JP2024089310A - DICING DIE BOND FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - Google Patents
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Abstract
【課題】 ダイシングテープを引き伸ばした後に、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）が部位によってばらつくことを抑制できるだけでなく、引き伸ばし時におけるダイシングテープの裂けが抑制され、しかも、ダイボンドシートを良好に割断できるダイシングダイボンドフィルムなどを提供することを課題としている。【解決手段】 基材層、及び、該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープに重なったダイボンドシートとを備え、前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下である、ダイシングダイボンドフィルムなどを提供する。【選択図】 図１[Problem] The objective of the present invention is to provide a dicing die bond film etc. which can not only suppress the variation in the distance (kerf) between adjacent semiconductor chips depending on the location after the dicing tape is stretched, but also suppresses tearing of the dicing tape when stretched, and can satisfactorily cleave the die bond sheet. [Solution] The present invention provides a dicing die bond film etc. which includes a dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlaid on the base layer, and a die bond sheet overlaid on the dicing tape, and in which the tensile storage modulus of the dicing tape at 120°C is 0.10 MPa or more, and the tensile storage modulus at -15°C is 280 MPa or more and 500 MPa or less. [Selected Figure] Figure 1
Description
本発明は、例えば半導体装置などを製造するときに使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する。 The present invention relates to a dicing die bond film that is used, for example, when manufacturing semiconductor devices.
従来、半導体装置などの製造において使用されるダイシングダイボンドフィルムが知られている。この種のダイシングダイボンドフィルムは、例えば、ダイシングテープと、該ダイシングテープに積層され且つ半導体ウエハに接着されるダイボンドシートと、を備える。ダイシングテープは、基材層と、ダイボンドシートに接している粘着剤層とを有する。この種のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造において、例えば下記のように使用される。 Conventionally, dicing die bond films used in the manufacture of semiconductor devices and the like are known. This type of dicing die bond film comprises, for example, a dicing tape and a die bond sheet that is laminated to the dicing tape and adhered to a semiconductor wafer. The dicing tape has a base layer and an adhesive layer in contact with the die bond sheet. This type of dicing die bond film is used in the manufacture of semiconductor devices, for example, as follows.
半導体装置を製造する方法は、一般的に、高集積の電子回路によって円板状のベアウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成された半導体ウエハから半導体チップを切り出して組立てを行う後工程とを備える。 The method of manufacturing semiconductor devices generally includes a front-end process in which a circuit surface is formed on one side of a disk-shaped bare wafer using highly integrated electronic circuits, and a back-end process in which semiconductor chips are cut out from the semiconductor wafer with the circuit surface formed and assembled.
例えば、後工程は、半導体ウエハを小さい半導体チップ（ダイ）へ割断するための脆弱部位をレーザー光によって半導体ウエハに形成するステルスダイシング工程と、半導体ウエハの回路面とは反対側の面をダイボンドシートに貼り付けて、ダイボンドシートを介して半導体ウエハをダイシングテープに固定するマウント工程と、半導体ウエハの放射方向にダイシングテープを引き伸ばして、脆弱部位が形成された半導体ウエハをダイボンドシートと共に割断して、隣り合う半導体チップ（ダイ）の間隔を広げるエキスパンド工程と、ダイボンドシートと粘着剤層との間で剥離してダイボンドシートが貼り付いた状態の半導体チップを取り出すピックアップ工程と、ダイボンドシートが貼り付いた状態の半導体チップをダイボンドシートを介して被着体に接着させるダイボンド工程と、被着体に接着したダイボンドシートを熱硬化処理するキュアリング工程と、を有する。半導体装置は、例えばこれらの工程を経て製造される。 For example, the post-processing includes a stealth dicing process in which a weak portion is formed in the semiconductor wafer by laser light to split the semiconductor wafer into small semiconductor chips (dies); a mounting process in which the surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit surface is attached to a die bond sheet and the semiconductor wafer is fixed to the dicing tape via the die bond sheet; an expanding process in which the dicing tape is stretched in the radial direction of the semiconductor wafer to split the semiconductor wafer with the weak portion formed together with the die bond sheet and widen the gap between adjacent semiconductor chips (dies); a pick-up process in which the semiconductor chip with the die bond sheet attached is taken out by peeling between the die bond sheet and the adhesive layer; a die bond process in which the semiconductor chip with the die bond sheet attached is attached to an adherend via the die bond sheet; and a curing process in which the die bond sheet attached to the adherend is thermally cured. A semiconductor device is manufactured through, for example, these processes.
上記のような半導体装置の製造方法において、例えば上記のエキスパンド工程を実施した後において、割断された複数の半導体チップの周囲でダイシングテープがたるみ、いったん間隔が広がった隣り合う半導体チップ同士が接触する場合がある。
これに対して、上記のごときダイシングテープのたるみを抑制し、隣り合う半導体チップの接触を防止すべく、高温で加熱される前のダイシングテープの長さに対する、加熱された後のダイシングテープの長さを特定したダイシングダイボンドフィルムが知られている（例えば、特許文献１）。
In the manufacturing method of the semiconductor device as described above, for example, after carrying out the expanding process, the dicing tape may sag around the cut semiconductor chips, and adjacent semiconductor chips that have been spaced apart may come into contact with each other.
In response to this, a dicing die bond film is known in which the length of the dicing tape after being heated at high temperatures is specified relative to the length of the dicing tape before being heated at high temperatures in order to suppress the sagging of the dicing tape as described above and prevent contact between adjacent semiconductor chips (for example, Patent Document 1).
詳しくは、特許文献１に記載のダイシングダイボンドフィルムにおいて、１００℃で１分間の加熱前におけるダイシングテープのＭＤ方向の第１長さ１００％に対して、前記加熱後における前記ＭＤ方向の第２長さが、９５％以下である。
特許文献１に記載のダイシングダイボンドフィルムによれば、ダイシングテープを引き伸ばしたことで割断された複数の半導体チップの周囲でダイシングテープがたるむことを抑制できる。これにより、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）を十分に空けることができ、半導体チップ同士の接触を防止できる。
In detail, in the dicing die bond film described in Patent Document 1, a first length in the MD direction of the dicing tape before heating at 100°C for 1 minute is 100%, and a second length in the MD direction after the heating is 95% or less.
According to the dicing die bond film described in Patent Document 1, it is possible to prevent the dicing tape from sagging around the multiple semiconductor chips that have been cut by stretching the dicing tape, thereby allowing a sufficient separation distance (kerf) between adjacent semiconductor chips and preventing contact between the semiconductor chips.
しかしながら、エキスパンド工程において、ダイシングテープを引き伸ばした後に、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）が部位によってばらつくことを抑制できるだけでなく、引き伸ばし時におけるダイシングテープの裂けが抑制され、しかも、ダイボンドシートを良好に割断できるダイシングダイボンドフィルムについては、未だ十分に検討されているとはいえない。 However, it cannot be said that a dicing die bond film that can not only suppress the variation in the distance (kerf) between adjacent semiconductor chips depending on the location after the dicing tape is stretched in the expanding process, but also suppresses tearing of the dicing tape during stretching and can cut the die bond sheet well has yet to be fully studied.
そこで、本発明は、エキスパンド工程において、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）が部位によってばらつくことを抑制できるだけでなく、ダイシングテープの裂けが抑制され、しかも、ダイボンドシートを良好に割断できるダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。 The present invention aims to provide a dicing die bond film that can not only prevent the spacing (kerf) between adjacent semiconductor chips from varying from location to location during the expansion process, but also prevents the dicing tape from tearing and allows the die bond sheet to be cut smoothly.
上記課題を解決すべく、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
基材層、及び、該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープに重なったダイボンドシートとを備え、
前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the dicing die bond film according to the present invention has the following features:
A dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlaid on the base layer, and a die bond sheet overlaid on the dicing tape,
The dicing tape is characterized in that it has a tensile storage modulus of 0.10 MPa or more at 120° C. and a tensile storage modulus of 280 MPa or more and 500 MPa or less at −15° C.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
基材層及び該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープに重なったダイボンドシートと、を備えるダイシングダイボンドフィルムを使用して、半導体チップを有する半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であり、
前記ダイシングテープの前記粘着剤層と半導体ウエハとの間に前記ダイボンドシートを配置することによって、前記ダイボンドシートを介して前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに固定するマウント工程と、
前記ダイシングテープを引き伸ばすことによって、前記ダイボンドシートと共に前記半導体ウエハを割断し、前記半導体ウエハが小片化された前記半導体チップを得るエキスパンド工程と、を備える。
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the steps of:
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlapping the base layer; and a die bond sheet overlapping the dicing tape, the method comprising: manufacturing a semiconductor device having a semiconductor chip by using a dicing die bond film,
The dicing tape has a tensile storage modulus of 0.10 MPa or more at 120° C. and a tensile storage modulus of 280 MPa or more and 500 MPa or less at −15° C.;
a mounting step of fixing the semiconductor wafer to the dicing tape via the die bond sheet by disposing the die bond sheet between the adhesive layer of the dicing tape and the semiconductor wafer;
and an expanding step of splitting the semiconductor wafer together with the die bond sheet by stretching the dicing tape to obtain the semiconductor chips obtained by dicing the semiconductor wafer.
本発明に係るダイシングダイボンドフィルムによれば、エキスパンド工程において、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）が部位によってばらつくことを抑制できるだけでなく、ダイシングテープの裂けが抑制され、しかも、ダイボンドシートを良好に割断できる。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、エキスパンド工程において、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）が部位によってばらつくことを抑制できるだけでなく、ダイシングテープの裂けが抑制され、しかも、ダイボンドシートを良好に割断できる。
The dicing die bond film of the present invention not only prevents the spacing (kerf) between adjacent semiconductor chips from varying from location to location during the expansion process, but also prevents tearing of the dicing tape and enables the die bond sheet to be cut smoothly.
According to the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention, not only can the spacing (kerf) between adjacent semiconductor chips be prevented from varying depending on the location during the expansion process, but tearing of the dicing tape is also prevented, and the die bond sheet can be cut satisfactorily.
以下、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Below, one embodiment of the dicing die bond film according to the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１は、図１に示すように、ダイシングテープ２０と、該ダイシングテープ２０の粘着剤層２２（後述）に積層され且つ半導体ウエハに接着されるダイボンドシート１０とを備える。
なお、図面における図は模式図であり、実物における縦横の長さ比と必ずしも同じではない。
As shown in FIG. 1, the dicing die bond film 1 of this embodiment includes a dicing tape 20 and a die bond sheet 10 laminated on an adhesive layer 22 (described later) of the dicing tape 20 and adhered to a semiconductor wafer.
It should be noted that the figures in the drawings are schematic diagrams and the aspect ratios are not necessarily the same as those of the actual products.
本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１では、使用されるときに、活性エネルギー線（例えば紫外線）が照射されることによって、粘着剤層２２が硬化される。詳しくは、一方の面に半導体ウエハが接着されたダイボンドシート１０と、該ダイボンドシート１０の他方の面に貼り合わされた粘着剤層２２とが積層した状態で、紫外線等が少なくとも粘着剤層２２に照射される。例えば、基材層２１が配置されている方から紫外線等を照射して、基材層２１を経た紫外線等が粘着剤層２２に届く。紫外線等の照射によって、粘着剤層２２が硬化する。
照射後に粘着剤層２２が硬化することによって、粘着剤層２２の粘着力を下げることができるため、照射後に粘着剤層２２からダイボンドシート１０（半導体チップが接着した状態）を比較的容易に剥離させることができる。ダイボンドシート１０は、半導体装置の製造において、回路基板又は半導体チップなどの被着体に接着されることとなる。
In the dicing die bond film 1 of this embodiment, when used, the adhesive layer 22 is cured by irradiation with active energy rays (e.g., ultraviolet rays). In detail, in a state in which the die bond sheet 10 having a semiconductor wafer adhered to one side and the adhesive layer 22 bonded to the other side of the die bond sheet 10 are laminated, ultraviolet rays or the like are irradiated to at least the adhesive layer 22. For example, ultraviolet rays or the like are irradiated from the side where the base layer 21 is arranged, and the ultraviolet rays or the like reach the adhesive layer 22 after passing through the base layer 21. The adhesive layer 22 is cured by irradiation with ultraviolet rays or the like.
Since the adhesive layer 22 hardens after irradiation, the adhesive strength of the adhesive layer 22 can be reduced, and therefore, after irradiation, the die bond sheet 10 (with the semiconductor chip adhered thereto) can be relatively easily peeled off from the adhesive layer 22. The die bond sheet 10 is adhered to an adherend such as a circuit board or a semiconductor chip in the manufacture of a semiconductor device.
＜ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープ＞
上記のダイシングテープ２０は、通常、長尺シートであり、使用されるまで巻回された状態で保管される。本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１は、割断処理されるシリコンウエハよりも、ひと回り大きい内径を有する円環状の枠に張られ、カットされて使用される。
<Dicing tape for dicing die bond film>
The dicing tape 20 is usually a long sheet and is stored in a rolled state until it is used. The dicing die bond film 1 of the present embodiment is stretched on an annular frame having an inner diameter slightly larger than the silicon wafer to be cut, and is used after being cut.
上記のダイシングテープ２０は、基材層２１と、該基材層２１に重なった粘着剤層２２とを備える。上記のダイシングテープ２０の粘着剤層２２は、例えば感圧接着型の層である。 The dicing tape 20 includes a base layer 21 and an adhesive layer 22 superimposed on the base layer 21. The adhesive layer 22 of the dicing tape 20 is, for example, a pressure-sensitive adhesive layer.
ダイシングテープ２０の１２０℃における引張貯蔵弾性率は、０．１０ＭＰａ以上である。そのため、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）が部位によってばらつくことを抑えることができる。上記の離間距離（カーフ）のばらつきが抑えられる理由については、後に詳しく説明する。 The tensile storage modulus of the dicing tape 20 at 120°C is 0.10 MPa or more. This makes it possible to suppress the variation in the spacing (kerf) between adjacent semiconductor chips from one location to another. The reason why the variation in the spacing (kerf) is suppressed will be explained in detail later.
ダイシングテープ２０の１２０℃における上記の引張貯蔵弾性率は、０．１１ＭＰａ以上であることが好ましく、０．１５ＭＰａ以上であることがより好ましい。上記の引張貯蔵弾性率がより大きいことによって、カーフのばらつきをより抑えることができる。上記の引張貯蔵弾性率は、０．２０ＭＰａ以下であってもよい。上記の引張貯蔵弾性率がより小さいことによって、後述するエキスパンド工程において、ダイシングテープ２０がより効果的に熱収縮できる。 The tensile storage modulus of the dicing tape 20 at 120°C is preferably 0.11 MPa or more, and more preferably 0.15 MPa or more. A larger tensile storage modulus can further reduce kerf variation. The tensile storage modulus may be 0.20 MPa or less. A smaller tensile storage modulus can allow the dicing tape 20 to be more effectively thermally shrunk in the expanding step described below.
ダイシングテープ２０の１２０℃における引張貯蔵弾性率は、例えば、引張貯蔵弾性率が比較的高いポリプロピレン等の樹脂の基材層２１における含有率をより高めることにより、大きくすることができる。一方、引張貯蔵弾性率が比較的高いポリプロピレン等の樹脂の基材層２１における含有率をより下げることにより、上記の弾性率を小さくすることができる。 The tensile storage modulus of the dicing tape 20 at 120°C can be increased, for example, by increasing the content of resin such as polypropylene, which has a relatively high tensile storage modulus, in the base layer 21. On the other hand, the above modulus can be decreased by decreasing the content of resin such as polypropylene, which has a relatively high tensile storage modulus, in the base layer 21.
ダイシングテープ２０の－１５℃における引張貯蔵弾性率は、２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下である。そのため、ダイシングテープの裂けを抑制でき、また、ダイボンドシートを良好に割断できる。ダイシングテープの裂けを抑制でき、ダイボンドシートを良好に割断できる理由については、後に詳しく説明する。 The tensile storage modulus of the dicing tape 20 at -15°C is 280 MPa or more and 500 MPa or less. This makes it possible to prevent the dicing tape from tearing and to cut the die bond sheet well. The reasons why the dicing tape can be prevented from tearing and the die bond sheet can be cut well will be explained in detail later.
ダイシングテープ２０の－１５℃における上記の引張貯蔵弾性率は、３００ＭＰａ以上であることが好ましく、３２０ＭＰａ以上であることがより好ましい。－１５℃における上記の引張貯蔵弾性率がより大きいことによって、ダイボンドシートをより良好に割断できる。即ち、より良好な割断性を発揮できる。
上記の－１５℃における引張貯蔵弾性率は、５００ＭＰａ以下であってもよく、４００ＭＰａ以下であってもよい。上記の引張貯蔵弾性率がより小さいことによって、ダイシングテープの裂けをより抑制できる。
The tensile storage modulus of the dicing tape 20 at −15° C. is preferably 300 MPa or more, and more preferably 320 MPa or more. By having a larger tensile storage modulus at −15° C., the die bond sheet can be cut more satisfactorily. That is, better cuttability can be exhibited.
The tensile storage modulus at −15° C. may be 500 MPa or less, or may be 400 MPa or less. A smaller tensile storage modulus can further suppress tearing of the dicing tape.
ダイシングテープ２０の－１５℃における引張貯蔵弾性率は、例えば、引張貯蔵弾性率が比較的高いポリプロピレン等の樹脂の基材層２１における含有率をより高めることにより、大きくすることができる。一方、引張貯蔵弾性率が比較的高いポリプロピレン等の樹脂の基材層２１における含有率をより下げることにより、上記の弾性率を小さくすることができる。 The tensile storage modulus of the dicing tape 20 at -15°C can be increased, for example, by increasing the content of resin such as polypropylene, which has a relatively high tensile storage modulus, in the base layer 21. On the other hand, the above modulus can be decreased by decreasing the content of resin such as polypropylene, which has a relatively high tensile storage modulus, in the base layer 21.
上記の引張貯蔵弾性率は、以下の測定条件で測定される。
測定装置：固体粘弾性測定装置（例えば測定装置名「ＲＳＡ－Ｇ２」ティー・エイ・インスツルメント社製）
試料サイズ：初期長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ、
測定温度：－４０℃以上１５０℃以下の温度範囲
１２０℃又は－５℃における引張貯蔵弾性率の値を読み取る
チャック間距離：２０ｍｍ
周波数：１Ｈｚ
歪み：０．１％
The above tensile storage modulus is measured under the following measurement conditions.
Measuring device: solid viscoelasticity measuring device (for example, measuring device name "RSA-G2" manufactured by TA Instruments)
Sample size: initial length 40 mm, width 10 mm
Heating rate: 10 ° C. / min,
Measurement temperature: -40°C to 150°C
Read the tensile storage modulus at 120°C or -5°C. Chuck distance: 20 mm
Frequency: 1Hz
Distortion: 0.1%
［ダイシングテープの基材層］
本実施形態において、粘着剤層２２に重ねられた基材層２１は、単層構造であってもよく、積層構造（例えば３層構造）であってもよい。
[Base layer of dicing tape]
In this embodiment, the base layer 21 overlaid on the pressure-sensitive adhesive layer 22 may have a single-layer structure or a laminated structure (for example, a three-layer structure).
基材層２１の各層は、例えば、金属箔、紙や布などの繊維シート、ゴムシート、樹脂フィルムなどである。
基材層２１を構成する繊維シートとしては、紙、織布、不織布などが挙げられる。
樹脂フィルムの材質としては、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン－プロピレン共重合体等のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンの共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；ポリアクリレート；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；脂肪族ポリアミド、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のポリアミド；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体）；セルロース又はセルロース誘導体；含シリコーン高分子；含フッ素高分子などが挙げられる。これらは、１種が単独で又は２種以上が組み合わされて使用され得る。
Each layer of the base material layer 21 is, for example, a metal foil, a fiber sheet such as paper or cloth, a rubber sheet, or a resin film.
Examples of the fiber sheet constituting the base material layer 21 include paper, woven fabric, and nonwoven fabric.
Examples of materials for the resin film include polyolefins such as low-density polyethylene (LDPE), high-density polyethylene (HDPE), polypropylene (PP), and ethylene-propylene copolymers; ethylene copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymers (EVA), ionomer resins, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, and ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymers; polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polybutylene terephthalate (PBT); polyacrylates; polyvinyl chloride (PVC); polyurethanes; polycarbonates; polyphenylene sulfide (PPS); polyamides such as aliphatic polyamides and fully aromatic polyamides (aramids); polyether ether ketones (PEEK); polyimides; polyetherimides; polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymers); cellulose or cellulose derivatives; silicone-containing polymers; and fluorine-containing polymers. These may be used alone or in combination of two or more.
基材層２１は、高分子材料を含むことが好ましく、エチレン－酢酸ビニル共重合樹脂及びポリプロピレン樹脂を含むことがより好ましい。基材層２１の各層は、エチレン－酢酸ビニル共重合樹脂、又は、ポリプロピレン樹脂などの樹脂フィルムなどで構成されていることが好ましい。これにより、比較的高い熱収縮性と比較的高い弾性率とをより十分に兼ね備えることができる。
なお、基材層２１が樹脂フィルムを有する場合、樹脂フィルムが延伸処理等を施され、伸び率などの変形性が制御されていてもよい。
The base material layer 21 preferably contains a polymer material, and more preferably contains an ethylene-vinyl acetate copolymer resin and a polypropylene resin. Each layer of the base material layer 21 is preferably made of a resin film such as an ethylene-vinyl acetate copolymer resin or a polypropylene resin. This makes it possible to more fully combine a relatively high heat shrinkability with a relatively high elastic modulus.
When the base layer 21 has a resin film, the resin film may be subjected to a stretching process or the like to control the deformability such as elongation.
基材層２１の表面には、粘着剤層２２との密着性を高めるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的方法又は物理的方法による酸化処理等が採用され得る。また、アンカーコーティング剤、プライマー、接着剤等のコーティング剤によるコーティング処理が施されていてもよい。 The surface of the base layer 21 may be subjected to a surface treatment to enhance adhesion with the adhesive layer 22. Examples of the surface treatment that may be used include oxidation treatment using chemical or physical methods such as chromate treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage shock exposure, and ionizing radiation treatment. In addition, the surface may be subjected to a coating treatment using a coating agent such as an anchor coating agent, a primer, or an adhesive.
基材層２１は、複数の層で構成されていることが好ましく、２層又は３層で構成されていることがより好ましい。
基材層２１が複数の層の積層構造（例えば３層構造）を有することによって、より弾性率が高い層とより弾性率が低い層とを積層することが可能となるため、比較的簡便に基材層２１の弾性率をコントロールすることができる。例えば、１層のみで構成された基材層２１の弾性率が比較的高い場合、エキスパンド工程において、半導体チップの浮きや基材層２１の破れがやや生じやすくなり得る。また、例えば、半導体チップを割断するための応力は、エキスパンド工程においてダイシングテープ２０を引き伸ばす力から基材層２１及び粘着剤層２２を経て伝わるところ、１層のみで構成された基材層２１の弾性率が比較的低い場合、上記応力がやや伝わりにくくなり得る。
また、基材層２１が複数の層の積層構造（例えば３層構造）を有することによって、上記理由と同様の理由により、比較的簡便に基材層２１の熱収縮率をコントロールできる。
このように、基材層２１が複数の層で構成されていることにより、各層の物性（特性）を引き出すことができる。そのため、複数層で構成された基材層は、単層の基材層よりも、所望の特性を発揮しやすい。
The base layer 21 is preferably composed of a plurality of layers, and more preferably composed of two or three layers.
By having the base layer 21 have a laminated structure of multiple layers (e.g., a three-layer structure), it is possible to laminate a layer having a higher elastic modulus and a layer having a lower elastic modulus, so that the elastic modulus of the base layer 21 can be controlled relatively easily. For example, if the elastic modulus of the base layer 21 consisting of only one layer is relatively high, the semiconductor chip may be lifted or the base layer 21 may be broken somewhat easily in the expanding process. In addition, for example, the stress for breaking the semiconductor chip is transmitted from the force stretching the dicing tape 20 in the expanding process through the base layer 21 and the adhesive layer 22, but if the elastic modulus of the base layer 21 consisting of only one layer is relatively low, the above stress may be difficult to transmit.
Furthermore, by having the base layer 21 have a laminated structure of a plurality of layers (for example, a three-layer structure), the thermal shrinkage rate of the base layer 21 can be controlled relatively easily for the same reasons as those described above.
In this way, since the base material layer 21 is composed of a plurality of layers, the physical properties (characteristics) of each layer can be brought out. Therefore, a base material layer composed of a plurality of layers is more likely to exhibit the desired characteristics than a single-layer base material layer.
基材層２１の複数の層のうち少なくとも２つの層の断面の弾性率であって、－５℃で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による弾性率マッピングを実施したときのヒストグラムにおける頻度最大ピークで示される弾性率は、いずれも、１９０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下であることが好ましい。少なくとも２つの層の各弾性率が上記の範囲内であることによって、ダイシングテープの裂けをより抑制でき、また、ダイボンドシートをより良好に割断できる。
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）分析による上記の弾性率は、３００ＭＰａ以上であることがより好ましく、４００ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。上記の弾性率がより大きいことにより、ダイボンドシート１０をより良好に割断できる。
また、上記のＡＦＭ分析による弾性率は、８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、７００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。上記の弾性率がより小さいことにより、ダイシングテープ２０の裂けをより抑制できる。
The elastic modulus of the cross section of at least two layers among the multiple layers of the base layer 21, which is indicated by the maximum frequency peak in a histogram when elastic modulus mapping is performed by an atomic force microscope (AFM) at −5° C., is preferably 190 MPa or more and 890 MPa or less. By having the elastic modulus of each of the at least two layers within the above range, tearing of the dicing tape can be further suppressed, and the die bond sheet can be more satisfactorily cut.
The elastic modulus as determined by atomic force microscope (AFM) analysis is more preferably 300 MPa or more, and further preferably 400 MPa or more. A larger elastic modulus allows the die bond sheet 10 to be broken more satisfactorily.
Moreover, the elastic modulus measured by the AFM analysis is more preferably 800 MPa or less, and even more preferably 700 MPa or less. A smaller elastic modulus can further suppress tearing of the dicing tape 20.
好ましくは、複数の層の断面における上記弾性率のうち、最も大きい弾性率及び最も小さい弾性率をそれぞれＰ及びＱとしたときに、下記式（１）が満たされる。
［（Ｐ－Ｑ）／Ｐ］×１００≧５ 式（１）
換言すると、基材層２１の複数の層のうち、上記弾性率の差が最も大きくなる２つの層において、上記弾性率の差が５％以上であることが好ましい。これにより、ダイボンドシート１０の割断に有利な硬さ、及び、裂け抑制に有利な柔軟さの両方を基材層２１が十分に有することができる。
上記の弾性率の差は、９％以上であってもよい。即ち、式（１）の左辺の値は９以上であってもよい。また、上記の弾性率の差は、５０％以下であってもよい。即ち、式（１）の左辺の値は５０以下であってもよい。
なお、上記の弾性率の差は、上記弾性率の差が最も大きくなる２つの層の弾性率の差（絶対値）を、弾性率が大きい方の層の弾性率値で除することによって算出される。例えば、基材層２１が２層で構成されている場合、上記の弾性率の２層間の差を求める。例えば、基材層２１が３層で構成されている場合、上記弾性率の差が最も大きくなる２つの層間における上記の弾性率の差を求める。
Preferably, when the largest and smallest elastic moduli among the elastic moduli in the cross sections of the plurality of layers are defined as P and Q, respectively, the following formula (1) is satisfied.
[(P−Q)/P]×100≧5 Formula (1)
In other words, it is preferable that the difference in the elastic modulus is 5% or more between two layers having the largest difference in the elastic modulus among the multiple layers of the base material layer 21. This allows the base material layer 21 to have both a hardness advantageous for breaking the die bond sheet 10 and a flexibility advantageous for preventing cracking.
The difference in elastic modulus may be 9% or more. That is, the value of the left side of formula (1) may be 9 or more. The difference in elastic modulus may be 50% or less. That is, the value of the left side of formula (1) may be 50 or less.
The difference in elastic modulus is calculated by dividing the difference (absolute value) in elastic modulus between the two layers with the largest difference in elastic modulus by the elastic modulus value of the layer with the larger elastic modulus.For example, when the base layer 21 is composed of two layers, the difference in elastic modulus between the two layers is calculated.For example, when the base layer 21 is composed of three layers, the difference in elastic modulus between the two layers with the largest difference in elastic modulus is calculated.
ＡＦＭ分析を利用した上記の弾性率は、例えば、層に配合されるポリプロピレン等の比較的硬い樹脂の含有比率を高くすることによって高めることができる。一方、例えば、層に配合されるエチレン－酢酸ビニル共重合体の含有比率を高くすること、又は、層に配合されるエチレン－酢酸ビニル共重合体における酢酸ビニルの構成比率を高くすることによって上記の弾性率を低くすることができる。 The elastic modulus measured using AFM analysis can be increased, for example, by increasing the content of a relatively hard resin, such as polypropylene, in the layer. On the other hand, the elastic modulus can be decreased, for example, by increasing the content of ethylene-vinyl acetate copolymer in the layer, or by increasing the composition ratio of vinyl acetate in the ethylene-vinyl acetate copolymer in the layer.
ＡＦＭ分析を利用した上記の弾性率の測定条件の詳細は、以下の通りである。
＜測定方法＞
（測定用試料の前処理）
ウルトラミクロトームを用いて、冷却下にて、測定対象の層の一部を切断して切片を作製する。２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さとなるように切片を作製する。次に、切片をシリコンウエハ上に回収して測定用試料を作製する。
（測定法）
装置：原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
装置例：オックスフォード・インストゥルメンツ社製、
「アサイラムリサーチＭＦＰ－３Ｄ－ＳＡ」
測定モード：ＤＦＭモード、ＡＦＭフォースカーブマッピング
カンチレバー：ＡＣ２４０ＴＳ（Ｓｉ製バネ定数３Ｎ／ｍ相当）
測定範囲：３μｍ四方スキャン
測定雰囲気：窒素ガス雰囲気
測定温度：－５℃
The details of the conditions for measuring the elastic modulus using AFM analysis are as follows.
<Measurement method>
(Pretreatment of measurement samples)
Using an ultramicrotome, a part of the layer to be measured is cut under cooling to prepare a slice. The slice is prepared to have a thickness of 200 nm to 300 nm. The slice is then collected on a silicon wafer to prepare a measurement sample.
(Measurement method)
Equipment: Atomic force microscope (AFM)
Example of equipment: Oxford Instruments,
"Asylum Research MFP-3D-SA"
Measurement mode: DFM mode, AFM force curve mapping Cantilever: AC240TS (Si spring constant equivalent to 3N/m)
Measurement range: 3 μm square scan Measurement atmosphere: nitrogen gas atmosphere Measurement temperature: -5°C
基材層２１の複数の層は、少なくとも、エラストマー材料を含むエラストマー層、及び、非エラストマー材料を含む非エラストマー層を有することが好ましい。また、基材層２１は、少なくともエラストマー層及び非エラストマー層を含む、２層又は３層構造を有することが好ましい。
エラストマー材料は、室温における上記の引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以下の高分子材料である。エラストマーは、通常、室温（２３℃）においてゴム弾性を示す高分子材料である。一方、非エラストマー材料は、室温における上記の引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａよりも大きい高分子材料である。
The multiple layers of the base material layer 21 preferably have at least an elastomer layer containing an elastomer material and a non-elastomer layer containing a non-elastomer material. The base material layer 21 preferably has a two-layer or three-layer structure including at least an elastomer layer and a non-elastomer layer.
An elastomeric material is a polymeric material having a tensile storage modulus of 200 MPa or less at room temperature. An elastomer is usually a polymeric material that exhibits rubber elasticity at room temperature (23° C.). On the other hand, a non-elastomeric material is a polymeric material having a tensile storage modulus of more than 200 MPa at room temperature.
上記の非エラストマー材料は、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレンなどのポリオレフィンを少なくとも含むことが好ましい。ポリプロピレンは、メタロセン触媒によって合成されたメタロセンポリプロピレンであってもよい。 The non-elastomeric material preferably includes at least a polyolefin such as low density polyethylene (LDPE), high density polyethylene (HDPE), or polypropylene. The polypropylene may be a metallocene polypropylene synthesized by a metallocene catalyst.
一方、エラストマー材料は、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を少なくとも含むことが好ましい。エチレン－酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）は、酢酸ビニルの構成単位を５質量％以上３５質量％以下含んでもよい。
なお、構成単位とは、エチレン－酢酸ビニル共重合体を重合するときのモノマー（エチレン、酢酸ビニル）が重合した後の各モノマー由来の構造である。以下同様である。
On the other hand, the elastomer material preferably contains at least ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), which may contain 5% by mass or more and 35% by mass or less of vinyl acetate structural units.
The structural unit refers to a structure derived from each monomer after the monomers (ethylene, vinyl acetate) are polymerized when an ethylene-vinyl acetate copolymer is polymerized. The same applies below.
基材層２１は、例えば図２Ａに示すように、第１基材層２１ａ及び第２基材層２１ｂが積み重なった２層で構成される。２層構造の基材層２１は、非エラストマー材料を含む第１基材層２１ａと、第１基材層２１ａに積層され且つエラストマー材料を含む第２基材層２１ｂとを有することが好ましい。例えば、第２基材層２１ｂの片面と、粘着剤層２２の片面とが重なり合っている。
このような２層の積層構造を有する基材層２１は、例えば、各層が共押出成形によって作製され且つ２つの層が一体化されて形成されている。
2A, the base layer 21 is composed of two layers, a first base layer 21a and a second base layer 21b, stacked together. The two-layer base layer 21 preferably has a first base layer 21a containing a non-elastomer material and a second base layer 21b laminated on the first base layer 21a and containing an elastomer material. For example, one side of the second base layer 21b overlaps one side of the pressure-sensitive adhesive layer 22.
The base layer 21 having such a two-layer laminate structure is formed, for example, by producing each layer by co-extrusion molding and integrating the two layers.
２層構造の基材層２１では、第１基材層２１ａがポリプロピレン樹脂を含み、第２基材層２１ｂがエチレン－酢酸ビニル共重合樹脂を含むことが好ましい。これにより、高温において弾性率が比較的高いポリプロピレン樹脂の特性を基材層２１が発揮できることに加え、高温において熱収縮率が比較的高いエチレン－酢酸ビニル共重合樹脂の特性も基材層２１が発揮できる。そのため、例えば、エキスパンド工程後に部位によるカーフのばらつきを抑制できる。 In the two-layered substrate layer 21, it is preferable that the first substrate layer 21a contains polypropylene resin and the second substrate layer 21b contains ethylene-vinyl acetate copolymer resin. This allows the substrate layer 21 to exhibit the properties of polypropylene resin, which has a relatively high elastic modulus at high temperatures, as well as the properties of ethylene-vinyl acetate copolymer resin, which has a relatively high thermal shrinkage rate at high temperatures. This makes it possible to suppress, for example, the variation in kerf depending on the location after the expansion process.
一方、基材層２１は、例えば図２Ｂに示すように、第１基材層２１ａ、第２基材層２１ｂ、及び第３基材層２１ｃが積み重なった３層で構成されてもよい。３層構造の基材層２１は、非エラストマー材料をそれぞれ含む第１基材層２１ａ及び第３基材層２１ｃと、これらの層の間に配置され且つエラストマー材料を含む第２基材層２１ｂとを有することが好ましい。
このような３層の積層構造を有する基材層２１は、例えば、各層が共押出成形によって作製され且つ３つの層が一体化されて形成されている。
On the other hand, the base material layer 21 may be configured as three layers, for example, a first base material layer 21a, a second base material layer 21b, and a third base material layer 21c stacked together, as shown in Fig. 2B. The three-layer base material layer 21 preferably has a first base material layer 21a and a third base material layer 21c each containing a non-elastomeric material, and a second base material layer 21b disposed between these layers and containing an elastomeric material.
The base material layer 21 having such a three-layer laminate structure is formed, for example, by producing each layer by co-extrusion molding and integrating the three layers.
３層構造の基材層２１では、両面側にそれぞれ配置された第１基材層２１ａ及び第３基材層２１ｃがいずれもポリプロピレン樹脂を含み、第１基材層２１ａ及び第３基材層２１ｃの間に配置された第２基材層２１ｂがエチレン－酢酸ビニル共重合樹脂を含むことが好ましい。これにより、高温において弾性率が比較的高いポリプロピレン樹脂の特性を基材層２１が発揮できることに加え、高温において熱収縮率が比較的高いエチレン－酢酸ビニル共重合樹脂の特性も基材層２１が発揮できる。そのため、エキスパンド工程後に部位によるカーフのばらつきを抑制できる。なお、基材層２１において、例えば、粘着剤層２２から最も離れた層が第１基材層２１ａであり、粘着剤層２２と重なった層が第３基材層２１ｃである。第２基材層２１ｂは、第１基材層２１ａと第３基材層２１ｃとの間に配置されている。 In the three-layered substrate layer 21, the first substrate layer 21a and the third substrate layer 21c arranged on both sides each preferably contain polypropylene resin, and the second substrate layer 21b arranged between the first substrate layer 21a and the third substrate layer 21c preferably contains ethylene-vinyl acetate copolymer resin. This allows the substrate layer 21 to exhibit the properties of polypropylene resin, which has a relatively high elastic modulus at high temperatures, as well as the properties of ethylene-vinyl acetate copolymer resin, which has a relatively high thermal shrinkage rate at high temperatures. Therefore, the variation in kerf depending on the location after the expanding process can be suppressed. In the substrate layer 21, for example, the layer farthest from the adhesive layer 22 is the first substrate layer 21a, and the layer overlapping the adhesive layer 22 is the third substrate layer 21c. The second substrate layer 21b is arranged between the first substrate layer 21a and the third substrate layer 21c.
２層構造の基材層２１において、粘着剤層２２からより遠い層の厚さに対する、粘着剤層２２により近い層の厚さの比（第２基材層２１ｂの厚さ／第１基材層２１ａの厚さ）は、１以上１０以下であることが好ましい。
３層構造の基材層２１において、外層の総厚さに対する内層の厚さの比（第２基材層２１ｂの厚さ／第１基材層２１ａ及び第３基材層２１ｃの総厚さ）は、１以上１０以下であることが好ましい。また、第１基材層２１ａ及び第３基材層２１ｃの厚さは、ほぼ同じであってもよく、例えば、第３基材層２１ｃの厚さに対する第１基材層２１ａの厚さの比は、０．９以上１．１以下であってもよい。
In the two-layer base layer 21, it is preferable that the ratio of the thickness of the layer closer to the adhesive layer 22 to the thickness of the layer farther from the adhesive layer 22 (thickness of the second base layer 21b/thickness of the first base layer 21a) is 1 or more and 10 or less.
In the three-layered base material layer 21, the ratio of the thickness of the inner layer to the total thickness of the outer layers (thickness of the second base material layer 21b/total thickness of the first base material layer 21a and the third base material layer 21c) is preferably 1 or more and 10 or less. The thicknesses of the first base material layer 21a and the third base material layer 21c may be approximately the same, and for example, the ratio of the thickness of the first base material layer 21a to the thickness of the third base material layer 21c may be 0.9 or more and 1.1 or less.
基材層２１の厚さ（総厚さ）は、８０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。斯かる値は、ランダムに選んだ少なくとも３箇所における測定値の平均値である。以下、粘着剤層２２の厚さも、同様にして測定された平均値である。基材層２１の厚さが８０μｍ以上であることによって、基材層２１の全体に対してより均一に応力をかけることができ、エキスパンド工程において半導体ウエハをより良好に割断することができる。 The thickness (total thickness) of the base layer 21 is preferably 80 μm or more and 150 μm or less. This value is the average value of measurements taken at least at three randomly selected locations. Below, the thickness of the adhesive layer 22 is also the average value measured in a similar manner. By making the thickness of the base layer 21 80 μm or more, stress can be applied more uniformly to the entire base layer 21, and the semiconductor wafer can be more effectively cut in the expanding process.
２層構造の基材層２１において、好ましくは、第１基材層２１ａが１０μｍ以上３０μｍ以下の厚さを有し、第２基材層２１ｂが６０μｍ以上１２０μｍ以下の厚さを有する。これにより、基材層２１における各層の物性（特性）が基材層２１においてより好適に反映されるという利点がある。
３層構造の基材層２１において、好ましくは、第１基材層２１ａ及び第３基材層２１ｃが、それぞれ独立して１μｍ以上１５μｍ以下の厚さを有し、第２基材層２１ｂが、７０μｍ以上１２０μｍ以下の厚さを有する。これにより、基材層２１における各層の物性（特性）が基材層２１においてより好適に反映されるという利点がある。
In the two-layered base material layer 21, the first base material layer 21a preferably has a thickness of 10 μm or more and 30 μm or less, and the second base material layer 21b preferably has a thickness of 60 μm or more and 120 μm or less. This has the advantage that the physical properties (characteristics) of each layer in the base material layer 21 are more suitably reflected in the base material layer 21.
In the three-layered substrate layer 21, the first substrate layer 21a and the third substrate layer 21c each preferably have a thickness of 1 μm or more and 15 μm or less, and the second substrate layer 21b preferably has a thickness of 70 μm or more and 120 μm or less. This has the advantage that the physical properties (characteristics) of each layer in the substrate layer 21 are more suitably reflected in the substrate layer 21.
上記の基材層２１において、第１基材層２１ａ及び第３基材層２１ｃのうち少なくとも一方が、帯電防止剤をさらに含んでもよい。帯電防止剤によって、基材層２１における静電気の帯電を防止できる。そのため、半導体チップにおける電子回路が静電気の放電によって静電破壊することを十分に防げる。また、帯電を防止することによって、埃等の異物が基材層２１に付着することを十分に防げる。 In the above-mentioned substrate layer 21, at least one of the first substrate layer 21a and the third substrate layer 21c may further contain an antistatic agent. The antistatic agent can prevent static electricity from building up in the substrate layer 21. This can adequately prevent the electronic circuit in the semiconductor chip from being destroyed by static electricity caused by discharge of static electricity. Furthermore, by preventing static electricity, foreign matter such as dust can be adequately prevented from adhering to the substrate layer 21.
基材層２１の背面側（粘着剤層２２が重なっていない側）には、剥離性を付与するために、例えば、シリコーン系樹脂やフッ素系樹脂等の離型剤（剥離剤）などによって離型処理が施されていてもよい。
基材層２１は、背面側から紫外線等の活性エネルギー線を粘着剤層２２へ与えることが可能となる点で、光透過性（紫外線透過性）の樹脂フィルム等であることが好ましい。
The back side of the base layer 21 (the side on which the adhesive layer 22 is not overlapped) may be subjected to a release treatment using a release agent (release agent) such as a silicone-based resin or a fluorine-based resin in order to impart releasability.
The base layer 21 is preferably a light-transmitting (ultraviolet ray-transmitting) resin film or the like, since this allows active energy rays such as ultraviolet ray to be applied to the pressure-sensitive adhesive layer 22 from the back side.
［ダイシングテープの粘着剤層］
本実施形態において、粘着剤層２２は、例えば、アクリル共重合体と、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを含む。
粘着剤層２２は、５μｍ以上４０μｍ以下の厚さを有してもよい。粘着剤層２２の形状および大きさは、通常、基材層２１の形状および大きさと同じである。
[Adhesive layer of dicing tape]
In this embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains, for example, an acrylic copolymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator.
The pressure-sensitive adhesive layer 22 may have a thickness of 5 μm or more and 40 μm or less. The shape and size of the pressure-sensitive adhesive layer 22 are usually the same as the shape and size of the base layer 21.
ナノインデンター測定によって算出される０℃における粘着剤層２２の弾性率は、０．６０ＭＰａよりも大きいことが好ましい。これにより、ダイボンドシートをより良好に割断できる。 The elastic modulus of the adhesive layer 22 at 0°C calculated by nanoindenter measurement is preferably greater than 0.60 MPa. This allows the die bond sheet to be cut more effectively.
ナノインデンター測定によって算出される０℃における粘着剤層２２の弾性率は、０．７０ＭＰａ以上であることがより好ましい。これにより、ダイボンドシートをさらに良好に割断できる。即ち、さらに良好な割断性を発揮できる。
なお、上記の粘着剤層２２の弾性率は、１．３０ＭＰａ以下であってもよく、１．２０ＭＰａ以下であってもよい。上記の粘着剤層２２の弾性率がより小さいことにより、低温でダイボンドシート１０などを割断した際の粘着剤層２２の割れをより抑制できる。
The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 22 at 0° C. calculated by nanoindenter measurement is more preferably 0.70 MPa or more. This allows the die bond sheet to be cut more satisfactorily. That is, better cuttability can be exhibited.
The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be 1.30 MPa or less, or 1.20 MPa or less. The smaller elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 22 can further suppress cracking of the pressure-sensitive adhesive layer 22 when the die bond sheet 10 or the like is cut at a low temperature.
上記の粘着剤層２２の弾性率は、例えば、アクリル共重合体を構成することとなるモノマーのうち、ガラス転移点を比較的高くさせるアクリロイルモルフォリン等のモノマーの比率を高くすることによって、大きくすることができる。一方、アクリル共重合体を構成することとなるモノマーのうち、ガラス転移点を比較的低くさせる２－エチルヘキシルアクリレート等のモノマーの比率を高くすることにより、上記弾性率を低くすることができる。 The elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be increased by, for example, increasing the ratio of monomers such as acryloylmorpholine, which have a relatively high glass transition point, among the monomers that make up the acrylic copolymer. On the other hand, the elastic modulus can be decreased by increasing the ratio of monomers such as 2-ethylhexyl acrylate, which have a relatively low glass transition point, among the monomers that make up the acrylic copolymer.
０℃において粘着剤層２２に対してナノインデンター測定を実施する際の測定条件の詳細は、以下の通りである。
＜測定方法＞
測定機器：ナノインデンター「Ｔｒｉｂｏｉｎｄｅｎｔｅｒ（製品名）」
Ｈｙｓｉｔｒｏｎ Ｉｎｃ．社製
圧子：Ｃｏｎｉｃａｌ（球形：曲率半径１０μｍ）
測定モード：単一押し込み試験
最大変位に達した時の保持時間：０秒
押し込み・引き抜き深さ速度：５ｎｍ／ｓｅｃ
押し込み深さ：２０００ｎｍ
解析ソフト：「ＴＩ９５０ Ｔｒｉｂｏｉｎｄｅｎｔｅｒ（製品名）」Ｂｒｕｋｅｒ社製（ｖｅｒｓｉｏｎ９．４．０．１）
測定時の環境：０℃設定、相対湿度３５％±１０％
ダイシングテープ２０の一部を取り出し、基材層２１側を下にしてサンプル台に固定した。つぎに、粘着剤層２２の露出表面に圧子を押し込んだ。測定データを、解析ソフトによって解析して、０℃における粘着剤層２２の弾性率を求めた。
The detailed measurement conditions when the nanoindenter measurement is performed on the pressure-sensitive adhesive layer 22 at 0° C. are as follows.
