KR20170070610A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170070610A
KR20170070610A KR1020150178333A KR20150178333A KR20170070610A KR 20170070610 A KR20170070610 A KR 20170070610A KR 1020150178333 A KR1020150178333 A KR 1020150178333A KR 20150178333 A KR20150178333 A KR 20150178333A KR 20170070610 A KR20170070610 A KR 20170070610A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
space
chamber
maintenance
clean air
Prior art date
Application number
KR1020150178333A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102467054B1 (ko
Inventor
김광수
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020150178333A priority Critical patent/KR102467054B1/ko
Publication of KR20170070610A publication Critical patent/KR20170070610A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102467054B1 publication Critical patent/KR102467054B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부 공간을 가지며, 기판이 반출입되는 반입구와 유지 보수를 위해 제공되는 개구가 형성되는 챔버, 상기 개구를 개폐하는 메인터넌스 도어, 상기 내부 공간에 청정 에어를 공급하는 공급팬을 가지는 기류 형성 유닛들, 그리고 상기 기류 형성 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수를 위해 상기 개구가 개방될 때에 상기 내부 공간에 상기 청정 에어가 공급되도록 상기 공급팬을 제어한다. 이로 인해 도어가 개방될지라도, 챔버 내에 외부의 파티클 및 기류가 유입되는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 각각은 복수의 챔버들이 연결된 하나의 설비에서 진행된다. 기판은 설비에 반입되면, 공정 순서에 따라 각 챔버들에서 진행된다.
이러한 설비들 중 건식 식각 공정 및 박막 증착 공정을 수행하는 장치는 진공 분위기에서 기판을 처리하기 위해 외부와 완전 차단된다.
이와 달리 사진 공정, 습식 식각 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정을 수행하는 설비는 일부에 틈이 있으며, 그 틈을 통해 내부 분위기와 외부가 통한다. 이로 인해 틈을 가지는 설비는 파티클 및 외부의 기류가 유입되는 것을 방지하기 위해 그 내부 분위기를 외부보다 높은 압력으로 유지한다. 일반적으로 설비 내에는 하강 기류가 형성된다.
이러한 설비는 기판을 처리하는 과정에서 각 챔버들의 손상을 방지하기 메인터넌스 작업이 주기적으로 진행된다. 각 챔버는 메인터넌스 도어 및 기판 반송 도어를 가지며, 메인터넌스 도어는 작업자의 출입구를 개폐하고, 기판 반송 도어는 기판의 출입구를 개페한다. 메인터넌스 작업은 메인터넌스 도어를 개방하고, 그 내부 분위기를 관찰하거나 작업자가 출입하여 손상된 챔버를 수리하는 작업이다.
설비는 인덱스 모듈, 반송 챔버, 그리고 반송 챔버의 양측 각각에 위치되는 공정 챔버들로 이루어진다. 인덱스 모듈, 반송 챔버, 그리고 공정 챔버들 각각에는 하강 기류가 형성되며, 반송 챔버에는 이와 다른 챔버들에 비해 큰 유량의 기류가 제공된다. 이에 따라 공정 챔버를 메인터넌스 시에는 설비 내에 형성된 기류가 반송 챔버에서 공정 챔버로 이동되며, 외부의 파티클 및 기류가 공정 챔버에 유입되는 것을 방지한다.
그러나 인덱스 모듈과 같이 내부에 큰 공간을 가지는 챔버의 메인터넌스 도어를 개방하는 과정에는 도 1과 같이, 반송 챔버의 기류가 공정 챔버의 기류들과 함께 인덱스 모듈을 향하는 방향으로 이동된다. 이에 따라 공정 챔버 내에는 틈을 통해 외부의 파티클 및 기류가 유입된다.
본 발명은 인덱스 챔버의 메인터넌스 도어를 개방 시 공정 챔버 내에 형성된 기류가 인덱스 챔버를 향하는 방향으로 이동되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 인덱스 챔버의 메인터넌스 시 공정 챔버에 외부의 파티클 및 기류가 설비 내에 유입되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부 공간을 가지며, 기판이 반출입되는 반입구와 유지 보수를 위해 제공되는 개구가 형성되는 챔버, 상기 개구를 개폐하는 메인터넌스 도어, 상기 내부 공간에 청정 에어를 공급하는 공급팬을 가지는 기류 형성 유닛들, 그리고 상기 기류 형성 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수를 위해 상기 개구가 개방될 때에 상기 내부 공간에 상기 청정 에어가 공급되도록 상기 공급팬을 제어한다.
