KR20200009398A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200009398A
KR20200009398A KR1020180083700A KR20180083700A KR20200009398A KR 20200009398 A KR20200009398 A KR 20200009398A KR 1020180083700 A KR1020180083700 A KR 1020180083700A KR 20180083700 A KR20180083700 A KR 20180083700A KR 20200009398 A KR20200009398 A KR 20200009398A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
jig
support plate
container
Prior art date
Application number
KR1020180083700A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102081706B1 (ko
Inventor
박황수
유준호
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020180083700A priority Critical patent/KR102081706B1/ko
Priority to US16/504,092 priority patent/US10969700B2/en
Priority to CN201910649246.4A priority patent/CN110739245B/zh
Publication of KR20200009398A publication Critical patent/KR20200009398A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102081706B1 publication Critical patent/KR102081706B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와; 회전하는 상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에는 상기 지그의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심이 편심되도록 상기 지그를 위치시킬 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate}
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 처리 용기를 세정하는 기판 처리 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 공정을 수행한다.
이 중 사진 공정은 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다.
도 1을 참조하면, 일반적으로 기판 도포 장치는 액 공급 부재(2), 하우징(3), 기판 지지 부재(4), 처리 용기(5)를 포함한다. 기판 지지 유닛(4)은 기판(W)을 지지 및 회전시키고, 처리 용기(5)는 기판 지지 유닛(4)을 감싸도록 제공된다. 기판(W) 상에는 감광액이 공급되고, 사용된 감광액은 처리용기(5)의 회수 라인을 통해 회수된다. 감광액은 점성을 가지는 케미칼로서, 회수되는 과정에서 처리용기(5)의 내측에 부착된다. 이로 인해 기판(W)의 도포 공정이 수행된 후에는 처리 용기(5)의 내측을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 수행되어야 한다.
세정 공정은 회전하는 기판(W)의 중심에 세정액을 공급하고, 공급된 세정액이 기판(W)의 외측방향으로 비산되면서 처리 용기(5)와 충돌하여 이루어진다. 그러나, 이 경우 기판(W)과 처리 용기(5)의 내측면 사이의 거리(6)가 멀어 세정 효율이 떨어질 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 종래에는 처리 용기(5)의 세정에 사용되는 기판(W)의 크기를 늘리는 방안이 제시되었다. 그러나, 처리 용기(5)의 세정에 사용되는 기판(W)의 크기를 늘리게 되면, 처리 공정을 수행하는데 사용되는 기판(W)의 크기에 최적화되어 설정된 기판 처리 설비 시스템에 영향을 미친다.
본 발명은 처리 용기를 세정효율을 향상시킬 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 설비 시스템의 변화 없이 처리 용기 세정 효율을 높이는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와; 회전하는 상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에는 상기 지그의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심이 편심되도록 상기 지그를 위치시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지지 플레이트와 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 변화시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 모터에 의해 상기 처리 용기의 높이를 변화시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와; 상기 처리 공간 내에서 기판 또는 지그를 지지 및 회전 시키는 기판 지지 유닛과; 상기 기판을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재와 상기 처리 용기를 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재를 구비하는 액 공급 유닛과; 상기 기판 지지 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 상기 기판이 놓이는 지지 플레이트를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 지지 플레이트에 놓인 상기 기판에 상기 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계와; 상기 지지 플레이트에 놓인 회전하는 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에서 상기 지그의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심은 편심되도록 상기 지그가 상기 지지 플레이트에 지지될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지그는 원형으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지그는 상기 지지 플레이트보다 큰 직경을 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 플레이트는 상기 기판 또는 상기 지그를 진공 흡착하도록 상기 지지 플레이트에 진공압을 제공하는 진공라인을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판 및 상기 지그를 상기 기판 지지 유닛에 로딩하는 반송 로봇을 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 반송 로봇을 더 제어하며, 상기 반송 로봇이 상기 기판을 상기 지지 플레이트로 로딩시에는 상기 기판의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심이 일치되도록 상기 기판을 반송하고, 상기 반송 로봇이 상기 지그를 상기 지지 플레이트로 로딩시에는 상기 지그의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심이 편심되도록 상기 지그를 반송할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 조절하는 승강 유닛을 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 승강 유닛을 더 제어하고, 상기 용기 세정 단계에 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기의 상대 높이를 변화시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 용기의 세정 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 설비의 시스템 변화 없이 처리 용기의 세정 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 기판 처리 단계와 용기 세정 단계의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 일 실시예을 보여주는 단면도이다.
