JP3284496B2 - めっき装置及びめっき液除去方法 - Google Patents
めっき装置及びめっき液除去方法Info
- Publication number
- JP3284496B2 JP3284496B2 JP2000241503A JP2000241503A JP3284496B2 JP 3284496 B2 JP3284496 B2 JP 3284496B2 JP 2000241503 A JP2000241503 A JP 2000241503A JP 2000241503 A JP2000241503 A JP 2000241503A JP 3284496 B2 JP3284496 B2 JP 3284496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- plating solution
- plating
- housing
- substrate holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 344
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 252
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 49
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 205
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/005—Contacting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
っき液除去方法に係り、特に半導体基板に形成された配
線用の窪みに銅等の金属を充填する等の用途のめっき装
置及び該めっき装置の基板保持部の基板との当接部乃至
その近傍に残るめっき液を除去するめっき液除去方法に
関する。
の材料としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金
が一般に用いられているが、集積度の向上に伴い、より
伝導率の高い材料を配線材料に採用することが要求され
ている。このため、基板にめっき処理を施して、基板に
形成された配線パターンに銅またはその合金を充填する
方法が提案されている。
を充填する方法としては、CVD(化学的蒸着)やスパ
ッタリング等各種の方法が知られているが、金属層の材
質が銅またはその合金である場合、即ち、銅配線を形成
する場合には、CVDではコストが高く、またスパッタ
リングでは高アスペクト(パターンの深さの比が幅に比
べて大きい)の場合に埋込みが不可能である等の短所を
有しており、めっきによる方法が最も有効だからであ
る。
法としては、カップ式やディップ式のようにめっき槽に
常時めっき液を張ってそこに基板を浸す方法と、めっき
槽に基板が供給された時にのみめっき液を張る方法、ま
た、電位差をかけていわゆる電解めっきを行う方法と、
電位差をかけない無電解めっきを行う方法など、種々の
方法がある。
式めっき装置にあっては、基板の周縁部及び裏面をシー
ルした状態で基板を基板保持部で保持し、この基板の表
面露出部にめっき液を接触させてめっきを施すようにし
ているため、この基板保持部の基板との当接部乃至その
近傍にめっき液が残り易くなり、ここにめっき液が残る
と、これが乾燥してパーティクルの発生源となるなるば
かりでなく、次の基板に残っためっき液が付着して良好
なめっき処理ができなくなってしまう。
はめっき液を吸引する吸引具を有するめっき液除去装置
を基板保持部の基板との当接部乃至その近傍に沿って円
周方向に移動させることで、この当接部乃至その近傍に
残るめっき液を吸収または吸引除去するようにしたもの
が開発されている。
板保持部の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき
液を強制的に除去するようにした従来のめっき装置にあ
っては、基板保持部側が固定で、めっき液除去装置側を
回転させるようにしているため、基板保持部の基板との
当接部乃至その近傍に残っためっき液の液切り(スピン
除去)を行うことができずに基板保持部の基板との当接
部乃至その近傍に多量のめっき液が残り、このため、め
っき処理を施す度にめっき液除去作業を行う必要がある
ばかりでなく、このめっき液除去作業にかなりの時間を
要する。しかも、多量のめっき液を除去するため、めっ
き液の消耗が多くなり、製品のコスト上昇につながって
しまうという問題があると考えられる。
で、基板保持部の基板との当接部乃至その近傍に残った
めっき液を容易かつ迅速に除去することができ、しかも
構造が簡単で設置スペースが少なくて済むようにしため
っき装置及びめっき液除去方法を提供することを目的と
する。
は、基板を保持する基板保持部を有する回転自在なハウ
ジングを備えたヘッド部と、前記ヘッド部の下方に配置
されめっき液を保持するめっき処理槽と、前記ハウジン
グの前記基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その
近傍に付着しためっき液を除去するめっき液除去手段と
を有することを特徴とするめっき処理装置である。
の当接部乃至その近傍に残っためっき液を強制的に吸引
除去することで、この当接部乃至その近傍に残っためっ
き液が乾燥してパーティクルの発生源となったり、残っ
ためっき液でシード層が溶解するのを防止することがで
きる。しかも、基板保持部を回転させることで、めっき
液の液切りを可能となすとともに、めっき液除去手段側
を回転させる必要をなくすことができる。
去手段は、前記基板保持部の内周端の基板との当接部近
傍に近接自在で、該当接部乃至その近傍に付着しためっ
き液を吸引するめっき液吸引ノズルを有することを特徴
とする請求項1記載のめっき装置である。ここで、この
めっき液吸引ノズルを、前記基板保持部の当接部に沿っ
て延びる円弧状の形状に形成し、上下動及び水平方向に
移動自在に構成しても良く、これにより、基板保持部の
当接部乃至その近傍に残っためっき液の吸引除去作業を
短時間で効率的に行うことができる。
去手段は、前記基板保持部の内周端の基板との当接部近
傍に近接自在で、該当接部乃至その近傍に向けて洗浄液
を噴射する洗浄液噴射ノズルを更に有することを特徴と
する請求項2記載のめっき装置である。これにより、洗
浄液噴射ノズルから純水等の洗浄液を基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に向けて噴射して該当
接部乃至その近傍を洗浄し、更に、この当接部乃至その
近傍の残っためっき液を洗浄液と同時にめっき液吸引ノ
ズルで吸引することで、めっき液吸引ノズルの内部にめ
っき液が残り、これが乾燥してめっき液吸引ノズルを詰
まらせてしまうことを防止することができる。
基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残
るめっき液を除去するにあたり、前記基板保持部を回転
させてめっき液の液切りを行った後、前記基板保持部を
回転させつつ、前記当接部乃至その近傍に残っためっき
液を吸引除去することを特徴とするめっき液除去方法で
ある。
ジングの基板保持部に基板を保持した状態で、上記基板
にめっきを施す工程と、前記ハウジングを回転させて、
前記基板及び前記基板保持部に付着しためっき液の液切
りを行う工程と、前記ハウジングから前記基板を取り出
