KR20190137967A - 기판 상에 증착된 막들의 품질 개선 - Google Patents

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Abstract

본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 섭씨 250도 미만의 온도로 반도체 기판을 프로세싱하는 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 방법은, 증착된 막을 갖는 기판을 압력 용기 내에 로딩하는 단계; 약 2 bar 초과의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 기판을 노출시키는 단계; 및 프로세싱 가스의 응축점 내지 섭씨 약 250도의 온도로 압력 용기를 유지하는 단계를 포함한다.

Description

기판 상에 증착된 막들의 품질 개선
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 집적 회로들의 제작에 관한 것으로, 특히, 반도체 기판 상에 증착된 막의 품질을 개선하는 방법에 관한 것이다.
[0002] 반도체 디바이스, 이를테면, 메모리 디바이스들, 로직 디바이스들, 마이크로프로세서들 등의 형성은 반도체 기판들 위의 막의 증착을 수반한다. 막은 디바이스를 제조하기 위한 회로망을 생성하기 위해 사용된다. 종래의 방법들을 사용하여 증착되고 섭씨 250도 초과로 처리된 재료들은 상승 온도들에 의해 손상될 수 있다. 그러나, 낮은 서멀 버짓(thermal budget) 내에서, 이를테면 섭씨 250도 미만으로 형성된 막들은 대개, 더 높은 다공도 및 더 낮은 밀도로 인해 불량한 품질을 갖는다. 이들 막들은 그러한 품질 문제들로 인해, 더 빠른 에칭에 취약하다.
[0003] 따라서, 섭씨 250도 미만의 온도로 반도체 기판 상에 증착된 막의 품질을 개선하는 방법이 필요하다.
[0004] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 섭씨 250도 미만의 온도로 기판을 프로세싱하는 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 방법은, 증착된 막을 갖는 기판을 압력 용기 내에 로딩하는 단계; 약 2 bar 초과의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 기판을 노출시키는 단계; 및 프로세싱 가스의 응축점 내지 섭씨 약 250도의 온도로 압력 용기를 유지하는 단계를 포함한다.
[0005] 본 개시내용의 다른 실시예에서, 방법은, 복수의 기판들을 갖는 카세트를 압력 용기 내에 로딩하는 단계 ― 각각의 기판은 그 각각의 기판 상에 증착된 막을 가짐 ―; 약 2 bar 초과의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 복수의 기판들을 노출시키는 단계; 및 프로세싱 가스의 응축점 내지 섭씨 약 250도의 온도로 압력 용기를 유지하는 단계를 포함한다.
[0006] 본 개시내용의 또 다른 실시예에서, 방법은, 제1 밸브를 개방하는 단계; 약 2 bar 초과의 압력으로, 막을 갖는 기판이 내부에 배치되어 있는 챔버 내로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스를 유동시키는 단계; 기판에 프로세싱 가스를 노출시키는 단계 ― 프로세싱 가스는 프로세싱 가스의 응축점 온도 초과 및 섭씨 약 250도의 온도 미만으로 유지됨 ―; 제1 밸브를 폐쇄하는 단계; 및 챔버로부터 프로세싱 가스를 제거하기 위해 제2 밸브를 개방하는 단계를 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0008] 도 1은 섭씨 250도 미만의 온도로 기판 상에 증착된 막의 품질을 개선하기 위한 압력 용기의 단순화된 정면 단면도이다.
[0009] 도 2a는 반도체 기판 상에 증착된 저-품질 막의 단순화된 단면도이다.
[0010] 도 2b는 본원에서 설명되는 방법을 수행한 후의 개선된 품질을 갖는 막의 단순화된 단면도이다.
[0011] 도 3은 섭씨 250도 미만의 온도로 반도체 기판 상에 증착된 막의 품질을 개선하는 방법의 블록도이다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0013] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 섭씨 250도 미만의 온도로 반도체 기판 상에 증착된 막의 품질을 개선하는 방법에 관한 것이다. 방법은 섭씨 200도 미만의 온도로 증착된 불량-품질 막의 구역들을 치유(heal)한다. 일부 실시예들에서, 막은 Producer® AvilaTM 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 챔버(이는 캘리포니아, 산타클라라의 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드로부터 상업적으로 입수가능함)를 사용하여 생산된다. 다른 실시예들에서, 막은, 다른 제조자들에 의해 생산된 챔버들에서 생산되는 것을 포함하여, 임의의 화학 기상 증착(CVD) 또는 물리 기상 증착(PVD) 기법에 의해 생산될 수 있다. 막은, 막의 밀도를 증가시키기 위해, 본원에서 개시되는 증착-후 어닐링 프로세스 동안, 높은 압력 하에서, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 노출된다. 프로세싱 가스는 막 층 내로 깊이 침투하여, 산화 프로세스를 통해 다공도를 감소시킴으로써, 기판 상에 증착된 막의 밀도 및 품질을 향상시킨다. 본원에서 설명되고 도 1에 도시된 압력 용기(100)와 같은(그러나 이에 제한되지는 않음) 배치(batch) 프로세싱 챔버가 고압 어닐링 프로세스를 수행하는 목적을 위해 활용된다. 그러나, 본원에서 설명되는 방법은 단일 기판 챔버에 배치된 단일 기판에 동일하게 적용될 수 있다.
[0014] 도 1은 고압 어닐링 프로세스를 위한 압력 용기(100)의 단순화된 정면 단면도이다. 압력 용기(100)는 프로세싱 구역(115)을 에워싸는 내측 표면(113) 및 외측 표면(112)을 갖는 바디(110)를 갖는다. 일부 실시예들에서, 이를테면 도 1에서, 바디(110)는 환상 단면을 갖지만, 다른 실시예들에서, 바디(110)의 단면은 직사각형 또는 임의의 폐쇄된 형상일 수 있다. 바디(110)의 외측 표면(112)은 스테인리스 강과 같은(그러나 이에 제한되지는 않음) CRS(corrosion resistant steel)로 제조될 수 있다. 바디(110)의 내측 표면(113)은 HASTELLOY®와 같은(그러나 이에 제한되지는 않음) 부식에 대한 높은 내성을 나타내는 니켈-계 강 합금들로 제조될 수 있다.
[0015] 압력 용기(100)는 바디(110) 내의 프로세싱 구역(115)을 밀봉가능하게 에워싸도록 구성된 도어(120)를 갖고, 그에 따라, 프로세싱 구역(115)은 도어(120)가 개방될 때 접근될 수 있다. 고압 밀봉부(122)는 프로세싱을 위해 프로세싱 구역(115)을 밀봉하도록 바디(110)에 대해 도어(120)를 밀봉하기 위해 활용된다. 고압 밀봉부(122)는 퍼플루오로엘라스토머와 같은(그러나 이에 제한되지는 않음) 폴리머로 제조될 수 있다. 프로세싱 동안 고압 밀봉부들(122)의 최대 안전-동작 온도 미만으로 고압 밀봉부들(122)을 유지하기 위해, 냉각 채널(124)이 고압 밀봉부들(122)에 인접하게 도어(120) 상에 배치된다. 섭씨 약 150도 내지 섭씨 250도의 온도로 고압 밀봉부들(122)을 유지하기 위해, 불활성 물질(inert), 유전체, 및/또는 고-성능 열 전달 유체와 같은(그러나 이에 제한되지는 않음) 냉각제가 냉각 채널(124) 내에서 순환될 수 있다. 냉각 채널(124) 내의 냉각제의 유동은 온도 센서(116) 또는 유동 센서(미도시)로부터 수신된 피드백을 통해 제어기(180)에 의해 제어된다.
[0016] 압력 용기(100)는 바디(110)를 통하는 포트(117)를 갖는다. 포트(117)는 그 포트(117)를 통하는 파이프(118)를 가지며, 그 파이프(118)는 가열기(119)에 커플링된다. 파이프(118)의 하나의 단부는 프로세싱 구역(115)에 연결된다. 파이프(118)의 다른 단부는 유입 도관(157)과 배출 도관(161)으로 분기된다. 유입 도관(157)은 격리 밸브(155)를 통해 가스 패널(150)에 유동적으로(fluidly) 연결된다. 유입 도관(157)은 가열기(158)에 커플링된다. 배출 도관(161)은 격리 밸브(165)를 통해 응축기(160)에 유동적으로 연결된다. 배출 도관(161)은 가열기(162)에 커플링된다. 가열기들(119, 158, 및 162)은, 각각, 파이프(118), 유입 도관(157), 및 배출 도관(161)을 통해 유동하는 프로세싱 가스를 프로세싱 가스의 응축점 내지 섭씨 약 250도의 온도로 유지하도록 구성된다. 가열기들(119, 158, 및 162)은 전력 소스(145)에 의해 전력을 공급받는다.
[0017] 가스 패널(150)은 산화제를 포함하는 프로세싱 가스를, 파이프(118)를 통한 프로세싱 구역(115) 내로의 전달을 위해, 압력 하에서 유입 도관(157) 내로 제공하도록 구성된다. 프로세싱 구역(115) 내로 도입되는 프로세싱 가스의 압력은 바디(110)에 커플링된 압력 센서(114)에 의해 모니터링된다. 응축기(160)는 냉각 유체에 유동적으로 커플링되고, 그리고 파이프(118)를 통한 프로세싱 구역(115)으로부터의 제거 후에 배출 도관(161)을 통해 유동하는 가스성 생성물을 응축시키도록 구성된다. 응축기(160)는 가스성 생성물들을 가스 상으로부터 액체 상으로 변환시킨다. 펌프(170)는 응축기(160)에 유동적으로 연결되고, 그리고 응축기(160)로부터 액화 생성물들을 밖으로 펌핑한다. 가스 패널(150), 응축기(160), 및 펌프(170)의 동작은 제어기(180)에 의해 제어된다.
[0018] 격리 밸브들(155 및 165)은 한 번에 하나의 유체만이 파이프(118)를 통해 프로세싱 구역(115) 내로 유동할 수 있게 하도록 구성된다. 격리 밸브(155)가 개방될 때, 격리 밸브(165)는 폐쇄되고, 그에 따라, 유입 도관(157)을 통해 유동하는 프로세싱 가스가 프로세싱 구역(115) 내로 진입하고, 응축기(160) 내로의 프로세싱 가스의 유동은 방지된다. 다른 한편으로, 격리 밸브(165)가 개방될 때, 격리 밸브(155)는 폐쇄되고, 그에 따라, 가스성 생성물이 프로세싱 구역(115)으로부터 제거되어 배출 도관(161)을 통해 유동하고, 가스 패널(150) 내로의 가스성 생성물의 유동은 방지된다.
[0019] 하나 이상의 가열기들(140)은 바디(110) 상에 배치되고, 그리고 압력 용기(100) 내의 프로세싱 구역(115)을 가열하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 가열기들(140)은 도 1에 도시된 바와 같이 바디(110)의 외측 표면(112) 상에 배치되지만, 다른 실시예들에서, 가열기들(140)은 바디(110)의 내측 표면(113) 상에 배치될 수 있다. 가열기들(140) 각각은, 특히, 저항성 코일, 램프, 세라믹 가열기, 흑연-계 탄소 섬유 복합물(CFC) 가열기, 스테인리스 강 가열기, 또는 알루미늄 가열기일 수 있다. 가열기들(140)은 전력 소스(145)에 의해 전력을 공급받는다. 가열기들(140)로의 전력은 온도 센서(116)로부터 수신되는 피드백을 통해 제어기(180)에 의해 제어된다. 온도 센서(116)는 바디(110)에 커플링되고, 프로세싱 구역(115)의 온도를 모니터링한다.
[0020] 액추에이터(미도시)에 커플링된 카세트(130)는 프로세싱 구역(115) 내로 그리고 밖으로 이동된다. 카세트(130)는 최상부 표면(132), 최하부 표면(134), 및 벽(136)을 갖는다. 카세트(130)의 벽(136)은 복수의 기판 저장 슬롯들(138)을 갖는다. 각각의 기판 저장 슬롯(138)은 카세트(130)의 벽(136)을 따라 균등하게 이격된다. 각각의 기판 저장 슬롯(138)은 그 내부에서 기판(135)을 홀딩하도록 구성된다. 카세트(130)는 기판들(135)을 홀딩하기 위한 50개의 기판 저장 슬롯들(138)을 가질 수 있다. 카세트(130)는 복수의 기판들(135)을 압력 용기(100) 내로 그리고 밖으로 이송하는 것과 프로세싱 구역(115)에서 복수의 기판들(135)을 프로세싱하는 것 둘 모두를 위한 효과적인 비히클(vehicle)을 제공한다.
[0021] 제어기(180)는 압력 용기(100)의 동작을 제어한다. 제어기(180)는 가스 패널(150), 응축기(160), 펌프(170), 격리 밸브들(155 및 165) 뿐만 아니라 전력 소스(145)의 동작을 제어한다. 제어기(180)는 또한, 온도 센서(116), 압력 센서(114), 및 냉각 채널(124)에 통신가능하게 연결된다. 제어기(180)는 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(182), 메모리(184), 및 지원 회로(186)를 포함한다. CPU(182)는 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서일 수 있다. 메모리(184)는 랜덤 액세스 메모리, 판독-전용 메모리, 플로피 또는 하드 디스크 드라이브, 또는 다른 형태의 디지털 스토리지일 수 있다. 지원 회로(186)는 CPU(182)에 통상적으로 커플링되고, 캐시, 클록 회로들, 입력/출력 시스템들, 전력 공급부들 등을 포함할 수 있다.
[0022] 압력 용기(100)는 섭씨 250도 미만의 온도로 복수의 기판들(135) 상에 증착된 막의 품질을 개선하는 방법을 수행하기 위한 편리한 챔버를 제공한다. 동작 동안, 가열기들(140)은 압력 용기(100)를 예열하고 프로세싱 구역(115)을 섭씨 250도 미만의 온도로 유지하도록 파워 온(power on)된다. 동시에, 가열기들(119, 158, 및 162)은, 각각, 파이프(118), 유입 도관(157), 및 배출 도관(161)을 예열하도록 파워 온된다.
[0023] 복수의 기판들(135)이 카세트(130) 상에 로딩된다. 기판들(135) 각각은, 기판들(135)이 카세트(130) 상에 로딩될 때, 도 2a의 반도체 기판(200)과 같이 관찰된다. 도 2a는 기판들(135)이 카세트(130) 상에 로딩되기 전의 기판들(135)과 유사한 반도체 기판(200) 상에 증착된 저-품질 막의 단순화된 단면도를 도시한다. 기판(200)은 섭씨 200도 미만의 온도로 그 기판(200) 상에 증착된 막(210)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 막(210)은 또한, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 막(210)은 또한, 금속성 산화물, 금속성 질화물, 또는 금속성 산질화물을 포함할 수 있다. 막(210)의 품질은 막(210)의 트렌치들(220) 내의 복수의 세공들(225)의 존재로 인해 낮다. 세공들(225)은 막(210)의 트렌치들(220) 내에 깊이 위치된 개방 공간들이고, 막(210)이 낮은 밀도를 갖게 한다.
[0024] 압력 용기(100)의 도어(120)는 프로세싱 구역(115) 내로 카세트(130)를 이동시키기 위해 개방된다. 이어서, 도어(120)는 압력 용기(100) 내에 고압 챔버를 제공하기 위해, 밀봉가능하게 폐쇄된다. 밀봉부들(122)은, 도어(120)가 폐쇄되면, 프로세싱 구역(115)으로부터 압력이 누설되지 않는 것을 보장한다.
[0025] 프로세싱 가스가 압력 용기(100) 내부의 프로세싱 구역(115) 내로 가스 패널(150)에 의해 제공된다. 프로세싱 가스가 유입 도관(157) 및 파이프(118)를 통해 프로세싱 구역(115) 내로 유동할 수 있게 하기 위해, 제어기(180)에 의해 격리 밸브(155)가 개방된다. 프로세싱 가스는 약 1분 내지 약 10분의 기간 동안 약 500 sccm 내지 약 2000 sccm의 유량으로 도입된다. 이 때, 격리 밸브(165)는 폐쇄된 상태로 유지된다. 프로세싱 가스는 높은 압력 하에서 프로세싱 구역(115) 내로 유동되는 산화제이다. 프로세싱 가스에 가해지는 압력은 점진적으로 증가된다. 산화제는 효과적으로, 특히 트렌치들(220)의 더 깊은 부분들에서, 막(210)이 더 완전한 산화 상태로 되게 한다. 본원에서 설명되는 실시예에서, 프로세싱 가스는 약 5 bar 내지 약 35 bar의 압력 하의 스팀(steam)이다. 그러나, 다른 실시예들에서, 오존, 산소, 과산화물 또는 수산화물-함유 화합물과 같은(그러나 이에 제한되지는 않음) 다른 산화제들이 사용될 수 있다. 격리 밸브(155)는, 가스 패널(150)에 의해 충분한 스팀이 방출되었을 때, 제어기(180)에 의해 폐쇄된다.
[0026] 기판들(135)의 프로세싱 동안, 프로세싱 구역(115) 뿐만 아니라 유입 도관(157), 배출 도관(161), 및 파이프(118)는 프로세싱 가스가 가스 상으로 유지되도록 하는 온도 및 압력으로 유지된다. 프로세싱 구역(115) 뿐만 아니라 유입 도관(157), 배출 도관(161), 및 파이프(118)의 온도들은, 가해지는 압력에서의 프로세싱 가스의 응축점을 초과하지만 섭씨 250도 미만인 온도로 유지된다. 프로세싱 구역(115) 뿐만 아니라 유입 도관(157), 배출 도관(161), 및 파이프(118)는 가해지는 온도에서의 프로세싱 가스의 응축 압력 미만의 압력으로 유지된다. 그에 따라 프로세싱 가스가 선택된다. 본원에서 설명되는 실시예에서, 약 5 bar 내지 약 35 bar의 압력 하의 스팀은, 압력 용기가 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 250도의 온도로 유지될 때, 효과적인 프로세싱 가스이다. 이는 스팀이 물로 응축되지 않는 것을 보장하며, 그러한 물은 기판(200) 상에 증착된 막(210)을 손상시킬 수 있다.
[0027] 프로세싱은 막이 원하는 밀도를 갖는 것으로 관찰될 때 완료되며, 이는 막의 습식 에칭 레이트 및 전기 누설 및 파괴 특성들을 테스트함으로써 검증된다. 이어서, 프로세싱 구역(115)으로부터 파이프(118) 및 배출 도관(161)을 통해 응축기(160) 내로 프로세싱 가스를 유동시키기 위해, 격리 밸브(165)가 개방된다. 프로세싱 가스는 응축기(160)에서 액체 상으로 응축된다. 이어서, 액화된 프로세싱 가스는 펌프(170)에 의해 제거된다. 액화된 프로세싱 가스가 완전히 제거될 때, 격리 밸브(165)가 폐쇄된다. 이어서, 가열기들(140, 119, 158, 및 162)이 파워 오프(power off)된다. 이어서, 압력 용기(100)의 도어(120)는 프로세싱 구역(115)으로부터 카세트(130)를 제거하기 위해 개방된다. 기판들(135) 각각은, 기판들(135)이 카세트(130)로부터 언로딩될 때, 도 2b의 반도체 기판(200)과 같이 관찰된다. 도 2b는 기판(200) 상에 증착된 고-품질 막(210)의 단순화된 단면도이다. 고-품질 막(210)의 트렌치들(230)은 세공들을 갖지 않으며, 결과로서, 막(210)은 낮은 다공도 및 높은 밀도를 갖는다.
[0028] 도 3은 본 개시내용의 일 실시예에 따른, 섭씨 250도 미만의 온도로 반도체 기판 상에 증착된 막의 품질을 개선하는 방법의 블록도이다. 방법(300)은, 블록(310)에서, 압력 용기 내로 카세트 상의 복수의 기판들 또는 기판을 로딩하는 것에 의해 시작된다. 일부 실시예들에서, 기판은 그 기판 상에 증착된 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 산질화물의 막을 갖는다. 다른 실시예들에서, 기판은 그 기판 상에 증착된 금속성 산화물, 금속성 질화물, 또는 금속성 산질화물의 막을 갖는다. 일부 실시예들에서, 복수의 기판들이 카세트 상에 배치될 수 있고, 압력 용기 내로 로딩될 수 있다. 다른 실시예들에서, 카세트가 생략될 수 있다.
[0029] 블록(320)에서, 기판 또는 복수의 기판들은 약 2 bar 초과의 압력으로 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 노출된다. 일부 실시예들에서, 프로세싱 가스는, 오존, 산소, 수증기, 중수, 과산화물, 수산화물-함유 화합물, 산소 동위원소들(14, 15, 16, 17, 18 등), 및 수소 동위원소들(1, 2, 3), 또는 이들의 일부 조합 중 하나 이상을 포함하는 산화제이다. 과산화물은 가스 상의 수소 과산화물일 수 있다. 일부 실시예들에서, 산화제는 증기 형태의 중수 또는 수증기와 같은(그러나 이에 제한되지는 않음) 수산화물 이온을 포함한다. 일부 실시예들에서, 기판 또는 복수의 기판들은 약 5 bar 내지 약 35 bar의 압력으로 스팀에 노출되며, 여기서, 압력은 약 5 bar로부터 약 35 bar로 점진적으로 증가된다. 일부 실시예들에서, 스팀은 약 1분의 기간 동안 약 500 sccm의 유량으로 도입된다.
[0030] 블록(330)에서, 상부에 막을 갖는 기판이 프로세싱 가스에 노출되는 동안, 압력 용기는 프로세싱 가스의 응축점 내지 섭씨 약 250도의 온도로 유지된다. 약 5 bar 내지 약 35 bar의 압력에서의 스팀이 사용되는 실시예들에서, 압력 용기의 온도는 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 250도로 유지된다.
[0031] 높은 압력 하에서의 산화제를 함유하는 프로세싱 가스의 적용은 프로세싱 가스로부터의 높은 농도의 산화 종이 막의 트렌치들 내에 깊이 침투할 수 있게 하고, 그에 따라, 산화 종이 막을 더 철저히 산화시킬 수 있다. 압력 용기 내부의 높은 압력은 더 다공성인 구역들이 위치된 더 깊은 트렌치들 내로 산화 종이 확산되게 한다. 형성되는 프로세싱된 막의 품질은, 프로세스 전의 막의 품질과 비교할 때, 약 3분의 2만큼의 막의 습식 에칭 레이트의 감소에 의해 검증될 수 있다. 프로세싱된 막의 품질은 또한, 전기 특성들, 이를테면 파괴 전압, 누설 전류 등을 테스트함으로써 검증될 수 있다. 섭씨 250도 미만의 비교적 낮은 온도로 수행되는 프로세스의 경우, 막 품질 개선의 달성은 대기압에서 섭씨 500도로 수행되는 프로세스와 실질적으로 유사하다. 더욱이, 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 250도에서의 막의 고압 스팀 어닐링을 완료하는 데 요구되는 시간은 약 30분이며, 이는 프로세스를 대기압 하에서 섭씨 500도로 수행되는 종래의 스팀 어닐링 프로세스보다 비교적 더 빠르게 만든다.
[0032] 높은 압력에서의 프로세싱 가스의 적용은 대기압에서의 종래의 스팀 어닐링 프로세스에 비해 이점을 제공한다. 대기압에서의 종래의 스팀 어닐링 프로세스는 막 내로의 산화 종의 불량한 확산 및 침투 깊이로 인해 부적절하다. 종래의 스팀 어닐링 프로세스는 일반적으로, 산화 종이 막 층 내로 깊이 들어가게 하지 않는다. 결과로서, 본원의 개시내용은 유리하게, 섭씨 250도 미만의 온도로 반도체 기판 상에 증착된 고-품질 막들을 생산하는 효과적인 방법을 설명한다. 서멀 버짓 내에서 고-품질 막들을 생산함으로써, 방법은 바람직한 애플리케이션들의 차세대 반도체 디바이스들을 제조하기 위해 막 상에 회로망을 생성할 수 있게 한다.
[0033] 전술된 바가 본 개시내용의 특정 실시예들에 관한 것이지만, 이들 실시예들이 단지 본 발명의 원리들 및 애플리케이션들을 예시하기 위한 것일 뿐임이 이해될 것이다. 따라서, 첨부된 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은, 본 발명들의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않으면서, 다른 실시예들에 도달하기 위해, 예시적인 실시예들에 다수의 변형들이 이루어질 수 있음이 이해될 것이다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱하는 방법으로서,
    압력 용기 내에 상기 기판을 로딩하는 단계 ― 상기 기판은 상기 기판 상에 증착된 막을 가짐 ―;
    약 2 bar 초과의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 상기 기판을 노출시키는 단계; 및
    상기 프로세싱 가스의 응축점 내지 섭씨 약 250도의 온도로 상기 압력 용기를 유지하는 단계
    를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 막은,
    금속성 산화물, 금속성 질화물, 금속성 산질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 산질화물 중 하나 이상을 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 산화제는, 오존, 산소, 수증기, 중수, 과산화물, 수산화물-함유 화합물, 산소 동위원소들, 및 수소 동위원소들로 구성된 그룹으로부터 선택되는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 산화제는 수산화물 이온을 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 산화제는 과산화물인,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 가스에 상기 기판을 노출시키는 단계는,
    약 5 bar 내지 약 35 bar의 압력으로 스팀(steam)에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 압력 용기의 온도는 섭씨 약 150도 내지 섭씨 약 250도로 유지되는,
    기판을 프로세싱하는 방법.
  8. 기판들을 프로세싱하는 방법으로서,
    복수의 기판들을 갖는 카세트를 압력 용기 내에 로딩하는 단계 ― 각각의 기판은 상기 각각의 기판 상에 증착된 막을 가짐 ―;
    약 2 bar 초과의 압력으로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스에 상기 복수의 기판들을 노출시키는 단계; 및
    상기 프로세싱 가스의 응축점 내지 섭씨 약 250도의 온도로 상기 압력 용기를 유지하는 단계
    를 포함하는,
    기판들을 프로세싱하는 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 막은,
    금속성 산화물, 금속성 질화물, 금속성 산질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 또는 실리콘 산질화물 중 하나 이상을 포함하는,
    기판들을 프로세싱하는 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 산화제는, 오존, 산소, 수증기, 중수, 과산화물, 수산화물-함유 화합물, 산소 동위원소들, 및 수소 동위원소들로 구성된 그룹으로부터 선택되는,
    기판들을 프로세싱하는 방법.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 산화제는 수산화물 이온을 포함하는,
    기판들을 프로세싱하는 방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 산화제는 과산화물인,
    기판들을 프로세싱하는 방법.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 프로세싱 가스에 상기 복수의 기판들을 노출시키는 단계는,
    약 5 bar 내지 약 35 bar의 압력으로 스팀에 상기 복수의 기판들을 노출시키는 단계를 포함하는,
    기판들을 프로세싱하는 방법.
  14. 기판을 순차적으로 처리하는 방법으로서,
    제1 밸브를 개방하는 단계;
    약 2 bar 초과의 압력으로, 막을 갖는 기판이 내부에 배치되어 있는 챔버 내로, 산화제를 포함하는 프로세싱 가스를 유동시키는 단계;
    상기 기판에 상기 프로세싱 가스를 노출시키는 단계 ― 상기 프로세싱 가스는 상기 프로세싱 가스의 응축점 온도 초과 및 섭씨 약 250도의 온도 미만으로 유지됨 ―;
    상기 제1 밸브를 폐쇄하는 단계; 및
    상기 챔버로부터 상기 프로세싱 가스를 제거하기 위해 제2 밸브를 개방하는 단계
    를 포함하는,
    기판을 순차적으로 처리하는 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 산화제는, 오존, 산소, 수증기, 중수, 과산화물, 수산화물-함유 화합물, 산소 동위원소들, 및 수소 동위원소들로 구성된 그룹으로부터 선택되는,
    기판을 순차적으로 처리하는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
US10847360B2 (en) 2017-05-25 2020-11-24 Applied Materials, Inc. High pressure treatment of silicon nitride film
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
KR102405723B1 (ko) 2017-08-18 2022-06-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 및 고온 어닐링 챔버
JP7274461B2 (ja) 2017-09-12 2023-05-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 保護バリア層を使用して半導体構造を製造する装置および方法
CN111357090B (zh) 2017-11-11 2024-01-05 微材料有限责任公司 用于高压处理腔室的气体输送***
JP7330181B2 (ja) 2017-11-16 2023-08-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高圧蒸気アニール処理装置
KR20200075892A (ko) 2017-11-17 2020-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 처리 시스템을 위한 컨덴서 시스템
CN111699549A (zh) 2018-01-24 2020-09-22 应用材料公司 使用高压退火的接缝弥合
KR20230079236A (ko) 2018-03-09 2023-06-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 함유 재료들을 위한 고압 어닐링 프로세스
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
WO2020092002A1 (en) 2018-10-30 2020-05-07 Applied Materials, Inc. Methods for etching a structure for semiconductor applications
KR20210077779A (ko) 2018-11-16 2021-06-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 강화된 확산 프로세스를 사용한 막 증착
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3225268B2 (ja) * 1997-09-18 2001-11-05 東京農工大学長 シリコン酸化物の改質方法
JPH11354515A (ja) * 1998-06-04 1999-12-24 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 加圧式加熱炉
JP2000349081A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Sony Corp 酸化膜形成方法
US6524867B2 (en) * 2000-12-28 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method for forming platinum-rhodium stack as an oxygen barrier
US7431967B2 (en) * 2002-09-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Limited thermal budget formation of PMD layers
WO2004027849A1 (ja) * 2002-09-20 2004-04-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP4590556B2 (ja) 2005-03-11 2010-12-01 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 半導体装置の製造方法
US20070187386A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Poongsan Microtec Corporation Methods and apparatuses for high pressure gas annealing
JP5211645B2 (ja) 2007-11-01 2013-06-12 大日本印刷株式会社 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
KR101226958B1 (ko) * 2011-01-18 2013-01-28 연세대학교 산학협력단 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터
JPWO2013065771A1 (ja) * 2011-11-01 2015-04-02 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置及び記録媒体
TW201403711A (zh) * 2012-07-02 2014-01-16 Applied Materials Inc 利用氣相化學暴露之低ｋ介電質損傷修復
US9431238B2 (en) * 2014-06-05 2016-08-30 Asm Ip Holding B.V. Reactive curing process for semiconductor substrates

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