도 9는 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 2 내지 도 6을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함 한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈 (500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. 이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. 인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정 결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 반송 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 반송 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 반송 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 반송 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 반송 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 도포 챔버(410)에 제공되는 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 액 공급 유닛(840), 처리 용기(850), 승강 유닛(870), 그리고 제어기(900)을 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850)내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지 플레이트(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 지지 플레이트(832)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(832)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(832)의 내부에는 기판(W)을 진공 흡착하도록 진공 라인(837)이 제공될 수 있다. 진공 라인(837)에 진공압을 제공하는 감압 부재(838)가 설치될 수 있다. 이에 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 흡착할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(832)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 또한 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. 회전축(834)은 지지 플레이트(832)의 아래에서 지지 플레이트(832)를 지지할 수 있다. 회전축(834)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공될 수 있다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공할 수 있다. 예컨대, 구동기(836)는 모터일 수 있다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 세정액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 처리액 공급 부재(842) 및 세정액 공급 부재(844)를 포함할 수 있다. 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있고 세정액은 신너(Thinner)일 수 있다. 처리액 공급 부재(842)와 세정액 공급 부재(844)는 중앙 위치에서 처리액을 공급할 수 있다. 여기서 중앙 위치는 액 공급 부재(842,844)가 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간(852)을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 제공될 수 있다. 처리 용기(850)는 바닥부(854), 측면부(856), 그리고 상면부(858)를 포함한다. 바닥부(854)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다.
바닥부(854)에는 회수 라인(855)이 형성된다. 회수 라인(855)은 처리 공간(852)을 통해 회수된 처리액 및 세정액을 외부의 액 재생 시스템(미도시)으로 제공할 수 있다. 측면부(856)는 중공을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 측면부(856)는 바닥부(854)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측면부(856)는 바닥부(854)로부터 위로 연장된다. 상면부(858)는 측면부(856)의 상단으로부터 연장된다. 상면부(858)는 기판 지지 유닛(830)에 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향한다.
승강 유닛(870)은 기판 지지 유닛(830)과 처리 용기(850) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(890)은 처리 용기(850)를 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 브라켓(872), 이동축(874), 그리고 구동 부재(876)를 포함한다. 구동 부재(876)는 모터 일 수 있다. 브라켓(872)은 외측 컵(852)의 측면부(856)에 고정 결합된다. 이동축(874)은 브라켓(872)을 지지한다. 이동축(874)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 구동 부재(876)는 이동축(874)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 따라 브라켓(872)과 처리 용기(850)는 상하 방향으로 이동 가능하다.
제어기(900)는 후술하는 기판 처리 단계와 용기 세정 단계를 수행할 수 있게 기판 지지 유닛(830), 액 공급 유닛(840), 승강 유닛(870) 및 반송 로봇(432)을 제어할 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 기판 처리 과정은 처리 용기(850) 내의 처리 공간(852)에 제공된 지지 플레이트(832) 상에 지지된 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 기판 처리 단계와, 지지 플레이트(832) 상에 지지된 지그(G)에 세정액을 공급하여 처리 용기(850)를 세정하는 용기 세정 단계를 포함할 수 있다. 아래에서는 기판과 지그의 크기가 동일한 것을 예로 들어 설명한다.
도 7은 본 발명의 기판 처리 단계와 용기 세정 단계의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 7 (a)를 참조하면, 기판 처리 단계가 진행되면, 기판(W)이 반송 로봇(432)에 의해 지지 플레이트(832)상에 로딩될 수 있다. 반송 로봇(432)은 기판(W)을 지지 플레이트(832)로 로딩시에는 기판(W)의 중심과 지지 플레이트(832) 중심이 일치되도록 기판(W)을 반송할 수 있다. 지지 플레이트(832)는 진공압을 제공할 수 있다. 이에 기판(W)은 지지 플레이트(832)에 흡착될 수 있다.
기판(W)은 기판 지지 유닛(830)에 의해 회전된다. 처리액 공급 부재(842)은 중앙 위치에서 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 포토레지스트과 같은 감광액일 수 있다. 기판(W)의 상면 중앙 영역에 공급된 처리액은 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 가장자리 영역으로 도포된다. 기판(W)의 처리액 도포 공정이 완료되면 처리 용기(850)의 세정 공정이 수행될 수 있다.
