KR20190058465A - 감광성 수지 조성물, 도전성 패턴의 제조 방법, 기판, 터치 패널 및 디스플레이 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 도전성 패턴의 제조 방법, 기판, 터치 패널 및 디스플레이 Download PDF

Info

Publication number
KR20190058465A
KR20190058465A KR1020197006487A KR20197006487A KR20190058465A KR 20190058465 A KR20190058465 A KR 20190058465A KR 1020197006487 A KR1020197006487 A KR 1020197006487A KR 20197006487 A KR20197006487 A KR 20197006487A KR 20190058465 A KR20190058465 A KR 20190058465A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
meth
resin
group
resin composition
acrylate
Prior art date
Application number
KR1020197006487A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102399714B1 (ko
Inventor
요헤이 코노시마
미츠히토 스와
유카 야마시키
Original Assignee
도레이 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이 카부시키가이샤 filed Critical 도레이 카부시키가이샤
Publication of KR20190058465A publication Critical patent/KR20190058465A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102399714B1 publication Critical patent/KR102399714B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0036—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0224—Conductive particles having an insulating coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition

Abstract

본 발명은, 미세 패턴의 해상성과 기판 상의 잔사 억제를 양립시키는 것이 가능한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A), 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 및 금속 킬레이트를 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.

Description

감광성 수지 조성물, 도전성 패턴의 제조 방법, 기판, 터치 패널 및 디스플레이
본 발명은, 감광성 수지 조성물, 도전성 패턴의 제조 방법, 기판, 터치 패널 및 디스플레이에 관한 것이다.
최근, 디스플레이의 고선명화, 전자부품의 소형화 또는 고밀도화 등에 따라 전자배선의 미세화에 대한 요구가 높아지고 있다. 전자배선에 사용되는 도전성 패턴을, 도전성 입자를 함유하는 수지 조성물을 이용하여 제작하는 방법으로서는, 패턴을 기판 상에 형성한 후, 가열함으로써, 도전성 입자를 접촉시켜서 도전성 패턴을 얻는 방법이 일반적이다. 기판 상에 패턴을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 스크린 인쇄법, 잉크젯법 또는 포토리소그래피법을 들 수 있다. 그 중에서도 스크린 인쇄법이나 잉크젯법은 미세 패턴을 형성하기에는 적합하지 않으며, 미세 패턴의 형성에는 포토리소그래피법이 적합하다고 되어 있다.
포토리소그래피법은 감광성 조성물의 도포 및 건조 후, 미세 배선 패턴의 형상이 그려진 포토마스크를 통해 자외선 등을 조사함으로써, 도막에 노광부 및 미노광부를 형성한다. 이어서, 그것을 현상액에 의해 현상함으로써, 기판 상에 미세 패턴을 형성한다. 그리고, 그 후의 도전화 처리에 의해, 미세의 도전성 패턴을 형성하는 방법이다. 이 방법에 사용되는 감광성 조성물은 도전성 입자, 감광제 및 수지 등으로 구성된다(특허문헌 1∼4).
또한 5㎛ 이하의 초미세 패턴을 형성하기 위해서는, 도전성 입자로서 보다 미소한 입경을 갖는 입자를 사용하는 것과, 응집 입자의 발생을 억제할 필요가 있다. 그 경우, 전자에서는 패턴의 표면 평활성 및 측면 직선성의 관점으로부터, 요구되는 배선폭에 대해서 입자직경이 충분히 작은 미립자를 사용하지 않으면 안된다. 후자에서는 도전성 입자의 분산 안정성을 얻기 위해서, 입자 표면이 피복된 입자를 사용하지 않으면 안된다. 여기에서 입자직경이 충분히 작게 표면 피복된 미립자를 사용한 감광성 수지 조성물로서는, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 은미립자(특허문헌 5∼6)를 사용한 감광성 수지 조성물이 알려져 있다.
일본 특허공개 2000-199954호 공보 일본 특허공개 2014-142587호 공보 일본 특허공개 2002-82428호 공보 일본 특허공개 2013-101861호 공보 일본 특허공개 2013-196997호 공보 WO 2016/158864
그러나, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 은미립자를 사용한 감광성 수지 조성물에 있어서는, 패턴 형성시에 기판 상, 특히 유기성분을 포함하는 막 상에서 잔사가 생기기 쉽다. 그 때문에 이 감광성 수지 조성물을 패턴 형성한 것은 외관 불량 또는 신뢰성 저하 등의 문제를 갖고 있었다.
본 발명은, 이러한 종래 기술의 결점을 감안하여 창안된 것으로, 그 목적으로 하는 바는 유기성분을 포함하는 막 상에 있어서도, 미세 패턴의 해상성과 기판 상의 잔사 억제를 양립시키는 것이 가능한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. 이러한 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 외관이 극히 양호하며 신뢰성이 높은 미세한 도전성 패턴을 얻을 수 있다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A), 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 및 금속 킬레이트 화합물(C)을 함유하는 감광성 수지 조성물이 상기 과제의 해결에 극히 유효한 것을 찾아냈다.
즉 본 발명은, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A), 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 및 금속 킬레이트 화합물(C)을 함유하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
(발명의 효과)
본 발명의 감광성 수지 조성물에 의하면, 외관이 양호하며 또한 신뢰성이 높은 미세한 도전 패턴을 얻는 것이 가능해진다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A), 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 및 금속 킬레이트 화합물(C)을 함유하는 것을 특징으로 한다. 또, 이 감광성 수지 조성물에 있어서의 감광성은 포지티브형 감광성이어도 네거티브형 감광성이어도 상관없지만, 네거티브형 감광성인 것이 바람직하다.
(탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A))
탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)는 표면을 피복하는 층(이하, 「표면 피복층」)이 존재함으로써, 저온에서의 도전성 입자끼리의 융착을 억제할 수 있다.
입자 표면을 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 피복하는 방법으로서는, 예를 들면, 열플라즈마법에 의해 도전성 입자를 제작할 때에, 반응성 가스와 접촉시키는 방법(일본 특허공개 2007-138287호 공보)을 들 수 있다. 도전성 입자의 표면은 완전히 피복되어 있는 것이 바람직하지만, 본 목적이 달성되는 한에 있어서는 일부에 피복이 불완전한 입자가 존재하는 것은 허용된다.
탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)로서는, 예를 들면, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 납(Pb), 아연(Zn), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 금속 미립자를 들 수 있다. 그 중에서도 금, 은, 구리, 니켈, 주석, 비스무트, 납, 아연, 팔라듐, 백금, 알루미늄 및 탄소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 원소를 함유하는 금속 미립자인 것이 바람직하고, 은의 금속 미립자인 것이 보다 바람직하다.
탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 1차 입자직경은 소망의 도전성을 갖는 미세한 도전 패턴을 형성하기 위해서 1∼700nm인 것이 바람직하다. 여기에서 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 1차 입자직경이란, 주사형 전자현미경을 이용하여 무작위로 선택한 100개의 1차 입자의 입자직경의 평균값에 의해 산출할 수 있다. 각각의 1차 입자의 입자직경은 1차 입자에 있어서의 장경과 단경을 측정하고, 그 평균값으로부터 산출할 수 있다. 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 1차 입자직경은 10∼200nm가 바람직하고, 10∼60nm가 보다 바람직하다.
표면 피복층의 평균 두께는 0.1∼10nm가 바람직하다. 이 범위이면, 도전성 미세입자끼리의 융착을 억제함으로써, 미세 패턴 가공성을 향상시키고, 또한 300℃ 이하의 온도에서 열처리함으로써 소망의 도전성을 발현할 수 있다.
표면 피복층의 평균 두께는 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 열천칭에 의한 질량 감소를 측정하고, 그 값이 모두 탄소의 연소에 의한 것이라고 가정하여, 입자직경으로부터 표면 피복층의 평균 두께를 탄소의 밀도를 2.0으로 해서 산출할 수 있다. 입자직경(Dp)을 알 수 있는 도전성 입자에 탄소를 평균 두께 A(㎛)로 피복한 것으로 한다. 탄소 피복된 입자의 개수를 n으로 한다. 열천칭 측정으로 최초로 칭량한 질량을 W1(g), 완전히 탄소를 배출한 질량을 W2(g), 도전성 입자의 밀도를 ρ로 하면, 이하의 식으로부터 Dp와 W2를 알 수 있으면 n을 산출할 수 있다.
W2=π/6×Dp3ρ×n
그리고, 이하의 식으로부터 표면 피복층의 평균 두께 A를 산출할 수 있다.
W1-W2={4/3×π(Dp/2+A)3-π/6×Dp3}×2.0×n
감광성 수지 조성물 중의 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 함유량으로서는 65∼95질량%인 것이 바람직하고, 70∼95질량%인 것이 보다 바람직하고, 70∼90질량%인 것이 더욱 바람직하다. 그 범위 내에서 함유함으로써, 패턴 가공성과 도전성의 발현을 양립시킬 수 있다. 여기에서 전체 고형분이란, 감광성 수지 조성물이 함유하는 성분 중 용제를 제외한 전체 성분을 말한다.
전체 고형분에 차지하는 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 비율은 감광성 수지 조성물의 전체 성분을 정량 분석함으로써, 산출할 수 있다. 또, 후술하는 각 성분의 비율도 동일한 방법으로 산출할 수 있다.
감광성 수지 조성물의 전체 성분 분석 방법은 이하와 같다.
(i)감광성 수지 조성물을 유기 용매로 희석하고, 1H-NMR 측정, GC 측정 및 GC/MS 측정을 해서 그 개요를 조사한다.
(ii)감광성 수지 조성물을 유기 용매 추출한 후에 원심분리를 행하여 가용분과 불용분을 분리한다.
(iii)상기 불용분에 대해서 고극성 유기 용매로 추출한 후에 원심분리를 행하여 가용분과 불용분을 더 분리한다.
(iv)상기 (ii) 및 (iii)에서 얻어진 가용분의 혼합액에 대해서 IR 측정, 1H-NMR 측정 및 GC/MS 측정을 행한다. 또한, 상기 혼합액을 GPC 분취한다. 얻어진 분취물에 대해서 IR 측정 및 1H-NMR 측정을 행한다. 또한 상기 분취물에 대해서는 필요에 따라 GC 측정, GC/MS 측정, 열분해 GC/MS 측정 및 MALDI/MS 측정을 행한다.
(v)상기 (iii)에서 얻어진 불용분에 대해서 IR 측정 또는 TOF-SIMS 측정을 행한다. 유기물이 존재하는 것이 확인된 경우에는 열분해 GC/MS 또는 TPD/MS 측정을 행한다.
(vi)상기 (i), (iv) 및 (v)의 측정 결과를 종합적으로 판단함으로써, 감광성 수지 조성물이 함유하는 각 성분의 함유율을 구할 수 있다. 또, 상기 (iii)에서 사용하는 고극성 유기 용매로서는 클로로포름 또는 메탄올 등이 바람직하다.
(산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B))
알칼리 가용성 수지에 산해리성기를 함유시킴으로써 패턴 형성 후의 열처리로 산해리성기가 탈리 분해, 기화되고, 패턴이 수축된다. 이것에 의해, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉을 촉진하여 도전성을 향상시킴과 아울러, 미세한 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)는, 일반적으로, 카르복실기를 함유하는 화합물과 산해리성기를 갖는 화합물 및 다른 모노머를 공중합시킴으로써 얻어진다. 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)는 (메타)아크릴계 공중합체인 것이 바람직하다. 여기에서 (메타)아크릴계 공중합체란, 공중합 성분에 적어도 (메타)아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체를 말한다. 여기에서 (메타)아크릴계 모노머로서는, 예를 들면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, sec-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, n-펜틸(메타)아크릴레이트, 알릴(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 부톡시트리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 글리세롤(메타)아크릴레이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸(메타)아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴아미드, 아미노에틸(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트, 1-나프틸(메타)아크릴레이트, 2-나프틸(메타)아크릴레이트, 티오페놀(메타)아크릴레이트 또는 벤질메르캅탄(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.
(메타)아크릴계 모노머 이외의 공중합 성분으로서는 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물이 사용 가능하다. 그러한 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌 또는 α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐 화합물, (메타)아크릴아미드, N-메틸롤(메타)아크릴아미드 또는 N-비닐피롤리돈 등의 아미드계 불포화 화합물, (메타)아크릴로니트릴, 알릴알콜, 아세트산 비닐, 시클로헥실비닐에테르, n-프로필비닐에테르, i-프로필비닐에테르, n-부틸비닐에테르, i-부틸비닐에테르, 2-히드록시에틸비닐에테르 또는 4-히드록시부틸비닐에테르를 들 수 있다.
산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)에 알칼리 가용성을 부여하는 공중합 성분인 카르복실기를 함유하는 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산 또는 푸말산 또는 이들의 산무수물을 들 수 있다.
(메타)아크릴계 공중합체를 사용할 경우, 감광성 수지 조성물의 노광에 의한 경화 반응의 속도를 크게 하기 위해서는, 측쇄 또는 분자 말단에 탄소-탄소 이중결합을 갖는 (메타)아크릴계 공중합체로 하는 것이 바람직하다. 탄소-탄소 이중결합을 갖는 관능기로서는, 예를 들면, 비닐기, 알릴기 또는 (메타)아크릴기를 들 수 있다. 이러한 관능기를 (메타)아크릴계 공중합체에 부가시키기 위해서는, (메타)아크릴계 공중합체 중의 메르캅토기, 아미노기, 수산기 또는 카르복실기에 대해서 글리시딜기 또는 이소시아네이트기와, 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물 또는 (메타)아크릴산 클로라이드 또는 알릴클로라이드를 부가 반응시키는 방법이 있다.
글리시딜기와 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 또는 글리시딜에틸아크릴레이트, 크로토닐글리시딜에테르, 글리시딜크로토네이트 또는 글리시딜이소크로토네이트를 들 수 있다. 이소시아네이트기와 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일이소시아네이트 또는 (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 들 수 있다.
산해리성기를 갖는 화합물로서는 산해리성기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 들 수 있다.
산해리성기가 탈리 후 분해나 기화되기 위해서는 산해리성기가 탄소수 4∼15의 유기기인 것이 바람직하고, 6∼15의 유기기인 것이 보다 바람직하다. 산해리성기의 탄소수가 4 미만이면, 탈리 후, 저온에서 기화되므로 막 중에 큰 기포가 발생해서 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉을 방해하여 도전성이 악화되는 경우가 있다. 한편, 산해리성기의 탄소수가 15를 초과하면, 탈리 후, 해리성기가 막 중에 잔존해서 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉을 방해하여, 역시 도전성이 악화되는 경우가 있다. 또, 산해리성기의 산해리성기가 탄소수 6∼15의 유기기인 경우에는, 막 중에 기포가 발생해도 포스트 베이킹에 의해 소실시키는 것이 용이하며, 도전성이 양호한 도전성 패턴을 형성 가능하다.
산해리성기로서는, 예를 들면, tert-부틸기, tert-부톡시카르보닐기, 벤질기, 메틸아다만틸기 또는 테트라히드로피라닐기를 들 수 있다.
산해리성기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 1-메틸아다만틸, (메타)아크릴산 tert-부틸, (메타)아크릴산 벤질 또는 (메타)아크릴산 테트라히드로피라닐을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)의 함유량은 감광성 발현을 고려한 경우, 전체 고형분에 대해서 5∼30질량%의 범위 내인 것이 바람직하다.
산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)는 산해리성기를 갖는 화합물을 20∼80몰% 라디칼 공중합한 알칼리 가용성 수지인 것이 바람직하다. 특히, 산해리성기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르를 알칼리 가용성 수지 중에 모노머 성분으로서 20∼80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)를 사용함으로써, 공기 하, 100∼300℃에서 산해리성기가 용이하게 열산화 분해 및 탈리되고, 막이 크게 수축되고, 전체 고형분 중의 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A) 농도를 용이하게 상승시킬 수 있다. 그리고 그 결과로서 비저항 10∼1,000μΩ·㎝의 소망의 도전성을 얻는 것이 용이해진다. 이 경우, 후술하는 열산발생제 및/또는 광산발생제를 병용하면, 그 효과는 더욱 현저하게 된다.
산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)의 카르복실산 당량은 200∼1,400g/mol이 바람직하고, 400∼1,000g/mol이 보다 바람직하다. 아크릴 수지의 카르복실산 당량은 산가를 측정함으로써 산출할 수 있다. 또한 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)의 이중결합 당량은 경도와 내크랙성을 높은 레벨로 양립할 수 있으므로, 150∼10,000g/mol인 것이 바람직하다. 아크릴 수지의 이중결합 당량은 요오드가를 측정함으로써 산출할 수 있다.
산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)의 중량 평균 분자량(Mw)은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산으로 1,000∼100,000인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)을 상기 범위로 함으로써, 양호한 도포 특성이 얻어지며, 패턴 형성할 때의 현상액에의 용해성도 양호하게 된다.
(금속 킬레이트 화합물(C))
금속 킬레이트 화합물(C)은 중심금속과, 상기 중심금속에 2 이상의 부위에서 배위한 배위자를 갖는 화합물인 것이며, 배위자가 용이하게 탈리되어 알칼리 가용성 관능기와 착형성이 가능하다. 알칼리 가용성 수지와 착형성함으로써, 수지성분의 현상성을 제어 가능하게 하고, 패턴 박리 억제 효과가 현저한 것이 된다.
금속 킬레이트 화합물(C)의 금속원소로서는, 예를 들면, Au(금), Ag(은), Cu(구리), Cr(크롬), Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Bi(비스무트), Sn(주석), Pb(납), Zn(아연), Pd(팔라듐), In(인듐), Pt(백금), Mg(마그네슘), Al(알루미늄), Ti(티타늄), Zr(지르코늄), W(텅스텐), Mo(몰리브덴)을 들 수 있다. 배위자의 탈리 용이성의 관점으로부터, Mg(마그네슘), Al(알루미늄), Ti(티타늄), Zr(지르코늄), Bi(비스무트)가 바람직하고, 알칼리 가용성 관능기와의 착체 안정성의 관점으로부터, Al(알루미늄), Zr(지르코늄), Bi(비스무트)가 보다 바람직하다. 금속 킬레이트 화합물(C)은 금속 알콕시드에 킬레이트화제를 반응시킴으로써 용이하게 얻을 수 있다. 킬레이트화제로서는, 예를 들면, 아세틸아세톤, 벤조일아세톤 또는 디벤조일메탄 등의 β-디케톤 또는 아세토아세트산 에틸 또는 벤조일아세트산 에틸 등의 β-케토에스테르를 들 수 있다.
금속 킬레이트 화합물(C)로서는, 예를 들면, 비스(아세틸아세토네이트)마그네슘, 비스(에틸아세토아세테이트)마그네슘, 이소프로폭시모노(아세틸아세토네이트)마그네슘 또는 이소프로폭시모노(에틸아세토아세테이트)마그네슘 등의 마그네슘 킬레이트 화합물, 에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄트리스에틸아세토아세테이트, 알킬아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄모노아세틸아세토네이트비스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트) 등의 알루미늄 킬레이트 화합물, 테트라키스(아세틸아세토네이트)티타늄, 디이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트)티타늄, 디이소프로폭시비스(아세틸아세토네이트)티타늄, 디-n-옥틸옥시비스(옥틸렌글리콜레이트)티타늄, 디이소프로폭시비스(트리에탄올아미네이토)티타늄, 디히드록시비스(2-히드록시프로피오네이트)티타늄 또는 디히드록시비스(2-히드록시프로피오네이트)티타늄암모늄염 등의 티타늄 킬레이트 화합물, 지르코늄테트라세틸아세토네이트, 지르코늄디부톡시비스(에틸아세토아세테이트), 지르코늄트리부톡시모노아세틸아세토네이트, 지르코늄트리부톡시모노스테아레이트 등의 지르코늄 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)금 또는 비스(에틸아세토아세테이트)금 등의 금 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)은 또는 비스(에틸아세토아세테이트)은 등의 은 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)구리 또는 비스(에틸아세토아세테이트)구리 등의 구리 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)크롬 또는 비스(에틸아세토아세테이트)크롬 등의 크롬 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)철 또는 비스(에틸아세토아세테이트)철 등의 철 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)코발트 또는 비스(에틸아세토아세테이트)코발트 등의 코발트 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)니켈 또는 비스(에틸아세토아세테이트)니켈 등의 니켈 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)비스무트 또는 비스(에틸아세토아세테이트)비스무트 등의 비스무트 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)주석 또는 비스(에틸아세토아세테이트)주석 등의 주석 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)납 또는 비스(에틸아세토아세테이트)납 등의 납 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)아연 또는 비스(에틸아세토아세테이트)아연 등의 아연 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)팔라듐 또는 비스(에틸아세토아세테이트)팔라듐 등의 팔라듐 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)인듐 또는 비스(에틸아세토아세테이트)인듐 등의 인듐 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)백금 또는 비스(에틸아세토아세테이트)백금 등의 백금 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)텅스텐 또는 비스(에틸아세토아세테이트)텅스텐 등의 텅스텐 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)몰리브덴 또는 비스(에틸아세토아세테이트)몰리브덴 등의 몰리브덴 킬레이트 화합물을 들 수 있다.
금속 킬레이트 화합물(C)로서는, 예를 들면, 일반식(1)로 나타내어지는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00001
(M은 마그네슘, 알루미늄, 티타늄, 지르코늄 또는 비스무트를 나타내고, R1은 수소, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 4∼10의 시클로알킬기 또는 탄소수 6∼15의 아릴기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 4∼10의 시클로알킬기, 탄소수 6∼15의 아릴기, 탄소수 1∼6의 알콕시기 또는 히드록시기를 나타내고, n 및 m은 0∼4의 정수를 나타내고, n+m=2∼4이다.)
R1은, 수소, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 4∼7의 시클로알킬기 또는 탄소수 6∼10의 아릴기가 바람직하고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1∼18의 알킬기, 탄소수 4∼7의 시클로알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기, 탄소수 1∼4의 알콕시기 또는 히드록시기가 바람직하다. 상기 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 및 알콕시기는 무치환체 또는 치환체 중 어느 것이어도 상관없다. M은 알루미늄, 지르코늄 또는 비스무트가 바람직하다.
일반식(1)로 나타내어지는 화합물로서는, 예를 들면, 비스(아세틸아세토네이트)마그네슘, 비스(에틸아세토아세테이트)마그네슘, 이소프로폭시모노(아세틸아세토네이트)마그네슘 또는 이소프로폭시모노(에틸아세토아세테이트)마그네슘 등의 마그네슘 킬레이트 화합물, 에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄트리스에틸아세토아세테이트, 알킬아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알루미늄모노아세틸아세토네이트비스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트) 등의 알루미늄 킬레이트 화합물, 테트라키스(아세틸아세토네이트)티타늄, 디이소프로폭시비스(에틸아세토아세테이트)티타늄, 디이소프로폭시비스(아세틸아세토네이트)티타늄, 디-n-옥틸옥시비스(옥틸렌글리콜레이트)티타늄, 디이소프로폭시비스(트리에탄올아미네이토)티타늄, 디히드록시비스(2-히드록시프로피오네이트)티타늄 또는 디히드록시비스(2-히드록시프로피오네이트)티타늄암모늄염 등의 티타늄 킬레이트 화합물, 지르코늄테트라세틸아세토네이트, 지르코늄디부톡시비스(에틸아세토아세테이트), 지르코늄트리부톡시모노아세틸아세토네이트, 지르코늄트리부톡시모노스테아레이트 등의 지르코늄 킬레이트 화합물, 비스(아세틸아세토네이트)비스무트 또는 비스(에틸아세토아세테이트)비스무트 등의 비스무트 킬레이트 화합물을 들 수 있다.
전체 고형분에 차지하는 금속 킬레이트 화합물(C)의 비율은 0.01∼10질량%인 것이 바람직하고, 0.05∼5질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.1∼5질량%인 것이 더욱 바람직하다. 금속 킬레이트 화합물(C)의 함유량이 0.01질량% 이상이면 기판 상의 잔사 억제의 효과가 더욱 현저한 것이 된다. 한편, 금속 킬레이트 화합물(C)의 함유량이 10질량% 이하이면 도전성이 높고, 또한 미세한 패턴을 형성할 수 있다.
(분산제)
본 발명의 감광성 수지 조성물은 분산제를 함유해도 상관없다. 분산제를 함유함으로써, 감광성 수지 조성물 중에 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)를 안정적으로 존재시킬 수 있다.
분산제로서는 아민계의 것이 바람직하다. 시판의 아민계의 분산제로서는, 예를 들면, DISPERBYK(등록상표) 106, 108, 112, 116, 142, 145, 166, 180, 2001, 2008, 2022, 2150, 6919 또는 21116(이상, 모두 빅케미 재팬제) 또는 Efka(등록상표) 4300, 4400, 4401, 4403, 4406, 4510, 4570, 4800, 5054, 5055 또는 5207(이상, 모두 BASF제)을 들 수 있다.
분산성을 더욱 향상시키기 위해서, 분산제는 아크릴계 블록 공중합체 구조를 갖는 것이 바람직하다. 아크릴계 블록 공중합체 구조를 갖는 시판의 아민계의 분산제로서는, 예를 들면, DISPERBYK(등록상표) 2001, 2008, 2022, 2150, 6919 또는 21116 또는 Efka(등록상표) 4300을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 분산제의 함유량으로서는 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)와 후술하는 다른 입자의 합계 100질량부에 대해서 1∼7질량부가 바람직하다. 분산제의 함유량을 이 범위로 함으로써, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 분산이 양호하며, 보다 미세한 패턴 가공이 가능하며, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 접촉 및 융착이 진행되어 보다 높은 도전성을 얻을 수 있다.
(광중합개시제)
본 발명의 감광성 수지 조성물은 광중합개시제를 함유해도 상관없다. 광중합개시제를 함유함으로써, 감광성 수지 조성물에 네거티브형 감광성을 부여할 수 있다.
광중합개시제로서는, 예를 들면, 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, α-아미노알킬페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 유기 과산화물, 이미다졸계 화합물, 티타노센계 화합물, 트리아진계 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 퀴논 화합물 또는 옥심에스테르계 화합물을 들 수 있다. 소량의 첨가여도 감도가 높은 옥심에스테르계 화합물이 바람직하고, 카르바졸 골격을 갖는 옥심에스테르계 화합물이 보다 바람직하다. 카르바졸 골격을 갖지 않는 옥심에스테르계 화합물로서는, 예를 들면, 일가큐어(등록상표) OXE01(BASF사제)을 들 수 있고, 카르바졸 골격을 갖는 옥심에스테르계 화합물로서는, 예를 들면, 일가큐어(등록상표) OXE02(BASF사제), 아데카옵토머(등록상표) N1919(가부시키가이샤 ADEKA제) 또는 아데카 아클즈(등록상표) NCI-831(가부시키가이샤 ADEKA제)을 들 수 있다.
(용제)
본 발명의 감광성 수지 조성물은 용제를 함유해도 상관없다.
용제로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 2-헵타놀, 시클로헥산올, 시클로펜타놀, 2-부탄올, 2-펜타놀, t-부탄올, 다이아세톤알콜, α-테르피네올, 2-히드록시이소부티르산 메틸, 2-히드록시이소부티르산 에틸, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 아세토아세트산 에틸, 아세토아세트산 메틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 시클로펜탄온, 시클로헥사논, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 메틸벤조에이트, 에틸벤조에이트, 말론산 디에틸, β-프로피오락톤, γ-부틸올락톤, γ-발레로락톤, δ-발레로락톤, γ-카프로락톤, ε-카프로락톤, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜디아세테이트, 시클로헥산올아세테이트, 디메틸술폭시드, 메틸에틸케톤, 아세트산 이소부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 부틸, 아세트산 프로필, 아세트산 이소프로필, 아세틸아세톤, 트리아세틴 또는 2-헵타논을 들 수 있다.
(다른 입자)
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 분산성 향상이나, 도전성 컨트롤을 위해서 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A) 이외의 다른 입자를 함유해도 상관없다. 다른 입자로서는, 예를 들면, 표면 피복되어 있지 않은 금속 미립자 또는 금속 산화물 미립자, 유기 안료 또는 무기 안료를 들 수 있다.
이들 다른 입자의 입자직경은 10∼100nm가 바람직하다. 입자직경이 10nm 미만이면 분산 안정화를 위한 분산제 사용이 많아져서 소망의 도전성을 얻는 것이 어려워지는 경우가 있다. 한편, 입자직경이 100nm를 초과하면 패턴의 해상도가 저하되어 5㎛ 이하의 초미세 패턴 형성이 어렵게 되는 경우가 있다.
이들 다른 입자로서는 도전성 컨트롤에 기여하는 카본블랙이 바람직하다.
카본블랙으로서는, 예를 들면, MA77, 7, 8, 11, 100, 100R, 100S, 230, 220또는 14(이상, 모두 미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제), #52, 47, 45, 45L, 44, 40, 33, 32, 30, 25, 20, 10, 5, 95, 85 또는 260(이상, 모두 미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제), Special Black 100, 250, 350 또는 550(이상, 모두 에보닉데구사사제) 또는 Printex 95, 90, 55, 45, 40, P, 60, L6, L, 300, 30, ES23, 9, ES22, 35, 25,200, A 또는 G(이상, 모두 에보닉데구사사제)를 들 수 있다. 그 중에서도 pH값이 4 이하인 MA77, 7, 8, 11, 100, 100R, 100S, 230, 220 또는 14 또는 Special Black 100, 250, 350 또는 550이 바람직하다. 또, 카본블랙의 pH값은 JIS K5101에 준거해서 측정할 수 있다.
(열산발생제 및 광산발생제)
본 발명의 감광성 수지 조성물은 열산발생제 및/또는 광산발생제를 함유해도 상관없다. 발생한 산에 의해, 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 중의 산해리성기의 분해가 촉진되어 공기 하에서의 열처리 온도를 저하시키는 것이 가능해진다.
열에 의해 산을 발생하는 화합물인 열산발생제로서는, 예를 들면, SI-60, SI-80, SI-100, SI-110, SI-145, SI-150, SI-60L, SI-80L, SI-100L, SI-110L, SI-145L, SI-150L, SI-160L, SI-180L 또는 SI-200(이상, 모두 산신가가쿠고교(주)제), 4-히드록시페닐디메틸술포늄, 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄, 2-메틸벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄, 2-메틸벤질-4-아세틸페닐메틸술포늄 또는 2-메틸벤질-4-벤조일옥시페닐메틸술포늄 또는 이들의 메탄술폰산염, 트리플루오로메탄술폰산염, 캠퍼술폰산염 또는 p-톨루엔술폰산염을 들 수 있다. 그 중에서도 4-히드록시페닐디메틸술포늄, 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄, 2-메틸벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄, 2-메틸벤질-4-아세틸페닐메틸술포늄 또는 2-메틸벤질-4-벤조일옥시페닐메틸술포늄 또는 이들 메탄술폰산염, 트리플루오로메탄술폰산염, 캠퍼술폰산염 또는 p-톨루엔술폰산염을 바람직하게 사용할 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 열산발생제의 함유량으로서는 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 100질량부에 대해서 0.01∼20질량부가 바람직하다. 열산발생제의 함유량을 이 범위로 함으로써, 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 중의 산해리성기의 분해가 촉진되고, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉이 방해받지 않고, 보다 높은 도전성이 얻어지기 때문이다.
광에 의해 산을 발생하는 화합물인 광산발생제로부터 발생하는 산은 산해리성기의 분해를 촉진하기 위해서, 퍼플루오로알킬술폰산 또는p-톨루엔술폰산 등의 강산이 바람직하다.
광산발생제로서는, 예를 들면, SI-101, SI-105, SI-106, SI-109, PI-105, PI-106, PI-109, NAI-100, NAI-1002, NAI-1003, NAI-1004, NAI-101, NAI-105, NAI-106, NAI-109, NDI-101, NDI-105, NDI-106, NDI-109, PAI-01, PAI-101, PAI-106 또는 PAI-1001(이상, 모두 미도리가가쿠(주)제), SP-077 또는 SP-082(이상, 모두 (주)ADEKA제), TPS-PFBS(도요고세이고교(주)제), CGI-MDT 또는 CGI-NIT(이상, 모두 치바재팬(주)제) 또는 WPAG-281, WPAG-336, WPAG-339, WPAG-342, WPAG-344, WPAG-350, WPAG-370, WPAG-372, WPAG-449, WPAG-469, WPAG-505 또는 WPAG-506(이상, 모두 와코쥰야쿠고교(주)제)을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 광산발생제의 함유량으로서는 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 100질량부에 대해서 0.01∼20질량부가 바람직하다. 광산발생제의 함유량을 이 범위로 함으로써, 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 중의 산해리성기의 분해가 촉진되고, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉이 방해받지 않고, 보다 높은 도전성이 얻어지기 때문이다. 또한 산해리성기의 분해를 보다 촉진하기 위해서, 열산발생제와 광산발생제를 병용해도 상관없다.
(중합금지제)
본 발명의 감광성 수지 조성물은 중합금지제를 함유해도 좋다. 중합금지제를 적당량 함유함으로써, 현상 후의 해상도가 향상된다. 중합금지제로서는 특별히 한정은 없고 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 디-t-부틸히드록시톨루엔, 부틸히드록시아니솔, 하이드로퀴논, 4-메톡시페놀, 1,4-벤조퀴논, t-부틸카테콜을 들 수 있다. 또한 시판의 중합금지제로서는 「IRGANOX 1010」, 「IRGANOX 1035」, 「IRGANOX 1076」, 「IRGANOX 1098」, 「IRGANOX 1135」, 「IRGANOX 1330」, 「IRGANOX 1726」, 「IRGANOX 1425」, 「IRGANOX 1520」, 「IRGANOX 245」, 「IRGANOX 259」, 「IRGANOX 3114」, 「IRGANOX 565」, 「IRGANOX 295」(이상, BASF제) 등을 들 수 있다.
(증감제)
본 발명의 감광성 수지 조성물이 광산발생제를 함유할 경우, 감광성 수지 조성물은 증감제를 더 함유해도 상관없다. 증감제는 열처리에 의해 기화되는 것, 또는, 경화막에 잔존한 경우에 있어서도, 광조사에 의해 퇴색되는 것이 바람직하다. 패턴 가공에 있어서의 고해상성의 관점으로부터, 증감제는 광조사에 의해 퇴색되는 것이 보다 바람직하다.
열처리에 의해 기화되거나, 또는, 광조사에 의해 퇴색되는 증감제로서는, 예를 들면, 3,3'-카르보닐비스(디에틸아미노쿠마린) 등의 쿠마린, 9,10-안트라퀴논 등의 안트라퀴논, 벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 아세토페논, 4-메톡시아세토페논 또는 벤즈알데히드 등의 방향족 케톤 또는 비페닐, 1,4-디메틸나프탈렌, 9-플루오레논, 플루오렌, 페난트렌, 트리페닐렌, 피렌, 안트라센, 9-페닐안트라센, 9-메톡시안트라센, 9,10-디페닐안트라센, 9,10-비스(4-메톡시페닐)안트라센, 9,10-비스(트리페닐실릴)안트라센, 9,10-디메톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 9,10-디프로폭시안트라센(DPA;가와사키카세이(주)제), 9,10-디부톡시안트라센(DBA;가와사키카세이(주)제), 9,10-디펜타옥시안트라센, 2-t-부틸-9,10-디부톡시안트라센 또는 9,10-비스(트리메틸실릴에티닐)안트라센 등의 축합 방향족을 들 수 있다.
열처리에 의해 기화되는 증감제로서는 열처리에 의해 승화, 증발 또는 열분해에 의한 열분해물이 승화 또는 증발되는 것이 바람직하다. 증감제의 기화 온도로서는 프리 베이킹 온도에서는 기화되지 않고, 열경화시에 분해 및 기화되어 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)를 접촉 및 융착시키기 위해서 150∼300℃가 바람직하다.
또한, 증감제는 고감도 및 고해상도를 달성할 수 있다고 하는 점, 및, 광조사에 의해 2량화해서 퇴색된다고 하는 점으로부터, 안트라센계 화합물이 바람직하다. 특히 열에 안정적인 9,10-2치환 안트라센계 화합물인 것이 바람직하고, 증감제의 용해성의 향상과 광2량화 반응의 반응성의 관점으로부터, 일반식(2)로 나타내어지는 9,10-디알콕시안트라센계 화합물인 것이 더욱 바람직하다.
Figure pct00002
(R4∼R11은 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1∼20의 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 에티닐기, 아릴기 또는 아실기 또는 이들이 치환된 유기기를 나타내고, R12 및 R13은 각각 독립적으로 탄소수 1∼20의 알콕시기 또는 그 외의 유기기로 치환된 알콕시기를 나타낸다.)
R4∼R11에 있어서의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기 또는 n-프로필기를 들 수 있다. 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 또는 펜틸옥시기를 들 수 있다. 알케닐기로서는, 예를 들면, 비닐기, 아크릴옥시프로필기 또는 메타크릴옥시프로필기를 들 수 있다. 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기 또는 나프틸기를 들 수 있다. 아실기로서는, 예를 들면, 아세틸기를 들 수 있다. 또, 화합물의 기화성 및 광2량화의 반응성의 관점으로부터, R4∼R11은 수소 또는 탄소수는 1∼6의 유기기인 것이 바람직하고, R4, R7, R8 및 R11은 수소인 것이 보다 바람직하다.
R12 및 R13에 있어서 알콕시기를 치환하는 치환기로서는, 예를 들면, 알콕시기 또는 아실기를 들 수 있다. 이 경우의 알콕시기로서는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 메톡시에톡시기, 1-메톡시-2-프로폭시기 또는 1-아세틸-2-프로폭시기를 들 수 있지만, 화합물의 용해성 및 광2량화에 의한 퇴색 반응의 관점으로부터, 프로폭시기 또는 부톡시기가 바람직하다.
감광성 수지 조성물 중의 증감제 함유량으로서는, 알칼리 가용성 수지(B) 100질량부에 대해서 0.001∼20질량부가 바람직하고, 0.005∼15질량부가 보다 바람직하다. 증감제의 함유량을 이 범위로 함으로써, 광산발생제를 감광하기 위한 증감효과가 충분하게 되고, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉이 방해받지 않고, 보다 높은 도전성이 얻어지기 때문이다.
(가시광에 흡수를 갖는 안료 및/또는 염료)
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 가시광에 흡수를 갖는 안료 및/또는 염료를, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉 및 융착을 저해하지 않는 범위에서 함유해도 상관없다. 감광성 수지 조성물이 가시광에 흡수를 갖는 안료 및/또는 염료를 함유하는 점에서 포스트 베이킹 후의 도전성 패턴의 가시광 반사를 억제할 수 있다.
가시광에 흡수를 갖는 안료로서는, 예를 들면, 락탐계 안료, 페릴렌계 안료, 프탈로시아닌계 안료, 이소인돌린계 안료, 디아미노안트라퀴논계 안료, 디옥사진계 안료, 인단트론계 안료, 카본블랙 또는 무기 안료를 들 수 있다.
청색의 안료로서는, 예를 들면, C.I. 피그먼트 블루(이하, 「PB」) 15, PB15:1, PB15:2, PB15:3, PB15:4, PB15:5, PB15:6, PB16 또는 PB60을 들 수 있다. 보라색의 안료로서는, 예를 들면, C.I. 피그먼트 바이올렛(이하, 「PV」) 19, PV23 또는 PV37을 들 수 있다. 적색의 안료로서는, 예를 들면, C.I. 피그먼트 레드(이하, 「PR」) 149, PR166, PR177, PR179, PR209 또는 PR254를 들 수 있다. 녹색의 안료로서는, 예를 들면, C.I. 피그먼트 그린(이하, 「PG」) 7, PG36 또는 PG58을 들 수 있다. 황색의 안료로서는, 예를 들면, C.I. 피그먼트 옐로(이하, 「PY」) 150, PY138, PY139 또는 PY185를 들 수 있다. 흑색의 안료로서는, 예를 들면, HCF, MCF, LFF, RCF, SAF, ISAF, HAF, XCF, FEF, GPF 또는 SRF 등의 퍼니스블랙, FT 또는 MT등의 서멀블랙, 채널블랙 또는 아세틸렌블랙 등의 카본블랙 또는 락탐계 안료(예를 들면, "Irgaphor"(등록상표) 블랙 S0100CF; BASF사제)를 들 수 있다. 그 중에서도, 내열성, 내광성 및 가시광의 흡수성이 우수한 카본블랙이 바람직하고, 도전성 및 분산성의 관점으로부터, 퍼니스블랙 또는 락탐계 안료가 보다 바람직하다.
카본블랙으로서는, 예를 들면, MA77, 7, 8, 11, 100, 100R, 100S, 230, 220또는 14(이상, 모두 미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제), #52, 47, 45, 45L, 44, 40, 33, 32, 30, 25, 20, 10, 5, 95, 85 또는 260(이상, 모두 미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제), Special Black 100, 250, 350 또는 550(이상, 모두 에보닉데구사사제), 또는, Printex 95, 90, 55, 45, 40, P, 60, L6, L, 300, 30, ES23, 9, ES22, 35, 25,200, A 또는 G를 들 수 있다. 그 중에서도 pH값이 4 이하인 MA77, 7, 8, 11, 100, 100R, 100S, 230, 220 또는 14, 또는, Special Black 100, 250, 350 또는 550이 바람직하다. 카본블랙의 pH값은 JIS K5101에 준거해서 측정할 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 가시광에 흡수를 갖는 안료의 첨가량으로서는 조성물 중의 전체 고형분에 대해서 0.1∼10질량%가 바람직하다.
가시광에 흡수를 갖는 염료로서는, 예를 들면, 페로센계 염료, 플루오레논계 염료, 페릴렌계 염료, 트리페닐메탄계 염료, 쿠마린계 염료, 디페닐아민계 염료, 퀴나크리돈계 염료, 퀴노프탈론계 염료, 프탈로시아닌계 염료 또는 크산텐계 염료를 들 수 있지만, 내열성, 내광성 및 가시광의 흡수성이 우수한 흑색 염료가 바람직하고, VALIFAST(등록상표) Black 1888, VALIFAST(등록상표) Black 3830, NUBIAN(등록상표) Black PA-2802 또는 OIL Black 860이 바람직하다.
감광성 수지 조성물 중의 가시광에 흡수를 갖는 염료의 첨가량으로서는 조성물 중의 전체 고형분에 대해서 0.1∼10질량%가 바람직하다.
(그 밖의 성분)
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감광 성능을 조정하고, 패턴 가공성을 향상시키는 관점으로부터, 아크릴모노머를 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)끼리의 접촉 및 융착을 저해하지 않는 범위 내에서 함유해도 상관없다.
아크릴모노머로서는, 예를 들면, 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 또는 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트 또는 이들의 알킬 변성물, 알킬에테르 변성물 또는 알킬에스테르 변성물을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 또한 필요에 따라서, 밀착 개량제, 계면활성제 또는 중합금지제 등을 함유해도 상관없다.
밀착 개량제로서는, 예를 들면, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-클로로프로필메틸디메톡시실란, 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 또는 3-메르캅토프로필트리메톡시실란 등의 실란커플링제를 들 수 있다.
계면활성제로서는, 예를 들면, 라우릴황산 암모늄 또는 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산 트리에탄올아민 등의 음이온 계면활성제, 스테아릴아민아세테이트 또는 라우릴트리메틸암모늄클로라이드 등의 양이온 계면활성제, 라우릴디메틸아민옥사이드 또는 라우릴카르복시메틸히드록시에틸이미다졸륨베타인 등의 양성 계면활성제, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르 또는 소르비탄모노스테아레이트 등의 비이온 계면활성제, 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 계면활성제의 첨가량으로서는 도포성 및 도막 표면의 균일성을 양호하게 하기 위해서, 조성물 전체에 대해서 0.001∼10질량%가 바람직하고, 0.01∼1질량%가 보다 바람직하다. 첨가량이 0.001질량%보다 적으면 도포성 및 도막 표면의 균일성의 효과가 불충분하게 되는 경우가 있다. 한편, 첨가량이 10질량%를 초과하면, 핀홀이나 함몰 등의 도막 결함이나, 입자의 응집이 일어나는 경우가 있다.
중합금지제로서는, 예를 들면, 히드로퀴논계, 카테콜계, 인계, 황계, 아민계 또는 힌더드페놀계의 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도 히드로퀴논계와 카테콜계의 것이 용제에의 용해성이나 안료의 분산 안정성을 저해하지 않는 히드로퀴논계 또는 카테콜계의 화합물이 바람직하고, 히드로퀴논, tert-부틸히드로퀴논, 2,5-비스(1,1,3,3-테트라메틸부틸)히드로퀴논, 2,5-비스(1,1-디메틸부틸)히드로퀴논이나 카테콜 또는 tert-부틸카테콜이 보다 바람직하다.
(감광성 수지 조성물의 제조 방법)
본 발명의 감광성 수지 조성물은 볼밀이나, 샌드 그라인더, 3롤밀, 마일드 분산기, 미디어리스 분산기 등의 분산기를 이용하여 제조된다. 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)를 균일하게 분산시키고 싶은 경우에는, 분산제를 이용하여, 미리 유기용제 중에 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)를 분산시킨 분산액을 조제하고, 이 분산액을 모노머, 폴리머, 밀착 개량제, 계면활성제 및 중합금지제 등을 함유하는 용액과 혼합하는 방법에 의해 제조해도 좋다. 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 분산액은 표면 피복층이 손상을 받는 것을 방지하기 위해서, 마일드 분산기 또는 미디어리스 분산기를 이용하여 분산시키는 것이 바람직하고, 미디어리스 분산기를 이용하여 분산시키는 것이 보다 바람직하다. 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)의 분산액은, 예를 들면, 마일드 분산기 나노게터(등록상표)(아시자와파인테크(주)) 또는 고압습식 미디어리스 미립화 장치 나노마이저(나노마이저(주)) 등의 분산기를 이용하여, 유기용제 중에 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)를 분산시켜서 제조된다.
(도전성 패턴의 제조 방법)
다음에 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 포토리소그래피법에 의한 도전성 패턴의 제조 방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 도전성 패턴의 제조 방법은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판면 상에 도포하는 도포 공정, 그것을 건조하는 프리 베이킹 공정, 그것을 노광 및 현상해서 패턴을 형성하는 공정(노광 공정, 현상 공정), 및, 그것을 포스트 베이킹 하는 포스트 베이킹 공정을 구비하는 프로세스에 의해 행해진다.
도포 공정에서 사용하는 기판으로서는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼, 세라믹스 기판 또는 유기계 기판을 들 수 있다. 세라믹스 기판으로서는, 예를 들면, 소다 유리, 무알칼리 유리, 붕규산 유리 또는 석영 유리 등의 유리 기판, 알루미나 기판, 질화알루미늄 기판 또는 탄화규소 기판을 들 수 있다. 유기계 기판으로서는, 예를 들면, 에폭시 기판, 폴리에테르이미드 수지 기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리설폰계 수지 기판, 폴리이미드 필름 또는 폴리에스테르 필름을 들 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판면 상에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면, 스핀 코터, 바 코터, 블레이드 코터, 롤 코터, 다이 코터, 캘린더 코터 또는 메니스커스 코터를 사용한 도포, 스크린 인쇄, 스프레이 도포 또는 딥 코팅을 들 수 있다.
프리 베이킹 공정에 있어서의 건조 방법으로서는, 예를 들면, 핫플레이트, 열풍 건조기(오븐), 감압 건조, 진공 건조 또는 적외선 조사에 의한 건조를 들 수 있다.
프리 베이킹의 온도 및 시간은 감광성 수지 조성물의 조성이나, 건조하는 도포막의 막두께에 따라 적당하게 결정하면 좋지만, 50∼150℃의 온도범위에서 10초∼30분 가열하는 것이 바람직하다.
그 중에서도, 핫플레이트 또는 열풍 건조기(오븐)에서의 가열과, 감압 건조를 병용하는 것이 도포막이 함유하는 수지의 열경화를 억제하면서, 용제를 건조 제거할 수 있으므로 바람직하다. 감압 건조의 도달 압력으로서는 10∼200Pa가 바람직하고, 30∼100Pa가 보다 바람직하다.
노광 공정에서 사용하는 광원으로서는, 예를 들면, 수은등의 j선, i선, h선 또는 g선이 바람직하다.
현상 공정에서 알칼리성 현상액에 사용하는 알칼리성 물질로서는, 예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨 또는 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민 또는 n-프로필아민 등의 1급 아민류, 디에틸아민 또는 디-n-프로필아민 등의 2급 아민류, 트리에틸아민 또는 메틸 디에틸아민 등의 3급 아민류, 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH) 등의 테트라알킬암모늄히드록시드류, 콜린 등의 4급 암모늄염, 트리에탄올아민, 디에탄올아민, 모노에탄올아민, 디메틸아미노에탄올 또는 디에틸아미노에탄올 등의 알콜아민류 또는 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노난 또는 모르폴린 등의 환상 아민류 등의 유기 알칼리류를 들 수 있다. 이들 알칼리성 현상액에 에탄올, γ―부틸올락톤, 디메틸포름아미드 또는 N-메틸-2-피롤리돈 등의 수용성 유기용제를 적당하게 첨가해도 상관없다.
또한, 보다 양호한 도전성 패턴을 얻기 위해서, 이들 알칼리성 현상액에 또한 비이온계 계면활성제 등의 계면활성제를 0.01∼1질량% 첨가하는 것도 바람직하다.
포스트 베이킹 공정에 있어서의 건조 방법으로서는 프리 베이킹 공정과 동일한 것을 들 수 있다. 포스트 베이킹의 분위기, 온도 및 시간은 감광성 수지 조성물의 조성이나, 건조하는 도포막의 막두께에 따라 적당하게 결정하면 좋지만, 공기 중, 100∼300℃의 온도범위에서 5∼120분 가열하는 것이 바람직하다.
도전성 패턴을 기판 상에 메시상으로 형성하면, 터치 패널, 액정 또는 유기 EL 등의 디스플레이 패널 또는 웨어러블 단말 등이 구비하는 투명 도전 배선으로서 사용할 수 있다.
상기 도전성 패턴은 투명하지 않으므로, 패턴의 폭이 크면 기기의 유저에게 배선이 시인되어 버린다. 이 때문에, 도전성 패턴의 폭은 5㎛ 이하인 것이 바람직하다.
(유기성분을 포함하는 막)
본 발명 중에서 사용되는 유기성분을 포함하는 막에 대해서 설명한다. 본 발명에서 사용되는 유기성분을 포함하는 막을 구성하는 성분으로서 알칼리 가용성 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 알칼리 가용성기를 가짐으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 금속 킬레이트 화합물(C)과 착형성이 가능해진다. 금속 킬레이트(C)는 본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)와도 착형성이 가능하므로, 현상 밀착성이 향상된다. 이것에 의해, 엄격한 현상 조건에서의 처리가 가능해지고, 현상 잔사를 저감시킬 수 있다.
유기성분을 포함하는 막 중의 알칼리 가용성 수지는 극성기를 갖는 것이 바람직하다. 극성기로서는 히드록실기, 카르보닐기, 카르복실기, 아미노기, 니트로기, 시아노기 등을 들 수 있지만, 알칼리 현상성의 관점으로부터 카르복실기인 것이 바람직하다.
또한 유기성분을 포함하는 막 중의 알칼리 가용성 수지로서 신뢰성의 관점으로부터, 경화 후에 고막밀도가 되는 카르도 카르도 수지인 것이 바람직하다. 또한, 카르도 수지에 추가해서, 아크릴폴리머를 함유하고, 카르도계 수지와 아크릴폴리머의 함유량이 중량비로 1:10∼10:1인 것이 바람직하고, 1:8∼7:1인 것이 보다 바람직하다.
유기성분을 포함하는 막 중의 카르도계 수지로서는 시판품을 바람직하게 사용할 수 있고, 「WR-301(상품명)」((주)ADEKA제), 「V-259ME(상품명)」(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제), 「오그솔 CR-TR1(상품명)」, 「오그솔 CR-TR2(상품명)」, 「오그솔 CR-TR3(상품명)」, 「오그솔 CR-TR4(상품명)」, 「오그솔 CR-TR5(상품명)」, 「오그솔 CR-TR6(상품명)」(이상, 오사카가스케미칼(주)제) 등을 들 수 있다.
또한 아크릴폴리머로서는, 예를 들면, 지환식 골격을 측쇄에 갖는 아크릴폴리머를 사용할 수 있다.
아크릴폴리머는 카르복실기 및/또는 산무수물기 함유 (메타)아크릴 화합물,및 (메타)아크릴산 에스테르, 및/또는 말레이미드 또는 말레이미드 유도를 라디칼 공중합한 후, 에틸렌성 불포화 이중결합기를 갖는 에폭시 화합물을 부가 반응해서 얻어지는 것이 바람직하다.
라디칼 중합의 촉매에 특별히 제한은 없고, 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물이나 과산화벤조일 등의 유기 과산화물 등이 일반적으로 사용된다.
에틸렌성 불포화 이중결합기를 갖는 에폭시 화합물의 부가반응에 사용하는 촉매에 특별히 제한은 없고, 공지의 촉매를 사용할 수 있지만, 예를 들면, 디메틸아닐린, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 디메틸벤질아민 등의 아미노계 촉매, 2-에틸헥산산 주석(II), 라우린산 디부틸주석 등의 주석계 촉매, 2-에틸헥산산 티타늄(IV) 등의 티타늄계 촉매, 트리페닐포스핀 등의 인계 촉매 및 아세틸아세토네이트크롬, 염화크롬 등의 크롬계 촉매 등이 사용된다.
카르복실기 및/또는 산무수물기 함유 (메타)아크릴 화합물로서는 (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 무수물, 이타콘산, 이타콘산 무수물, 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 테트라히드로프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸) 등이 사용된다.
(메타)아크릴산 에스테르로서는 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 시클로프로필, (메타)아크릴산 시클로펜틸, (메타)아크릴산 시클로헥실, (메타)아크릴산 시클로헥세닐, (메타)아크릴산 4-메톡시시클로헥실, (메타)아크릴산 2-시클로프로필옥시카르보닐에틸, (메타)아크릴산 2-시클로펜틸옥시카르보닐에틸, (메타)아크릴산 2-시클로헥실옥시카르보닐에틸, (메타)아크릴산 2-시클로헥세닐옥시카르보닐에틸, (메타)아크릴산 2-(4-메톡시시클로헥실)옥시카르보닐에틸, (메타)아크릴산 노르보르닐, (메타)아크릴산 이소보닐, (메타)아크릴산 트리시클로데카닐, (메타)아크릴산 테트라시클로데카닐, (메타)아크릴산 디시클로펜테닐, (메타)아크릴산 아다만틸, (메타)아크릴산 아다만틸메틸, (메타)아크릴산 1-메틸아다만틸 등이 사용된다. 또한 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐 화합물을 상기 (메타)아크릴산이나 (메타)아크릴산 에스테르와 공중합해도 좋다.
말레이미드 또는 말레이미드 유도체로서는, 예를 들면, 말레이미드, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-n-프로필말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-n-부틸말레이미드, N-t-부틸말레이미드, N-n-헥실말레이미드, N-도데실말레이미드, N-시클로펜틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-(2,4-디메틸시클로헥실)말레이미드, N-비닐말레이미드, N-(메타)아크릴말레이미드, N-메톡시메틸말레이미드, N-(2-에톡시에틸)말레이미드, N-[3-(메타)아크릴옥시프로필]말레이미드, N-메톡시카르보닐말레이미드, N-(3-메톡시카르보닐프로필)말레이미드, N-(2-히드록시에틸)말레이미드, N-(4-히드록시-n-부틸)말레이미드, N-(2-카르복시에틸)말레이미드, N-(3-카르복시프로필)말레이미드, N-(5-카르복시펜틸)말레이미드, N-페닐말레이미드, N-(4-메틸페닐)말레이미드, N-(3-메틸페닐)말레이미드, N-(2-메틸페닐)말레이미드, N-(2,6-디메틸페닐)말레이미드, N-(2,6-디에틸페닐)말레이미드, N-(4-스티릴)말레이미드, N-(4-메톡시페닐)말레이미드, N-(3-메톡시페닐)말레이미드, N-(2-메톡시페닐)말레이미드, N-(4-히드록시페닐)말레이미드, N-(3-히드록시페닐)말레이미드, N-(2-히드록시페닐)말레이미드, N-(4-카르복시페닐)말레이미드, N-(1-나프틸)말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(2-페닐에틸)말레이미드 등을 들 수 있다.
에틸렌성 불포화 이중결합기를 갖는 에폭시 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 글리시딜, (메타)아크릴산 α-에틸글리시딜, (메타)아크릴산 α-n-프로필글리시딜, (메타)아크릴산 α-n-부틸글리시딜, (메타)아크릴산 3,4-에폭시부틸, (메타)아크릴산 3,4-에폭시헵틸, (메타)아크릴산 (3,4-에폭시시클로헥실메틸), (메타)아크릴산 α-에틸-6,7-에폭시헵틸, 알릴글리시딜에테르, 비닐글리시딜에테르, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-o-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-m-비닐벤질글리시딜에테르, α-메틸-p-비닐벤질글리시딜에테르, 2,3-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,4-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,5-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,6-디글리시딜옥시메틸스티렌, 2,3,4-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 2,3,5-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 2,3,6-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 3,4,5-트리글리시딜옥시메틸스티렌, 2,4,6-트리글리시딜옥시메틸스티렌 등을 들 수 있다.
아크릴폴리머는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물과 다가 메르캅토 화합물을 마이클 부가(카르보닐기에 관해서 β위치)에 의해 중합한 것을 사용할 수도 있다.
다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 바람직한 구체예로서는, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤에탄트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 트리펜타에리스리톨옥타(메타)아크릴레이트, 트리펜타에리스리톨헵타(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 에피클로로히드린 변성 헥사히드로프탈산 디(메타)아크릴레이트, 히드록시피바린산 네오펜틸글리콜디 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 네오펜틸글리콜디 (메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 히드록시피바린산 에스테르네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 스테아린산 변성 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 에피클로로히드린 변성 프탈산 디(메타)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜테트라메틸렌글리콜)디(메타)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜테트라메틸렌글리콜)디(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에피클로로히드린 변성 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 비스페놀A디글리시딜에테르디(메타)아크릴레이트, 실리콘디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 변성 트리메틸롤프로판디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리글리세롤디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에피클로로히드린 변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 글리세롤 트리(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산 트리(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, HPA 변성 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤프로판벤조에이트(메타)아크릴레이트, 트리스((메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 알콕시 변성 트리메틸롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨폴리(메타)아크릴레이트, 알킬 변성 디펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 에스테르를 들 수 있다. 이들 화합물은 그 1종만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
다가 메르캅토 화합물로서는, 1,2-디메르캅토에탄, 1,3-디메르캅토프로판, 1,4-디메르캅토부탄, 비스디메르캅토에탄티올(HS-CH2CH2-S-CH2CH2-SH), 트리메틸롤프로판트리(메르캅토아세테이트), 트리메틸롤프로판트리(메르캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라(메르캅토아세테이트), 펜타에리스리톨트리(메르캅토아세테이트), 펜타에리스리톨테트라(메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사(메르캅토아세테이트), 디펜타에리스리톨헥사(메르캅토프로피오네이트) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 그 1종만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 우선, 실시예 및 비교예에서 사용한 재료에 대해서 설명한다.
[탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A)]
(A-1)표면 탄소 피복층의 평균 두께가 1nm이며, 1차 입자직경이 50nm인 은입자(닛신엔지니어링 가부시키가이샤제).
[산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)]
(B-1)
500mL의 플라스크에 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)을 2g, PGMEA를 50g 투입했다. 그 후, 메타크릴산을 15.69g, 스티렌을 37.45g, 디시클로펜타닐메타크릴레이트를 46.86g 투입하고, 실온에서 잠시 교반하고, 플라스크 내를 버블링에 의해 충분히 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반했다. 다음에 얻어진 용액에 메타크릴산 글리시딜을 10.46g, 디메틸벤질아민을 1g, p-메톡시페놀을 0.2g, PGMEA를 100g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하고, 아크릴 수지(B-1)의 용액을 얻었다. 얻어진 아크릴 수지(B-1)의 용액에 고형분 농도가 40질량%가 되도록 PGMEA를 첨가했다. 아크릴 수지(B-1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 25,000이었다.
(B-2)
500mL의 플라스크에 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴)을 2g, PGMEA(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트)를 50g 투입했다. 그 후에 메타크릴산을 23.26g, 벤질메타크릴레이트를 31.46g, 디시클로펜타닐메타크릴레이트를 32.80g 투입하고, 실온에서 잠시 교반하고, 플라스크 내를 버블링에 의해 충분히 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반했다. 다음에 얻어진 용액에 메타크릴산 글리시딜을 12.69g, 디메틸벤질아민을 1g, p-메톡시페놀을 0.2g, PGMEA를 100g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하고, 아크릴 수지(B-2)의 용액을 얻었다. 얻어진 아크릴 수지(B-2)의 용액에 고형분 농도가 40질량%가 되도록 PGMEA를 첨가했다. 아크릴 수지(B-2)의 중량 평균 분자량(Mw)은 24,000이었다.
[금속 킬레이트 화합물(C)]
(C-1)ALCH:에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트(가와켄파인케미칼(주)제)
(C-2)ALCH-TR:알루미늄트리스에틸아세토아세테이트(가와켄파인케미칼(주)제)
(C-3) M:알킬아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트(가와켄파인케미칼(주)제)
(C-4)알루미늄 킬레이트 D:알루미늄모노아세틸아세토네이트비스(에틸아세토아세테이트)(가와켄파인케미칼(주)제)
(C-5)알루미늄 킬레이트 A(W):알루미늄트리스(아세틸아세토네이트)(가와켄파인케미칼(주)제)
(C-6)ZC-150:지르코늄테트라세틸아세토네이트(마츠모토파인케미칼(주)제)
(C-7)ZC-540:지르코늄트리부톡시모노아세틸아세토네이트(마츠모토파인케미칼(주)제)
(C-8)메오스탄 U-600:비스무트트리옥테이트/2-에틸헥산산(닛토카세이(주)제)
[분산제]
DISPERBYK(등록상표) 21116(빅케미 재팬 가부시키가이샤제).
[용제]
PGMEA:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(산쿄가가쿠(주)제)
DPM:디프로필렌글리콜모노메틸에테르(도호가가쿠고교(주)제).
[광중합개시제]
NCI-831(등록상표)(옥심에스테르계 화합물;ADEKA(주)제).
[아크릴모노머]
라이트아크릴레이트(등록상표) PE-3A (교에이샤가가쿠(주)제).
[유기성분을 포함하는 막]
(X-1)
500ml의 플라스크에 AIBN을 1g, PGMEA를 50g 투입했다. 그 후에 메타크릴산을 38.6g, 메타크릴산 메틸을 16.4g, 스티렌을 16.4g 투입하고, 실온에서 잠시 교반하고, 플라스크 내를 버블링에 의해 충분히 질소 치환한 후, 70℃에서 5시간 가열 교반했다. 다음에 얻어진 용액에 메타크릴산 글리시딜을 28.6g, 디메틸벤질아민을 1g, p-메톡시페놀을 0.2g, PGMEA를 100g 첨가하고, 90℃에서 4시간 가열 교반하고, 아크릴폴리머의 용액을 얻었다. 얻어진 아크릴폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은 29,000이었다. 황색등 하에서, OXE-02:0.25g, LA-87:0.50g, 10wt% PGMEA 용액으로 한 TBC:0.50g을 PGMEA:14.19g, DAA:30.00g에 용해시키고, 10wt% PGMEA 용액으로 한 BYK-333:0.30g(농도 300ppm에 상당)을 첨가하고, 교반했다. 그것에 50wt% PGMEA 용액으로 한 TEPIC-VL:6.49g, 20wt% PGMEA 용액으로 한 EG-200:12.49g, DPHA:6.19g, 얻어진 아크릴폴리머:9.36g, 「V-259ME(상품명)」(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제):18.73g, 및 KBM-403:1.00g을 첨가하고, 교반했다. 이어서 0.45㎛의 필터로 여과를 행하고, 조성물(X-1)을 얻었다.
(X-2)
「스미카엑셀 PES 4100P(상품명)」(스미토모가가쿠(주)제) 10g에 시클로헥사논을 40g 첨가 교반했다. 이렇게 하여 고형분 농도가 20wt%인 조성물(X-2)을 얻었다.
(X-3)
건조 질소 기류 하, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BAHF;센트럴가라스(주)제) 29.3g(0.08mol), 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산 1.24g(0.005mol), 말단 밀봉제로서 3-아미노페놀 3.27g(0.03mol)을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 150g에 용해했다. 여기에 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 2무수물(ODPA;마낙(주)제) 31.0g(0.1mol)을 NMP 50g과 함께 첨가하고, 20℃에서 1시간 교반하고, 이어서 50℃에서 4시간 교반했다. 그 후에 크실렌을 15g 첨가하고, 물을 크실렌과 함께 공비하면서, 150℃에서 5시간 교반했다. 교반 종료 후, 용액을 물 3L에 투입해서 백색 침전을 모았다. 이 침전을 여과로 모으고, 물로 3회 세정한 후, 80℃의 진공건조기로 24시간 건조하고, 폴리이미드폴리머를 얻었다. 이 폴리이미드폴리머 7.5g에 GBL을 42.5g 첨가 교반했다. 이렇게 하여 고형분 농도가 15wt%인 조성물(X-3)을 얻었다.
(X-4)
황색등 하에서, 「PBG-305(상품명)」(교료쿠덴시사제):0.25g, 「LA-87(상품명)」(ADEKA(주)제):0.50g, 10wt% PGMEA 용액으로 한 TBC:0.50g을 PGMEA:2.24g, DAA:30.00g에 용해시키고, 10wt% PGMEA 용액으로 한 BYK-333:0.30g(농도 300ppm에 상당)을 첨가하고, 교반했다. 그것에 「TAIC(상품명)」(니폰카세이(주)제):4.25g, 10wt% PGMEA 용액으로 한 「오그솔 PG-100(상품명)」(오사카가스케미칼(주)제):24.50g, 「오그솔 EA-0250P(상품명)」(오사카가스케미칼(주)제):1.25g, 「M-315(상품명)」(교에이샤(주)제):2.75g, 「SIRIUS-501(상품명)」(오사카유키고교(주)제):3.12g, 「V-259ME(상품명)」(신닛테츠스미킨가가쿠(주)제):29.34g, 및 「KBM-403(상품명)」(신에츠가가쿠고교(주)제):1.00g을 첨가하고, 교반했다. 이어서 0.45㎛의 필터로 여과를 행하고, 조성물(X-4)을 얻었다.
[유기성분을 포함하는 막의 제작]
(Y-1)
조성물(X-1)을 무알칼리 유리 기판(OA-10G;니폰덴키가라스 가부시키가이샤제) 상에 스핀코터(미카사(주)제 「1H-360S (상품명)」)를 이용하여 650rpm으로 5초의 조건으로 스핀 코팅하고, 기판을 핫플레이트(다이니폰스크린 세이조(주)제 「SCW-636(상품명)」)를 이용하여 100℃에서 2분간 프리 베이킹하고, 막두께 2.5㎛의 프리 베이킹막을 얻었다. 프리 베이킹막을 패러럴 라이트 마스크 애널라이너(캐논(주)제 「PLA-501F (상품명)」)를 이용하여 초고압 수은등을 광원으로 하고, 소망의 마스크를 통해 노광했다. 이 후, 자동 현상 장치(타키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 이용하여, 0.045wt% 수산화칼륨 수용액으로 60초간 샤워 현상하고, 이어서 물로 30초간 린스하고, 패턴 가공을 행했다. 그 후, 오븐(「IHPS-222」;에스펙(주)제)을 이용하여, 230℃에서 30분(공기 중) 포스트 베이킹을 실시함으로써, 유기성분을 포함하는 막(Y-1)을 제작했다.
(Y-2)
조성물(X-2)을 무알칼리 유리 기판(OA-10G;니폰덴키가라스 가부시키가이샤제) 상에 스핀코터(미카사(주)제 「1H-360S (상품명)」)를 이용하여 650rpm으로 5초의 조건으로 스핀 코팅하고, 기판을 핫플레이트(다이니폰스크린 세이조(주)제 「SCW-636(상품명)」)를 이용하여 100℃에서 2분간 프리 베이킹하고, 막두께 2.5㎛의 프리 베이킹막을 얻은 그 후, 오븐(「IHPS-222」;에스펙(주)제)을 이용하여, 230℃에서 30분(공기 중) 포스트 베이킹을 실시함으로써, 유기성분을 포함하는 막(Y-2)을 제작했다.
(Y-3)
상기 (Y-2)의 제작 방법과 같은 순서에 의해, (X-3)으로부터 (Y-3)을 제작했다.
(Y-4)
상기 (Y-1)의 제작 방법과 같은 순서에 의해, (X-4)로부터(Y-4)를 제작했다.
[패턴 가공성 평가]
무알칼리 유리 기판(OA-10;니폰덴키가라스 가부시키가이샤제) 또는 상기 (Y-1)∼(Y-4)의 도포된 기판을 사용하여 감광성 수지 조성물의 패턴 가공성 평가를 행했다. 또, 막두께를 프리 베이킹 후 2.5㎛로 하고, 노광시는 감도 측정용 그레이 스케일 마스크를 사용했다.
현상 후, 30㎛의 라인앤스페이스 패턴을 1대1의 폭으로 형성하는 노광량(이하, 이것을 최적 노광량이라고 한다)을 감도로 하고, 최적 노광량에 있어서의 현상 후의 최소 패턴 치수를 해상도로 했다.
해상도는 5㎛ 이하가 바람직하고, 2㎛ 이하가 보다 바람직하다.
[도전성 평가]
무알칼리 유리 기판(OA-10;니폰덴키가라스 가부시키가이샤제) 또는 상기 (Y-1)∼(Y-4)의 도포된 기판을 사용하고, 체적저항률 평가용 도전 패턴을 제작했다. 또, 막두께는 프리 베이킹 후 0.6㎛로 하고, 장방형의 투광 패턴(10mm×15mm)을 갖는 포토마스크를 통해 노광했다.
얻어진 체적저항률 평가 패턴에 대해서 표면저항 측정기(미츠비시 유카 가부시키가이샤제 「로레스타(등록상표)-FP」)로 측정한 표면저항값 ρs(Ω/□)와, 표면 거칠기 형상 측정기((주)도쿄 세이미츠제 「서프컴(등록상표) 1400D」)로 측정한 막두께 t(㎝)를 측정하고, 양 값을 승산함으로써, 체적저항률(μΩ·㎝)을 산출했다. 체적저항률은 바람직하게는 100μΩ·㎝ 미만, 보다 바람직하게는 65μΩ·㎝ 미만이다.
[기판 상 잔사 평가]
상기 체적저항률 평가 패턴이 형성된 기판의 미노광 부분에 대해서 투과율 평가에 의해, 기판 상의 잔사를 평가했다. 구체적으로는, 미노광 부분에 대해서 막형성 전후의 400nm에 있어서의 투과율을 자외가시 분광 광도계((주)시마즈 세이사쿠쇼제 「MultiSpec-1500(상품명)」)를 이용하여, 측정했다. 그리고, 막형성 전의 투과율을 T0, 막형성 후의 투과율을 T로 했을 때에, 식 (T0-T)/T0로 나타내어지는 투과율 변화를 산출했다. 투과율 변화는 바람직하게는 1.0% 미만, 보다 바람직하게는 0.7% 미만이다.
(실시예 1)
우선, 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A-1) 80.00g, DISPERBYK21116을 6.25g, PGMEA 146.25g, DPM 150.00g에 대해서 호모지나이저로 1200rpm, 30분의 혼합 처리를 실시하고, 또한, 고압습식 미디어리스 미립화 장치 나노마이저(나노마이저(주))를 이용하여 분산해서 은입자 분산체를 얻었다. 이 은미립자 분산체 382.50g에 대해서 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B)를 10.00g, 금속 킬레이트 화합물(C-1), 0.3g, NCI-831을 1.20g, PE-3A를 6.00g 혼합한 것에, PGMEA 50.00g, DPM 50.00g을 첨가하고 교반함으로써, 감광성 수지 조성물 1을 얻었다.
감광성 수지 조성물 1을, 유기성분을 포함하는 막(Y-1) 상에 스핀코터(미카사(주)제 「1H-360S(상품명)」)를 이용하여 300rpm으로 10초, 500rpm으로 2초의 조건으로 스핀 코팅하고, 기판을 핫플레이트(다이니폰스크린 세이조(주)제 「SCW-636(상품명)」)를 이용하여 100℃에서 2분간 프리 베이킹하고, 막두께 1㎛의 프리 베이킹막을 얻었다. 프리 베이킹막을 패러럴 라이트 마스크 애널라이너(캐논(주)제 「PLA-501F (상품명)」)를 이용하여 초고압 수은등을 광원으로 하고, 소망의 마스크를 통해 노광했다. 이 후, 자동 현상 장치(타키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 이용하여, 0.045wt% 수산화칼륨 수용액으로 60초간 샤워 현상하고, 이어서 물로 30초간 린스하고, 패턴 가공을 행했다. 노광, 현상 후, 5㎛의 라인앤스페이스 패턴을 1대1의 폭으로 형성하는 노광량(이하, 「최적 노광량」)을 감도로 했다. 노광량은 I선 조도계로 측정했다. 그리고, 최적 노광량에 있어서의 현상 후의 최소 패턴 치수를 측정하고, 해상도로 했다.
또한 감광성 수지 조성물 1을 별도로 유기성분을 포함하는 막(Y-1) 상에 스핀 코터(미카사(주)제 「1H-360S (상품명)」)를 이용하여 300rpm으로 10초, 500rpm으로 2초의 조건으로 스핀 코팅하고, 기판을 핫플레이트(다이니폰스크린 세이조(주)제 「SCW-636(상품명)」)를 이용하여 100℃에서 2분간 프리 베이킹하고, 막두께 1㎛의 프리 베이킹막을 얻었다. 프리 베이킹막을 패러럴 라이트 마스크 애널라이너(캐논(주)제 「PLA-501F (상품명)」)를 이용하여 초고압 수은등을 광원으로 하고, 소망의 마스크를 통해 노광했다. 이 후, 자동 현상 장치(타키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 이용하여, 0.045wt% 수산화칼륨 수용액으로 60초간 샤워 현상하고, 이어서 물로 30초간 린스하고, 패턴 가공을 행했다. 그 후에 오븐(「IHPS-222」;에스펙(주)제)을 이용하여, 230℃에서 30분(공기 중) 포스트 베이킹을 실시함으로써, 체적저항률 평가 패턴을 얻었다.
얻어진 체적저항률 평가 패턴에 대해서 표면저항 측정기(로레스타(등록상표)-FP;미츠비시 유카 가부시키가이샤제)로 측정한 표면저항값 ρs(Ω/□)과, 표면 거칠기 형상 측정기(서프컴(등록상표) 1400D;가부시키가이샤 도쿄 세이미츠제)로 측정한 막두께 t(㎝)를 측정하고, 양 값을 승산함으로써, 체적저항률(μΩ·㎝)을 산출했다.
또한, 상기 체적저항률 평가 패턴이 형성된 기판의 미노광 부분에 대해서 투과율 평가에 의해, 기판 상의 잔사를 평가했다. 구체적으로는, 미노광 부분에 대해서 막형성 전후의 400nm에 있어서의 투과율을 분광 광도계(U-3410;히타치 세이사쿠쇼 가부시키가이샤제)를 이용하여 측정했다. 그리고, 막형성 전의 투과율을 T0, 막형성 후의 투과율을 T로 했을 때에, 식 (T0-T)/T0로 나타내어지는 투과율 변화를 산출했다. 투과율 변화가 1% 미만인 경우에는, 잔사 억제의 효과가 충분하다고 판단 가능하다. 측정한 해상도 및 산출한 체적저항률 및 투과율 변화의 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2∼21 및 비교예 1∼11)
실시예 1과 동일한 방법으로 표 1 기재의 조성의 감광성 수지 조성물을 얻고, 각각의 감광성 수지 조성물에 대해서 표 1∼3 기재의 기판 상에서 실시예 1과 같은 평가를 했다. 평가 결과를, 표 1∼3에 나타낸다. 또, 표 중의 유리 기판으로서 무알칼리 유리 기판(OA-10G;니폰덴키가라스 가부시키가이샤제)을 사용했다.
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
실시예 1∼21은 금속 킬레이트 화합물 첨가에 의한 잔사 억제의 효과가 충분하고, 또한 해상도가 2㎛ 이하였다.
한편, 비교예 1∼9는 알칼리 가용성 수지가 산해리성기를 갖고 있지 않으므로, 미세 패턴의 형성이 불충분했다. 비교예 10 및 11은 금속 킬레이트 화합물을 첨가하고 있지 않으므로, 잔사 억제의 효과가 불충분했다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명의 감광성 수지 조성물은 터치 패널, 디스플레이, 이미지 센서, 유기 일렉트로루미네선스 조명 또는 태양 전지 등에 사용되는 도전성 패턴의 형성에 적합하게 이용할 수 있다.

Claims (22)

  1. 탄소 단체물 및/또는 탄소 화합물로 표면 피복된 도전성 입자(A), 산해리성기를 갖는 알칼리 가용성 수지(B) 및 금속 킬레이트 화합물(C)을 함유하는 감광성 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 킬레이트 화합물(C)이 Au, Ag, Cu, Cr, Fe, Co, Ni, Bi, Pb, Zn, Pd, Pt, Al, Ti, Zr, W 및/또는 Mo를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 킬레이트 화합물(C)이 Al, Zr 및/또는 Bi를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 킬레이트 화합물(C)이 2 이상의 배위자를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 입자(A)가 은을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 입자(A)의 1차 입자직경이 1∼700nm인 감광성 수지 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포해서 도포막을 얻는 도포 공정과,
    상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 건조 공정과,
    상기 건조막을 노광 및 현상해서 패턴을 형성하는 노광 현상 공정과,
    상기 패턴을 포스트 베이킹해서 도전성 패턴을 얻는 포스트 베이킹 공정을 구비하는 도전성 패턴의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 도전성 패턴의 폭이 5㎛ 이하인 도전성 패턴의 제조 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 도전성 패턴을 구비하는 기판.
  10. 제 9 항에 있어서,
    적어도 유기성분을 포함하는 막 상에 도전성 패턴을 구비하는 기판.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    적어도 기재측으로부터 도전성 패턴, 유기성분을 포함하는 막, 및 도전성 패턴의 적층체를 구비하는 기판.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 유기성분을 포함하는 막이 알칼리 가용성 수지를 함유하는 기판.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 유기성분을 포함하는 막 중의 알칼리 가용성 수지가 극성기를 함유하는 기판.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 유기성분을 포함하는 막 중의 알칼리 가용성 수지가 카르도계 수지를 함유하는 기판.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 유기성분을 포함하는 막 중의 알칼리 가용성 수지가 아크릴 수지를 더 포함하고, 카르도계 수지와 아크릴 수지의 함유량비(중량비)가 1:10∼10:1인 기판.
  16. 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기성분을 포함하는 막이 폴리이미드 수지, 폴리이미드실록산 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 아라미드 수지, 에폭시 수지 및/또는 술폰아미드 수지를 함유하는 기판.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 유기성분을 포함하는 막이 폴리이미드 수지, 폴리이미드실록산 수지, 폴리벤조옥사졸 수지 및/또는 아라미드 수지를 함유하는 기판.
  18. 적어도 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포, 건조해서 얻어진 막을 노광, 현상하는 공정을 구비하는 터치 패널의 제조 방법.
  19. 적어도 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정을 구비하는 디스플레이의 제조 방법.
  20. 적어도 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정을 구비하는 이미지 센서의 제조 방법.
  21. 적어도 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정을 구비하는 유기 일렉트로루미네선스 조명의 제조 방법.
  22. 적어도 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정을 구비하는 태양 전지의 제조 방법.
KR1020197006487A 2016-09-30 2017-07-06 감광성 수지 조성물, 도전성 패턴의 제조 방법, 기판, 터치 패널 및 디스플레이 KR102399714B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-193152 2016-09-30
JP2016193152 2016-09-30
PCT/JP2017/024787 WO2018061384A1 (ja) 2016-09-30 2017-07-06 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、タッチパネル及びディスプレイ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190058465A true KR20190058465A (ko) 2019-05-29
KR102399714B1 KR102399714B1 (ko) 2022-05-19

Family

ID=61759408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197006487A KR102399714B1 (ko) 2016-09-30 2017-07-06 감광성 수지 조성물, 도전성 패턴의 제조 방법, 기판, 터치 패널 및 디스플레이

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11422464B2 (ko)
EP (1) EP3521925B1 (ko)
JP (1) JP6841233B2 (ko)
KR (1) KR102399714B1 (ko)
CN (1) CN109791352B (ko)
TW (1) TWI797084B (ko)
WO (1) WO2018061384A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6717439B1 (ja) * 2018-11-30 2020-07-01 東レ株式会社 積層部材
WO2020250825A1 (ja) * 2019-06-11 2020-12-17 東レ株式会社 導電層付基板、タッチパネル用部材及びタッチパネル
JP7264771B2 (ja) * 2019-08-30 2023-04-25 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
CN111001388B (zh) * 2019-12-30 2022-05-03 中国科学院城市环境研究所 一种竹基生物炭除磷吸附剂的制备方法及其应用
KR20220158678A (ko) * 2020-03-27 2022-12-01 도레이 카부시키가이샤 수지 조성물, 배선 기판 및 도전성 패턴의 제조 방법
JP7389071B2 (ja) * 2020-06-17 2023-11-29 富士フイルム株式会社 導電性パターンの形成方法、メタルメッシュセンサーの製造方法、及び、構造体の製造方法
WO2022064815A1 (ja) * 2020-09-28 2022-03-31 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、導電パターン付き基板、アンテナ素子、画像表示装置の製造方法およびタッチパネルの製造方法
CN112574623B (zh) * 2020-11-30 2022-02-25 位速科技股份有限公司 高分子金属配合物涂布液与有机光伏元件
JP2022155693A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 キヤノン株式会社 成形装置、成形方法、および平坦化方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199954A (ja) 1999-01-06 2000-07-18 Toray Ind Inc 感光性導電ペ―ストおよび微細電極パタ―ン形成方法
JP2002082428A (ja) 2000-09-06 2002-03-22 Kyoto Elex Kk アルカリ現像型感光性ペースト組成物
JP2010189628A (ja) * 2009-01-20 2010-09-02 Toray Ind Inc 黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリクス、カラーフィルターおよび液晶表示装置
JP2013101861A (ja) 2011-11-09 2013-05-23 Toppan Printing Co Ltd 感光性導電ペースト、導電回路パターン、タッチパネルセンサーおよび表示装置
JP2013196997A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Toray Ind Inc 導電性組成物
JP2014142587A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性導電性インキ及びその硬化物
JP2015161869A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 感光性樹脂および感光性導電性インキ
WO2016158864A1 (ja) 2015-04-01 2016-10-06 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、タッチパネル及びディスプレイ

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002169288A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたポジ型レジスト基材
JP4963586B2 (ja) 2005-10-17 2012-06-27 株式会社日清製粉グループ本社 超微粒子の製造方法
JP4637221B2 (ja) * 2007-09-28 2011-02-23 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
JP2010134003A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Toray Ind Inc ポジ型感光性ペースト
KR101842891B1 (ko) * 2010-09-02 2018-05-14 도레이 카부시키가이샤 감광성 조성물, 그것으로 형성된 경화막 및 경화막을 갖는 소자
JP6417669B2 (ja) * 2013-03-05 2018-11-07 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、保護膜及び絶縁膜並びにタッチパネルの製造方法
KR20170038125A (ko) * 2013-10-16 2017-04-05 히타치가세이가부시끼가이샤 도전성 섬유를 포함하는 적층체, 감광성 도전 필름, 도전 패턴의 제조 방법, 도전 패턴 기판, 및 터치 패널
EP3133443B1 (en) * 2014-04-16 2019-03-06 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, method for manufacturing conductive pattern, substrate, element, and touchscreen
CN106795384B (zh) * 2014-10-15 2020-10-30 柯达公司 经分散的经碳涂覆的金属颗粒、物品和用途

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199954A (ja) 1999-01-06 2000-07-18 Toray Ind Inc 感光性導電ペ―ストおよび微細電極パタ―ン形成方法
JP2002082428A (ja) 2000-09-06 2002-03-22 Kyoto Elex Kk アルカリ現像型感光性ペースト組成物
JP2010189628A (ja) * 2009-01-20 2010-09-02 Toray Ind Inc 黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリクス、カラーフィルターおよび液晶表示装置
JP2013101861A (ja) 2011-11-09 2013-05-23 Toppan Printing Co Ltd 感光性導電ペースト、導電回路パターン、タッチパネルセンサーおよび表示装置
JP2013196997A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Toray Ind Inc 導電性組成物
JP2014142587A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性導電性インキ及びその硬化物
JP2015161869A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 感光性樹脂および感光性導電性インキ
WO2016158864A1 (ja) 2015-04-01 2016-10-06 東レ株式会社 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、タッチパネル及びディスプレイ

Also Published As

Publication number Publication date
TWI797084B (zh) 2023-04-01
EP3521925A4 (en) 2020-06-03
CN109791352A (zh) 2019-05-21
JPWO2018061384A1 (ja) 2019-07-18
WO2018061384A1 (ja) 2018-04-05
CN109791352B (zh) 2022-07-29
EP3521925B1 (en) 2021-08-25
JP6841233B2 (ja) 2021-03-10
EP3521925A1 (en) 2019-08-07
US11422464B2 (en) 2022-08-23
TW201831613A (zh) 2018-09-01
US20190265592A1 (en) 2019-08-29
KR102399714B1 (ko) 2022-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190058465A (ko) 감광성 수지 조성물, 도전성 패턴의 제조 방법, 기판, 터치 패널 및 디스플레이
JP6481608B2 (ja) 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、素子およびタッチパネル
KR101998449B1 (ko) 감광성 흑색 수지 조성물 및 수지 블랙 매트릭스 기판
JP6202228B2 (ja) 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、タッチパネル及びディスプレイ
JP2007034119A (ja) カラーフィルター用感光性着色組成物、およびカラーフィルター
JP7060166B1 (ja) 感光性樹脂組成物、導電パターン付き基板、アンテナ素子、画像表示装置の製造方法およびタッチパネルの製造方法
JP6604251B2 (ja) 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、タッチパネルおよびディスプレイ
CN115210322B (zh) 树脂组合物、布线基板及导电性图案的制造方法
JP2009169049A (ja) カラーフィルター用感光性レジスト組成物およびカラーフィルター
JP6773258B1 (ja) 導電層付き基材およびタッチパネル
WO2018029747A1 (ja) 感光性樹脂組成物、導電性パターンの製造方法、基板、タッチパネル及びディスプレイ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant