KR20180121910A - 광도파로 적층체 및 그 제법 - Google Patents

Abstract

광도파로(W)의 한쪽 면에 절연층(1)과 커버레이(3)로 이루어지는 유기 기재층(X)이 적층되고, 상기 유기 기재층(X)의 일부가 결여되어 그 결여부로부터 광도파로(W)가 부분적으로 노출된 광도파로 적층체이다. 상기 광도파로 노출부에 있어서의 광도파로(W)의, 미리 정해진 파장 영역의 레이저광에 대한 투과율을 P, 상기 유기 기재층(X)의 적어도 상기 광도파로 노출부에 면하는 부분의, 상기 레이저광에 대한 투과율을 Q라고 하면, 상기 P, Q는, P≥70%, P-Q≥25%를 만족시키고 있다. 이 광도파로 적층체에 의하면, 광도파로에 적층된 유기 기재층이 레이저 가공에 의해 손상이나 열적 데미지를 받지 않고, 정밀하게 제거되어 있다. 따라서, 상기 광도파로 적층체는, 높은 품질을 구비하고 있다.

Description

광도파로 적층체 및 그 제법

본 발명은 광도파로의 적어도 한쪽 면에 절연 필름 등의 유기 기재층이 적층된 광도파로 적층체 및 그 제법에 관한 것이다.

최근의 전자 기기 등에서는, 전송 정보량의 증가에 따라, 전기 배선에 더하여 광배선이 채용되고 있고, 전기 신호와 광 신호를 동시에 전송할 수 있는 광전기 혼재 기판이 많이 이용되고 있다. 이러한 광전기 혼재 기판으로서는, 예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이, 폴리이미드 등으로 이루어지는 절연층(1)을 기판으로 하고, 그 표면에, 도전 패턴으로 이루어지는 전기 배선(2)을 설치하여 전기 회로 기판(E)으로 하며, 그 이면측에, 상기 전기 배선(2)의 미리 정해진 위치에 실장되는 광소자와 광결합되는 광도파로(W)를 설치한 구조의 것이 알려져 있다. 한편, 상기 전기 회로 기판(E)의 표면은 커버레이(3)에 의해 절연 보호되어 있다. 또한, 광도파로(W)는, 언더 클래드층(6)과, 광의 행로가 되는 코어(7)와, 오버 클래드층(8)의 3층에 의해 구성되어 있다.

상기 광전기 혼재 기판(10)은, 그 자체가 전자 기기에 탑재되는 것 외에, 이것을 띠형으로 형성하여 그 선단에 광전기 접속용의 페룰(ferrule)을 부착한 것이, 복수의 보드 사이나 보드 상의 칩 사이를 접속하는 접속용 커넥터로서 상용되고 있다.

상기 광전기 혼재 기판(10)은, 도 10에도 도시되어 있는 바와 같이, 일반적으로, 광도파로(W)의 길이 방향을 따르는 양측에 있어서, 전기 회로 기판(E)의 양 가장자리부[도면에 있어서 일점 쇄선(Y)으로 둘러싸인 부분]가 광도파로(W)의 양 가장자리부보다 외측으로 돌출된 형태로 되어 있다. 이것은, 광전기 혼재 기판(10)을 제작할 때, 통상, 먼저 전기 회로 기판(E)을 제작하고, 다음으로, 이 전기 회로 기판(E)의 이면[즉, 폴리이미드 등으로 이루어지는 절연층(1)의 이면]에, 언더 클래드층(6), 코어(7), 오버 클래드층(8)을, 포토리소그래피법 등에 의해 미리 정해진 패턴 형상을 만들면서 이 순서로 적층 형성해 간다고 하는 제법에 의한 것으로, 평탄한 층을 형성한 후, 불필요한 부분을 제거하여 패턴 형상을 만들기 때문에, 광도파로(W)의 윤곽 형상을 전기 회로 기판(E)의 이면 형상보다 내측에 형성하는 것이 기술 상식으로 되어 있다. 또한, 일반적인 광도파로에 있어서도, 기판의 한쪽 면측에, 그 기판보다 한 단계 작게 광도파로를 형성한 것이 제안되어 있다(특허문헌 1을 참조).

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2014-115480호 공보

그러나, 도 10에 도시된 바와 같이, 광전기 혼재 기판(10)에 있어서, 전기 회로 기판(E)의 양 가장자리부가 광도파로(W)의 양 가장자리부보다 외측으로 돌출된 형상에서는, 제품의 검사 시나 반송, 이송 시에, 그 돌출 부분이 반송 가이드 등에 닿아 충격을 받기 쉬워, 깨짐이나 결락(缺落)을 발생시키고, 전기 배선(2)이 흡습하여 녹스는 등의 품질 저하를 초래하기 쉽다고 하는 문제가 있다. 특히, 전체에 플렉시블성을 부여한 광전기 혼재 기판(10)에서는, 전기 회로 기판(E)의 두께가 매우 얇기 때문에, 특히 그 돌출 부분이 손상되기 쉬운 것이 된다.

또한, 이 광전기 혼재 기판(10)을 접속용 커넥터로서 이용하는 경우, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 광전기 혼재 기판(10)의 선단 부분을 페룰(11)의 오목부(11a) 내에 감입(嵌入)하여 고정하는 작업이 필요해지는데, 상기 전기 회로 기판(E)의 돌출부가 손상되지 않도록, 상기 오목부(11a)의 개구를, 전기 회로 기판(E)의 외형에 대해 비교적 큰 클리어런스를 갖게 하여 설계하면, 오목부(11a) 내에서의 코어(7)의 위치 결정을 정확히 행할 수 없어, 이 커넥터에 의한 광결합이 적정하게 행해지지 않는다고 하는 문제가 발생한다.

또한 반대로, 코어(7)의 위치 결정을 정확히 행하기 위해서, 상기 페룰(11)의 오목부(11a)의 개구를, 전기 회로 기판(E)의 외형에 대해 아주 적은 클리어런스로 하는 것도 고려되지만, 그 경우, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 오목부(11a) 내에 광전기 혼재 기판(10)의 선단을 감입할 때, 전기 회로 기판(E)의 돌출부가 오목부(11a)의 개구 가장자리부에 걸려 원활하게 감입할 수 없어, 작업성이 나빠지는 것이 예상된다.

그래서, 본 출원인은, 광도파로(W)의 길이 방향을 따르는 양 측면 쪽이, 전기 회로 기판(E)의 길이 방향을 따르는 양 측면보다 측방으로 돌출된 광전기 혼재 기판을 상기하여, 이미 출원하고 있다(일본 특허 출원 제2015-122725, 2015년 6월 18일 출원). 이 구성에 의하면, 비교적 두께가 있고 내충격성이 우수한 광도파로(W)의 양 측면이 측방으로 돌출되어 있기 때문에, 취급하기 쉬운 데다가, 페룰의 오목부 내에의 위치 결정 등을 정확히 행할 수 있다고 하는 이점을 갖고 있다.

그러나, 광도파로(W)의 양 측면이 측방으로 돌출된 광전기 혼재 기판을 얻기 위해서는, 전기 회로 기판(E)의 베이스가 되는 절연층의 이면에, 그 절연층의 윤곽보다 한 단계 작은 윤곽의 광도파로(W)를 형성하고, 그 후, 전기 회로 기판(E)의 불필요한 부분을 제거하는 공정이 필요해진다. 상기 전기 회로 기판(E)의 제거 가공에는, 레이저 가공을 적용하는 것이 검토되고 있으나, 가공 조건을 엄밀히 짜내어 제거하는 층의 두께를 적정하게 설정하지 않으면, 전기 회로 기판(E)뿐만이 아니라, 그 아래의 광도파로(W)까지 상처가 생기거나, 열적 데미지를 받거나 할 우려가 있다.

게다가, 전기 회로 기판(E)의 제거 예정부에 있어서의 레이저광의 투과율이 지나치게 높으면, 전기 회로 기판(E)을 제거 가공할 수 없고, 반대로, 전기 회로 기판(E) 아래의 광도파로(W)에 있어서의 레이저광의 투과율이 지나치게 낮으면, 광도파로(W)까지 제거 가공되어 버릴 우려가 있다. 이 때문에, 광도파로(W)측에 전혀 영향을 주지 않고 전기 회로 기판(E)의 불필요 부분만을 효율적으로 제거 가공하는 것은 용이하지 않아, 보다 간단하게 레이저 가공을 행할 수 있는 기술의 확립이 강하게 요망되고 있다.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 광전기 혼재 기판 등의 광도파로 적층체에 있어서, 광도파로에 적층된 유기 기재층이 레이저 가공에 의해 정밀하게 제거되어 있고, 게다가 광도파로가 레이저 가공에 의해 손상이나 열적 데미지를 받고 있지 않아 고품질을 유지하고 있는, 우수한 광도파로 적층체 및 그 제법을 제공한다.

본 발명은 광도파로와, 상기 광도파로의 적어도 한쪽 면에 적층되는 유기 기재층을 구비한 광도파로 적층체로서, 상기 광도파로 적층체는, 광도파로에 적층된 유기 기재층의 일부가 결여되어 그 결여부로부터 광도파로가 부분적으로 노출되는 광도파로 노출부를 갖고, 상기 광도파로 노출부에 있어서의 광도파로의, 미리 정해진 파장 영역의 레이저광에 대한 투과율을 P로 하고, 상기 유기 기재층의 적어도 상기 광도파로 노출부에 면하는 부분의, 상기 레이저광에 대한 투과율을 Q라고 하면, 상기 P, Q가 하기의 부등식 (1), (2)를 만족시키는 것인 광도파로 적층체를 제1 요지로 한다.

P≥70% ……(1), P-Q≥25% ……(2)

또한, 본 발명은 그 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층의 투과율(Q)이 70% 이하인 광도파로 적층체를 제2 요지로 하고, 이들 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층이 폴리이미드 수지층인 광도파로 적층체를 제3 요지로 한다. 또한, 본 발명은 이들 중에서도, 상기 광도파로 노출부에 면하는 상기 유기 기재층의 단부면이, 레이저 절삭면인 광도파로 적층체를 제4 요지로 한다.

그리고, 본 발명은 광도파로를 준비하는 공정과, 상기 광도파로의 적어도 한쪽 면에 유기 기재층을 적층하는 공정과, 상기 유기 기재층의 일부를, 미리 정해진 파장 영역의 레이저광 조사에 의해 제거하여 광도파로가 부분적으로 노출된 광도파로 노출부를 형성하는 공정을 구비한 광도파로 적층체의 제법으로서, 상기 광도파로를 준비하는 공정이, 광도파로 노출 예정부에 있어서의 상기 레이저광에 대한 투과율(P)이 하기의 부등식 (1)을 만족시키는 광도파로를 준비하는 공정이고, 상기 유기 기재층을 적층하는 공정이, 적어도 상기 광도파로 노출 예정부에 적층되는 부분에 있어서의 상기 레이저광에 대한 투과율(Q)이 하기의 부등식 (2)를 만족시키는 유기 기재층을 적층하는 공정인 광도파로 적층체의 제법을 제5 요지로 한다.

P≥70% ……(1), P-Q≥25% ……(2)

또한, 본 발명은 그 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층의 투과율(Q)이 70% 이하인 광도파로 적층체의 제법을 제6 요지로 하고, 이들 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층이 폴리이미드 수지층인 광도파로 적층체의 제법을 제7 요지로 한다.

즉, 본 발명의 광도파로 적층체는, 광도파로의 적어도 한쪽 면에 유기 기재층이 적층되고, 상기 유기 기재층의 일부가 결여되어 그 결여부로부터 광도파로가 부분적으로 노출된 광도파로 노출부를 갖고 있다. 그리고, 상기 광도파로 노출부에 있어서의 광도파로의 부분과, 유기 기재층의 적어도 상기 광도파로 노출부에 면하는 부분의, 상기 레이저광에 대한 투과율(P, Q)이, 서로 크게 상이하다고 하는 특징을 갖는 것이다. 보다 구체적으로는, 상기 광도파로의 투과율(P)과, 상기 유기 기재층의 투과율(Q)이, 하기의 부등식 (1), (2)를 만족시키도록 설정되어 있다.

P≥70% ……(1), P-Q≥25% ……(2)

이 구성에 의하면, 레이저광 조사에 의해 유기 기재층의 일부를 제거 가공할 때에, 유기 기재층에서는 효과적으로 레이저광에 의한 제거 가공이 이루어지고, 상기 유기 기재층 아래의 광도파로에서는 레이저광이 투과하여 광도파로에 영향을 주지 않기 때문에, 광도파로 노출부에 면하는 유기 기재층의 단부면이 정밀한 것이 된다. 그리고, 유기 기재층의 제거 가공에 의해 부분적으로 노출된 광도파로의 표면이 레이저광에 의해 손상되거나, 광도파로의 내부가 열적 데미지를 받거나 하고 있지 않아, 고품질이 유지되고 있다.

또한, 본 발명 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층의 투과율(Q)이 70% 이하인 것은, 유기 기재층과의 투과율의 차가 25% 이상이 되는 광도파로의 재료를 선택하는 폭이 넓어, 보다 고품질의 광도파로와 유기 기재층을 조합할 수 있다.

또한, 본 발명 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층이 폴리이미드 수지층인 것은, 유기 기재층의 절연성 및 내열성이 우수한 것이 되기 때문에, 광전기 혼재 기판 등의 용도에 적합하다.

그리고, 이미 서술한 바와 같이, 본 발명에 있어서, 유기 기재층의 일부가 레이저광 조사에 의해 제거 가공되어, 상기 광도파로 노출부에 면한 유기 기재층의 단부면이, 레이저 절삭면으로 되어 있는 것은, 상기 레이저 절삭면의 가공 정밀도가 우수하여, 고품질의 것이 된다.

그리고, 본 발명의 광도파로 적층체의 제법에 의하면, 레이저광 조사에 의한 유기 기재층의 제거 가공 시에, 레이저 가공 조건의 설정이 용이해져, 광도파로에 영향을 주지 않고 효율적으로 유기 기재층의 제거 가공을 행할 수 있다.

또한, 상기 제법 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층의 투과율(Q)이 70% 이하인 것은, 유기 기재층과의 투과율의 차가 25% 이상이 되는 광도파로의 재료를 선택하는 폭이 넓어, 보다 고품질의 광도파로와 유기 기재층을 조합한 광도파로 적층체를 제공할 수 있다.

또한, 상기 제법 중에서도, 특히, 상기 유기 기재층이 폴리이미드 수지층인 것은, 유기 기재층의 절연성 및 내열성이 우수하고, 게다가 레이저광 조사에 의한 제거 가공에 적합하기 때문에, 보다 고품질의 광전기 혼재 기판 등의 광도파로 적층체를, 효율적으로 제공할 수 있다.

도 1의 (a)는 본 발명을 광전기 혼재 기판에 적용한 일 실시형태를 모식적으로 도시한 부분적인 종단면도, (b)는 (a)의 A-A' 단면도이다.
도 2의 (a)는 상기 광전기 혼재 기판의 제법에 있어서의 전기 회로 기판의 제작 공정을 도시한 설명도, (b)는 (a)의 A-A' 단면의 설명도, (c)는 마찬가지로 상기 전기 회로 기판의 제작 공정을 도시한 설명도, (d)는 (c)의 A-A' 단면의 설명도이다.
도 3의 (a)는 마찬가지로 상기 전기 회로 기판의 제작 공정을 도시한 설명도, (b)는 (a)의 A-A' 단면의 설명도, (c)는 마찬가지로 상기 전기 회로 기판의 제작 공정을 도시한 설명도, (d)는 (c)의 A-A' 단면의 설명도이다.
도 4의 (a)는 상기 광전기 혼재 기판의 제법에 있어서의 광도파로의 제작 공정을 도시한 설명도, (b)는 (a)의 A-A' 단면의 설명도, (c)는 마찬가지로 상기 광도파로의 제작 공정을 도시한 설명도, (d)는 (c)의 A-A' 단면의 설명도이다.
도 5의 (a)는 마찬가지로 상기 광도파로의 제작 공정을 도시한 설명도, (b)는 (a)의 A-A' 단면의 설명도, (c)는 마찬가지로 상기 광도파로의 제작 공정을 도시한 설명도, (d)는 (c)의 A-A' 단면의 설명도이다.
도 6은 상기 광전기 혼재 기판의 제법에 있어서의 레이저광 조사 공정을 도시한 설명도이다.
도 7의 (a), (b)는 모두 상기 광전기 혼재 기판의 효과에 대한 설명도이다.
도 8의 (a)∼(e)는 모두 본 발명의 광도파로 적층체의 다른 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 9의 (a), (b)는 모두 본 발명의 광도파로 적층체의 또 다른 실시형태를 도시한 설명도이다.
도 10은 종래의 광전기 혼재 기판의 일례를 도시한 모식적인 종단면도이다.
도 11의 (a), (b)는 모두 종래의 광전기 혼재 기판의 문제점에 대한 설명도이다.

다음으로, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 상세히 설명한다.

도 1의 (a)는 본 발명의 광도파로 적층체를 광전기 혼재 기판에 적용한 일 실시형태를 모식적으로 도시한 부분적인 종단면도이고, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 A-A' 단면도이다. 즉, 이 광전기 혼재 기판(10)은, 절연층(1)의 표면에 전기 배선(2)이 설치된 전기 회로 기판(E)과, 상기 절연층(1)의 이면측에 설치된 광도파로(W)를 구비하고 있다.

상기 전기 회로 기판(E)은, 폴리이미드로 이루어지는 절연층(1)의 표면에, 광소자 실장용의 패드(2a)나, 접지용 전극(2b), 그 외 각종의 소자 실장용의 패드, 커넥터 실장용의 패드 등(도시하지 않음)을 포함하는 전기 배선(2)이 형성되고, 이들 중, 상기 패드(2a) 등을 제외한 전기 배선(2)이, 상기 절연층(1)과 동일한 폴리이미드로 이루어지는 커버레이(3)에 의해 절연 보호된 구성으로 되어 있다. 한편, 상기 커버레이(3)에 의해 피복되지 않는 패드(2a) 등의 표면은, 금이나 니켈 등으로 이루어지는 전해 도금층(4)으로 피복되어 있다.

한편, 상기 절연층(1)의 이면측에 설치된 광도파로(W)는, 언더 클래드층(6)과, 그 표면(도 1에 있어서는 하면)에 미리 정해진 패턴으로 형성된 코어(7)와, 이 코어(7)를 피복한 상태로 상기 언더 클래드층(6)의 표면과 일체화하는 오버 클래드층(8)으로 구성되어 있다. 한편, 도면 부호 9는 이 광전기 혼재 기판(10)을 보강하기 위해서, 절연층(1)의 이면에 형성되는 금속층이며, 플렉시블성이 요구되는 부분을 제외한 곳에, 패턴 형성되어 있다. 그리고, 이 금속층(9)에는, 코어(7)와 광소자 사이의 광로를 확보하기 위한 관통 구멍(5)이 형성되어 있고, 이 관통 구멍(5) 내에도, 상기 언더 클래드층(6)이 들어가 있다.

또한, 상기 전기 회로 기판(E)의 광소자 실장용의 패드(2a)에 대응하는 코어(7)의 부분이, 코어(7)의 길이 방향에 대해 45°의 경사면으로 형성되어 있다. 이 경사면은, 광의 반사면(7a)으로 되어 있고, 코어(7) 내에서 전파되어 온 광의 방향을 90° 변경하여 광소자의 수광부에 입사시키거나, 반대로 광소자의 발광부로부터 출사된 광의 방향을 90° 변경하여 코어(7) 내에 입사시키거나 하는 역할을 수행한다.

그리고, 이 광전기 혼재 기판(10)은, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 이 광도파로(W)의 길이 방향을 따르는 전기 회로 기판(E)의 양 측면이, 위에서 보아, 광도파로(W)의 양 측면의 위치보다 내측으로 들어간 배치로 되어 있고, 광도파로(W) 쪽이, 전기 회로 기판(E)보다 좌우 양측으로 튀어나온 형상으로 되어 있다.

상기 광도파로(W)가 전기 회로 기판(E)보다 좌우 양측으로 튀어나온 부분은, 당초, 광도파로(W) 위에도 적층되어 있던 전기 회로 기판(E)의 좌우 양측 부분을, 이 광전기 혼재 기판을 제조하는 과정에 있어서 레이저광 조사에 의해 제거함으로써, 의도적으로 광도파로(W)를 노출시킨 부분이다(도 6을 참조).

상기 전기 회로 기판(E)의, 레이저광 조사에 의해 제거된 좌우 양측 부분은, 전기 배선(2) 등이 형성되어 있지 않은 불필요 부분이고, 절연층(1)과 커버레이(3)로 구성되어 있다. 즉, 전기 회로 기판(E)의 절연층(1)과 커버레이(3)는, 본 발명에 있어서의 「유기 기재층(X)」에 상당한다. 그리고, 상기 절연층(1)과 커버레이(3)는, 동일 재료에 의해 형성되어 있고, 모두, 전기 회로 기판(E)의 제거 가공에 이용된 레이저광(이 예에서는 파장이 355 ㎚의 레이저광)에 대한 투과율(Q)이 작아, 이 레이저광을 투과시키기 어려운 수지 재료가 이용되고 있다.

또한, 상기 절연층(1)과 커버레이(3)가 제거되어 광도파로(W)가 노출된 상태에서 좌우 양측으로 튀어나오는 부분은, 언더 클래드층(6)과 오버 클래드층(8)으로 구성되어 있다. 상기 언더 클래드층(6)과 오버 클래드층(8)은, 동일 재료에 의해 형성되어 있고, 모두, 상기 레이저광 조사에 의한 제거 가공 시에, 광도파로(W)의 부분이 손상이나 열적 데미지를 받지 않도록, 그 레이저광을 가능한 한 투과시키는 것이 이용되고 있다. 즉, 상기 레이저광 조사에 이용된 레이저광(이 예에서는 파장이 355 ㎚의 레이저광)에 대한 투과율(P)이, 상기 언더 클래드층(6), 오버 클래드층(8) 모두, 상기 유기 기재층(X)의 투과율(Q)보다 훨씬 크게 설정되어 있다.

다음으로, 상기 광전기 혼재 기판의 제법에 대해 설명한다(도 2 내지 도 6을 참조).

먼저, 평판형의 금속층(9)을 준비하고, 그 표면에, 파장 355 ㎚의 레이저광에 대한 투과율(Q)이 작은, 폴리이미드로 이루어지는 감광성 절연 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해, 미리 정해진 패턴의 절연층(1)을 형성한다[도 2의 (a) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 2의 (b)를 참조]. 한편, 이 예에서는, 금속층(9)에 접촉하는 접지용 전극(2b)을 형성하기 위해서, 상기 금속층(9)의 표면을 노출시키는 구멍부(1a)를 형성한다. 상기 절연층(1)의 두께는, 예컨대 1 ㎛∼50 ㎛의 범위 내로 설정된다.

다음으로, 도 2의 (c) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(1)의 표면에, 전기 배선(2)[광소자 실장용의 패드(2a)나 접지용 전극(2b), 다른 패드 등을 포함함, 이하 동일함]을, 예컨대 세미 애더티브법에 의해 형성한다.

다음으로, 도 3의 (a) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 광소자 실장용의 패드(2a)나 다른 패드를 제외한 전기 배선(2)의 부분에, 절연층(1)에 이용한 폴리이미드와 동일한 폴리이미드로 이루어지는 감광성 절연 수지[파장 355 ㎚의 레이저광에 대한 투과율(Q)이 작음]를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해, 커버레이(3)를 형성한다. 커버레이(3)의 두께는, 예컨대 1 ㎛∼50 ㎛의 범위 내로 설정된다.

그리고, 도 3의 (c) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 광소자 실장용의 패드(2a)나 다른 패드의 표면에 전해 도금층(4)을 형성한다. 이와 같이 하여, 전기 회로 기판(E)이 형성된다.

다음으로, 상기 금속층(9)과 전기 회로 기판(E)으로 이루어지는 적층체의 양면에, 감광성 레지스트를 라미네이트한 후, 상기 금속층(9)의 이면측[전기 회로 기판(E)과 반대측의 면측]의 감광성 레지스트 중, 금속층(9)이 불필요한 부분과 광로용의 관통 구멍 형성 예정부에 대응하는 부분에, 포토리소그래피법에 의해, 구멍부를 형성하여, 상기 금속층(9)의 이면을 부분적으로 노출시킨다.

그리고, 상기 금속층(9)의 노출 부분을, 에칭함으로써 제거하고, 그 제거 흔적으로부터 절연층(1)을 노출시킨 후, 상기 감광성 레지스트를 수산화나트륨 수용액 등에 의해 박리한다. 이에 의해, 도 4의 (a) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 보강이 필요한 영역에만 금속층(9)이 형성되고, 광로용의 관통 구멍(5)도 동시에 형성된다.

다음으로, 상기 절연층(1)의 이면[금속층(9)이 형성되어 있는 부분에 있어서는 금속층(9)의 이면]에 광도파로(W)[도 1의 (a)를 참조]를 형성하기 위해서, 먼저, 도 4의 (c) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(1) 및 금속층(9)의 이면(도면에 있어서 하면)에, 355 ㎚의 레이저광에 대한 투과율(P)이 큰 언더 클래드층(6)의 형성 재료인 감광성 수지를 도포한다. 그리고, 그 도포층을 조사선에 의해 노광하여 경화시켜, 언더 클래드층(6)에 형성한다. 이때, 상기 언더 클래드층(6)은, 포토리소그래피법에 의해, 미리 정해진 패턴형으로 형성할 수 있다. 그리고, 이 언더 클래드층(6)은, 상기 금속층(9)의 광로용의 관통 구멍(5)에 들어가서 이것을 메운 상태로 형성된다. 상기 언더 클래드층(6)의 두께[절연층(1)의 이면으로부터의 두께]는, 통상, 금속층(9)의 두께보다 두껍게 설정되고, 예컨대 1 ㎛∼200 ㎛로 설정된다. 한편, 광도파로(W)를 형성하기 위한 일련의 작업은, 상기 금속층(9)이 형성된 절연층(1)의 이면을 위로 향하게 한 상태에서 행해지는데, 도면에서는, 그대로의 상태로 도시하고 있다.

다음으로, 도 5의 (a) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 언더 클래드층(6)의 표면(도면에서는 하면)에, 포토리소그래피법에 의해, 미리 정해진 패턴의 코어(7)를 형성한다. 코어(7)의 두께는, 예컨대 1 ㎛∼200 ㎛의 범위 내로 설정되고, 폭은, 예컨대 3 ㎛∼100 ㎛의 범위 내로 설정된다. 상기 코어(7)의 형성 재료로서는, 예컨대, 상기 언더 클래드층(6)과 동일한 감광성 수지를 들 수 있고, 상기 언더 클래드층(6) 및 후술하는 오버 클래드층(8)의 형성 재료보다 굴절률이 큰 재료가 이용된다. 이 굴절률의 조정은, 예컨대, 언더 클래드층(6), 코어(7), 오버 클래드층(8)의 각 형성 재료의 종류의 선택이나 조성 비율을 조정하여 행할 수 있다.

다음으로, 도 5의 (c) 및 그 A-A' 단면을 도시한 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 코어(7)를 피복하도록, 언더 클래드층(6)의 표면(도면에서는 하면)에 겹치고, 포토리소그래피법에 의해, 오버 클래드층(8)을 형성한다. 이와 같이 하여, 광도파로(W)가 형성된다. 한편, 상기 오버 클래드층(8)의 두께[언더 클래드층(6)의 표면으로부터의 두께]는, 예컨대, 상기 코어(7)의 두께 이상이고, 300 ㎛ 이하로 설정된다. 상기 오버 클래드층(8)의 형성 재료로서, 이 예에서는, 상기 언더 클래드층(6)과 동일한 감광성 수지[355 ㎚의 레이저광에 대한 투과율(P)이 큼]가 이용된다.

이와 같이 하여, 도 10에 도시된 종래의 광전기 혼재 기판(10)과 동일한, 광도파로(W)의 길이 방향을 따르는 양측에 있어서, 전기 회로 기판(E)의 양 가장자리부가, 광도파로(W)의 양 가장자리부보다 외측으로 돌출된 형상의 광전기 혼재 기판(10')(이 예에서는 중간품)을 얻는다. 그리고, 도 6에 있어서 화살표로 나타내는 바와 같이, 상기 전기 회로 기판(E)의 제거해야 할 양 가장자리부(도면에 있어서 그물코형의 해칭으로 나타내는 부분)와 남기는 부분의 경계부에 레이저광 조사(레이저광의 파장은 355 ㎚)를 행하여, 그 경계부를 제거 가공에 의해 절단한다. 그리고, 상기 전기 회로 기판(E)의, 제거해야 할 양 가장자리부를 광도파로(W)로부터 박리하도록 제거함으로써, 도 1에 도시된, 광도파로(W) 쪽이, 전기 회로 기판(E)보다 좌우 양측으로 튀어나온 형상의 광전기 혼재 기판(10)을 얻을 수 있다.

한편, 앞서 서술한 바와 같이, 상기 전기 회로 기판(E)의, 레이저광 조사에 의한 절단부는, 절연층(1)과 커버레이(3)로 구성된 유기 기재층(X)[파장 355 ㎚의 레이저광에 대한 투과율(Q)이 작음]이다. 또한, 상기 절단부 바로 아래에 배치되는 광도파로(W)의 부분은, 언더 클래드층(6)과 오버 클래드층(8)으로 구성된 층[파장 355 ㎚의 레이저광에 대한 투과율(P)이 상기 투과율(Q)보다 훨씬 큼]이다.

따라서, 도 6에 도시된 광전기 혼재 기판(10')(중간품)을, 도시와 같이 레이저광 조사에 의해 절단하여 얻어지는 광전기 혼재 기판(10)에 의하면, 레이저광 조사에 의한 유기 기재층(X) 제거 시에, 유기 기재층(X)에서는 레이저광이 투과하기 어려워, 이 유기 기재층(X)에 있어서 효과적으로 레이저광에 의한 제거 가공이 이루어진다. 그리고, 유기 기재층(X)의 제거 단부면, 즉 광도파로 노출부에 면한 유기 기재층(X)의 단부면이 정밀한 것이 되어, 제거부의 윤곽 형상이, 치수 정밀도가 높은 것이 된다. 또한, 상기 유기 기재층(X) 아래의 광도파로(W)에서는, 레이저광이 대부분 투과하여 광도파로(W)에 영향을 주지 않기 때문에, 유기 기재층(X)의 제거에 의해 노출된 광도파로(W)의 표면 부분이 레이저광에 의해 손상되거나, 광도파로(W)의 내부가 열적 데미지를 받거나 하는 일이 없고, 고품질이 유지되고 있다.

게다가, 이 광전기 혼재 기판(10)에 의하면, 광도파로(W)의 길이 방향을 따르는 양 가장자리부가, 전기 회로 기판(E)의 양 가장자리부보다 측방으로 돌출된 구성으로 되어 있기 때문에, 도 10에 도시된 종래품과 같이, 비교적 얇아 데미지를 받기 쉬운 전기 회로 기판(E)이, 외부로부터의 충격을 받아 손상되는 일이 없고, 우수한 품질을 장기간에 걸쳐 안정적으로 유지할 수 있다.

그리고, 예컨대 이 광전기 혼재 기판(10)을 페룰에 감입하여 커넥터로서 이용하는 경우에는, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 코어(7)를 기준으로 하여 형성된 광도파로(W)의 외형을, 페룰(11)의 오목부(11a) 내를 꼭 따르게 하여 감입할 수 있기 때문에, 광도파로(W)의 코어(7)에 위치 어긋남이 발생하는 일이 없어, 정확한 광결합을 용이하게 실현할 수 있다.

또한, 커넥터로서 이용하는 경우에 한하지 않고, 제품의 품질 검사 시나 반송, 이송 시 등에, 예컨대 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 비교적 두께가 있는 광도파로(W)의 바닥면과 측면을, 가이드(12)를 따르게 한 상태에서 이동이나 이송을 행할 수 있기 때문에, 전기 회로 기판(E)은 물론 광도파로(W)의 돌출 부분이 충격을 받기 어려워, 코어(7)나 전기 회로 기판(E)의 품질이 손상되는 일이 없다. 또한, 가이드(12)로부터 광전기 혼재 기판(10)이 어긋나기 어렵기 때문에, 검사 공정에 있어서, 코어(7)를 정확한 위치에서 검사할 수 있어, 검사 에러의 발생을 억제할 수 있다.

한편, 상기한 예와 같이, 광도파로(W)에 적층된 유기 기재층(X)을, 레이저광 조사에 의해, 광도파로(W)에 영향을 주지 않고, 유기 기재층(X)을 부분적으로 제거 가공하기 위해서는, 유기 기재층(X)과 광도파로(W)의, 레이저광에 대한 투과율(Q, P)이, 하기의 부등식 (1), (2)를 만족시키는 것이 필요하다.

P≥70% ……(1), P-Q≥25% ……(2)

상기 유기 기재층(X)과 광도파로(W)의, 레이저광에 대한 투과율(Q, P)은, 각각의 형성 재료의 종류와 배합 비율에 의해 조정된다. 그리고, 상기 유기 기재층(X) 전체가 상기 광학 특성을 갖고 있을 필요는 없고, 적어도 레이저광 조사에 의해 제거되는 유기 기재층(X)의 부분(제거부와 잔류부에 걸친 경계부를 포함함)만이, 상기 투과율(Q)을 갖고 있으면 된다. 또한, 마찬가지로, 적어도 레이저광 조사에 의해 제거되는 유기 기재층(X)의 부분에 겹쳐지는 광도파로(W)의 부분만이, 상기 투과율(P)을 갖고 있으면 된다.

그리고, 상기 유기 기재층(X)의 투과율(Q)은, 작으면 작을수록, 제거 가공에 이용되는 에너지가 커져, 가공 효율이 높아지기 때문에 적합하다. 따라서, 상기 투과율(Q)은, 레이저광의 종류에 따라서도 달라지지만, 일반적으로 70% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50% 이하, 더욱 바람직하게는 30% 이하이다. 이러한 유기 기재층(X)의 형성 재료로서는, 광전기 혼재 기판 등의 절연층으로서 널리 이용되고 있는 폴리이미드 수지인 것이 적합하다. 즉, 폴리이미드 수지는, 절연성 및 내열성이 우수하고, 레이저광 조사에 의한 제거 가공에도 적합하기 때문이다. 한편, 상기 절연층(1)과 커버레이(3)는, 서로 동일한 재료여도 상이한 재료여도 좋고, 양자가 상이한 재료인 경우에는, 상기 레이저광에 대한 투과율이 큰 쪽의 재료의 투과율을, 유기 기재층(X)의 투과율(Q)로 규정하고, 본 발명의 바람직한 범위에서 이용할 수 있다.

또한, 상기 광도파로(W)의 투과율(P)은, 크면 클수록, 레이저광이 그대로 투과하여 광도파로(W)에의 영향이 작아져, 적합하다. 따라서, 상기 투과율(P)은, 상기한 바와 같이, 70% 이상인 것이 필요하고, 그 중에서도, 80% 이상인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 90% 이상이다. 그리고, 레이저광 조사에 의한 유기 기재층(X)의 제거 가공의 효율을 고려하면, 상기 투과율(P, Q)의 차(P-Q)는, 상기한 바와 같이 25% 이상이 아니면 안 되고, 그 중에서도, 그 차가 50% 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 70% 이상의 차인 것이 보다 바람직하다. 이러한 광도파로(W)의 형성 재료로서는, 감광성 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 가능한 한 투명도가 높은 것이 적합하게 이용된다.

그리고, 상기한 예에 있어서, 전기 회로 기판(E)과 광도파로(W)의 두께는, 광전기 혼재 기판(10)의 용도나 요구되는 성능에 따라 적절히 설정되지만, 통상, 전기 회로 기판(E)의 두께보다 광도파로(W)의 두께 쪽이 커지도록 설정하는 것이 적합하고, 특히, 전기 회로 기판(E)의 두께를 3 ㎛∼200 ㎛ 정도, 광도파로(W)의 두께를 20 ㎛∼500 ㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 즉, 이러한 구성으로 한 경우, 전체가 비교적 얇고 플렉시블성을 구비하고 있음에도 불구하고, 종래와 같이 전기 회로 기판(E)의 절연 부분이 충격을 받는 일이 없고, 또한 커넥터로서 이용하는 경우에도 코어(7)의 위치 어긋남이 발생하지 않기 때문에, 보다 실용적 효과가 크기 때문이다. 한편, 상기 전기 회로 기판(E)의 두께는, 바람직한 범위인 3 ㎛∼200 ㎛ 중에서도, 특히, 5 ㎛∼100 ㎛, 나아가서는, 5 ㎛∼50 ㎛로 하는 것이 적합하다.

또한, 상기 전기 회로 기판(E)에 있어서, 절연층(1)과 커버레이(3)를 합친 유기 기재층(X)의 두께는, 예컨대 1 ㎛∼100 ㎛인 것이 적합하다. 유기 기재층(X)의 두께가 지나치게 얇으면 절연성이나 강도의 점에서 불충분해질 우려가 있고, 반대로 지나치게 두꺼우면 유연성이 손상되고, 유기 기재층(X)의 불필요한 부분을 제거하기 위한 레이저광 조사 에너지가 다대해져, 비용이나 광도파로(W)에의 영향의 점에서 바람직하지 않다.

또한, 상기한 예에 있어서, 상기 전기 회로 기판(E)의 측면과 광도파로(W)의 측면의, 위에서 보았을 때의 어긋남폭[도 1의 (b)에 있어서 D로 나타냄]은, 2 ㎜ 이하로 설정하는 것이 적합하다. 즉, 어긋남폭(D)이 2 ㎜보다 커지면, 전기 회로 기판(E)의 양측 가장자리로부터 측방으로 튀어나온 광도파로(W)의 부분이 지나치게 커지고, 이 부분에 큰 충격을 받으면 광도파로(W) 내에서 변형 응력이 발생하는 등 하여, 광의 전파에 악영향을 미칠 우려가 있어, 바람직하지 않다. 또한, 어긋남폭(D)이 지나치게 크면, 전술한 바와 같이, 레이저광 조사에 의한 제거 가공에 있어서, 경계부만을 절단하여 박리하는 것이 곤란해지기 때문에, 전기 회로 기판(E)의, 비교적 면적이 큰 양 가장자리부를, 전부 레이저광 조사에 의해 제거하지 않으면 안 되어, 그 제거 가공에 시간을 요하게 되거나, 낭비되는 재료의 양이 많아지거나 하는 점에서도 바람직하지 않다.

단, 본 발명에서는, 상기 어긋남폭이 0(제로), 즉 전기 회로 기판(E)의 폭과 광도파로(W)의 폭이 완전히 동일해도 좋다. 즉, 양자 중 한쪽이 돌출되어 있지 있으면, 한쪽으로 치우쳐 충격을 받는 일이 없기 때문이다. 단, 이 경우도, 상기한 예와 마찬가지로, 먼저, 전기 회로 기판(E)의 양측 가장자리를 광도파로(W)의 양측 가장자리로부터 돌출시킨 형상으로 제작한 후, 레이저광 조사에 의해, 그 돌출 부분을 제거 가공한다. 따라서, 광전기 혼재 기판(E)에 있어서의 유기 기재층(X)과 광도파로(W)의, 레이저광에 대한 투과율(Q, P)이, 전술한 부등식 (1), (2)를 만족시키도록 설정해 두는 것이 중요하다.

또한, 상기한 예에서는, 절연층(1)과 커버레이(3)로 이루어지는 유기 기재층(X)의, 레이저광 조사에 의한 절단부 바로 아래에 있어서의 광도파로(W)는, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 언더 클래드층(6)과 오버 클래드층(8)이 적층된 구성으로 되어 있으나, 상기 절단부에 있어서의 광도파로(W)의 구성은, 이것에 한하는 것이 아니다. 예컨대, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 절단부 바로 아래의 광도파로(W)가, 오버 클래드층(8)만으로 이루어지는 구성이어도 좋고, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 언더 클래드층(6)만으로 이루어지는 구성이어도 좋다.

혹은, 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 언더 클래드층(6)과 코어(7)와 오버 클래드층(8)의 3층으로 된 구성이어도 좋고, 도 8의 (e)에 도시된 바와 같이, 언더 클래드층(6)의 표면(도면에서는 하면)에 코어(7)가 노출된 구성이어도 좋다. 또한, 도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 코어(7)와 오버 클래드층(8)의 2층으로 된 구성이어도 좋고, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 코어(7)만으로 이루어지는 구성이어도 좋다.

한편, 상기 일련의 예는, 본 발명을 광전기 혼재 기판(10)에 적용한 것이지만, 본 발명은 광전기 혼재 기판(10)에의 적용에 한하는 것은 아니며, 광도파로(W)의 한쪽 면 혹은 양면에 절연층(1) 등의 유기 기재(X)가 적층되고, 그 유기 기재층(X)의 일부가, 레이저광 조사에 의해 제거되어 결여되며, 그 결여부로부터 광도파로(W)의 표면이 부분적으로 노출되어 있는 구성의 광도파로 적층체에, 널리 적용할 수 있다.

그리고, 상기 일련의 예는, 광전기 혼재 기판(10)에 있어서, 광도파로(W)의 길이 방향을 따르는 전기 회로 기판(E)의 양 측면, 즉 절연층(1)과 커버레이(3)로 구성되는 유기 기재층(X)의 양 측면을 레이저광 조사에 의해 제거 가공한 것이지만, 레이저광 조사에 의해 제거하는 유기 기재층(X)의 부위는, 광도파로(W)의 길이 방향을 따르는 양 측면에 한하지 않고, 어느 부분이어도 상관없다.

또한, 상기 유기 기재층(X)은, 그 일부를 제거하는 것이면, 상기한 예와 같이 복수의 층이 적층된 것이어도, 단층이어도 좋다.

실시예

다음으로, 본 발명의 실시예에 대해, 비교예와 아울러 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한하는 것이 아니다.

[실시예 1∼9, 비교예 1∼4]

후기하는 광도파로(W)용의 재료와, 유기 기재층(X)용의 재료를 이용하여, 통상법에 따라 광도파로(W)(전체 두께 110 ㎛: Clad1의 두께 40 ㎛+Clad2의 두께 30 ㎛+Core의 두께 40 ㎛)의 한쪽 면에 유기 기재층(X)(전체 두께 15 ㎛: 절연층의 두께 10 ㎛+커버레이의 두께 5 ㎛)을 적층함으로써, 레이저 가공부에 있어서의 광도파로(W)의 재료와 유기 기재층(X)의 재료의 조합이, 후기하는 표 1에 나타내는 바와 같이 되는, 13종류의 광회로 기판을 모방한 시료(실시예 1∼9품, 비교예 1∼4품)를 제작하였다. 그리고, 이들 시료에 대해, 후기하는 4종류의 레이저 장치를 이용하여, 시료의 두께 방향으로 레이저광 조사를 행함으로써, 시료의 한쪽의 단가장자리부(폭 50 ㎛의 영역)의 유기 기재층(X)만을 제거하였다. 그리고, 그 제거부의 상태를, 전자 현미경(확대 배율: 500배)에 의한 확대 화상으로 확인하여, 레이저 가공의 적부를 평가하였다. 평가는, 유기 기재층(X)을 제거하기 위한 레이저 가공 횟수, 유기 기재층(X)의 제거가 불충분해져 가공 잔류물(가공되지 않는 부분)이 발생하는지의 여부, 유기 기재층(X) 제거 후의 광도파로(W)의 표면에 가공 흔적(융착이나 열에 의한 덩어리)이 발생하는지의 여부의 3점에 대해, 이하와 같이 평가하였다. 그 결과를, 각 재료의 레이저 광원 영역에 대한 투과율(%)과 함께, 후기하는 표 1에 아울러 나타낸다.

[평가]

◎(우량): 1회 내지 복수 회의 절삭에 있어서, 가공 흔적도 가공 잔류물도

형성되지 않는다.

○(양호): 복수 회의 절삭에 있어서 미소한 가공 흔적이 발생하는 경우가 있

으나, 1회의 절삭에서 가공 흔적도 가공 잔류물도 형성되지 않는

다.

△(보통): 1회의 절삭에서 미소한 가공 잔류물이 발생하는 경우가 있으나

가공 흔적은 발생하지 않는다. 복수 회의 절삭에서 가공 잔류물은

발생하지 않으나 미소한 가공 흔적이 발생하는 경우가 있다.

NG1 : 1회의 절삭에 있어서 유기 기재층(X)뿐만이 아니라 광도파로(W)

까지 절삭되어 광도파로(W)에 큰 가공 흔적이 형성된다.

NG2 : 복수 회의 절삭을 반복해도 유기 기재층(X)을 절삭할 수 없다.

[광도파로(W)용의 재료]

Clad1: 액상 장쇄 이작용 반지방족 에폭시 수지(DIC사 제조, EXA-4816)

80 중량부

지환 골격을 포함하는 에폭시 수지(다이셀 가가쿠 고교사 제조:

EHPE-3150) 20 중량부

광산 발생제(ADEKA사 제조: SP-170) 2 중량부

젖산에틸(무사시노 가가쿠 겐큐쇼사 제조) 40 중량부

Clad2: Clad1의 재료에 이하의 재료를 첨가

TINUVIN479(BASF 재팬사 제조) 2 중량부

Core : o-크레졸노볼락글리시딜에테르(신닛테츠 스미킨 가가쿠사 제조,

YDCN-700-10) 50 중량부

비스페녹시에탄올플루오렌디글리시딜에테르(오사카 가스 케미컬사

제조, OGSOL-EG-100) 50 중량부

광산 발생제(아데카사 제조: SP-170) 1 중량부

젖산에틸(무사시노 가가쿠 겐큐쇼사 제조) 50 중량부

[유기 기재층(X)용의 재료]

PI1: 일본 특허 공개 제2005-165138호 공보의 단락 [0063]∼[0066]에 기재된

코어층 폴리아미드산아미드

PI2: 일본 특허 공개 제2013-100441호 공보의 단락 [0064]∼[0071]에 기재된

감광성 폴리아미드산 조성물 C

PI3: 일본 특허 공개 제2005-165138호 공보의 단락 [0063]∼[0066]에 기재된

코어층 폴리아미드산아미드에 있어서, 그 성막(成膜) 조건을 변경하여

레이저광 투과율(Q)을 변경한 것

Clad2: Clad1의 재료에 이하의 재료를 첨가

TINUVIN479(BASF 재팬사 제조) 2 중량부

[레이저 장치]

레이저 광원 파장 266 ㎚: 나노초 YAG 레이저(코히렌트사 제조)

레이저 광원 파장 355 ㎚: 나노초 YAG 레이저(LIGHTWAVE사 제조)

레이저 광원 파장 532 ㎚: 나노초 YAG 레이저(코히렌트사 제조)

레이저 광원 파장 1064 ㎚: 나노초 YAG 레이저(코히렌트사 제조)

[광도파로(W), 유기 기재층(X)의 레이저광에 대한 투과율(P, Q)의 측정 방법]

분구 광선 투과율 측정 장치(JASCO사 제조, V-670)를 이용하여, 각 층의, 광의 파장과 투과율의 관계를 도시한 그래프도를 얻은 후, 레이저 광원 파장에 대한 투과율을 구하였다. 단, 레이저 가공부를 구성하는 광도파로(W) 및 유기 기재층(X)의 각 층마다, 전술한 각 층의 두께와 동일한 두께의 단층 필름을 제작하고, 이들 필름을, 순차, V-670에 세트하여, 전체 광선 투과율을 측정하였다. 측정 시에, 표면에서의 산란이 큰 경우에는, 통 형상의 석영 유리에 유동 파라핀(액상)을 충전하고, 그 안에 필름을 침지시킨 상태에서 측정을 행하였다.

상기한 결과로부터, 실시예 1∼9품은, 모두, 레이저 가공에 의한 유기 기재층(X)의 제거부에 있어서, 유기 기재층(X)에의 레이저 가공을 1회 내지는 복수 회 행함으로써, 노출된 광도파로(W)의 표면에 손상 등의 영향을 주지 않고, 대략 양호하게 유기 기재층(X)을 제거할 수 있는 것을 알 수 있다. 이에 대해, 비교예 1∼4품은, 모두 광도파로(W)의 내부까지 절삭되거나, 유기 기재층(X)의 절삭을 할 수 없거나 하여, 문제가 있는 것을 알 수 있다.

한편, 상기 실시예에 있어서는, 본 발명에 있어서의 구체적인 형태에 대해 나타내었으나, 상기 실시예는 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석되는 것이 아니다. 당업자에게 명백한 여러 가지 변형은, 모두 본 발명의 범위 내인 것이 기도되고 있다.

본 발명은 광도파로와 적층되는 유기 기재층이 레이저광 조사에 의해 부분적으로 제거되어 있는 것이면서, 그 레이저광 조사에 의해 광도파로가 열적 영향을 받고 있지 않아, 고품질이 유지되고 있는 광도파로 적층체의 제공에 이용할 수 있다.

1: 절연층 3: 커버레이
10: 광전기 혼재 기판 W: 광도파로
X: 유기 기재층

Claims (7)

1. 광도파로와, 상기 광도파로의 적어도 한쪽 면에 적층되는 유기 기재층을 구비한 광도파로 적층체로서,
   상기 광도파로 적층체는, 광도파로에 적층된 유기 기재층의 일부가 결여되어 그 결여부로부터 광도파로가 부분적으로 노출되는 광도파로 노출부를 갖고,
   상기 광도파로 노출부에 있어서의 광도파로의, 미리 정해진 파장 영역의 레이저광에 대한 투과율을 P로 하고, 상기 유기 기재층의 적어도 상기 광도파로 노출부에 면하는 부분의, 상기 레이저광에 대한 투과율을 Q라고 하면, 상기 P, Q가 하기의 부등식 (1), (2)를 만족시키는 것을 특징으로 하는 광도파로 적층체.
   P≥70% ……(1), P-Q≥25% ……(2)
2. 제1항에 있어서, 상기 유기 기재층의 투과율(Q)은 70% 이하인 것인 광도파로 적층체.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 기재층은 폴리이미드 수지층인 것인 광도파로 적층체.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광도파로 노출부에 면하는 상기 유기 기재층의 단부면은, 레이저 절삭면인 것인 광도파로 적층체.
5. 광도파로를 준비하는 공정과, 상기 광도파로의 적어도 한쪽 면에 유기 기재층을 적층하는 공정과, 상기 유기 기재층의 일부를, 미리 정해진 파장 영역의 레이저광 조사에 의해 제거하여 광도파로가 부분적으로 노출된 광도파로 노출부를 형성하는 공정을 구비한 광도파로 적층체의 제법으로서,
   상기 광도파로를 준비하는 공정이, 광도파로 노출 예정부에 있어서의 상기 레이저광에 대한 투과율(P)이 하기의 부등식 (1)을 만족시키는 광도파로를 준비하는 공정이고,
   상기 유기 기재층을 적층하는 공정이, 적어도 상기 광도파로 노출 예정부에 적층되는 부분에 있어서의 상기 레이저광에 대한 투과율(Q)이 하기의 부등식 (2)를 만족시키는 유기 기재층을 적층하는 공정인 것을 특징으로 하는 광도파로 적층체의 제법.
   P≥70% ……(1), P-Q≥25% ……(2)
6. 제5항에 있어서, 상기 유기 기재층의 투과율(Q)은 70% 이하인 것인 광도파로 적층체의 제법.
7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 유기 기재층은 폴리이미드 수지층인 것인 광도파로 적층체의 제법.

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