도 7 (b)를 참조하면, 용기 세정 단계가 진행되면, 처리 용기(850)의 세정에 사용되는 지그(G)가 반송 로봇(432)에 의해 지지 플레이트(832)상에 로딩될 수 있다. 반송 로봇(432)은 지그(G)를 지지 플레이트(832)로 로딩시에는 지그(G)의 중심과 지지 플레이트(832)의 중심이 편심되도록 지그(G)를 반송할 수 있다. 예컨대, 지그(G)의 중심과 지지 플레이트(832)의 중심 사이의 거리가 설정 거리(P2)가 되도록 지그(G)를 반송할 수 있다. 설정거리(P2)는 기판(W)이 지지 플레이트(832)에 정위치 된 경우에 기판(W)과 처리 용기(850)의 상면부(858) 내측 끝단의 사이 거리(P1)보다 작을 수 있다. 또한 설정 거리(P2)는 사이 거리(P1)와 같을 수 있다. 또한, 지그(G)는 지지 플레이트(832)보다 큰 직경을 가질 수 있다.
도 8은 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 일 실시예을 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 용기 세정 단계에서 지그(G)는 지그(G)의 중심과 지지 플레이트(832)의 중심이 편심되도록 위치될 수 있다. 지그(G)는 지지 플레이트(832)에 의해 회전될 수 있다. 세정액 공급 부재(844)가 회전하는 지그(G)의 상면 중앙 영역에 세정액을 공급하면, 세정액은 지그(G)의 가장자리 영역으로 비산될 수 있다. 지그(G)에 공급된 세정액은 지그(G)가 제공하는 경로를 따라 지그(G)의 외측 수평 방향으로 비산될 수 있다. 비산된 세정액은 처리 용기(850)의 내측과 충돌할 수 있다. 처리 용기(850)의 내측과 충돌한 세정액은 처리 용기(850)의 내측에 부착된 처리액을 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 지그(G)의 중심과 지지 플레이트(832)의 중심이 편심되도록 지그(G)를 반송할 수 있다. 이 경우 회전하는 지그(G)의 상면에 공급된 세정액의 유속이 빨라질 수 있다. 예컨대, 지그(G)의 공급된 세정액은 지그(G)가 제공하는 경로를 따라 비산될 수 있다. 지그(G)의 중심이 지지 플레이트(832)의 중심에 편심되어 놓여지면서 지그(G)가 제공하는 경로는 길어질 수 있다. 이에, 지그(G)의 원심력이 세정액에 인가되는 시간이 길어질 수 있다. 이에, 세정액이 가속되는 시간이 길어질 수 있다.. 이에 처리 용기(850)의 내측을 향해 비산되는 세정액의 유속은 빨라질 수 있다.
비산되는 세정액의 유속이 빨라지면서, 세정액이 처리 용기(850)의 내측에 인가하는 충돌력도 커질 수 있다. 이에 처리 용기(850)의 세정 효율은 증가할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면 지그(G)에 공급되는 세정액의 비산 거리를 달리할 수 있다. 예컨대, 비산 거리는 작아질 수 있다. 여기서 비산 거리는 지그(G)의 외측과 처리 용기(850)의 내측 사이 거리로 정의될 수 있다.
비산 거리가 크면 비산되는 세정액은 처리 용기(850)와 충돌하지 않고 곧바로 처리 용기(850)의 바닥부(854)로 떨어 질 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 지그(G)를 편심하여 위치시킴으로써 비산 거리가 작아지게 할 수 있다. 이에 처리 용기(850)의 내측과 충돌하지 않는 세정액의 양이 줄어들게 할 수 있다. 이에 처리 용기(850)의 세정 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 처리 용기(850) 세정에 사용되지 않는 세정액의 낭비를 줄일 수 있다.
도 9는 용기 세정 단계에서 처리 용기가 세정되는 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 용기 세정 단계에서 승강 유닛(870)은 지지 플레이트(832)과 처리 용기(850)간의 상대 높이를 변화시킬 수 있다. 승강 유닛(870)의 구동 부재(876)은 모터일 수 있다. 상대 높이의 변화는 모터에 의해 처리 용기(850)의 높이를 변화시켜 이루어질 수 있다. 이에 구동 부재(876)가 유압기 등으로 제공되는 경우와 달리 처리 용기(850) 높이의 미세 조절이 가능하다. 따라서, 처리 용기(850)의 높이 변화를 천천히 수행할 수 있다. 이에 처리 용기(850)의 세정 효율이 증가될 수 있다. 또한, 용기 세정 단계가 수행되는 동안에 처리 용기(850)와 지지 플레이트(832)의 상대 높이가 변화함에 따라, 세정 영역이 넓어질 수 있다. 예컨대, 처리 용기(850)의 측면부(856)와 상면부(858)의 내측에 부착된 처리액을 세정할 수 있다.
상술한 예에서는 지그(G)를 이용하여 처리 용기(850)를 세정하는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 기판(W)을 이용하여 처리 용기(850)를 세정할 수 있다.
상술한 예에서는 기판(W)과 동일한 형상의 지그(G)로 처리 용기(850)를 세정하는 것을 설명하였다. 그러나 이와 달리, 지그(G)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 지그(G)는 평평하게 형상 지어진 중앙 영역과, 상향 경사지게 형상지어진 가장자리 영역을 가질 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사지는 복수의 돌출부가 제공될 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 외측으로 상향 경사지는 복수의 돌출부와 외측으로 하향 경사지는 복수의 만입부를 포함할 수 있다. 또한, 지그(G)의 가장자리 영역은 원주 방향 및 외측 상향 경사진 방향을 따라 굴곡지는 형상을 가질 수 있다. 이에, 지그(G)에 공급되는 세정액은 다양한 방향으로 비산되어 처리 용기(850)의 세정을 효율적으로 수행할 수 있다.
830 : 기판 지지 유닛
840 : 액 공급 유닛
850 : 처리 용기
870 : 승강 유닛
900 : 제어기

Claims (11)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    처리 용기 내의 처리 공간에 제공된 지지 플레이트 상에 지지된 기판에 처리액을 공급하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계와;
    회전하는 상기 지지 플레이트 상에 지지된 지그에 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되,
    상기 용기 세정 단계에는 상기 지그의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심이 편심되도록 상기 지그를 위치시키는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 용기 세정 단계에서 상기 지지 플레이트와 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 변화시키는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    모터에 의해 상기 처리 용기의 높이를 변화시키는 기판 처리 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일한 기판 처리 방법.
  5. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 공간 내에서 기판 또는 지그를 지지 및 회전 시키는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판을 처리하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 부재와 상기 처리 용기를 세정하는 세정액을 공급하는 세정액 공급 부재를 구비하는 액 공급 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 기판 지지 유닛은 상기 기판이 놓이는 지지 플레이트를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 지지 플레이트에 놓인 상기 기판에 상기 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 단계와;
    상기 지지 플레이트에 놓인 회전하는 상기 지그에 상기 세정액을 공급하여 상기 처리 용기를 세정하는 용기 세정 단계를 포함하되,
    상기 용기 세정 단계에서 상기 지그의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심은 편심되도록 상기 지그가 상기 지지 플레이트에 지지되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 지그는 원형으로 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 지그는 상기 지지 플레이트보다 큰 직경을 가지는 기판 처리 장치.
  8. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 플레이트는 상기 기판 또는 상기 지그를 진공 흡착하도록 상기 지지 플레이트에 진공압을 제공하는 진공라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 기판 및 상기 지그를 상기 기판 지지 유닛에 로딩하는 반송 로봇을 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 반송 로봇을 더 제어하며,
    상기 반송 로봇이 상기 기판을 상기 지지 플레이트로 로딩시에는 상기 기판의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심이 일치되도록 상기 기판을 반송하고,
    상기 반송 로봇이 상기 지그를 상기 지지 플레이트로 로딩시에는 상기 지그의 중심과 상기 지지 플레이트의 중심이 편심되도록 상기 지그를 반송하는 기판 처리 장치.
  10. 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기 간에 상대 높이를 조절하는 승강 유닛을 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 승강 유닛을 더 제어하고,
    상기 용기 세정 단계에 상기 기판 지지 유닛과 상기 처리 용기의 상대 높이를 변화시키는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판과 상기 지그의 크기는 동일한 기판 처리 장치.