す工程と、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保
持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っため
っき液を吸引除去する工程とを有することを特徴とする
めっき方法である。請求項6に記載の発明は、基板を保
持する基板保持部を有する回転自在なハウジングを備え
たヘッド部と、前記ヘッド部の下方に配置されてめっき
液を保持するめっき処理槽と、前記ハウジングの前記基
板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っ
ためっき液を吸引除去するめっき液除去手段を有し、前
記めっき液除去手段のめっき液吸引部は、前記ハウジン
グに設けられた開口より該ハウジング内の該基板保持部
近傍まで移動され、該基板保持部に対峙した状態で、前
記ハウジングを回転させながら、前記基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を吸
引除去することを特徴とするめっき装置である。請求項
7に記載の発明は、回転自在なハウジングの基板保持部
に基板を保持した状態で、上記基板にめっきを施す工程
と、前記ハウジングを回転させて、前記基板及び前記基
板保持部に付着しためっき液の液切りを行う工程と、前
記ハウジングに設けられた開口から、前記基板保持部に
保持された基板を該ハウジング外に取り出す工程と、前
記ハウジングに設けられた該開口より、めっき液除去手
段を該ハウジング内に挿入し、該めっき液除去手段のめ
っき液吸引部を該基板保持部に対峙させる工程と、前記
めっき液吸引部を前記基板保持部近傍に対峙させた状態
で、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保持部の
内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液
を吸引除去する工程とを有することを特徴とするめっき
方法である。
を参照して説明する。この実施の形態のめっき装置は、
半導体基板の表面に銅めっきを施して、銅層からなる配
線が形成された半導体装置を得るのに使用されるのであ
るが、この工程を図1を参照して説明する。
すように、半導体素子が形成された半導体基材1上の導
電層1aの上にSiO2からなる絶縁膜2が堆積され、
リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール
3と配線用の溝4が形成され、その上にTiN等からな
るバリア層5、更にその上に電解めっきの給電層として
スパッタリング等により銅シード層7が形成されてい
る。
導体基板Wの表面に銅めっきを施すことで、半導体基材
1のコンタクトホール3及び溝4内に銅を充填させると
ともに、絶縁膜2上に銅層6を堆積させる。その後、化
学的機械的研磨(CMP)により、絶縁膜2上の銅層6
を除去して、コンタクトホール3及び配線用の溝4に充
填させた銅層6の表面と絶縁膜2の表面とをほぼ同一平
面にする。これにより、図1(c)に示すように銅層6
からなる配線が形成される。
本発明の実施の形態のめっき装置を図2を参照して説明
する。図2に示すように、このめっき装置は、矩形状の
設備10内に配置されて、半導体基板の銅めっきを連続
的に行うように構成されているのであるが、この設備1
0は、仕切壁11によってめっき空間12と清浄空間1
3に仕切られ、これらの各めっき空間12と清浄空間1
3は、それぞれ独自に給排気できるようになっている。
そして、前記仕切壁11には、開閉自在なシャッタ(図
示せず)が設けられている。また、清浄空間13の圧力
は、大気圧より低く、且つめっき空間12の圧力よりも
高くしてあり、これにより、清浄空間13内の空気が設
備10の外部に流出することがなく、且つめっき空間1
2内の空気が清浄空間13内に流入することがないよう
なっている。
ットを載置する2つのカセットステージ15と、めっき
処理後の基板を純水で洗浄(リンス)し乾燥する2基の
洗浄・乾燥装置16が配置され、更に基板の搬送を行う
固定タイプで回転自在な第1搬送装置(4軸ロボット)
17が備えられている。この洗浄・乾燥装置16として
は、例えば基板の表裏両面に超純水を供給する洗浄液供
給ノズルを有し、基板を高速でスピンさせて脱水、乾燥
させる形式のものが用いられる。
きの前処理を行い、前処理後の基板を反転機20で反転
させる2基の前処理部21と、基板の表面に該表面を下
向きにして銅めっき処理を施す4基のめっき処理部22
と、基板を載置保持する2基の第1基板ステージ23
a,23bが配置され、更に基板の搬送を行う自走タイ
プで回転自在な第2搬送装置(4軸ロボット)24が備
えられている。
内に位置して、めっき後の基板を薬液で洗浄する2基の
薬液洗浄装置25と、この薬液洗浄装置25と前記洗浄
・乾燥装置16との間に位置して第2基板ステージ26
a,26bが配置され、更に2基の薬液洗浄装置25に
挟まれた位置に基板の搬送を行う固定タイプで回転自在
な第3搬送装置(4軸ロボット)27が備えられてい
る。前記一方の第1基板ステージ23b及び第2基板ス
テージ26bは、基板を水洗い可能に構成されていると
ともに、基板を反転させる反転機20が備えられてい
る。
記カセットステージ15に載置されたカセット、洗浄・
乾燥装置16及び第2基板ステージ26a,26b間で
基板を搬送し、第2搬送装置24は、前記第1基板ステ
ージ23a,23b、前処理部21及びめっき処理部2
2間で基板を搬送し、第3搬送装置27は、前記第1基
板ステージ23a,23b、薬液洗浄装置25及び第2
基板ステージ26a,26b間で基板を搬送するように
なっている。
みタイプの2本のハンドを有し、上側をドライハンド、
下側をウェットハンドとしたものを使用し、搬送装置2
4,27として、落し込みタイプの2本のハンドを有
し、双方をウエットハンドとしたものを使用している
が、これに限定されないことは勿論である。
希フッ化水素酸や過酸化水素水等の薬液で基板の表面を
洗浄する薬液洗浄装置25を備えた例を示しているが、
めっき後の基板を薬液で洗浄する必要がない場合には、
薬液洗浄装置25を省略しても良い。この場合、第1搬
送装置17で、前記カセットステージ15に載置された
カセット、洗浄・乾燥装置16及び第1基板ステージ2
3a,23b間の基板の搬送を行うことで、第3搬送装
置27及び第2基板ステージ26a,26bを省略する
こともできる。
の概要を説明する。基板は表面(素子形成面、処理面)
を上に向けてカセットに収納されてカセットステージ1
5に載置される。そして、第1搬送装置17が基板をカ
セットから取り出し、第2基板ステージ26a上に移動
して、基板を第2基板ステージ26a上に載置する。そ
して、第3搬送装置27が第2基板ステージ26a上に
あった基板を第1基板ステージ23aに移す。次に、第
2搬送装置24が第1基板ステージ23aから基板を受
け取って前処理部21に渡し、前処理部21での前処理
終了後、基板の表面が下に向くように反転機20で基板
を反転させ、再び第2搬送装置24に渡す。そして、第
2搬送装置24は基板をめっき処理部22のヘッド部に
渡す。
液切りを行った後、基板を第2搬送装置24に渡し、第
2搬送装置24は基板を第1基板ステージ23bへ渡
す。基板は、第1基板ステージ23bの反転機20によ
って、表面が上に向くように反転され、第3搬送装置2