상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수 시에 상기 내부 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 기판을 처리 시에 상기 내부 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 공급팬을 제어할 수 있다. 상기 공급팬은 상기 내부 공간에 하강 기류를 형성하도록 상기 챔버에 설치될 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 상기 내부 공간을 배기하는 배기팬을 가지는 배기 유닛을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수를 위해 상기 개구가 개방될 때에 상기 내부 공간을 배기하도록 상기 배기팬을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수 시에 상기 내부 공간을 배기하는 배기량이, 기판을 처리 시에 상기 내부 공간을 배기하는 배기량보다 적도록 상기 배기팬을 제어할 수 있다.
기판을 처리하는 방법으로는 상기 내부 공간이 외부로부터 밀폐된 상태에서 기판을 처리하는 처리 단계 및 상기 내부 공간이 상기 외부와 개방된 상태에서 상기 내부 공간을 유지 보수하는 메인터넌스 단계를 포함하되, 상기 처리 단계 및 상기 메인터넌스 단계 각각에서 상기 내부 공간으로 청정 에어를 공급한다.
상기 메인터넌스 단계에서 상기 내부 공간에 공급되는 청정 에어의 공급량은 상기 처리 단계에서 상기 내부 공간에 공급되는 청정 에어의 공급량보다 많게 제공될 수 있다. 상기 청정 에어는 상기 내부 공간에 하강 기류를 형성하도록 제공될 수 있다. 상기 처리 단계 및 상기 메인터넌스 단계 각각에는 상기 내부 공간을 배기하되, 상기 메인터넌스 단계에서 상기 내부 공간을 배기하는 배기량은 상기 처리 단계에서 상기 내부 공간을 배기하는 배기량보다 적게 제공될 수 있다.
또한 기판 처리 장치는 내부에 인덱스 공간며, 기판이 반출입되는 반입구와 유지보수를 위해 제공되는 개구가 형성되는 인덱스 모듈, 상기 개구를 개폐하는 메인터넌스 도어, 상기 인덱스 공간에 청정 에어를 공급하는 제1공급팬을 가지는 기류 형성 유닛들, 그리고 상기 기류 형성 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 인덱스 모듈의 유지 보수를 위해 상기 개구가 개방될 때에 상기 인덱스 공간에 상기 청정 에어가 공급되도록 상기 제1공급팬을 제어한다.
상기 제어기는 상기 유지 보수 시에 상기 인덱스 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 상기 인덱스 공간에서 기판을 처리 시에 상기 인덱스 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 제1공급팬을 제어할 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 상기 인덱스 공간을 배기하는 배기팬을 가지는 배기 유닛을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수 시에 상기 인덱스 공간을 배기하는 배기량이, 기판을 처리 시에 상기 인덱스 공간을 배기하는 배기량보다 적도록 상기 배기팬을 제어할 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 내부에 공정 공간을 가지며, 기판 처리 공정을 수행하는 공정 챔버 및 내부에 반송 공간을 가지며, 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 더 포함하되, 상기 기류 형성 유닛은 상기 반송 공간 내에 청정 에어를 공급하는 제2공급팬을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 유지 보수 시에 상기 반송 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 기판을 처리 시에 상기 반송 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 제2공급팬을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 반송 공간의 압력이 상기 인덱스 공간보다 높도록 상기 제1공급팬 또는 상기 제2공급팬을 제어할 수 있다. 상기 기류 형성 유닛은 상기 공정 공간 내에 청정 에어를 공급하는 제3공급팬을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 유지 보수 시에 상기 공정 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 기판을 처리 시에 상기 공정 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 제3공급팬을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 반송 공간의 압력이 상기 공정 공간보다 높도록 상기 제2공급팬 또는 상기 제3공급팬을 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 챔버에 설치된 도어가 개폐에 따라 챔버 내에 공급되는 청정 에어의 공급량을 조절한다. 이로 인해 챔버가 외부로부터 개방될지라도, 챔버 내에 외부의 파티클 및 기류가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 챔버에 설치된 도어가 개폐에 따라 처리 유닛의 내부 분위기를 배기하는 배기량을 조절한다. 이로 인해 챔버가 외부로부터 개방될지라도, 챔버 내에 외부의 파티클 및 기류가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 사진 공정을 수행하는 장치를 개방 시 내부 기류의 방향 및 외부 기류의 유입을 보여주는 평면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2의 설비에서 팬 필터 유닛 및 배기 유닛이 설치된 영역을 표시한 도면이다.
