-cut process, as shown in FIGS. 2A to 2D, a half-cut process for cutting the semiconductor integrated circuit into small pieces (die) is performed. In detail, the tape T for a wafer process is affixed on the surface on the opposite side to the circuit surface of the semiconductor wafer W. Further, a dicing ring R is attached to the tape T for wafer processing. In the state in which the tape T for a wafer process was affixed, the groove|channel for division|segmentation is formed. While the backgrind tape G is affixed to the surface in which the groove|channel was formed, the tape T for a wafer process affixed initially is peeled. In the state which affixed the back grind tape G, it grinds until the semiconductor wafer W becomes predetermined thickness.

마운트 공정에서는, 도 3a 내지 도 3b에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치하면서, 노출한 다이 본드 시트(10)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다. 그 후, 반도체 웨이퍼 W로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다.In a mounting process, as shown to FIG. 3A - FIG. 3B, a half-cut process is carried out on the surface of the exposed die-bonding sheet 10, providing the dicing ring R in the adhesive layer 22 of the dicing tape 20. The used semiconductor wafer W is affixed. Then, the backgrind tape G is peeled from the semiconductor wafer W.

익스팬드 공정에서는, 도 4a 내지 도 4c에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 익스팬드 장치의 유지구 H에 고정한다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 면 방향으로 넓어지도록 잡아늘인다. 이에 의해, 특정한 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 0℃이며, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(여기까지 저온 익스팬드 공정). 또한, 익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5b에 나타내는 바와 같이, 더 높은 온도 조건 하(예를 들어 10℃ 내지 25℃)에 있어서, 면적을 넓히도록 다이싱 테이프(20)를 잡아늘린다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩을 필름면의 면 방향으로 분리하여, 카프(간격)를 더 넓힌다(상온 익스팬드 공정).In an expand process, as shown to FIG. 4A - FIG. 4C, after providing the dicing ring R in the adhesive layer 22 of the dicing tape 20, it fixes to the holding tool H of an expand apparatus. By pushing up the pushing-up member U with which the expand apparatus is equipped from the lower side of the dicing die-bonding film 1, the dicing die-bonding film 1 is stretched so that it may spread in the planar direction. Thereby, the semiconductor wafer W by which the half-cut process was carried out is cut|disconnected in a specific temperature condition. The temperature condition is, for example, -20 to 0°C, preferably -15 to 0°C, more preferably -10 to -5°C. The expanded state is canceled by lowering the push-up member U (low temperature expand process up to this point). In the expand step, as shown in FIGS. 5A to 5B , the dicing tape 20 is stretched so as to increase the area under higher temperature conditions (eg, 10°C to 25°C). Thereby, the cleaved adjacent semiconductor chips are separated in the plane direction of the film plane, and the caps (intervals) are further widened (room temperature expand process).

픽업 공정에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩을 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상의 반도체 칩을, 다이싱 테이프(20)를 개재하여 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그 J에 의해 유지한다.At a pick-up process, as shown in FIG. 6, the semiconductor chip of the state to which the die-bonding sheet 10 was affixed is peeled from the adhesive layer 22 of the dicing tape 20. As shown in FIG. In detail, the pin member P is raised and the semiconductor chip to be picked up is pushed up via the dicing tape 20 . The pushed up semiconductor chip is held by the suction jig J.

다이 본드 공정에서는, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩 K를 피착체에 접착시킨다.In a die bonding process, the semiconductor chip K in the state to which the die bonding sheet|seat 10 was affixed is adhere|attached to a to-be-adhered body.

다이 본드 공정에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태의 반도체 칩 K를 복수회 적층해가는 경우가 있다.In a die-bonding process, as shown in FIG. 7, the semiconductor chip K of the state to which the die-bonding sheet 10 was affixed may be laminated|stacked several times.

1회째의 접착에서는, 기판 Z에 다이 본드 시트(10)가 접착되지만, 2회째 이상의 접착에서는, 반도체 칩 K의 표면(회로면)에 다이 본드 시트(10)가 접착된다. 반도체 칩 K의 표면에는, 특정한 수지(예를 들어 폴리이미드 수지) 등에 의해 코팅 처리가 실시되어 있다. 그 때문에, 반도체 칩 K의 표면에의 다이 본드 시트(10)의 접착 성능은, 상기 코팅 처리에 영향을 받을 수 있다.In the first bonding, the die-bonding sheet 10 is adhered to the substrate Z, but in the second or more bonding, the die-bonding sheet 10 is adhered to the surface (circuit surface) of the semiconductor chip K. The surface of the semiconductor chip K is coated with a specific resin (for example, polyimide resin) or the like. Therefore, the adhesion performance of the die-bonding sheet 10 to the surface of the semiconductor chip K may be affected by the said coating process.

본 실시 형태에 있어서는, 이 접착 성능과, 폴리이미드 수지면에 대한 다이 본드 시트(10)의 박리력이 관련되는 것을 발견하였다. 또한, 이 접착 성능과, 다이 본드 시트(10)의 표면 자유 에너지의 사이에도, 관련이 있는 것을 발견하였다.In this embodiment, it discovered that this adhesion|attachment performance and the peeling force of the die-bonding sheet 10 with respect to a polyimide resin surface were related. In addition, it was found that there is also a relationship between this bonding performance and the surface free energy of the die-bonding sheet 10 .

또한, 근년의 반도체 산업에 있어서는, 집적화 기술의 새로운 진전에 수반하여, 보다 얇은 반도체 칩(예를 들어 20㎛ 이상 50㎛ 이하의 두께)이 요망되고 있다. 이러한 얇은 반도체 칩의 한쪽 표면에는, 전자 회로가 형성되어 있다. 얇은 반도체 칩의 한쪽 면에 전자 회로가 형성되어 있으면, 반도체 칩이 내부 응력에 끝까지 견디지 못하고, 약간 변형(휨 등)되어버리는 경우가 있다. 이러한 반도체 칩에 다이 본드 시트(10)가 첩부된 상태에서, 상기와 같이 복수회에 걸쳐 적층을 행하면, 예를 들어 도 7에 나타내는 바와 같이, 다이 본드 시트와 칩(다이)의 첩부 불량에 의해, 소위 들뜸이 발생해버리는 경우가 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 다이 본드 시트(10)가 특정한 물성을 갖기 때문에, 이러한 들뜸을 억제할 수 있다.Moreover, in the semiconductor industry in recent years, with the new progress of integration technology, a thinner semiconductor chip (for example, thickness of 20 micrometers or more and 50 micrometers or less) is desired. An electronic circuit is formed on one surface of such a thin semiconductor chip. When an electronic circuit is formed on one side of a thin semiconductor chip, the semiconductor chip cannot withstand the internal stress to the end, and may be slightly deformed (warpage, etc.). When the die-bonding sheet 10 is adhered to such a semiconductor chip and lamination is performed multiple times as described above, for example, as shown in FIG. 7, due to poor bonding of the die-bonding sheet and the chip (die). , so-called floating may occur. In this embodiment, since the die-bonding sheet 10 has specific physical properties, such float can be suppressed.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.Matters disclosed by this specification include the following.

(1)(One)

폴리이미드 수지면에 대한 박리력이 0.1N/50mm 이상 0.5N/50mm 이하인, 다이 본드 시트.A die-bonding sheet having a peel force of 0.1 N/50 mm or more and 0.5 N/50 mm or less to the polyimide resin surface.

(2)(2)

상기 박리력의 측정에 있어서 사용하는 상기 폴리이미드 수지면의 표면 자유 에너지는, 25mJ/m2 이상 35mJ/m2 이하이고, 또한 해당 표면 자유 에너지 중 분산 성분이 차지하는 비율은, 85％ 이상 95％ 이하인, 상기 (1)에 기재된 다이 본드 시트.The surface free energy of the polyimide resin surface used in the measurement of the peeling force is 25 mJ/m 2 or more and 35 mJ/m 2 or less, and the ratio of the dispersed component in the surface free energy is 85% or more and 95% or less. , The die-bonding sheet according to (1) above.

(3)(3)

표면 자유 에너지가 25mJ/m2 이상 35mJ/m2 이하이고, 또한 상기 표면 자유 에너지 중 분산 성분이 차지하는 비율이 95％ 이상인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to (1) or (2), wherein the surface free energy is 25 mJ/m 2 or more and 35 mJ/m 2 or less, and the ratio of the dispersed component in the surface free energy is 95% or more.

(4)(4)

물과의 접촉각이 90° 이상이 되고, 또한 요오드화메틸렌과의 접촉각이 50° 이상이 되는, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to any one of (1) to (3), wherein the contact angle with water is 90° or more and the contact angle with methylene iodide is 50° or more.

(5)(5)

열경화성 수지 및 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함하는, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 것에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to any one of (1) to (4), comprising at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

(6)(6)

상기 열경화성 수지로서, 에폭시 수지 및 페놀 수지 중 적어도 한쪽을 포함하는, 상기 (5)에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to (5), wherein the thermosetting resin contains at least one of an epoxy resin and a phenol resin.

(7)(7)

상기 열가소성 수지로서, 아크릴 수지를 포함하는, 상기 (5) 또는 (6)에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to (5) or (6), wherein the thermoplastic resin contains an acrylic resin.

(8)(8)

열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 것에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to any one of (1) to (7), comprising a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

(9)(9)

열경화성 수지와 열가소성 수지와 필러를 포함하는, 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 것에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to any one of (1) to (8), comprising a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and a filler.

(10)(10)

상기 열가소성 수지의 함유 비율은, 상기 필러를 제외하는 유기 성분의 총 질량에 대하여 5질량％ 이상 50질량％ 이하인, 상기 (9)에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to (9), wherein the content of the thermoplastic resin is 5% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total mass of organic components excluding the filler.

(11)(11)

상기 필러의 함유 비율은, 상기 다이 본드 시트의 총 질량에 대하여 30질량％ 이상 70질량％ 이하인, 상기 (9) 또는 (10)에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to (9) or (10), wherein the content of the filler is 30% by mass or more and 70% by mass or less with respect to the total mass of the die-bonding sheet.