7によって薬液洗浄装置25に移される。薬液洗浄装置
25において薬液洗浄、純水リンス、スピン液切りされ
た基板は、第3搬送装置27により第1基板ステージ2
3bへ運ばれる。次に、第1搬送装置17が第1基板ス
テージ23bから基板を受取り、洗浄・乾燥装置16に
基板を移送し、洗浄・乾燥装置16で純水によるリンス
とスピン乾燥を行う。乾燥された基板は、第1搬送装置
17によりカセットステージ15に載置された基板カセ
ット内に収納される。
清浄空間13においては、配管30より新鮮な外部空気
が取込まれ、この外部空気は、ファンにより高性能フィ
ルタ31を通して清浄空間13内に押込まれ、天井32
aよりダウンフローのクリーンエアとして洗浄・乾燥装
置16及び薬液洗浄装置25の周囲に供給される。供給
されたクリーンエアの大部分は、床32bから循環配管
33を通して天井32a側に戻され、再び高性能フィル
タ31を通してファンにより清浄空間13内に押込まれ
て清浄空間13内を循環する。一部の気流は、洗浄・乾
燥装置16及び薬液洗浄装置25内から配管34により
外部に排気される。これにより、清浄空間13内は、大
気圧より低い圧力に設定される。
するめっき空間12は、清浄空間ではない(汚染ゾー
ン)とはいいながらも、基板表面にパーティクルが付着
することは許されない。このため、配管35から取込ま
れ高性能フィルタ36を通して天井37a側からファン
によりめっき空間12内に押込まれたダウンフローのク
リーンエアを流すことにより、基板にパーティクルが付
着することを防止している。しかしながら、ダウンフロ
ーを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気
に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このた
め、めっき空間12内を清浄空間13より低い圧力に保
つ程度に配管38より外部排気を行い、ダウンフローの
大部分の気流を床37bから延びる循環配管39を通し
た循環気流でまかなうようにしている。
側に戻ったエアは、再びファンにより押込まれ高性能フ
ィルタ36を通ってめっき空間12内にクリーンエアと
して供給されて循環する。ここで、前処理部21、めっ
き処理部22、第2搬送装置24及びめっき液調整タン
ク40からの薬液ミストや気体を含むエアは、前記配管
38を通して外部に排出されて、めっき空間12内は、
清浄空間13より低い圧力に設定される。
ので、このめっき処理部22は、略円筒状で内部にめっ
き液45を収容するめっき処理槽46と、このめっき処
理槽46の上方に配置されて基板を保持するヘッド部4
7とから主に構成されている。なお、図4は、ヘッド部
47で基板Wを保持して下降させためっき位置にある時
の状態を示している。
し、例えば含リン銅からなるアノード48を底部に配置
しためっき室49を有し、このめっき室49内にめっき
液45を保有するめっき槽50が備えられている。前記
めっき槽50の内周壁には、めっき室49の中心に向か
って水平に突出するめっき液噴出ノズル53が円周方向
に沿って等間隔で配置され、このめっき液噴出ノズル5
3は、めっき槽50の内部を上下に延びるめっき液供給
路に連通している。
ード48の上方位置に、例えば3mm程度の多数の穴を
設けたパンチプレート220が配置され、これによっ
て、アノード48の表面に形成されたブラックフィルム
がめっき液45によって巻き上げられ、流れ出すことを
防止するようになっている。
のめっき液45を該めっき室49の底部周縁から引抜く
第1めっき液排出口57と、めっき槽50の上端部に設
けた堰部材58をオーバーフローしためっき液45を排
出する第2めっき液排出口59と、この堰部材58をオ
ーバーフローする前のめっき液を排出する第3めっき液
排出口120が設けられ、更に、堰部材58の下部に
は、図10に示すように、所定間隔毎に所定幅の開口2
22が設けられている。
給めっき量が大きい時には、めっき液を第3めっき液排
出口120から外部に排出する共に、図10(a)に示
すように、堰部材58をオーバーフローさせ、更に開口
222を通過させて第2めっき液排出口59からも外部
に排出する。また、めっき処理時にあって、供給めっき
量が小さい時には、めっき液を第3めっき液排出口12
0から外部に排出すると共に、図10(b)に示すよう
に、開口222を通過させて第2めっき液排出口59か
らも外部に排出し、これによって、めっき量の大小に容
易に対処できるようになっている。
液噴出ノズル53の上方に位置して、めっき室49と第
2めっき液排出口59とを連通する液面制御用の貫通孔
224が円周方向に沿った所定のピッチで設けられ、こ
れによって、非めっき時にめっき液を貫通孔224を通
過させ第2めっき液排出口59から外部に排出すること
で、めっき液の液面を制御するようになっている。な
お、この貫通孔224は、めっき処理時にオリフィスの
如き役割を果たして、ここから流れ出すめっき液の量が
制限される。
7は、めっき液排出管60aを介してリザーバ226に
接続され、このめっき液排出管60aの途中に流量調整
器61aが介装されている。第2めっき液排出口59と
第3めっき液排出口120は、めっき槽50の内部で合
流した後、めっき液排出管60bを介して直接リザーバ
226に接続されている。
き処理部からめっき液が流入するようになっており、こ
のリザーバ226に入っためっき液は、リザーバ226
からポンプ228によりめっき液調整タンク40(図3
参照)に入る。このめっき液調整タンク40には、温度
コントローラ230や、サンプル液を取り出して分析す
るめっき液分析ユニット232が付設されており、単一
のポンプ234の駆動に伴って、めっき液調整タンク4
0からフィルタ236を通してめっき液が各めっき処理
部のめっき液噴出ノズル53に供給されるようになって
おり、このめっき液調整タンク40から各めっき処理部
に延びるめっき液供給管55の途中に、二次側の圧力を
一定にして、一つのめっき処理部が止まっても他のめっ
き処理部のめっき液供給圧を一定する制御弁56が備え
られている。
近傍に位置して、該めっき室49内のめっき液45の上
下に分かれた上方の流れでめっけ液面の中央部を上方に
押上げ、下方の流れをスムーズにするとともに、電流密
度の分布をより均一になるようにした鉛直整流リング6
2と水平整流リング63が該水平整流リング63の外周
端をめっき槽50に固着して配置されている。
に開口した有底円筒状で周壁に開口96を有するハウジ
ング70と、下端に押圧リング240を取付けた上下動
自在な押圧ロッド242が備えられている。ハウジング
70の下端には、図8及び図9に示すように、内方に突
出するリング状の基板保持部72が設けられ、この基板
保持部72に、内方に突出し、内周端上面が上方に尖塔
状に突出する基板との当接部360を有するリング状の
シール材244が取付けられている。更に、このシール
材244の上方にカソード電極用接点76が配置されて
いる。また、基板保持部72には、水平方向に外方に延
び、更に外方に向けて上方に傾斜して延びる空気抜き穴
75が円周方向に沿って等間隔に設けられている。
液45の液面を下げた状態で、図8及び図9に示すよう
に、基板WをロボットハンドH等で保持してハウジング
70の内部に入れて基板保持部72のシール材244の
上面に載置し、ロボットハンドHをハウジング70から
引き抜いた後、押圧リング240を下降させることで、
基板Wの周縁部をシール材244と押圧リング240の
下面で狭持して基板Wを保持し、しかも基板Wを保持し
