KR20190134224A - Apparatus for removing contaminant from pellicle - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for removing contaminants, especially particles, attached to a surface of a pellicle membrane and, more specifically, to an apparatus for removing contaminants using an ionizer. The present invention provides an apparatus for removing contaminants from a pellicle, comprising: a contaminant removal head configured to remove contaminants attached to a surface of a pellicle membrane; and a transfer means configured to relatively move and rotate the pellicle membrane with respect to the contaminant removal head in an X-axis or Y-axis direction, wherein the contaminant removal head includes an ionizer configured to generate ions for preventing static electricity to discharge the ions toward the surface of the pellicle membrane, a nitrogen knife configured to spray high-pressure nitrogen and the ions generated by the ionizer toward the surface of the pellicle membrane to remove the contaminants attached to the surface of the pellicle membrane, and an absorber disposed on an opposite side of the nitrogen knife with the ionizer interposed therebetween, and configured to suck the contaminants removed from the surface of the pellicle membrane. According to the present invention, the apparatus for removing contaminants from a pellicle can easily remove contaminants adsorbed by static electricity by spraying nitrogen using the nitrogen knife while preventing static electricity using the ionizer.

Description

펠리클 오염물질 제거 장치{Apparatus for removing contaminant from pellicle}Applicator for removing contaminant from pellicle}

본 발명은 펠리클 막의 표면에 부착된 오염물질, 특히 입자들을 제거하는 장치에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 이오나이저를 이용하여 오염물질을 제거하는 펠리클 오염물질 제거 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for removing contaminants, particularly particles, attached to the surface of a pellicle membrane, and more particularly, to a pellicle contaminant removal device for removing contaminants using an ionizer.

반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 있어서 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 패터닝을 하는 경우에 포토리소그래피라는 방법이 사용된다. 포토리소그래피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다.In the manufacture of a semiconductor device or a liquid crystal display panel, a method called photolithography is used when patterning a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate. In photolithography, a mask is used as an original plate of patterning, and the pattern on the mask is transferred to a wafer or a liquid crystal substrate.

이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다는 문제가 발생한다.When dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected by the dust, and thus the transferred pattern is damaged, resulting in a decrease in performance or yield of a semiconductor device, a liquid crystal display panel, or the like.

따라서 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 빛이 통과할 수 있는 얇은 막인 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다.Therefore, these operations are usually performed in a clean room, but since dust exists in the clean room, a method of attaching a pellicle, which is a thin film through which light can pass, is performed to prevent dust from adhering to the mask surface.

이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그래피시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 막에 부착된 먼지는 초점이 맞지 않아 영향이 크지 않다는 이점이 있다.In this case, the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached on the pellicle film, and in lithography, since the focus is matched on the pattern of the mask, the dust attached to the pellicle film is not in focus and does not have a large effect. have.

그러나 펠리클 막에 부착된 먼지도 영향이 있으므로, 제거할 수 있다면, 제거하는 것이 바람직하다. 펠리클 막에 제거하는 방법으로는 정전기를 이용하는 방법이 있다.However, dust adhered to the pellicle film also has an effect, so if it can be removed, it is preferable to remove it. As a method of removing the pellicle film, there is a method using static electricity.

예를 들어, 등록특허 10-0935763에는 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법으로써, 전도성 물질로 이루어진 펠리클 프레임 및 펠리클 멤브레인에 전기적으로 양극(+) 또는 음극(-)으로 대전되도록 전원을 공급하는 단계, 컬렉터에 상기 펠리클 멤브레인과 전기적으로 동일하게 대전되도록 전원을 공급하는 단계 및 상기 컬렉터를 상기 펠리클 멤브레인 아래로 지나가는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법이 개시되어 있다.For example, Patent No. 10-0935763 discloses a method for removing particles from a surface of a pellicle membrane using static electricity, and supplying power to a pellicle frame made of a conductive material and a pellicle membrane electrically charged with a positive electrode or a negative electrode. Disclosed is a method for removing particles on a surface of a pellicle membrane, the method comprising supplying power to the collector so as to be electrically charged with the pellicle membrane and passing the collector under the pellicle membrane.

그러나 이러한 방법은 오히려 대전된 펠리클 막에 다시 다른 입자들이 부착될 수 있다는 문제가 있다.However, this method has a problem that other particles can be attached to the charged pellicle film again.

등록특허 10-0935763Patent Registration 10-0935763

본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 질소 나이프, 이오나이저 및 흡입기를 구비한 오염물질 제거 헤드를 이용하여 펠리클 막의 표면에 부착된 오염물질을 공정에서 완전히 제거할 수 있는 펠리클 오염물질 제거 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to improve the above-mentioned problems, pellicle contaminant removal device that can completely remove the contaminants attached to the surface of the pellicle membrane in the process by using a contaminant removal head having a nitrogen knife, ionizer and inhaler The purpose is to provide.

상술한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 펠리클 막의 표면에 부착된 오염물질을 제거하도록 구성된 오염물질 제거 헤드와, 펠리클 막을 상기 오염물질 제거 헤드에 대해서 X축 또는 Y축 방향으로 상대 이동 및 회전시키도록 구성된 이송수단을 포함하며, 상기 오염물질 제거 헤드는, 제전을 위한 이온을 발생시켜 펠리클 막의 표면을 향하여 방출하도록 구성된 이오나이저와, 고압의 질소와 상기 이오나이저에서 발생한 이온을 펠리클 막의 표면을 향해서 분사하여 펠리클 막의 표면에 부착된 오염 물질을 제거하도록 구성된 질소 나이프와, 상기 이오나이저를 사이에 두고, 상기 질소 나이프의 반대 측에 설치되며, 펠리클 막의 표면에서 제거된 오염 물질을 흡입하도록 구성된 흡입기를 포함하는 펠리클 오염물질 제거 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a contaminant removal head configured to remove contaminants adhering to the surface of the pellicle film, and to move and rotate the pellicle film relative to the contaminant removal head in the X-axis or Y-axis direction. A contaminant removal head comprising an ionizer configured to generate ions for static discharge and release them toward the surface of the pellicle membrane, and to inject high pressure nitrogen and ions generated from the ionizer toward the surface of the pellicle membrane. A nitrogen knife configured to remove contaminants adhering to the surface of the pellicle membrane, and an inhaler interposed between the ionizer and installed on the opposite side of the nitrogen knife and configured to suck contaminants removed from the surface of the pellicle membrane. It provides a pellicle contaminant removal device.

본 발명에 따른 펠리클 오염물질 제거 장치는 이오나이저를 이용해서 제전을 함과 동시에 질소 나이프를 이용해서 질소를 분사하므로, 정전기에 의한 흡착된 오염물질을 용이하게 제거할 수 있다.The pellicle contaminant removing apparatus according to the present invention can remove the adsorbed contaminants by static electricity since the pellicle is discharged using an ionizer and the nitrogen is injected using a nitrogen knife.

또한, 흡입기를 통해서 공정에서 오염물질을 완전히 제거할 수 있으므로, 질소 나이프에 의해서 펠리클 막의 표면에서 제거된 오염물질이 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the contaminant can be completely removed in the process through the inhaler, the contaminant removed from the surface of the pellicle membrane by the nitrogen knife can be prevented from being resorbed.

도 1은 본 발명에 따른 펠리클 오염물질 제거 장치의 일실시예의 사시도이다.
도 2는 마스크 조립체의 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 오염물질 제거 헤드의 개념도이다.
도 4는 도 1에 도시된 스테이지 유닛의 평면도이다.
도 5는 제어기의 블록도이다.
도 6은 도 5에 도시된 신호처리부의 블록도이다.
도 7은 모서리 좌표 값 획득 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a perspective view of one embodiment of a pellicle contaminant removal apparatus according to the present invention.
2 is a perspective view of a mask assembly.
3 is a conceptual diagram of the contaminant removing head shown in FIG. 1.
4 is a plan view of the stage unit shown in FIG. 1.
5 is a block diagram of a controller.
6 is a block diagram of the signal processor shown in FIG. 5.
7 is a view for explaining a method of obtaining corner coordinate values.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.Hereinafter, the preferred embodiment according to the present invention will be described in detail. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms.

도 1은 본 발명에 따른 펠리클 오염물질 제거 장치의 일실시예의 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 펠리클 오염물질 제거 장치의 일실시예는 지지구조(10), 오염물질 제거 헤드(20), 이송수단(40)인 스테이지 유닛을 포함한다.1 is a perspective view of one embodiment of a pellicle contaminant removal apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, one embodiment of a pellicle contaminant removal apparatus according to the present invention includes a stage unit which is a support structure 10, a contaminant removal head 20, and a transfer means 40.

펠리클 오염물질 제거 장치는 이송수단(40)에 의해서 X-Y 평면상에서 이동하는 펠리클 막의 표면에 존재하는 입자 등의 오염물질을 오염물질 제거 헤드(20)를 이용하여 제거하는 장치이다. 펠리클은 마스크에 부착된 상태일 수 있다. 이하에서는 마스크에 부착된 펠리클 막을 예로 들어서 설명한다.The pellicle contaminant removing apparatus is a device for removing contaminants such as particles existing on the surface of the pellicle film moving on the X-Y plane by the conveying means 40 using the contaminant removing head 20. The pellicle may be in a state attached to the mask. Hereinafter, the pellicle film attached to the mask will be described as an example.

도 2는 마스크 조립체의 사시도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 마스크 조립체(1)는 마스크(2)와 마스크(2)의 상면에 부착된 펠리클(3)을 포함한다. 펠리클(3)은 펠리클 막(4)과 펠리클 막(4)을 지지하는 펠리클 프레임(5)을 포함한다. 펠리클(3)은 펠리클 프레임(5)의 하면에 형성된 점착제 층(미도시)을 이용하여 마스크(2)에 부착된다. 펠리클 프레임(5)은 보통 모서리에 라운드가 형성된 사각 프레임 형태이지만, 팔각이나 원형 프레임도 사용된다. 펠리클 프레임(5)은 그 용도에 따라 사이즈에도 차이가 있다. 예를 들어, LCD제조 공정에는 대형 펠리클이 사용되며, 반도체 공정에는 상대적으로 소형 펠리클이 사용된다.2 is a perspective view of a mask assembly. As shown in FIG. 2, the mask assembly 1 comprises a mask 2 and a pellicle 3 attached to an upper surface of the mask 2. The pellicle 3 includes a pellicle frame 4 and a pellicle frame 5 supporting the pellicle film 4. The pellicle 3 is attached to the mask 2 using an adhesive layer (not shown) formed on the lower surface of the pellicle frame 5. The pellicle frame 5 is usually in the form of a square frame with rounded corners, but octagonal or circular frames are also used. The pellicle frame 5 also differs in size depending on its use. For example, large pellicles are used in the LCD manufacturing process and relatively small pellicles are used in the semiconductor process.

도 3은 도 1에 도시된 오염물질 제거 헤드의 개념도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 오염물질 제거 헤드(20)는 케이스(21)와 케이스(21)에 설치된 이오나이저(23), 질소 나이프(25), 흡입기(27)를 포함한다.3 is a conceptual diagram of the contaminant removing head shown in FIG. 1. As shown in FIG. 3, the contaminant removing head 20 includes a case 21 and an ionizer 23, a nitrogen knife 25, and an inhaler 27 installed in the case 21.

이오나이저(23)는 제전을 위한 이온을 발생시켜, 펠리클 막(4)의 표면을 향하여 방출하는 역할을 한다. 이오나이저(23)는 고전압 펄스 전원과 연결된 방전침을 사용하거나, X-선의 공기전리작용을 이용하여 +, - 이온을 발생시킬 수 있다. 이오나이저(23)는 질소 나이프(25)와 흡입기(27) 사이에 배치된다.The ionizer 23 generates ions for static elimination and releases them toward the surface of the pellicle film 4. The ionizer 23 may generate + and − ions by using a discharge needle connected to a high voltage pulse power source or by using an air ionization action of X-rays. The ionizer 23 is disposed between the nitrogen knife 25 and the inhaler 27.

질소 나이프(25)는 고압의 질소를 펠리클 막(4)을 향해서 분사하여 펠리클 막(4)의 표면에 부착된 오염물질을 제거하는 역할을 한다. 질소 나이프(25)의 출구는 펠리클 막(4)의 표면으로부터 20 내지 35㎜ 이격되어 설치된다. 질소 나이프(25)는 출구에서 분사되는 질소의 진행방향이 펠리클 막(4)의 표면과 이루는 각도(α)가 25 내지 35°가 되도록 케이스(40)에 결합된다. 질소 나이프(25)에서 분사되는 질소는 99.9999% 이상의 고순도 질소이어야 한다. 고순도가 아닐 경우 질소에 포함된 이물질이 오히려 펠리클 막(4)의 표면을 오염시킬 수도 있기 때문이다. 또한, 압력은 0.15㎫ 이하이어야 한다. 이를 초과할 경우 페리클 막(4)이 찢어질 수 있다.The nitrogen knife 25 serves to remove the contaminants adhering to the surface of the pellicle film 4 by injecting high pressure nitrogen toward the pellicle film 4. The outlet of the nitrogen knife 25 is provided 20 to 35 mm away from the surface of the pellicle film 4. The nitrogen knife 25 is coupled to the case 40 such that an angle α at which the advancing direction of nitrogen injected from the outlet forms the surface of the pellicle film 4 is 25 to 35 °. The nitrogen injected from the nitrogen knife 25 should be high purity nitrogen of 99.9999% or more. This is because foreign matter contained in nitrogen may contaminate the surface of the pellicle film 4 if it is not high purity. In addition, the pressure should be 0.15 MPa or less. If it exceeds this, the pellicle film 4 may be torn.