<Measurement method>
Measuring equipment: Nanoindenter "Triboindenter (product name)"
Hysitron Inc. Indenter: Conical (spherical: radius of curvature 10 μm)
Measurement mode: Single indentation test Holding time when maximum displacement is reached: 0 seconds Indentation/pulling depth speed: 5 nm/sec
Indentation depth: 2000 nm
Analysis software: "TI950 Triboindenter (product name)" manufactured by Bruker (version 9.4.0.1)
Measurement environment: 0°C setting, relative humidity 35% ±10%
A part of the dicing tape 20 was taken out and fixed on a sample stage with the base layer 21 side facing down. Next, an indenter was pressed into the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer 22. The measurement data was analyzed by analysis software to determine the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer 22 at 0°C.
本実施形態において、粘着剤層２２は、少なくとも、アルキル（メタ）アクリレート単位と、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位とをモノマー単位として分子中に有するアクリル共重合体を含む。
なお、「単位」とは、アクリル共重合体を重合するときのモノマー（例えば２－エチルヘキシルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレートなど）が重合した後の各モノマー由来の構造である。以下同様である。
In this embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains at least an acrylic copolymer having, as monomer units in the molecule, an alkyl (meth)acrylate unit and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit.
The term "unit" refers to a structure derived from each monomer after polymerization of the monomer (for example, 2-ethylhexyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, etc.) when polymerizing the acrylic copolymer. The same applies below.
アクリル共重合体において、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位のうち一部は、ラジカル重合性炭素－炭素二重結合を有する。アクリル共重合体は、アルキル（メタ）アクリレート単位１００モル部に対して、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位を１５モル部以上６０モル部以下含み、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位のうちの５０モル％以上９５モル％以下がラジカル重合性炭素－炭素二重結合を含有している。
なお、本明細書において「（メタ）アクリレート」との表記は、メタクリレート（メタクリル酸エステル）及びアクリレート（アクリル酸エステル）のうちの少なくとも一方を表す。「（メタ）アクリル」という用語も同様である。
In the acrylic copolymer, a part of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units has a radical polymerizable carbon-carbon double bond. The acrylic copolymer contains 15 to 60 molar parts of crosslinkable group-containing (meth)acrylate units per 100 molar parts of alkyl (meth)acrylate units, and 50 to 95 molar % of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units contain a radical polymerizable carbon-carbon double bond.
In this specification, the term "(meth)acrylate" refers to at least one of methacrylate (methacrylic acid ester) and acrylate (acrylic acid ester). The same applies to the term "(meth)acrylic".
上記のアクリル共重合体は、分子中に、アルキル（メタ）アクリレート単位と、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位とを少なくともモノマー単位として有する。モノマー単位は、アクリル共重合体の主鎖を構成する単位である。換言すると、モノマー単位は、アクリル共重合体を重合するために使用したモノマーに由来するものである。上記のアクリル共重合体における各側鎖は、主鎖を構成する各モノマー単位に含まれる。 The above acrylic copolymer has at least an alkyl (meth)acrylate unit and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit as monomer units in the molecule. The monomer units are units that constitute the main chain of the acrylic copolymer. In other words, the monomer units are derived from the monomers used to polymerize the acrylic copolymer. Each side chain in the above acrylic copolymer is included in each monomer unit that constitutes the main chain.
上記のアルキル（メタ）アクリレート単位は、アルキル（メタ）アクリレートモノマーに由来する。換言すると、アルキル（メタ）アクリレートモノマーが重合反応したあとの分子構造が、アルキル（メタ）アクリレート単位である。「アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分を表す。 The above alkyl (meth)acrylate units are derived from alkyl (meth)acrylate monomers. In other words, the molecular structure that results after the alkyl (meth)acrylate monomers are polymerized is an alkyl (meth)acrylate unit. The term "alkyl" refers to the hydrocarbon moiety that is ester-bonded to (meth)acrylic acid.
アルキル（メタ）アクリレート単位におけるアルキル部分（炭化水素）は、飽和炭化水素であってもよく、不飽和炭化水素であってもよい。
アルキル（メタ）アクリレート単位におけるアルキル部分（炭化水素）は、直鎖状炭化水素であってもよく、分岐鎖状炭化水素であってもよく、環状構造を含んでいてもよい。
アルキル（メタ）アクリレート単位におけるアルキル部分（炭化水素）の炭素数は、６以上２２以下であってもよい。
The alkyl portion (hydrocarbon) in the alkyl (meth)acrylate unit may be a saturated hydrocarbon or an unsaturated hydrocarbon.
The alkyl portion (hydrocarbon) in the alkyl (meth)acrylate unit may be a straight-chain hydrocarbon, may be a branched-chain hydrocarbon, or may contain a cyclic structure.
The alkyl portion (hydrocarbon) in the alkyl (meth)acrylate unit may have 6 or more and 22 or less carbon atoms.
上記のアクリル共重合体は、アルキル（メタ）アクリレート単位としてアルキル部分の炭素数が６以上のアルキル（メタ）アクリレート単位を含むことが好ましく、アルキル部分が飽和炭化水素であり炭素数８以上２２以下の炭化水素である飽和アルキル（メタ）アクリレート単位を含むことがより好ましい。 The acrylic copolymer preferably contains, as the alkyl (meth)acrylate unit, an alkyl (meth)acrylate unit in which the alkyl portion has 6 or more carbon atoms, and more preferably contains a saturated alkyl (meth)acrylate unit in which the alkyl portion is a saturated hydrocarbon having 8 to 22 carbon atoms.
上記のアクリル共重合体は、分子中の全モノマー単位のうち、アルキル部分の炭素数６以上のアルキル（メタ）アクリレート単位の占める割合（モル換算）が最も高いことが好ましく、アルキル部分の炭素数８以上のアルキル（メタ）アクリレート単位の占める割合（モル換算）が最も高いことがより好ましい。例えば、全モノマー単位のうちアルキル部分の炭素数８以上のアルキル（メタ）アクリレート単位がモル換算で５０％以上９０以下％占めてもよい。 In the above acrylic copolymer, it is preferable that the proportion (molar conversion) of alkyl (meth)acrylate units having 6 or more carbon atoms in the alkyl portion is the highest among all monomer units in the molecule, and it is more preferable that the proportion (molar conversion) of alkyl (meth)acrylate units having 8 or more carbon atoms in the alkyl portion is the highest. For example, alkyl (meth)acrylate units having 8 or more carbon atoms in the alkyl portion may account for 50% to 90% of all monomer units in molar conversion.
アルキル部分の炭素数６以上の飽和アルキル（メタ）アクリレート単位は、ベンゼン環、並びに、エーテル結合（－ＣＨ２－Ｏ－ＣＨ２－）、－ＯＨ基、及び－ＣＯＯＨ基などの極性基のいずれも分子中に含まないことが好ましい。アルキル部分の炭素数６以上の飽和アルキル（メタ）アクリレート単位において、アルキル部分は、Ｃ及びＨ以外の原子を含まず、６以上１０以下の炭素原子で構成された飽和直鎖状炭化水素、又は、飽和分岐鎖状炭化水素であってもよい。 It is preferable that the saturated alkyl (meth)acrylate unit having 6 or more carbon atoms in the alkyl portion does not contain any of a benzene ring, an ether bond (-CH 2 -O-CH 2 -), an -OH group, a -COOH group, etc. in the molecule. In the saturated alkyl (meth)acrylate unit having 6 or more carbon atoms in the alkyl portion, the alkyl portion does not contain atoms other than C and H and may be a saturated linear hydrocarbon or a saturated branched hydrocarbon composed of 6 to 10 carbon atoms.
上記のアクリル共重合体は、アルキル部分の炭素数が６以上１０以下の飽和分岐鎖状アルキル（メタ）アクリレート単位を上記のアルキル（メタ）アクリレート単位として含むことが好ましい。 The acrylic copolymer preferably contains saturated branched alkyl (meth)acrylate units having an alkyl portion with 6 to 10 carbon atoms as the alkyl (meth)acrylate units.
上記の飽和分岐鎖状アルキル（メタ）アクリレート単位のアルキル部分（炭化水素部分）の構造は、飽和分岐鎖状アルキル構造であればよく、ｉｓｏ構造、ｓｅｃ構造、ｎｅｏ構造、又は、ｔｅｒｔ構造であり得る。
具体的には、飽和分岐鎖状アルキル（メタ）アクリレート単位としては、イソヘキシル（メタ）アクリレート、イソヘプチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートの各単位などが挙げられる。これらのなかでも、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート単位が好ましい。
The structure of the alkyl portion (hydrocarbon portion) of the saturated branched alkyl (meth)acrylate unit may be a saturated branched alkyl structure, and may be an iso structure, a sec structure, a neo structure, or a tert structure.
Specifically, examples of the saturated branched alkyl (meth)acrylate unit include isohexyl (meth)acrylate, isoheptyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, isodecyl (meth)acrylate, and 2-ethylhexyl (meth)acrylate units, etc. Among these, 2-ethylhexyl (meth)acrylate units are preferred.
上記の飽和直鎖状アルキル（メタ）アクリレート単位のアルキル部分（炭化水素部分）の構造は、飽和直鎖状アルキル構造であればよい。
具体的には、飽和直鎖状アルキル（メタ）アクリレート単位としては、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、ｎ－ノニル（メタ）アクリレート、ｎ－デシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、パルミチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレートなどの各単位が挙げられる。
The structure of the alkyl portion (hydrocarbon portion) of the saturated linear alkyl (meth)acrylate unit may be any structure as long as it is a saturated linear alkyl structure.
Specifically, examples of the saturated linear alkyl (meth)acrylate unit include n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, n-decyl (meth)acrylate, tridecyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, myristyl (meth)acrylate, palmityl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, and behenyl (meth)acrylate units.
上記のアクリル共重合体は、上述したアルキル（メタ）アクリレート単位として、１種を単独で含んでもよく、又は、２種以上を含んでもよい。 The acrylic copolymer may contain one type of alkyl (meth)acrylate unit described above, or may contain two or more types.
架橋性基含有（メタ）アクリレート単位は、ウレタン化反応によってウレタン結合を形成できるヒドロキシ基、又は、ラジカル反応によって重合できる重合性基を有する。より詳しくは、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位は、未反応のヒドロキシ基、又は、重合性基としてのラジカル重合性炭素－炭素二重結合のいずれか一方を有する。換言すると、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位の一部は、未反応のヒドロキシ基を有し、他の一部（その他全て）は、ヒドロキシ基を有さずラジカル重合性炭素－炭素二重結合を有する。 The crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit has a hydroxy group capable of forming a urethane bond by a urethanization reaction, or a polymerizable group capable of polymerizing by a radical reaction. More specifically, the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit has either an unreacted hydroxy group or a radically polymerizable carbon-carbon double bond as a polymerizable group. In other words, some of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units have unreacted hydroxy groups, and the other part (all others) have no hydroxy groups and have radically polymerizable carbon-carbon double bonds.
上記のアクリル共重合体は、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位として、炭素数４以下のアルキル部分にヒドロキシ基が結合したヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位を有する。粘着剤層２２がイソシアネート化合物を含む場合、イソシアネート化合物のイソシアネート基と、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位のヒドロキシ基とが、容易に反応できる。
ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位を有するアクリル共重合体と、イソシアネート化合物とを粘着剤層２２に共存させておくことによって、粘着剤層２２を適度に硬化させることができる。そのため、アクリル共重合体が十分にゲル化できる。よって、粘着剤層２２は、形状を維持しつつ粘着性能を発揮できる。
The acrylic copolymer has, as the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit, a hydroxy group-containing (meth)acrylate unit in which a hydroxy group is bonded to an alkyl moiety having 4 or less carbon atoms. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains an isocyanate compound, the isocyanate group of the isocyanate compound and the hydroxy group of the hydroxy group-containing (meth)acrylate unit can easily react with each other.
By allowing the acrylic copolymer having a hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit and the isocyanate compound to coexist in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be appropriately cured. This allows the acrylic copolymer to be sufficiently gelled. Thus, the pressure-sensitive adhesive layer 22 can exhibit its adhesive performance while maintaining its shape.
ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位は、炭素数２以上４以下のアルキル部分にＯＨ基が結合した、ヒドロキシ基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレート単位であることが好ましい。「Ｃ２～Ｃ４アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分の炭素数を表す。換言すると、ヒドロキシ基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリルモノマーは、（メタ）アクリル酸と、炭素数２以上４以下のアルコール（通常、２価アルコール）とがエステル結合したモノマーを示す。以下、本明細書において同様である。
Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、通常、飽和炭化水素である。例えば、Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、直鎖状飽和炭化水素、又は、分岐鎖状飽和炭化水素である。Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）などを含有する極性基を含まないことが好ましい。
The hydroxyl group-containing (meth)acrylate unit is preferably a hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate unit in which an OH group is bonded to an alkyl portion having from 2 to 4 carbon atoms. The term "C2-C4 alkyl" refers to the number of carbon atoms in the hydrocarbon portion that is ester-bonded to the (meth)acrylic acid. In other words, the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylic monomer refers to a monomer in which (meth)acrylic acid is ester-bonded to an alcohol (usually a dihydric alcohol) having from 2 to 4 carbon atoms. The same applies hereinafter in this specification.
The hydrocarbon portion of the C2-C4 alkyl is usually a saturated hydrocarbon. For example, the hydrocarbon portion of the C2-C4 alkyl is a linear saturated hydrocarbon or a branched saturated hydrocarbon. It is preferable that the hydrocarbon portion of the C2-C4 alkyl does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like.
ヒドロキシ基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレート単位としては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシｎ－ブチル（メタ）アクリレート、又は、ヒドロキシｉｓｏ－ブチル（メタ）アクリレートといったヒドロキシブチル（メタ）アクリレートの各単位が挙げられる。なお、ヒドロキシ基（－ＯＨ基）は、炭化水素部分の末端の炭素（Ｃ）に結合していてもよく、炭化水素部分の末端以外の炭素（Ｃ）に結合していてもよい。 Examples of hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate units include hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxypropyl (meth)acrylate, hydroxy n-butyl (meth)acrylate, and hydroxy iso-butyl (meth)acrylate units. The hydroxyl group (-OH group) may be bonded to a terminal carbon (C) of the hydrocarbon portion, or to a carbon (C) other than the terminal of the hydrocarbon portion.
上記のアクリル共重合体は、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位として、側鎖にラジカル重合性炭素－炭素二重結合（重合性不飽和二重結合）を有する重合性（メタ）アクリレート単位を含む。 The above acrylic copolymer contains, as a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit, a polymerizable (meth)acrylate unit having a radically polymerizable carbon-carbon double bond (polymerizable unsaturated double bond) in the side chain.
重合性（メタ）アクリレート単位は、具体的には、上述したヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位におけるヒドロキシ基に、イソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーのイソシアネート基がウレタン結合した分子構造を有する。 Specifically, the polymerizable (meth)acrylate unit has a molecular structure in which the isocyanate group of the isocyanate group-containing (meth)acrylic monomer is urethane-bonded to the hydroxy group in the hydroxy group-containing (meth)acrylate unit described above.
上記のアクリル共重合体が、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位のラジカル重合性炭素－炭素二重結合を含むことによって、上述したピックアップ工程の前に、粘着剤層２２を、活性エネルギー線（紫外線等）の照射によって硬化させることができる。例えば、紫外線等の活性エネルギー線の照射によって、光重合開始剤からラジカルを発生させ、このラジカルの作用によって、アクリル共重合体を互いに架橋反応させることができる。これによって、照射前における粘着剤層２２の粘着力を、照射後に低下させることができる。そして、ダイボンドシート１０を粘着剤層２２から良好に剥離させることができる。
なお、活性エネルギー線としては、紫外線、放射線、電子線が採用される。
Since the acrylic copolymer contains a radically polymerizable carbon-carbon double bond of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit, the pressure-sensitive adhesive layer 22 can be cured by irradiation with active energy rays (ultraviolet rays, etc.) before the above-mentioned pick-up step. For example, irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays can generate radicals from the photopolymerization initiator, and the acrylic copolymer can be crosslinked by the action of these radicals. This can reduce the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 22 before irradiation after irradiation. Then, the die bond sheet 10 can be peeled off well from the pressure-sensitive adhesive layer 22.
The active energy rays include ultraviolet rays, radioactive rays, and electron beams.
重合性（メタ）アクリレート単位は、アクリル共重合体の重合反応の後に、ウレタン化反応によって調製され得る。例えば、アルキル（メタ）アクリレートモノマーと、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリルモノマーとの共重合の後に、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位の一部におけるヒドロキシ基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応させることによって、重合性（メタ）アクリレート単位を得ることができる。 The polymerizable (meth)acrylate units can be prepared by a urethane reaction after the polymerization reaction of the acrylic copolymer. For example, after copolymerization of an alkyl (meth)acrylate monomer with a hydroxyl group-containing (meth)acrylic monomer, the hydroxyl groups in some of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate units and the isocyanate groups of the isocyanate group-containing polymerizable monomer can be subjected to a urethane reaction to obtain the polymerizable (meth)acrylate units.
上記のイソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーは、分子中にイソシアネート基を１つ有し且つ（メタ）アクリロイル基を１つ有することが好ましい。斯かるモノマーとしては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。 The above-mentioned isocyanate group-containing (meth)acrylic monomer preferably has one isocyanate group and one (meth)acryloyl group in the molecule. An example of such a monomer is 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.
本実施形態において、上記のアクリル共重合体は、上述したモノマー単位以外のモノマー単位を含んでもよい。例えば、（メタ）アクリロイルモルフォリン、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、又は、アクリロニトリルなどの各単位を含んでもよい。上記のアクリル共重合体がモノマー単位として（メタ）アクリロイルモルフォリン単位を含み、上記のアクリル共重合体における（メタ）アクリロイルモルフォリン単位の構成比率を変更することによって、上記のアクリル共重合体のガラス転移点又は極性を比較的容易に制御できる。 In this embodiment, the acrylic copolymer may contain monomer units other than the above-mentioned monomer units. For example, it may contain units such as (meth)acryloylmorpholine, N-vinyl-2-pyrrolidone, or acrylonitrile. By changing the composition ratio of the (meth)acryloylmorpholine units in the acrylic copolymer containing the (meth)acryloylmorpholine units as monomer units, the glass transition point or polarity of the acrylic copolymer can be controlled relatively easily.
粘着剤層２２に含まれるアクリル共重合体において、上記の各単位（各構成単位）は、１Ｈ－ＮＭＲ、１３Ｃ－ＮＭＲなどのＮＭＲ分析、熱分解ＧＣ／ＭＳ分析、及び、赤外分光法などによって確認できる。なお、アクリル共重合体における上記単位のモル割合は、通常、アクリル共重合体を重合するときの配合量（仕込量）から算出される。 In the acrylic copolymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the above-mentioned units (each constituent unit) can be confirmed by NMR analysis such as 1 H-NMR and 13 C-NMR, pyrolysis GC/MS analysis, infrared spectroscopy, etc. The molar ratio of the above-mentioned units in the acrylic copolymer is usually calculated from the blending amount (charge amount) when the acrylic copolymer is polymerized.
上記のアクリル共重合体における全モノマー単位（１００モル部）のうち、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位の占める割合が５モル部以上５０モル部以下であり、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位のうちの５０％以上９５％以下（モル換算）が上記のごとくウレタン結合を形成していることが好ましい。換言すると、上記のアクリル共重合体は、全モノマー単位を１００モル部としたときに、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位を５モル部以上５０モル部以下含み、架橋性基含有（メタ）アクリレート単位のうちの５０％以上９５％以下がラジカル重合性炭素－炭素二重結合を有する重合性（メタ）アクリレート単位であることが好ましい。これにより、ダイボンドシート１０と、硬化する前の粘着剤層２２との粘着力を維持できる一方で、ダイボンドシート１０と、硬化した後の粘着剤層２２との剥離性をより良好にできる。 Of the total monomer units (100 mol parts) in the above acrylic copolymer, it is preferable that the proportion of crosslinkable group-containing (meth)acrylate units is 5 mol parts or more and 50 mol parts or less, and 50% to 95% (molar equivalent) of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units form urethane bonds as described above. In other words, when the total monomer units are taken as 100 mol parts, the above acrylic copolymer preferably contains 5 mol parts or more and 50 mol parts or less of crosslinkable group-containing (meth)acrylate units, and 50% to 95% of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units are polymerizable (meth)acrylate units having radical polymerizable carbon-carbon double bonds. This allows the adhesive strength between the die bond sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 before curing to be maintained, while improving the peelability between the die bond sheet 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 after curing.
上記のアクリル共重合体は、全モノマー単位を１００モル部としたときに、重合性（メタ）アクリレート単位を１０モル部以上５０モル部以下含むことが好ましい。これにより、ダイボンドシート１０と、硬化する前の粘着剤層２２との粘着力を維持できる一方で、ダイボンドシート１０と、硬化した後の粘着剤層２２との剥離性をより良好にできる。 The above acrylic copolymer preferably contains 10 to 50 mol parts of polymerizable (meth)acrylate units when the total monomer units are taken as 100 mol parts. This allows the adhesive strength between the die bond sheet 10 and the adhesive layer 22 before curing to be maintained, while improving the peelability between the die bond sheet 10 and the adhesive layer 22 after curing.
本実施形態において、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２がさらに含み得るイソシアネート化合物は、分子中に複数のイソシアネート基を有する。イソシアネート化合物が分子中に複数のイソシアネート基を有することによって、粘着剤層２２におけるアクリル共重合体間の架橋反応を進行させることができる。詳しくは、イソシアネート化合物の一方のイソシアネート基をアクリル共重合体のヒドロキシ基と反応させ、他方のイソシアネート基を別のアクリル共重合体のヒドロキシ基と反応させることで、イソシアネート化合物を介した架橋反応を進行させることができる。
なお、イソシアネート化合物は、ウレタン化反応などを経て合成された化合物であってもよい。
In this embodiment, the isocyanate compound that may be further contained in the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 has a plurality of isocyanate groups in the molecule. The isocyanate compound having a plurality of isocyanate groups in the molecule can promote a crosslinking reaction between the acrylic copolymers in the pressure-sensitive adhesive layer 22. In detail, one isocyanate group of the isocyanate compound is reacted with a hydroxy group of the acrylic copolymer, and the other isocyanate group is reacted with a hydroxy group of another acrylic copolymer, so that the crosslinking reaction via the isocyanate compound can be promoted.
The isocyanate compound may be a compound synthesized via a urethane reaction or the like.
イソシアネート化合物としては、例えば、脂肪族ジイソシアネート、脂環族ジイソシアネート、又は、芳香脂肪族ジイソシアネートなどのジイソシアネートが挙げられる。 Examples of isocyanate compounds include diisocyanates such as aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates, and araliphatic diisocyanates.
さらに、イソシアネート化合物としては、例えば、ジイソシアネートの二量体や三量体等の重合ポリイソシアネート、ポリメチレンポリフェニレンポリイソシアネートが挙げられる。 Further examples of isocyanate compounds include polymerized polyisocyanates such as diisocyanate dimers and trimers, and polymethylene polyphenylene polyisocyanates.
加えて、イソシアネート化合物としては、例えば、上述したイソシアネート化合物の過剰量と、活性水素含有化合物とを反応させたポリイソシアネートが挙げられる。活性水素含有化合物としては、活性水素含有低分子量化合物、活性水素含有高分子量化合物などが挙げられる。
なお、イソシアネート化合物としては、アロファネート化ポリイソシアネート、ビウレット化ポリイソシアネート等も用いることができる。
上記のイソシアネート化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
In addition, the isocyanate compound may be, for example, a polyisocyanate obtained by reacting an excess amount of the above-mentioned isocyanate compound with an active hydrogen-containing compound. Examples of the active hydrogen-containing compound include an active hydrogen-containing low molecular weight compound and an active hydrogen-containing high molecular weight compound.
As the isocyanate compound, allophanated polyisocyanate, biuretized polyisocyanate, etc. can also be used.
The above isocyanate compounds may be used alone or in combination of two or more.
上記のイソシアネート化合物としては、芳香族ジイソシアネートと活性水素含有低分子量化合物との反応物が好ましい。芳香族ジイソシアネートの反応物は、イソシアネート基の反応速度が比較的遅いため、斯かる反応物を含む粘着剤層２２は、過度に硬化してしまうことが抑制される。上記のイソシアネート化合物としては、分子中にイソシアネート基を３つ以上有するものが好ましい。 The above-mentioned isocyanate compound is preferably a reaction product of an aromatic diisocyanate and an active hydrogen-containing low molecular weight compound. The reaction rate of the isocyanate group in the reaction product of an aromatic diisocyanate is relatively slow, so that the pressure-sensitive adhesive layer 22 containing such a reaction product is prevented from being excessively hardened. The above-mentioned isocyanate compound is preferably one having three or more isocyanate groups in the molecule.
本実施形態において、粘着剤層２２に含まれる重合開始剤は、加えられた熱や光のエネルギーによって重合反応を開始できる化合物である。粘着剤層２２が重合開始剤を含むことによって、粘着剤層２２に熱エネルギーや光エネルギーを与えたときに、アクリル共重合体間における架橋反応を進行させることができる。詳しくは、ラジカル重合性炭素－炭素二重結合を含有する重合性（メタ）アクリレート単位を有するアクリル共重合体間において、重合性基同士の重合反応を開始させて、粘着剤層２２を硬化させることができる。これにより、粘着剤層２２の粘着力を低下させ、ピックアップ工程において、硬化した粘着剤層２２からダイボンドシート１０を容易に剥離させることができる。
重合開始剤としては、例えば、光重合開始剤又は熱重合開始剤などが採用される。重合開始剤としては、一般的な市販製品を使用できる。
In this embodiment, the polymerization initiator contained in the adhesive layer 22 is a compound that can initiate a polymerization reaction by the energy of heat or light applied. By containing a polymerization initiator in the adhesive layer 22, when heat energy or light energy is applied to the adhesive layer 22, a crosslinking reaction between acrylic copolymers can be promoted. In detail, a polymerization reaction between polymerizable groups can be initiated between acrylic copolymers having polymerizable (meth)acrylate units containing radically polymerizable carbon-carbon double bonds, and the adhesive layer 22 can be cured. This reduces the adhesive force of the adhesive layer 22, and in the pick-up process, the die bond sheet 10 can be easily peeled off from the cured adhesive layer 22.
As the polymerization initiator, for example, a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator is used. As the polymerization initiator, a general commercially available product can be used.
粘着剤層２２は、上述した成分以外のその他の成分をさらに含み得る。その他の成分としては、例えば、粘着付与剤、可塑剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤、界面活性剤、軽剥離化剤等が挙げられる。その他の成分の種類および使用量は、目的に応じて、適切に選択され得る。 The adhesive layer 22 may further contain other components in addition to the components described above. Examples of the other components include tackifiers, plasticizers, fillers, antioxidants, antioxidants, UV absorbers, light stabilizers, heat stabilizers, antistatic agents, surfactants, and light release agents. The types and amounts of the other components used may be appropriately selected depending on the purpose.
＜ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドシート＞
ダイボンドシート１０は、図１に示すように、上述したダイシングテープ２０の粘着剤層２２に重ねられている。
<Dicing die bond film die bond sheet>
As shown in FIG. 1, the die bond sheet 10 is overlaid on the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 described above.
ダイボンドシート１０の厚さは、特に限定されないが、例えば１μｍ以上２００μｍ以下である。斯かる厚さは、３μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１４０μｍ以下であってもよい。なお、ダイボンドシート１０が積層体である場合、上記の厚さは、積層体の総厚さである。 The thickness of the die bond sheet 10 is not particularly limited, but is, for example, 1 μm or more and 200 μm or less. Such a thickness may be 3 μm or more and 150 μm or less, or 5 μm or more and 140 μm or less. Note that, when the die bond sheet 10 is a laminate, the above thickness is the total thickness of the laminate.
ダイボンドシート１０は、例えば図１に示すように、単層構造を有してもよい。本明細書において、単層とは、同じ組成物で形成された層のみを有することである。同じ組成物で形成された層が複数積層された形態も単層である。
一方、ダイボンドシート１０は、例えば２種以上の異なる組成物でそれぞれ形成された層が積層された多層構造を有してもよい。ダイボンドシート１０が多層構造を有する場合、ダイボンドシート１０を構成する少なくとも１層が、後述する架橋性基含有アクリルポリマーなどを含み、必要に応じて熱硬化性樹脂をさらに含んでいればよい。
The die bond sheet 10 may have a single-layer structure, for example, as shown in Fig. 1. In this specification, a single layer means having only a layer formed of the same composition. A form in which a plurality of layers formed of the same composition are laminated is also a single layer.
On the other hand, the die bond sheet 10 may have a multi-layer structure in which layers formed of, for example, two or more different compositions are laminated. When the die bond sheet 10 has a multi-layer structure, at least one layer constituting the die bond sheet 10 may contain a crosslinkable group-containing acrylic polymer described later and may further contain a thermosetting resin as necessary.
ダイボンドシート１０の０℃における破断伸度は、４．７％よりも小さいことが好ましい。これにより、ダイボンドシートをより良好に割断できる。 It is preferable that the breaking elongation of the die bond sheet 10 at 0°C is less than 4.7%. This allows the die bond sheet to be broken more easily.
上記の破断伸度は、４．０％以下であることが好ましく、３．０％以下であることがより好ましい。これにより、ダイボンドシートをさらに良好に割断できる。即ち、さらに良好な割断性を発揮できる。
なお、上記の破断伸度は、０．５％以上であってもよい。
The breaking elongation is preferably 4.0% or less, and more preferably 3.0% or less. This allows the die bond sheet to be broken more satisfactorily. That is, it allows the die bond sheet to exhibit better breakability.
The breaking elongation may be 0.5% or more.
上記の破断伸度は、例えば、ダイボンドシート１０におけるシリカフィラーの含有比率を低くすることによって、大きくすることができる。一方、ダイボンドシート１０におけるシリカフィラーの含有比率を高くすることによって、上記の破断伸度を小さくすることができる。 The above breaking elongation can be increased, for example, by lowering the silica filler content in the die bond sheet 10. On the other hand, the above breaking elongation can be decreased by increasing the silica filler content in the die bond sheet 10.
上記の破断伸度の測定条件の詳細は、以下の通りである。
ダイボンドシートから切り出された試験片：長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍ
測定装置：動的粘弾性測定装置
（製品名「ＲＳＡ－Ｇ２」（ティー・エイ・インスツルメント社製など）
測定モード：引張モード
初期チャック間距離：２０ｍｍ
引張速度：１ｍｍ/ｓｅｃ
測定温度：０℃（０℃で４分間経過した後に測定）
なお、試験片をチャック治具に固定するときに試験片が割れないように、チャック部において、２つのシリコーン離型処理ＰＥＴライナー（５０μｍ厚さ）を緩衝材として用いた。これらＰＥＴライナーで試験片を挟み込む。
引張測定開始前のチャック間距離をＬ０、破断時のチャック間距離をＬ１としたときに、下記式にて破断伸度を算出する。
破断伸度（％）＝［（Ｌ１－Ｌ０）／Ｌ０］×１００
Details of the conditions for measuring the breaking elongation are as follows.
Test piece cut out from the die bond sheet: length 40 mm, width 10 mm
Measurement equipment: Dynamic viscoelasticity measuring equipment
(Product name: "RSA-G2" (manufactured by TA Instruments, etc.)
Measurement mode: tension mode Initial chuck distance: 20 mm
Tensile speed: 1 mm/sec
Measurement temperature: 0°C (measured after 4 minutes at 0°C)
In order to prevent the test piece from cracking when it is fixed to the chuck jig, two silicone release-treated PET liners (50 μm thick) were used as cushioning materials in the chuck portion. The test piece was sandwiched between these PET liners.
When the chuck distance before the start of the tensile measurement is L0 and the chuck distance at break is L1, the breaking elongation is calculated by the following formula.
Breaking elongation (%) = [(L1 - L0) / L0] x 100
ダイボンドシート１０は、熱硬化処理によって架橋反応を起こす架橋性基を分子中に有する架橋性基含有アクリルポリマーを含む。斯かる架橋性基含有アクリルポリマーは、（メタ）アクリル酸エステルモノマーが少なくとも重合した高分子化合物である。 The die bond sheet 10 contains a crosslinkable group-containing acrylic polymer that has crosslinkable groups in its molecules that undergo a crosslinking reaction by thermal curing treatment. Such a crosslinkable group-containing acrylic polymer is a polymer compound in which at least (meth)acrylic acid ester monomers are polymerized.
上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、通常、側鎖に上記の架橋性基を有する。上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、側鎖の末端に上記の架橋性基を有してもよい。なお、上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、主鎖の両端のうち少なくとも一方に上記の架橋性基を有してもよい。 The crosslinkable group-containing acrylic polymer generally has the crosslinkable group on a side chain. The crosslinkable group-containing acrylic polymer may have the crosslinkable group at the end of the side chain. The crosslinkable group-containing acrylic polymer may have the crosslinkable group on at least one of the ends of the main chain.
上記の架橋性基含有アクリルポリマーが分子中に有する架橋性基は、熱硬化処理によって架橋反応を起こす官能基であれば、特に限定されない。 The crosslinkable groups contained in the molecules of the crosslinkable group-containing acrylic polymer are not particularly limited, so long as they are functional groups that undergo a crosslinking reaction upon thermal curing treatment.
架橋性基としては、例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基などが挙げられる。これらの架橋性基は、エポキシ基又はイソシアネート基と架橋反応を起こすことができる。例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方を分子中に有する上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、エポキシ基又はイソシアネート基を分子中に有する化合物（例えば、後述するエポキシ樹脂など）との間で架橋反応を起こすことができる。 Examples of crosslinkable groups include hydroxyl groups and carboxyl groups. These crosslinkable groups can undergo a crosslinking reaction with epoxy groups or isocyanate groups. For example, the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer, which has at least one of a hydroxyl group or a carboxyl group in the molecule, can undergo a crosslinking reaction with a compound having an epoxy group or an isocyanate group in the molecule (e.g., an epoxy resin, which will be described later).
また、架橋性基としては、例えば、エポキシ基又はイソシアネート基などが挙げられる。これらの架橋性基は、ヒドロキシ基やカルボキシ基と架橋反応を起こすことができる。例えば、エポキシ基又はイソシアネート基の少なくとも一方を分子中に有する上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方を分子中に有する化合物（例えば、後述するフェノール樹脂など）との間で架橋反応を起こすことができる。 Examples of crosslinkable groups include epoxy groups and isocyanate groups. These crosslinkable groups can undergo crosslinking reactions with hydroxyl groups and carboxyl groups. For example, the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer, which has at least one of an epoxy group or an isocyanate group in the molecule, can undergo crosslinking reactions with a compound (such as a phenolic resin, which will be described later) that has at least one of a hydroxyl group or a carboxyl group in the molecule.
本実施形態において、ダイボンドシート１０に含まれる架橋性基含有アクリルポリマーは、ヒドロキシ基又はカルボキシ基の少なくとも一方を架橋性基として含有することが好ましい。これにより、ダイボンドシート１０をより良好に被着体に接着させることができる。 In this embodiment, the crosslinkable group-containing acrylic polymer contained in the die bond sheet 10 preferably contains at least one of a hydroxy group or a carboxy group as a crosslinkable group. This allows the die bond sheet 10 to be more effectively adhered to the adherend.
上記の架橋性基含有アクリルポリマーにおいて、架橋性基含有モノマーの構成単位が占める割合は、０．１質量％以上６０．０質量％以下であってもよく、０．５質量％以上４０．０質量％以下であってもよく、１．０質量％以上３０．０質量％以下であってもよく、３．０質量％以上２０．０質量％以下であってもよい。
なお、構成単位とは、架橋性基含有アクリルポリマーを重合するときのモノマー（例えば２－エチルヘキシルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレートなど）が重合した後の各モノマー由来の構造である。以下同様である。
In the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer, the proportion of the constituent units of the crosslinkable group-containing monomer may be 0.1% by mass or more and 60.0% by mass or less, 0.5% by mass or more and 40.0% by mass or less, 1.0% by mass or more and 30.0% by mass or less, or 3.0% by mass or more and 20.0% by mass or less.
The structural unit is a structure derived from each monomer after polymerization of a monomer (such as 2-ethylhexyl acrylate, hydroxyethyl acrylate, etc.) when polymerizing a crosslinkable group-containing acrylic polymer. The same applies below.
上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、例えばラジカル重合開始剤を用いた一般的な重合方法によって合成できる。 The above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer can be synthesized, for example, by a general polymerization method using a radical polymerization initiator.
上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、分子中の構成単位のうち、アルキル（メタ）アクリレートモノマーの構成単位を質量割合で最も多く含むことが好ましい。当該アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、アルキル基（炭化水素基）の炭素数が１以上１８以下のＣ１～Ｃ１８アルキル（メタ）アクリレートモノマーが挙げられる。アルキル（メタ）アクリレートモノマーは、例えば、アルキル基（炭化水素基）の炭素数が１以上１２以下のＣ１～Ｃ１２アルキル（メタ）アクリレートモノマーであってもよい。 The crosslinkable group-containing acrylic polymer preferably contains the alkyl (meth)acrylate monomer structural unit in the largest mass ratio among the structural units in the molecule. Examples of the alkyl (meth)acrylate monomer include C1-C18 alkyl (meth)acrylate monomers having an alkyl group (hydrocarbon group) with 1 to 18 carbon atoms. The alkyl (meth)acrylate monomer may be, for example, a C1-C12 alkyl (meth)acrylate monomer having an alkyl group (hydrocarbon group) with 1 to 12 carbon atoms.
アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、例えば、飽和直鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマー、飽和分岐鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマーなどが挙げられる。 Examples of alkyl (meth)acrylate monomers include saturated linear alkyl (meth)acrylate monomers and saturated branched alkyl (meth)acrylate monomers.
飽和直鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｎ－ヘプチル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、ｎ－ノニル（メタ）アクリレート、ｎ－デシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、パルミチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。なお、直鎖状アルキル基部分の炭素数は、２以上８以下であることが好ましい。
飽和分岐鎖状アルキル（メタ）アクリレートモノマーとしては、イソヘプチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。なお、アルキル基部分は、ｉｓｏ構造、ｓｅｃ構造、ｎｅｏ構造、又は、ｔｅｒｔ構造のいずれかを有してもよい。
Examples of the saturated linear alkyl (meth)acrylate monomer include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, n-heptyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, n-decyl (meth)acrylate, tridecyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, myristyl (meth)acrylate, palmityl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, etc. The number of carbon atoms in the linear alkyl group portion is preferably 2 or more and 8 or less.
Examples of the saturated branched alkyl (meth)acrylate monomer include isoheptyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, isodecyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, etc. The alkyl group portion may have any of an iso structure, a sec structure, a neo structure, or a tert structure.
上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、アルキル（メタ）アクリレートモノマーと共重合可能な架橋性基含有モノマーに由来する構成単位を含む。
本実施形態において、上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、少なくともアルキル（メタ）アクリレートモノマーと架橋性基含有モノマーとが共重合したアクリルポリマーである。換言すると、上記の架橋性基含有アクリルポリマーは、アルキル（メタ）アクリレートモノマーの構成単位と、架橋性基含有モノマーの構成単位とがランダムな順序でつながった構成を有する。
The above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer contains a constituent unit derived from a crosslinkable group-containing monomer copolymerizable with an alkyl (meth)acrylate monomer.
In this embodiment, the crosslinkable group-containing acrylic polymer is an acrylic polymer in which at least an alkyl (meth)acrylate monomer and a crosslinkable group-containing monomer are copolymerized. In other words, the crosslinkable group-containing acrylic polymer has a structure in which the constituent units of the alkyl (meth)acrylate monomer and the constituent units of the crosslinkable group-containing monomer are linked in a random order.
上記架橋性基含有モノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、酸無水物（メタ）アクリルモノマー、ヒドロキシ基（水酸基）含有（メタ）アクリルモノマー、エポキシ基（グリシジル基）含有（メタ）アクリルモノマー、イソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマー、スルホン酸基含有（メタ）アクリルモノマー、リン酸基含有（メタ）アクリルモノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマー等が挙げられる。なお、上記架橋性基含有モノマーは、分子中にエーテル基又はエステル基などを有してもよい。 Examples of the crosslinkable group-containing monomer include functional group-containing monomers such as carboxy group-containing (meth)acrylic monomers, acid anhydride (meth)acrylic monomers, hydroxy group-containing (meth)acrylic monomers, epoxy group-containing (glycidyl group)-containing (meth)acrylic monomers, isocyanate group-containing (meth)acrylic monomers, sulfonic acid group-containing (meth)acrylic monomers, phosphoric acid group-containing (meth)acrylic monomers, acrylamide, and acrylonitrile. The crosslinkable group-containing monomers may have an ether group or an ester group in the molecule.
上記架橋性基含有アクリルポリマーは、好ましくは、
カルボキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、エポキシ基含有（メタ）アクリルモノマー、及びイソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーからなる群より選択された少なくとも１種の架橋性基含有モノマーと、
アルキル（メタ）アクリレート（特に、アルキル部分の炭素数が８以下のアルキル（メタ）アクリレート）と、の共重合体である。
The crosslinkable group-containing acrylic polymer is preferably
at least one crosslinkable group-containing monomer selected from the group consisting of a carboxy group-containing (meth)acrylic monomer, a hydroxy group-containing (meth)acrylic monomer, an epoxy group-containing (meth)acrylic monomer, and an isocyanate group-containing (meth)acrylic monomer;
It is a copolymer of an alkyl (meth)acrylate (particularly, an alkyl (meth)acrylate having an alkyl portion with 8 or less carbon atoms).
カルボキシ基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、モノ（２－（メタ）アクリロイルオキシエチル）サクシネートモノマーなどが挙げられる。なお、カルボキシ基は、モノマー構造の末端部分に配置されていてもよく、末端部分以外の炭化水素に結合していてもよい。
ヒドロキシ基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートモノマー、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートモノマー、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートモノマーなどが挙げられる。なお、ヒドロキシ基は、モノマー構造の末端部分に配置されていてもよく、末端部分以外の炭化水素に結合していてもよい。
エポキシ基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレートモノマー、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテルなどが挙げられる。なお、エポキシ基は、モノマー構造の末端部分に配置されていてもよく、末端部分以外の炭化水素に結合していてもよい。
イソシアネート基含有（メタ）アクリルモノマーとしては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－（２－メタクリロイルオキシエチルオキシ）エチルイソシアネートなどが挙げられる。
Examples of carboxy group-containing (meth)acrylic monomers include (meth)acrylic acid, mono(2-(meth)acryloyloxyethyl)succinate monomer, etc. The carboxy group may be located at the terminal portion of the monomer structure, or may be bonded to a hydrocarbon other than the terminal portion.
Examples of hydroxy group-containing (meth)acrylic monomers include hydroxyethyl (meth)acrylate monomers, hydroxypropyl (meth)acrylate monomers, hydroxybutyl (meth)acrylate monomers, etc. The hydroxy group may be located at a terminal portion of the monomer structure, or may be bonded to a hydrocarbon other than the terminal portion.
Examples of epoxy group-containing (meth)acrylic monomers include glycidyl (meth)acrylate monomer, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate glycidyl ether, etc. The epoxy group may be located at the terminal portion of the monomer structure, or may be bonded to a hydrocarbon other than the terminal portion.
Examples of the isocyanate group-containing (meth)acrylic monomer include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 1,1-(bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, and 2-(2-methacryloyloxyethyloxy)ethyl isocyanate.
ダイボンドシート１０は、上記の架橋性基含有アクリルポリマー以外の成分を含んでもよい。例えば、ダイボンドシート１０は、熱硬化性樹脂、又は、上記の架橋性基含有アクリルポリマー以外の熱可塑性樹脂の少なくとも一方をさらに含んでもよい。 The die bond sheet 10 may contain components other than the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer. For example, the die bond sheet 10 may further contain at least one of a thermosetting resin or a thermoplastic resin other than the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer.
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。 Examples of thermosetting resins include epoxy resins, phenolic resins, amino resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, silicone resins, and thermosetting polyimide resins. Only one type of the above thermosetting resins may be used, or two or more types may be used.
上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、又は、グリシジルアミン型の各エポキシ樹脂が挙げられる。 Examples of the epoxy resins include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolac type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins.
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得る。フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。
ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。
フェノール樹脂の水酸基当量［ｇ／ｅｑ］は、例えば、９０以上２２０以下であってもよい。
上記フェノール樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。
Phenol resins can act as curing agents for epoxy resins. Examples of phenol resins include novolac-type phenol resins, resol-type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene.
Examples of novolac-type phenolic resins include phenol novolac resins, phenol aralkyl resins, cresol novolac resins, tert-butylphenol novolac resins, and nonylphenol novolac resins.
The hydroxyl equivalent [g/eq] of the phenol resin may be, for example, 90 or more and 220 or less.
As the phenolic resin, one kind or two or more kinds may be adopted.
本実施形態において、ダイボンドシート１０は、互いに架橋反応する、上記の架橋性基含有アクリルポリマーと熱硬化性樹脂とを含んでもよい。 In this embodiment, the die bond sheet 10 may contain the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer and thermosetting resin, which undergo a crosslinking reaction with each other.
例えば、ダイボンドシート１０は、エポキシ基含有アクリルポリマーを架橋性基含有アクリルポリマーとして含み、且つ、フェノール樹脂を熱硬化性樹脂として含んでもよい。これにより、架橋性基含有アクリルポリマーのエポキシ基と、フェノール樹脂のヒドロキシ基とが架橋反応してダイボンドシート１０を十分に硬化させることができる。 For example, the die bond sheet 10 may contain an epoxy group-containing acrylic polymer as the crosslinkable group-containing acrylic polymer, and a phenol resin as the thermosetting resin. This allows the epoxy groups of the crosslinkable group-containing acrylic polymer and the hydroxyl groups of the phenol resin to undergo a crosslinking reaction, thereby sufficiently curing the die bond sheet 10.
ダイボンドシート１０に含まれ得る、上記の架橋性基含有アクリルポリマー以外の熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ポリアミド樹脂や６，６－ポリアミド樹脂等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、架橋性官能基を分子中に含まないアクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。
Examples of thermoplastic resins other than the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer that may be included in the die bond sheet 10 include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-polyamide resin and 6,6-polyamide resin, phenoxy resin, acrylic resin that does not contain a crosslinkable functional group in the molecule, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin, and the like.
As the thermoplastic resin, one kind or two or more kinds may be adopted.
ダイボンドシート１０において、上記の架橋性基含有アクリルポリマーの含有率は、好ましくは８質量％以上１００質量％以下であり、より好ましくは３０質量％以上であり、さらに好ましくは４０質量％以上である。 In the die bond sheet 10, the content of the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer is preferably 8% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 30% by mass or more, and even more preferably 40% by mass or more.
ダイボンドシート１０において、フィラーを除く有機成分（例えば、上記の架橋性基含有アクリルポリマー、熱硬化性樹脂、硬化触媒等、シランカップリング剤、染料）の１００質量部に対して、上記の架橋性基含有アクリルポリマーの含有割合は、好ましくは１５質量部以上１００質量部以下であり、より好ましくは４０質量部以上９５質量部以下であり、さらに好ましくは６０質量部以上である。なお、ダイボンドシート１０における熱硬化性樹脂の含有率を変化させることによって、ダイボンドシート１０の弾性や粘性を調整することができる。
一方、上記有機成分の１００質量部に対して、熱硬化性樹脂の含有割合は、４０質量部以下であってもよい。
In the die bond sheet 10, the content ratio of the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer relative to 100 parts by mass of organic components other than the filler (for example, the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer, thermosetting resin, curing catalyst, silane coupling agent, dye) is preferably 15 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 40 parts by mass or more and 95 parts by mass or less, and even more preferably 60 parts by mass or more. Note that the elasticity and viscosity of the die bond sheet 10 can be adjusted by changing the content ratio of the thermosetting resin in the die bond sheet 10.
On the other hand, the content of the thermosetting resin may be 40 parts by mass or less per 100 parts by mass of the organic component.
ダイボンドシート１０は、フィラーを含有してもよく、含有しなくてもよい。ダイボンドシート１０におけるフィラーの量を変えることにより、ダイボンドシート１０の弾性及び粘性をより容易に調整することができる。さらに、ダイボンドシート１０の導電性、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。 The die bond sheet 10 may or may not contain a filler. By changing the amount of filler in the die bond sheet 10, the elasticity and viscosity of the die bond sheet 10 can be more easily adjusted. Furthermore, the physical properties of the die bond sheet 10, such as electrical conductivity, thermal conductivity, and elastic modulus, can be adjusted.
フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられる。フィラーとしては、無機フィラーが好ましい。
無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカや非晶質シリカといったシリカなどを含むフィラーが挙げられる。また、無機フィラーの材質としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金などが挙げられる。ホウ酸アルミニウムウィスカ、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等のフィラーであってもよい。フィラーの形状は、球状、針状、フレーク状等の各種形状であってもよい。フィラーとしては、上記の１種のみ、又は、２種以上が採用される。
The filler may be an inorganic filler or an organic filler, and the inorganic filler is preferred.
Examples of inorganic fillers include fillers containing aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, silica such as crystalline silica and amorphous silica, etc. Examples of the material of the inorganic filler include simple metals such as aluminum, gold, silver, copper, nickel, etc., and alloys, etc. Fillers such as aluminum borate whiskers, amorphous carbon black, graphite, etc. The shape of the filler may be various shapes such as spherical, needle-like, flake-like, etc. As the filler, only one of the above types or two or more types are used.
ダイボンドシート１０がフィラーを含む場合、上記フィラーの含有率は、ダイボンドシート１０の総質量の５０質量％以下であってもよく、４０質量％以下であってもよく、３０質量％以下であってもよい。なお、上記フィラーの含有率は、例えば５質量％以上であってもよい。 When the die bond sheet 10 contains a filler, the filler content may be 50% by mass or less, 40% by mass or less, or 30% by mass or less of the total mass of the die bond sheet 10. The filler content may be, for example, 5% by mass or more.
ダイボンドシート１０は、必要に応じて他の成分を含んでもよい。上記他の成分としては、例えば、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。
シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。
イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
上記他の添加剤としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。
The die bond sheet 10 may contain other components as necessary. Examples of the other components include a curing catalyst, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trapping agent, and a dye.
Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resins.
Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane.
Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, and benzotriazole.
As the other additives, one kind may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.
ダイボンドシート１０は、弾性及び粘性を調整しやすいという点で、好ましくは、上記の架橋性基含有アクリルポリマー、熱硬化性樹脂、及びフィラーを含む。 The die bond sheet 10 preferably contains the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer, thermosetting resin, and filler, because the elasticity and viscosity can be easily adjusted.
本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１は、使用される前の状態において、ダイボンドシート１０の一方の面（ダイボンドシート１０が粘着剤層２２と重なっていない面）を覆うはく離ライナーを備えてもよい。はく離ライナーは、ダイボンドシート１０を保護するために用いられ、ダイボンドシート１０に被着体（例えば半導体ウエハ）を貼り付ける直前に剥離される。
はく離ライナーとしては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン等の剥離剤によって表面処理された、プラスチックフィルム又は紙等を用いることができる。
はく離ライナーは、ダイボンドシート１０を支持するための支持材として利用できる。はく離ライナーは、粘着剤層２２にダイボンドシート１０を重ねるときに、好適に使用される。詳しくは、はく離ライナーとダイボンドシート１０とが積層された状態でダイボンドシート１０を粘着剤層２２に重ね、重ねた後にはく離ライナーを剥がす（転写する）ことによって、粘着剤層２２にダイボンドシート１０を重ねることができる。
The dicing die bond film 1 of this embodiment may be provided with a release liner that covers one side of the die bond sheet 10 (the side where the die bond sheet 10 does not overlap the pressure-sensitive adhesive layer 22) before use. The release liner is used to protect the die bond sheet 10, and is peeled off immediately before attaching an adherend (e.g., a semiconductor wafer) to the die bond sheet 10.
As the release liner, for example, a plastic film or paper that has been surface-treated with a release agent such as a silicone-based, long-chain alkyl-based, fluorine-based, or molybdenum sulfide-based release agent can be used.
The release liner can be used as a support material for supporting the die bond sheet 10. The release liner is suitably used when the die bond sheet 10 is overlaid on the pressure-sensitive adhesive layer 22. In detail, the die bond sheet 10 is overlaid on the pressure-sensitive adhesive layer 22 in a state in which the release liner and the die bond sheet 10 are laminated, and after overlaying, the release liner is peeled off (transferred), thereby overlaying the die bond sheet 10 on the pressure-sensitive adhesive layer 22.
続いて、本実施形態のダイボンドシート１０、及び、ダイシングダイボンドフィルム１の製造方法について説明する。 Next, we will explain the manufacturing method of the die bond sheet 10 and the dicing die bond film 1 of this embodiment.
＜ダイシングダイボンドフィルムの製造方法＞
本実施形態のダイシングダイボンドフィルム１の製造方法は、
ダイボンドシート１０を作製する工程と、
ダイシングテープ２０を作製する工程と、
製造されたダイボンドシート１０とダイシングテープ２０とを重ね合わせる工程とを備える。
<Dicing die bond film manufacturing method>
The manufacturing method of the dicing die bond film 1 of this embodiment is as follows:
A step of producing a die bond sheet 10;
A step of preparing a dicing tape 20;
The method includes a step of overlapping the manufactured die bond sheet 10 and the dicing tape 20.
＜ダイボンドシートを作製する工程＞
ダイボンドシート１０を作製する工程は、
ダイボンドシート１０を形成するための樹脂組成物を調製する樹脂組成物調製工程と、
樹脂組成物からダイボンドシート１０を形成するダイボンドシート形成工程と、を有する。
<Step of Producing Die Bond Sheet>
The process of producing the die bond sheet 10 includes the following steps:
A resin composition preparation step of preparing a resin composition for forming the die bond sheet 10;
and a die-bonding sheet forming step of forming the die-bonding sheet 10 from the resin composition.
樹脂組成物調製工程では、例えば、上記の架橋性基含有アクリルポリマーと、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化触媒、又は、溶媒のいずれかとを混合して、各樹脂を溶媒に溶解させることによって、樹脂組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。なお、これらの樹脂としては、市販されている製品を用いることができる。 In the resin composition preparation step, for example, the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer is mixed with either an epoxy resin, a phenolic resin, a curing catalyst, or a solvent, and each resin is dissolved in the solvent to prepare the resin composition. The viscosity of the composition can be adjusted by changing the amount of the solvent. Commercially available products can be used as these resins.
ダイボンドシート形成工程では、例えば、上記のごとく調製した樹脂組成物を、はく離ライナーに塗布する。塗布方法としては、特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。次に、必要に応じて、脱溶媒処理や硬化処理等によって、塗布した組成物を固化させて、ダイボンドシート１０を形成する。 In the die bond sheet forming process, for example, the resin composition prepared as described above is applied to a release liner. The application method is not particularly limited, and general application methods such as roll coating, screen coating, and gravure coating are used. Next, if necessary, the applied composition is solidified by a desolvation process, a curing process, or the like to form the die bond sheet 10.
＜ダイシングテープを作製する工程＞
ダイシングテープを作製する工程は、
アクリル共重合体を合成する合成工程と、
上述したアクリル共重合体と、イソシアネート化合物と、重合開始剤と、溶媒と、目的に応じて適宜追加するその他の成分と、を含む粘着剤組成物から溶媒を揮発させて粘着剤層２２を作製する粘着剤層作製工程と、
基材層２１を作製する基材層作製工程と、
粘着剤層２２と基材層２１とを貼り合わせることによって、基材層２１と粘着剤層２２とを積層させる積層工程と、を備える。
<Process for producing dicing tape>
The process for producing the dicing tape includes the following steps:
A synthesis step of synthesizing an acrylic copolymer;
A pressure-sensitive adhesive layer preparation step of preparing a pressure-sensitive adhesive layer 22 by volatilizing a solvent from a pressure-sensitive adhesive composition containing the above-mentioned acrylic copolymer, an isocyanate compound, a polymerization initiator, a solvent, and other components appropriately added depending on the purpose;
a base material layer preparation step of preparing a base material layer 21;
The method further includes a lamination step of laminating the adhesive layer 22 and the base layer 21 together to laminate the base layer 21 and the adhesive layer 22 together.
合成工程では、例えば、アルキル部分の炭素数が８以上１２以下のＣ８～Ｃ１２アルキル（メタ）アクリレートモノマーと、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリルモノマーと、をラジカル重合させることによって、アクリル共重合体中間体を合成する。
ラジカル重合は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、上記の各モノマーを溶媒に溶解させて加熱しながら撹拌し、重合開始剤を添加することによって、アクリル共重合体中間体を合成できる。アクリル共重合体の分子量を調整するために、連鎖移動剤の存在下において重合を行ってもよい。
次に、アクリル共重合体中間体に含まれる、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位の一部のヒドロキシ基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応によって結合させる。これにより、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート単位の一部が、ラジカル重合性炭素－炭素二重結合を含有する重合性（メタ）アクリレート単位となる。
ウレタン化反応は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、溶媒及びウレタン化触媒の存在下において、加熱しながらアクリル共重合体中間体とイソシアネート基含有重合性モノマーとを撹拌する。これにより、アクリル共重合体中間体のヒドロキシ基の一部に、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基をウレタン結合させることができる。
In the synthesis step, for example, a C8 to C12 alkyl (meth)acrylate monomer having an alkyl portion with 8 to 12 carbon atoms and a hydroxyl group-containing (meth)acrylic monomer are radically polymerized to synthesize an acrylic copolymer intermediate.
The radical polymerization can be carried out by a general method. For example, the above-mentioned monomers are dissolved in a solvent, stirred while heating, and a polymerization initiator is added to synthesize an acrylic copolymer intermediate. In order to adjust the molecular weight of the acrylic copolymer, the polymerization may be carried out in the presence of a chain transfer agent.
Next, some of the hydroxyl groups in the hydroxyl group-containing (meth)acrylate units contained in the acrylic copolymer intermediate are bonded to the isocyanate groups of the isocyanate group-containing polymerizable monomer by a urethane reaction, whereby some of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate units become polymerizable (meth)acrylate units containing a radical polymerizable carbon-carbon double bond.
The urethane reaction can be carried out by a general method. For example, the acrylic copolymer intermediate and the isocyanate group-containing polymerizable monomer are stirred while being heated in the presence of a solvent and a urethane catalyst. This allows the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer to be urethane-bonded to a part of the hydroxyl group of the acrylic copolymer intermediate.
粘着剤層作製工程では、例えば、アクリル共重合体と、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを溶媒に溶解させて、粘着剤組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。次に、粘着剤組成物をはく離ライナーに塗布する。塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。塗布した組成物に、脱溶媒処理や固化処理等を施すことによって、塗布した粘着剤組成物を固化させて、粘着剤層２２を作製する。 In the adhesive layer preparation process, for example, an acrylic copolymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator are dissolved in a solvent to prepare an adhesive composition. The viscosity of the composition can be adjusted by changing the amount of solvent. Next, the adhesive composition is applied to a release liner. As the application method, for example, a general application method such as roll coating, screen coating, or gravure coating is used. The applied composition is subjected to a solvent removal process, a solidification process, or the like to solidify the applied adhesive composition, thereby preparing the adhesive layer 22.
基材層作製工程では、一般的な方法によって製膜して基材層を作製できる。製膜する方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、ドライラミネート法等が挙げられる。共押出し成形法を採用してもよい。なお、基材層２１として、市販されているフィルム等を用いてもよい。 In the substrate layer preparation process, the substrate layer can be prepared by film formation using a general method. Examples of the film formation method include a calendar film formation method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, and a dry lamination method. A co-extrusion molding method may also be used. Note that a commercially available film or the like may be used as the substrate layer 21.
積層工程では、はく離ライナーに重なった状態の粘着剤層２２と基材層２１とを重ねて積層させる。なお、はく離ライナーは、使用前まで粘着剤層２２に重なった状態であってもよい。
なお、架橋剤とアクリル共重合体との反応を促進するため、また、架橋剤と基材層２１の表面部分との反応を促進するために、積層工程の後に、５０℃環境下で、４８時間のエージング処理工程を実施してもよい。
In the lamination step, the pressure-sensitive adhesive layer 22 overlapping the release liner is laminated on the base layer 21. The release liner may remain overlapping the pressure-sensitive adhesive layer 22 until use.
In addition, in order to promote the reaction between the crosslinking agent and the acrylic copolymer and also between the crosslinking agent and the surface portion of the base material layer 21, an aging treatment step may be carried out for 48 hours in an environment of 50°C after the lamination step.
これら工程によって、ダイシングテープ２０を製造することができる。 Through these steps, the dicing tape 20 can be manufactured.
＜ダイボンドシートとダイシングテープとを重ね合わせる工程＞
ダイボンドシート１０とダイシングテープ２０とを重ね合わせる工程では、上記のごとく製造したダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイボンドシート１０を貼り付ける。
<Step of overlapping the die bond sheet and the dicing tape>
In the step of overlapping the die bond sheet 10 and the dicing tape 20, the die bond sheet 10 is attached to the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 manufactured as described above.
斯かる貼付では、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２、及び、ダイボンドシート１０からそれぞれはく離ライナーを剥離し、ダイボンドシート１０と粘着剤層２２とが直接接触するように、両者を貼り合わせる。例えば、圧着することによって貼り合わせることができる。貼り合わせるときの温度は、特に限定されず、例えば、３０℃以上５０℃以下であり、好ましくは３５℃以上４５℃以下である。貼り合わせるときの線圧は、特に限定されないが、好ましくは０．１ｋｇｆ／ｃｍ以上２０ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、より好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ以上１０ｋｇｆ／ｃｍ以下である。 In this attachment, the release liners are peeled off from the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and the die bond sheet 10, and the two are attached together so that the die bond sheet 10 and the adhesive layer 22 are in direct contact with each other. For example, they can be attached by pressure bonding. The temperature during attachment is not particularly limited, and is, for example, 30°C to 50°C, and preferably 35°C to 45°C. The linear pressure during attachment is not particularly limited, and is preferably 0.1 kgf/cm to 20 kgf/cm, and more preferably 1 kgf/cm to 10 kgf/cm.
上述した工程を経て上記のごとく製造されたダイシングダイボンドフィルム１は、例えば、半導体装置（半導体集積回路）を製造するための補助用具として使用される。 The dicing die bond film 1 manufactured as described above through the above-mentioned process is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing semiconductor devices (semiconductor integrated circuits).
上述したダイシングダイボンドフィルム１を使用する半導体装置の製造方法は、
基材層及び該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープに重なったダイボンドシートと、を備えるダイシングダイボンドフィルムを使用して、半導体チップを有する半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であり、
前記ダイシングテープの前記粘着剤層と半導体ウエハとの間に前記ダイボンドシートを配置することによって、前記ダイボンドシートを介して前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに固定するマウント工程と、
前記ダイシングテープを引き伸ばすことによって、前記ダイボンドシートと共に前記半導体ウエハを割断し、前記半導体ウエハが小片化された前記半導体チップを得るエキスパンド工程と、を備える。
The manufacturing method of a semiconductor device using the above-mentioned dicing die bond film 1 is as follows:
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlapping the base layer; and a die bond sheet overlapping the dicing tape, the method comprising: manufacturing a semiconductor device having a semiconductor chip by using a dicing die bond film,
The dicing tape has a tensile storage modulus of 0.10 MPa or more at 120° C. and a tensile storage modulus of 280 MPa or more and 500 MPa or less at −15° C.;
a mounting step of fixing the semiconductor wafer to the dicing tape via the die bond sheet by disposing the die bond sheet between the adhesive layer of the dicing tape and the semiconductor wafer;
and an expanding step of splitting the semiconductor wafer together with the die bond sheet by stretching the dicing tape to obtain the semiconductor chips obtained by dicing the semiconductor wafer.
以下、半導体装置の製造方法（ダイシングダイボンドフィルムの使用方法）について、さらに詳しく説明する。 The manufacturing method for semiconductor devices (how to use dicing die bond film) is explained in more detail below.
＜半導体装置の製造方法（半導体装置を製造するときのダイシングダイボンドフィルムの使用方法）＞
半導体装置の製造方法では、一般的に、回路面が形成された半導体ウエハから半導体チップを切り出して組立てを行う。このとき、本実施形態のダイシングダイボンドフィルムが製造補助用具として使用される。
<Method of manufacturing a semiconductor device (method of using a dicing die bond film when manufacturing a semiconductor device)>
In a manufacturing method of a semiconductor device, generally, semiconductor chips are cut out from a semiconductor wafer having a circuit surface formed thereon and assembled. At this time, the dicing die bond film of the present embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.
本実施形態の半導体装置の製造方法は、
基材層及び該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープに重なったダイボンドシートと、を備えるダイシングダイボンドフィルムを使用して、半導体チップを有する半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法である。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、上述したダイシングダイボンドフィルム１のダイボンドシート１０に半導体ウエハの片面を貼り付けて、ダイボンドシート１０を介して半導体ウエハをダイシングテープ２０に固定するマウント工程と、
ダイシングテープ２０を引き伸ばすことによって、半導体ウエハの脆弱部位を境界にしてダイボンドシート１０と共に半導体ウエハを割断するエキスパンド工程と、を備える。
さらに、本実施形態の半導体装置の製造方法は、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２に貼り付けられた小片化されたダイボンドシート１０を、半導体チップとともに粘着剤層２２から剥離するピックアップ工程を備える。
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes the steps of:
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a dicing die bond film including a dicing tape having a base layer and an adhesive layer overlaid on the base layer; and a die bond sheet overlaid on the dicing tape, the method comprising: manufacturing a semiconductor device having a semiconductor chip using the dicing die bond film.
The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment includes a mounting process in which one side of a semiconductor wafer is attached to the die bond sheet 10 of the above-mentioned dicing die bond film 1, and the semiconductor wafer is fixed to the dicing tape 20 via the die bond sheet 10;
and an expanding step of stretching the dicing tape 20 to fracture the semiconductor wafer together with the die bond sheet 10 at the boundary of the weak portion of the semiconductor wafer.
Furthermore, the manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment includes a pick-up process of peeling the small pieces of die bond sheet 10 attached to the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 from the adhesive layer 22 together with the semiconductor chip.
詳しくは、本実施形態の半導体装置の製造方法は、例えば、バックグラインドテープを貼り付けた半導体ウエハの内部にレーザー光によって脆弱部分を形成し、半導体ウエハを割断処理によって半導体チップ（ダイ）へ加工する準備を行うステルスダイシング工程と、バックグラインドテープが貼り付けられた半導体ウエハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、厚さが薄くなった半導体ウエハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンドシート１０に貼り付けて、ダイボンドシート１０を介して半導体ウエハをダイシングテープ２０に固定する上記のマウント工程と、ダイシングテープ２０を引き延ばすことによって半導体ウエハを割断して半導体チップを作製し、隣り合う半導体チップの間隔を広げる上記のエキスパンド工程と、ダイボンドシート１０と粘着剤層２２との間を剥離してダイボンドシート１０が貼り付いた状態で半導体チップ（ダイ）を取り出す上記のピックアップ工程とを有する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、さらに、半導体チップに貼り付いたダイボンドシート１０を被着体に接着させるダイボンド工程と、被着体に接着したダイボンドシート１０を硬化させるキュアリング工程と、半導体チップにおける電子回路の電極と被着体とをワイヤによって電気的に接続するワイヤボンディング工程と、被着体上の半導体チップ及びワイヤを熱硬化性樹脂によって封止する封止工程と、を有する。
In detail, the manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment includes, for example, a stealth dicing process in which a weak portion is formed by laser light inside a semiconductor wafer to which a backgrind tape has been attached, and the semiconductor wafer is prepared for processing into a semiconductor chip (die) by a fracturing process; a backgrinding process in which the semiconductor wafer to which the backgrind tape has been attached is ground to reduce its thickness; the mounting process in which one side (e.g., the side opposite to the circuit side) of the semiconductor wafer whose thickness has been reduced is attached to a die bond sheet 10, and the semiconductor wafer is fixed to the dicing tape 20 via the die bond sheet 10; the expanding process in which the dicing tape 20 is stretched to fractur e the semiconductor wafer to produce semiconductor chips and to widen the gap between adjacent semiconductor chips; and the pick-up process in which the die bond sheet 10 is peeled off from the adhesive layer 22, and the semiconductor chip (die) is taken out with the die bond sheet 10 attached.
The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment further includes a die bonding process in which the die bond sheet 10 attached to the semiconductor chip is adhered to an adherend, a curing process in which the die bond sheet 10 adhered to the adherend is hardened, a wire bonding process in which the electrodes of the electronic circuit in the semiconductor chip are electrically connected to the adherend by wires, and a sealing process in which the semiconductor chip and wires on the adherend are sealed with a thermosetting resin.
ステルスダイシング工程は、いわゆるＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセスにおける工程である。ステルスダイシング工程では、図３Ａ～図３Ｃに示すように、回路面が形成されたパターンウエハを半導体チップに割断するための脆弱部分を半導体ウエハＷの内部に形成する。具体的には、まず、半導体ウエハＷの回路面にバックグラインドテープＧを貼り付ける（図３Ａ参照）。次に、バックグラインドテープＧを貼り付けた状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さになるまで研削パッドＫによる研削加工（プレバックグラインド加工）を施す（図３Ｂ参照）。そして、厚さが薄くなった半導体ウエハＷにレーザー光を当てることによって半導体ウエハＷの内部に脆弱部分を形成する（図３Ｃ参照）。 The stealth dicing process is a process in the so-called SDBG (Stealth Dicing Before Grinding) process. In the stealth dicing process, as shown in Figures 3A to 3C, a weak part is formed inside the semiconductor wafer W to split a pattern wafer with a circuit surface into semiconductor chips. Specifically, first, a backgrind tape G is attached to the circuit surface of the semiconductor wafer W (see Figure 3A). Next, with the backgrind tape G attached, the semiconductor wafer W is subjected to a grinding process (pre-backgrinding process) using a grinding pad K until it reaches a predetermined thickness (see Figure 3B). Then, a laser beam is applied to the thinned semiconductor wafer W to form a weak part inside the semiconductor wafer W (see Figure 3C).
ステルスダイシング工程に代わり、ハーフカット工程を実施してもよい。ハーフカット工程は、いわゆるＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセスにおける工程である。
ハーフカット工程では、半導体ウエハを割断処理によって半導体チップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウエハに溝を形成してから半導体ウエハを研削して厚さを薄くする。
具体的には、ハーフカット工程では、回路面が形成された半導体ウエハを半導体チップ（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。より具体的には、半導体ウエハの回路面とは反対側の面に、ウエハ加工用テープを貼り付ける。半導体ウエハにウエハ加工用テープを貼り付けた状態で、半導体ウエハに分割用の溝を形成する。溝を形成した面にバックグラインドテープを貼り付ける一方で、始めに貼り付けたウエハ加工用テープを剥離する。
Instead of the stealth dicing process, a half-cut process may be performed. The half-cut process is a process in a so-called DBG (Dicing Before Grinding) process.
In the half-cut process, a groove is formed in the semiconductor wafer in order to process the semiconductor wafer into semiconductor chips (dies) by a fracturing process, and then the semiconductor wafer is ground to reduce its thickness.
Specifically, in the half-cut process, a half-cut process is performed to split a semiconductor wafer with a circuit surface into semiconductor chips (dies). More specifically, a wafer processing tape is attached to the surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit surface. With the wafer processing tape attached to the semiconductor wafer, a groove for dividing is formed in the semiconductor wafer. A backgrind tape is attached to the surface with the groove formed, while the wafer processing tape that was initially attached is peeled off.
本実施形態のダイシングダイボンドフィルムは、上記のごとく半導体ウエハを割断して半導体チップを製造するためのＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセス又はＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセスで使用されることが好ましい。 The dicing die bond film of this embodiment is preferably used in the SDBG (Stealth Dicing Before Grinding) process or DBG (Dicing Before Grinding) process for manufacturing semiconductor chips by cleaving a semiconductor wafer as described above.
バックグラインド工程では、図３Ｄに示すように、バックグラインドテープＧを貼り付けた状態の半導体ウエハＷに対してさらに研削加工を施し、後の割断処理によって作製される半導体チップ（ダイ）の厚さになるまで半導体ウエハＷの厚さを薄くする。例えば、上記ハーフカット加工された半導体ウエハＷが個別化しないように所定の厚さになるまで研削加工を施す。このように研削加工を施すと、後のエキスパンド工程（特に低温エキスパンド工程）によって、半導体ウエハＷを半導体チップへと割断すると同時にダイボンドシート１０も割断することとなる。 In the backgrinding process, as shown in FIG. 3D, the semiconductor wafer W with the backgrind tape G attached thereto is further ground to reduce the thickness of the semiconductor wafer W to the thickness of the semiconductor chip (die) that will be produced by the subsequent cleaving process. For example, the half-cut semiconductor wafer W is ground until it has a predetermined thickness so that it is not individualized. By performing the grinding process in this manner, the semiconductor wafer W is cleaved into semiconductor chips and the die bond sheet 10 is also cleaved at the same time in the subsequent expanding process (particularly the low-temperature expanding process).
マウント工程では、図４Ａ～図４Ｂに示すように、半導体ウエハＷをダイシングテープ２０に固定する。詳しくは、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けつつ、露出したダイボンドシート１０の面に、上記のごとき切削加工によって厚さが薄くなった半導体ウエハＷを貼り付ける（図４Ａ参照）。続いて、半導体ウエハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図４Ｂ参照）。 In the mounting process, as shown in Figures 4A and 4B, the semiconductor wafer W is fixed to the dicing tape 20. More specifically, a dicing ring R is attached to the adhesive layer 22 of the dicing tape 20, and the semiconductor wafer W, whose thickness has been reduced by the above-mentioned cutting process, is attached to the exposed surface of the die bond sheet 10 (see Figure 4A). Next, the backgrind tape G is peeled off from the semiconductor wafer W (see Figure 4B).
エキスパンド工程では、図５Ａ～図５Ｃに示すように、半導体ウエハＷを割断することで、半導体ウエハＷを小片化して、小片化された半導体チップＸを作製し、作製された半導体チップＸ同士の間隔を広げる。詳しくは、ダイシングテープ２０の粘着剤層２２にダイシングリングＲを取り付けた後、エキスパンド装置の保持具Ｈに固定する（図５Ａ参照）。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを、ダイシングダイボンドフィルム１の下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム１を面方向に広げるように引き延ばす（図５Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において半導体ウエハＷを割断する。上記温度条件は、例えば－２０～０℃であり、好ましくは－１５～０℃、より好ましくは－１０～－５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図５Ｃ参照 ここまで低温エキスパンド工程）。
さらに、エキスパンド工程では、図６Ａ～図６Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば１０℃～２５℃）において、面積を広げるようにダイシングテープ２０を引き延ばす。これにより、割断後に隣り合う半導体チップＸをフィルム面の面方向に引き離して、さらにカーフ（隣り合う半導体チップ間の離間距離）を広げる（常温エキスパンド工程）。
In the expanding step, as shown in Figures 5A to 5C, the semiconductor wafer W is cleaved to divide the semiconductor wafer W into small pieces, the diced semiconductor chips X are produced, and the intervals between the produced semiconductor chips X are widened. In detail, after the dicing ring R is attached to the adhesive layer 22 of the dicing tape 20, it is fixed to the holder H of the expanding device (see Figure 5A). The dicing die bond film 1 is stretched so as to expand in the surface direction by pushing up the push-up member U provided in the expanding device from the lower side of the dicing die bond film 1 (see Figure 5B). As a result, the semiconductor wafer W is cleaved under a specific temperature condition. The above temperature condition is, for example, -20 to 0 ° C, preferably -15 to 0 ° C, more preferably -10 to -5 ° C. The expanded state is released by lowering the push-up member U (see Figure 5C, low-temperature expanding step up to this point).
6A and 6B, the dicing tape 20 is stretched so as to expand its area under higher temperature conditions (e.g., 10° C. to 25° C.). This causes adjacent semiconductor chips X to be separated in the planar direction of the film surface after cleavage, and further widens the kerf (the distance between adjacent semiconductor chips) (room temperature expansion process).
本実施形態において、エキスパンド工程によってダイシングテープ２０は面方向に引き伸ばされた状態となる。このとき、小片化された多数の半導体チップ群の周囲でダイシングテープ２０が加熱処理されなければ、多数の半導体チップと重なり合った部分（中央部分）のダイシングテープ２０が元の形状へ戻るように縮む。このようにダイシングテープ２０が縮むことを抑えるべく、小片化された多数の半導体チップ群の周囲でダイシングテープ２０を１２０℃程度の温度で加熱処理する。換言すると、多数の半導体チップと重なり合っていない部分であって多数の半導体チップ群の外周に沿った部分のダイシングテープ２０を１２０℃程度の温度で加熱処理する。加熱処理は、例えば図７に示すように、小片化された多数の半導体チップ群の外周に沿って周方向に移動できるヒーターＳ等を用いて実施される。従って、ダイシングテープ２０において加熱処理される部分のなかで温度がより高い部分と、より低い部分とが同時に存在し得る。図７に示すように、例えば、ダイシングテープ２０において加熱処理される部分であって、半導体チップ群の外周を囲む帯状部分では、長手方向の一方の部分で温度がより高く、他方の部分で温度がより低い状況になり得る。 In this embodiment, the dicing tape 20 is stretched in the planar direction by the expanding process. At this time, if the dicing tape 20 is not heat-treated around the group of many small semiconductor chips, the dicing tape 20 at the portion overlapping the group of many semiconductor chips (the central portion) will shrink so as to return to its original shape. In order to prevent the dicing tape 20 from shrinking in this way, the dicing tape 20 is heat-treated at a temperature of about 120°C around the group of many small semiconductor chips. In other words, the dicing tape 20 at the portion that does not overlap the group of many semiconductor chips and that is along the outer periphery of the group of many semiconductor chips is heat-treated at a temperature of about 120°C. The heat treatment is performed using a heater S or the like that can move in the circumferential direction along the outer periphery of the group of many small semiconductor chips, as shown in FIG. 7, for example. Therefore, in the portion of the dicing tape 20 that is heat-treated, a portion with a higher temperature and a portion with a lower temperature may exist at the same time. As shown in FIG. 7, for example, in the portion of the dicing tape 20 that is heat treated, which is a band-shaped portion that surrounds the outer periphery of the semiconductor chip group, the temperature may be higher in one longitudinal portion and lower in the other longitudinal portion.
ピックアップ工程の前に、例えば基材層２１に重なった粘着剤層２２に、基材層２１側から紫外線を照射することによって、粘着剤層２２に硬化処理を施す（硬化処理工程）。 Before the pick-up process, for example, the adhesive layer 22 overlapping the base layer 21 is irradiated with ultraviolet light from the base layer 21 side to harden the adhesive layer 22 (hardening process).
ピックアップ工程では、図８に示すように、ダイボンドシート１０が貼り付いた状態の半導体チップＸをダイシングテープ２０の粘着剤層２２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＸを、ダイシングテープ２０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップＸを吸着治具Ｊによって保持する。 In the pick-up process, as shown in FIG. 8, the semiconductor chip X with the die bond sheet 10 attached thereto is peeled off from the adhesive layer 22 of the dicing tape 20. More specifically, the pin member P is raised to push up the semiconductor chip X to be picked up through the dicing tape 20. The pushed-up semiconductor chip X is held by the suction jig J.
ダイボンド工程では、ダイボンドシート１０が貼り付いた状態の半導体チップＸを被着体Ｚに接着させる。ダイボンド工程では、例えば図９に示すように、ダイボンドシート１０が貼り付いた状態の半導体チップＸを複数回積み重ねていくことがある。 In the die bonding process, the semiconductor chip X with the die bond sheet 10 attached thereto is adhered to the adherend Z. In the die bonding process, the semiconductor chips X with the die bond sheet 10 attached thereto may be stacked multiple times, as shown in FIG. 9, for example.
キュアリング工程では、ダイボンドシート１０に含まれる上述した架橋性基含有アクリルポリマーにおける架橋性基（例えばエポキシ基）の反応活性を高めてダイボンドシート１０の硬化を進行させるために、例えば１００℃以上１８０℃以下の温度で加熱処理を行う。 In the curing process, a heat treatment is performed at a temperature of, for example, 100°C or higher and 180°C or lower in order to increase the reaction activity of the crosslinkable groups (e.g., epoxy groups) in the above-mentioned crosslinkable group-containing acrylic polymer contained in the die bond sheet 10 and promote the hardening of the die bond sheet 10.
ワイヤボンディング工程では、半導体チップＸ（ダイ）と被着体Ｚとを加熱しつつ、ワイヤＬで接続する（例えば図９を参照）。 In the wire bonding process, the semiconductor chip X (die) and the substrate Z are heated and connected with a wire L (see, for example, Figure 9).
封止工程では、図１０に示すように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂Ｍによって半導体チップＸとダイボンドシート１０とを封止する。封止工程では、熱硬化性樹脂Ｍの硬化反応を進行させるために、例えば１００℃以上１８０℃以下の温度で加熱処理を行う。 In the sealing process, as shown in FIG. 10, the semiconductor chip X and the die bond sheet 10 are sealed with a thermosetting resin M such as an epoxy resin. In the sealing process, a heat treatment is performed at a temperature of, for example, 100° C. or higher and 180° C. or lower to promote the curing reaction of the thermosetting resin M.
近年の半導体産業においては、集積化技術のさらなる進展に伴って、より薄い半導体チップ（例えば２０μｍ以上５０μｍ以下の厚さ）、及び、より薄いダイボンドシート（例えば１μｍ以上４０μｍ以下、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下の厚さ）が要望されている。 In recent years, with the further advancement of integration technology in the semiconductor industry, there is a demand for thinner semiconductor chips (e.g., a thickness of 20 μm to 50 μm) and thinner die bond sheets (e.g., a thickness of 1 μm to 40 μm, preferably 7 μm or less, and more preferably 5 μm or less).
上述した半導体装置の製造方法（ダイシングダイボンドフィルムの使用方法）において、エキスパンド工程（特に常温エキスパンド工程）では、ダイシングテープ２０の面積を広げるように面方向に強い力で引き伸ばす。また、ダイシングテープ２０を引き伸ばした後、ダイシングテープ２０の一部を１２０℃程度で加熱処理することによって収縮させる。具体的には、小片化された多数の半導体チップと重なり合っていない、多数の半導体チップ群の外周に沿った部分（外周部分）のダイシングテープ２０を上記のごとき加熱処理によって収縮させる。斯かる加熱処理は、例えば図７に示すように、小片化された多数の半導体チップ群の外周に沿ってヒーター等を移動させることによって実施する。具体的には、多数の半導体チップ群の外周に沿って２つのヒーター等がそれぞれ半周するように移動する。このような加熱処理方法では、加熱される部分のなかで最初に加熱される部位と最後に加熱される部位とが存在する。そのため、最初に加熱された部位と最後に加熱された部位とで温度差が生じる。換言すると、最初に加熱された部位の温度は、ヒーター等が離れていくうちに冷却されるため、加熱処理が終了したときに、最後に加熱された部位の温度よりも低くなる。一般的に、温度が高いほど材料の弾性率は小さくなるため、冷える前における例えば１２０℃程度の高温部分の弾性率は、冷えた部分の弾性率よりもかなり小さくなり得る。よって、高温によって弾性率が小さくなったダイシングテープ２０の高温部分は、ダイシングテープ２０が引き伸ばし方向の逆方向へ縮む力を必ずしも十分に抑えられなくなり得る。一方で、ダイシングテープ２０の冷えた部分の弾性率は高いため、上記の縮む力を十分に抑えることができる。このような状態では、多数の半導体チップ群と重なり合った部分のダイシングテープ２０が不均一に縮みやすくなる。従って、いったん広がった多数の半導体チップ群におけるカーフが、ばらつく可能性がある。
これに対して、本実施形態のダイシングダイボンドフィルムでは、ダイシングテープ２０の１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、１２０℃という高温でも弾性率が比較的高いため、ダイシングテープ２０が上記のごとく縮もうとする力を十分に抑えることができる。１２０℃という温度は、例えばエキスパンド工程において引き伸ばされたダイシングテープ２０の一部を上記のごとく加熱処理して収縮させるときの温度に近い。このときの加熱処理は、上述したように、例えば、小片化された多数の半導体チップ群の外周に沿った加熱されるべき部分をヒーター等で順に加熱することで実施される。よって、加熱されて温度が高まった部分と、加熱後に温度が下がった部分とが混在することとなる。このような状況でも、本実施形態のダイシングテープ２０では、高温部位（例えば１２０℃の部分）での弾性率が比較的高いため、低温部位だけでなく高温部位でも上記のごとくダイシングテープ２０が縮もうとする力を十分に抑えられる。よって、多数の半導体チップ群と重なったダイシングテープ２０の中央部分において、部位によって縮む力がばらつくことを抑制できる。従って、エキスパンド工程後に部位によるカーフのばらつきを抑制することができる。
In the above-mentioned manufacturing method of a semiconductor device (method of using a dicing die bond film), in the expanding step (particularly the room temperature expanding step), the dicing tape 20 is stretched with a strong force in the surface direction so as to expand the area of the dicing tape 20. After the dicing tape 20 is stretched, a part of the dicing tape 20 is heat-treated at about 120° C. to shrink it. Specifically, the dicing tape 20 in the part (peripheral part) along the periphery of the group of many semiconductor chips that does not overlap with the group of many small semiconductor chips is shrunk by the above-mentioned heat treatment. Such a heat treatment is carried out by moving a heater or the like along the periphery of the group of many small semiconductor chips, as shown in FIG. 7, for example. Specifically, two heaters or the like are moved so as to make a half-circle around the periphery of the group of many semiconductor chips. In such a heat treatment method, there are a part that is heated first and a part that is heated last among the heated parts. Therefore, a temperature difference occurs between the part that is heated first and the part that is heated last. In other words, the temperature of the first heated portion is cooled as the heater or the like moves away, so that when the heating process is completed, the temperature is lower than the temperature of the last heated portion. Generally, the higher the temperature, the smaller the elastic modulus of the material, so that the elastic modulus of the high-temperature portion, for example, at about 120°C before cooling, can be significantly smaller than the elastic modulus of the cooled portion. Therefore, the high-temperature portion of the dicing tape 20, whose elastic modulus has been reduced by the high temperature, may not necessarily be able to sufficiently suppress the force of the dicing tape 20 shrinking in the opposite direction to the stretching direction. On the other hand, since the elastic modulus of the cooled portion of the dicing tape 20 is high, the above-mentioned shrinking force can be sufficiently suppressed. In such a state, the dicing tape 20 in the portion overlapping the large number of semiconductor chip groups is likely to shrink unevenly. Therefore, the kerf in the large number of semiconductor chip groups that has once expanded may vary.
In contrast, in the dicing die bond film of this embodiment, the tensile storage modulus of the dicing tape 20 at 120°C is 0.10 MPa or more, and the modulus of elasticity is relatively high even at a high temperature of 120°C, so that the force of the dicing tape 20 to shrink as described above can be sufficiently suppressed. The temperature of 120°C is close to the temperature at which a part of the dicing tape 20 stretched in the expanding process is heat-treated as described above to shrink it. As described above, the heat treatment at this time is performed by, for example, sequentially heating the parts to be heated along the outer periphery of the group of many small semiconductor chips with a heater or the like. Therefore, a part whose temperature has increased due to heating and a part whose temperature has decreased after heating are mixed. Even in such a situation, in the dicing tape 20 of this embodiment, the modulus of elasticity at the high temperature part (for example, the part at 120°C) is relatively high, so that the force of the dicing tape 20 to shrink as described above can be sufficiently suppressed not only at the low temperature part but also at the high temperature part. This makes it possible to suppress the variation in contraction force from one location to another in the central portion of the dicing tape 20 overlapping the group of multiple semiconductor chips, thereby suppressing the variation in the kerf from one location to another after the expanding step.
さらに、本実施形態のダイシングダイボンドフィルムでは、ダイシングテープ２０の－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であることから、ダイボンドシート１０を割断するための力をダイシングテープ２０からダイボンドシート１０へ十分に伝えることができる。また、低温における引張力に対してダイシングテープ２０が十分に伸びることができる。従って、ダイボンドシート１０を良好に割断でき、また、ダイシングテープ２０の裂けを抑制できる。 Furthermore, in the dicing die bond film of this embodiment, the tensile storage modulus of the dicing tape 20 at -15°C is 280 MPa or more and 500 MPa or less, so the force for cutting the die bond sheet 10 can be sufficiently transmitted from the dicing tape 20 to the die bond sheet 10. In addition, the dicing tape 20 can stretch sufficiently in response to the tensile force at low temperatures. Therefore, the die bond sheet 10 can be cut well, and tearing of the dicing tape 20 can be suppressed.
本実施形態のダイシングダイボンドフィルムは上記例示の通りであるが、本発明は、上記例示のダイシングダイボンドフィルムに限定されるものではない。
即ち、一般的なダイシングダイボンドフィルムにおいて用いられる種々の形態が、本発明の効果を損ねない範囲において、採用され得る。
The dicing die bond film of this embodiment is as exemplified above, but the present invention is not limited to the dicing die bond film exemplified above.
That is, various forms used in general dicing die bond films can be adopted within the scope that does not impair the effects of the present invention.
本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
（１）
基材層及び該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープに重なったダイボンドシートとを備え、
前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下である、ダイシングダイボンドフィルム。
（２）
前記基材層は、積層された複数の層を有し、
前記複数の層の断面における弾性率であって、－５℃で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による弾性率マッピングを実施したときのヒストグラムにおける頻度最大ピークで示される弾性率のうち、最も大きい弾性率及び最も小さい弾性率をそれぞれＰ及びＱとしたときに、下記式（１）が満たされる、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
［（Ｐ－Ｑ）／Ｐ］×１００≧５ 式（１）
（３）
前記基材層は、積層された複数の層を有し、
前記複数の層の断面における弾性率であって、－５℃で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による弾性率マッピングを実施したときのヒストグラムにおける頻度最大ピークで示される弾性率は、いずれも、１９０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下である、上記（１）又は（２）に記載のダイシングダイボンドフィルム。
（４）
前記基材層は、積層された複数の層を有し、
前記複数の層のうち、いずれか１つの層がポリオレフィンを含み、前記１つの層以外のいずれかの層がエチレン－酢酸ビニル共重合体を含む、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。
（５）
ナノインデンター測定によって算出される０℃における前記粘着剤層の弾性率は、０．６０ＭＰａよりも大きい、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。
（６）
前記粘着剤層は、分子中にアルキル（メタ）アクリレート単位と架橋性基含有（メタ）アクリレート単位とを有するアクリル共重合体を少なくとも含む、上記（１）乃至（５）のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。
（７）
前記架橋性基含有（メタ）アクリレート単位のうち少なくとも一部が、ラジカル重合性炭素－炭素二重結合を有する、上記（６）に記載のダイシングダイボンドフィルム。
（８）
前記ダイボンドシートの０℃における破断伸度は、４．７％よりも小さい、上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のダイシングダイボンドフィルム。
（９）
基材層及び該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープに重なったダイボンドシートと、を備えるダイシングダイボンドフィルムを使用して、半導体チップを有する半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であり、
前記ダイシングテープの前記粘着剤層と半導体ウエハとの間に前記ダイボンドシートを配置することによって、前記ダイボンドシートを介して前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに固定するマウント工程と、
前記ダイシングテープを引き伸ばすことによって、前記ダイボンドシートと共に前記半導体ウエハを割断し、前記半導体ウエハが小片化された前記半導体チップを得るエキスパンド工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
The matters disclosed in this specification include the following.
(1)
A dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlaid on the base layer, and a die bond sheet overlaid on the dicing tape,
The dicing die bond film has a tensile storage modulus of 0.10 MPa or more at 120° C. and a tensile storage modulus of 280 MPa or more and 500 MPa or less at −15° C.
(2)
The base layer has a plurality of laminated layers,
The dicing die bond film according to claim 1, wherein the elastic modulus in the cross section of the plurality of layers is represented by the maximum frequency peak in a histogram obtained by performing elastic modulus mapping using an atomic force microscope (AFM) at -5°C, and the largest elastic modulus and the smallest elastic modulus are represented by P and Q, respectively, and the following formula (1) is satisfied.
[(P−Q)/P]×100≧5 Formula (1)
(3)
The base layer has a plurality of laminated layers,
The elastic modulus in the cross section of the plurality of layers, which is indicated by the maximum frequency peak in a histogram when elastic modulus mapping is performed using an atomic force microscope (AFM) at -5°C, is 190 MPa or more and 890 MPa or less. Dicing die bond film according to (1) or (2) above.
(4)
The base layer has a plurality of laminated layers,
The dicing die bond film according to any one of the above (1) to (3), wherein any one of the plurality of layers contains a polyolefin, and any layer other than the one layer contains an ethylene-vinyl acetate copolymer.
(5)
The dicing die bond film according to any one of (1) to (4) above, wherein the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 0° C. calculated by nanoindenter measurement is greater than 0.60 MPa.
(6)
The dicing die bond film according to any one of (1) to (5) above, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains at least an acrylic copolymer having an alkyl (meth)acrylate unit and a crosslinkable group-containing (meth)acrylate unit in the molecule.
(7)
The dicing die bond film according to (6) above, wherein at least a portion of the crosslinkable group-containing (meth)acrylate units has a radical polymerizable carbon-carbon double bond.
(8)
The dicing die bond film according to any one of (1) to (7) above, wherein the die bond sheet has a breaking elongation at 0° C. of less than 4.7%.
(9)
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlaid on the base layer; and a die bond sheet overlaid on the dicing tape; and using a dicing die bond film to manufacture a semiconductor device having a semiconductor chip, the method comprising:
The dicing tape has a tensile storage modulus of 0.10 MPa or more at 120° C. and a tensile storage modulus of 280 MPa or more and 500 MPa or less at −15° C.;
a mounting step of fixing the semiconductor wafer to the dicing tape via the die bond sheet by disposing the die bond sheet between the adhesive layer of the dicing tape and the semiconductor wafer;
an expanding step of splitting the semiconductor wafer together with the die bond sheet by stretching the dicing tape to obtain the semiconductor chips diced from the semiconductor wafer.
次に実験例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 The present invention will now be described in more detail with reference to experimental examples, but the present invention is not limited to these.
以下のようにして、ダイシングテープを製造した。また、このダイシングテープをダイボンドシートと貼り合わせて、ダイシングダイボンドフィルムを製造した。 The dicing tape was produced as follows. The dicing tape was then bonded to a die bond sheet to produce a dicing die bond film.
＜ダイシングテープの作製＞
［粘着剤層ａ］
（アクリル共重合体の原料モノマー）
・アクリロイルモルフォリン（ＡＣＭＯ）：１１質量部
・２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）：２７質量部
・２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）：１００質量部
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に上記の各原料を入れた。モノマーの合計１００質量部に対し、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．２質量部を熱重合開始剤として使用した。全モノマーの濃度が３５質量％となるように酢酸エチルを反応溶媒として加えた。窒素気流中で６２℃にて５時間、さらに７５℃にて２時間の重合反応処理を行い、アクリル共重合体の中間体を得た。
次に、得られたアクリル共重合体の中間体を含む液に、ＨＥＡの合計量に対してモル換算で８０モル％となるように２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(以下、ＭＯＩ）（製品名「ｋａｒｅｎｚ ＭＯＩ」 昭和電工マテリアルズ社製）を加えた、また、ＭＯＩ量に対して０．０３質量％のジラウリン酸ジブチルスズを反応触媒として加えた。その後、空気気流中で５０℃にて１２時間付加反応処理（ウレタン化反応）を行い、アクリル共重合体を得た。
続いて、アクリル共重合体１００質量部に対して、光重合開始剤（製品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７Ｄ」 ＩＧＭ社製）２．５質量部、ポリイソシアネート化合物（製品名「タケネートＤ－１０１Ａ」 三井化学社製）１．００質量部、酸化防止剤（製品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」 ＢＡＳＦジャパン社製）０．０１質量部を加えて、粘着剤溶液を調製した。調製した粘着剤溶液を、シリコーン処理を施したＰＥＴ剥離ライナーの処理面上に塗布した。１２０℃で２分間の加熱乾燥処理を施し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
<Preparation of dicing tape>
[Adhesive layer a]
(Raw material monomer for acrylic copolymer)
Acryloylmorpholine (ACMO): 11 parts by mass 2-Hydroxyethyl acrylate (HEA): 27 parts by mass 2-Ethylhexyl acrylate (2EHA): 100 parts by mass The above raw materials were placed in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen inlet tube, a thermometer and a stirrer. 0.2 parts by mass of azobisisobutyronitrile (AIBN) was used as a thermal polymerization initiator for a total of 100 parts by mass of monomers. Ethyl acetate was added as a reaction solvent so that the concentration of the total monomers was 35% by mass. The polymerization reaction was carried out in a nitrogen stream at 62 ° C. for 5 hours and then at 75 ° C. for 2 hours to obtain an acrylic copolymer intermediate.
Next, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter, MOI) (product name "Karenz MOI" manufactured by Showa Denko Materials Co., Ltd.) was added to the liquid containing the obtained acrylic copolymer intermediate so that the amount was 80 mol % in molar terms relative to the total amount of HEA, and 0.03 mass % of dibutyltin dilaurate relative to the amount of MOI was added as a reaction catalyst. Thereafter, an addition reaction treatment (urethanization reaction) was carried out in an air stream at 50°C for 12 hours to obtain an acrylic copolymer.
Next, 2.5 parts by mass of a photopolymerization initiator (product name "Omnirad 127D" manufactured by IGM), 1.00 parts by mass of a polyisocyanate compound (product name "Takenate D-101A" manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), and 0.01 parts by mass of an antioxidant (product name "Irganox 1010" manufactured by BASF Japan) were added to 100 parts by mass of the acrylic copolymer to prepare an adhesive solution. The prepared adhesive solution was applied onto the treated surface of a silicone-treated PET release liner. A heat drying treatment was performed at 120°C for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 10 μm.
［粘着剤層ｂ］
（アクリル共重合体の原料モノマー）
・２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）：２０質量部
・２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）：１００質量部
上記と同様の反応容器に上記の各原料を入れた。モノマーの合計１００質量部に対し、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．２質量部を熱重合開始剤として使用した。全モノマーの濃度が６０質量％となるようにトルエンを反応溶媒として加えた。窒素気流中で６２℃にて６時間、さらに７５℃にて２時間の重合反応処理を行い、アクリル共重合体の中間体を得た。
次に、得られたアクリル共重合体の中間体を含む液に、ＨＥＡの合計量に対してモル換算で８０モル％となるように、上記のＭＯＩを加えた、また、ＭＯＩに対して０．０３質量％のジラウリン酸ジブチルスズを反応触媒として加えた。その後、空気気流中で５０℃にて１２時間付加反応処理（ウレタン化反応）を行い、アクリル共重合体を得た。
続いて、アクリル共重合体１００質量部に対して、光重合開始剤（上記の「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７Ｄ」を２．５質量部、ポリイソシアネート化合物（上記の「タケネートＤ－１０１Ａ」）を０．７５質量部、酸化防止剤（上記の「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」）を０．０１質量部加えて、粘着剤溶液を調製した。調製した粘着剤溶液を、シリコーン処理を施したＰＥＴ剥離ライナーの処理面上に塗布した。１２０℃で２分間の加熱乾燥処理を施し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
[Pressure-sensitive adhesive layer b]
(Raw material monomer for acrylic copolymer)
・2-Hydroxyethyl acrylate (HEA): 20 parts by mass ・2-Ethylhexyl acrylate (2EHA): 100 parts by mass The above raw materials were placed in the same reaction vessel as above. 0.2 parts by mass of azobisisobutyronitrile (AIBN) was used as a thermal polymerization initiator for a total of 100 parts by mass of monomers. Toluene was added as a reaction solvent so that the concentration of the total monomers was 60% by mass. A polymerization reaction treatment was performed in a nitrogen stream at 62°C for 6 hours and then at 75°C for 2 hours to obtain an acrylic copolymer intermediate.
Next, the above-mentioned MOI was added to the liquid containing the obtained acrylic copolymer intermediate so that the amount was 80 mol% in terms of moles relative to the total amount of HEA, and 0.03 mass% of dibutyltin dilaurate was added as a reaction catalyst relative to the MOI. Thereafter, an addition reaction treatment (urethanization reaction) was carried out in an air stream at 50°C for 12 hours to obtain an acrylic copolymer.
Next, 2.5 parts by mass of a photopolymerization initiator (the above-mentioned "Omnirad 127D"), 0.75 parts by mass of a polyisocyanate compound (the above-mentioned "Takenate D-101A"), and 0.01 parts by mass of an antioxidant (the above-mentioned "Irganox 1010") were added to 100 parts by mass of the acrylic copolymer to prepare an adhesive solution. The prepared adhesive solution was applied onto the treated surface of a silicone-treated PET release liner. A heat drying treatment was performed at 120°C for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 10 μm.
［粘着剤層ｃ］
上記の粘着剤層ｂで得たアクリル共重合体を含む液に、アクリル共重合体１００質量部に対して、光重合開始剤（「Omnirad127D」IGM社製）を２．５質量部、ポリイソシアネート化合物（「タケネートD-101A」三井化学社製）を０．５質量部、酸化防止剤（「Irganox1010」BASFジャパン社製）を０．０１質量部加えて、粘着剤溶液を調製した。調製した粘着剤溶液を、シリコーン処理を施したＰＥＴ剥離ライナーの処理面上に塗布した。１２０℃で２分間の加熱乾燥処理を施し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。
[Adhesive layer c]
To the liquid containing the acrylic copolymer obtained in the above adhesive layer b, 2.5 parts by mass of a photopolymerization initiator ("Omnirad127D" manufactured by IGM), 0.5 parts by mass of a polyisocyanate compound ("Takenate D-101A" manufactured by Mitsui Chemicals), and 0.01 parts by mass of an antioxidant ("Irganox1010" manufactured by BASF Japan) were added per 100 parts by mass of the acrylic copolymer to prepare an adhesive solution. The prepared adhesive solution was applied onto the treated surface of a silicone-treated PET release liner. A heat drying treatment was performed at 120°C for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 10 μm.
各実施例及び各比較例における粘着剤層の種類は、それぞれ表１に示す通りである。 The types of adhesive layers in each Example and Comparative Example are as shown in Table 1.
［基材層］
以下に示す樹脂（市販品）を用いて、３層又は２層が積層した基材層を作製した。
（基材層を構成する樹脂フィルム（層））
・非エラストマー層１（Ｎ－１で示す）
主成分：ポリプロピレン樹脂１、
他成分：ポリマー型帯電防止剤及びポリオレフィン系樹脂１
・非エラストマー層２（Ｎ－２で示す）
主成分：ポリオレフィン系樹脂２、
他成分：ポリマー型帯電防止剤及びポリオレフィン系樹脂１
・非エラストマー層３（Ｎ－３で示す）
主成分：ポリプロピレン樹脂１、
他成分：ポリマー型帯電防止剤
・エラストマー層１（Ｒ－１で示す）
主成分：ポリプロピレン樹脂１、
他成分：エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）樹脂１
・エラストマー層２（Ｒ－２で示す）
エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）２
・エラストマー層３（Ｒ－３で示す）
エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）３
・エラストマー層４（Ｒ－４で示す）
主成分：エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）３、
他成分：ポリマー型帯電防止剤
[Base layer]
The following resins (commercially available products) were used to prepare a substrate layer having three or two laminated layers.
(Resin film (layer) constituting the substrate layer)
Non-elastomer layer 1 (designated N-1)
Main component: Polypropylene resin 1,
Other components: polymer-type antistatic agent and polyolefin resin 1
Non-elastomer layer 2 (designated N-2)
Main component: polyolefin resin 2,
Other components: polymer-type antistatic agent and polyolefin resin 1
Non-elastomer layer 3 (designated N-3)
Main component: Polypropylene resin 1,
Other components: polymer type antistatic agent, elastomer layer 1 (represented by R-1)
Main component: Polypropylene resin 1,
Other components: Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin 1
Elastomer layer 2 (denoted as R-2)
Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) 2
Elastomer layer 3 (denoted as R-3)
Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) 3
Elastomer layer 4 (denoted as R-4)
Main component: ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) 3,
Other ingredients: Polymer-type antistatic agent
（基材層の成形）
押し出しＴダイ成形機を用いて基材層を成形した。押出温度は、１９０℃であった。２層タイプ又は３層積層タイプの基材層を作製するときに、Ｔダイから共押出成形して各層を一体化させた。一体化した基材層（積層体）が十分に固化した後、基材層をロール状に巻き取って保管した。
基材層を構成する各層の厚さは、表２に示した通りである。
(Forming of substrate layer)
The substrate layer was molded using an extrusion T-die molding machine. The extrusion temperature was 190°C. When preparing a two-layer type or three-layer laminate type substrate layer, each layer was integrated by co-extrusion molding from a T-die. After the integrated substrate layer (laminate) was sufficiently solidified, the substrate layer was wound into a roll and stored.
The thickness of each layer constituting the substrate layer is as shown in Table 2.
［粘着剤層と基材層との貼り合わせ］
続いて、上記のようにしてそれぞれ作製した粘着剤層を粘着剤層作製後１時間以内に基材層と貼り合わせ、５０℃にて２４時間保存し、ダイシングテープを製造した。
なお、表２に示す第１基材層は、粘着剤層から最も離れるように配置され、第２基材層は、第１基材層よりも粘着剤層に近い位置に配置される。基材層が３層構造を有する場合の第３基材層は、粘着剤層の片面に重なっている。
[Lamination of Pressure-Sensitive Adhesive Layer and Base Layer]
Next, the adhesive layer prepared as described above was attached to the base layer within 1 hour after preparation of the adhesive layer, and stored at 50° C. for 24 hours to prepare a dicing tape.
In addition, the first base material layer shown in Table 2 is disposed so as to be farthest from the pressure-sensitive adhesive layer, and the second base material layer is disposed at a position closer to the pressure-sensitive adhesive layer than the first base material layer. When the base material layer has a three-layer structure, the third base material layer overlaps one side of the pressure-sensitive adhesive layer.
＜ダイボンドシートの作製＞
［ダイボンドシートα］
・アクリルポリマー（製品名「ＳＧ－Ｐ３」、ナガセケムテックス社製 エポキシ基含有）３５質量部（固形分量）、
・アクリルポリマー（アクリル酸エチルとメタクリル酸ブチルとグリシジルメタクリレートとの共重合体をメチルエチルケトンで溶解したアクリル樹脂溶液：重量平均分子量Ｍｗ＝７０，０００／エポキシ当量＝４４４（ｇ／ｅｑ）／ガラス転移温度Ｔｇ＝１１℃）３０質量部（固形分量）、
・フェノール樹脂（製品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成社製）６質量部、
・シリカフィラー（製品名「ＭＥＫ－ＡＣ－２１４０Ｚ」、日産化学工業社製）２７質量部、
・シランカップリング剤（製品名「ＫＢＭ－４０３」、信越化学工業社製）２質量部
上記の各原料を所定量のメチルエチルケトンに加えて混合し、総固形分濃度１５質量％の接着用組成物溶液を調製した。
次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン離型処理面上に、アプリケータを使用して接着用組成物を塗布し、塗膜を形成した。この塗膜に対して１３０℃で２分間の加熱乾燥処理を施し、ＰＥＴ剥離ライナー上に厚さ２０μｍのダイボンドシートを作製した。
<Preparation of die bond sheet>
[Die bond sheet α]
Acrylic polymer (product name "SG-P3", manufactured by Nagase ChemteX Corporation, containing epoxy groups) 35 parts by mass (solid content),
- 30 parts by mass (solid content) of acrylic polymer (acrylic resin solution obtained by dissolving a copolymer of ethyl acrylate, butyl methacrylate, and glycidyl methacrylate in methyl ethyl ketone: weight average molecular weight Mw = 70,000 / epoxy equivalent = 444 (g / eq) / glass transition temperature Tg = 11 ° C.),
Phenolic resin (product name "MEHC-7851SS", manufactured by Meiwa Chemical Industry Co., Ltd.) 6 parts by mass,
Silica filler (product name "MEK-AC-2140Z", manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) 27 parts by mass,
Silane coupling agent (product name "KBM-403", manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 2 parts by mass Each of the above raw materials was added to a predetermined amount of methyl ethyl ketone and mixed to prepare an adhesive composition solution having a total solids concentration of 15% by mass.
Next, the adhesive composition was applied to the silicone release-treated surface of the PET release liner using an applicator to form a coating film. The coating film was subjected to a heat drying treatment at 130° C. for 2 minutes to prepare a die bond sheet having a thickness of 20 μm on the PET release liner.
［ダイボンドシートβ］
・アクリルポリマー（製品名「ＳＧ－Ｐ３」、ナガセケムテックス社製 エポキシ基含有）３５質量部（固形分量）、
・アクリルポリマー（アクリル酸エチルとメタクリル酸ブチルとグリシジルメタクリレートとの共重合体をメチルエチルケトンで溶解したアクリル樹脂溶液：重量平均分子量Ｍｗ＝７０，０００／エポキシ当量＝４４４（ｇ／ｅｑ）／ガラス転移温度Ｔｇ＝１１℃）３０質量部（固形分量）、
・フェノール樹脂（製品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成社製）６質量部、
・シリカフィラー（製品名「ＳＥ２０５０－ＭＣＶ」、アドマテックス社製）２７質量部、
・シランカップリング剤（製品名「ＫＢＭ－４０３」、信越化学工業社製）２質量部
上記の各原料を所定量のメチルエチルケトンに加えて混合し、総固形分濃度１５質量％の接着用組成物溶液を調製した。
次に、調製した接着用組成物を用いて、上記と同様にして、ＰＥＴ剥離ライナー上に厚さ２０μｍのダイボンドシートを作製した。
[Die bond sheet β]
Acrylic polymer (product name "SG-P3", manufactured by Nagase ChemteX Corporation, containing epoxy groups) 35 parts by mass (solid content),
- 30 parts by mass (solid content) of acrylic polymer (acrylic resin solution obtained by dissolving a copolymer of ethyl acrylate, butyl methacrylate, and glycidyl methacrylate in methyl ethyl ketone: weight average molecular weight Mw = 70,000 / epoxy equivalent = 444 (g / eq) / glass transition temperature Tg = 11 ° C.),
Phenolic resin (product name "MEHC-7851SS", manufactured by Meiwa Chemical Industry Co., Ltd.) 6 parts by mass,
Silica filler (product name "SE2050-MCV", manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 27 parts by mass,
Silane coupling agent (product name "KBM-403", manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 2 parts by mass Each of the above raw materials was added to a predetermined amount of methyl ethyl ketone and mixed to prepare an adhesive composition solution having a total solids concentration of 15% by mass.
Next, using the prepared adhesive composition, a die-bonding sheet having a thickness of 20 μm was produced on a PET release liner in the same manner as above.
［ダイボンドシートγ］
・アクリルポリマー（製品名「ＰＡＲＡＣＲＯＮ ＫＧ－８００１」、根上工業社製 エポキシ基含有）１００質量部（固形分量）、
・フェノール樹脂（製品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成社製）３質量部、
・シリカフィラー（製品名「ＳＥ２０５０－ＭＣＶ」、アドマテックス社製）１０質量部
上記の各原料を所定量のメチルエチルケトンに加えて混合し、総固形分濃度１２質量％の接着用組成物溶液を調製した。
次に、調製した接着用組成物を用いて、上記と同様にして、ＰＥＴ剥離ライナー上に厚さ２０μｍのダイボンドシートを作製した。
[Die bond sheet γ]
Acrylic polymer (product name "PARACRON KG-8001", manufactured by Negami Chemical Industrial Co., Ltd., containing epoxy groups) 100 parts by mass (solid content),
Phenolic resin (product name "MEHC-7851SS", manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) 3 parts by mass,
Silica filler (product name "SE2050-MCV", manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 10 parts by mass Each of the above raw materials was added to a predetermined amount of methyl ethyl ketone and mixed to prepare a bonding composition solution having a total solids concentration of 12% by mass.
Next, using the prepared adhesive composition, a die-bonding sheet having a thickness of 20 μm was produced on a PET release liner in the same manner as above.
（実施例１～８、比較例１～３）
［ダイシングダイボンドフィルムの製造］
各ダイシングダイボンドフィルムの構成を表３に示す。室温において、ラミネーターを使用して、円形状のダイボンドシートと、ダイシングテープとを貼り合せることによって、ダイシングダイボンドフィルムを製造した。
(Examples 1 to 8, Comparative Examples 1 to 3)
[Production of dicing die bond film]
The configuration of each dicing die bond film is shown in Table 3. A dicing die bond film was produced by bonding a circular die bond sheet and a dicing tape together at room temperature using a laminator.
＜ダイシングダイボンドフィルムの物性測定＞
各実施例及び各比較例のダイシングダイボンドフィルムを構成する各層について、以下のようにして各物性を測定した。
<Measurement of physical properties of dicing die bond film>
The physical properties of each layer constituting the dicing die bond film of each Example and Comparative Example were measured as follows.
［１２０℃における引張貯蔵弾性率］
ダイシングテープの引張貯蔵弾性率の測定方法の詳細は、上述した通りである。－１５℃及び１２０℃における各弾性率の測定結果を表３に示す。
[Tensile storage modulus at 120° C.]
The details of the method for measuring the tensile storage modulus of the dicing tape are as described above. The measurement results of each modulus at -15°C and 120°C are shown in Table 3.
［－５℃で断面ＡＦＭ分析によるエラストマー層及び非エラストマー層の各弾性率］
エラストマー層及び非エラストマー層の－５℃における弾性率の測定方法の詳細は、上述した通りである。斯かる弾性率は、断面ＡＦＭ分析による弾性率マッピングを実施したときのヒストグラムにおける頻度最大ピークで示される。斯かる弾性率の測定結果を表３に示す。
[Elastomeric and non-elastomer layer elastic moduli measured by cross-sectional AFM analysis at −5° C.]
The details of the method for measuring the elastic modulus at −5° C. of the elastomer layer and the non-elastomer layer are as described above. The elastic modulus is indicated by the maximum frequency peak in a histogram obtained by performing elastic modulus mapping by cross-sectional AFM analysis. The measurement results of the elastic modulus are shown in Table 3.
［ナノインデンター測定によって算出される０℃における粘着剤層の弾性率］
ナノインデンター測定によって算出される粘着剤層の０℃における弾性率の測定方法の詳細は、上述した通りである。測定結果を表３に示す。
[Elastic modulus of pressure-sensitive adhesive layer at 0° C. calculated by nanoindenter measurement]
The details of the method for measuring the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 0° C. calculated by nanoindenter measurement are as described above. The measurement results are shown in Table 3.
［ダイボンドシートの０℃における破断伸度］
ダイボンドシートの０℃における弾性率の測定方法の詳細は、上述した通りである。測定結果を表３に示す。
[Break elongation of die bond sheet at 0° C.]
The details of the method for measuring the elastic modulus of the die bond sheet at 0° C. are as described above. Table 3 shows the measurement results.
さらに以下のようにして、上記のごとく製造したダイシングダイボンドフィルムの性能を評価した。 Furthermore, the performance of the dicing die bond film produced as described above was evaluated as follows.
＜性能評価（中心部における隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ幅））＞
（評価用サンプルの準備）
評価用サンプルとして、ベアウエハを用いて作製したチップ（ダイ）付きダイシングダイボンドフィルムを準備した。
具体的には、ラミネーターを使用して、ウエハ加工用テープ（製品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」、日東電工社製）に保持されたベアウエハをダイシングダイボンドフィルムのダイボンドシートに貼り合わせた。続いて、ウエハからウエハ加工用テープを剥離した。貼り合わせ時の条件は、貼り合わせ速度が１０ｍｍ/秒、温度条件が５０～８０℃、圧力条件が０.１５ＭＰａであった。
（ウエハの準備）
まず、ベアウエハ（直径１２インチ，厚さ７８０μｍ，東京化工社製）において改質領域を形成する予定の第１面にウエハ加工用テープ（製品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」、日東電工社製）を貼り合わせた。次に、ステルスダイシング装置（製品名「ＤＡＬ７３６０（ＳＤＥ０５）」、Ｐｏｗｅｒ：０.２５Ｗ，周波数：８０ｋＨｚ、ディスコ社製）を使用して、このベアウエハの内部に改質領域を形成した。詳しくは、ウエハ内部の第１面に近い側に集光点を合わせたレーザー光を、第１面とは反対の裏面（第２面）側から照射した。照射は、ベアウエハを分割するための予定ラインに沿って実施した。これにより、多光子吸収によるアブレーションによって、ウエハ内部（ウエハの第１面からの深さ５０μｍ）に、一区画３ｍｍ×７ｍｍの格子を描くように小片化用の改質領域を形成した。その後、バックグラインド装置（製品名「ＤＧＰ８７６０」、ディスコ社製）を使用して、ウエハの第２面から研削することによって、当該ウエハを厚さ３０μｍになるまで薄くした。以上のようにして、ウエハ加工用テープに保持された状態のウエハを形成した。このウエハは、複数のチップ（３ｍｍ×７ｍｍ）へとウエハを小片化するための区画を含む。
（チップ（ダイ）の作製）
上記のようにして作製したベアウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付けた。ダイシングダイボンドフィルムに貼り付けた状態のベアウエハを、エキスパンド工程によって割断し、小片化した。なお、上記のウエハ加工用テープをベアウエハから剥離した状態で、ダイセパレート装置（製品名「ダイセパレータＤＤＳ２３００、ディスコ社製」を使用して、エキスパンド工程を実施した。また、エキスパンド工程では、クールエキスパンドを実施した後、常温エキスパンドを実施した。
クールエキスパンドは、以下のようにして実施した。具体的には、ベアウエハに貼り付けたダイシングダイボンドフィルムの粘着剤層上においてフレームが貼着される予定の領域に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム（ディスコ社製）を室温にて貼り付けた。続いて、ＳＵＳ製リングフレームが貼り付けられたベアウエハを、ダイセパレート装置に装着した。そして、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度－１５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件で、ウエハ及びダイボンドシートを割断して、複数のダイボンドシート層付きチップを得た。
さらに、室温環境下、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。
そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２５０℃、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件で、ウエハの外周縁を取り囲む部分におけるダイシングテープをヒーターによって熱収縮させた。すなわち、図７に示すような加熱処理方法によって、多数の半導体チップ群と重なっていない部分のダイシングテープに加熱処理を施し、加熱処理された部分を熱収縮させた。
熱収縮の後、顕微鏡観察によって、複数箇所において、ダイボンドシート付きチップ間の間隔（カーフ）を測定した。カーフは、中心部における任意の１０箇所における間隔を測定し、測定値を算術平均することにより求めた。カーフ（平均値）が１５μｍ以上である場合を「良好（○）」、１５μｍ未満である場合を「不良（×）」と評価した。
<Performance evaluation (distance between adjacent semiconductor chips at the center (kerf width))>
(Preparation of evaluation samples)
As an evaluation sample, a dicing die bond film with a chip (die) produced using a bare wafer was prepared.
Specifically, a bare wafer held by a wafer processing tape (product name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Corporation) was bonded to a die bond sheet of a dicing die bond film using a laminator. The wafer processing tape was then peeled off from the wafer. The bonding conditions were a bonding speed of 10 mm/sec, a temperature condition of 50 to 80°C, and a pressure condition of 0.15 MPa.
(Wafer Preparation)
First, a wafer processing tape (product name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Corporation) was attached to the first surface of a bare wafer (diameter 12 inches, thickness 780 μm, manufactured by Tokyo Kako Co., Ltd.) on which a modified region was to be formed. Next, a stealth dicing device (product name "DAL7360 (SDE05)", Power: 0.25 W, frequency: 80 kHz, manufactured by Disco Co., Ltd.) was used to form a modified region inside the bare wafer. In detail, a laser beam with a focal point on the side close to the first surface inside the wafer was irradiated from the back surface (second surface) opposite to the first surface. The irradiation was performed along the planned line for dividing the bare wafer. As a result, a modified region for fragmentation was formed inside the wafer (depth 50 μm from the first surface of the wafer) by ablation due to multiphoton absorption, so as to draw a lattice of 3 mm x 7 mm in one section. The wafer was then thinned to a thickness of 30 μm by grinding from the second side using a backgrinding machine (product name "DGP8760" manufactured by Disco Corporation). In this manner, a wafer held on a wafer processing tape was formed. This wafer included sections for dicing the wafer into a number of chips (3 mm×7 mm).
(Chip (Die) Creation)
The bare wafer prepared as described above was attached to a dicing die bond film. The bare wafer attached to the dicing die bond film was broken into small pieces by an expanding process. In addition, in a state where the above-mentioned wafer processing tape was peeled off from the bare wafer, an expanding process was carried out using a die separator (product name "Die Separator DDS2300, manufactured by Disco Corporation). In addition, in the expanding process, cool expanding was carried out, followed by room temperature expanding.
The cool expansion was carried out as follows. Specifically, a 12-inch diameter SUS ring frame (manufactured by Disco Corporation) was attached at room temperature to the area where the frame was to be attached on the adhesive layer of the dicing die bond film attached to the bare wafer. Next, the bare wafer to which the SUS ring frame was attached was mounted on a die separator. Then, the wafer and the die bond sheet were cut in a cool expander unit under the conditions of an expansion temperature of -15°C, an expansion speed of 100 mm/sec, and an expansion amount of 10 mm, to obtain chips with a plurality of die bond sheet layers.
Furthermore, room temperature expansion was carried out under the conditions of a room temperature environment, an expansion speed of 1 mm/sec, and an expansion amount of 10 mm.
Then, while maintaining the expanded state, the dicing tape in the portion surrounding the outer edge of the wafer was thermally shrunk by a heater under conditions of a heat temperature of 250° C., a heat distance of 20 mm, and a rotation speed of 3°/sec. That is, by the heat treatment method shown in FIG. 7, the dicing tape in the portion not overlapping with the group of multiple semiconductor chips was subjected to heat treatment, and the heat-treated portion was thermally shrunk.
After the thermal shrinkage, the distance (kerf) between the chips with the die bond sheet was measured at multiple points by microscopic observation. The kerf was determined by measuring the distance at 10 arbitrary points in the center and calculating the arithmetic average of the measured values. A kerf (average value) of 15 μm or more was evaluated as "good (○)", and a kerf of less than 15 μm was evaluated as "poor (×)".
＜性能評価（ダイボンドシートの割断性、および、カーフ均一性）＞
（評価用サンプルの準備）
評価用サンプルとして、ベアウエハを用いて作製したチップ（ダイ）付きダイシングダイボンドフィルムを準備した。具体的には、ラミネーターを使用して、ウエハ加工用テープ（製品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」、日東電工社製）に保持されたベアウエハをダイシングダイボンドフィルムのダイボンドシートに貼り合わせた。続いて、ウエハからウエハ加工用テープを剥離した。貼り合わせ時の条件は、貼り合わせ速度が１０ｍｍ/秒、温度条件が５０～８０℃、圧力条件が０.１５ＭＰａであった。
（ウエハの準備）
まず、ベアウエハ（直径１２インチ，厚さ７８０μｍ，東京化工社製）において改質領域を形成する予定の第１面にウエハ加工用テープ（製品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」、日東電工社製）を貼り合わせた。次に、ステルスダイシング装置（製品名「ＤＡＬ７３６０（ＳＤＥ０５）」、Ｐｏｗｅｒ：０．２５Ｗ，周波数：８０ｋＨｚ、ディスコ社製）を使用して、このベアウエハの内部に改質領域を形成した。詳しくは、ウエハ内部の第１面に近い側に集光点を合わせたレーザー光を、第１面とは反対の裏面（第２面）側から照射した。ベアウエハを分割するための予定ラインに沿って照射を実施した。これにより、多光子吸収によるアブレーションによって、ウエハ内部（ウエハの第１面からの深さ５０μｍ）に、一区画３ｍｍ×７ｍｍの格子を描くように小片化用の改質領域を形成した。その後、バックグラインド装置（製品名「ＤＧＰ８７６０」、ディスコ社製）を使用して、ウエハの第２面から研削することによって、ウエハを厚さ３０μｍになるまで薄くした。以上のようにして、ウエハ加工用テープに保持された状態のウエハを形成した。このウエハは、複数のチップ（３ｍｍ×７ｍｍ）へとウエハを小片化するための区画を含む。
（チップ（ダイ）の作製）
上記のようにして作製したベアウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付けた。ダイシングダイボンドフィルムに貼り付けた状態のベアウエハを、エキスパンド工程によって割断し、小片化した。なお、エキスパンド工程は、上記のウエハ加工用テープをベアウエハから剥離した状態で、ダイセパレート装置（製品名「ダイセパレータＤＤＳ２３００、ディスコ社製」を使用して実施した。また、エキスパンド工程では、クールエキスパンドを実施した後、常温エキスパンドを実施した。クールエキスパンドは、以下のようにして実施した。具体的には、ベアウエハに貼り付けたダイシングダイボンドフィルムの粘着剤層上においてフレームが貼着される予定の領域に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム（ディスコ社製）を室温にて貼り付けた。続いて、ＳＵＳ製リングフレームが貼り付けられたベアウエハを、ダイセパレート装置に装着した。そして、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度０℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で、ウエハ及びダイボンドシートを割断して、複数のダイボンドシート層付きチップを得た。さらに、室温環境下、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２５０℃、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件で、ウエハの外周縁を取り囲む部分におけるダイシングテープをヒーターによって熱収縮させた。すなわち、図７に示すような加熱処理方法によって、多数の半導体チップ群と重なっていない部分のダイシングテープに加熱処理を施し、加熱処理された部分を熱収縮させた。熱収縮の後、テープ背面側から光を当て、チップ及びダイボンドシートが割断されているか全体を観察した。より詳細な確認は顕微鏡を用いて行った。
（ダイボンドシートの割断性）
割断されるべきチップの総数のうち、チップとともにダイボンドシートが割断できている数を確認し、割断率を算出した。割断率が１００％の場合を「良好（〇）」、９０％以上１００％未満の場合を「やや不良（△）」、９０％未満の場合を「不良（×）」と評価した。
（カーフ均一性）
カーフ均一性の評価のために、複数箇所において、ダイボンドシート付きチップ間の間隔（カーフ）を顕微鏡観察によって測定した。任意の９箇所（中心部とウェハ外周付近４５℃刻み８方向）におけるカーフ（間隔）を測定し、測定値を算術平均することによって平均値を求めた。また、観察した９点すべてにおいてカーフが１５μｍ以上ある場合を「かなり良好（◎）」とし、５μｍ以上１５μｍ未満の場合を「良好（〇）」とし、５μｍ未満の部分がある場合を「不良（×）」とした。
<Performance evaluation (die bond sheet breakability and kerf uniformity)>
(Preparation of evaluation samples)
As an evaluation sample, a dicing die bond film with a chip (die) made using a bare wafer was prepared. Specifically, a bare wafer held by a wafer processing tape (product name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Corporation) was bonded to the die bond sheet of the dicing die bond film using a laminator. Then, the wafer processing tape was peeled off from the wafer. The bonding conditions were a bonding speed of 10 mm/sec, a temperature condition of 50 to 80°C, and a pressure condition of 0.15 MPa.
(Wafer Preparation)
First, a wafer processing tape (product name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Corporation) was attached to the first surface of a bare wafer (diameter 12 inches, thickness 780 μm, manufactured by Tokyo Kako Co., Ltd.) on which a modified region was to be formed. Next, a stealth dicing device (product name "DAL7360 (SDE05)", Power: 0.25 W, frequency: 80 kHz, manufactured by Disco Co., Ltd.) was used to form a modified region inside the bare wafer. In detail, a laser beam with a focal point on the side close to the first surface inside the wafer was irradiated from the back surface (second surface) opposite to the first surface. Irradiation was performed along the planned line for dividing the bare wafer. As a result, a modified region for fragmentation was formed inside the wafer (depth 50 μm from the first surface of the wafer) by ablation due to multiphoton absorption, so as to draw a lattice of 3 mm x 7 mm in one section. The wafer was then thinned to a thickness of 30 μm by grinding from the second side of the wafer using a back grinding machine (product name "DGP8760" manufactured by Disco Corporation). In this manner, a wafer held on a wafer processing tape was formed. This wafer included sections for dicing the wafer into a number of chips (3 mm×7 mm).
(Chip (Die) Creation)
The bare wafer prepared as described above was attached to a dicing die bond film. The bare wafer attached to the dicing die bond film was broken into small pieces by an expanding process. The expanding process was carried out using a die separator (product name: Die Separator DDS2300, manufactured by Disco Corporation) in a state in which the above-mentioned wafer processing tape was peeled off from the bare wafer. In addition, in the expanding process, cool expanding was carried out, and then room temperature expanding was carried out. The cool expanding was carried out as follows. Specifically, a SUS ring frame (manufactured by Disco Corporation) having a diameter of 12 inches was attached at room temperature to the area where the frame was to be attached on the adhesive layer of the dicing die bond film attached to the bare wafer. Then, the bare wafer to which the SUS ring frame was attached was mounted on the die separator. Then, in the cool expander unit, the expansion temperature was 0° C., the expansion speed was 100 mm/sec, and the expansion amount was 100 mm/sec. The wafer and the die bond sheet were cut under the condition of 12 mm to obtain chips with a plurality of die bond sheet layers. Further, room temperature expansion was performed under the conditions of an expansion speed of 1 mm/sec and an expansion amount of 10 mm in a room temperature environment. Then, while maintaining the expanded state, the dicing tape in the portion surrounding the outer edge of the wafer was thermally shrunk by a heater under the conditions of a heat temperature of 250° C., a heat distance of 20 mm, and a rotation speed of 3°/sec. That is, by the heat treatment method shown in FIG. 7, the dicing tape in the portion not overlapping with the group of multiple semiconductor chips was subjected to heat treatment, and the heat-treated portion was thermally shrunk. After the heat shrinkage, light was applied from the back side of the tape, and the whole was observed to see whether the chip and the die bond sheet were cut. More detailed confirmation was performed using a microscope.
(Fracture property of die bond sheet)
The number of chips that were broken together with the die bond sheet was confirmed among the total number of chips that should be broken, and the breaking rate was calculated. A breaking rate of 100% was evaluated as "good (◯)", a breaking rate of 90% or more but less than 100% was evaluated as "slightly poor (△)", and a breaking rate of less than 90% was evaluated as "poor (X)".
(Kerf uniformity)
To evaluate the kerf uniformity, the spacing (kerf) between the die-bond sheet-attached chips was measured by microscopic observation at multiple locations. The kerf (spacing) was measured at nine arbitrary locations (the center and the wafer periphery in eight directions at 45° intervals), and the average value was calculated by arithmetically averaging the measured values. In addition, when the kerf was 15 μm or more at all nine observed points, it was rated as "fairly good (◎)", when it was 5 μm or more but less than 15 μm, it was rated as "good (◯)", and when there was a portion less than 5 μm, it was rated as "poor (×)".
＜性能評価（ダイシングテープの裂けの抑制性能）＞
上述した割断性評価およびカーフ均一性評価と同様にサンプルを準備し、ダイセパレート装置に装着した。そして、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度－１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１４ｍｍの条件でエキスパンド工程を実施した。この条件にてテープが破れなかった場合を「良好（○）」、破れた場合を「不良（×）」と評価した。
<Performance evaluation (dicing tape tear prevention performance)>
A sample was prepared in the same manner as in the above-mentioned evaluation of cleavability and kerf uniformity, and was attached to a die separator. Then, an expansion process was carried out in a cool expander unit under the conditions of an expansion temperature of -15°C, an expansion speed of 200 mm/sec, and an expansion amount of 14 mm. If the tape was not torn under these conditions, it was evaluated as "good (○)", and if it was torn, it was evaluated as "poor (×)".
上記の評価結果から把握されるように、実施例のダイシングダイボンドフィルムは、比較例のダイシングダイボンドフィルムに比べて、エキスパンド工程においてダイシングテープを引き伸ばした後に、隣り合う半導体チップ間の離間距離（カーフ）が部位によってばらつくことを抑制できた。さらに、引き伸ばし時におけるダイシングテープの裂けが抑制され、しかも、ダイボンドシートを良好に割断できた。 As can be seen from the above evaluation results, the dicing die bond film of the embodiment was able to suppress the variation in the separation distance (kerf) between adjacent semiconductor chips depending on the location after the dicing tape was stretched in the expanding process, compared to the dicing die bond film of the comparative example. Furthermore, tearing of the dicing tape during stretching was suppressed, and the die bond sheet was able to be cut well.
実施例のダイシングダイボンドフィルムでは、ダイシングテープの１２０℃における弾性率が０．１０ＭＰａ以上である。
このような構成を有する実施例のダイシングダイボンドフィルムを、半導体装置を製造するときに使用することによって、半導体装置を効率良く製造することができる。半導体装置の製造においては、エキスパンド工程において、ダイシングテープを引き伸ばすとともに半導体ウエハを小片化する。そして、エキスパンド工程の後に、例えば、小片化された多数の半導体チップ群の外周に沿って加熱用ヒーター等を一方向に移動させつつ、多数の半導体チップ群の周囲部分のダイシングテープを加熱によって熱収縮させる。このように、半導体チップ群の周囲部分でダイシングテープを熱収縮させることにより、引き伸ばされた方向の逆方向にダイシングテープが縮む力を弱めることができる。ダイシングテープの縮む力を弱めた分、いったん広がった隣り合う半導体チップの間隔（カーフ）を保つことができる。
上記実施例のようにダイシングテープの１２０℃における弾性率が０．１０ＭＰａ以上であることにより、ダイシングテープにおける加熱処理される部分では、最初に加熱されて温度がより低い部位と、最後に加熱されて温度がより高い部位（例えば１２０℃付近）とが混在する。このように、ダイシングテープにおいて加熱処理を受けた部分のなかで温度差があっても、高温部分での弾性率が比較的大きいため、多数の半導体チップ群と重なった部分（中央部分）のダイシングテープが上記のごとく縮もうとするときの力のばらつきを抑えることができる。よって、半導体チップ群における部位によるカーフのばらつきを抑制できたと考えられる。
また、実施例のダイシングダイボンドフィルムでは、ダイシングテープの－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下である。そのため、ダイボンドシートを割断するための力をダイシングテープからダイボンドシートへ十分に伝えることができる。また、低温における引張力に対してダイシングテープが十分に伸びることができる。従って、ダイボンドシートを良好に割断でき、また、ダイシングテープの裂けを抑制できる。
In the dicing die bond film of the embodiment, the dicing tape has an elastic modulus of 0.10 MPa or more at 120°C.
By using the dicing die bond film of the embodiment having such a configuration when manufacturing a semiconductor device, the semiconductor device can be manufactured efficiently. In manufacturing the semiconductor device, in the expanding process, the dicing tape is stretched and the semiconductor wafer is divided into small pieces. Then, after the expanding process, for example, a heater or the like is moved in one direction along the outer periphery of the small pieces of the large number of semiconductor chips, and the dicing tape around the large number of semiconductor chips is thermally shrunk by heating. In this way, by thermally shrinking the dicing tape around the semiconductor chips, the force of the dicing tape shrinking in the opposite direction to the stretched direction can be weakened. The interval (kerf) between adjacent semiconductor chips that was once expanded can be maintained by the amount of the weakened shrinking force of the dicing tape.
As in the above embodiment, the elastic modulus of the dicing tape at 120°C is 0.10 MPa or more, so that the portion of the dicing tape that is heated includes a mixture of a portion that is heated first and has a lower temperature and a portion that is heated last and has a higher temperature (for example, around 120°C). Even if there is a temperature difference in the portion of the dicing tape that is heated, the elastic modulus of the high temperature portion is relatively large, so that the variation in the force when the dicing tape tries to shrink in the portion (center portion) overlapping with a large number of semiconductor chip groups as described above can be suppressed. Therefore, it is considered that the variation in the kerf depending on the portion of the semiconductor chip group was suppressed.
In addition, in the dicing die bond film of the embodiment, the tensile storage modulus of the dicing tape at -15°C is 280 MPa or more and 500 MPa or less. Therefore, the force for cutting the die bond sheet can be sufficiently transmitted from the dicing tape to the die bond sheet. In addition, the dicing tape can be sufficiently stretched against the tensile force at low temperature. Therefore, the die bond sheet can be well cut and the tearing of the dicing tape can be suppressed.
本発明のダイシングダイボンドフィルムは、例えば、半導体装置（半導体集積回路）を製造するときの補助用具として、好適に使用される。 The dicing die bond film of the present invention is suitable for use, for example, as an auxiliary tool when manufacturing semiconductor devices (semiconductor integrated circuits).
１：ダイシングダイボンドフィルム、
１０：ダイボンドシート、
２０：ダイシングテープ、
２１：基材層、 ２２：粘着剤層。
1: Dicing die bond film,
10: Die bond sheet,
20: dicing tape,
21: Base material layer, 22: Pressure-sensitive adhesive layer.
Claims (6)
前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下である、ダイシングダイボンドフィルム。 A dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlaid on the base layer, and a die bond sheet overlaid on the dicing tape,
The dicing die bond film has a tensile storage modulus of 0.10 MPa or more at 120° C. and a tensile storage modulus of 280 MPa or more and 500 MPa or less at −15° C.
前記複数の層の断面における弾性率であって、－５℃で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による弾性率マッピングを実施したときのヒストグラムにおける頻度最大ピークで示される弾性率のうち、最も大きい弾性率及び最も小さい弾性率をそれぞれＰ及びＱとしたときに、下記式（１）が満たされる、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
［（Ｐ－Ｑ）／Ｐ］×１００≧５ 式（１） The base layer has a plurality of laminated layers,
The dicing die bond film according to claim 1, wherein the elastic modulus in the cross section of the plurality of layers is represented by the maximum frequency peak in a histogram obtained by performing elastic modulus mapping using an atomic force microscope (AFM) at -5°C, and the largest elastic modulus and the smallest elastic modulus are represented by P and Q, respectively, and the following formula (1) is satisfied.
[(P−Q)/P]×100≧5 Formula (1)
前記複数の層の断面における弾性率であって、－５℃で原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による弾性率マッピングを実施したときのヒストグラムにおける頻度最大ピークで示される弾性率は、いずれも、１９０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下である、請求項１又は２に記載のダイシングダイボンドフィルム。 The base layer has a plurality of laminated layers,
The elastic modulus in the cross section of the plurality of layers, which is indicated by the maximum frequency peak in a histogram when elastic modulus mapping is performed using an atomic force microscope (AFM) at -5 ° C., is 190 MPa or more and 890 MPa or less. The dicing die bond film according to claim 1 or 2.
前記ダイシングテープの１２０℃における引張貯蔵弾性率が０．１０ＭＰａ以上であり、且つ、－１５℃における引張貯蔵弾性率が２８０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であり、
前記ダイシングテープの前記粘着剤層と半導体ウエハとの間に前記ダイボンドシートを配置することによって、前記ダイボンドシートを介して前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに固定するマウント工程と、
前記ダイシングテープを引き伸ばすことによって、前記ダイボンドシートと共に前記半導体ウエハを割断し、前記半導体ウエハが小片化された前記半導体チップを得るエキスパンド工程と、を備える、半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a dicing tape having a base layer and a pressure-sensitive adhesive layer overlapping the base layer; and a die bond sheet overlapping the dicing tape, the method comprising: manufacturing a semiconductor device having a semiconductor chip by using a dicing die bond film,
The dicing tape has a tensile storage modulus of 0.10 MPa or more at 120° C. and a tensile storage modulus of 280 MPa or more and 500 MPa or less at −15° C.;
a mounting step of fixing the semiconductor wafer to the dicing tape via the die bond sheet by disposing the die bond sheet between the adhesive layer of the dicing tape and the semiconductor wafer;
an expanding step of splitting the semiconductor wafer together with the die bond sheet by stretching the dicing tape to obtain semiconductor chips formed by dicing the semiconductor wafer.
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