(12)(12)

열경화성 수지를 포함하고, 해당 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드 시트의 총 질량에 대하여 5질량％ 이상 60질량％ 이하인, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 것에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to any one of (1) to (11), wherein a thermosetting resin is included, and the content of the thermosetting resin is 5% by mass or more and 60% by mass or less with respect to the total mass of the die-bonding sheet.

(13)(13)

폴리이미드 수지에 의해 표면 코팅 처리된 반도체 칩의 표면에 접착되어 사용되는, 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 것에 기재된 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to any one of (1) to (12), wherein the die-bonding sheet is used by being adhered to the surface of a semiconductor chip surface-coated with a polyimide resin.

(14)(14)

상기 (1) 내지 (13) 중 어느 것에 기재된 다이 본드 시트와, 해당 다이 본드 시트에 접합된 다이싱 테이프를 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film comprising the die-bonding sheet according to any one of (1) to (13), and a dicing tape bonded to the die-bonding sheet.

(15)(15)

상기 다이싱 테이프가 기재층과, 해당 기재층에 겹친 점착제층을 구비하고,The dicing tape is provided with a base layer and an adhesive layer superposed on the base layer,

상기 점착제층과 상기 다이싱 테이프가 접합되어 있는, 상기 (14)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to (14), wherein the pressure-sensitive adhesive layer and the dicing tape are bonded together.

본 실시 형태의 다이 본드 시트, 다이싱 다이 본드 필름은 상기 예시한 바와 같지만, 본 발명은 상기 예시된 다이 본드 시트, 다이싱 다이 본드 필름에 한정되는 것은 아니다.Although the die-bonding sheet and the dicing die-bonding film of this embodiment are as illustrated above, this invention is not limited to the die-bonding sheet|seat and the dicing die-bonding film illustrated above.

즉, 일반적인 다이 본드 시트, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 사용되는 각종 형태가, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서 채용될 수 있다.That is, the various forms used in a general die-bonding sheet|seat and a dicing die-bonding film can be employ|adopted in the range which does not impair the effect of this invention.

[실시예][Example]

다음에 실험예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명이 이들에 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described in more detail by way of experimental examples, but the present invention is not limited thereto.

이하와 같이 하여, 다이 본드 시트를 제조하였다. 또한, 이 다이 본드 시트를 다이싱 테이프와 접합하여, 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.A die-bonding sheet was manufactured as follows. Furthermore, this die-bonding sheet was bonded with a dicing tape, and the dicing die-bonding film was manufactured.

<다이 본드 시트의 제작><Production of die bond sheet>

표 1에 나타내는 배합 조성의 원료를 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 고형분 농도 40질량％의 다이 본드 시트용 조성물을 얻었다. 각 원료의 상세를 하기에 나타낸다.The raw material of the compounding composition shown in Table 1 was added and mixed to methyl ethyl ketone, and the composition for die-bonding sheets with a solid content concentration of 40 mass % was obtained. The detail of each raw material is shown below.

·실리카 필러: 애드마텍스사제 원료명 「SO-E2」・Silica filler: Material name “SO-E2” manufactured by Admatex Co., Ltd.

·아크릴 수지: 나가세 켐텍스사제・Acrylic resin: manufactured by Nagase Chemtex

원료명 「테이산레진 SG-280EK23」(-COOH기 함유) Raw material name "Teisan Resin SG-280EK23" (contains -COOH group)

원료명 「테이산레진 SG-708-6」(-COOH기 및 -OH기 함유) Raw material name 「Teisan Resin SG-708-6」 (contains -COOH and -OH groups)

원료명 「테이산레진 SG-P3」(글리시딜기 함유) Raw material name "Teisan Resin SG-P3" (containing glycidyl group)

·에폭시 수지: 닛본 가야꾸사제 원료명 「EPPN-501HY」(트리스페놀메탄형)・Epoxy resin: “EPPN-501HY” (trisphenol methane type) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

DIC사제 원료명 「HP-7200L」(디시클로펜타디엔형) DIC company raw material name "HP-7200L" (dicyclopentadiene type)

DIC사제 원료명 「N-665-EXP-S」(크레졸노볼락형) DIC company raw material name "N-665-EXP-S" (cresol novolak type)

·페놀 수지: 메이와 가세이사제 원료명 「H-4」(노볼락형)・Phenolic resin: Meiwa Kasei Co., Ltd. raw material name "H-4" (novolak type)

·경화 촉매: 혹꼬 가가꾸사제 원료명 「TPP-K」・Cure catalyst: Raw material name “TPP-K” manufactured by Hokkō Chemical Co., Ltd.