た時に基板Wの下面とシール材244が圧接して、ここ
を確実にシールし、同時に、基板Wとカソード電極用接
点76とが通電するようになっている。
246の出力軸248に連結されて、モータ246の駆
動によって回転するように構成されている。また、押圧
ロッド242は、モータ246を囲繞する支持体250
に固着したガイド付きシリンダ252の作動によって上
下動するスライダ254の下端にベアリング256を介
して回転自在に支承したリング状の支持枠258の円周
方向に沿った所定位置に垂設され、これによって、シリ
ンダ252の作動によって上下動し、しかも基板Wを保
持した時にハウジング70と一体に回転するようになっ
ている。
って回転するボールねじ261と螺合して上下動するス
ライドベース262に取付けられ、更に上部ハウジング
264で囲繞されて、モータ260の駆動に伴って、上
部ハウジング264と共に上下動するようになってい
る。また、めっき槽50の上面には、めっき処理時にハ
ウジング70の周囲を囲繞する下部ハウジング266が
取付けられている。
250と上部ハウジング264とを上昇させた状態で、
めっき処理部内部のメンテナンスを行うことができるよ
うになっている。また、堰部材58の内周面にはめっき
液の結晶が付着し易いが、このように、支持体250と
上部ハウジング264とを上昇させた状態で多量のめっ
き液を流して堰部材58をオーバーフローさせること
で、堰部材58の内周面へのめっき液の結晶の付着を防
止することができる。また、めっき槽50には、めっき
処理時にオーバーフローするめっき液の上方を覆うめっ
き液飛散防止カバー50bが一体に設けられているが、
このめっき液飛散防止カバー50bの下面に、例えばH
IREC(NTTアドバンステクノロジ社製)等の超撥
水材をコーティングすることで、ここにめっき液の結晶
が付着することを防止することができる。
位置して、基板Wの芯出しを行う基板芯出し機構270
が、この例では円周方向に沿った4カ所に設けられてい
る(図13参照)。図11は、この基板芯出し機構27
0の詳細を示すもので、これは、ハウジング70に固定
した門形のブラケット272と、このブラケット272
内に配置した位置決めブロック274とを有し、この位
置決めブロック274は、その上部において、ブラケッ
ト272に水平方向に固定した枢軸276を介して揺動
自在に支承され、更にハウジング70と位置決めブロッ
ク274との間に圧縮コイルばね278が介装されてい
る。これによって、位置決めブロック274は、圧縮コ
イルばね278を介して枢軸276を中心に下部が内方
に突出するように付勢され、その上面274aがストッ
パとしての役割を果たしブラケット272の上部下面2
72aに当接することで、位置決めブロック274の動
きが規制されるようになっている。更に、位置決めブロ
ック274の内面は、上方に向けて外方に拡がるテーパ
面274bとなっている。
ンドHで基板Wを保持しハウジング70内に搬送して基
板保持部72の上に載置した際(図8参照)、基板の中
心が基板保持部72の中心からずれていると圧縮コイル
ばね278の弾性力に抗して位置決めブロック274が
外方に回動し、搬送ロボット等のハンドによる把持を解
くと、圧縮コイルばね278の弾性力で位置決めブロッ
ク274が元の位置に復帰することで、基板の芯出しを
行うことができるようになっている。
ード電極板208に給電する給電接点(プローブ)77
を示すもので、この給電接点77は、プランジャで構成
されているとともに、カソード電極板208に達する円
筒状の保護体280で包囲されて、めっき液から保護さ
れている。
44の内周端の上方に突出した尖塔状部の当接部360
(図16参照)が基板のめっき面に圧接し、この内部に
めっき液が満たされるため、この当接部360乃至その
近傍にめっき液が残り、このめっき液が乾燥してパーテ
ィクルの発生源となる。このため、この例では、シール
材244の当接部360乃至その近傍に残っためっき液
を吸引除去するためのめっき液吸引機構300が備えら
れている。
構300を示すもので、これは、シール材244の内周
端の当接部360に沿って、例えば中心角が約100゜
の円弧状に延びるノズルヘッド302を有している。こ
のノズルヘッド302の内部には、該ノズルヘッド30
2の長さ方向に沿って延びるめっき液通路302aと洗
浄液通路302bが略平行に形成され、このノズルヘッ
ド302の両端に位置して、前記めっき液通路302a
に連通して下方に開口するめっき液吸引ノズル302c
と前記洗浄液通路302bに連通して下方に開口する洗
浄液噴射ノズル302dがそれぞれ設けられている。洗
浄液噴射ノズル302dは、各めっき液吸引ノズル30
2cの両側に配置されている。
直角に屈曲して鉛直方向に延びるノズル支持体304の
下端にブロック306を介して連結されており、このノ
ズル支持体304の内部には、前記めっき液通路302
aと洗浄液通路302bにそれぞれ連通するめっき液通
路304aと洗浄液通路304bが形成されている。め
っき液通路304aは、フレキシブル管312aを介し
てバキューム310に接続され、洗浄液通路304b
は、フレキシブル管312bを介して洗浄液供給源31
3に接続されている。
用シリンダ314の作動に伴って水平に移動する水平ス
ライダ316に連結され、更にこの水平移動用シリンダ
314は、上下移動用シリンダ318の作動に伴って上
下に移動する上下スライダ320に鈎状のブラケット3
22を介して連結されている。更に上下移動用シリンダ
318は、前記支持体250に取付けられ、これによっ
て、ノズルヘッド302は上下及び水平方向に移動する
ようになっている。
で、このシール材244の内周端上面には、横断面尖塔
状に上方に突出した基板との当接部360が形成されて
いる。この当接部360は、シール材244の内周端面
によって形成される平面からやや外方に位置して水平方
向に拡がる平坦面362と、この平坦面362の内側の
水平面と角度θ1で鋭角で交わる逆テーパ面364と、
外側の水平面と角度θ2で鋭角に交わるテーパ面366
によってその輪郭が区画形成されている。即ち、この当
接部360は、横断面鋭角三角形状で、その頂端を平坦
にした形状に形成されている。ここで、逆テーパ面36
4と水平面とのなす角度θ1は、テーパ面366と水平
面とのなす角度θ2よりも大きく(θ1>θ2)設定さ
れている。
当接部360の剛性を高め、しかも、めっき液と接触す
る内側に逆テーパ面364を設けることで、図16
(b)に示すように、この当接部360に基板Wを当接
させ、基板Wを十分な荷重Fで押付けて基板Wの周縁部
を確実にシールしてめっきを施した時、めっき液Pが基
板Wと逆テーパ面364との間に溜まり、基板Wを取り
除いた時に、このめっき液Pが平坦面362で堰き止め
られて、外側の接点側に流れ流れ落ちないようになって
いる。
にあっては、図17に示すように、互いに鈍角で交わる
2つのテーパ面380,382で区画形成される鈍角三
角形状の当接部(シール部)384を有し、当接部38
4の尖った先端で基板をシールするようにしているが、
これをこの実施の形態のシール材244に適用すると、
図17(b)に示すように、基板Wを十分な荷重Fで押
付けて基板Wの周縁部を確実にシールしてめっきを施す
時に、この荷重Fによって当接部384の先端が基板W
の下方に垂れ下がり、この上部の基板Wとの間にめっき
液Pが溜まり、基板Wを取り除いた時に、当接部384
がそのこの弾性力で元の状態に復帰した時、図17
(a)に示すように、このめっき液Pが外側の接点側に
流れ落ちてしまう。
側に流れ落ちると、このめっき液を吸引除去することが
困難となってパーティクルの発生源となるばかりでな
く、めっき液で接点部が腐食し、更に接点と基板接触部
との間に局部的電池が構成されて基板の外観を損ねる結
果となるが、この例にあっては、めっき液が外側の接点
側に流れ落ちることを阻止して、このような弊害を防止
することができる。
ッ素ゴムまたはエチレンプロピレンゴムよりも高い撥水
性を有し、かつ十分な引張り強度を有する高引裂性シリ
コンゴムで構成されている。このように、基板と接触す
るシール材244自体に高い撥水性を持たせることで、
この表面に残るめっき液の量を減少させることができ
る。
たはエチレンプロピレンゴムで一般に構成されていた
が、例えばフッ素ゴム製作のシール材とこれよりも高い
撥水性を持つシリコンゴム製のシール材における、未浸
漬品と762.65時間めっき液に浸漬させた後の接触
角の変化(θ)を比較すると、図18に示すように、フ
ッ素ゴム製のシール材にあっては、80゜から76゜に
変化して撥水性が劣化しているが、これに対してシリコ
ンゴム(Siゴム)にあっては、91°から92°と殆
ど変化がなく、撥水性の劣化が進んでないことが判る。
り強度が約8MPa(80kgf/cm2)程度で、フ
ッ素ゴムの引張り強度の約1.6MPa(160kgf
/cm2)の半分程度とかなり低くなってしまうが、高
引裂き製シリコンゴムにあっては、その引張り強度を1
0〜12MPa(100〜120kgf/cm2)程度
に高めることができ、これによって、強度的に不足して
しまうことを防止することができる。
処理について説明する。先ず、めっき処理部22に基板
を受渡す時には、図2に示す第2搬送装置24の吸着ハ
ンドと該ハンドで表面を下に向けて吸着保持した基板W
を、ハウジング70の開口96からこの内部に挿入し、
吸着ハンドを下方に移動させた後、真空吸着を解除し
て、基板Wをハウジング70の基板保持部72上に載置
し、しかる後、吸着ハンドを上昇させてハウジング70
から引き抜く。次に、押圧リング240を下降させて、
基板Wの周縁部を基板保持部72と押圧リング240の
下面で挟持して基板Wを保持する。
き液45を噴出させ、同時にハウジング70とそれに保
持された基板Wを中速(100〜250min−1程
度、例えば150min−1)で回転させ、めっき液4
5が所定の量まで充たされ、更に数秒経過した時に、ハ
ウジング70の回転速度を低速回転(10〜225mi
n−1程度、例えば100min−1)に低下させ、ア
ノード48を陽極、基板処理面を陰極としてめっき電流
を流して電解めっきを行う。
うに、めっき液噴出ノズル53の上方に位置する液面制
御用の貫通孔224のみからめっき液が外部に流出する
ようにめっき液の供給量を減少させ、これにより、ハウ
ジング70及びそれに保持された基板をめっき液面上に
露出させる。このハウジング70とそれに保持された基
板Wが液面より上にある位置で、高速(例えば、500
〜1000min−1)で回転させてめっき液を遠心力
により液切りする。液切りが終了した後、ハウジング7
0が所定の方向に向くようにしてハウジング70の回転
を停止させる。
リング240を上昇させる。次に、第2搬送装置24の
吸着ハンドを吸着面を下に向けて、ハウジング70の開
口96からこの内部に挿入し、吸着ハンドが基板を吸着
できる位置にまで吸着ハンドを下降させる。そして、基
板を吸着ハンドにより真空吸着し、吸着ハンドをハウジ
ング70の開口96の上部の位置にまで移動させて、ハ
ウジング70の開口96から吸着ハンドとそれに保持し
た基板を取り出す。
47の機構的な簡素化及びコンパクト化を図り、かつめ
っき処理槽46内のめっき液の液面がめっき時液面にあ
る時にめっき処置を、基板受渡し時液面にある時に基板
の水切りと受渡しを行い、しかもアノード48の表面に
生成されたブラックフィルムの乾燥や酸化を防止するこ
とができる。
と、シール材244を高撥水性を有する高引裂き性シリ
コンで構成し、かつ基板を高速で回転させて遠心力によ
り液切り行って、間接的にシール材244の当接部36
0乃至その近傍に付着しためっき液の液切りを行って
も、シール材244の当接部360乃至その近傍に残る
めっき液が徐々に増えてゆく。そこで、例えば、複数回
(例えば5回)のめっき処理を行う度、或いは任意の時
に、めっき液吸引機構300によってシール材244の
当接部360乃至その近傍に残っためっき液を吸引除去
する。めっき処理を行う度、毎回(1回毎に)めっき液
を吸引除去することももちろん可能である。
0を高速回転(500〜1000min−1)させて基
板上の余分なめっき液及びシール材244の当接部36
0乃至その近傍に残っためっき液の液切り(スピン除
去)を行う。液切りが終了し、基板をハウジング70か
ら取り出した後、水平移動用シリンダ314を作動させ
て、ノズルヘッド302をハウジング70の方向に前進
させ、このハウジング70の開口96からハウジング7
0の内部に入れ、しかる後、上下移動用シリンダ318
を作動させて、ノズルヘッド302を下降させる。これ
によって、ノズルヘッド302をシール材244の当接
部360に近接させて対峙させる。
くりと回転させながら(1〜10min−1)、バキュ
ーム310による吸引を行うと同時に、洗浄液噴射ノズ
ル302dから純水等の洗浄液をシール材244の当接
部360乃至その近傍に向けて噴出してシール材244
の当接部360乃至その近傍を洗浄する。これにより、
シール材244の当接部360乃至その近傍に残っため
っき液をめっき液吸引ノズル302cで吸引するのであ
り、シール材244の洗浄に使用した洗浄液を同時に吸
引することで、めっき液吸引ノズル302cの内部にめ
っき液が残り、これが乾燥してめっき液吸引ノズル30
2cを詰まらせてしまうことを防止することができる。
至その近傍の半分に亘るめっき液の吸引を行った後、前
記と逆の動作でめっき液吸引ノズル302cをハウジン
グ70から引き抜き、ハウジング70を水平方向に18
0゜回転させ、しかる後、ハウジングの開口96と向か
い合った開口96’からめっき液吸引ノズル302cを
挿入し、前記と同様にして、めっき液吸引ノズル302
cをシール材244の当接部360乃至その近傍に近接
させて、シール材244の当接部360乃至その近傍の
あと半分に亘るめっき液の吸引を行う。
0乃至その近傍に残っためっき液を短時間で効率的に吸
引除去して、このめっき液がパーティクルの発生源とな
ってしまうことを防止し、しかも吸引しためっき液によ
ってめっき液吸引ノズル302cが詰まってしまうこと
を防止することができる。めっき処理を行う度(1回
毎)にめっき液を吸引除去する場合など、吸引除去間隔
が短い場合には、洗浄液噴射ノズル302dから洗浄液
を噴出しないで、めっき液吸引ノズル302cでめっき
液を吸引するだけでシール材244の当接部360乃至
その近傍に残っためっき液を容易に除去することも可能
である。
基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残
っためっき液を強制的に吸引除去することで、この当接
部乃至その近傍に残っためっき液が乾燥してパーティク
ルの発生源となってしまうことを防止することができ
る。しかも、基板保持部を回転させることで、例えばダ
マシンによって銅配線を形成する際のめっきの埋込み性
を良好にしてめっき性能を向上させるとともに、基板保
持部の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を
容易かつ迅速に除去することができる。しかも、めっき
液除去手段側を回転させる必要をなくして、構造の簡素
化と設置スペースの縮小化を図ることができる。
なう工程の一例を示す断面図である。
平面配置図である。
明図である。
理時における全体を示す断面図である。
である。
理部の全体を示す断面図である。
示す断面図である。
グ及び基板の関係の説明に付する断面図である。
液の流れの説明に付する図である。
る。
る。
るものを使用した時の問題点の説明に付する図である。
し、未浸漬品と762.65時間めっき液に浸漬させた
時の接触角の変化を示すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項1】 基板を保持する基板保持部を有する回転
自在なハウジングを備えたヘッド部と、 前記ヘッド部の下方に配置されてめっき液を保持するめ
っき処理槽と、 前記ハウジングの前記基板保持部の内周端の基板との当
接部乃至その近傍に付着しためっき液を除去するめっき
液除去手段とを有することを特徴とするめっき装置。 - 【請求項2】 前記めっき液除去手段は、前記基板保持
部の内周端の基板との当接部近傍に近接自在で、該当接
部乃至その近傍に付着しためっき液を吸引するめっき液
吸引ノズルを有することを特徴とする請求項1記載のめ
っき装置。 - 【請求項3】 前記めっき液除去手段は、前記基板保持
部の内周端の基板との当接部近傍に近接自在で、該当接
部乃至その近傍に向けて洗浄液を噴射する洗浄液噴射ノ
ズルを更に有することを特徴とする請求項2記載のめっ
き装置。 - 【請求項4】 基板を保持する基板保持部の内周端の基
板との当接部乃至その近傍に残るめっき液を除去するに
あたり、 前記基板保持部を回転させてめっき液の液切りを行った
後、前記基板保持部を回転させつつ、前記当接部乃至そ
の近傍に残っためっき液を吸引除去することを特徴とす
るめっき液除去方法。 - 【請求項5】 回転自在なハウジングの基板保持部に基
板を保持した状態で、上記基板にめっきを施す工程と、 前記ハウジングを回転させて、前記基板及び前記基板保
持部に付着しためっき液の液切りを行う工程と、 前記ハウジングから前記基板を取り出す工程と、 前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を吸
引除去する工程とを有することを特徴とするめっき方
法。 - 【請求項6】 基板を保持する基板保持部を有する回転
自在なハウジングを備えたヘッド部と、 前記ヘッド部の下方に配置されてめっき液を保持するめ
っき処理槽と、 前記ハウジングの前記基板保持部の内周端の基板との当
接部乃至その近傍に残っためっき液を吸引除去するめっ
き液除去手段を有し、 前記めっき液除去手段のめっき液吸引部は、前記ハウジ
ングに設けられた開口より該ハウジング内の該基板保持
部近傍まで移動され、該基板保持部に対峙した状態で、
前記ハウジングを回転させながら、前記基板保持部の内
周端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を
吸引除去することを特徴とするめっき装置。 - 【請求項7】 回転自在なハウジングの基板保持部に基
板を保持した状態で、上記基板にめっきを施す工程と、 前記ハウジングを回転させて、前記基板及び前記基板保
持部に付着しためっき液の液切りを行う工程と、 前記ハウジングに設けられた開口から、前記基板保持部
に保持された基板を該ハウジング外に取り出す工程と、 前記ハウジングに設けられた該開口より、めっき液除去
手段を該ハウジング内に挿入し、該めっき液除去手段の
めっき液吸引部を該基板保持部に対峙させる工程と、 前記めっき液吸引部を前記基板保持部近傍に対峙させた
状態で、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保持
部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっ
き液を吸引除去する工程とを有することを特徴とするめ
っき方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000241503A JP3284496B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | めっき装置及びめっき液除去方法 |
TW090118975A TW568961B (en) | 2000-08-09 | 2001-08-03 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
US09/922,680 US6689216B2 (en) | 2000-08-09 | 2001-08-07 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
EP01119225A EP1179618A3 (en) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
DE60136763T DE60136763D1 (de) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | Metallisierungsgerät und Verfahren zur Entfernung von Metallisierungsflüssigkeit |
EP07001406A EP1793017B1 (en) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
KR1020010047919A KR100802122B1 (ko) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | 도금 장치 및 도금액 제거 방법 |
US10/740,630 US7241372B2 (en) | 2000-08-09 | 2003-12-22 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000241503A JP3284496B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | めっき装置及びめっき液除去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002060995A JP2002060995A (ja) | 2002-02-28 |
JP3284496B2 true JP3284496B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=18732681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000241503A Expired - Lifetime JP3284496B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | めっき装置及びめっき液除去方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6689216B2 (ja) |
EP (2) | EP1179618A3 (ja) |
JP (1) | JP3284496B2 (ja) |