질소 나이프(25)에서 분사된 질소는 이오나이저(23)에서 발생한 +, - 이온과 함께 펠리클 막(4)의 표면에 분사되므로, 정전기에 의해서 펠리클 막(4)의 표면에 강하게 흡착된 오염물질도 쉽게 제거할 수 있다. 만약, 펠리클 막(4)의 표면에 국부적으로 + 이온으로 대전되었을 경우에는 이오나이저(23)에서 발생한 + 이온은 펠리클 막(4)의 표면의 + 이온에 의해서 밀려나게 된다. 그리고 이오나이저(23)에서 발생한 - 이온은 펠리클 막(4)의 표면의 + 이온과 결합하여 중화된다. 이러한 방법으로 펠리클 막(4)의 표면의 정전기가 제거된다.Since nitrogen injected from the nitrogen knife 25 is injected onto the surface of the pellicle membrane 4 together with + and − ions generated in the ionizer 23, contaminants strongly adsorbed to the surface of the pellicle membrane 4 by static electricity. Can also be easily removed. If the surface of the pellicle film 4 is charged with + ions locally, the + ions generated in the ionizer 23 are pushed out by the + ions on the surface of the pellicle film 4. And-ions generated in the ionizer 23 are combined with + ions on the surface of the pellicle membrane 4 to be neutralized. In this way, the static electricity on the surface of the pellicle film 4 is removed.

흡입기(27)는 펠리클 막(4)의 표면에서 제거된 오염물질이 포함된 질소와 공기를 흡입하는 역할을 한다. 흡입기(27)의 입구와 펠리클 막(4)의 표면이 이루는 각도(β)는 25 내지 35°인 것이 바람직하다.The inhaler 27 serves to inhale nitrogen and air containing contaminants removed from the surface of the pellicle membrane 4. It is preferable that the angle (beta) formed between the inlet of the inhaler 27 and the surface of the pellicle membrane 4 is 25 to 35 degrees.

이하에서는 오염물질 제거 헤드(20)의 작용에 대해서 간단히 설명한다. 오염물질 제거가 시작되면, 오염물질 제거 헤드(20)의 질소 나이프(25)와 이오나이저(23)가 작동하기 시작한다. 이오나이저(23)에서 발생한 이온은 펠리클 막(4)의 표면의 정전기를 제거하여, 정전기에 의해서 펠리클 막(4)의 표면에 흡착되어 있던 오염물질을 펠리클 막(4)의 표면으로부터 용이하게 제거될 수 있는 상태로 만든다. Hereinafter, the operation of the contaminant removing head 20 will be briefly described. When contaminant removal begins, the nitrogen knife 25 and ionizer 23 of the contaminant removal head 20 begin to operate. The ions generated in the ionizer 23 remove the static electricity on the surface of the pellicle membrane 4, and easily remove the contaminants adsorbed on the surface of the pellicle membrane 4 by the static electricity from the surface of the pellicle membrane 4. Make it as possible.

질소 나이프(25)에서는 고압의 질소가 분사된다. 질소 나이프(25)에서 분사된 질소는 펠리클 막(4)의 표면에 부착된 오염물질을 펠리클 막(4)의 표면에서 제거한 후 흡입기(27)의 입구를 통해서 흡입기(27)에 빨려들어간다. 흡입기(27)로 빨려들어간 오염물질은 흡입기(27)의 배기관(미도시)을 통과한 후 집진기로 이동하여, 제조공간에서 완전히 제거된다.In the nitrogen knife 25, high pressure nitrogen is injected. The nitrogen injected from the nitrogen knife 25 is sucked into the inhaler 27 through the inlet of the inhaler 27 after removing the contaminants attached to the surface of the pellicle membrane 4 from the surface of the pellicle membrane 4. Contaminants sucked into the inhaler 27 pass through an exhaust pipe (not shown) of the inhaler 27 and then move to the dust collector, and are completely removed from the manufacturing space.

다시 도 1을 참고하여, 이송수단(40)에 대해서 설명한다. 이송수단(40)은 마스크 조립체(1)를 오염물질 제거 헤드(20)에 대해서 상대 이동시키는 역할을 한다. 이송수단(40)은 마스크 조립체(1)를 이동시키거나, 반대로, 오염물질 제거 헤드(20)를 이동시킬 수 있다. 본 실시예에서는 오염물질 제거 헤드(20)를 지지수단(10)에 고정시키고, 이송수단(40)인 스테이지 유닛을 사용하여 마스크 조립체(1)의 표면을 오염물질 제거 헤드(20)의 아래에서 이동시키면서 오염물질을 제거하는 방법을 사용하였다. 이송수단(40)은 펠리클 막(4)을 2㎜/s 이하의 저속으로 이동시키는 것이 바람직하다.Referring to FIG. 1 again, the transfer means 40 will be described. The transfer means 40 serves to move the mask assembly 1 relative to the contaminant removal head 20. The transfer means 40 may move the mask assembly 1 or vice versa to move the decontamination head 20. In this embodiment, the contaminant removal head 20 is fixed to the support means 10, and the surface of the mask assembly 1 is placed under the contaminant removal head 20 using a stage unit which is the transfer means 40. A method of removing contaminants while moving was used. The conveying means 40 preferably moves the pellicle film 4 at a low speed of 2 mm / s or less.

도 4은 도 1에 도시된 스테이지 유닛의 평면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 스테이지 유닛은 제1스테이지(41)와 제2스테이지(42) 및 마스크 클램프 유닛(43)을 포함한다. 제1스테이지(41)는 지지수단(10)에 설치된 X축 방향의 가이드 레일(11)을 따라서 이동한다. 제2스테이지(42)는 제1스테이지(41)에 설치된 Y축 방향의 가이드 레일(44)을 따라서 이동한다. 마스크 클램프 유닛(43)은 제2스테이지(42)에 설치되며, X-Y평면에 직교하는 회전축을 중심으로 회전한다.4 is a plan view of the stage unit shown in FIG. 1. As shown in FIG. 4, the stage unit includes a first stage 41, a second stage 42, and a mask clamp unit 43. The first stage 41 moves along the guide rail 11 in the X-axis direction provided in the support means 10. The second stage 42 moves along the guide rail 44 in the Y-axis direction provided in the first stage 41. The mask clamp unit 43 is installed on the second stage 42 and rotates about a rotation axis orthogonal to the X-Y plane.

도 1에 도시된 바와 같이, 펠리클 오염물질 제거 장치는 오염물질의 제거 여부를 확인하기 위한 영상획득수단(30), 거리조절수단(35), 거리 측정 센서(50) 및 제어기(미도시)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the pellicle contaminant removing apparatus includes an image acquisition unit 30, a distance adjusting unit 35, a distance measuring sensor 50, and a controller (not shown) for confirming whether or not the contaminant is removed. It may further include.

영상획득수단(30)은 다양한 해상도의 영상을 획득할 수 있는 하나의 광학계로 이루어질 수도 있으나, 본 실시예에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 두 개의 광학계를 포함한다. 즉, 펠리클(3)의 위치 보정 및 펠리클 막(4)에 부착된 오염물질의 좌표를 획득하기 위한 저해상도의 제1영상획득수단(32)과 펠리클 막(4)에 부착된 오염물질이 펠리클 막(4)의 상면에 부착되어 있는지 하면에 부착되어 있는지 확인하기 위한 고해상도의 제2영상획득수단(34)을 따로 구비한다.The image acquisition means 30 may be formed of one optical system capable of acquiring images of various resolutions. In this embodiment, as shown in FIG. 1, the image acquisition means 30 includes two optical systems. That is, the low resolution first image acquisition means 32 and the contaminants adhered to the pellicle film 4 are used to correct the position of the pellicle 3 and to obtain the coordinates of the contaminants attached to the pellicle film 4. A second high resolution image acquisition means 34 for checking whether it is attached to the upper surface or the lower surface of (4) is separately provided.

제1영상획득수단(32)은 카메라, 렌즈, 렌즈 홀더, 조명 등을 포함할 수 있다. 조명은 동축조명(반사조명)과 투과조명을 포함할 수 있다. 제1영상획득수단(32)은 평면 영상획득을 위해서 그 중심축이 마스크 조립체(1)와 직교하도록 배치되어 있다.The first image acquisition means 32 may include a camera, a lens, a lens holder, illumination, and the like. The illumination may include coaxial illumination (reflective illumination) and transmitted illumination. The first image acquisition means 32 is arranged such that its central axis is orthogonal to the mask assembly 1 for planar image acquisition.

제2영상획득수단(34) 역시 제1영상획득수단(32)과 마찬가지로 카메라, 렌즈, 렌즈 홀더, 조명 등을 포함할 수 있다. 그리고 제2영상획득수단(34)도 평면 영상획득을 위해서 그 중심축이 마스크 조립체(1)와 직교하도록 배치되어 있다.Like the first image acquisition means 32, the second image acquisition means 34 may also include a camera, a lens, a lens holder, illumination, and the like. The second image acquisition means 34 is also arranged such that its central axis is orthogonal to the mask assembly 1 for planar image acquisition.

거리조절수단(35)은 제2영상획득수단(34)을 Z축 방향으로 이동시켜서 펠리클 막(3)과 제2영상획득수단(34)의 기준면 사이의 거리를 조절하는 역할을 한다. 기준면은 제2영상획득수단(34)의 카메라에 위치할 수 있다.The distance adjusting means 35 serves to adjust the distance between the pellicle film 3 and the reference plane of the second image acquisition means 34 by moving the second image acquisition means 34 in the Z-axis direction. The reference plane may be located at the camera of the second image acquisition means 34.

이송수단(40)은 마스크 조립체(1)를 오염물질 제거 헤드(20)뿐 아니라 제1영상획득수단(32) 및 제2영상획득수단(34)에 대해서 상대 이동시켜서, 제1영상획득수단(32) 및 제2영상획득수단(34)이 마스크 조립체(1)의 필요한 위치의 표면 영상을 획득하도록 하는 역할도 한다. 제1영상획득수단(32) 및 제2영상획득수단(34)을 지지수단(10)에 고정시키고, 이송수단(40)인 스테이지 유닛을 사용하여 마스크 조립체(1)의 표면을 제1영상획득수단(32) 및 제2영상획득수단(34)의 피사계 심도 안에서 이동시키면서 영상을 획득한다.The transfer means 40 moves the mask assembly 1 relative to the first image acquisition means 32 and the second image acquisition means 34 as well as the contaminant removal head 20. 32 and the second image acquisition means 34 also serve to acquire a surface image of the required position of the mask assembly 1. The first image acquisition means 32 and the second image acquisition means 34 are fixed to the support means 10, and the surface of the mask assembly 1 is obtained by using the stage unit which is the transfer means 40. An image is acquired while moving in the depth of field of the means 32 and the second image acquisition means 34.

거리 측정 센서(50)는 스테이지 유닛의 마스크 클램프 유닛(43)에 고정된 마스크 조립체(1)의 펠리클 막(4)의 상면과 제2영상획득수단(34)의 기준면 사이의 거리를 측정하는 역할을 한다. 예를 들어, 거리 측정 센서(50)는 제2영상획득수단(34)의 카메라에 설치될 수 있다. 거리 측정 센서(50)는 레이저 변위 센서일 수 있다. 제2영상획득수단(34)의 기준면과 펠리클 막(4)의 상면 사이의 거리는 거리조절수단(35)에 의해서 조절된다.The distance measuring sensor 50 measures the distance between the upper surface of the pellicle film 4 of the mask assembly 1 fixed to the mask clamp unit 43 of the stage unit and the reference surface of the second image acquisition means 34. Do it. For example, the distance measuring sensor 50 may be installed in the camera of the second image acquisition means 34. The distance measuring sensor 50 may be a laser displacement sensor. The distance between the reference surface of the second image acquisition means 34 and the top surface of the pellicle film 4 is adjusted by the distance adjusting means 35.

도 5는 제어기의 블록도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제어기(60)는 신호수신부(61), 신호처리부(62), 제어신호 생성부(63), 제어신호 송신부(64) 및 메모리(65)를 포함한다. 신호수신부(61)는 거리 측정 센서(50)로부터 펠리클 막(4)의 상면과 기준면과의 거리에 관한 신호를 수신한다. 그리고 이송수단(40)으로부터 마스크 조립체의 X, Y 좌표 값과, 회전각도 값을 수신한다. 또한, 거리조절수단(35)으로부터 제2영상획득수단(34)의 Z 좌표 값도 수신한다. 또한, 영상획득수단(30)으로부터 영상신호도 수신한다.5 is a block diagram of a controller. As shown in FIG. 5, the controller 60 includes a signal receiver 61, a signal processor 62, a control signal generator 63, a control signal transmitter 64, and a memory 65. The signal receiver 61 receives a signal relating to the distance between the upper surface of the pellicle film 4 and the reference surface from the distance measuring sensor 50. Then, the X and Y coordinate values and rotation angle values of the mask assembly are received from the transfer means 40. In addition, the Z coordinate value of the second image acquisition means 34 is also received from the distance adjustment means 35. In addition, an image signal is also received from the image acquisition means 30.

도 6은 도 5에 도시된 신호처리부의 블록도이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 신호처리부(62)는 모서리 좌표 연산부(621), 보정 값 연산부(622), 오염물질 감지부(623), 펠리클 막 거리 연산부(624), 오염물질 부착면 판단부(625)를 포함한다. 신호처리부(62)는 신호수신부(61)로부터 수신한 다양한 신호들을 처리한다.6 is a block diagram of the signal processor shown in FIG. 5. As shown in FIG. 6, the signal processor 62 includes an edge coordinate calculator 621, a correction value calculator 622, a pollutant detector 623, a pellicle film distance calculator 624, and a pollutant adhesion surface determiner. 625. The signal processor 62 processes various signals received from the signal receiver 61.

모서리 좌표 연산부(621)는 영상획득수단(30)으로부터 수신한 펠리클(3)의 모서리 이미지를 처리하여, 이미지상에서의 모서리의 중심점을 찾아내고, 이송수단(40)으로부터 수신한 X, Y 좌표 값을 이용하여, 모서리의 중심점의 좌표 값을 연산한다. 예를 들어, 모서리 좌표 연산부(621)는 도 7에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임(5)의 내면을 연장한 세로선(7)과 가로선(8)이 교차하는 점(9)을 모서리의 중심점으로 찾아내고, 이송수단(40)으로부터 수신한 좌표 값을 이용하여, 이 중심점의 좌표 값을 계산할 수 있다. 중심점들의 좌표 값은 메모리(65)에 저장된다.The corner coordinate calculating unit 621 processes the corner image of the pellicle 3 received from the image acquisition unit 30 to find the center point of the corner on the image, and receives the X and Y coordinate values received from the transfer unit 40. Calculate the coordinate value of the center point of the corner using. For example, as shown in FIG. 7, the corner coordinate calculating unit 621 uses the point 9 at which the vertical line 7 extending the inner surface of the pellicle frame 5 and the horizontal line 8 intersect as the center point of the corner. The coordinate value of the center point can be calculated by using the coordinate value received from the transport means 40. The coordinate values of the center points are stored in the memory 65.

보정 값 연산부(622)는 네 개의 모서리의 중심점의 좌표 값을 이용하여, 펠리클(3)의 표면 검사를 위해서 펠리클(3)을 정위치에 배치하기 위해서, 마스크 조립체(1)를 X축 방향 및 Y축 방향으로 어느 정도 이동시켜야 하는지, 어느 정도 회전시켜야 하는지 연산한다.The correction value calculation unit 622 uses the coordinate values of the center points of the four corners to position the mask assembly 1 in the X-axis direction and to position the pellicle 3 in position for the surface inspection of the pellicle 3. Calculate how much to move in the Y-axis direction and how much to rotate.

오염물질 감지부(623)는 마스크 조립체(1)를 스캔하는 과정에서 획득되는 펠리클 막(4)의 이미지를 분석하여, 파티클 등의 오염물질을 감지한다. 예를 들어, 이미지의 위치별 밝기 차이를 이용하여 파티클을 감지할 수 있다. 비스듬하게 빛을 조사하고, 반사광으로 이미지를 획득하는 다크 필드(dark field) 방식을 사용하는 경우에는 빛이 파티클에서 반사되고, 펠리클 막은 투과하기 때문에 파티클이 밝게 보이며, 반대로 수직 투과조명을 이용하여 이미지를 획득하는 방식을 사용하는 경우에는 파티클이 어둡게 보인다.The contaminant detecting unit 623 analyzes an image of the pellicle film 4 obtained in the process of scanning the mask assembly 1 to detect contaminants such as particles. For example, particles may be detected by using brightness differences for each location of an image. In the case of using a dark field method of irradiating light obliquely and acquiring an image with reflected light, the particle appears bright because light is reflected from the particle and the pellicle film is transmitted. Particles look dark when using the method of obtaining.

펠리클 막 거리 연산부(624)는 거리 측정 센서(50)로부터 수신한 전기신호를 이용하여, 기준면에서 펠리클 막(4)의 상면까지의 거리를 연산한다. 같은 위치라도 펠리클 막(4)의 높이는 이송 과정에서의 진동에 의해서 계속 변화한다. 따라서 펠리클 막 거리 연산부(624)는 제2이미지획득수단(34)을 이용하여 이미지를 획득하는 순간의 펠리클 막(4)의 상면과 기준면 사이의 거리를 연산한다.The pellicle film distance calculating unit 624 calculates the distance from the reference plane to the upper surface of the pellicle film 4 using the electric signal received from the distance measuring sensor 50. Even at the same position, the height of the pellicle film 4 continues to change due to vibration in the conveying process. Therefore, the pellicle film distance calculating unit 624 calculates the distance between the reference surface and the upper surface of the pellicle film 4 at the time of obtaining the image using the second image acquisition means 34.

오염물질 부착면 판단부(625)는 오염물질의 고해상도 이미지를 이용하여, 오염물질이 펠리클 막(4)의 상면과 하면 중 어느 면에 부착되었는지 판단한다. 예를 들어, 상면에 카메라의 초점을 맞춘 상태에서 촬영된 이미지가 선명할 경우에는 상면에 부착된 파티클로 판단하며, 흐릴 경우에는 하면에 부착된 파티클로 판단한다. 정밀한 검사가 필요한 경우에는 하면에 카메라의 초점을 맞춘 상태에서 촬영된 이미지를 추가로 분석한다. 하면의 위치는, 예를 들어, 상면의 위치와 메모리(65)에 저장된 펠리클 막(4) 두께 값을 이용하여 계산할 수 있다. 이 경우에는 반대로, 촬영된 이미지가 선명할 경우에는 하면에 부착된 파티클로 판단하며, 흐릴 경우에는 상면에 부착된 파티클로 판단한다. 같은 파티클에 대한 두 개의 판단 결과가 서로 일치하지 않을 경우에는 재검사를 수행할 수 있다.The contaminant attaching surface determining unit 625 determines whether the contaminant is attached to the upper and lower surfaces of the pellicle film 4 by using the high resolution image of the contaminant. For example, when the image captured while the camera focuses on the upper surface is clear, it is determined to be a particle attached to the upper surface, and when the image is blurred, the particle is attached to the lower surface. If close inspection is required, further analysis of the image taken while the camera is focused on the bottom surface is performed. The position of the lower surface can be calculated using, for example, the position of the upper surface and the pellicle film 4 thickness value stored in the memory 65. In this case, on the contrary, when the photographed image is clear, it is determined as particles attached to the lower surface, and when it is blurred, it is determined as particles attached to the upper surface. If two judgment results about the same particle do not coincide with each other, a retest can be performed.

다시 도 5를 참조하면, 제어신호 생성부(63)는 신호처리부(62)에서의 연산결과를 수신하여, 이송수단(40), 거리조절수단(35), 영상획득수단(30)을 제어할 수 있는 제어신호를 생성한다.Referring back to FIG. 5, the control signal generator 63 receives the calculation result from the signal processor 62 to control the transfer means 40, the distance adjusting means 35, and the image acquisition means 30. To generate a control signal.

제어신호 송신부(64)는 제어신호 생성부(63)에서 생성된 제어신호를 이송수단(40), 거리조절수단(35), 영상획득수단(30)에 송신한다.The control signal transmitter 64 transmits the control signal generated by the control signal generator 63 to the transfer means 40, the distance adjusting means 35, and the image acquisition means 30.

또한, 표면 결함 검사 장치는 검사대상인 마스크 조립체(1)를 로딩하고, 뒤집기 위한 로딩장치(미도시)와 마스크(2) 정렬을 위해 마스크(2)에 표시된 정렬 마크를 감지하는 정렬 마크 인식 장치(미도시), 펠리클 프레임(5)의 크기를 인식하기 위해 펠리클 프레임(5) 전체의 영상을 획득하는 프레임 영상획득수단(미도시)을 더 포함할 수 있다.In addition, the surface defect inspection apparatus loads the mask assembly 1 to be inspected, and an alignment mark recognition device for detecting an alignment mark displayed on the mask 2 for aligning the mask 2 and a loading device (not shown) for flipping. It may further include a frame image acquisition means (not shown) for obtaining an image of the entire pellicle frame 5 to recognize the size of the pellicle frame (5).