이어서, 박리 시트의 한쪽 면(두께 50㎛의 PET계 시트에 있어서의 실리콘 처리를 실시한 면)에, 애플리케이터를 사용하여 다이 본드 시트용 조성물을 도포하였다. 도포는, 건조 후의 두께가 40㎛가 되도록 행하고, 그 후 130℃에서 2분간 건조 처리함으로써, 다이 본드 시트용 조성물로부터 용매를 휘발시켰다. 이와 같이 하여, 박리 시트 상에 겹친 다이 본드 시트를 얻었다.Next, the composition for die-bonding sheets was apply|coated using the applicator to one side (the silicone-treated surface in the 50-micrometer-thick PET-type sheet|seat) of the release sheet. Application|coating was performed so that the thickness after drying might be set to 40 micrometers, After that, the solvent was volatilized from the composition for die-bonding sheets by carrying out the drying process at 130 degreeC for 2 minute(s). In this way, the die-bonding sheet overlapped on the release sheet was obtained.

<다이싱 테이프의 기재층><Base layer of dicing tape>

이하에 나타내는 제품을 원료로서 사용하여, 3층이 적층된 기재층을 제작하였다.The base material layer on which 3 layers were laminated|stacked was produced using the product shown below as a raw material.

·내층을 구성(또는 단층의 기재층을 구성)하는 수지・Resin constituting the inner layer (or constituting the single-layer substrate layer)

원료명: 울트라센 751 Ingredients: Ultracene 751

에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지(EVA 아세트산비닐 28질량％ 함유) Ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA vinyl acetate 28% by mass)

도소사제 Toso Priest

·외층을 구성하는 수지・Resin constituting the outer layer

원료명: 윈테크(WINTEC) WFX4M Raw material name: WINTEC WFX4M

메탈로센폴리프로필렌 metallocene polypropylene

닛본 폴리프로사제 Product made by Nippon Polypro

(기재층의 성형)(Forming of base layer)

압출 T 다이 성형기를 사용하여 기재층을 성형하였다. 압출 온도는 190℃였다. 3층 적층 타입의 기재층에 대하여는, T 다이로부터 공압출 성형하여 일체화시켰다. 일체화한 기재층(적층체)이 충분히 고화된 후, 기재층을 롤상으로 권취하여 보관하였다.The substrate layer was molded using an extrusion T-die molding machine. The extrusion temperature was 190°C. For the base layer of the three-layer lamination type, it was integrated by co-extrusion molding from a T-die. After the integrated base layer (laminated body) was sufficiently solidified, the base layer was wound and stored in roll shape.

<다이싱 테이프의 점착제층><Adhesive layer of dicing tape>

(점착제층(점착제 조성물)의 조제)(Preparation of adhesive layer (adhesive composition))

하기 원료를 혼합하여 제1 수지 조성물을 조제하였다.The following raw materials were mixed to prepare a first resin composition.

·INA(이소노닐아크릴레이트) 173질량부· INA (isononyl acrylate) 173 parts by mass

·HEA(히드록시에틸아크릴레이트) 54.5질량부54.5 parts by mass of HEA (hydroxyethyl acrylate)

·AIBN(2,2'-아조비스이소부티로니트릴) 0.46질량부· AIBN (2,2'-azobisisobutyronitrile) 0.46 parts by mass

·아세트산에틸 372질량부· 372 parts by mass of ethyl acetate

이어서, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크(용량 1L), 온도계, 질소 도입관 및 교반 날개가 장비된 중합용 실험 장치의 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 제1 수지 조성물을 넣었다. 제1 수지 조성물을 교반하면서, 제1 수지 조성물의 액온을 상온(23℃)으로 조절하면서, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내를 6시간 질소 가스로 치환하는 처리를 행하였다.Next, the first resin composition was placed in a round-bottom separable flask of a polymerization experiment apparatus equipped with a round-bottom separable flask (capacity 1 L), a thermometer, a nitrogen inlet tube, and a stirring blade. The process of replacing the inside of a round-bottom separable flask with nitrogen gas for 6 hours was performed, stirring the 1st resin composition, adjusting the liquid temperature of the 1st resin composition to normal temperature (23 degreeC).

계속해서, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내에 질소 가스를 유입시키면서, 제1 수지 조성물을 교반하면서, 제1 수지 조성물의 액온을 62℃에서 3시간 유지하였다. 그 후, 또한 75℃에서 2시간 유지함으로써, 상기 INA, HEA 및 AIBN의 중합 반응을 실시하여, 제2 수지 조성물을 조제하였다. 그 후, 둥근 바닥 세퍼러블 플라스크 내로의 질소 가스의 유입을 정지하였다.Then, the liquid temperature of the 1st resin composition was hold|maintained at 62 degreeC for 3 hours, stirring the 1st resin composition, flowing in nitrogen gas into the round-bottom separable flask. Then, the polymerization reaction of said INA, HEA, and AIBN was performed by holding|maintaining at 75 degreeC for 2 hours, and the 2nd resin composition was prepared. Thereafter, the flow of nitrogen gas into the round-bottom separable flask was stopped.

상온이 될 때까지 제2 수지 조성물을 냉각시킨 후, 제2 수지 조성물에 하기 원료를 첨가하여 제3 수지 조성물을 조제하였다.After cooling the 2nd resin composition until it became room temperature, the following raw material was added to the 2nd resin composition, and the 3rd resin composition was prepared.