KR (1) | KR100802122B1 (ja) |
DE (1) | DE60136763D1 (ja) |
TW (1) | TW568961B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6551488B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Segmenting of processing system into wet and dry areas |
US6585876B2 (en) | 1999-04-08 | 2003-07-01 | Applied Materials Inc. | Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method |
US20060011487A1 (en) * | 2001-05-31 | 2006-01-19 | Surfect Technologies, Inc. | Submicron and nano size particle encapsulation by electrochemical process and apparatus |
JP2003027280A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-29 | Ebara Corp | めっき装置 |
US7690324B1 (en) * | 2002-06-28 | 2010-04-06 | Novellus Systems, Inc. | Small-volume electroless plating cell |
WO2004052547A2 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-24 | Surfect Technologies, Inc. | Coated and magnetic particles and applications thereof |
US20050048768A1 (en) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Hiroaki Inoue | Apparatus and method for forming interconnects |
WO2005076977A2 (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-25 | Surfect Technologies, Inc. | Plating apparatus and method |
DE102006033353B4 (de) * | 2006-07-19 | 2010-11-18 | Höllmüller Maschinenbau GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von flachen, zerbrechlichen Substraten |
KR100829923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법 |
GB2453560A (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-15 | Renewable Energy Corp Asa | Wafer electroplating apparatus |
GB2459124A (en) * | 2008-04-10 | 2009-10-14 | Rec Solar As | Wafer holder for electroplating apparatus |
US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
US9117856B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-08-25 | Tel Nexx, Inc. | Substrate loader and unloader having an air bearing support |
JP6018961B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-11-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置およびめっき方法 |
CN111655910B (zh) * | 2018-02-01 | 2022-07-22 | 应用材料公司 | 在电镀***中的清洁部件和方法 |
CN112074625B (zh) * | 2018-03-29 | 2024-03-08 | 应用材料公司 | 电镀***中的基板清洁部件与方法 |
KR102081706B1 (ko) * | 2018-07-18 | 2020-02-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP7132134B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2022-09-06 | 上村工業株式会社 | ワーク保持治具及び電気めっき装置 |
JP7132136B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2022-09-06 | 上村工業株式会社 | ワーク保持治具及び電気めっき装置 |
KR102266933B1 (ko) | 2019-12-30 | 2021-06-21 | 주식회사 금호 | 도금액 제거용 초음파 세척장치 |
WO2023032191A1 (ja) * | 2021-09-06 | 2023-03-09 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法及びめっき装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4788994A (en) * | 1986-08-13 | 1988-12-06 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Wafer holding mechanism |
JP2528962B2 (ja) | 1989-02-27 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法及び装置 |
JPH07118892A (ja) | 1993-09-02 | 1995-05-09 | Yamaha Motor Co Ltd | 表面処理装置 |
US5738776A (en) * | 1996-01-19 | 1998-04-14 | Shipley Company, L.L.C. | Electroplating process |
JP3490238B2 (ja) | 1997-02-17 | 2004-01-26 | 三菱電機株式会社 | メッキ処理装置およびメッキ処理方法 |
US6017437A (en) * | 1997-08-22 | 2000-01-25 | Cutek Research, Inc. | Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate |
US6056869A (en) * | 1998-06-04 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | Wafer edge deplater for chemical mechanical polishing of substrates |
JP2911882B1 (ja) * | 1998-06-23 | 1999-06-23 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | カップ式めっき装置 |
US6258220B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
KR100665745B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2007-01-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 구리도금방법 및 그 장치 |
US6660139B1 (en) | 1999-11-08 | 2003-12-09 | Ebara Corporation | Plating apparatus and method |
US6352623B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-03-05 | Nutool, Inc. | Vertically configured chamber used for multiple processes |
KR100773165B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2007-11-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반도체기판처리장치 및 처리방법 |
WO2001084621A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Ebara Corporation | Rotation holding device and semiconductor substrate processing device |
-
2000
- 2000-08-09 JP JP2000241503A patent/JP3284496B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-03 TW TW090118975A patent/TW568961B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-07 US US09/922,680 patent/US6689216B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-09 EP EP01119225A patent/EP1179618A3/en not_active Withdrawn
- 2001-08-09 DE DE60136763T patent/DE60136763D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-09 KR KR1020010047919A patent/KR100802122B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-09 EP EP07001406A patent/EP1793017B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-12-22 US US10/740,630 patent/US7241372B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7241372B2 (en) | 2007-07-10 |
US6689216B2 (en) | 2004-02-10 |
KR100802122B1 (ko) | 2008-02-11 |
KR20020013449A (ko) | 2002-02-20 |
EP1793017A1 (en) | 2007-06-06 |
EP1179618A3 (en) | 2006-01-11 |
US20020017465A1 (en) | 2002-02-14 |
TW568961B (en) | 2004-01-01 |
DE60136763D1 (de) | 2009-01-08 |
US20040129575A1 (en) | 2004-07-08 |
EP1793017B1 (en) | 2008-11-26 |
JP2002060995A (ja) | 2002-02-28 |
EP1179618A2 (en) | 2002-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3284496B2 (ja) | めっき装置及びめっき液除去方法 | |
JP4574644B2 (ja) | めっき処理ユニット | |
KR100824759B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판도금장치 | |
JP4229954B2 (ja) | めっき処理ユニット | |
US6921466B2 (en) | Revolution member supporting apparatus and semiconductor substrate processing apparatus | |
US20040234696A1 (en) | Plating device and method | |
US20030089608A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2005264245A (ja) | 基板の湿式処理方法及び処理装置 | |
JP2005194613A (ja) | 基板の湿式処理方法及び処理装置 | |
JP3289469B2 (ja) | 基板の洗浄装置と洗浄方法 | |
JP2002299306A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006265738A (ja) | めっき装置 | |
JP3874609B2 (ja) | めっき方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3284496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120308 Year of fee payment: 10 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120308 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130308 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130308 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140308 Year of fee payment: 12 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |