KR100935763B1 - Method of removing particle of pellicle - Google Patents
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Abstract
본 발명은 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법으로써,이를 실현하기 위한 본 발명은 전도성 물질로 이루어진 펠리클 프레임 및 펠리클 멤브레인에 전기적으로 양극(+) 또는 음극(-)으로 대전되도록 전원을 공급하는 단계, 컬렉터에 상기 펠리클 멤브레인과 전기적으로 동일하게 대전되도록 전원을 공급하는 단계 및 상기 컬렉터를 상기 펠리클 멤브레인 아래로 지나가는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention is a method for removing particles on the surface of the pellicle membrane using static electricity, the present invention for realizing this is to supply power to the pellicle frame and the pellicle membrane electrically conductively charged to the positive (+) or negative (-) And supplying power to the collector so as to be electrically charged with the pellicle membrane and passing the collector under the pellicle membrane.
본 발명에 의하면, 펠리클을 교환하는 빈도가 감소하고 장비내에서 파티클을 제거함으로써 시간을 절약하는 장점이 있다.According to the present invention, the frequency of pellicle exchange is reduced and time is saved by removing particles in the equipment.
사진공정, 레티클, 펠리클(Pellicle), particle 제거, Photo process, reticle, pellicle, particle removal,
Description
본 발명은 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 펠리클 멤브레인과 펠리클 프레임에 전도성 물질로 제작하여 전기적으로 대전시켜 펠리클 표면에 발생한 파티클을 전기적 극성을 이용하여 제거할 수 있도록 하는 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for removing particles on the surface of a pellicle membrane, and more particularly, a static electricity produced by using a conductive material on the pellicle membrane and the pellicle frame to electrically remove particles generated on the surface of the pellicle using an electrical polarity. It relates to a particle removal method of the pellicle membrane surface using.
일반적으로 현대 사회에서 과학 기술이 발전함에 따라 여러 전자 제품도 발전을 거듭하고 있다. 특히, 반도체의 경우에는 하루가 다르게 발전하고 있으며, 초고집적 밀도를 갖는 반도체 소자의 개발은 전자 통신 산업 및 멀티 미디어 시대를 한층 더 발전시키고 있다. 이와 같이 초고집적 밀도를 갖는 반도체 소자는 회로 설계기술, 장비기술 및 공정기술이 함께 뒷받침 된 현대 과학 기술의 집합체로 일컬어지고 있다. 반도체 소자의 공정기술은 크게 세정, 리소그래피, 에칭, 이온주입, 박막형성, 금속배선 공정 등으로 이루어져 있으며, 이 가운데에서도 포토 리소그래피 공정의 패턴 형성 기술은 대단히 중요한 기술로써 반도체 소자의 초고집적화의 견인차 역할을 하고 있다. 이러한 포토 리소그래피 공정은 크게 코팅, 노광, 현상으로 나눌 수 있으며, 이중에서 장비를 포함한 노광기술이 포토 리소그래피 공정의 핵심을 차지하고 있다. 여기서, 노광공정에 대해 살펴보면, 노광공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하여 소프트 베이크를 마친 후, 포토레지스트 상에 잠정적인 상을 형성하는 것이다.In general, with the development of science and technology in modern society, various electronic products are also developing. In particular, in the case of semiconductors, the development of semiconductor devices having a very high density is developing differently, and the development of the electronic communication industry and the multimedia era is further developed. As such, semiconductor devices having a very high density are referred to as a collection of modern scientific technologies supported by circuit design technology, equipment technology, and process technology. The process technology of semiconductor device is largely composed of cleaning, lithography, etching, ion implantation, thin film formation, metallization process, etc. Among them, the pattern formation technology of the photolithography process is a very important technology. Doing The photolithography process can be roughly divided into coating, exposure, and development, and exposure technology including equipment occupies the core of the photolithography process. Here, referring to the exposure process, the exposure process is to form a temporary image on the photoresist after completing the soft bake by applying a photoresist on the wafer.
이러한 노광공정에는 웨이퍼상에 미세한 회로 패턴을 전사하여 집적회로로 이루어지는 반도체 장치를 제조하기 위한 노광 장치가 이용되고 있으며, 현재는 포토 마스크 또는 레티클(이하 '레티클'이라 함)의 패턴을 투영 광학계를 통하여, 표면에 포토레지스트 등의 감광 재료가 도포된 웨이퍼 또는 유리판 등의 기판 상에 전사하는 투영 노광장치가 사용되고 있다.In such an exposure process, an exposure apparatus for fabricating a semiconductor device made of an integrated circuit by transferring a fine circuit pattern on a wafer is used. Currently, a pattern of a photo mask or a reticle (hereinafter referred to as a "reticle") is used as a projection optical system. Through this, a projection exposure apparatus which transfers onto a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photosensitive material such as photoresist on the surface is used.
이러한 종래의 노광장치 등에는 패턴이 형성되는 레티클(reticle)의 전면 또는 후면의 파티클(particle)을 검출하기 위한 목적으로 반도체 엘이디(LED)레이저(laser)를 이용한 스캔(scan)장치 등이 파티클 검출장치로써 구비된다. In the conventional exposure apparatus and the like, a scan device using a semiconductor LED laser is used to detect particles on the front surface or the back surface of a reticle on which a pattern is formed. It is provided as a device.
도 1은 일반적인 레티클을 나타낸 도면이다. 석영(100)기판위에 크롬패턴이(110) 형성되어 있으며 상기 석영기판위에 펠리클 프레임(120)이 접착되어 있으며 상기 펠리클 프레임에 펠리클 멤브레인(130)이 접착되어 있다. 이러한 레티클에는 회로 패턴이 형성된 면을 보호하기 위해 펠리클(pellicle)이 부착될 수 있다. 펠리클 멤브레인이란, 레티클 등에 공기중의 먼지 등 오염물질이 닿지 않도록 형성된 얇고 투명한 니트로 셀룰로스(nitrocellulose) 등의 재질로 이루어진 보호막을 말하는 것으로 포토 리소그래피 공정에서 레티클의 표면을 대기중의 먼지 등으로부 터 보호하는 역할을 한다.1 is a view showing a general reticle. The
이러한 펠리클 멤브레인에 파티클이 부착된 경우 노광시 그 부분에 해당되는 웨이퍼에 형성되는 포토레지스트 패턴에 불량이 발생 될 가능성이 매우 높고 펠리클 멤브레인 표면에 파티클이 존재할 때 제거할 수 있는 방법이 대부분 챔버내에서 세정가스를 분사하는 등 물리적인 방법으로 사용에 제한이 많은 문제점이 있다.When particles are attached to the pellicle membrane, defects are very likely to occur in the photoresist pattern formed on the wafer corresponding to the portion during exposure, and there are most methods to remove when particles are present on the surface of the pellicle membrane. There are many problems in the use of physical methods such as spraying the cleaning gas.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 펠리클 멤브레인과 펠리클 프레임에 전도성 물질로 제작하여 전기적으로 대전시켜 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클을 전기적 극성을 이용하여 제거할 수 있도록 하는 펠리클 표면의 파티클 제거 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the pellicle surface and the pellicle frame of the pellicle surface is made of a conductive material and electrically charged to remove the particles generated on the surface of the pellicle membrane using an electrical polarity The purpose is to provide a method for removing particles.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 정전기를 이용한 펠리클 멥브레인 표면의 파티클 제거방법은, 전도성 물질로 이루어진 펠리클 프레임 및 펠리클 멤브레인에 전기적으로 양극(+) 또는 음극(-)으로 대전되도록 전원을 공급하는 단계, 컬렉터에 상기 펠리클 멤브레인과 전기적으로 동일하게 대전되도록 전원을 공급하는 단계 및 상기 컬렉터를 상기 펠리클 멤브레인 아래로 지나가는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Particle removal method of the surface of the pellicle membrane using the static electricity of the present invention for realizing the object as described above, the electric power to be electrically charged to the pellicle frame and pellicle membrane electrically conductive to the positive (+) or negative (-) Supplying power, supplying power to the collector so as to be electrically charged with the pellicle membrane, and passing the collector under the pellicle membrane.
본 발명에 따른 정전기를 이용한 펠리클 멤브레인 표면의 파티클 제거 방법에 의하면 펠리클을 교환하는 빈도가 감소하고 장비내에서 파티클을 제거함으로써 시간을 절약하는 장점이 있다.The particle removal method of the surface of the pellicle membrane using the static electricity according to the present invention has the advantage of reducing the frequency of pellicle exchange and saving time by removing particles in the equipment.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 2는 본 발명의 정전기를 이용하여 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클을 제거하는 방법을 나타낸 구성도이다. 대부분의 펠리클 표면에 붙어있는 파티클은 펠리클 멤브레인(130) 표면과 화학적 결합방법에 의하여 표면에 붙어있는 것이 아니라, 물리적 결합방법에 의하여 붙어있는 것이다. 따라서 정전기를 이용하여 펠리클 멤브레인(130) 표면에 붙어있는 파티클을 제거하는 것에 많은 에너지가 필요하지 않는다. 본 발명에서 사용하는 레티클은 종래 레티클의 구성요소인 펠리클 프레임(120)과 펠리클 멤브레인(130)을 전도성 물질을 사용하여 제작하는 것이다. 펠리클 프레임(120)의 전도성 물질은 알루미늄, 스테인레스 또는 폴리에틸렌 등이고, 펠리클 멤브레인(130)의 전도성 물질은니트로셀룰로오스, 초산셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체인 것으로 구성된다. Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Figure 2 is a block diagram showing a method for removing particles generated on the surface of the pellicle membrane using the static electricity of the present invention. Particles adhered to most of the pellicle surface is not attached to the surface by the chemical bonding method and the surface of the
먼저 전원공급원을 이용하여 상기 전도성 물질로 만들어진 펠리클 프레임(120)을 통하여 펠리클 멤브레인(130)을 양극(+)으로 대전시키면 펠리클 멤브레인 표면에 부착된 파티클은 상기 펠리클 멤브레인(130)과는 반대극성을 갖는 음극(-)로 대전되어 지게 된다. 다른 방법으로 상기 펠리클 멤브레인(130)을 음극(-)으로 대전시킬 경우에는 펠리클 멤브레인 표면에 부착된 파티클은 양극(+)으로 대전됨은 당연하다.First, when the
이후 펠리클 멤브레인(130)에 대전되어 있는 극성과 동일 극성을 띠게 하기위하여 전원공급원을 이용하여 컬렉터(200)를 대전시킨다. 이후 상기 대전된 컬렉터(200)를 펠리클 멤브레인 아래에서 이동한다. 따라서 종래의 레티클에 질소가스를 분사하는 물리적,화학적인 방법에 의하지 아니하고도 정전기를 이용하여 펠리클 표면에 있는 파티클을 제거할 수 있다.Thereafter, the
도 3은 본 발명에 따른 펠리클 프레임에 공급하는 전류를 보여주는 그래프이다. 전원공급원은 펠리클 멤브레(130)인 및 컬렉터(200)를 + 또는 - 의 극성을 띠도록 전기적으로 대전시킨다.3 is a graph showing the current supplied to the pellicle frame according to the present invention. The power source electrically charges the
도 4는 본 발명에 따른 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클 제거과정을 보여주는 순서도이다. 펠리클 멤브레인(130)표면에 파티클이 검출되면, 전원공급원을 통하여 펠리클 멤브레인(130)을 양극(+) 또는 (-)을 띠도록 대전시킨다. 이후 컬렉터(200)에 상기 펠리클 멤브레인(130)과 동일한 전기적 극성을 띠도록 대전 시킨 후 정전기 원리를 이용하여 펠리클 멤브레인 표면에 붙은 파티클과 결합하여 제거하기 위하여 펠리클 멤브레인 아래를 지나간다.4 is a flowchart illustrating a particle removal process occurring on the surface of the pellicle membrane according to the present invention. When particles are detected on the surface of the
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정·변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It is apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. will be.
도 1은 일반적인 레티클을 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a general reticle.
도 2는 본 발명의 정전기를 이용하여 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클을 제거하는 방법을 나타낸 구성도이다.Figure 2 is a block diagram showing a method for removing particles generated on the surface of the pellicle membrane using the static electricity of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 펠리클 프레임에 공급하는 전류를 보여주는 그래프이다.3 is a graph showing the current supplied to the pellicle frame according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 펠리클 멤브레인 표면에 발생한 파티클 제거과정을 보여주는 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a particle removal process occurring on the surface of the pellicle membrane according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100:석영 기판 110:크롬100: quartz substrate 110: chrome
120:펠리클 프레임 130:펠리클 멤브레인120: pellicle frame 130: pellicle membrane
200:컬렉터200: collector
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