·2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트·2-Methacryloyloxyethyl isocyanate

중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 Compounds having a polymerizable carbon-carbon double bond

원료명 「카렌즈 MOI」, 쇼와 덴꼬사제) 52.5질량부 Raw material name "Karenz MOI", manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) 52.5 parts by mass

·디라우르산디부틸주석 IV(와코 쥰야꾸 고교사제) 0.26질량부-Dibutyltin dilaurate IV (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0.26 parts by mass

얻어진 제3 수지 조성물을, 대기 분위기 하에 50℃에서 24시간 교반하였다.The obtained 3rd resin composition was stirred in air atmosphere at 50 degreeC for 24 hours.

마지막으로, 제3 수지 조성물의 폴리머 고형분 100질량부에 대하여 하기 원료를 첨가하였다.Finally, the following raw material was added with respect to 100 mass parts of polymer solid content of 3rd resin composition.

이소시아네이트 화합물(원료명 「코로네이트 L」, 도소사제) 0.75질량부0.75 parts by mass of an isocyanate compound (raw material name "Coronate L", manufactured by Tosoh Corporation)

광중합 개시제(원료명 「Omnirad127」, IGM Resins사제) 2질량부2 parts by mass of photopolymerization initiator (raw material name "Omnirad127", manufactured by IGM Resins)

그리고, 고형분 농도가 20질량％가 되도록 아세트산에틸에 의해 제3 수지 조성물을 희석하여, 점착제 조성물을 조제하였다.And the 3rd resin composition was diluted with ethyl acetate so that solid content concentration might be set to 20 mass %, and the adhesive composition was prepared.

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

기재층의 한쪽 표면에, 애플리케이터를 사용하여 두께 10㎛가 되도록 점착제 조성물을 도포하였다. 점착제 조성물 도포 후의 기재층을 110℃에서 3분 가열 건조시켜, 점착제층을 형성함으로써, 다이싱 테이프를 제조하였다.The adhesive composition was apply|coated on one surface of a base material layer so that it might become 10 micrometers in thickness using the applicator. The dicing tape was manufactured by heat-drying the base material layer after adhesive composition application|coating at 110 degreeC for 3 minutes, and forming an adhesive layer.

<다이싱 다이 본드 필름의 제조><Manufacture of dicing die-bonding film>

(다이 본드 시트와 다이싱 테이프의 접합)(bonding of die bond sheet and dicing tape)

다이싱 테이프의 점착제층과, 다이 본드 시트(박리 시트가 적층되지 않은 측)를 접합하였다. 그 후, 박리 시트를 다이 본드 시트로부터 박리하여, 다이 본드 시트를 구비하는 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.The pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape and the die-bonding sheet (the side on which the release sheet was not laminated) were bonded. Then, the peeling sheet was peeled from the die-bonding sheet, and the dicing die-bonding film provided with the die-bonding sheet was produced.

이상과 같이 하여, 상기 방법에 따라서, 실시예 및 비교예의 다이 본드 시트 및 다이싱 다이 본드 필름을 각각 제조하였다. 각 다이 본드 시트의 상세에 대하여 표 1에 나타낸다.As described above, according to the above method, the die-bonding sheets and dicing die-bonding films of Examples and Comparative Examples were respectively manufactured. Table 1 shows the details of each die-bonding sheet.

Figure pat00002
Figure pat00002

(폴리이미드 수지면에 대한 다이 본드 시트의 박리력)(Peel force of die bond sheet to polyimide resin surface)

실시예 및 비교예의 각 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 다이 본드 시트의 한쪽 면(박리 시트가 첩부된 측의 면)의 박리력을 측정하였다.In each dicing die-bonding film of the Example and the comparative example, the peeling force of one side (the side on which the peeling sheet was affixed) of the die-bonding sheet was measured.

상세하게는, 먼저 다이 본드 시트에 첩부된 박리 시트를 제거하고, 새롭게 드러난 다이 본드 시트의 면(나중에 반도체 칩과 접착하는 면)과, 폴리이미드 수지 필름(캡톤 100H: 도레이 듀퐁사제)의 한쪽 면을, 접합하였다. 접합은 60℃, 10mm/초의 조건에서 실시하였다. 그 후, 핸드 롤러를 사용하여, 23℃에서 폴리이미드 수지 필름의 다른 쪽의 면(DAF를 접합한 면의 반대면)에 배접 테이프(상품명: BT-315(닛토 덴코사제))를 접합하였다. 계속해서, 50mm폭으로 커트하여 측정용 샘플을 제작하고, 23℃의 분위기 하에 있어서 180°의 박리 각도로 박리 속도 300mm/min으로 박리력을 측정하였다. 또한, 측정 장치로서, 오토그래프(SHIMADZU사제)를 사용하였다.Specifically, the release sheet attached to the die-bonding sheet is first removed, and the newly exposed side of the die-bonding sheet (the side that is later bonded to the semiconductor chip) and one side of the polyimide resin film (Kapton 100H: manufactured by DuPont Toray) was joined. Bonding was performed under the conditions of 60 degreeC and 10 mm/sec. Thereafter, using a hand roller, a backing tape (trade name: BT-315 (manufactured by Nitto Denko Corporation)) was bonded to the other side of the polyimide resin film (the opposite side to the side to which the DAF was bonded) at 23°C. Then, it cut to 50 mm width, the sample for a measurement was produced, and the peeling force was measured at the peeling rate of 300 mm/min at the peeling angle of 180 degrees in 23 degreeC atmosphere. In addition, as a measuring apparatus, the autograph (made by SHIMADZU) was used.

(다이 본드 시트의 표면 자유 에너지 측정 방법)(Method for measuring surface free energy of die bond sheet)

실시예 및 비교예의 각 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 다이 본드 시트의 한쪽 면(박리 시트가 첩부된 측의 면)의 표면 자유 에너지를 측정하였다.In each of the dicing die-bonding films of Examples and Comparative Examples, the surface free energy of one side of the die-bonding sheet (the side on which the release sheet was affixed) was measured.

물 및 요오드화메틸렌의 접촉각을 각각 측정하고, 5회의 측정값의 평균값을 채용하였다. 또한, 측정 장치로서 FAMAS(KYOWA사제)를 사용하고, 1mL의 액을 면 상에 흘려 5초 이내의 접촉각을 측정하였다.The contact angles of water and methylene iodide were measured, respectively, and the average value of five measured values was employ|adopted. In addition, using FAMAS (made by KYOWA) as a measuring apparatus, 1 mL of liquid was flowed on the surface, and the contact angle within 5 second was measured.

접촉각의 각 측정값으로부터 분산 성분과 극성 성분을 산출하고, 그 합에 의해 표면 자유 에너지를 구하였다. 표면 자유 에너지의 산출 방법에 대하여는, 상술한 바와 같다.A dispersion component and a polar component were calculated from each measurement value of the contact angle, and the surface free energy was calculated|required by the sum. The calculation method of the surface free energy is as described above.

(성능 평가를 위한 휨 웨이퍼의 제작)(Production of warped wafers for performance evaluation)

후술하는 「칩으로부터의 들뜸 평가」에 있어서, 들뜸이 발생하기 쉬운 웨이퍼를 사용하여 평가하기 위해서, 이하와 같이 하여 「휨 웨이퍼」를 제작하였다.In "evaluation of floatation from a chip|tip" mentioned later, in order to evaluate using the wafer which floatation produces easily, the "warped wafer" was produced as follows.

먼저, 하기 (a) 내지 (f)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20질량％의 휨 조정용 조성물을 얻었다.First, following (a)-(f) was melt|dissolved in methyl ethyl ketone, and the composition for curvature adjustment of 20 mass % of solid content concentration was obtained.

(a) 아크릴 수지(나가세 켐텍스사제, 원료명 「SG-70L」): 5질량부(a) Acrylic resin (manufactured by Nagase Chemtex, raw material name "SG-70L"): 5 parts by mass

(b) 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사제, 원료명 「JER828」): 5질량부(b) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical, raw material name "JER828"): 5 parts by mass

(c) 페놀 수지(메이와 가세이사제, 원료명 「LDR8210」): 14질량부(c) Phenolic resin (Meiwa Chemical Co., Ltd., raw material name "LDR8210"): 14 parts by mass

(d) 에폭시 수지(미쯔비시 가가꾸사제, 원료명 「MEH-8005」): 2질량부(d) Epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical, raw material name "MEH-8005"): 2 parts by mass

(e) 구상 실리카(애드마텍스사제, 원료명 「SO-25R」): 53질량부(e) Spherical silica (made by Admatex, raw material name "SO-25R"): 53 parts by mass

(f) 인계 촉매(TPP-K): 1질량부(f) phosphorus-based catalyst (TPP-K): 1 part by mass

이어서, 애플리케이터를 사용하여 휨 조정용 조성물을, 박리 시트의 한쪽 면(두께 50㎛의 PET계 시트의 실리콘 처리면)에, 두께 25㎛가 되도록 도포하였다. 130℃에서 2분간 건조 처리를 실시하여, 휨 조정용 조성물로부터 용매를 휘발시켰다. 이에 의해, 박리 시트 상에 휨 조정층이 겹쳐진 휨 조정 시트를 제작하였다.Next, using the applicator, the composition for curvature adjustment was apply|coated so that it might become 25 micrometers in thickness on one side of the release sheet (the silicone-treated surface of a 50-micrometer-thick PET-type sheet|seat). The drying process was performed at 130 degreeC for 2 minute(s), and the solvent was volatilized from the composition for curvature adjustment. Thereby, the curvature adjustment sheet in which the curvature adjustment layer was overlapped on the peeling sheet was produced.

계속해서, 휨 조정 시트의 휨 조정층에(박리 시트와는 반대측에), 베어 웨이퍼를 첩부하였다. 첩부는 라미네이터(MCK사제, 형식 MRK-600)를 사용하여 60℃, 0.1MPa, 10mm/s의 조건에서 행하였다. 첩부 후에 오븐에 넣어, 175℃에서 1시간 가열 처리함으로써, 휨 조정층을 경화시켰다. 이에 의해, 휨 조정층이 수축하기 때문에, 휘어진 베어 웨이퍼를 얻었다.Then, the bare wafer was affixed to the curvature adjusting layer of the curvature adjusting sheet (on the opposite side to the peeling sheet). The affixing was performed using a laminator (manufactured by MCK, model MRK-600) under conditions of 60°C, 0.1 MPa, and 10 mm/s. The curvature-adjusting layer was hardened by putting in oven after sticking, and heat-processing at 175 degreeC for 1 hour. Thereby, since the warpage adjusting layer contracted, a warped bare wafer was obtained.

상기와 같이 휨 조정층을 수축시킨 후, 휘어진 베어 웨이퍼가 노출되어 있는 측(휨 조정층이 첩부되지 않은 측)에, 웨이퍼 가공용 테이프(닛토 덴코사제, 상품명 「V-12SR2」)를 첩부하였다. 그 후, 웨이퍼 가공용 테이프를 개재하여, 휘어진 베어 웨이퍼에 다이싱 링을 고정하였다. 그리고, 휘어진 베어 웨이퍼로부터 휨 조정층을 제거하였다.After the warpage control layer was shrunk as described above, a tape for wafer processing (manufactured by Nitto Denko Corporation, trade name "V-12SR2") was affixed on the side where the warped bare wafer was exposed (the side where the warpage control layer was not attached). Thereafter, a dicing ring was fixed to the bent bare wafer through a tape for wafer processing. Then, the warpage adjustment layer was removed from the warped bare wafer.

휘어진 베어 웨이퍼의 한쪽 면(휨 조정층을 제거한 면)의 전체에, 다이싱 장치(DISCO사제, 형식 번호 6361)를 사용하여, 100㎛의 깊이의 홈을 격자상(폭 20㎛)으로 형성하였다.A dicing device (manufactured by DISCO, Model No. 6361) was used on one side of the bent bare wafer (the side from which the warp adjustment layer was removed), and 100 μm deep grooves were formed in a grid shape (width 20 μm). .

휘어진 베어 웨이퍼의 상기 한쪽 면에, 백그라인드 테이프를 첩부하는 한편으로, 휘어진 베어 웨이퍼의 다른 쪽 면으로부터 웨이퍼 가공용 테이프를 제거하였다.While the backgrind tape was affixed to the one side of the curved bare wafer, the wafer processing tape was removed from the other side of the curved bare wafer.

휘어진 베어 웨이퍼의 두께가 55㎛(0.055mm)가 되도록, 백 그라인더(DISCO사제, 형식 DGP8760)를 사용하여, 휘어진 베어 웨이퍼를 상기 다른 쪽 면으로부터 연삭함으로써, 「휨 웨이퍼」를 얻었다.A "warped wafer" was obtained by grinding the warped bare wafer from the other side using a back grinder (manufactured by DISCO, model DGP8760) so that the thickness of the warped bare wafer was 55 µm (0.055 mm).

(다이 본드 시트의 반도체 칩으로부터의 들뜸에 관한 성능 평가)(Performance evaluation regarding lifting of die bond sheet from semiconductor chip)

익스팬드 공정을 거쳐 「휨 웨이퍼」로부터, 다이 본드 시트 구비 반도체 칩을 얻었다. 다이 본드 시트가 구비된 상태에서 이 반도체 칩을, 다이싱 테이프로부터 픽업한 후, 리드 프레임에 대하여 다이 본드 시트를 개재하여 다이 본딩하였다.A semiconductor chip with a die-bonding sheet was obtained from a "curved wafer" through the expand process. After the semiconductor chip was picked up from the dicing tape in the state in which the die-bonding sheet was provided, it was die-bonded with respect to the lead frame via the die-bonding sheet.

이어서, 상술한 익스팬드 공정을 거쳐 얻어진 다른 다이 본드 시트 구비 반도체 칩을, 다이싱 테이프로부터 픽업한 후, 리드 프레임 상의 반도체 칩에 대하여 그 다이 본드 시트를 개재하여 다이 본딩하였다. 환언하면, 다이 본드 시트 구비 반도체 칩을 적층하였다.Next, after picking up the other semiconductor chip with a die-bonding sheet obtained through the above-mentioned expand process from a dicing tape, it die-bonded with respect to the semiconductor chip on a lead frame via the die-bonding sheet. In other words, the semiconductor chips with die-bonding sheets were laminated|stacked.

다이 본드 시트 구비 반도체 칩(평면에서 보아 정사각형)을 적층할 때는, 상측의 반도체 칩의 위치를 어긋나게 하여, 상방에서 보아 완전히는 중첩되지 않도록 배치하여 다이 본딩을 실시하였다. 위치 어긋남 방향은 반도체 칩에 있어서의 어느 한 변의 연장 방향이며, 위치 어긋남 길이를 200㎛로 하였다. 그 후, 마찬가지의 적층 다이 본딩을 또한 5회 반복하였다. 또한, 각 다이 본딩에 있어서, 상술한 위치 어긋남(위치 어긋남 길이 200㎛)의 방향을 동일한 방향으로 하였다. 또한, 각 다이 본딩은 100℃, 가압력 0.2MPa, 가압 시간 2초간의 조건에서 행하였다.When laminating|stacking the semiconductor chip with a die-bonding sheet (square in planar view), the position of the upper semiconductor chip was shifted|shifted, and it arrange|positions so that it may not overlap completely when viewed from above, and die-bonding was performed. The displacement direction was an extension direction of one side in the semiconductor chip, and the displacement length was 200 µm. After that, the same lamination die bonding was also repeated 5 times. In addition, in each die bonding, the direction of the above-mentioned position shift (position shift length 200 micrometers) was made into the same direction. In addition, each die bonding was performed under the conditions of 100 degreeC, the pressure of 0.2 MPa, and the press time of 2 second.

다이 본드 공정에 있어서, 반도체 칩이 7단 쌓아 겹쳤을 때(7회째의 다이 본딩의 시점)의 전체 반도체 칩을 관찰하고, 반도체 칩으로부터 다이 본드 시트가 1개도 들뜨지 않은 경우를, 들뜸 억제의 성능이 양호하다고(○임) 평가하였다. 한편, 반도체 칩으로부터 다이 본드 시트가 1개라도 들뜬 경우를, 들뜸 억제의 성능이 불량하다고(×임) 평가하였다.In the die bonding process, when the semiconductor chips are stacked in 7 layers (at the time of the 7th die bonding), all the semiconductor chips are observed, and when no die bonding sheet is lifted from the semiconductor chip, the lifting suppression performance This was evaluated as good (○). On the other hand, when even one die-bonding sheet floated from the semiconductor chip, it was evaluated that the performance of lifting suppression was poor (x).

각 실시예 및 각 비교예의 다이 본드 시트에 대하여, 접촉각의 측정을 행한 결과, 산출된 표면 자유 에너지의 값, 및 성능 평가(들뜸의 억제 성능)의 결과를 각각 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the values of the calculated surface free energy as a result of measuring the contact angle for the die-bonding sheets of each Example and each comparative example, and the results of performance evaluation (lifting suppression performance), respectively.

상기 평가 결과로부터 파악되는 바와 같이, 실시예의 다이 본드 시트를 구비한 다이싱 다이 본드 필름은, 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에 비해, 반도체 칩을 복수회 적층하였을 때의 반도체 칩의 들뜸을 억제할 수 있었다.As understood from the above evaluation results, the dicing die-bonding film provided with the die-bonding sheet of the example suppresses the lifting of the semiconductor chip when the semiconductor chip is laminated a plurality of times, compared to the dicing die-bonding film of the comparative example. could

실시예의 다이 본드 시트에서는, 피착체에 접착되는 면의 박리력이(폴리이미드 수지면 대비) 0.1N/50mm 이상이며, 표면 자유 에너지가 35mJ/m2 이하이다.In the die-bonding sheet of Examples, the peeling force of the surface adhered to the adherend (compared to the polyimide resin surface) is 0.1 N/50 mm or more, and the surface free energy is 35 mJ/m 2 or less.

이러한 물성을 갖는 실시예의 다이 본드 시트(다이싱 다이 본드 필름)를 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용함으로써, 소위 NAND형 플래시 메모리 등을 효율적으로 제조할 수 있다.By using the die-bonding sheet (dicing die-bonding film) of the embodiment having such physical properties in the manufacture of semiconductor integrated circuits, so-called NAND-type flash memories and the like can be efficiently manufactured.

본 발명의 다이 본드 시트 및 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때의 보조 용구로서 적합하게 사용된다.The die-bonding sheet and the dicing die-bonding film of this invention are used suitably as an auxiliary tool at the time of manufacturing a semiconductor integrated circuit, for example.

1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이 본드 시트
20: 다이싱 테이프
21: 기재층
22: 점착제층1: Dicing die bond film
10: die bond sheet
20: dicing tape
21: base layer
22: adhesive layer

Claims (4)

폴리이미드 수지면에 대한 박리력이 0.1N/50mm 이상인, 다이 본드 시트.A die-bonding sheet having a peeling force of 0.1 N/50 mm or more to the polyimide resin surface. 제1항에 있어서, 표면 자유 에너지가 35mJ/m2 이하이고, 또한 상기 표면 자유 에너지 중 분산 성분이 차지하는 비율이 95％ 이상인, 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to claim 1, wherein the surface free energy is 35 mJ/m 2 or less, and the proportion of the dispersion component in the surface free energy is 95% or more. 제1항 또는 제2항에 있어서, 물과의 접촉각이 90° 이상이 되고, 또한 요오드화메틸렌과의 접촉각이 50° 이상이 되는, 다이 본드 시트.The die-bonding sheet according to claim 1 or 2, wherein the contact angle with water is 90° or more, and the contact angle with methylene iodide is 50° or more. 제1항 또는 제2항에 기재된 다이 본드 시트와, 해당 다이 본드 시트에 접합된 다이싱 테이프를 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film comprising the die-bonding sheet according to claim 1 or 2, and the dicing tape bonded to the die-bonding sheet.
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