도 8은 도 3의 설비에서 팬 필터 유닛 및 배기 유닛이 설치된 영역을 표시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 2 내지 도 8을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이며, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 제2방향(14)을 향하는 프레임(210)의 일측면에는 메인터넌스 도어가 설치된다. 메인터넌스 도어는 프레임의 내부를 이의 외부와 통하도록 개폐한다. 예컨대, 메인터넌스 도어는 인덱스 모듈 및 반송 챔버의 메인터넌스를 위해 개방될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다.
기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840)을 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다.
회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834,836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다.
내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.
외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.
경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 처리 노즐(844)을 포함한다. 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 본 실시예에는 액 공급 유닛(840)이 단일의 처리 노즐(844)이 설치되는 것으로 설명하였으나, 처리 노즐(844)은 복수 개로 제공될 수 있다. 각각의 처리 노즐(844)은 서로 상이한 종류의 감광액을 토출할 수 있다.
다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토 레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 설비(1) 내에 형성되는 기류에 대해 설명한다. 도 7은 도 2의 설비에서 팬 필터 유닛 및 배기 유닛이 설치된 영역을 표시한 도면이고, 도 8은 도 3의 설비에서 팬 필터 유닛 및 배기 유닛이 설치된 영역을 표시한 도면이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, "/"을 향하는 빗금 영역은 청정 에어가 공급되는 영역이고 "＼"을 향하는 빗금 영역은 배기 부재가 설치된 영역으로 제공된다. 인덱스 모듈(200)(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700) 각각에는 팬 필터 유닛이 설치된다. 팬 필터 유닛은 각 모듈 내에 청정 에어를 공급한다. 팬 필터 유닛은 각 모듈의 내부가 상압보다 높은 압력을 가지도록 청정 에어를 공급한다. 팬 필터 유닛은 각 모듈의 상단에 설치된다. 팬 필터 유닛은 각 모듈 내에 하강 기류를 형성한다. 일 예에 의하면, 팬 필터 유닛은 베이크 챔버(420,470)를 제외한 각 영역에 설치될 수 있다. 도 8에 의하면, 팬 필터 유닛은 제1공급팬(1110), 제2공급팬(미도시), 그리고 제3공급팬(1130)을 포함한다. 제1공급팬(1110)은 인덱스 모듈(200)에 설치되고, 제2공급팬(미도시)은 도포 및 현상 모듈(400)의 반송 챔버(430)에 설치되며, 제3공급팬(1130)은 도포 챔버들(810) 및 현상 챔버들(460) 각각에 일대일 대응되도록 설치된다. 제1공급팬(1110)은 제1보수 공급 속도 및 이보다 느린 제1처리 공급 속도로 회전된다. 제2공급팬(미도시)은 제2보수 공급 속도 및 이보다 느린 제2처리 공급 속도로 회전된다. 제3공급팬(1130)은 제3보수 공급 속도 및 이보다 느린 제3처리 공급 속도로 회전된다.
배기 유닛은 인덱스 모듈(200)(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400)(400), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 설치된다. 배기 유닛은 각 모듈 내에 분위기를 배기한다. 일 예에 의하면, 배기 유닛은 도포 및 현상 모듈(400)의 반송 챔버(430)를 제외한 각 영역에 설치될 수 있다. 도 8에 의하면, 배기 유닛은 제1배기 부재 및 제2배기 부재를 포함한다. 제1배기 부재는 인덱스 모듈(200)에 설치되고, 제2배기 부재는 도포 챔버(810)들 및 현상 챔버(460)들에 일대일 대응되도록 설치된다.
제1배기 부재는 배기관 및 제1배기팬(1230)을 포함한다. 제1배기팬(1230)은 배기관에 설치되면, 제1보수 배기 속도 및 이보다 빠른 처리 배기 속도르 회전된다.
제2배기 부재는 배기관을 포함한다. 제2배기 부재는 제1배기 부재와 달리, 배기팬이 제공되지 않는다. 제2배기 부재는 도포 챔버(810)들 및 현상 챔버(460)들의 내부 분위기를 자연 배기한다. 예컨대 제2배기 부재는 외측 배기구(816)일 수 있다.
팬 필터 유닛 및 배기 유닛 각각은 제어기(1300)에 의해 제어된다. 제어기(1300)는 제1공급팬(1110), 제2공급팬(미도시), 제3공급팬(1130), 그리고 제1배기팬(1230) 각각을 독립 구동한다. 제어기(1300)는 인덱스 모듈(200)에 설치된 메인터넌스 도어의 동작에 의해 각 팬의 회전 속도를 조절한다. 제어기(1300)는 메인터넌스 도어가 닫힌 상태에서 기판(W)을 처리하는 단계에는 제1공급팬(1110)을 제1처리 공급 속도로, 제2공급팬(미도시)을 제2처리 공급 속도로, 그리고 제3공급팬(1130)은 제3처리 공급 속도로 회전시킨다.
이와 달리, 설비(!)의 메인터넌스를 위해 메인터넌스 도어는 개방될 수 있다. 메인터넌스 단계에는 메인터넌스 도어가 개방되고, 제1공급팬(1110)을 제1보수 공급 속도로, 제2공급팬(미도시)을 제2보수 공급 속도로, 그리고 제3공급팬(1130)은 제3보수 공급 속도로 회전시킨다. 반송 챔버(430)의 내부 압력은 인덱스 모듈(200)의 내부 압력에 비해 높게 유지된다. 또한 반송 챔버(430)의 내부 압력은 도포 챔버(810)들 및 현상 챔버(460)들의 내부 압력에 비해 높게 유지된다. 일 예에 의하면, 제2보수 공급 속도는 제1보수 공급 속도 및 제3보수 공급 속도보다 빠르고, 제2처리 공급 속도는 제1처리 공급 속도 및 제3처리 공급 속도보다 빠를 수 있다.
이로 인해 인덱스 모듈(200)의 내부 압력이 낮아지는 것을 보상하며, 설비(1) 전체의 기류가 인덱스 모듈(200)로 치우치는 것을 방지할 수 있다.
또한 설비(1) 내에 기류는 반송 챔버(430)에서 도포 챔버들(810), 현상 챔버들(460), 베이크 챔버들(420,470), 그리고 인덱스 모듈(200)을 향하는 방향으로 이동되고, 인덱스 모듈(200)의 압력 변화는 도포 챔버들(810) 및 현상 챔버들(460)의 압력 변화에 영향을 끼치지 않을 수 있다.
200: 인덱스 모듈 430: 반송 챔버
460: 현상 챔버 810: 도포 챔버
1110: 제1공급팬 1130: 제3공급팬
1300: 제어기

Claims (16)

  1. 내부 공간을 가지며, 기판이 반출입되는 반입구와 유지 보수를 위해 제공되는 개구가 형성되는 챔버와;
    상기 개구를 개폐하는 메인터넌스 도어와;
    상기 내부 공간에 청정 에어를 공급하는 공급팬을 가지는 기류 형성 유닛들과;
    상기 기류 형성 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수를 위해 상기 개구가 개방될 때에 상기 내부 공간에 상기 청정 에어가 공급되도록 상기 공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수 시에 상기 내부 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 기판을 처리 시에 상기 내부 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 공급팬은 상기 내부 공간에 하강 기류를 형성하도록 상기 챔버에 설치되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 내부 공간을 배기하는 배기팬을 가지는 배기 유닛을 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수를 위해 상기 개구가 개방될 때에 상기 내부 공간을 배기하도록 상기 배기팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수 시에 상기 내부 공간을 배기하는 배기량이, 기판을 처리 시에 상기 내부 공간을 배기하는 배기량보다 적도록 상기 배기팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 내부 공간이 외부로부터 밀폐된 상태에서 기판을 처리하는 처리 단계와;
    상기 내부 공간이 상기 외부와 개방된 상태에서 상기 내부 공간을 유지 보수하는 메인터넌스 단계를 포함하되,
    상기 처리 단계 및 상기 메인터넌스 단계 각각에서 상기 내부 공간으로 청정 에어를 공급하는 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 메인터넌스 단계에서 상기 내부 공간에 공급되는 청정 에어의 공급량은 상기 처리 단계에서 상기 내부 공간에 공급되는 청정 에어의 공급량보다 많게 제공되는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 청정 에어는 상기 내부 공간에 하강 기류를 형성하도록 제공되는 기판 처리 방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 단계 및 상기 메인터넌스 단계 각각에는 상기 내부 공간을 배기하되,
    상기 메인터넌스 단계에서 상기 내부 공간을 배기하는 배기량은 상기 처리 단계에서 상기 내부 공간을 배기하는 배기량보다 적게 제공되는 기판 처리 방법.
  10. 내부에 인덱스 공간며, 기판이 반출입되는 반입구와 유지보수를 위해 제공되는 개구가 형성되는 인덱스 모듈과;
    상기 개구를 개폐하는 메인터넌스 도어와;
    상기 인덱스 공간에 청정 에어를 공급하는 제1공급팬을 가지는 기류 형성 유닛들과;
    상기 기류 형성 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는 상기 인덱스 모듈의 유지 보수를 위해 상기 개구가 개방될 때에 상기 인덱스 공간에 상기 청정 에어가 공급되도록 상기 제1공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 유지 보수 시에 상기 인덱스 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 상기 인덱스 공간에서 기판을 처리 시에 상기 인덱스 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 제1공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 인덱스 공간을 배기하는 배기팬을 가지는 배기 유닛을 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 챔버의 유지 보수 시에 상기 인덱스 공간을 배기하는 배기량이, 기판을 처리 시에 상기 인덱스 공간을 배기하는 배기량보다 적도록 상기 배기팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는.
    내부에 공정 공간을 가지며, 기판 처리 공정을 수행하는 공정 챔버와;
    내부에 반송 공간을 가지며, 상기 인덱스 모듈과 상기 공정 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 챔버를 더 포함하되,
    상기 기류 형성 유닛은,
    상기 반송 공간 내에 청정 에어를 공급하는 제2공급팬을 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 유지 보수 시에 상기 반송 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 기판을 처리 시에 상기 반송 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 제2공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 반송 공간의 압력이 상기 인덱스 공간보다 높도록 상기 제1공급팬 또는 상기 제2공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기류 형성 유닛은,
    상기 공정 공간 내에 청정 에어를 공급하는 제3공급팬을 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 유지 보수 시에 상기 공정 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량이, 기판을 처리 시에 상기 공정 공간에 공급되는 상기 청정 에어의 공급량보다 많도록 상기 제3공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 반송 공간의 압력이 상기 공정 공간보다 높도록 상기 제2공급팬 또는 상기 제3공급팬을 제어하는 기판 처리 장치.




KR1020150178333A 2015-12-14 2015-12-14 기판 처리 장치 및 방법 KR102467054B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150178333A KR102467054B1 (ko) 2015-12-14 2015-12-14 기판 처리 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150178333A KR102467054B1 (ko) 2015-12-14 2015-12-14 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170070610A true KR20170070610A (ko) 2017-06-22
KR102467054B1 KR102467054B1 (ko) 2022-11-15

Family

ID=59282805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150178333A KR102467054B1 (ko) 2015-12-14 2015-12-14 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102467054B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018113295A1 (de) 2017-06-07 2018-12-13 Hyundai Autron Co., Ltd. Überwachungsvorrichtung zur Überwachung einer Mikrosteuereinheit mit mehreren Kernen und Verfahren zum Betreiben dieser Vorrichtung
CN111048444A (zh) * 2018-10-15 2020-04-21 细美事有限公司 加热板冷却方法和基板处理装置及方法
KR20200050039A (ko) * 2018-10-31 2020-05-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20210081491A (ko) * 2019-12-23 2021-07-02 세메스 주식회사 베이크 챔버
US11380560B2 (en) 2018-05-03 2022-07-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020010442A (ko) * 2000-02-01 2002-02-04 히가시 데쓰로 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2003100620A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010003867A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Hitachi High-Tech Control Systems Corp 搬送用局所クリーンルーム、およびミニエン装置
JP2013089689A (ja) * 2011-10-14 2013-05-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020010442A (ko) * 2000-02-01 2002-02-04 히가시 데쓰로 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2003100620A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010003867A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Hitachi High-Tech Control Systems Corp 搬送用局所クリーンルーム、およびミニエン装置
JP2013089689A (ja) * 2011-10-14 2013-05-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018113295A1 (de) 2017-06-07 2018-12-13 Hyundai Autron Co., Ltd. Überwachungsvorrichtung zur Überwachung einer Mikrosteuereinheit mit mehreren Kernen und Verfahren zum Betreiben dieser Vorrichtung
US11380560B2 (en) 2018-05-03 2022-07-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate
CN111048444A (zh) * 2018-10-15 2020-04-21 细美事有限公司 加热板冷却方法和基板处理装置及方法
CN111048444B (zh) * 2018-10-15 2024-05-24 细美事有限公司 加热板冷却方法和基板处理装置及方法
KR20200050039A (ko) * 2018-10-31 2020-05-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20210081491A (ko) * 2019-12-23 2021-07-02 세메스 주식회사 베이크 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
KR102467054B1 (ko) 2022-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102359530B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
KR101736441B1 (ko) 기판 처리 장치 및 안내판 세정 방법
KR102467054B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102315667B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20150076818A (ko) 기판처리장치
KR102533056B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101654621B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170024211A (ko) 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR101757814B1 (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR101582569B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비, 그리고 이를 이용하는 기판 처리 방법
KR20190011854A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR101895407B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102351669B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101958642B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102010261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101935943B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
KR102119683B1 (ko) 홈 포트, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR20180122518A (ko) 기판 처리 장치
KR102298083B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20190041159A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101935939B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101910800B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20170061749A (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102010263B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant