KR20190133712A - 금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 금속 스트립(4)의 최상부측 또는 저부측(16, 18) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 분무 디바이스(12, 12a 내지 12d)를 포함하는, 금속 스트립(4)을 화학적으로 스케일 제거하기 위한 스케일 제거 디바이스(2)에 관한 것이다. 분무 디바이스(12, 12a 내지 12d)는 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 제1 에지 영역(52) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 제1 외부 분무 유닛(50), 및 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 제2 에지 영역(56) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 제2 외부 분무 유닛(54)을 가지며, 제2 에지 영역은 제1 에지 영역(52)과는 반대측에 있다. 2 개의 외부 분무 유닛(50, 54) 중 적어도 하나는 하나 이상의 솔리드 스트림 노즐들(20), 특히 복수 열들의 솔리드 스트림 노즐들(20), 및/또는 하나 이상의 슬롯형 노즐들(22)을 갖는다.

Description

금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스 및 방법

본 발명은 청구항 1의 전제부에 따른 금속 스트립(metal strip)의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스(descaling device)뿐만 아니라, 청구항 10의 전제부에 따른 금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 방법에 관한 것이다.

금속 스트립의 열간 압연 동안, 그 표면 상에 스케일 층(scale layer)이 형성된다. 금속 스트립의 임의의 후속 냉간 압연 전에, 스케일 층이 제거되어야 한다. 특히 이러한 이유로, 열간 압연 후의 금속 스트립은 통상적으로 스케일 제거 처리를 받는데, 그 동안 스케일 층이 제거된다.

금속 스트립의 화학적 스케일 제거 분야에서, 통상적으로 산-함유 산세제(pickling agent)가 사용되는 경우, 소위 침지 산세(dip pickling) 및 소위 분무 산세(spray pickling)로 구별된다. 침지 산세에서, 처리되는 금속 스트립은 산세제로 충전된 침지 탱크(dip tank) 내로 침지되는 반면, 분무 산세에서는, 처리되는 금속 스트립 상에 산세제가 분무된다. 분무 산세 기술은 침지 산세에 비하여 짧은 처리 시간에 의해 특징지어진다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 금속 스트립의 산세 분무 처리에서 높은 산세 효과가 달성될 수 있게 하는 것이다.

본 발명에 따르면, 이러한 과제는 청구항 1에 따른 스케일 제거 디바이스 및 청구항 10에 따른 방법에 의해 해결된다.

본 발명의 유리한 실시예들은 하기의 명세서뿐만 아니라 종속 특허 청구항들의 청구대상이며, 유리한 실시예들의 특징들은 스케일 제거 디바이스 및 방법 둘 모두에 적용될 수 있다.

금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 본 발명에 따른 스케일 제거 디바이스는 금속 스트립의 최상부측 또는 저부측 상에 산세제를 분무하기 위한 적어도 하나의 제1 분무 디바이스(spraying device) 및 적어도 하나의 추가 분무 디바이스를 포함한다. 제1 분무 디바이스 및 추가 분무 디바이스는 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제1 에지 영역 상에 산세제를 분무하기 위한 제1 외부 분무 유닛(spraying unit), 및 제1 에지 영역과는 반대측에 위치된 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제2 에지 영역 상에 산세제를 분무하기 위한 제2 외부 분무 유닛을 포함한다. 게다가, 제1 분무 디바이스는 에지 영역들 사이에 위치된 금속 스트립의 최상부측/저부측의 중간 영역 상에 산세제를 분무하기 위한 중간 분무 유닛을 더 포함한다.

제1 분무 디바이스의 2 개의 외부 또는 중간 분무 유닛들 중 적어도 하나는 다수 열들의 솔리드 스트림 노즐들(solid stream nozzles)을 포함하고, 제1 분무 디바이스의 분무 유닛들 각각은 자체의 산세제 분배 챔버(pickling agent distribution chamber)를 포함한다.

추가 분무 디바이스의 2 개의 외부 분무 유닛들 중 적어도 하나는 하나 이상의 슬롯형 노즐들(slotted nozzles)을 포함하며, 2 개의 외부 분무 유닛들 각각은 자체의 산세제 분배 챔버를 갖는다.

각각의 분무 유닛들의 노즐들은 유리하게는 분무 유닛들의 산세제 분배 챔버에 연결된다. 분무 디바이스의 그러한 실시예는 분무 디바이스의 용이하게 제조되는 구성뿐만 아니라, 분무 디바이스에 대한 약간의 제어 비용을 가능하게 한다.

솔리드 스트림 노즐들은 비교적 강인하며, 이들의 간단한 기하형상으로 인해 제조하기에 용이하다.

스케일 제거 디바이스들에서 지금까지 사용된 노즐들, 예컨대 플랫 스트림 노즐들(stream nozzles), 설형 노즐들(tongue nozzles) 또는 원추형 제트 노즐들(conical jet nozzles)은 각각, 팽창하고 따라서 균질하지 않은 운동량 분포를 갖는 제트(jet)를 생성하는 반면, 솔리드 스트림 노즐의 도움으로, 제트 직경을 가로질러 균질한 운동량 분포를 가지며 장거리에 걸쳐 있더라도 거의 팽창하지 않는 폐쇄형의 안정적인 고에너지 솔리드 스트림(solid stream)이 생성될 수 있다. 그러한 고에너지 솔리드 스트림에 의해, 금속 스트립 상에 형성되거나 형성하는 산세제의 층류 경계 층(laminar boundary layer)은 가능한 한 얇게 유지될 수 있어, 재료 교환에 긍정적인 영향을 미치고, 그에 따라 산세 효율성을 향상시킬 수 있다. 또한, 그러한 고에너지 솔리드 스트림은 달라붙은 스케일을 "세정(wash away)"하는 것을 가능하게 한다.

보다 높은 산세 효율성으로 인해, 금속 스트립의 완전한 스케일 제거에 필요한 처리 시간이 단축될 수 있다. 이것은 보다 짧은 처리 레인(treatment lane)(짧은 구조적 길이) 또는 (동일한 처리 레인의 경우) 금속 스트립의 보다 빠른 전달 속도를 가능하게 한다.

또한, 분무 디바이스에 하나 이상의 솔리드 스트림 노즐들을 사용하는 경우, 동일한 효과를 달성하기 위해 플랫 스트림 노즐들, 텅 노즐들 또는 원추형 제트 노즐들을 사용하는 경우보다 낮은 산세제 공급 압력이 필요하다(이는 솔리드 스트림 노즐의 제트가 장거리에 걸쳐서도 거의 팽창하지 않고, 그에 따라 금속 스트립 표면에 대한 높은 충격 작용을 가능하게 하기 때문임). 결국, 이것은, 예를 들어 보다 호적한 펌프들이 사용될 수 있기 때문에, 보다 낮은 작동 비용들을 가능하게 한다. 예를 들어, 분무 디바이스들은 4 bar의 산세제 공급 압력으로 작동될 수 있다.

또한, 솔리드 스트림 노즐에 의해 생성된 제트는 유리하게는 주변 공기의 혼합물을 포함하지 않는다. 다시 말해서, 솔리드 스트림 노즐에 의해 생성된 제트는 유리하게는 주변 공기와 혼합되지 않는다.

분무 디바이스의 솔리드 스트림 노즐들 각각은, 바람직하게는 일정하지 않은 단면을 갖는 산세제 출구 보어(pickling agent outlet bore)를 갖는다. 따라서, 예를 들어, 각각의 솔리드 스트림 노즐의 산세제 출구 보어의 단면적은 솔리드 스트림 노즐의 출구측 노즐 단부를 향해 감소될 수 있다. 노즐의 출구측 노즐 단부는 그 단부가 금속 스트립을 향하여 있다는 것을 의미한다. 따라서, 노즐의 입구측 노즐 단부는 그 단부가 금속 스트립을 등지고 있다는 것을 의미한다.

바람직하게는, 각각의 솔리드 스트림 노즐의 산세제 출구 보어의 가장 좁은 지점은 그의 출구측 노즐 단부에 위치된다. 각각의 솔리드 스트림 노즐의 산세제 출구 보어는 특히 깔때기형(funnel)으로서 구성될 수 있다.

또한, 바람직하게는 각각의 솔리드 스트림 노즐의 산세제 출구 보어는 가장 좁은 개소에서 2 ㎜ 이상 6 ㎜ 이하의 내경을 갖는다. 특히 바람직하게는, 각각의 솔리드 스트림 노즐의 산세제 출구 보어는 가장 좁은 개소에서 4 ㎜의 내경을 갖는다.

본 발명에 따른 스케일 제거 디바이스의 일 변형예는, 추가 분무 디바이스가 에지 영역들 사이에 위치된 금속 스트립의 최상부측/저부측의 중간 영역 상에 산세제를 분무하기 위한, 하나 이상의 슬롯형 노즐들뿐만 아니라, 자체의 산세제 분배 챔버를 갖는 중간 분무 유닛을 추가로 포함하는 것을 요구한다.

솔리드 스트림 노즐에 의해 생성된 산세제 제트는 전형적으로 금속 스트립 표면에 산세제를 점형으로 도포하지만, 슬롯형 노즐에 의해 생성된 산세제 제트는 전형적으로 금속 스트립 표면에 산세제를 선형으로 도포하게 한다. 슬롯형 노즐의 도움으로, 균질한 운동량 분포를 갖고 장거리에 걸쳐서도 거의 팽창하지 않는 폐쇄형의 안정적인 고에너지 제트가 생성될 수 있다. 하나 이상의 슬롯형 노즐들의 사용 때문에, 하나 이상의 솔리드 스트림 노즐들의 사용 시와 유사한 결과들이 얻어질 수 있다.

유리하게는, 스케일 제거 디바이스는 수평 이송 방향을 따라 금속 스트립을 반송하기 위한 스트립 이송 디바이스(strip conveying device)를 포함한다. 스트립 이송 디바이스는 예를 들어 롤러 컨베이어(roller conveyor)로서 설계될 수 있다. 바람직하게는, 이송 방향은 처리되는 금속 스트립의 길이 방향에 대응한다. 다시 말해서, 금속 스트립은 바람직하게는 그 길이 방향을 따라 스트립 이송 디바이스에 의해 반송된다.

바람직하게는, 2 개의 외부 분무 유닛들에는 동일한 유형의 노즐들이 갖춰져 있다. 제1 외부 분무 유닛이 예를 들어 하나 이상의 솔리드 스트림 노즐들을 가지면, 제2 외부 분무 유닛은 바람직하게는 마찬가지로 하나 이상의 솔리드 스트림 노즐들을 가질 것이다. 제1 외부 분무 유닛이 하나 이상의 슬롯형 노즐들을 가지면, 제2 외부 분무 유닛은 바람직하게는 마찬가지로 하나 이상의 슬롯형 노즐들을 가질 것이다.

또한, 분무 디바이스는 에지 영역들 사이에 위치된 금속 스트립의 최상부측/저부측의 중간 영역 상에 산세제를 분무하기 위한 중간 분무 유닛을 갖는 것이 유리하다. 특히 전술한 이유들 때문에, 중간 분무 유닛은 하나 이상의 솔리드 스트림 노즐들, 특히 다수 열들의 솔리드 스트림 노즐들, 및/또는 하나 이상의 슬롯형 노즐들을 포함하는 것이 특히 바람직하다.

전술한 분무 유닛들 각각은 유리하게는 금속 스트립의 최상부측/저부측 상에 산세제를 분무하기 위한 노즐들의 그룹을 포함한다.

바람직하게는, 분무 디바이스는 분무 바아(spray bar)로서 설계된다. 이러한 경우에, 전술한 산세제 분배 챔버들은, 예를 들어 분무 바아 내부에 배열된 격벽들, 특히 금속 칸막이들(metal dividers)의 도움으로 형성될 수 있다. 다시 말해서, 분무 바아로서의 분무 디바이스의 실시예의 경우에, 개별적인 산세제 분배 챔버들은 다수의 격벽들, 특히 금속 칸막이들에 의해 서로 분리될 수 있다. 격벽들은 유리하게는 분무 바아의 내부 체적을 약간만 감소시켜서, 분무 바아 내부의 마찰 손실들이 낮게 유지될 수 있게 한다.

본 발명의 다른 변형예에서, 분무 디바이스는 예를 들어 별개의 분무 바아들을 포함하여 전술한 분무 유닛들을 형성할 수 있다. 그러한 경우에, 이들 별개의 분무 바아들은 이송 방향에 수직으로 서로 오프셋되어 배열되는 것이 바람직하다. 이들은 마찬가지로 이송 방향으로 서로 오프셋되어 배열될 수 있다. 대안적으로, 별개의 분무 바아들은 이송 방향에 대해 동일한 포지션에 배열될 수 있다.

또한, 분무 디바이스는 그 산세제 분배 챔버들 각각에 산세제가 각각의 분무 유닛의 노즐들에 균질하게 도포되는 것을 보장하는 디바이스를 포함할 수 있다.

바람직하게는, 분무 디바이스는 적어도 10 ㎝의 내부 높이를 갖는다. 이것은 분무 디바이스 내부의 높은 압력 구배들을 회피하는 것을 가능하게 한다. 분무 디바이스의 내부 높이는 금속 스트립의 최상부측/저부측에 수직인 내부 치수를 의미한다.

스케일 제거 디바이스는 3 개의 분무 유닛들 각각을 위한 산세제 공급 라인(pickling agent supply line)을 가질 수 있다. 유리하게는, 스케일 제거 디바이스는 출구측에서 제1 외부 분무 유닛에 연결된 제1 산세제 공급 라인, 출구측에서 제2 외부 분무 유닛에 연결된 제2 산세제 공급 라인, 및 출구측에서 중간 분무 유닛에 연결된 제3 산세제 공급 라인을 포함한다.

유리하게는, 3 개의 산세제 공급 라인들 각각은 분무 방향에 수직인 각각의 분무 유닛 내로 비워진다. 즉, 유리하게는, 제1 산세제 공급 라인은 제1 외부 분무 유닛의 분무 방향에 수직으로 제1 외부 분무 유닛 내로 비워지는 한편, 제2 산세제 공급 라인은 제2 외부 분무 유닛의 분무 방향에 수직으로 제2 외부 분무 유닛 내로 비워지고, 제3 산세제 공급 라인은 중간 분무 유닛의 분무 방향에 수직으로 중간 분무 유닛 내로 비워진다. 이러한 방식으로, 개별 분무 유닛들에서 균일한 압력 분포가 달성되고, 그에 따라 그들의 노즐들에서 균일한 압력 분포가 달성될 수 있다.

분무 유닛들 각각은 유리하게는 금속 스트립의 최상부측/저부측 상에 산세제를 수직 또는 실질적으로 수직 방식으로 분무하도록 적합화된다. 이것은, 예를 들어 매번 분무 유닛들이 금속 스트립의 최상부측/저부측 상에 수직으로 또는 실질적으로 수직으로, 즉 수직 상향 또는 실질적으로 수직 상향으로, 또는 수직 하향 또는 실질적으로 수직 하향으로 배향되는 분무 방향을 갖도록 분무 유닛들의 노즐들이 배향되는 경우에 성취된다.

각각의 분무 유닛의 분무 방향은 분무 유닛이 산세제를 분무하는 방향을 의미한다. "금속 스트립의 최상부측/저부측에 실질적으로 수직"이라는 문구는 금속 스트립의 최상부측/저부측에 직각으로부터, ±20° 이하, 바람직하게는 ±10° 이하의 편차를 갖는 것으로 이해될 수 있다.

또한, 분무 디바이스의 분무 유닛들 중 적어도 하나는, 바람직하게는 이송 방향에 평행한 수평축을 중심으로 경사지거나 회전-장착될 수 있다.

본 발명의 하나의 유리한 실시예에서, 스케일 제거 디바이스는 분무 디바이스의 각각의 분무 유닛의 산세제 분산 속도를, 특히 연속적으로 또는 몇 개의 별도 단계들로 조정 가능한 제어 디바이스를 포함한다.

각각의 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 단위 시간당 각각의 분무 유닛으로부터 나오는 산세제의 양, 다시 말해서 각각의 분무 유닛으로부터 나오는 산세제의 체적 유동(volume flow)인 것으로 이해된다.

본 발명의 의미에서, 양(quantity)의 제어는 그러한 양의 조절, 즉 측정된 값 피드백에 의한 제어를 포함할 수 있다. 따라서, 전술한 제어 디바이스는 특히 조절 디바이스일 수 있다.

또한, 본 발명의 의미에서, 양이 또한 (스케일 제거 디바이스에서 달성될 수 있는) 양의 영(zero) 이외의 값과 최대 값 사이에서 다른 값으로 설정될 수 있다면, 그러한 양은 "몇 개의 별도 단계들로 조정 가능"하다. 다시 말해서, 본 발명의 의미에서, 양이 영 이외의 적어도 2 개의 값들로 설정될 수 있다면, 그러한 양은 "몇 개의 별도 단계들로 조정 가능"하다.

제어 디바이스에 의해, 중간 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 바람직하게는 제1 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도와 독립적으로, 그리고 제2 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도와 독립적으로 조정 가능하다. 이것은 금속 스트립의 최상부측/저부측 상의 스케일 층의 두께의 폭 프로파일의 특성에 따라 폭 방향으로 금속 스트립에 대한 산세제 도포를 조정하는 것을 가능하게 한다.