이하에서는 상술한 구성의 표면 결함 검사 장치의 작용에 대해서 설명한다.Hereinafter, the operation of the surface defect inspection apparatus having the above-described configuration will be described.

먼저, 로딩장치에 마스크 조립체(1)가 보관된 레티클(마스트) 파드(pod)를 로딩한다. 로딩장치는 레티클 파드의 뚜껑을 열어, 마스크 조립체(1)의 하면이 위를 향하도록 스테이지 유닛에 올려놓는다.First, the reticle (mast) pod in which the mask assembly 1 is stored is loaded into the loading apparatus. The loading device opens the lid of the reticle pod and places it on the stage unit with the lower surface of the mask assembly 1 facing up.

다음, 스테이지 유닛을 X-Y 평면상에서 이동시키면서, 제1영상획득수단(32)이 마스크(2)의 하면을 촬영하도록 하여 마스크 하면의 영상을 획득한다.Next, while moving the stage unit on the X-Y plane, the first image acquisition means 32 captures the lower surface of the mask 2 to obtain an image of the lower surface of the mask.

다음, 로딩장치에서 마스크 조립체(1)를 180도 회전시켜, 마스크 조립체(1)의 상면(8)이 위를 향하도록 한다.Next, the mask assembly 1 is rotated 180 degrees in the loading apparatus so that the upper surface 8 of the mask assembly 1 faces upward.

다음, 정렬 마크 인식 장치가 마스크(2)에 표시된 정렬 마크를 감지하고, 스테이지 유닛을 이동시켜 마스크(2)를 정렬한다.Next, the alignment mark recognition device detects the alignment mark displayed on the mask 2, and moves the stage unit to align the mask 2.

다음, 스테이지 유닛을 이용하여 마스크 조립체(1)를 이동시키면서, 제1영상획득수단(32)을 이용하여, 도 7에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임(5)의 네 개의 모서리의 이미지를 획득한다.Next, while moving the mask assembly 1 using the stage unit, the first image acquisition means 32 is used to acquire images of four corners of the pellicle frame 5, as shown in FIG. 7. .

다음, 제1영상획득수단(32)에서 획득된 이미지를 이용하여, 펠리클 프레임(5)의 모서리의 좌표 값을 획득한다. 예를 들어, 획득된 모서리 영상들에서 펠리클 프레임의 내면의 연장선이 교차하는 지점을 찾아서, 교차지점의 좌표 값을 획득한다. 좌표 값은 제1영상획득수단(32)에서 획득되는 영상의 중앙에 교차지점이 위치하도록 이송수단(40)을 제어하고, 이때의 이송수단(40)의 X축 및 Y축 방향으로의 이동거리로부터 X, Y 좌표 값을 구하는 방법으로 획득할 수 있다.Next, the coordinate values of the corners of the pellicle frame 5 are obtained using the image acquired by the first image acquisition means 32. For example, the coordinates of the intersection points are obtained by finding a point where the extension lines of the inner surface of the pellicle frame intersect in the obtained corner images. The coordinate value controls the transfer means 40 so that the intersection point is located at the center of the image acquired by the first image acquisition means 32, and the movement distance in the X-axis and Y-axis directions of the transfer means 40 at this time. It can be obtained by obtaining the X, Y coordinate value from.

다음, 제어기(60)는 이송수단(40)을 제어하여 펠리클(3)을 오염물질 제거를 위한 정위치에 배치한다. 마스크 조립체(1)는 이미 정렬되었지만, 펠리클(3)을 마스크(2)에 부착하는 과정에서 펠리클(3)이 기준 위치에 부착되지 않을 수도 있기 때문에 펠리클 프레임(5)의 모서리 좌표 값을 기준으로 스테이지 유닛을 이동시키고, 회전시켜 펠리클 프레임(5)을 오염물질 제거를 위한 정위치로 이동시킬 필요가 있다.The controller 60 then controls the transfer means 40 to place the pellicle 3 in place for the removal of contaminants. Although the mask assembly 1 has already been aligned, the pellicle 3 may not be attached to the reference position in the process of attaching the pellicle 3 to the mask 2, based on the edge coordinate value of the pellicle frame 5. It is necessary to move and rotate the stage unit to move the pellicle frame 5 into position for removing contaminants.

다음, 오염물질 제거 헤드(20)의 아래로 펠리클 막(4)이 지나갈 수 있도록, 마스크 조립체(1)를 X축 및 Y축 방향으로 이동시키면서, 오염물질 제거 헤드(20)를 가동하여 펠리클 막(4)의 표면에 부착된 오염물질을 제거한다.Next, while moving the mask assembly 1 in the X- and Y-axis directions so that the pellicle film 4 can pass under the decontamination head 20, the pellicle film is operated by operating the decontamination head 20. Remove the contaminants attached to the surface of (4).

다음, 제어기(60)는 이송수단(40)을 제어하여 펠리클(3)을 검사를 위한 정위치에 배치한다. 펠리클 프레임(5)의 모서리 좌표 값을 기준으로 스테이지 유닛을 이동시키고, 회전시켜 펠리클 프레임(5)을 검사를 위한 정위치로 이동시킨다.The controller 60 then controls the transfer means 40 to place the pellicle 3 in place for inspection. The stage unit is moved and rotated based on the corner coordinate value of the pellicle frame 5 to move the pellicle frame 5 to the correct position for inspection.

다음, 제1영상획득수단(32)이 펠리클 막(4)을 스캔할 수 있도록, 마스크 조립체(1)를 X축 및 Y축 방향으로 이동시킨다. 이때, 제어기(60)는 펠리클 막(4)의 스캔 이미지에서 제거되지 않은 오염물질을 감지하고, 오염물질의 좌표 값을 획득하여 저장한다.Next, the mask assembly 1 is moved in the X-axis and Y-axis directions so that the first image acquisition means 32 can scan the pellicle film 4. At this time, the controller 60 detects contaminants that have not been removed from the scanned image of the pellicle film 4, obtains and stores coordinate values of the contaminants.

다음, 제어기(60)는 제1영상획득수단(32)을 통해서 감지된 오염물질의 고해상도 이미지를 획득하기 위해서 오염물질의 좌표 값을 이용하여, 제2영상획득수단(34)의 촬영영역에 오염물질이 배치되도록, 이송수단(40)을 제어한다.Next, the controller 60 contaminates the photographing area of the second image acquiring means 34 by using the coordinate values of the contaminants in order to obtain a high resolution image of the contaminant detected through the first image acquiring means 32. The transport means 40 is controlled so that the material is disposed.