KR1020180083700A 2018-07-18 2018-07-18 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 KR102081706B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180083700A KR102081706B1 (ko) 2018-07-18 2018-07-18 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US16/504,092 US10969700B2 (en) 2018-07-18 2019-07-05 Apparatus and method for treating substrate
CN201910649246.4A CN110739245B (zh) 2018-07-18 2019-07-18 用于处理基板的装置和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180083700A KR102081706B1 (ko) 2018-07-18 2018-07-18 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200009398A true KR20200009398A (ko) 2020-01-30
KR102081706B1 KR102081706B1 (ko) 2020-02-27

Family

ID=69163012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180083700A KR102081706B1 (ko) 2018-07-18 2018-07-18 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10969700B2 (ko)
KR (1) KR102081706B1 (ko)
CN (1) CN110739245B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7276242B2 (ja) * 2020-05-11 2023-05-18 信越半導体株式会社 シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置
KR20220158515A (ko) * 2021-05-24 2022-12-01 에이디알씨 주식회사 스프레이 코터 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터
KR102628419B1 (ko) * 2021-07-08 2024-01-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100888654B1 (ko) * 2007-10-10 2009-03-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20120026131A (ko) * 2009-07-03 2012-03-16 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 웨트 처리 장치 및 웨트 처리 방법
KR20140008254A (ko) * 2012-07-11 2014-01-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 세정용 지그 및 세정 방법
KR20160057036A (ko) * 2014-11-12 2016-05-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR101623412B1 (ko) * 2015-03-31 2016-06-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20180077382A (ko) * 2016-12-28 2018-07-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3690619B2 (ja) * 1996-01-12 2005-08-31 忠弘 大見 洗浄方法及び洗浄装置
JP2000031103A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Sony Corp 洗浄方法、洗浄液置換方法、洗浄装置並びに洗浄槽
JP4505563B2 (ja) * 2000-06-30 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP3284496B2 (ja) * 2000-08-09 2002-05-20 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき液除去方法
JP4812660B2 (ja) * 2007-03-09 2011-11-09 信越ポリマー株式会社 基板等の取扱装置及び基板等の取扱方法
KR100931856B1 (ko) * 2007-08-24 2009-12-15 세메스 주식회사 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
GB0725098D0 (en) * 2007-12-21 2008-01-30 Anywayup Llp Improvements in and relating to feeding apparatus
DE102008011214A1 (de) * 2008-02-26 2009-08-27 Baumgardt, Jens, Dr. Bioreaktorsystem
JP5151629B2 (ja) 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5084639B2 (ja) 2008-06-30 2012-11-28 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
CN101745361B (zh) * 2010-01-22 2013-03-13 扬州惠通化工技术有限公司 高粘度自洁反应器
DE102010051275A1 (de) * 2010-11-12 2012-05-16 Heyo Mennenga Reinigungsvorrichtung für Rührwerksreaktoren
US20150034702A1 (en) * 2013-08-01 2015-02-05 Semigear Inc Apparatus & method for treating substrate
JP6234736B2 (ja) 2013-08-30 2017-11-22 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
CN110060925B (zh) * 2014-03-28 2023-02-17 株式会社斯库林集团 基板处理方法
AU2016101847B4 (en) * 2015-10-28 2022-02-17 Bissell Inc. Surface cleaning apparatus
JP6684191B2 (ja) * 2016-09-05 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
JP6749225B2 (ja) * 2016-12-06 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
CN108269750B (zh) * 2016-12-30 2022-01-04 细美事有限公司 基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100888654B1 (ko) * 2007-10-10 2009-03-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20120026131A (ko) * 2009-07-03 2012-03-16 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 웨트 처리 장치 및 웨트 처리 방법
KR20140008254A (ko) * 2012-07-11 2014-01-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 세정용 지그 및 세정 방법
KR20160057036A (ko) * 2014-11-12 2016-05-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR101623412B1 (ko) * 2015-03-31 2016-06-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20180077382A (ko) * 2016-12-28 2018-07-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20200026205A1 (en) 2020-01-23
CN110739245A (zh) 2020-01-31
US10969700B2 (en) 2021-04-06
CN110739245B (zh) 2023-02-17
KR102081706B1 (ko) 2020-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10682674B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102081706B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102099105B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102315667B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101977752B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170070610A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102415320B1 (ko) 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR20180027357A (ko) 기판 세정 장치 및 그것을 구비하는 기판 처리 장치
KR102121241B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102175075B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR102010261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20200011290A (ko) 기판 처리 장치
KR101817213B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20210000355A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20210028788A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102119683B1 (ko) 홈 포트, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102289486B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102298083B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101958641B1 (ko) 기판 처리 장치 및 홈포트 배기 방법
KR102010263B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220096195A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102204885B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102108316B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102330278B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR102415319B1 (ko) 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right