전형적으로, 스트립 에지들에서의 스케일 층의 두께는 스트립 중간 영역보다 크다. 금속 스트립이 그 폭에 걸쳐 균질하게 산세제로 도포되면, 이것은 심한 산세제 도포의 경우에, 스트립 중간 영역을 "과잉 습윤"시키는 효과를 가질 것이고, 즉 스케일 층뿐만 아니라 아래에 놓인 기재(base material)도 또한 산세제에 의해 제거될 것인 반면, 약간의 산세제 도포의 경우에, 스케일 층은 특히 스트립 에지들에서 완전히 제거되지 않을 것이다.

금속 스트립이 그의 최상부측/저부측의 에지 영역들에서, 이들 사이에 위치된 최상부측/저부측의 중간 영역보다 큰 스케일 층의 두께를 갖는 경우, 중간 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 외부 분무 유닛들의 산세제 분산 속도보다 낮은 값으로 설정될 수 있다. 이러한 방식으로, 균질한 스케일 제거 결과를 달성하는 것이 가능하다. 이러한 방식으로 금속 스트립의 과잉 산세가 회피될 수 있기 때문에, 산세제에 대한 요구를 감소시키는 것이 또한 가능하고, 이는 결국 산세 용액의 재생 비용의 저감을 가능하게 한다.

바람직하게는, 제1 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 제어 디바이스에 의해 제2 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도와 독립적으로 조정 가능하다. 이러한 방식으로, 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제1 에지 영역에, 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제2 에지 영역과는 상이한 양의 산세제를 도포하는 것이 가능하다.

또한, 제어 디바이스는 출구측에서 분무 디바이스에 연결된 다수의 산세제 전달 펌프들을 포함할 수 있다. 산세제 전달 펌프들의 도움으로, 산세제는 분무 디바이스에 전달될 수 있다. 산세제 전달 펌프는 분무 유닛들의 산세제 분산 속도들을 조정하는데 사용될 수 있다. 특히, 산세제 전달 펌프들은 주파수-조절식 펌프들(frequency-regulated pumps)일 수 있다.

산세제 전달 펌프들 중 하나는 2 개의 외부 분무 유닛들에 연결될 수 있는 한편, 산세제 전달 펌프들 중 다른 하나는 중간 분무 유닛에 연결될 수 있다. 대안적으로, 제1 산세제 전달 펌프는 제1 외부 분무 유닛에 연결되고, 제2 산세제 전달 펌프는 제2 외부 분무 유닛에 연결되고, 제3 산세제 전달 펌프는 중간 분무 유닛에 연결될 수 있다.

산세제 전달 펌프들은 바람직하게는 제어 디바이스의 제어 유닛(control unit)에 연결된다. 제어 유닛은 유리하게는 각각의 산세제 전달 펌프의 전달 성능을, 특히 연속적으로 또는 몇 개의 별도 단계들로 조정하도록 설계된다. 또한, 각각의 펌프의 전달 성능은 다른 산세제 전달 펌프들의 전달 성능들과 독립적으로 조정 가능한 것이 유리하다. 각각의 전달 성능을 변경함으로써, 각각의 분무 유닛의 산세제 분산 속도가 변경될 수 있다.

또한, 제어 디바이스는 다수의 밸브들(valves)을 포함할 수 있다. 이들 밸브들은 분무 유닛들의 산세제 분산 속도들을 조정하기 위해 산세제 전달 펌프들에 대해 대안적으로 또는 추가적으로 사용될 수 있다. 유리하게는, 분무 디바이스는 입구측에서 밸브들에, 특히 전술한 산세제 공급 라인들을 거쳐서 연결된다.

2 개의 외부 분무 유닛들에 대해, 공통 밸브 또는 각각의 별개 밸브가 각각 제공될 수 있다. 중간 분무 유닛에는 바람직하게는 자체 밸브가 제공된다. 또한, 밸브들이 제어 디바이스의 제어 유닛에 연결되는 것이 유리하다.

제어 유닛은 바람직하게는 각각의 밸브의 밸브 포지션을, 특히 연속적으로 또는 몇 개의 별도 단계들로 조정하도록 설계된다. 각각의 밸브 포지션을 변경함으로써, 각각의 분무 유닛의 산세제 분산 속도가 변경될 수 있다.

또한, 전술한 산세제 공급 라인들에는, 각각의 산세제 공급 라인에서의 산세제 압력 또는 산세제 유량을 모니터링하기 위한 압력 및/또는 유량 센서가 각각 갖춰져 있을 수 있다. 이들 센서들은 바람직하게는 제어 디바이스의 제어 유닛에 연결된다. 제어 디바이스, 특히 그것의 제어 유닛은 이들 센서들의 센서 신호들에 의존하여 전술한 산세제 전달 펌프들 및/또는 밸브들을 제어하도록 설계될 수 있다.

전술한 분무 유닛들에 부가하여, 분무 디바이스는 금속 스트립의 최상부측/저부측 상에 산세제를 분무하기 위한 추가 분무 유닛들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 분무 디바이스는 중간 분무 유닛과 제1 외부 분무 유닛 사이에 제1 추가 분무 유닛을 포함하고, 중간 분무 유닛과 제2 외부 분무 유닛 사이에 제2 추가 분무 유닛을 포함할 수 있다. 각각의 추가 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 바람직하게는 제어 디바이스에 의해 분무 디바이스의 다른 분무 유닛들의 산세제 분산 속도들과 독립적으로 조정 가능하다.

또한, 제어 디바이스는 금속 스트립의 표면 파라미터(surface parameter), 특히 금속 스트립의 스케일 층의 두께에 의존하는 표면 파라미터를 검출하기 위한 하나 이상의 센서들을 갖는 센서 유닛(sensor unit)을 포함할 수 있다.

표면 파라미터는, 예를 들어 스케일 층 자체의 두께, 또는 스케일 층의 두께에 의존하는 다른 표면 파라미터일 수 있다. 특히, 센서 유닛은 표면 파라미터를 검출하기 위한 하나 이상의 비접촉 측정 센서들을 포함할 수 있다.

또한, 센서 유닛은 특히 금속 스트립의 폭을 가로지르는 포지션 분해능으로 상기 표면 파라미터, 다시 말해서 표면 파라미터의 폭 프로파일을 측정하도록 설계될 수 있다. 센서 유닛은 이송 방향의 관점에서 분무 디바이스 이전 또는 이후에 배열될 수 있다.

또한, 센서 유닛이 제어 디바이스의 제어 유닛에 연결되는 것이 유리하다. 제어 디바이스, 특히 그것의 제어 유닛은 센서 유닛의 출력 신호에 의존하여 각각의 분무 유닛의 산세제 분산 속도를 조정하도록 설계된다.

또한, 각각의 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 금속 스트립의 소위 코일링 온도(coiling temperature) 및/또는 그의 재료 등급과 같은 하나 이상의 알려진 제조 파라미터들에 의존하여 제어될 수 있다. 그러한 파라미터는 유리하게는 제어 디바이스, 특히 그것의 제어 유닛에 중계된다. 바람직하게는, 제어 유닛은 제어 유닛에 중계된 제조 파라미터들 및/또는 센서 신호들의 도움으로 각각의 분무 유닛에 대해 설정될 산세제 분산 속도를 계산하도록 설계된다.

또한, 스케일 제거 디바이스는 처음에 언급된 분무 디바이스와 동일한 금속 스트립의 측 상에 산세제를 분무하기 위한 적어도 하나의 추가 분무 디바이스, 특히 적어도 하나의 추가 분무 바아를 포함할 수 있다. 처음에 언급된 분무 디바이스 및 추가 분무 디바이스(들)는 바람직하게는 이송 방향으로 연속하여 배열되어 있다.

처음에 언급된 분무 디바이스와 마찬가지로, 그러한 추가 분무 디바이스는 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제1 에지 영역 상에 산세제를 분무하기 위한 제1 외부 분무 유닛, 및 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제2 에지 영역 상에 산세제를 분무하기 위한 제2 외부 분무 유닛을 포함할 수 있다. 선택적으로, 그러한 추가 분무 디바이스는 금속 스트립의 최상부측/저부측의 중간 영역 상에 산세제를 분무하기 위한 중간 분무 유닛을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 그러한 추가 분무 디바이스에서, 그것의 분무 유닛들의 산세제 분산 속도들은 제어 디바이스에 의해, 처음에 언급된 분무 디바이스의 분무 유닛들의 산세제 분산 속도들과 동일한 방식으로 제어될 수 있다.

또한, 처음에 언급된 분무 디바이스 및 추가 분무 디바이스(들)는 상이한 종류들의 노즐들을 가질 수 있다. 분무 디바이스들 중 하나는 예를 들어 솔리드 스트림 노즐들(만)을 가질 수 있고, 분무 디바이스들 중 다른 하나는 결국 예를 들어 슬롯형 노즐들(만)을 가질 수 있다.

또한, 스케일 제거 디바이스는 금속 스트립의 다른 측 상에 산세제를 분무하기 위한 적어도 하나의 추가적인 분무 디바이스를 포함할 수 있다. 여기서, 금속 스트립의 "다른 측"이라는 문구는, 처음에 언급된 분무 디바이스가 금속 스트립의 최상부측 상에 산세제를 분무하는 경우, 다른 측이 금속 스트립의 저부측인 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 반대로, 처음에 언급된 분무 디바이스가 금속 스트립의 저부측 상에 산세제를 분무하는 경우, 다른 측은 금속 스트립의 최상부측이다. 처음에 언급된 분무 디바이스와 관련하여 언급된 특징들은 그러한 추가적인 분무 디바이스와 유사한 방식으로 관련될 수 있다.

산세제와 접촉하는 스케일 제거 디바이스의 그러한 요소들은 유리하게는 내산성 재료, 특히 플라스틱 및/또는 세라믹으로 구성된다. 전술한 노즐들은 예를 들어 폴리비닐리덴 플루오라이드(polyvinylidene fluoride; PVDF) 및/또는 폴리프로필렌(PP)으로 구성되거나, 이들 재료들을 함유할 수 있다.

또한, 스케일 제거 디바이스는 금속 스트립의 침지 산세 처리를 위한 침지 탱크를 포함할 수 있다. 이것은 바람직하게는 이송 방향의 관점에서 분무 디바이스의 후방에 배열된다. 침지 탱크에서의 침지 산세 처리는 분무 처리 동안 제거되지 않은 스케일 잔류물을 제거하고, 그리고/또는 산세 효과를 균일하게 하는 역할을 할 수 있다.

또한, 스케일 제거 디바이스는 금속 스트립의 침지 산세 처리를 위한 추가 침지 탱크를 포함할 수 있으며, 분무 디바이스는 예를 들어 이송 방향의 관점에서 2 개의 침지 탱크들 사이에 배열된다.

금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 본 발명에 따른 방법에서, 산세제는 적어도 하나의 제1 분무 디바이스 및 적어도 하나의 추가 분무 디바이스에 의해 금속 스트립의 최상부측 또는 저부측 상에 분무된다. 이러한 프로세스에서, 산세제는 제1 및 추가 분무 디바이스의 제1 외부 분무 유닛에 의해, 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제1 에지 영역 상에 분무되고, 제1 및 추가 분무 디바이스의 제2 외부 분무 유닛에 의해, 제1 에지 영역과는 반대측에 위치된 금속 스트립의 최상부측/저부측의 제2 에지 영역 상에 분무된다. 또한, 산세제는 제1 분무 디바이스의 중간 분무 유닛에 의해, 에지 영역들 사이에 위치된 금속 스트립의 최상부측/저부측의 중간 영역 상에 분무된다. 본 발명에 따른 방법에서, 산세제는 금속 스트립의 최상부측/저부측 상에, 제1 분무 디바이스의 2 개의 외부 분무 유닛들 또는 중간 분무 유닛 중 적어도 하나에 의해 다수 열들의 솔리드 스트림 노즐들을 통해, 그리고 추가 분무 디바이스의 2 개의 외부 분무 유닛들 중 적어도 하나에 의해 하나 이상의 슬롯형 노즐들을 통해 분무되는 것이 제공된다.

산세제는 적어도 하나의 추가 분무 디바이스의 중간 분무 유닛의 하나 이상의 슬롯형 노즐들을 통해 2 개의 에지 영역들 사이에 위치된 금속 스트립의 최상부측/저부측의 중간 영역 상에 분무되는 경우에 특히 바람직하다.

본 발명에 따른 스케일 제거 디바이스는 본 발명에 따른 방법을 수행하는데 사용될 수 있다. 즉, 방법과 관련하여 언급된 디바이스들은 특히 스케일 제거 디바이스의 요소들일 수 있다.

금속 스트립 상에 산세제의 분무는 바람직하게는 금속 스트립의 화학적 스케일 제거뿐만 아니라, 스케일 층의 기계적 제거(mechanical ablation)를 야기한다.

상기 방법에서, 금속 스트립은 바람직하게는 스트립 이송 디바이스에 의해, 특히 전술한 스케일 제거 디바이스의 스트립 이송 디바이스에 의해 길이 방향에 평행하게 반송된다.

바람직하게는, 금속 스트립 상에 분무되는 산세제는 염산과 같은 산이거나 산을 함유한다. 금속 스트립은 특히 강철 스트립일 수 있다. 또한, 금속 스트립은 바람직하게는 열간 압연된 금속 스트립이다.

본 발명의 하나의 유리한 실시예에서, 적어도 하나의 제1 분무 디바이스 및/또는 적어도 하나의 추가 분무 디바이스의 제1 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도 및 제2 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 제어 디바이스에 의해 제1 분무 디바이스 및 추가 분무 디바이스의 각각의 중간 분무 유닛의 산세제 분산 속도와 상이한 값으로 매번 설정된다. 이러한 방식으로, 특히 스케일이 에지 영역들에서 중간 영역과 상이한 두께를 갖는 경우에 균질한 스케일 제거 결과가 달성될 수 있다.

예를 들어, 제1 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도 및 제2 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도는, 특히 2 개의 에지 영역들에서 스케일 층의 두께가 보다 큰 경우에, 제어 디바이스에 의해 중간 분무 유닛의 산세제 분산 속도보다 큰 값으로 설정될 수 있다.

기본적으로, 제1 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도 및 제2 외부 분무 유닛의 산세제 분산 속도는 제어 디바이스에 의해 상이한 값들로 설정되는 것이 가능하다. 따라서, 예를 들어, 제어 디바이스에 의해 2 개의 외부 분무 유닛들 중 하나의 산세제 분산 속도만을 중간 분무 유닛의 산세제 분산 속도와 상이한 값으로 설정하는 것이 가능하다.

유리하게는, 적어도 하나의 제1 분무 디바이스 및/또는 적어도 하나의 추가 분무 디바이스의 각각의 분무 유닛의 산세제 분산 속도는, 제어 디바이스의 도움으로, 제1 분무 디바이스 및/또는 추가 분무 디바이스가 금속 스트립에 폭 방향으로 주어진 산세제 분무 프로파일(pickling agent spraying profile)로 작용하도록 설정된다. 산세제 분무 프로파일은 분무 디바이스에 의해 주어진 방향(여기서: 금속 스트립의 폭 방향)을 따라 금속 스트립에 도포되는 산세제 양의 프로파일을 의미한다.

산세제 분무 프로파일은 제1 및/또는 제2 에지 영역에서 외부로 증가하거나 감소할 수 있고, 특히 선형 방식으로 증가하거나 감소할 수 있다. 또한, 분무 프로파일은 스트립 중앙 평면에 대해 대칭일 수 있다. 스트립 중앙 평면은 여기서는 금속 스트립이 그에 대해 거울 대칭을 갖는 수직 평면을 의미한다.

또한, 금속 스트립에 작용하는 산세제 분무 프로파일은 평탄부(plateau)를 갖지 않을 수 있다. 대안적으로, 산세제 분무 프로파일은, 특히 상기 2 개의 에지 영역들 사이에, 평탄부를 가질 수 있다.

전술한 종류의 산세제 분무 프로파일은, 예를 들어 제1 외부 분무 유닛의 노즐들이 삼각형으로 서로 나란히 배열되고, 제2 외부 분무 유닛의 노즐들이 삼각형으로 서로 나란히 배열되며, 중간 분무 유닛의 노즐들이 사다리꼴로, 특히 등변 사다리꼴 형태로, 또는 마찬가지로 삼각형으로 서로 나란히 배열된다는 점에서 실현될 수 있다.

본 발명의 유리한 실시예들의 지금까지 주어진 설명은 개별적인 종속 특허 청구항들에 제시되고 때로는 이들 중 몇 개로 결합된 다수의 특징들을 포함한다. 그러나, 이러한 특징들은 또한 개별적으로 고려될 수 있고, 추가의 의미있는 조합들로 조립될 수 있다. 특히, 이들 특징들은 개별적으로, 그리고 본 발명에 따른 스케일 제거 디바이스 및 본 발명에 따른 방법과 임의의 적합한 조합으로 조합될 수 있다. 더욱이, 방법 특징들은 또한 대응하는 디바이스 유닛의 속성으로서 간주될 수 있다.

명세서 또는 특허 청구범위에 있어서의 특정 용어들이 단수로 또는 숫자와 관련하여 사용되는 경우에도, 본 발명의 범위는 이들 용어들에 대해 단수 또는 특정 숫자로 제한되지 않아야 한다.

본 발명의 전술한 속성들, 특징들 및 이점들뿐만 아니라, 이들이 달성되는 방식은 도면들과 관련하여 보다 면밀하게 논의되는 본 발명의 예시적인 실시예들에 대한 하기의 설명과 관련하여 보다 명확하고 명백하게 이해 가능할 것이다. 예시적인 실시예들은 본 발명을 설명하는 역할을 하며, 본원에 나타낸 특징들의 조합들에 대해, 또는 기능적 특징들과 관련하여 본 발명을 제한하지 않는다.

더욱이, 각각의 예시적인 실시예의 적합한 특징들은 또한 명시적으로 별개로 간주되고, 예시적인 실시예로부터 제거되고, 그것을 보완하기 위해 다른 예시적인 실시예에 도입되고, 청구항들 중 어느 하나와 조합될 수 있다.

동일한 참조 부호들이 상이한 도면들에서 사용되는 경우, 이들 참조 부호들은 실질적으로 동일하거나 동등한 요소들을 지시한다. 그러나, 편의상의 이유들로, 실질적으로 동일하거나 동등한 요소들은 또한 상이한 참조 부호들로 지시될 수도 있다.

도 1은 금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한, 본 발명에 따른 스케일 제거 디바이스의 예시적인 실시예이고;
도 2는 도 1의 스케일 제거 디바이스를 통한 단면도이며;
도 3은 스케일 제거 디바이스의 2 개의 분무 디바이스들의 도면이고;
도 4는 스케일 제거 디바이스에서 금속 스트립에 도포되는 산세제 분무 프로파일이며;
도 5는 스케일 제거 디바이스를 위한 2 개의 다른 분무 디바이스들의 도면이고;
도 6은 도 5의 분무 디바이스들 중 하나를 사용하는 경우에 금속 스트립에 도포되는 산세제 분무 프로파일이다.

도 1은 금속 스트립(4)의 화학적 스케일 제거를 위한, 본 발명에 따른 스케일 제거 디바이스(2)의 예시적인 실시예를 개략도로 도시하고 있다.

스케일 제거 디바이스(2)에는 금속 스트립(4)을 이송 방향(8)을 따라 반송하기 위한 스트립 이송 디바이스(6)가 갖춰져 있다. 본 예시적인 실시예에서, 스트립 이송 디바이스(6)는 다수의 롤러들(rollers)(10)을 갖는 롤러 컨베이어로서 설계된다.

또한, 스케일 제거 디바이스(2)는 금속 스트립(4)의 최상부측(16) 상에 염산을 함유하는 산세제(14)를 분무하기 위한 다수의 상부 분무 디바이스들(12), 및 금속 스트립(4)의 저부측(18) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 다수의 하부 분무 디바이스들(12)을 포함한다. 도 1에는, 일 예로서, 4 개의 상부 분무 디바이스들(12) 및 4 개의 하부 분무 디바이스들(12)이 도시되어 있다. 이론적으로, 스케일 제거 디바이스(2)는 또한 보다 많거나 보다 적은 수의 그러한 분무 디바이스들(12)을 가질 수 있다.

상부 분무 디바이스들(12)은 스트립 이송 디바이스(6)의 이송 방향(8)으로 연속하여 배열되어 있다. 마찬가지로, 하부 분무 디바이스들(12)은 스트립 이송 디바이스(6)의 이송 방향(8)으로 연속하여 배열되어 있다. 또한, 분무 디바이스들(12)은 각각 분무 바아로서 구성된다.

본 예시적인 실시예에서, 스케일 제거 디바이스(2)의 모든 상부 분무 디바이스들(12)은 동일한 높이로 배열된다. 즉, 스케일 제거 디바이스(2)의 모든 상부 분무 디바이스들(12)은 금속 스트립(4)의 최상부측(16)에 대해 동일한 거리를 갖는다. 또한, 스케일 제거 디바이스(2)의 모든 하부 분무 디바이스들(12)은 동일한 높이로 배열된다. 즉, 스케일 제거 디바이스(2)의 모든 하부 분무 디바이스들(12)은 금속 스트립(4)의 저부측(18)에 대해 동일한 거리를 갖는다.

금속 스트립(4)의 최상부측(16)으로부터의 상부 분무 디바이스들(12)의 거리는 금속 스트립(4)의 저부측(18)으로부터의 하부 분무 디바이스들(12)의 거리보다 작거나 클 수 있다. 대안적으로, 이들 두 거리들은 동일할 수 있다. 금속 스트립(4)의 저부측(18)으로부터의 하부 분무 디바이스들(12)의 거리가 금속 스트립(4)의 최상부측(16)으로부터의 상부 분무 디바이스들(12)의 거리보다 작은 경우에 특히 바람직하다.

상부 및 하부 분무 디바이스들(12) 중 일부는 제1 유형의 분무 디바이스들(12a)이다. 다른 상부 분무 디바이스들(12)은 제2 유형의 분무 디바이스들(12b)이다. 제1 유형의 분무 디바이스들(12a)은 다수의 솔리드 스트림 노즐들(20)을 포함하는 반면, 제2 유형의 분무 디바이스들(12b)은 다수의 슬롯형 노즐들(22)을 포함한다(도 3 참조).

본 예시적인 실시예에서, 제1 유형의 분무 디바이스들(12a) 및 제2 유형의 분무 디바이스들(12b)은 스트립 이송 디바이스(6)의 이송 방향(8)으로 교대로 배열된다. 즉, 제1 유형의 분무 디바이스(12a) 다음에 제2 유형의 분무 디바이스(12b)가 이송 방향(6)으로 이어지고, 이 제2 유형의 분무 디바이스(12b) 다음에 제1 유형의 분무 디바이스(12a)가 이송 방향(8)으로 이어지는 등등으로 배열된다.

제2 유형의 분무 디바이스들(12b), 즉 슬롯형 노즐들(22)을 갖는 분무 디바이스들(12b)은 본 실시예에서 특히 스케일 제거 결과를 균질화하기 위해 이용된다.

그러나, 분무 디바이스들(12)의 배열은 그러한 교대 배열일 필요는 없다. 또한, 동일한 수의 제1 유형의 분무 디바이스들(12a) 및 제2 유형의 분무 디바이스들(12b)이 존재할 필요는 없다. 더욱이, 스케일 제거 디바이스(2)에서 동일한 유형의 분무 디바이스들(12)만을 사용하는 것이 기본적으로 가능하다.

또한, 스케일 제거 디바이스(2)는 상기 분무 디바이스들(12)이 배열되는 산세 챔버(pickling chamber)(24)를 포함한다. 산세 챔버(24)는 금속 스트립(4)으로부터 배출되는 산세제(14)를 수용하기 위한 하부 챔버 부분(26), 및 하부 챔버 부분(26) 위에 배열된 상부 챔버 부분(28)을 포함한다.

또한, 스케일 제거 디바이스(2)는 상부 압착 롤러(squeezing roller)(34) 및 하부 압착 롤러(36)를 각각 갖는 제1 압착 롤러 쌍(30) 및 제2 압착 롤러 쌍(32)을 포함한다. 제1 압착 롤러 쌍(30)은 이송 방향(8)의 관점에서 산세 챔버(24)의 전방에 배열되고, 제2 압착 롤러 쌍(32)은 산세 챔버(24) 내에 배열된다. 압착 롤러들(34, 36)은 금속 스트립(4)을 지지 및 안내한다. 압착 롤러 쌍(30, 32)을 통해 이동할 때, 금속 스트립 표면 상에 존재하는 액체는 압착 롤러들(34, 36)에 의해 축출된다.

또한, 스케일 제거 디바이스(2)는 제어 디바이스(38)를 포함하며, 도 1은 제어 디바이스(38)의 제어 유닛(40), 제1 센서 유닛(42a) 및 제2 센서 유닛(42b)을 도시하고 있다.

상기 센서 유닛들(42a, 42b)은 제어 유닛(40)에 연결되며, 각각 상부 센서 열(44) 및 하부 센서 열(46)을 포함한다. 제1 센서 유닛(42a)의 센서 열들(44, 46)은 스트립 이송 디바이스(6)의 이송 방향(8)에 대해 분무 디바이스들(12)의 전방에 배열된다. 제2 센서 유닛(42b)의 센서 열들(44, 46)은 스트립 이송 디바이스(6)의 이송 방향(8)에 대해 분무 디바이스들(12)의 후방에 배열된다. 바람직하게는, 각각의 센서 유닛(42a, 42b)의 센서 열들(44, 46)은 (도 1에 도시된 바와 같이) 산세 챔버(24) 외부에 배열된다.

금속 스트립(4)은 스트립 이송 디바이스(6)에 의해 스케일 제거 디바이스(2)를 통해 금속 스트립(4)의 길이 방향(48)에 평행하게 반송된다. 산세 챔버(24)에서, 금속 스트립(4)에는, 금속 스트립(4)을 화학적으로 스케일 제거하기 위해, 즉 금속 스트립(4) 상에 위치된 스케일 층을 제거하기 위해 분무 디바이스들(12)에 의해 산세제(14)가 도포된다.

제1 센서 유닛(42a)의 상부 센서 열(44)은 분무 디바이스들(12)의 전방에서, 그리고 금속 스트립(4)의 폭을 가로지르는 위치 분해능으로, 금속 스트립(4)의 최상부측(16) 상의 스케일 층의 두께에 의존하는 금속 스트립(4)의 표면 파라미터를 검출한다. 따라서, 제1 센서 유닛(42a)의 하부 센서 열(46)은 분무 디바이스들(12)의 전방에서, 그리고 금속 스트립(4)의 폭을 가로지르는 위치 분해능으로, 금속 스트립(4)의 저부측(18) 상의 스케일 층의 두께에 의존하는 금속 스트립(4)의 표면 파라미터를 검출한다.

마찬가지로, 제2 센서 유닛(42b)의 상부 센서 열(44)은 분무 디바이스들(12)의 후방에서, 그리고 금속 스트립(4)의 폭을 가로지르는 위치 분해능으로, 금속 스트립(4)의 최상부측(16) 상의 스케일 층의 두께에 의존하는 금속 스트립(4)의 표면 파라미터를 검출한다. 따라서, 제2 센서 유닛(42b)의 하부 센서 열(46)은 분무 디바이스들(12)의 후방에서, 그리고 금속 스트립(4)의 폭을 가로지르는 위치 분해능으로, 금속 스트립(4)의 저부측(18) 상의 스케일 층의 두께에 의존하는 금속 스트립(4)의 표면 파라미터를 검출한다. 제2 센서 유닛(42b)의 센서 열들(44, 46)은 특히 제1 센서 유닛(42a)의 센서 열들(44, 46)과 동일한 표면 파라미터를 매번 검출할 수 있다.

센서 유닛들(42a, 42b)의 센서 열들(44, 46)에 의해 발생된 센서 신호들은 제어 유닛(40)에 중계된다.

제어 유닛(40)의 도움으로, 금속 스트립(4) 상의 산세제 도포는, 바람직하게는 스케일 층의 완전한 제거와 함께, 가능한 한 가장 균질한 스케일 제거 결과가 달성되도록, 전술한 센서 신호들에 의존하여 제어된다.

기본적으로, 스케일 제거 디바이스(2)는 양쪽 센서 유닛들(42a, 42b) 대신에 2 개의 센서 유닛들(42a, 42b) 중 하나만을 가지며, 이에 맞춰 센서 유닛들(42a, 42b) 중 하나만의 센서 신호들에 의존하여 금속 스트립(4) 상의 산세제 도포를 제어하는 것이 가능하다.

또한, 스케일 제거 디바이스(2)는 금속 스트립(4)의 침지 산세 처리를 위한 하나 이상의 침지 탱크들(도시되지 않음)을 가질 수 있다. 예를 들어, 스케일 제거 디바이스(2)는 산세 챔버(24) 이전에 하나의 침지 탱크를 갖고, 산세 챔버(24) 이후에 추가 침지 탱크를 가질 수 있다. 각각의 침지 탱크에서, 분무 디바이스들(12)에 의해 금속 스트립(4) 상에 분무되는 것과 동일한 산세제가 사용될 수 있거나, 상이한 산세제가 사용될 수 있다.

도 2는 도 1의 단면 II-II를 따라 스케일 제거 디바이스(2)를 통한 단면도를 도시하고 있다.

이제, 도 2를 참조하여, 분무 디바이스들(12)의 구성이 보다 면밀하게 설명될 것이다.

이미 언급된 바와 같이, 분무 디바이스들(12)은 각각 분무 바아로서 구성된다.

상부 분무 디바이스들(12) 각각은, 금속 스트립(4)의 최상부측(16)의 제1 에지 영역(52) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 제1 외부 분무 유닛(50), 제1 에지 영역(52)과는 반대측에 위치된 금속 스트립(4)의 최상부측(16)의 제2 에지 영역(56) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 제2 외부 분무 유닛(54), 및 에지 영역들(52, 56) 사이에 위치된 금속 스트립(4)의 최상부측(16)의 중간 영역(60) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한, 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54) 사이에 배열된 중간 분무 유닛(58)을 포함한다.

따라서, 하부 분무 디바이스들(12) 각각은, 금속 스트립(4)의 저부측(18)의 제1 에지 영역(52) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 제1 외부 분무 유닛(50), 제1 에지 영역(52)과는 반대측에 위치된 금속 스트립(4)의 저부측(18)의 제2 에지 영역(56) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한 제2 외부 분무 유닛(54), 및 에지 영역들(52, 56) 사이에 위치된 금속 스트립(4)의 저부측(18)의 중간 영역(60) 상에 산세제(14)를 분무하기 위한, 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54) 사이에 배열된 중간 분무 유닛(58)을 포함한다.

각각의 분무 디바이스(12)의 상기 분무 유닛들(50, 54, 58)은 금속 스트립(4)의 폭 방향(62)으로 연속하여 배열된다. 또한, 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각은 다수의 노즐들(20, 22)을 포함한다(도 3 참조).

또한, 분무 유닛들(50, 54, 58)은 금속 스트립(4)의 최상부측(16) 또는 저부측(18) 상에 수직으로 산세제(14)를 분무하도록 설계된다. 분무 유닛들(50, 54, 58)의 노즐들(20, 22)은 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각이 금속 스트립(4)의 최상부측(16) 또는 저부측(18)에 수직으로, 즉 수직 상향 또는 수직 하향으로 지향된 분무 방향(64)을 갖도록 배향된다.

스트립 표면으로부터의 분무 디바이스들(12)의 거리, 또는 보다 적절하게는 스트립 표면으로부터의 노즐들(20, 22)의 거리는 본 예에서 500 ㎜만큼 클 수 있다.

또한, 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각은 각각의 분무 유닛들(50, 54, 58)의 노즐들(20, 22)이 그들의 입구측 노즐 단부에 의해 각각 연결되는 자체의 산세제 분배 챔버(66)를 갖는다.

또한, 스케일 제거 디바이스(2)는 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각을 위한 산세제 공급 라인(pickling agent supply line)(68)을 포함한다. 각각의 산세제 공급 라인(68)은 분무 방향(64)에 수직으로 각각의 분무 유닛(50, 54, 58) 내로 비워져서, 개별 분무 유닛들(50, 54, 58)에서 균일한 압력 분포가 달성되게 한다.

또한, 전술한 제어 디바이스(38)는 다수의 산세제 전달 펌프들(pickling agent delivery pumps)(70)을 포함하며, 본 예시적인 실시예에서, 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각에 대해 별개의 산세제 전달 펌프(70)가 제공된다(도 3 참조). 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각은 입구측에서, 그에 연결된 산세제 공급 라인(68)을 거쳐서 대응하는 산세제 공급 펌프(70)에 연결된다. 기본적으로, 상이한 분무 디바이스들(12)의 분무 유닛들(50, 54, 58)에 공통의 산세제 전달 펌프(70)를 거쳐서 산세제(14)를 공급하는 것이 가능하다. 이러한 경우에, 스케일 제거 디바이스는 예를 들어, 함께 취해진 모든 분무 디바이스들(12)에 대해 총 3 개의 산세제 전달 펌프들(70)을 포함할 수 있다.

또한, 상기 산세제 전달 펌프들(70)은, 주어진 제어 알고리즘을 사용하여 산세제 전달 펌프들(70)의 산세제 체적 유동을 제어하도록 설계된 제어 디바이스(38)의 전술한 제어 유닛(40)에 각각 연결된다.

제어 디바이스(38)는 다른 분무 유닛들(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도들과 독립적으로 각각의 분무 유닛들(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도를 설정하도록 설계된다. 산세제 전달 펌프들(70) 중 하나의 산세제 체적 유동의 변경에 의해, 제어 유닛(40)은 대응하는 분무 유닛(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도를 변경할 수 있다.

바람직하게는, 각각의 분무 디바이스(12)의 3 개의 분무 유닛들(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도들의 합은 100 내지 150 ㎥/h의 범위에 있다.

상기에 언급된 바와 같이, 금속 스트립(4) 상의 산세제 도포는, 가능한 한 가장 균질한 스케일 제거 결과가 달성되도록, 센서 유닛들(42a, 42b)의 전술한 센서 신호들에 의존하여 제어된다.

금속 스트립(4)의 중간 영역(60)에서의 스케일 층의 두께가 금속 스트립(4)의 에지 영역들(52, 56)보다 작은 경우, 각각의 분무 디바이스(12)에 있어서의 제1 외부 분무 유닛(50)의 산세제 분산 속도 및 제2 외부 분무 유닛(54)의 산세제 분산 속도는 제어 디바이스(38)에 의해 중간 분무 유닛(58)의 산세제 분산 속도보다 큰 값으로 각각 설정될 것이다. 한편, 금속 스트립(4)의 중간 영역(60)에서의 스케일 층의 두께가 금속 스트립(4)의 에지 영역들(52, 56)보다 클 경우, 각각의 분무 디바이스(12)에 있어서의 제1 외부 분무 유닛(50)의 산세제 분산 속도 및 제2 외부 분무 유닛(54)의 산세제 분산 속도는 제어 디바이스(38)에 의해 중간 분무 유닛(58)의 산세제 분산 속도보다 작은 값으로 각각 설정될 것이다.

스케일 층의 두께가 수직 스트립 중앙 평면에 대해 대칭인 경우, 각각의 분무 디바이스(12)에 있어서의 제1 외부 분무 유닛(50)의 산세제 분산 속도 및 제2 외부 분무 유닛(54)의 산세제 분산 속도는 제어 디바이스(38)에 의해 동일한 값으로 설정된다.

금속 스트립(4)의 전달 속도의 제조 관련 감소의 경우에, 분무 디바이스(12)의 하나 이상의 분무 유닛들(50, 54, 58)은 금속 스트립(4)의 과잉 산세를 회피하도록 스위치 오프(switch off)될 수 있다.

도 3은 스케일 제거 디바이스(2)의 제1 유형의 분무 디바이스(12a) 및 제2 유형의 분무 디바이스(12b)를 각각 금속 스트립(4)을 향하여 있는 측면으로부터 도시하고 있다.

도 3에서, 제1 유형의 분무 디바이스(12a)의 전술한 솔리드 스트림 노즐들(20) 및 제2 유형의 분무 디바이스(12b)의 전술한 슬롯형 노즐들(22)이 보여질 수 있다.

또한, 분무 유닛들(50, 54, 58)에 연결되는 이미 언급된 산세제 전달 펌프들(70) 및 산세제 공급 라인들(68)이 도 3에 나타나 있다.

제1 유형의 분무 디바이스(12a)에서, 솔리드 스트림 노즐들(20)은 이송 방향(8)에 수직으로 배향된 다수의 노즐 열들로 배열되며, 이들 노즐 열들은 서로 등거리로 배열되어 있다. 각각의 노즐 열에서, 솔리드 스트림 노즐들(20)은 마찬가지로 서로 등거리로 배열되어 있다.

동일한 노즐 열로부터의 인접한 솔리드 스트림 노즐들(20) 사이의 거리는 특히 인접한 노즐 열들 사이의 거리에 대응할 수 있다. 이러한 거리는 예를 들어 25 ㎜일 수 있다. 솔리드 스트림 노즐(20)은 그들의 출구 개구에서, 바람직하게는 4 ㎜의 내경을 갖는다.

또한, 하나의 노즐 열의 솔리드 스트림 노즐들(20)은 금속 스트립(4) 상에의 줄무늬 분무 패턴의 형성을 회피하기 위해, 인접한 노즐 열의 솔리드 스트림 노즐들(20)로부터 열 길이 방향에 대해 오프셋되어 배열되어 있다.

제2 유형의 분무 디바이스(12b)에서, 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각은 스트립 이송 디바이스(6)의 이송 방향(8)으로 연속하여 등거리로 배열된 상이한 폭의 슬롯형 노즐들(22)을 가지며, 슬롯형 노즐들(22) 각각은 이송 방향(8)에 수직으로 배향되어 있다.

제1 유형의 분무 디바이스(12a) 및 제2 유형의 분무 디바이스(12b) 둘 모두에서, 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54)의 산세제 분배 챔버들(66)은 삼각형 단면 형태를 갖는 한편, 중간 분무 유닛(58)은 등변 사다리꼴에 대응하는 단면 형태를 갖는다. 솔리드 스트림 노즐들(20)의 배열 및 슬롯형 노즐(22)의 폭은 각각의 분무 유닛(50, 54, 58)의 단면 형태에 적합화된다.

제1 유형의 분무 디바이스(12a) 및 제2 유형의 분무 디바이스(12b) 둘 모두에서, 산세제 분배 챔버들(66)은 도 3에서 파선들로 표시되어 있는 격벽들에 의해 서로 분리되어 있다.

대안적으로 또는 추가적으로, 제1 또는 제2 유형의 분무 디바이스들(12a, 12b) 중 하나 이상에 대해, 스케일 제거 디바이스(2)는 산세제 분산 속도들이 서로 독립적으로 조정 가능한 3 개의 분무 유닛들로 분할되지 않고 대신에 단일의 분무 유닛만을 갖는 분무 디바이스를 가질 수 있다. 그러한 분무 디바이스는, 예를 들어 실질적으로 분무 디바이스의 전체 폭을 가로질러 연장되는 슬롯형 노즐들을 가질 수 있다.

도 4는 제1 유형의 분무 디바이스들(12a) 중 하나 또는 제2 유형의 분무 디바이스들(12b) 중 하나에 의해 금속 스트립(4)에 도포되는 산세제 분무 프로파일(pickling agent spray profile)을 다이어그램 형태로 도시하고 있다.

다이어그램에서, 분무 디바이스(12a, 12b)에 의해 금속 스트립(4) 상에 분무된 산세제의 양(V)은 금속 스트립(4)의 폭 방향(62)으로의 길이 좌표(x)의 함수로서 실선으로 나타나 있다. 가로축의 길이 좌표(x)의 값(b)은 금속 스트립(4)의 폭에 대응한다.

다이어그램에서, 산세제 분무 프로파일에 대한 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54)의 기여는 파선으로 각각 나타나는 반면, 중간 분무 유닛(58)의 기여는 점선으로 나타나 있다.

도시된 산세제 분무 프로파일은 거울 대칭을 갖는다. 금속 스트립(4)의 중간 영역(60)에서, 산세제 분무 프로파일은 평탄부(72)를 갖는다. 즉, 중간 영역(60)에서, 산세제 분무 프로파일은 길이 좌표(x)에 따라 변하지 않는다. 그러나, 금속 스트립(4)의 제1 및 제2 에지 영역(52, 56)에서, 산세제 분무 프로파일은 (평탄부(72)로부터 시작하여) 외부를 향해 증가한다.

도 5는 제3 유형의 분무 디바이스(12c)뿐만 아니라, 제4 유형의 분무 디바이스(12d)를 도시하고 있다.

이들 2 개의 분무 디바이스들(12c, 12d)은 이미 설명된 분무 디바이스들(12a, 12b) 중 하나 이상에 대해 대안적으로 또는 추가적으로 도 1의 스케일 제거 디바이스(2)에 사용될 수 있다.

제3 유형의 분무 디바이스(12c)는 제1 유형의 분무 디바이스(12a)와 같이, 다수의 솔리드 스트림 노즐들(20)을 포함하는 반면, 제4 유형의 분무 디바이스(12d)는 제2 유형의 분무 디바이스(12b)와 같이, 다수의 슬롯형 노즐들(22)을 포함한다.

제3 및 제4 유형의 분무 디바이스들(12c, 12d)은, 제3 유형의 분무 디바이스(12c) 및 제4 유형의 분무 디바이스(12d)에 있어서의 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54)의 산세제 분배 챔버들(66) 및 중간 분무 유닛(58)의 산세제 분배 챔버(66)가 각각 삼각형의 단면 형태를 갖는다는 점에서, 제1 및 제2 유형의 2 개의 분무 디바이스들(12a, 12b)과 상이하다.

또한, 도 5의 실시예에서, 각각의 분무 유닛(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도를 제어하기 위해, 산세제 전달 펌프들 대신에 밸브들(74)이 제공된다. 본 예에서, 밸브들(74)은 각각 산세제 공급 라인들(68) 중 하나에 배열된다. 밸브들(74)은 도 1의 스케일 제거 디바이스(2)의 제어 유닛(40)과 같은 제어 유닛에 의해 제어될 수 있다. 기본적으로, 각각의 분무 유닛(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도를 제어하기 위해 밸브들 및 산세제 전달 펌프들을 조합하여 사용하는 것이 가능하다.

도 6은 도 5의 2 개의 분무 디바이스들(12c, 12d) 중 하나가 금속 스트립(4) 상의 산세제 도포에 사용되는 경우에 금속 스트립(4)에 도포되는 산세제 분무 프로파일을 도시하고 있다.

이러한 산세제 분무 프로파일은, 금속 스트립(4)의 중간 영역(60)에 평탄부를 갖지 않는다는 점에서 도 4의 산세제 분무 프로파일과 상이하다. 대신에, 도 6의 산세제 분무 프로파일은 스트립 중간으로부터 외측으로 증가한다.

도 4 및 도 6의 다이어그램들에 나타난 산세제 분무 프로파일은 예시적인 산세제 분무 프로파일들이다. 이들 2 개의 다이어그램들 각각에서, 가로축과 2 개의 파선들 및 점선으로 각각 둘러싸인 영역은 예를 들어 대응하는 분무 유닛(50, 54, 58)의 조절 범위를 나타낸다. 각각의 분무 유닛(50, 54, 58)의 조정된 산세제 분산 속도에 의존하여, 금속 스트립(4) 상에 분무된 산세제의 양(V)은 제1 에지 영역(52), 중간 영역(60) 및/또는 제2 에지 영역(56)에서 다른 값들을 취할 수 있다.

본 발명은 바람직한 예시적인 실시예들에 의해 보다 면밀하고 상세하게 도시 및 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예들에 의해 제한되지 않으며, 본 발명의 보호 범위를 벗어남이 없이 다른 변형들이 이로부터 도출될 수 있다.

2 : 스케일 제거 디바이스
4 : 금속 스트립
6 : 스트립 이송 디바이스
8 : 이송 방향
10 : 롤러
12 : 분무 디바이스
12a : 제1 유형의 분무 디바이스
12b : 제2 유형의 분무 디바이스
12c : 제3 유형의 분무 디바이스
12d : 제4 유형의 분무 디바이스
14 : 산세제
16 : 최상부측
18 : 저부측
20 : 솔리드 스트림 노즐
22 : 슬롯형 노즐
24 : 산세 챔버
26 : 챔버 부분
28 : 챔버 부분
30 : 압착 롤러 쌍
32 : 압착 롤러 쌍
34 : 압착 롤러
36 : 압착 롤러
38 : 제어 디바이스
40 : 제어 유닛
42a : 센서 유닛
42b : 센서 유닛
44 : 센서 열
46 : 센서 열
48 : 길이 방향
50 : 분무 유닛
52 : 에지 영역
54 : 분무 유닛
56 : 에지 영역
58 : 분무 유닛
60 : 중간 영역
62 : 폭 방향
64 : 분무 방향
66 : 산세제 분배 챔버
68 : 산세제 공급 라인
70 : 산세제 전달 펌프
72 : 평탄부
74 : 밸브

Claims (14)

1. 금속 스트립(metal strip)(4)의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스(descaling device)(2)로서,
   상기 금속 스트립(4)의 최상부측 또는 저부측(16, 18) 상에 산세제(pickling agent)(14)를 분무하기 위한 적어도 하나의 제1 분무 디바이스(spraying device)(12, 12a, 12c) 및 적어도 하나의 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)를 포함하며,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c) 및 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d) 각각은 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 제1 에지 영역(52) 상에 상기 산세제(14)를 분무하기 위한 제1 외부 분무 유닛(spraying unit)(50), 및 상기 제1 에지 영역(52)과는 반대측에 위치된 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 제2 에지 영역(56) 상에 상기 산세제(14)를 분무하기 위한 제2 외부 분무 유닛(54)을 포함하고,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c)는 상기 에지 영역들(52, 56) 사이에 위치된 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 중간 영역(60) 상에 상기 산세제(14)를 분무하기 위한 중간 분무 유닛(58)을 포함하며,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c)의 분무 유닛들(50, 54, 58) 중 적어도 하나는 다수 열들의 솔리드 스트림 노즐들(solid stream nozzles)(20)을 포함하고,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c)의 분무 유닛들(50, 54, 58) 각각은 자체의 산세제 분배 챔버(pickling agent distribution chamber)(66)를 포함하며,
   - 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54) 중 적어도 하나는 하나 이상의 슬롯형 노즐들(slotted nozzles)(22)을 포함하고,
   - 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54) 각각은 자체의 산세제 분배 챔버(66)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 적어도 하나의 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)는 상기 에지 영역들(52, 56) 사이에 위치된 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 중간 영역(60) 상에 상기 산세제(14)를 분무하기 위한 중간 분무 유닛(58)을 포함하며, 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 중간 분무 유닛(58)은 하나 이상의 슬롯형 노즐들(22)뿐만 아니라 자체의 산세제 분배 챔버(66)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
   상기 분무 디바이스(12, 12a 내지 12d)는 분무 바아(spray bar)로서 설계되는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 분무 디바이스(12, 12a 내지 12d)의 각각의 분무 유닛(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도를 조정 가능한 제어 디바이스(control device)(38)를 포함하는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   제어 디바이스(38)에 의해, 상기 중간 분무 유닛(58)의 산세제 분산 속도는 상기 제1 외부 분무 유닛(50)의 산세제 분산 속도와 독립적으로, 그리고 상기 제2 외부 분무 유닛(54)의 산세제 분산 속도와 독립적으로 조정 가능한 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
6. 제4 항 또는 제5 항에 있어서,
   상기 제어 디바이스(38)는 상기 분무 유닛들(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도들을 조정하기 위한 다수의 산세제 전달 펌프들(pickling agent delivery pumps)(70)을 포함하며, 상기 산세제 전달 펌프들(70)은 출구측에서 상기 분무 디바이스(12, 12a 내지 12d)에 연결되는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
7. 제4 항 또는 제5 항에 있어서,
   상기 제어 디바이스(38)는 상기 분무 유닛들(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도들을 조정하기 위한 다수의 밸브들(valves)(74)을 포함하며, 상기 분무 디바이스(12, 12a 내지 12d)는 입구측에서 상기 밸브들(74)에 연결되는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
8. 제4 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제어 디바이스(38)는 상기 금속 스트립(4)의 표면 파라미터(surface parameter), 특히 상기 금속 스트립(4)의 스케일 층(scale layer)의 두께에 의존하는 표면 파라미터를 검출하기 위한 하나 이상의 센서들(sensors)을 갖는 센서 유닛(sensor unit)(42a, 42b)을 포함하며, 상기 제어 디바이스(38)는 상기 센서 유닛(42a, 42b)의 출력 신호에 의존하여 각각의 분무 유닛(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도를 조정하도록 설계되는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 스케일 제거 디바이스.
9. 금속 스트립(4)의 화학적 스케일 제거를 위한 방법으로서,
   산세제(14)는 적어도 하나의 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c) 및 적어도 하나의 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)에 의해 상기 금속 스트립(4)의 최상부측 또는 저부측(16, 18) 상에 분무되며, 상기 산세제(14)는,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c)의 제1 외부 분무 유닛(50) 및 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 제1 외부 분무 유닛(50)에 의해, 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 제1 에지 영역(52) 상에 분무되고,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c)의 제2 외부 분무 유닛(54) 및 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 제2 외부 분무 유닛(54)에 의해, 상기 제1 에지 영역(52)과는 반대측에 위치된 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 제2 에지 영역(56) 상에 분무되며,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c)의 중간 분무 유닛(58)에 의해, 상기 에지 영역들(52, 56) 사이에 위치된 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 중간 영역(60) 상에 분무되고,
   상기 산세제(14)는 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18) 상에,
   - 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c)의 분무 유닛들(50, 54, 58) 중 적어도 하나에 의해 다수 열들의 솔리드 스트림 노즐들(20)을 통해, 그리고
   - 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 2 개의 외부 분무 유닛들(50, 54) 중 적어도 하나에 의해 하나 이상의 슬롯형 노즐들(22)을 통해 분무되는 것을 특징으로 하는,
   금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 방법.
10. 제9 항에 있어서,
    상기 산세제(14)는 상기 적어도 하나의 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 중간 분무 유닛(58)의 하나 이상의 슬롯형 노즐들(22)을 통해 상기 2 개의 에지 영역들(52, 56) 사이에 위치된 상기 금속 스트립(4)의 최상부측/저부측(16, 18)의 중간 영역(60) 상에 분무되는 것을 특징으로 하는,
    금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 방법.
11. 제10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c) 및/또는 상기 적어도 하나의 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 제1 외부 분무 유닛(50)의 산세제 분산 속도 및 제2 외부 분무 유닛(54)의 산세제 분산 속도는 제어 디바이스(38)에 의해, 상기 제1 분무 디바이스 및 상기 추가 분무 디바이스의 각각의 중간 분무 유닛(58)의 산세제 분산 속도와 상이한 값으로 매번 설정되는 것을 특징으로 하는,
    금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 방법.
12. 제11 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c) 및/또는 상기 적어도 하나의 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)의 각각의 분무 유닛(50, 54, 58)의 산세제 분산 속도는, 상기 제어 디바이스(38)의 도움으로, 상기 제1 분무 디바이스(12, 12a, 12c) 및/또는 상기 추가 분무 디바이스(12, 12b, 12d)가 상기 금속 스트립(4)에 폭 방향(62)으로 주어진 산세제 분무 프로파일(pickling agent spraying profile)로 작용하도록 설정되며, 상기 산세제 분무 프로파일은 상기 제1 및/또는 제2 에지 영역(52, 56)에서 외부로 증가하거나 감소하는 것을 특징으로 하는,
    금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 방법.
13. 제12 항에 있어서,
    상기 산세제 분무 프로파일은 평탄부(plateau)를 갖지 않는 것을 특징으로 하는,
    금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 방법.
14. 제12 항에 있어서,
    상기 산세제 분무 프로파일은 상기 2 개의 에지 영역들(52, 56) 사이에 평탄부(72)를 갖는 것을 특징으로 하는,
    금속 스트립의 화학적 스케일 제거를 위한 방법.

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