다음, 거리 측정 센서(50)를 이용하여 제2영상획득수단(34)의 기준면으로부터 펠리클 막(4)의 상면까지의 거리를 측정한 후 거리조절수단(35)을 이용하여 펠리클 막(4)의 상면에 제2영상획득수단(34)의 초점이 맞도록 제2영상획득수단(34)의 카메라의 높이를 조절한다.Next, the distance from the reference surface of the second image acquisition means 34 to the upper surface of the pellicle film 4 is measured using the distance measuring sensor 50, and then the pellicle film 4 is formed using the distance adjusting means 35. The height of the camera of the second image acquisition means 34 is adjusted so that the second image acquisition means 34 is focused on the upper surface of the second image acquisition means 34.

다음, 제2영상획득수단(34)을 이용하여 오염물질의 고해상도 영상을 획득한다. 오염물질의 영상이 선명하면, 펠리클 막(4)의 상면에 위치하는 오염물질로 판정한다.Next, a high resolution image of the pollutant is obtained by using the second image acquisition means 34. If the image of the contaminant is clear, it is determined that the contaminant is located on the upper surface of the pellicle film 4.

다음, 거리 측정 센서(50)를 이용하여 펠리클 막(4)의 상면까지의 거리를 측정한 후 거리조절수단(35)을 이용하여 펠리클 막(4)의 하면에 제2영상획득수단(34)의 초점이 맞도록 제2영상획득수단(34)의 카메라의 높이를 조절한다. Next, after measuring the distance to the upper surface of the pellicle film 4 using the distance measuring sensor 50, the second image acquisition means 34 on the lower surface of the pellicle film 4 using the distance adjusting means 35 The height of the camera of the second image acquisition means 34 is adjusted to be in focus.

다음, 제2영상획득수단(34)을 이용하여 오염물질의 고해상도 영상을 획득한다. 오염물질의 영상이 선명하지 않으면, 펠리클 막(4)의 상면에 위치하는 오염물질로 확정한다. 만약, 오염물질의 영상이 선명하다면, 위 단계를 반복하여 재검사를 실시한다.Next, a high resolution image of the pollutant is obtained by using the second image acquisition means 34. If the image of the contaminant is not clear, the contaminant located on the upper surface of the pellicle film 4 is determined. If the contaminant image is clear, repeat the above steps and retest.

다음, 오염물질의 좌표 값에 따라서 스테이지 유닛을 X-Y평면상에서 이동시키면서, 펠리클 막(4)의 어느 표면에 오염물질이 부착되어 있는지 검사를 반복한다.Next, the inspection is repeated on which surface of the pellicle film 4 is attached while moving the stage unit on the X-Y plane according to the coordinate value of the contaminant.

다음, 오염물질이 펠리클 막(4)의 상면에 위치한다면, 다시 오염물질 제거 헤드(20)를 이용한 오염물질 제거과정을 다시 반복하고, 하면에 있다면 다른 방법으로 오염물질을 제거한다.Next, if the contaminant is located on the upper surface of the pellicle film 4, the contaminant removal process using the contaminant removing head 20 is repeated again, and if present on the lower surface, the contaminant is removed by another method.

이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.The embodiments described above are merely illustrative of the preferred embodiments of the present invention, the scope of the present invention is not limited to the described embodiments, those skilled in the art within the spirit and claims of the present invention It will be understood that various changes, modifications, or substitutions may be made thereto, and such embodiments are to be understood as being within the scope of the present invention.

1: 마스크 구조체
2: 마스크
3: 펠리클
4: 펠리클 막
5: 펠리클 프레임
10: 지지수단
20: 오염물질 제거 헤드
23: 이오나이저
25: 질소 나이프
27: 흡입기
32: 제1영상획득수단
34: 제2영상획득수단
35: 거리조절수단
40: 이송수단
50: 거리 측정 센서
60: 제어기1: mask structure
2: mask
3: pellicle
4: pellicle membrane
5: pellicle frame
10: supporting means
20: decontamination head
23: ionizer
25: nitrogen knife
27: inhaler
32: first image acquisition means
34: second image acquisition means
35: distance control means
40: transfer means
50: distance measuring sensor
60: controller

Claims (10)

펠리클 막의 표면에 부착된 오염물질을 제거하도록 구성된 오염물질 제거 헤드와,
펠리클 막을 상기 오염물질 제거 헤드에 대해서 X축 또는 Y축 방향으로 상대 이동 및 회전시키도록 구성된 이송수단을 포함하며,
상기 오염물질 제거 헤드는,
제전을 위한 이온을 발생시켜 펠리클 막의 표면을 향하여 방출하도록 구성된 이오나이저와,
고압의 질소와 상기 이오나이저에서 발생한 이온을 펠리클 막의 표면을 향해서 분사하여 펠리클 막의 표면에 부착된 오염 물질을 제거하도록 구성된 질소 나이프와,
상기 이오나이저를 사이에 두고, 상기 질소 나이프의 반대 측에 설치되며, 펠리클 막의 표면에서 제거된 오염 물질을 흡입하도록 구성된 흡입기를 포함하는 펠리클 오염물질 제거 장치.A decontamination head configured to remove contaminants adhering to the surface of the pellicle membrane,
A conveying means configured to move and rotate the pellicle membrane relative to said contaminant removal head in the X-axis or Y-axis direction,
The pollutant removal head,
An ionizer configured to generate ions for antistatic and release them toward the surface of the pellicle membrane,
A nitrogen knife configured to spray high pressure nitrogen and ions generated in the ionizer toward the surface of the pellicle membrane to remove contaminants adhering to the surface of the pellicle membrane;
And an inhaler interposed between the ionizer and installed on the opposite side of the nitrogen knife, the inhaler configured to suck contaminants removed from the surface of the pellicle membrane. 제1항에 있어서,
상기 질소 나이프에서 분사되는 질소는 99.9999% 이상의 고순도 질소이며, 압력은 0.15㎫ 이하인 펠리클 오염물질 제거 장치. The method of claim 1,
The nitrogen injected from the nitrogen knife is 99.9999% or more high purity nitrogen, the pressure is 0.15 MPa or less pellicle contaminant removal device. 제1항에 있어서,
상기 이송수단은 펠리클 막을 2㎜/s 이하의 속도로 이동시키는 펠리클 오염물질 제거 장치.The method of claim 1,
And the conveying means moves the pellicle membrane at a speed of 2 mm / s or less. 제1항에 있어서,
상기 질소 나이프의 출구와 상기 흡입기의 입구가 서로 대칭을 이루도록, 상기 질소 나이프와 흡입기가 설치되며, 상기 질소 나이프의 출구와 상기 흡입기의 입구는 펠리클 막의 표면과 25 내지 35°를 이루는 펠리클 오염물질 제거 장치.The method of claim 1,
The nitrogen knife and the inhaler are installed so that the outlet of the nitrogen knife and the inlet of the inhaler are symmetrical with each other, and the outlet of the nitrogen knife and the inlet of the inhaler remove pellicle contaminants that are 25 to 35 ° with the surface of the pellicle membrane. Device. 제1항에 있어서,
펠리클 막의 표면 영상을 획득하도록 구성된 영상획득수단과,
상기 펠리클 막의 상면과 상기 영상획득수단의 기준면 사이의 거리에 따른 전기신호를 생성하는 거리 측정 센서와,
상기 펠리클 막과 상기 영상획득수단의 기준면 사이의 거리를 조절하도록 구성된 거리조절수단과,
상기 거리 측정 센서로부터 수신된 전기신호를 기준으로 상기 영상획득수단의 초점이 상기 펠리클 막의 상면과 하면 중 적어도 하나에 위치하도록 상기 거리조절수단을 제어하고, 그 위치에서의 오염물질의 이미지를 획득하도록 상기 영상획득수단을 제어하도록 구성된 제어기를 포함하는 펠리클 오염물질 제거 장치.The method of claim 1,
Image acquisition means configured to acquire a surface image of the pellicle film;
A distance measuring sensor for generating an electric signal according to a distance between an upper surface of the pellicle film and a reference surface of the image acquisition means;
Distance adjusting means configured to adjust a distance between the pellicle film and the reference plane of the image acquisition means;
Control the distance adjusting means such that the focus of the image acquisition means is located on at least one of an upper surface and a lower surface of the pellicle film based on the electrical signal received from the distance measuring sensor, and acquire an image of the contaminant at the position And a controller configured to control the image acquisition means. 제5항에 있어서,
상기 제어기는,
거리 측정 센서로부터 상기 펠리클 막의 상면과 상기 영상획득수단의 기준면 사이의 거리에 따른 전기신호를 수신하고, 이송수단으로부터 펠리클 막의 X, Y 좌표 및 회전각도에 관한 신호를 수신하고, 영상획득수단으로부터 영상신호를 수신하는 신호수신부와,
상기 신호수신부로부터 수신한 신호들을 처리하는 신호처리부와,
상기 신호처리부에서의 연산결과를 수신하여, 상기 이송수단, 거리조절수단, 영상획득수단을 제어할 수 있는 제어신호를 생성하는 제어신호 생성부와,
상기 제어신호 생성부에서 생성된 제어신호를 상기 이송수단, 거리조절수단, 영상획득수단에 송신하는 제어신호 송신부를 포함하는 펠리클 오염물질 제거 장치.The method of claim 5,
The controller,
Receives an electrical signal according to the distance between the upper surface of the pellicle film and the reference plane of the image acquisition means from a distance measuring sensor, receives a signal relating to the X, Y coordinates and the rotation angle of the pellicle film from the transfer means, the image from the image acquisition means A signal receiver for receiving a signal,
A signal processor for processing signals received from the signal receiver;
A control signal generator which receives a result of the calculation in the signal processor and generates a control signal for controlling the transfer means, distance adjusting means, and image obtaining means;
And a control signal transmitter for transmitting the control signal generated by the control signal generator to the transfer means, distance adjusting means, and image acquisition means. 제6항에 있어서,
상기 신호처리부는,
상기 영상신호로부터 상기 지지 프레임의 모서리의 중심점을 찾아내고, 상기 이송수단으로부터 수신한 X, Y 좌표 값을 이용하여, 모서리의 중심점의 좌표 값을 연산하는 모서리 좌표 연산부를 포함하는 펠리클 오염물질 제거 장치.The method of claim 6,
The signal processing unit,
Finding the center point of the corner of the support frame from the image signal, using a X, Y coordinate value received from the transfer means, pellicle contaminant removal device including a corner coordinate calculation unit for calculating the coordinate value of the center point of the corner . 제7항에 있어서,
상기 신호처리부는,
상기 모서리 좌표 연산부에서 연산된 네 개의 모서리의 중심점의 좌표 값을 이용하여, 펠리클 막을 표면 검사를 위한 정위치에 배치하기 위한 위치 보정에 사용되는 보정 값을 연산하는 보정 값 연산부를 포함하는 펠리클 오염물질 제거 장치.The method of claim 7, wherein
The signal processing unit,
A pellicle contaminant including a correction value calculator that calculates a correction value used to correct a position for positioning the pellicle film in place for surface inspection using the coordinate values of the center points of the four corners calculated by the corner coordinate calculator. Removal device. 제6항에 있어서,
상기 신호처리부는,
펠리클 막의 상면에 영상획득수단의 초점을 맞춘 상태에서 촬영된 이미지가 선명할 경우에는 상면에 부착된 오염물질로 판단하며, 흐릴 경우에는 하면에 부착된 오염물질로 판단하는 오염물질 부착면 판단부를 포함하는 펠리클 오염물질 제거 장치.The method of claim 6,
The signal processing unit,
When the image captured with the focus of the image acquisition means on the upper surface of the pellicle film is clear, it is determined as a contaminant attached to the upper surface. Pellicle contaminant removal device. 제9항에 있어서,
상기 오염물질 부착면 판단부는,
펠리클 막의 하면에 영상획득수단의 초점을 맞춘 상태에서 촬영된 이미지가 선명할 경우에는 하면에 부착된 오염물질로 판단하며, 흐릴 경우에는 상면에 부착된 오염물질로 판단하는 펠리클 오염물질 제거 장치.

The method of claim 9,
The pollutant adhesion surface determination unit,
The pellicle contaminant removing device is determined to be a contaminant attached to the lower surface when the image captured by the image acquisition means is focused on the lower surface of the pellicle film, and is determined to be a contaminant attached to the upper surface when the image is blurred.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163344A (en) * 1992-11-26 1994-06-10 Sharp Corp Washing apparatus
JP2007171730A (en) * 2005-12-26 2007-07-05 Itoki Corp Reticle cleaning device
KR20090068061A (en) * 2007-12-22 2009-06-25 주식회사 동부하이텍 Reticle loading system equipped with apparatus for removing particle and method for loading reticle
KR100935763B1 (en) 2008-05-26 2010-01-06 주식회사 동부하이텍 Method of removing particle of pellicle
KR101659587B1 (en) * 2015-11-18 2016-09-23 (주)오로스테크놀로지 Surface defect inspection apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163344A (en) * 1992-11-26 1994-06-10 Sharp Corp Washing apparatus
JP2007171730A (en) * 2005-12-26 2007-07-05 Itoki Corp Reticle cleaning device
KR20090068061A (en) * 2007-12-22 2009-06-25 주식회사 동부하이텍 Reticle loading system equipped with apparatus for removing particle and method for loading reticle
KR100935763B1 (en) 2008-05-26 2010-01-06 주식회사 동부하이텍 Method of removing particle of pellicle
KR101659587B1 (en) * 2015-11-18 2016-09-23 (주)오로스테크놀로지 Surface defect inspection apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115026060A (en) * 2021-03-08 2022-09-09 科毅科技股份有限公司 Photomask cleaning apparatus and photomask cleaning method
CN115026060B (en) * 2021-03-08 2023-12-22 科毅科技股份有限公司 Mask cleaning apparatus and mask cleaning method

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