JP2010117380A - 光導波路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の表面に光導波路を形成する際に、その光導波路のコア側面の粗面化を抑制することができる光導波路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面が算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内の平滑状になっている基板Aの表面に、アンダークラッド層2の形成を経て、コア3形成用の感光性樹脂層3Aを形成した後、この感光性樹脂層3Aに対して直角に照射線Lを照射し所定パターンに露光し、その露光部分をコア3に形成する。このコア3形成工程において、コア3形成用の感光性樹脂層3Aおよびアンダークラッド層2を透過した照射線Lは、基板Aの平滑状表面により、その基板Aに対して略直角に反射する。これにより、基板Aの表面での乱反射を大幅に減少させ、コア3側面の粗面化を効果的に抑制する。
【選択図】図2
【解決手段】表面が算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内の平滑状になっている基板Aの表面に、アンダークラッド層2の形成を経て、コア3形成用の感光性樹脂層3Aを形成した後、この感光性樹脂層3Aに対して直角に照射線Lを照射し所定パターンに露光し、その露光部分をコア3に形成する。このコア3形成工程において、コア3形成用の感光性樹脂層3Aおよびアンダークラッド層2を透過した照射線Lは、基板Aの平滑状表面により、その基板Aに対して略直角に反射する。これにより、基板Aの表面での乱反射を大幅に減少させ、コア3側面の粗面化を効果的に抑制する。
【選択図】図2
Description
本発明は、光通信,光情報処理,その他一般光学で広く用いられる光導波路装置の製造方法に関するものである。
光導波路装置の光導波路は、通常、アンダークラッド層の表面に、光の通路であるコアを所定パターンに形成し、そのコアを被覆した状態で、オーバークラッド層を形成して構成されている。このような光導波路は、通常、金属製基板等の基板の表面に形成され、その基板とともに光導波路装置として製造される。
このような光導波路装置の従来の製造方法は、つぎのとおりである。まず、図4(a)に示すように、基板10の表面に、アンダークラッド層2を形成する。ついで、図4(b)に示すように、そのアンダークラッド層2の表面に、コア形成用の感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層3Aを形成する。つぎに、コアのパターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクMを介して、上記感光性樹脂層3Aに対して照射線Lを照射し、その照射線Lを上記開口パターンの開口を通じて上記感光性樹脂層3Aに到達させ、その感光性樹脂層3Aの部分を露光する。上記照射線Lは、上記感光性樹脂層3Aに対して直角に照射され、その照射による露光部分では光反応が進み、硬化する。そして、現像液を用いて現像を行うことにより、図4(c)に示すように、未露光部分を溶解させて除去し、残存した露光部分が所定パターンのコア3となる。このコア3は、通常、断面形状が四角形に形成される。その後、図4(d)に示すように、そのコア3を被覆するよう、上記アンダークラッド層2の表面にオーバークラッド層4を形成する。このようにして、上記基板10の表面に光導波路Wを形成する(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−341454号公報
しかしながら、このような従来の方法では、場合によって、図5(a),(b)に示すように、コア30の側面31が粗面に形成されることがあった。そして、このようなコア30を有する光導波路では、コア30内を伝播する光の伝播損失が大きくなるという問題が生じる。なお、図5(b)は、図5(a)の丸部Cで囲ったコア30を電子顕微鏡で700倍に拡大して斜視した写真に基づいて描いた図(写真図)である。このように、電子顕微鏡で700倍に拡大することにより、コア30の側面31が粗面に形成されていることが確認できる。
そこで、本発明者らは、コア30の側面31が粗面に形成される原因を究明すべく、研究を重ねた。その過程で、上記コア30の側面31の粗面化は、図5(a)に示すように、上記基板10〔図4(a)〜(d)参照〕としてSUS箔等の金属箔等からなる金属製基板11を用いた場合に起こることを突き止めた。そして、さらに研究を重ねた結果、上記金属箔等からなる金属製基板11は、図5(a)に示すように、表面が算術平均粗さ(Ra)95nm以上の粗面になっていることがわかった。このため、上記コア形成工程では、図6に示すように、露光に用いられる照射線Lが、コア形成用の感光性樹脂層3Aおよびアンダークラッド層2を透過した後、上記金属製基板11の粗面状の表面で、その粗面のため乱反射する。そして、その乱反射した照射線Lが、上記アンダークラッド層2を下から斜め上方向に透過して、コア形成用の感光性樹脂層3A内のコア形成領域Sにおいて、コア30のパターニングの境界面(側面31となる面)を斜め下から露光する。この斜め下からの露光は上記乱反射によるものであり、不均一である。このため、その斜め下からの露光が原因で、コア30の側面31となる面では不要な光反応が不均一に進み、コア30の幅が広がるとともに、コア30の側面31が粗面に形成されることが判明した。すなわち、コア30の側面31となる面では、上記照射線Lの乱反射により、露光度の大小,または未露光部分と露光部分との混在が生じる。そして、後の現像工程で、上記コア30の側面31となる面の、露光度の小さい部分,未露光部分が溶解除去され、露光度の大きい部分,露光部分が残存するようになる。このため、コア30の側面31が粗面に形成されるのである。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、基板の表面に光導波路を形成する際に、その光導波路のコア側面の粗面化を抑制することができる光導波路装置の製造方法の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の光導波路装置の製造方法は、基板の表面に、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、コア形成用の感光性樹脂層を形成する工程と、この感光性樹脂層に対して照射線を照射し所定パターンに露光し、その露光部分をコアに形成する工程とを備えた光導波路装置の製造方法であって、上記コア形成工程において、上記感光性樹脂層に対して照射する照射線および上記基板が、下記(A)および(B)のいずれかであるという構成をとる。
(A)上記照射線が上記感光性樹脂層を透過して上記基板の表面に達しそこで反射する照射線であり、上記基板がその表面の算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板である。
(B)上記照射線が上記感光性樹脂層を透過して上記基板の表面を経て底面に達しそこで反射する照射線であり、上記基板がその表面および裏面とも算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板である。
(A)上記照射線が上記感光性樹脂層を透過して上記基板の表面に達しそこで反射する照射線であり、上記基板がその表面の算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板である。
(B)上記照射線が上記感光性樹脂層を透過して上記基板の表面を経て底面に達しそこで反射する照射線であり、上記基板がその表面および裏面とも算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板である。
なお、本発明における算術平均粗さ(Ra)は、JIS B 0601(1994年)に規定される表面粗さである。
本発明の光導波路装置の製造方法では、基板として、算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板を用い、その表面に、アンダークラッド層の形成を経て、コア形成用の感光性樹脂層を形成した後、この感光性樹脂層に対して照射線を照射し所定パターンに露光し、その露光部分をコアに形成する。このコア形成工程において、上記コア形成用の感光性樹脂層に対して略直角に照射されその感光性樹脂層およびアンダークラッド層を透過した照射線は、上記基板の表面に達する。ここで、上記照射線および上記基板が上記(A)である場合、すなわち、上記基板が照射線を透過させない材料からなるもの等であり、上記照射線がその基板の表面で反射する場合、上記基板の表面が算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっていることから、上記基板の表面に達した照射線は、その基板の表面に対して略直角に反射し、アンダークラッド層,感光性樹脂層を透過して外部に到る。このため、基板の表面で乱反射してアンダークラッド層を下から斜め上方向に透過しコア形成用の感光性樹脂層に達する照射線を大幅に減少させることができる。その結果、コア形成用の感光性樹脂層内において、コアの側面となる面を斜め下から露光して粗面とする照射線が殆どなくなり、コア側面の粗面化を効果的に抑制することができる。また、このとき、上記基板の表面で略直角に反射した照射線により、上記感光性樹脂層が再露光されるため、露光効率が向上する。なお、上記乱反射による弊害除去策として、基板表面に照射線の吸収層を設けることが考えられるが、本発明では、基板自身の表面を平滑状状にすることにより照射線の乱反射を抑制するため、照射線吸収用の新たな層を設ける必要がなく、全体の厚みが厚くならないという利点がある。
他方、上記コア形成工程において、上記照射線および上記基板が上記(B)である場合、すなわち、上記基板が照射線を透過させる材料からなるもの等であり、上記照射線がその基板内に入射し、基板の底面(裏面に対応する面)に達する場合、上記基板の表面に達した照射線は、その基板の表面が算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっていることから、その表面で殆ど屈折することなく、基板の表面に対して略直角に基板内に入射し、そのまま基板の底面に達する。その基板の裏面は、通常、基板を載置する載置台等の、照射線を透過しない載置面に接触していることから、上記基板の底面に達した照射線は、上記基板の裏面から出射することなく基板の底面で反射する。この反射した照射線は、上記基板の裏面が算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっていることから、その基板の底面に対して略直角になる。その後、その反射した照射線は、上記基板の平滑状表面のため、その表面で殆ど屈折することなく、上記基板の表面に対して略直角に、その表面から出射する。このため、基板の表面で乱屈折し基板の底面で乱反射してアンダークラッド層を下から斜め上方向に透過しコア形成用の感光性樹脂層に達する照射線を大幅に減少させることができる。その結果、コア形成用の感光性樹脂層内において、コアの側面となる面を斜め下から露光して粗面とする照射線が殆どなくなり、コア側面の粗面化を効果的に抑制することができる。また、この場合も、基板の平滑状表裏面により照射線の乱屈折および乱反射を抑制するため、照射線吸収用の新たな層を設ける必要がなく、全体の厚みが厚くならないという利点がある。
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
図1(a)は、本発明の光導波路装置の製造方法の第1の実施の形態によって得られた光導波路装置を示している。この光導波路装置は、照射線を透過しない材料からなり表面の算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板Aと、この基板Aの表面に形成された光導波路Wとを備えている。この光導波路Wは、上記基板Aの表面に形成されたアンダークラッド層2を有しており、つぎのようにして製造される。すなわち、上記アンダークラッド層2の表面に感光性樹脂層3A〔図2(b)参照〕を形成した後、この感光性樹脂層3Aに対して照射線Lを照射し所定パターンに露光してコア3を形成し、さらにその上に、オーバークラッド層4を積層形成して製造される。ここで、上記基板Aを形成する、照射線を透過しない材料は、上記感光性樹脂層3Aに対して照射される照射線Lを透過しない作用を奏する。なお、図1(b)は、図1(a)の丸部Cで囲ったコア3を電子顕微鏡で700倍に拡大して斜視した写真図である。
この実施の形態の光導波路装置の製造方法について詳しく説明する。
まず、上記基板A〔図2(a)参照〕を準備する。この基板Aは、先に述べたように、後のコア3形成工程〔図2(b)〜(c)参照〕においてコア3形成用の感光性樹脂層3Aを露光する際に用いる紫外線等の照射線Lを透過しない材料からなり、表面が算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっているものである。このような基板Aとしては、例えば、シリコンウエハ(シリコン製基板)等があげられる。上記基板Aは、通常、市販品が用いられる。例えば、上記シリコンウエハは、通常、半導体デバイスの製造に用いられることから、欠陥のない積層配線の構築および歩留りの向上のために、表面が平滑状のものに形成される。上記シリコンウエハ以外の基板も、その製造過程で、必然的に平滑状になる。また、上記照射線Lを透過しない材料からなり、市販時に表面が粗面になっている基板、例えば、ステンレス製基板,アルミニウム製基板,銅製基板等の金属製基板であっても、その表面を研磨により上記算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状に表面加工したものも上記基板Aとして用いられる。なお、上記基板Aとしては、例えば、厚みが20μm〜1mmの範囲内のものが用いられる。
ついで、図2(a)に示すように、上記基板Aの表面の所定領域に、アンダークラッド層2形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布し、その塗布層2aを形成する。上記感光性樹脂としては、感光性エポキシ樹脂等があげられる。上記ワニスの塗布は、例えば、スピンコート法,ディッピング法,キャスティング法,インジェクション法,インクジェット法等により行われる。そして、必要に応じて、上記塗布層2aを50〜120℃×10〜30分間の加熱処理により乾燥させる。これにより、アンダークラッド層形成用の感光性樹脂層2Aを形成する。
つぎに、この感光性樹脂層2Aを照射線により露光する。上記露光用の照射線としては、例えば、可視光,紫外線,赤外線,X線,α線,β線,γ線等が用いられる。好適には、紫外線(波長250〜400nm)が用いられる。紫外線を用いると、大きなエネルギーを照射して、大きな硬化速度を得ることができ、しかも、照射装置も小型かつ安価であり、生産コストの低減化を図ることができるからである。紫外線の光源としては、例えば、低圧水銀灯,高圧水銀灯,超高圧水銀灯等があげられ、紫外線の照射量は、通常、10〜10000mJ/cm2 、好ましくは、50〜3000mJ/cm2 である。
上記露光後、光反応を完結させるために、加熱処理を行う。この加熱処理は、80〜250℃、好ましくは、100〜200℃にて、10秒〜2時間、好ましくは、5分〜1時間の範囲内で行う。これにより、図2(a)に示すように、上記感光性樹脂層2Aをアンダークラッド層2に形成する。アンダークラッド層2の厚みは、通常、1〜50μmの範囲内に設定され、好ましくは、5〜30μmの範囲内に設定される。
ついで、図2(b)に示すように、上記アンダークラッド層2の表面に、コア3〔図2(c)参照〕形成用の感光性樹脂層3Aを形成する。この感光性樹脂層3Aの形成は、図2(a)で説明した、アンダークラッド層2形成用の感光性樹脂層2Aの形成方法と同様にして行われる。なお、このコア3の形成材料は、上記アンダークラッド層2および後記のオーバークラッド層4〔図2(d)参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層2,コア3,オーバークラッド層4の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。
その後、上記コア3形成用の感光性樹脂層3Aの上に、コア3に対応する開口パターンが形成されているフォトマスクMを配置し、このフォトマスクMを介して、上記感光性樹脂層3Aの上記開口パターンに対応する部分を照射線Lにより露光する。この露光は、先に述べたアンダークラッド層2形成工程と同様にして行われる。上記露光において、上記照射線Lは、上記感光性樹脂層3Aに対して直角に照射され、その照射による露光部分で光反応を進めて硬化させる。この照射線Lは、上記感光性樹脂層3Aおよび上記アンダークラッド層2を透過し、上記基板Aの表面に達する。ここで、上記基板Aは、照射線Lを透過しない材料からなっているとともに、その表面は、算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっているため、上記基板Aの表面に達した照射線Lは、基板Aの表面に対して略直角に反射する。これにより、基板Aの表面で乱反射してアンダークラッド層2を下から斜め上方向に透過する照射線Lは、大幅に減少する。その結果、コア3形成用の感光性樹脂層3A内において、コア3の側面となる面を乱反射により露光する照射線Lが殆どなくなり、コア3の側面の粗面化を抑制することができる。また、反射した照射線Lにより、上記感光性樹脂層3Aが再露光されるため、露光効率が向上する。
上記露光後、先に述べたアンダークラッド層2形成工程と同様にして、加熱処理を行う。ついで、現像液を用いて現像を行うことにより、図2(c)に示すように、上記感光性樹脂層3Aにおける未露光部分を溶解させて除去し、アンダークラッド層2上に残存した感光性樹脂層3Aをコア3のパターンに形成する。上記現像は、例えば、浸漬法,スプレー法,パドル法等が用いられる。また、現像液としては、例えば、有機系の溶媒,アルカリ系水溶液を含有する有機系の溶媒等が用いられる。このような現像液および現像条件は、感光性樹脂組成物の組成によって、適宜選択される。
上記現像後、コア3のパターンに形成された感光性樹脂層3Aの表面等に残存する現像液を加熱処理により除去する。この加熱処理は、通常、80〜120℃×10〜30分間の範囲内で行われる。これにより、上記コア3のパターンに形成された感光性樹脂層3Aをコア3に形成する。このコア3の側面は、先に述べたように、粗面化が抑制されている。また、上記コア3の厚みは、通常、5〜150μmの範囲内に設定され、好ましくは、5〜100μmの範囲内に設定される。また、コア3の幅は、通常、5〜150μmの範囲内に設定され、好ましくは、5〜100μmの範囲内に設定される。
つぎに、図2(d)に示すように、コア3を被覆するように、上記アンダークラッド層2の表面に、オーバークラッド層4形成用の感光性樹脂層4Aを形成する。この感光性樹脂層4Aの形成は、図2(a)で説明した、アンダークラッド層2形成用の感光性樹脂層2Aの形成方法と同様にして行われる。その後も、アンダークラッド層2の形成工程と同様に露光,加熱処理等を行い、上記感光性樹脂層4Aをオーバークラッド層4に形成する。オーバークラッド層4の厚み(コア3の表面からの厚み)は、通常、5〜100μmの範囲内に設定され、好ましくは、10〜80μmの範囲内に設定される。
このようにして、基板Aの表面に、上記アンダークラッド層2,コア3およびオーバークラッド層4からなる光導波路Wが形成された光導波路装置が得られる。この光導波路装置の光導波路Wでは、コア3の側面の粗面化が抑制されているため、光の伝播損失が小さく、良好な光伝播を行うことができる。
図3は、本発明の光導波路装置の製造方法の第2の実施の形態における、コア3形成用の感光性樹脂層3Aに対する照射線Lの照射工程を示している。この実施の形態では、基板Bとして、照射線Lを透過する材料からなり、表面および裏面とも算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっているものを用いている。このような基板Bとしては、例えば、ガラス製基板等があげられる。上記基板Bも、通常、市販品が用いられ、その製造過程で、必然的に平滑状になる。また、上記照射線Lを透過する材料からなり、市販時に表裏面とも粗面になっている基板であっても、その表裏面を研磨により上記算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状に表面加工したものも上記基板Bとして用いられる。それ以外の部分は上記第1の実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
この実施の形態では、上記感光性樹脂層3Aに対して直角に照射され、上記感光性樹脂層3Aおよび上記アンダークラッド層2を透過し、上記基板Bの表面に達した照射線Lは、上記基板Bの表面が算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっていることから、基板Bの表面で殆ど屈折することなく、その基板Bの表面に対して略直角に基板B内に入射し、そのまま基板Bの底面(裏面に対応する面)に達する。そして、上記基板Bの裏面も算術平均粗さ(Ra)1〜2nmの範囲内と平滑状になっていることから、上記基板Bの底面に達した照射線は、その基板Bの底面に対して略直角に反射する。その後、その反射した照射線は、上記基板Bの平滑状表面のため、その表面で殆ど屈折することなく、上記基板Bの表面に対して略直角に、その表面から出射する。これにより、基板Bの表面で乱屈折し基板Bの底面で乱反射してアンダークラッド層2を下から斜め上方向に透過する照射線Lは、大幅に減少する。その結果、上記第1の実施の形態と同様、コア3形成用の感光性樹脂層3A内において、コア3の側面となる面を乱反射により露光する照射線Lが殆どなくなり、コア3の側面の粗面化を抑制することができる。また、上記第1の実施の形態と同様、反射した照射線Lにより、上記感光性樹脂層3Aが再露光されるため、露光効率が向上する。
なお、上記各実施の形態では、基板A,Bの裏面(上記光導波路Wが形成されている面と反対側の面)には、何も形成されていないが、上記基板A,Bは、裏面に、絶縁層を介して電気回路が形成されている基板であってもよいし、また、その電気回路に実装用パッドを形成し、その実装用パッドに発光素子,受光素子等の光学素子が実装されている基板であってもよい。
また、上記各実施の形態では、オーバークラッド層4を形成したが、このオーバークラッド層4は、場合によって、形成しなくてもよい。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。
〔基板〕
シリコンウエハ製基板〔シリコンテクノロジー社製、厚み525μm、算術平均粗さ(Ra)1nm〕を準備した。なお、上記算術平均粗さ(Ra)の測定は、カラー3Dレーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK−9700)を用い、測定範囲は、200μm×200μmとした(以下の実施例2および比較例1も同様)。
シリコンウエハ製基板〔シリコンテクノロジー社製、厚み525μm、算術平均粗さ(Ra)1nm〕を準備した。なお、上記算術平均粗さ(Ra)の測定は、カラー3Dレーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK−9700)を用い、測定範囲は、200μm×200μmとした(以下の実施例2および比較例1も同様)。
〔アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料〕
下記の一般式(1)で示されるビスフェノキシエタノールフルオレングリシジルエーテル(成分A)35重量部、脂環式エポキシ樹脂である3',4'−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(ダイセル化学社製、セロキサイド2021P)(成分B)40重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂である(3',4'−エポキシシクロヘキサン)メチル−3',4'−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート(ダイセル化学社製、セロキサイド2081)(成分C)25重量部、4,4'−ビス〔ジ(β−ヒドロキシエトキシ)フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの50%プロピオンカーボネート溶液(成分D)2重量部とを混合することにより、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料を調製した。
下記の一般式(1)で示されるビスフェノキシエタノールフルオレングリシジルエーテル(成分A)35重量部、脂環式エポキシ樹脂である3',4'−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート(ダイセル化学社製、セロキサイド2021P)(成分B)40重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂である(3',4'−エポキシシクロヘキサン)メチル−3',4'−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート(ダイセル化学社製、セロキサイド2081)(成分C)25重量部、4,4'−ビス〔ジ(β−ヒドロキシエトキシ)フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの50%プロピオンカーボネート溶液(成分D)2重量部とを混合することにより、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料を調製した。
〔コアの形成材料〕
上記成分A:70重量部、1,3,3−トリス{4−〔2−(3−オキセタニル)〕ブトキシフェニル}ブタン:30重量部、上記成分D:1重量部を乳酸エチルに溶解することにより、コアの形成材料を調製した。
上記成分A:70重量部、1,3,3−トリス{4−〔2−(3−オキセタニル)〕ブトキシフェニル}ブタン:30重量部、上記成分D:1重量部を乳酸エチルに溶解することにより、コアの形成材料を調製した。
〔光導波路装置の製造〕
上記PMMA製基板の表面に、上記アンダークラッド層の形成材料をスピンコーターを用いて塗布し、膜厚20μmの塗布層を形成した。その後、その塗布層の全面に、超高圧水銀灯から紫外線を照射し、積算光量1000mJ/cm2 (i線基準)の露光を行った。つづいて、120℃のホットプレート上に10分間放置し、反応を完了させた。このようにしてアンダークラッド層を形成した。
上記PMMA製基板の表面に、上記アンダークラッド層の形成材料をスピンコーターを用いて塗布し、膜厚20μmの塗布層を形成した。その後、その塗布層の全面に、超高圧水銀灯から紫外線を照射し、積算光量1000mJ/cm2 (i線基準)の露光を行った。つづいて、120℃のホットプレート上に10分間放置し、反応を完了させた。このようにしてアンダークラッド層を形成した。
ついで、上記アンダークラッド層の表面に、上記コアの形成材料をスピンコーターを用いて塗布した後、70℃のホットプレート上に5分間放置することにより、溶媒を揮発させ、コア形成用の感光性樹脂層を形成した。つぎに、所定の開口パターン(開口幅50μm、隣り合う開口と開口との間の隙間200μm)が形成されたガラスマスクを介して、超高圧水銀灯から紫外線を照射し、積算光量2000mJ/cm2 (i線基準)の露光を行った。その後、120℃のホットプレート上に10分間放置し、反応を完了させた。つぎに、γ−ブチロラクトン90重量%の現像液を用いて、スプレー現像機で現像を行い、コア(高さ50μm)を形成した。
そして、上記コアを被覆するよう、上記アンダークラッド層の表面に、上記オーバークラッド層の形成材料をスピンコーターを用いて塗布した。その後、上記アンダークラッド層の形成方法と同様にして、オーバークラッド層を形成した。このようにして、光導波路装置(総厚100μm)を製造した。
ガラス製基板〔セントラル硝子社製、厚み1100μm、算術平均粗さ(Ra)2nm〕の表面に直接、上記実施例1と同様にして、アンダークラッド層,コアおよびオーバークラッド層を形成することにより、光導波路装置を製造した。
〔比較例1〕
SUS304箔〔東洋製箔社製、厚み20μm、算術平均粗さ(Ra)95nm〕の表面に直接、上記実施例1と同様にして、アンダークラッド層,コアおよびオーバークラッド層を形成することにより、光導波路装置を製造した。
SUS304箔〔東洋製箔社製、厚み20μm、算術平均粗さ(Ra)95nm〕の表面に直接、上記実施例1と同様にして、アンダークラッド層,コアおよびオーバークラッド層を形成することにより、光導波路装置を製造した。
〔コア側面の評価〕
上記実施例1,2および比較例1の光導波路装置のコアの側面を、走査型電子顕微鏡により確認した。その結果、比較例1のコアの側面は、粗面に形成されていたが、実施例1,2のコアの側面は、比較例1よりも大幅に平坦化していた。
上記実施例1,2および比較例1の光導波路装置のコアの側面を、走査型電子顕微鏡により確認した。その結果、比較例1のコアの側面は、粗面に形成されていたが、実施例1,2のコアの側面は、比較例1よりも大幅に平坦化していた。
〔コア幅の測定〕
上記実施例1,2および比較例1の光導波路装置のコアの幅を、走査型電子顕微鏡により測定した。その結果、実施例1のコアの幅は54μmであり、実施例2のコアの幅は53μmであり、比較例1のコアの幅は57.7μmであった。なお、上記コアの幅の値は、任意の10か所を測定した値の平均値である。
上記実施例1,2および比較例1の光導波路装置のコアの幅を、走査型電子顕微鏡により測定した。その結果、実施例1のコアの幅は54μmであり、実施例2のコアの幅は53μmであり、比較例1のコアの幅は57.7μmであった。なお、上記コアの幅の値は、任意の10か所を測定した値の平均値である。
〔光伝播損失の測定〕
上記実施例1,2および比較例1の光導波路装置を、ダイサー(ディスコ社製、DAD522)を用いてカッティングし、コアの端面を露出させた。また、上記光導波路装置を10cmの長さに切断し、光伝播損失の測定した。その結果、実施例1の光導波路装置の光伝播損失は1.73dB/10cmであり、実施例2のそれは1.66dB/10cmであり、比較例1のそれは5.22dB/10cmであった。
上記実施例1,2および比較例1の光導波路装置を、ダイサー(ディスコ社製、DAD522)を用いてカッティングし、コアの端面を露出させた。また、上記光導波路装置を10cmの長さに切断し、光伝播損失の測定した。その結果、実施例1の光導波路装置の光伝播損失は1.73dB/10cmであり、実施例2のそれは1.66dB/10cmであり、比較例1のそれは5.22dB/10cmであった。
上記結果から、実施例1,2では、比較例1と比較して、コア側面の粗面化が抑制されていることから、実施例1,2では、基板の表面等での乱反射が殆どなくなっていることがわかる。これは、実施例1,2における基板の表面等が算術平均粗さ(Ra)の小さい平滑状になっているからである。
A 基板
2 アンダークラッド層
3 コア
3A 感光性樹脂層
L 照射線
2 アンダークラッド層
3 コア
3A 感光性樹脂層
L 照射線
Claims (3)
- 基板の表面に、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、コア形成用の感光性樹脂層を形成する工程と、この感光性樹脂層に対して照射線を照射し所定パターンに露光し、その露光部分をコアに形成する工程とを備えた光導波路装置の製造方法であって、上記コア形成工程において、上記感光性樹脂層に対して照射する照射線および上記基板が、下記(A)および(B)のいずれかであることを特徴とする光導波路装置の製造方法。
(A)上記照射線が上記感光性樹脂層を透過して上記基板の表面に達しそこで反射する照射線であり、上記基板がその表面の算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板である。
(B)上記照射線が上記感光性樹脂層を透過して上記基板の表面を経て底面に達しそこで反射する照射線であり、上記基板がその表面および裏面とも算術平均粗さ(Ra)が1〜2nmの範囲内になっている基板である。 - 上記(A)における基板が、シリコンウエハである請求項1記載の光導波路装置の製造方法。
- 上記(B)における基板が、ガラス製基板である請求項1記載の光導波路装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008269688A JP2010117380A (ja) | 2008-10-14 | 2008-10-20 | 光導波路装置の製造方法 |
US12/575,112 US20100092893A1 (en) | 2008-10-14 | 2009-10-07 | Method of manufacturing optical waveguide device |
CN200910177878A CN101726795A (zh) | 2008-10-14 | 2009-10-14 | 光波导装置制造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008265418 | 2008-10-14 | ||
JP2008269688A JP2010117380A (ja) | 2008-10-14 | 2008-10-20 | 光導波路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010117380A true JP2010117380A (ja) | 2010-05-27 |
Family
ID=42099164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008269688A Pending JP2010117380A (ja) | 2008-10-14 | 2008-10-20 | 光導波路装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100092893A1 (ja) |
JP (1) | JP2010117380A (ja) |
CN (1) | CN101726795A (ja) |
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US8415090B2 (en) | 2010-09-28 | 2013-04-09 | Nitto Denko Corporation | Production method of optical waveguide for connector |
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Family Cites Families (5)
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-
2008
- 2008-10-20 JP JP2008269688A patent/JP2010117380A/ja active Pending
-
2009
- 2009-10-07 US US12/575,112 patent/US20100092893A1/en not_active Abandoned
- 2009-10-14 CN CN200910177878A patent/CN101726795A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20100092893A1 (en) | 2010-04-15 |
CN101726795A (zh) | 2010-06-09 |
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